Dioda pojemnościowa. lub:

Wielkość: px

Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Dioda pojemnościowa. lub:"

Jerzy Turek
7 lat temu
Przeglądów:

1 Dioda pojemnościowa Symbol: lub: Inne używane nawy: waikap (vaiable capacitance mienna pojemność) oa waakto (vaiable eactance mienna eaktancja pojemnościowa). Wykoytuje ię mianę pojemności watwy apoowej łąca pn e mianą watości napięcia wtecnego diody. Powala to na teowanie pojemnością, np. petajanie cętotliwości eonanowej układu, w któym waikap pełni olę pojemności (kondenatoa). Zake cętotliwości pacy waikapów: od etek kh do etek MH; dla waaktoów do etek GH.

2 Dioda Zenea Stoowana do tabiliacji napięcia tałego. Py dotatecnie dużym napięciu wtecnym pąd wtecny wata do dużych watości pod wpływem jawika pebicia Zenea emiji elektonów atomów w obae łąca wkutek ilnych oddiaływań pola elektycnego, lub pebicia lawinowego joniacji atomów pod wpływem deeń elektonami. Py oganiconej watości pądu tak, aby nie pekocyć dopucalnej mocy diody (jej pekocenie powoduje peganie), tan pebicia może być utymywany dowolnie długo. W tanie pebicia napięcie jet pawie tałe bado łabo ależy od pądu (jak w idealnym źódle napięcia). Podtawowe paamety diod Zenea: -napięcie Zenea (1 600 V), - dopucalna moc (0,25 1,2 W, do 5W adiatoem), - wpółcynnik temicny napięcia Zenea (poniżej 0,1%/K), ujemny dla < 5V (pebicie Zenea) i dodatni dla > 5V (pebicie lawinowe), - eytancja dynamicna; okeśla miany napięcia diody py mianach pądu.

3 Symbol: max Makymalną watość pądu oblicamy e wou: I = max P max

4 Podtawowy układ ównoległego tabiliatoa napięcia wykoytującego właściwości diody Zenea: óżnica napięcia tabiliowanego i napięcia ailającego E odkłada ię na eytoe eegowym ; oganica on także pąd diody Zenea i abepieca ją ped peganiem. Do analiy mian napięcia wyjściowego w tefie tabiliacji można atoować chemat atępcy lineayowany dla diody Zenea; ymbolem onacono eytancję dynamicną diody w obae tabiliacji.

5 owiąując powyży obwód otymamy: I E = 0 0 Wpółcynniki tabiliacji wynoą: I = 0 0 E = 0 T T = 0

6 Wpółcynniki tabiliacji ależą od paametów obwodu ( ) i właności diody (, / T), tąd jakość tabiliacji nie jet wyoka. W paktyce w układach ailających touje ię cęściej tw. tabiliatoy eegowe, któe awieają układy egulacji napięcia wyjściowego wykoytuje ię napięcie wyjściowe jako ygnał pężenia wotnego. Włącony eegowo międy wejściem i wyjściem tanyto jet tak teowany, aby napięcie wyjściowe miało ściśle adaną watość, nieależnie od mian napięcia wejściowego i pądu obciążenia. we wy

7 Tanytoy Tanyto jet jednym najbadiej podtawowych i opowechnionych elementów w układach elektonicnych. Jet wykoytywany do teowania pądu w jednym obwodie elektycnym a pośednictwem watości pądu lub napięcia w innym obwodie elektycnym (lub w innym punkcie tego amego obwodu). Moc w obwodie wyjściowym (teowanym) jet eguły nacnie więka od mocy w obwodie wejściowym (teującym). Podtawowy chemat wykoytania tanytoa: O O I I

8 W ależności od budowy i poobu diałania tanytoy można podielić na: bipolane, wykoytujące łąca p-n, unipolane (polowe), opate na tuktue łożonej półpewodnika i oddielonej od niego watwą iolatoa (najcęściej dwutlenek kemu) watwy metalu (MOS Metal Oxide Semiconducto), tuktuy mieane (najcęściej IGBT Inulated Gate Bipola Tanito). E E Tanyto bipolany Składa ię tech ąiadujących watw półpewodnika domiekowanych napemiennie akceptoowo i donoowo; może być typu npn lub pnp. n p n p n p B C B C

9 Aby wytąpił efekt tanytoowy odległość kolektoa i emitea (gubość watwy bay) mui być mnieja niż śednia doga dyfuji nośników ładunku. Watwy twoą dwa łąca pn: łące emiteowe B-E (baaemite) i łące kolektoowe B-C (baa-kolekto). Każde tych łąc może być polayowane w kieunku pewodenia alby w kieunku wtecnym daje to 4 możliwe kombinacje (tany tanytoa): tan tanytoa kieunek polayacji łąca B-E kieunek polayacji łąca B-C AKTYWNY PZEWODZENIA WSTECZNY NASYCENIE PZEWODZENIA PZEWODZENIA ZATKANIE WSTECZNY WSTECZNY INWESYJNY WSTECZNY PZEWODZENIA

10 Tylko tan aktywny umożliwia teowanie pądem wyjściowym. n p n BE CB Dodatnia polayacja łąca B-E wpowada elektony obau emitea do obau bay i diu w kieunku peciwnym. Składowa pądu elektonowa więka od diuowej óżna koncentacja domieek. Elektony (mniejościowe w baie) ą unoone do obau kolektoa (dięki polayacji łąca B-C). Cęść elektonów ulega ekombinacji w baie daje to pąd bay; wykle 1 10% pądu kolektoa. Zmieniając watość niewielkiego pądu bay teujemy watością nacnie więkego pądu kolektoa. Zmiana watości pądu bay pope mianę napięcia baa-emite (ależność: jak chaakteytyka diody w kie. pewodenia).

11 Chaakteytyki tanytoa bipolanego:

12 Paamety ganicne tanytoa bipolanego: napięcie kolekto-emite CEmax, pąd kolektoa I Cmax, moc tat P Cmax. Z eguły achodi ależność: P C max < CE max C max a atem dla makymalnego dopucalnego pądu kolektoa napięcie kolekto-emite mui być obniżone poniżej max. watości dopucalnej. I

Podobne dokumenty

Podstawowe konstrukcje tranzystorów bipolarnych

Podstawowe konstrukcje tranzystorów bipolarnych Tanzystoy Podstawowe konstukcje tanzystoów bipolanych Zjawiska fizyczne występujące w tanzystoach bipolanych, a w związku z tym właściwości elektyczne tych tanzystoów, zaleŝą od ich konstukcji i technologii