Elementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Elementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające"

Transkrypt

1 Elementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające

2 Tyrystory konwencjonalne - wprowadzenie A I A p 1 p 1 j 1 + G n 1 G n 1 j C - p 2 p 2 j 2 n 2 n 2 K I K SRC silicon controlled rectifier

3 Tyrystory konwencjonalne - wprowadzenie A I A p 1 n 1 n 1 p 2 p 2 I G G n 2 I K K

4 Tyrystory konwencjonalne schemat równoważny

5 Tyrystory konwencjonalne równania W przypadku gdy I G = 0: I A I C0 1 N1 N 2 Gdy nastąpi powielanie lawinowe: I A MI C0 1 M N1 N 2 M wsp. Powielania lawinowego Kiedy I A wzrośnie??? Gdy: M 1 N 1 N 2

6 Tyrystory konwencjonalne równania Wpływ prądu bramki: N N G N C A I I I Wsp. wzmocnienia prądowego: G A G A I I i i

7 Tyrystory konwencjonalne charakterystyki wyjściowe

8 Tyrystory konwencjonalne charakterystyki wejściowe Charakterystyki bramkowe: 1 - obszar nieprzełączania, 2 obszar możliwych przełączeń, 3 obszar pewnych przełączeń, 4 obszar szkodliwych przełączeń

9 Tyrystory konwencjonalne praca impulsowa Krytyczna stromość narastania napięcia blokowania (a co za tym idzie prądu): du AK [ V / s dt ] jest to największa dopuszczalna wartość stromości narastania napięcia anoda katoda, o wartość maksymalnej mniejszej pd danego U B, nie powodująca przełączania tyrystora w stan przewodzenia. i A C duak C jc dt 1 jc C 1 C 2 jc1 jc 2 Występuje efekt Millera zwiększający prąd: eff 1 i A W konsekwencji: duak Ceff dt C C 1 jc 2

10 Tyrystory konwencjonalne praca impulsowa

11 Tyrystory konwencjonalne parametry - graniczne napięcie przełączania U B0 - graniczny prąd przewodzenia I C0max przy U B0 - dopuszczalne napięcię anoda katoda w stanie nieprzewodzenia (około 0.8U B0 ) - dopuszczalny prąd anododwy w stanie przewodzenia I T(AV) - prąd anodowy w stanie przewodzenia (dla U AK = 1V) - prąd podtrzymania I H - maksymalne napięcię wsteczne U RSM - dopuszczalne wsteczne napięcie anodowe U RRM (równe 0.8U RSM ) - maksymalna moc admisyjna - napięcie przełączające bramki U GT - prąd przełączający bramki I GT

12 Tyrystory konwencjonalne model R1 wpływa na część ch-ki U-I o ujemnym nachyleniu R2 wpływa na wartośc prądu podtrzymania I H R3 wpływa na wartość U B0

13 Tyrystory konwencjonalne rodzaje Sieciowe najstarszy typ, stosowane w układach o częstotliwościach pracy 50, 60 Hz jako sterowane prostowniki i włączniki. Szybkie przystosowane do pracy przy częstotliwościach 2 10 khz, budowa z wykorzystaniem tzw. bramki wzmacniającej: dwie struktury pnpn: pomocnicza i główna. Po podaniu impulsu bramkowego włącza się struktura pomocnicza, wywołany w niej przepływ prądu anodowaego włącza strukturę główną. Stosowane jako przełączniki mocy Impulsowe - o bardzo krótkich czasach przełączania, dużych wartościach chwilowego prądu szczytowego i małych średniego, stosowane np. w urządzeniach radarowych

14 Tyrystory konwencjonalne rodzaje Czasy wyłączania tyrystorów wynoszą: - dla napięcia U B0 równych ok. 1kV (12 20) s - dla napięcia U B0 równych ok. 2kV (40 60) s - dla napięć U B0 równych ok. 3 kv (80 100) s Prądy znamionowe nie przekraczają zwykle 2 ka.

15 Tyrystor wyłączany prądem bramki GTO Gate Turn off Thyristor Dla dodatniej polaryzacji bramki sterujemy załączaniem tyrystora tak jak w przypadku SCR. Gdy do bramki doprowadzimy prąd o ujemnej polaryzacji i wartości około 20% prądu anodowego wyłączamy tyrystor.

16 Tyrystor wyłączany prądem bramki GTO Gate Turn off Thyristor

17 Tyrystor wyłączany prądem bramki GTO Gate Turn off Thyristor

18 Tyrystor wyłączany prądem bramki GTO Gate Turn off Thyristor Czasy wyłączania tyrystorów wynoszą (10 40) ms. Prądy znamionowe nie przekraczają 3 ka. Maksymalne częstotliwości pracy wynoszą 2 khz. Maksymalny narost napięcia 1.3 kv/s.

19 Triak tyrystor dwukierunkowy

20 Triak tyrystor dwukierunkowy

21 Dynistor dioda Shockleya Jest to tyrystor bez bramki. Przejście w stan przewodzenia następuje po przekroczeniu odpowiedniej wartości napięcia anoda katoda (U B0 ) I A I A p 1 j 1 + n 1 j C - U B0 U AK p 2 n 2 j 2 I K Stosowany w układach elektronicznych małej mocy jako element przełączający.

22 Fototyrystory LTT Light Triggered Thyristor Załączany strumieniem świetlnym (światło uwalnia dodatkowe pary nośników co powoduje wzrost prądu anodowego). Wiązka światła wytwarzana np. przez laser jest doprowadzona do struktury tyrystora światłowodem. Takie rozwiązanie umozliwia izolację galwaniczną obwodu sterującego od obwodu sterowanego zazwyczaj wysoko napięciowego/prądowego. I A I A R F p 1 p 1 j 1 + j 1 + n 1 j C - n 1 j C - p 2 p 2 j 2 j 2 n 2 n 2 I K I K

23 Diak dwukierunkowa dioda Shockleya Dynistor pracujący dwukierunkowo. I A -U B0 U AK U B0 Stosowany w układach sterowania tyrystorów.

24 Tyrystory asymetryczne ASCR Asymetrical Silicon Controlled Rectifier ASCR tyrystor o niskim napięciu wstecznym (20V 50V) i o dużym napięciu blokowania ok.. 2kV. Tyrystory te charakteryzują się krótkim czasem wyłączania (dla U B0 = 1.2kV t q = 8-20 s, dla 2kV t q = 25 40s). Dopuszczalne częstotliwości przełaczania wynoszą khz. Maksymalny narost napięcia (0.4 1) kv/s. Maksymalny narost prądu ( ) ka/s Posiadająmniejsze straty mocy niż klasyczne SCR.

25 Tyrystory asymetryczne ASCR Asymetrical Silicon Controlled Rectifier

26 RCT (Reverse Conducting Thyristor) Tyrystory przewodzące wstecznie Tyrystor przełączany impulsami prądu bramki. Posiada wbudowaną diodę przewodzacą dla polaryzacji wsteczne napięcia A-K tyrystora (zamiast łączenia równolegle do SCR diody). Dla U B0 = 1.2kV t dr = (10 15) s, dla 2kV (20 40) s, a dla 2.5 kv (40-60) s. Maksymalny narost napięcia (0.4 1) kv/s. Częstotliwości pracy (10-20) khz.

27 RCT (Reverse Conducting Thyristor) Tyrystory przewodzące wstecznie

28 SITH (Static Induction Thyristor) Tyrystory elektrostatyczne Stosuje się także nazwy: FCT ( Field Controlled Thyristor), FCD ( Field Controlled Thyristor). Tyrystory te przewodzą prąd przy braku sygnału sterującego. Przerwe w przewodzeniu uzyskuje się poprzez doprowadzenie do bramki ujemnego względem katody napięcia. Maksymalne napięcia włączające tyrystor wynoszą (1.5 2) kv. Maksymalny prąd przewodzenia wynosi 0.8 ka. Czas załaczenia wynosi 2 s a wyłaczenia (2 3) s. Maksymalny narost prądu 0.9 ka/s. Częstotliwości pracy ( ) khz.

29 SITH (Static Induction Thyristor) Tyrystory elektrostatyczne

30 MCT (MOS Controlled Thyristor) Tyrystory sterowane napięciowo Siemens stosuje nazwę MOS GTO. Działa jak klasyczny tyrystor z tym że sterowanie odbywa się tak jak w tranzystorach MOS (wciąż w fazie badawczej) Zaleta możliwość bezpośredniego sterowania z układów logicznych typu CMOS.

31 MCT (MOS Controlled Thyristor) Tyrystory sterowane napięciowo

32 Tyrystory porównanie właściwości

33 Tyrystory porównanie właściwości

34 Tyrystory porównanie właściwości

35 Tyrystory porównanie właściwości

36 IGBT (Isulated Gate Bipolar Transistor) Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Połączenie właściwości tranzystorów: bipolarnego i polowego: - niskie napięcie przewodzenia, - krótkie czasy przełączania: t on (0.4 1) s, t off (0.8 2) s, - częstotliwości pracy (10 50) khz, - duża impedancja wejściowa, - duża dopuszczalna gęstość prądów - duży obszar pracy bezpiecznej

37 IGBT (Isulated Gate Bipolar Transistor) Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Struktura i schemat zastępczy

38 IGBT (Isulated Gate Bipolar Transistor) Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Charakterystyki wyjściowe i przejściowe

39 IGBT (Isulated Gate Bipolar Transistor) Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Obszar pracy bezpiecznej

40 IGBT (Isulated Gate Bipolar Transistor) Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką

41 SIT ( Static Induction Transistor) Tranzystor elektrostatyczny Sterowany napięciowo tranzystor w którym regulujemy przepływ prądu bramki (tak jak MOSFET). Charakteryzuje się mniejszymi od tranzystorów MOSFET stratami mocy i wiekszymi mocami przenoszonymi. Właściwości przyrządu: - zdolność do pracy przy b. dużych napięciach, - dobre właściwości łączeniowe - konstrukcję ułatwiającą chłodzenie

42 SIT ( Static Induction Transistor) Tranzystor elektrostatyczny Symbol i budowa

43 SIT ( Static Induction Transistor) Tranzystor elektrostatyczny Charakterystyki tranzystora

44 Tranzystory przełączające mocy - porównanie

45 Tranzystory przełączające mocy - porównanie

46 Tranzystory przełączające mocy - porównanie

47 Tranzystory przełączające mocy - porównanie

48 Tranzystory przełączające mocy kryteria doboru dla różnych układów przekształcających

49 Tranzystory przełączające mocy moc strat dla kluczowania prądu stałego Wsp. wypełnienia 50%

50 Tranzystory przełączające mocy moc strat tranzystorów stosowanych w falownikach impulsowych f = 50Hz, cosf = I = 0.8I m I = 1.25I m

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier) 7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE.

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. POLITECHNIK ŚLĄSK WYDZIŁ INŻYNIERII ŚRODOWISK I ENERGETYKI INSTYTUT MSZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LBORTORIUM ELEKTRYCZNE Badanie tyrystora (E 9) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ 3 1. Cel ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 6

Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Temat: Tyrystor i triak.

Temat: Tyrystor i triak. Temat: Tyrystor i triak. Tyrystor jest to półprzewodnikowy element który składa się z 4 warstw w układzie P N P N. Jest on wyposażony w 3 elektrody, z których dwie są przyłączone do warstw skrajnych, a

Bardziej szczegółowo

Półprzewodnikowe przyrządy mocy

Półprzewodnikowe przyrządy mocy Temat i plan wykładu Półprzewodnikowe przyrządy mocy 1. Wprowadzenie 2. Tranzystor jako łącznik 3. Charakterystyki prądowo-napięciowe 4. Charakterystyki dynamiczne 5. Definicja czasów przełączania 6. Straty

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA

ĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA ĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA 10.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości sterowanych elementów półprzewodnikowych, wykorzystujących struktury p - n - p - n, głównie

Bardziej szczegółowo

Stabilizatory impulsowe

Stabilizatory impulsowe POITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ EEKTRYCZNY Jakub Dawidziuk Stabilizatory impulsowe 1. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Przekształtnik obniżający 4. Przekształtnik

Bardziej szczegółowo

Wykaz symboli, oznaczeń i skrótów

Wykaz symboli, oznaczeń i skrótów Wykaz symboli, oznaczeń i skrótów Symbole a a 1 operator obrotu podstawowej zmiennych stanu a 1 podstawowej uśrednionych zmiennych stanu b 1 podstawowej zmiennych stanu b 1 A A i A A i, j B B i cosφ 1

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK

TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, Z. Nosal, J. Baranowski, Układy elektroniczne, PWN 2003 7. PORÓWNANIE TRANZYSTORÓW

Bardziej szczegółowo

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy

Bardziej szczegółowo

Energoelektronika Cyfrowa

Energoelektronika Cyfrowa Energoelektronika Cyfrowa dr inż. Maciej Piotrowicz Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ piotrowi@dmcs.p.lodz.pl http://fiona.dmcs.pl/~piotrowi -> Energoelektr... Energoelektronika Dziedzina

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH. Ćwiczenie nr 6 TYRYSTOR

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH. Ćwiczenie nr 6 TYRYSTOR Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 6 TYRYSTOR Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 3

Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA

Bardziej szczegółowo

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 3

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 3 LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI I ENERGOELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 3 Prostowniki sterowane trójpulsowe KATEDRA ELEKTRONIKI WYDZIAŁ ELEKTROTECHNIKI I INFORMATYKI WPROWADZENIE Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA ENERGOELEKTRONIKA WYKŁAD 1

ELEKTRONIKA ENERGOELEKTRONIKA WYKŁAD 1 ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA ENERGOELEKTRONIKA WYKŁAD 1 Program wykładów 1. Energoelektronika cele i zadania, ogólna charakterystyka przedmiotu Celem energoelektroniki jest przetwarzanie i sterowanie

Bardziej szczegółowo

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki

Bardziej szczegółowo

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Temat i cel wykładu. Tranzystory POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH 3. Przegląd właściwości łączników mocy 3.1 Dioda 3.2 Tranzystor bipolarny BJT 3.3 Tyrystor SCR P W Mieczysław Nowak Instytut

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH 3. Przegląd właściwości łączników mocy 3.7 Nietypowe i rzadko stosowane łączniki mocy/ Kierunki rozwoju i specyfika aplikacji

Bardziej szczegółowo

Elementy i Układy Sterowania Mocą

Elementy i Układy Sterowania Mocą Elementy i Układy Sterowania Mocą Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 15 godz. laboratorium 15 godz. Materiały

Bardziej szczegółowo

2. ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE

2. ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE 2. ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE 2.1. DODY ENERGETYCZNE Wykorzystywanie właściwości zaworów o parametrach energetycznych w układach energoelektronicznych przedstawia rysunek 2.1. (+) Obszar uszkodzeń lub zniszczenia

Bardziej szczegółowo

Ćwicz. 4 Elementy wykonawcze EWA/PP

Ćwicz. 4 Elementy wykonawcze EWA/PP 1. Wprowadzenie Temat ćwiczenia: Przekaźniki półprzewodnikowe Istnieje kilka rodzajów przekaźników półprzewodnikowych. Zazwyczaj są one sterowane optoelektrycznie z pełną izolacja galwaniczną napięcia

Bardziej szczegółowo

Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki

Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Ćwiczenie nr 4 Energoelektronika układy prądu zmiennego. Wstęp Energoelektronika to dział elektroniki, zajmująca się projektowaniem i stosowaniem

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu buck

Bardziej szczegółowo

Proste układy wykonawcze

Proste układy wykonawcze Proste układy wykonawcze sterowanie przekaźnikami, tyrystorami i małymi silnikami elektrycznymi Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający

Bardziej szczegółowo

Prowadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik. Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h

Prowadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik. Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h Prowadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h Materiały półprzewodnikowe Metal Półprzewodnik Izolator T T T Materiały

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego

Bardziej szczegółowo

W4. UKŁADY ZŁOŻONE I SPECJALNE PRZEKSZTAŁTNIKÓW SIECIOWYCH (AC/DC, AC/AC)

W4. UKŁADY ZŁOŻONE I SPECJALNE PRZEKSZTAŁTNIKÓW SIECIOWYCH (AC/DC, AC/AC) W4. UKŁADY ZŁOŻONE I SPECJALNE PRZEKSZTAŁTNIKÓW SIECIOWYCH (AC/DC, AC/AC) W W2 i W3 przedstawiono układy jednokierunkowe 2 i 3-pulsowe (o jednokierunkowym prądzie w źródle napięcia przemiennego). Ich poznanie

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora

Bardziej szczegółowo

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07. PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym

Bardziej szczegółowo

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

Modelowanie diod półprzewodnikowych

Modelowanie diod półprzewodnikowych Modelowanie diod półprzewodnikowych Programie PSPICE wbudowane są modele wielu elementów półprzewodnikowych takich jak diody, tranzystory bipolarne, tranzystory dipolowe złączowe, tranzystory MOSFET, tranzystory

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

DANE: wartość skuteczna międzyprzewodowego napięcia zasilającego E S = 230 V; rezystancja odbiornika R d = 2,7 Ω; indukcyjność odbiornika.

DANE: wartość skuteczna międzyprzewodowego napięcia zasilającego E S = 230 V; rezystancja odbiornika R d = 2,7 Ω; indukcyjność odbiornika. Zadanie 4. Prostownik mostkowy 6-pulsowy z tyrystorami idealnymi o komutacji natychmiastowej zasilany z sieci 3 400 V, 50 Hz pracuje z kątem opóźnienia załączenia tyrystorów α = 60º. Obciążenie prostownika

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH 3. Przegląd właściwości łączników mocy 3.4 Tyrystor GTO/Tyrystor GCT 3.5 Tranzystor polowy MOSFET 3.6 Tranzystor IGBT

Bardziej szczegółowo

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy

Bardziej szczegółowo

Zespół Szkół Technicznych im. J. i J. Śniadeckich w Grudziądzu

Zespół Szkół Technicznych im. J. i J. Śniadeckich w Grudziądzu Zespół Szkół Technicznych im. J. i J. Śniadeckich w Grudziądzu Laboratorium Elektryczne Pracownia Automatyki i Robotyki (s.48) Instrukcja Laboratoryjna: 11. BADANIE I ZASTOSOWANIE UKŁADÓW Z TYRYSTORAMI

Bardziej szczegółowo

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu 11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach

Bardziej szczegółowo

Elementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne

Elementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne Na podstawie: John Watson, Elektronika Elementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne Podzespoły półprzewodnikowe. Transoptor: Użyteczny tam, gdzie układy mają bardzo różne potencjały (4 kv) zastępuje

Bardziej szczegółowo

5. Elektronika i Energoelektronika test

5. Elektronika i Energoelektronika test 5. Elektronika i Energoelektronika test 5.1. Nośnikami prądu w półprzewodnikach są: A) Elektrony i dziury B) Protony C) Jony D) Elektrony 5.2. Dioda jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia, gdy: A)

Bardziej szczegółowo

5. Elektronika i Energoelektronika

5. Elektronika i Energoelektronika 5. Elektronika i Energoelektronika 5.1. Nośnikami prądu w półprzewodnikach są: A) Elektrony i dziury B) Protony C) Jony D) Elektrony 5.2. Dioda jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia, gdy: A) Wyższy

Bardziej szczegółowo

(86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/BE00/ (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego:

(86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/BE00/ (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego: RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 207881 (21) Numer zgłoszenia: 364697 (22) Data zgłoszenia: 11.07.2000 (13) B1 (51) Int.Cl. H03K 17/082 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3p. Pomiar parametrów dynamicznych i statycznych diod szybkich OPTYMALIZACJA PARAMETRÓW PRZEKSZTAŁTNIKÓW

Ćwiczenie 3p. Pomiar parametrów dynamicznych i statycznych diod szybkich OPTYMALIZACJA PARAMETRÓW PRZEKSZTAŁTNIKÓW Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 8 ELEMENTY I UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE WPROWADZENIE

ĆWICZENIE 8 ELEMENTY I UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE WPROWADZENIE ĆWICZENIE 8 ELEMENTY I UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE Opracował: mgr inż. Adam Kowalczyk Pierwotna wersja ćwiczenia i instrukcji jest dziełem mgr. inż. Leszka Widomskiego WPROWADZENIE Działanie i parametry przełącznika

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów przełączających. Cel ćwiczenia : Poznanie właściwości elektrycznych tranzystorów bipolarnych

Bardziej szczegółowo

Dobór współczynnika modulacji częstotliwości

Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Im większe mf, tym wyżej położone harmoniczne wyższe częstotliwości mniejsze elementy bierne filtru większy odstęp od f1 łatwiejsza realizacja filtru dp. o

Bardziej szczegółowo

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009 Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.

Bardziej szczegółowo

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego:

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 2328264 (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 29.09.2009 09171606.8 (13) (51) T3 Int.Cl. H02M 5/27 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz

Bardziej szczegółowo

Table of Contents. Table of Contents UniTrain-I Kursy UniTrain Kursy UniTrain: Elektronika. Lucas Nülle GmbH 1/14

Table of Contents. Table of Contents UniTrain-I Kursy UniTrain Kursy UniTrain: Elektronika. Lucas Nülle GmbH 1/14 Table of Contents Table of Contents UniTrain-I Kursy UniTrain Kursy UniTrain: Elektronika 1 2 2 3 Lucas Nülle GmbH 1/14 www.lucas-nuelle.pl UniTrain-I UniTrain is a multimedia e-learning system with integrated,

Bardziej szczegółowo

Przekształtniki impulsowe prądu stałego (dc/dc)

Przekształtniki impulsowe prądu stałego (dc/dc) Przekształtniki impulsowe prądu stałego (dc/dc) Wprowadzenie Sterowanie napięciem przez Modulację Szerokości Impulsów MSI (Pulse Width Modulation - PWM) Przekształtnik obniżający napięcie (buck converter)

Bardziej szczegółowo

Przekaźniki w automatyce przemysłowej

Przekaźniki w automatyce przemysłowej Przekaźniki w automatyce przemysłowej 1 Podział przekaźników Przekaźniki elektromagnetyczne Przekaźniki półprzewodnikowe (SSR) 2 1 Przekaźniki elektromagnetyczne Podział przekaźników ze względu na: napięcie

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

AC/DC. Jedno połówkowy, jednofazowy prostownik

AC/DC. Jedno połówkowy, jednofazowy prostownik AC/DC Przekształtniki AC/DC można podzielić na kilka typów, mianowicie: prostowniki niesterowane; prostowniki sterowane. Zależnie od stopnia skomplikowania układu i miejsca przyłączenia do sieci elektroenergetycznej

Bardziej szczegółowo

Właściwości przetwornicy zaporowej

Właściwości przetwornicy zaporowej Właściwości przetwornicy zaporowej Współczynnik przetwarzania napięcia Łatwa realizacja wielu wyjść z warunku stanu ustalonego indukcyjności magnesującej Duże obciążenie napięciowe tranzystorów (Vg + V/n

Bardziej szczegółowo

BADANIA SYMULACYJNE PROSTOWNIKA PÓŁSTEROWANEGO

BADANIA SYMULACYJNE PROSTOWNIKA PÓŁSTEROWANEGO POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 78 Electrical Engineering 2014 Mikołaj KSIĄŻKIEWICZ* BADANIA SYMULACYJNE PROSTOWNIKA W pracy przedstawiono wyniki badań symulacyjnych prostownika

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

Przecinarka plazmowa Stamos Selection S-PLASMA 85CNC S-PLASMA 85CNC Plasma Cutter CNC

Przecinarka plazmowa Stamos Selection S-PLASMA 85CNC S-PLASMA 85CNC Plasma Cutter CNC Przecinarka plazmowa Stamos Selection S-PLASMA 85CNC S-PLASMA 85CNC Plasma Cutter CNC SPECYFIKACJA TECHNICZNA Model S-PLASMA 85CNC Nr katalogowy 2079 Stan artykułu Nowy Znamionowe napięcie wejściowe 400

Bardziej szczegółowo

1. Nadajnik światłowodowy

1. Nadajnik światłowodowy 1. Nadajnik światłowodowy Nadajnik światłowodowy jest jednym z bloków światłowodowego systemu transmisyjnego. Przetwarza sygnał elektryczny na sygnał optyczny. Jakość transmisji w dużej mierze zależy od

Bardziej szczegółowo

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego. IMPSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Przekształtnik impulsowy z tranzystorem szeregowym słuŝy do przetwarzania energii prądu jednokierunkowego

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET 1. Zagadnienia do przygotowania -

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3, pokój 413;

Bardziej szczegółowo

PL B1. GRZENIK ROMUALD, Rybnik, PL MOŁOŃ ZYGMUNT, Gliwice, PL BUP 17/14. ROMUALD GRZENIK, Rybnik, PL ZYGMUNT MOŁOŃ, Gliwice, PL

PL B1. GRZENIK ROMUALD, Rybnik, PL MOŁOŃ ZYGMUNT, Gliwice, PL BUP 17/14. ROMUALD GRZENIK, Rybnik, PL ZYGMUNT MOŁOŃ, Gliwice, PL PL 223654 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223654 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 402767 (51) Int.Cl. G05F 1/10 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig.

(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig. RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 161056 (13) B2 (21) Numer zgłoszenia: 283989 (51) IntCl5: H02M 3/315 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.02.1990 (54)Układ

Bardziej szczegółowo

Polaryzacja wsteczna BJT IGBT MOSFET

Polaryzacja wsteczna BJT IGBT MOSFET Polaryzacja wsteczna BJT CEO: przebicie skrośne bazy (BE) CES: przewodzenie dla UCE > U TO złącza PN (CB) przewodzenie dla U > U TO złącza PN (diody podłożowej) 1E-3 BJT CEO BJT CES MOSFET DSS IGBT-PT

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków. Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.1/10 ĆWICZENIE 1 WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.CEL ĆWICZENIA: Zapoznanie się z podstawowymi

Bardziej szczegółowo

Szacowanie mocy czynnej straty dynamiczne w tranzystorach MOSFET (obwód mocy)

Szacowanie mocy czynnej straty dynamiczne w tranzystorach MOSFET (obwód mocy) Szacowanie mocy czynnej straty dynamiczne w tranzystorach MOSFET (obwód mocy) obciążenie rezystancyjne obciążenie indukcyjne na początek można przyjąć typową RG = 50 lub 10 Ω i oszacować czasy jako: tr

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 6 (część teoretyczna) Przełączanie tranzystora

Ćwiczenie nr 6 (część teoretyczna) Przełączanie tranzystora Ćwiczenie nr 6 (część teoretyczna) Przełączanie tranzystora Normalnym stanem pracy tranzystora bipolarnego są takie warunki pracy, że w stanie spoczynkowym, czyli bez sygnału wejściowego, wartość prądu

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

PL B BUP 14/05. Reszke Edward,Wrocław,PL WUP 05/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

PL B BUP 14/05. Reszke Edward,Wrocław,PL WUP 05/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 201952 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 364322 (51) Int.Cl. H05B 6/66 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 06.01.2004

Bardziej szczegółowo

safety Przekaźniki bezpieczeństwa wyłącznik bezpieczeństwa/ drzwi bezpieczeństwa SNO 4062K/ SNO 4062KM

safety Przekaźniki bezpieczeństwa wyłącznik bezpieczeństwa/ drzwi bezpieczeństwa SNO 4062K/ SNO 4062KM Urządzenie bazowe do nadzoru jedno-, lub dwukanałowych wyłączników, drzwi, mat i barier świetlnych kategoria stopu 0 według EN 60204-1 zastoswanie do kategorii 4 według EN 954-1 kategoria urządzenia: 4

Bardziej szczegółowo

TYRYSTOROWY ŁĄCZNIK REGULATORA MOCY REZYSTANCYJNEGO URZĄDZENIA ELEKTROTERMICZNEGO

TYRYSTOROWY ŁĄCZNIK REGULATORA MOCY REZYSTANCYJNEGO URZĄDZENIA ELEKTROTERMICZNEGO Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego. TYRYSTOROWY ŁĄCZNIK REGULATORA MOCY REZYSTANCYJNEGO URZĄDZENIA ELEKTROTERMICZNEGO Konieczność regulacji mocy urządzeń elektrotermicznych powoduje, Ŝe w układach

Bardziej szczegółowo

Projekt Układów Logicznych

Projekt Układów Logicznych Politechnika Opolska Wydział Elektrotechniki i Automatyki Kierunek: Informatyka Opole, dn. 21 maja 2005 Projekt Układów Logicznych Temat: Bramki logiczne CMOS Autor: Dawid Najgiebauer Informatyka, sem.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez

Bardziej szczegółowo