21 Badanie ogniw i baterii słonecznych

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "21 Badanie ogniw i baterii słonecznych"

Transkrypt

1 BADANIE OGNIW I BATERII SŁONECZNYCH. 1. Budowa i zasada działania Ogniwo słoneczne jest to ogniwo fotowoltaiczne, w którym do wytwarzania prdu elektrycznego wykorzystuje si promieniowanie słoneczne. Wikszo ogniw słonecznych zawiera złcze p-n z monokrystalicznego krzemu. Gdy fotony wiatła słonecznego padaj na złcze półprzewodnikowe lub w jego pobliu, powstajce pary elektron-dziura pod wpływem pola elektrycznego przy złczu rozdzielaj si, tak e dziury przechodz do obszaru p, a elektrony do obszaru n rys. 1 [3, 4]. Rys. 1. Złcze p-n na diagramie energetycznym: (-) akceptory (elektrony), (+) donory (dziury), U D potencjał dyfuzyjny, E F energia poziomu Fermiego, e ładunek elektronu. To przemieszczanie si swobodnego ładunku wytwarza prd elektryczny, jeli do kontaktów wyjciowych urzdzenia jest podłczone obcienie rys. 2. Praktyczn realizacj ogniwa słonecznego na schemacie - pokazano na rys. 3. Rys. 2. Układ do pomiaru charakterystyki prdowo-napiciowej ogniwa słonecznego [1, 2]. L21-1

2 Rys. 3. Schemat konstrukcji ogniwa słonecznego [1, 2]. Uwagi dodatkowe: - jak dotd nie udało si wytworzy pojedynczych krzemowych ogniw słonecznych o powierzchni wikszej, ni 40 cm 2 ; - maksymalna moc dostarczana przez takie ogniwo w pełnym słocu wynosi w przyblieniu 0.6 V, przy napiciu 0.5 V; - sprawno tych urzdze wynosi około 15%. Z tych te powodów ogniwa słoneczne stosowane do celów praktycznych musz by połczone w baterie; - płyty z ogniwami słonecznymi były do niedawna wyłcznymi ródłami energii dla satelitów i pojazdów kosmicznych; - stosowanie baterii słonecznych w warunkach ziemskich jest znacznie ograniczone z powodu wysokiej ceny. Aktualnie maj one zastosowanie jako ródła zasilania urzdze zwizanych z bezpieczestwem ruchu drogowego, tzn. słu do podwietlania znaków drogowych czy prdkociomierzy radarowych i to w miejscach znacznie odległych od stacjonarnej sieci elektrycznej. 2. Badania eksperymentalne W prezentowanym wiczeniu naley: - okreli natenie wiatła za pomoc stosu termoparowego w zalenoci od odległoci od ródła wiatła; - zmierzy wartoci prdu zwarcia i SEM ogniwa przy rónych odległociach od ródła wiatła; - wyznaczy zaleno prdu zwarcia i SEM ogniwa w zalenoci od jego temperatury; - wyznaczy charakterystyk napiciowo-prdow ogniwa przy rónych nateniach wiatła; - wyznaczy charakterystyk napiciowo-prdow ogniwa w zalenoci od warunków jego pracy: a) podczas chłodzenia aparatury wentylatorkiem i bez chłodzenia; b) podczas ekranowania i bez ekranowania ródła wiatła przez szyb szklan; - okreli charakterystyk układu podczas owietlania go przez wiatło słoneczne. 3. Stanowisko badawcze - wyposaenie Wyposaenie stanowiska badawczego [1, 2]: - ogniwo słoneczne: 4 cele, cm - 1 szt.; - stos termoparowy 1 szt.; - szklany termometr laboratoryjny rtciowy: 9-)10 (+)100 o C 1 szt., - wzmacniacz pomiarowy 1 szt.; L21-2

3 - opornica: 330, 1 A 1 szt.; - arówka z reflektorem: 230 V, 120 W 1 szt.; - multimetr cyfrowy 2 szt.; - wentylator z grzałk 1 szt.; - liniał ze skal: mm 1 szt.; - statywy laboratoryjne 4 szt.; - przewody elektryczne. Widok stanowiska pomiarowego do wyznaczania charakterystyk ogniwa słonecznego firmy Phywe (Niemcy) pokazano na rys. 4. Rys. 4. Stanowisko dowiadczalne do wyznaczania charakterystyk ogniwa słonecznego [1, 2]. Układ i uwarunkowania pomiarowe: 1. pomiar natenia wiatła za pomoc stosu termoparowego i wzmacniacza oraz wyposaenia zestawu pomiarowego przy rónych odległociach od ródła wiatła (uwaga: maksymalne napicie wyjciowe wzmacniacza wynosi 10 V): a) apertura wejciowa stosu termoparowego (powierzchnia zewntrzna płytki grafitowej) wyznacza jego pozycj w stosunku do ródła wiatła; b) odległo midzy arówk a stosem termoparowym powinna wynosi przynajmniej 50 cm, bo apertura stosu wynosi tylko 20 o ; c) ogniwo słoneczne rejestruje zarówno natenie wiatła rozproszonego, jak i wiatła docierajcego do niego bezporednio z arówki; d) poniewa arówka wysyła wski stoek wiatła, tzn. w przyblieniu 30 o, to wiatło rozproszone powstaje głównie jako wynik odbicia od powierzchni stołu i moe by w duym stopniu skompensowane poprzez czarn wykładzin powierzchni stołu albo pokrycie stołu kawałkiem czarnego kartonu; 2. napicie na zaciskach otwartego ogniwa - SEM i prd zwarciowy ogniwa słonecznego s zalene od temperatury. Dlatego przy zdejmowaniu charakterystyk ogniwa słonecznego jest ono utrzymywane w temperaturze pokojowej za pomoc wentylatora; 3. aby zademonstrowa efekt temperaturowy, naley nawiewa gorce powietrze z suszarki na ogniwo słoneczne, mierzc termometrem temperatur jego powierzchni; 4. nie naley dotyka ogniwa słonecznego, gdy jego cienka p - warstwa moe zosta łatwo uszkodzona; 5. jeeli odległo midzy lamp a ogniwem przekracza 50 cm, to przyrost temperatury spowodowanej przez promieniowanie mona nie bra pod uwag. Wpływ ten jest mały w porównaniu z wpływem gorcego powietrza. L21-3

4 Pomiar SEM i prdu zwarcia: 1. moliwy jest równie pomiar charakterystyk ogniwa przy wykorzystaniu promieniowania słonecznego. W tym przypadku naley bra pod uwag zarówno promieniowanie docierajce do ogniwa wprost, jak i promieniowanie rozproszone; 2. stos termoparowy stosuje si ponownie do okrelenia zalenoci midzy prdem zwarcia i nateniem wiatła, chocia z powodu małej wartoci ktowej apertury, rejestruje on tylko natenie wiatła docierajce wprost; 3. dlatego w celach porównawczych naley umieci przed ogniwem rurk z czarnego kartonu o długoci około 20 cm, by ekranowa je przed promieniowaniem rozproszonym; 4. wane jest równie, by zarówno osie ogniwa, jak i stosu termoparowego były wycelowane na Słoce. Teoria i oszacowania: 1. czysty krzem jest celowo domieszkowany (mona to uzna za rodzaj zanieczyszczenia) trzy i piciowartociowymi atomami domieszkujcymi, aby otrzyma półprzewodnik typu n lub p; 2. jeeli połczy si ze sob kryształy typu p i n, to otrzymamy złcze p-n rys. 1 i 3, którego właciwoci elektryczne okrelaj wydajno ogniwa słonecznego; 3. w stanie równowagi, tzn. bez napicia zewntrznego, energia poziomu Fermiego E f bdzie zawsze taka sama, poniewa elektrony dyfunduj do obszaru p, a dziury do obszaru n, co jest spowodowane rónic koncentracji elektronów i dziur w obszarach p i n; 4. nieruchome atomy domieszkujce tworz ładunek przestrzenny ograniczajcy zakres prdowy, prd dyfuzji i zakres pola odchyłek midzy nimi w stanie równowagi; 5. potencjał dyfuzyjny U D w złczu p-n jest zaleny od iloci domieszek i odpowiada pierwotnej rónicy pomidzy energiami poziomów Fermiego oddzielnie dla obszarów p i n. Rónica energetyczna midzy pasmem walencyjnym i przewodnictwa dla krzemu w temperaturze pokojowej wynosi [1 4]: E = 1.1 ev. Dla krzemu potencjał dyfuzyjny wynosi [1 4]: U D = 0.5 do 0.7 V. 6. jeeli wiatło pada na złcze p-n, wtedy fotony tworz pary elektron-dziura oddzielone przez ładunek przestrzenny. Elektrony s przecignite do obszaru n, a dziury do obszaru p; 7. fotony s nie tylko absorbowane w złczu p-n, ale równie w warstwie p ponad nim. Generowane elektrony s mniejszociowymi nonikami w tych obszarach, ich koncentracja jest znaczco zredukowana przez rekombinacj i wydajno tego procesu. Dlatego warstwa p o gruboci t musi by cienka w stosunku do redniej drogi swobodnej L E elektronów w niej, aby mogły one wej w warstw n: L E >> t ; 8. jeeli g jest liczb par elektron-dziura wytwarzanych na jednostk powierzchni, a do załcza p-n jest przyłoone napicie U, wtedy gsto strumienia elektronów i dziur wynosi: eu n D t p D kt o e o h i = e e + e g Le L 1, (1) 2 h gdzie e jest elementarnym ładunkiem, k jest stał Boltzmanna, T jest temperatur, L jest redni drog swobodn odpowiednio elektronów i dziur, D jest stał dyfuzji odpowiednio dla elektronów i dziur, a p o i n o s koncentracjami mniejszociowych noników w stanie równowagi. Zatem gsto prdu zwarcia (U=0): i s = e g (2) jest proporcjonalna do natenia padajcego wiatła w stałej temperaturze. Parametr g staje si nieco wikszy (mniej, ni 10-4 K -1 ), jeeli ronie temperatura; L21-4

5 9. napicie U moe co najwyej osign warto potencjału dyfuzyjnego U D, nigdy wiksze. Jeeli ronie temperatura, wtedy SEM spada, przy czym typow wartoci jest 2.3 mv/k. Zatem równowagowe koncentracje p o i n o rosn wraz ze wzrostem temperatury [1 4]: E 2kT no e. Wnioski: 1. natenie wiatła zmienia si wraz ze zmian odległoci midzy ródłem wiatła i ogniwem słonecznym. Aby okreli natenie wiatła za pomoc stosu termoparowego przyjto, e cała wizka o aperturze wyjciowej 2.5 cm pada na powierzchni pomiarow stosu o czułoci 0.16 mv/mw. Poprzez ekstrapolacj lini prost zalenoci J(s) rys. 5, okrelamy warto natenia wiatła J w odległoci s 50 cm. Rys. 5. Zaleno natenia wiatła J (W/m 2 ) od odległoci s (cm) prostopadle do ródła wiatła, tzn. J(s) [1]. 2. przyjmujc za podstaw zmierzone wartoci J(s) rys. 5, otrzymujemy zaleno midzy nateniem wiatła J, a prdem zwarcia I s i SEM U o dla rónych odległoci od ródła wiatła rys. 6. L21-5

6 Rys. 6. Prd zwarcia I s i napicie na zaciskach otwartego ogniwa U o w funkcji natenia ródła wiatła J [1]. 3. bateria słoneczna, która zawiera 4 ogniwa połczone szeregowo ma zatem maksymaln warto SEM równ 2 V. Prd zwarcia jest proporcjonalny do natenia wiatła i wynosi: 4 2 I s = J; A/(Wm ). Kiedy mierzymy wpływ temperatury na U o i I s, naley bra pod uwag rozkład temperatury nad gorc powierzchni baterii słonecznej. Pomiar mona przeprowadzi tylko zgrubnie, oceniajc jedynie rzd jej wielkoci. Pomiar SEM w przypadku gorcego i zimnego powietrza daje zaleno (dla 4 ogniw): U o = 8 mv/k. T Zatem dla pojedynczego ogniowa otrzymujemy warto (-)2 mv/k. Wpływ zmian temperatury na prd zwarcia nie był mierzony. Charakterystyki prdowo-napiciowe baterii słonecznej przy rónych wartociach natenia wiatła pokazano na rys 7. L21-6

7 Rys. 7. Charakterystyki prdowo-napiciowe baterii słonecznej przy rónych wartociach natenia wiatła [1]. Charakterystyki prdowo-napiciowe baterii słonecznej: a) przy chłodzeniu baterii wentylatorem; b) bez chłodzenia powierzchni baterii wentylatorem; c) przy ekranowaniu powierzchni baterii płyt szklan pokazano na rys. 8. Maksymalna moc wyjciowa baterii słonecznej wystpuje w punkcie (zaznaczone na rys. 7 przerywan lini), w którym opornik obcienia ma t sam warto, co oporno wewntrzna R i baterii słonecznej. Oporno wewntrzna baterii spada wraz ze wzrostem natenia wiatła. Jeeli porównamy maksymaln moc wyjciow baterii z moc padajcego na ni promieniowania, otrzymujemy sprawno baterii słonecznej równ około 6% (z powierzchni baterii równej 50 cm 2 ). 4. płyta szklana, która absorbuje wiatło w podczerwieni, moe by uyta do zwikszenia temperatury baterii słonecznej. Na rys. 8 pokazano wpływ rónych warunków na prac baterii słonecznej. L21-7

8 Rys. 8. Charakterystyki prdowo-napiciowe baterii słonecznej: a) przy chłodzeniu baterii wentylatorem; b) bez chłodzenia powierzchni baterii wentylatorem; c) przy ekranowaniu powierzchni baterii płyt szklan [1]. 5. padajce na komórki baterii wiatło słoneczne daje róne od wiatła arówki charakterystyki prdowo-napiciowe. Powodem s róne charakterystyki widmowe ródeł wiatła rys. 9. oraz charakterystyka czułoci spektralnej krzemowego ogniwa słonecznego [1, 2]. Przy tym samym nateniu wiatła, wiatło słoneczne daje prd zwarcia o wyszej wartoci, co reguluje zaleno: Rys. 9. Widmo promieniowania Słoca ( T 5800 K ) i arówki ( T 2000 K ) 4 2 I s = J; A/(Wm ). Poniewa zakres podczerwieni w widmie wiatła słonecznego jest krótszy, wic bateria słoneczna nie nagrzewa si tak bardzo i wobec tego pomiary z i bez chłodzenia baterii daj takie same charakterystyki dla tego samego ródła rys. 10. L21-8

9 Rys. 10. Charakterystyka prdowo-napiciowa przy ekspozycji baterii słonecznej na wiatło słoneczne (promieniowanie bezporednie i rozproszone): P max maksymalna moc, η -sprawno baterii [1]. Literatura: [1] Phywe: Characteristic curves of a solar cell, LEP [2] Phywe, Physics: Catalogue 3.22, page [3] J. Terpiłowski: Ogniwa i baterie słoneczne, 2009, Instrukcja Laboratorium Termodynamiki WAT (instrukcja wewntrzna, materiał niepublikowany) [4] Ch. Kittel: Wstp do fizyki ciała stałego, Ksigarnia Internetowa PWN, 1996 L21-9

Cia!a sta!e. W!asno"ci elektryczne cia! sta!ych. Inne w!asno"ci

Cia!a sta!e. W!asnoci elektryczne cia! sta!ych. Inne w!asnoci Cia!a sta!e Podstawowe w!asno"ci cia! sta!ych Struktura cia! sta!ych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencja! kontaktowy

Bardziej szczegółowo

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia

Bardziej szczegółowo

dr IRENEUSZ STEFANIUK

dr IRENEUSZ STEFANIUK dr IRENEUSZ STEFANIUK E-mail istef@univ.rzeszow.pl Wykonywanie wicze w laboratorium wie si z koniecznoci pracy z urzdzeniami elektrycznymi, laserami oraz specjalistycznymi urzdzeniami pomiarowymi. Pomimo,

Bardziej szczegółowo

Akademickie Centrum Czystej Energii. Fotoogniwo

Akademickie Centrum Czystej Energii. Fotoogniwo Fotoogniwo 1. Zagadnienia półprzewodniki, pasma energetyczne, energie Fermiego, potencjał dyfuzji, wydajność, akceptor, donor, pasmo walencyjne, pasmo przewodzenia, efekt fotoelektryczny wewnętrzny, pirometr

Bardziej szczegółowo

Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii

Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii P O L I T E C H N I K A G D A Ń S K A Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii Temat: Wyznaczanie charakterystyk prądowo-napięciowych modułu ogniw fotowoltaicznych i sprawności konwersji

Bardziej szczegółowo

Obwody sprzone magnetycznie.

Obwody sprzone magnetycznie. POITECHNIKA SKA WYDZIAŁ INYNIERII RODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZDZE ENERGETYCZNYCH ABORATORIUM EEKTRYCZNE Obwody sprzone magnetycznie. (E 5) www.imiue.polsl.pl/~wwwzmiape Opracował: Dr in.

Bardziej szczegółowo

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. 1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi

Bardziej szczegółowo

Rezonans szeregowy (E 4)

Rezonans szeregowy (E 4) POLITECHNIKA LSKA WYDZIAŁINYNIERII RODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTT MASZYN I RZDZE ENERGETYCZNYCH Rezonans szeregowy (E 4) Opracował: mgr in. Janusz MDRYCH Zatwierdził: W.O. . Cel wiczenia. Celem wiczenia

Bardziej szczegółowo

Laboratorium elektryczne. Falowniki i przekształtniki - I (E 14)

Laboratorium elektryczne. Falowniki i przekształtniki - I (E 14) POLITECHNIKA LSKA WYDZIAŁINYNIERII RODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZDZE ENERGETYCZNYCH Laboratorium elektryczne Falowniki i przekształtniki - I (E 14) Opracował: mgr in. Janusz MDRYCH Zatwierdził:

Bardziej szczegółowo

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek

Bardziej szczegółowo

Rozszczepienie poziomów atomowych

Rozszczepienie poziomów atomowych Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek

Bardziej szczegółowo

Rys1 Rys 2 1. metoda analityczna. Rys 3 Oznaczamy prdy i spadki napi jak na powyszym rysunku. Moemy zapisa: (dla wzłów A i B)

Rys1 Rys 2 1. metoda analityczna. Rys 3 Oznaczamy prdy i spadki napi jak na powyszym rysunku. Moemy zapisa: (dla wzłów A i B) Zadanie Obliczy warto prdu I oraz napicie U na rezystancji nieliniowej R(I), której charakterystyka napiciowo-prdowa jest wyraona wzorem a) U=0.5I. Dane: E=0V R =Ω R =Ω Rys Rys. metoda analityczna Rys

Bardziej szczegółowo

MODELE ODPOWIEDZI DO PRZYKŁADOWEGO ARKUSZA EGZAMINACYJNEGO Z FIZYKI I ASTRONOMII

MODELE ODPOWIEDZI DO PRZYKŁADOWEGO ARKUSZA EGZAMINACYJNEGO Z FIZYKI I ASTRONOMII TEST PRZED MATUR 007 MODELE ODPOWIEDZI DO PRZYKŁADOWEGO ARKUSZA EGZAMINACYJNEGO Z FIZYKI I ASTRONOMII ZAKRES ROZSZERZONY Numer zadania......3. Punktowane elementy rozwizania (odpowiedzi) za podanie odpowiedzi

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA

Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie charakterystyk prądowo

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 WPŁYW NASŁONECZNIENIA I TECHNOLOGII PRODUKCJI KRZEMOWYCH OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH NA ICH WŁASNOŚCI EKSPLOATACYJNE

Ćwiczenie 3 WPŁYW NASŁONECZNIENIA I TECHNOLOGII PRODUKCJI KRZEMOWYCH OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH NA ICH WŁASNOŚCI EKSPLOATACYJNE Ćwiczenie WPŁYW NASŁONECZNIENIA I TECHNOLOGII PRODUKCJI KRZEMOWYCH OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH NA ICH WŁASNOŚCI EKSPLOATACYJNE Opis stanowiska pomiarowego Stanowisko do wyznaczania charakterystyk prądowo napięciowych

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,

Bardziej szczegółowo

ROZDZIAŁ V: Półprzewodniki

ROZDZIAŁ V: Półprzewodniki ROZDZIAŁ V: Półprzewodniki Temat 21 : Model pasmowy półprzewodnika. Budowa półprzewodników. Materiały pod wzgldem przewodnictwa elektrycznego dzieli si na trzy grupy: przewodniki, półprzewodniki i nieprzewodniki,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 134. Ogniwo słoneczne

Ćwiczenie 134. Ogniwo słoneczne Ćwiczenie 134 Ogniwo słoneczne Cel ćwiczenia Zapoznanie się z różnymi rodzajami półprzewodnikowych ogniw słonecznych. Wyznaczenie charakterystyki prądowo-napięciowej i sprawności przetwarzania energii

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa

E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa 1/5 E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa Celem ćwiczenia jest poznanie podstaw zjawiska konwersji energii świetlnej na elektryczną, zasad działania fotoogniwa oraz wyznaczenie jego podstawowych

Bardziej szczegółowo

wiczenie 1. Diody LED mocy Celem niniejszego wiczenia jest zbadanie wpływu warunków chłodzenia diody LED mocy na jej charakterystyki statyczne.

wiczenie 1. Diody LED mocy Celem niniejszego wiczenia jest zbadanie wpływu warunków chłodzenia diody LED mocy na jej charakterystyki statyczne. Laboratorium z przedmiotu Półprzewodnikowe przyrzdy mocy dla semestru studiów inynierskich Elektronika i Telekomunikacja o specjalnoci Elektronika Morska wiczenie 1. Diody LED mocy Celem niniejszego wiczenia

Bardziej szczegółowo

Elementy pneumatyczne

Elementy pneumatyczne POLITECHNIKA LSKA W GLIWICACH WYDZIAŁ INYNIERII RODOWISKA i ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN i URZDZE ENERGETYCZNYCH Elementy pneumatyczne Laboratorium automatyki (A 3) Opracował: dr in. Jacek Łyczko Sprawdził:

Bardziej szczegółowo

Prdnica prdu zmiennego.

Prdnica prdu zmiennego. POLITECHNIK LSK YDZIŁ INYNIERII RODOISK I ENERGETYKI INSTYTT MSZYN I RZDZE ENERGETYCZNYCH LBORTORIM ELEKTRYCZNE Prdnica prdu zmiennego. (E 16) www.imiue.polsl.pl/~wwwzmiape Opracował: Dr in. łodzimierz

Bardziej szczegółowo

MULTIMETR CYFROWY UT 20 B INSTRUKCJA OBSŁUGI

MULTIMETR CYFROWY UT 20 B INSTRUKCJA OBSŁUGI MULTIMETR CYFROWY UT 20 B INSTRUKCJA OBSŁUGI Instrukcja obsługi dostarcza informacji dotyczcych parametrów technicznych, sposobu uytkowania oraz bezpieczestwa pracy. Strona 1 1.Wprowadzenie: Miernik UT20B

Bardziej szczegółowo

Badanie zależności energii generowanej w panelach fotowoltaicznych od natężenia promieniowania słonecznego

Badanie zależności energii generowanej w panelach fotowoltaicznych od natężenia promieniowania słonecznego POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Wydział Budownictwa i Inżynierii Środowiska Instrukcja do zajęć laboratoryjnych fotowoltaicznych od natężenia promieniowania słonecznego Ćwiczenie nr 10 Laboratorium z przedmiotu

Bardziej szczegółowo

Rys.2. Schemat działania fotoogniwa.

Rys.2. Schemat działania fotoogniwa. Ćwiczenie E16 BADANIE NATĘŻENIA PRĄDU FOTOELEKTRYCZNEGO W ZALEŻNOŚCI OD ODLEGŁOŚCI ŹRÓDŁA ŚWIATŁA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie zależności natężenia prądu generowanego światłem w fotoogniwie od odległości

Bardziej szczegółowo

Przerwa energetyczna w germanie

Przerwa energetyczna w germanie Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania

Bardziej szczegółowo

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy

Bardziej szczegółowo

OGNIWO PALIWOWE W UKŁADACH ZASILANIA POTRZEB WŁASNYCH

OGNIWO PALIWOWE W UKŁADACH ZASILANIA POTRZEB WŁASNYCH Antoni DMOWSKI, Politechnika Warszawska, Instytut Elektroenergetyki Bartłomiej KRAS, APS Energia OGNIWO PALIWOWE W UKŁADACH ZASILANIA POTRZEB WŁASNYCH 1. Wstp Obecne rozwizania podtrzymania zasilania obwodów

Bardziej szczegółowo

Izolacja Anteny szerokopasmowe i wskopasmowe

Izolacja Anteny szerokopasmowe i wskopasmowe Izolacja Anteny szerokopasmowe i wskopasmowe W literaturze technicznej mona znale róne opinie, na temat okrelenia, kiedy antena moe zosta nazwana szerokopasmow. Niektórzy producenci nazywaj anten szerokopasmow

Bardziej szczegółowo

Spektrum słoneczne. Sło ce i Ziemia. Podstawy pozyskiwania, przetwarzania i wykorzystywania energii promieniowania słonecznego. Dorota Chwieduk ITC PW

Spektrum słoneczne. Sło ce i Ziemia. Podstawy pozyskiwania, przetwarzania i wykorzystywania energii promieniowania słonecznego. Dorota Chwieduk ITC PW Szkolenie dotyczce wykorzystania energii słonecznej w sektorze turystycznym, ze szczególnym uwzgldnieniem gospodarstw agroturystycznych, hoteli, centrów sportowo-rekreacyjnych organizowane przez Mazowieck

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY REGULATORÓW ELEKTRYCZNYCH (A 4)

ELEMENTY REGULATORÓW ELEKTRYCZNYCH (A 4) ELEMENTY REGULATORÓW ELEKTRYCZNYCH (A 4) 1. Cel wiczenia. Celem wiczenia jest poznanie budowy i działania elementów regulatorów elektrycznych. W trakcie wiczenia zdejmowane s charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy

Bardziej szczegółowo

ARKUSZ EGZAMINACYJNY ETAP PRAKTYCZNY EGZAMINU POTWIERDZAJ CEGO KWALIFIKACJE ZAWODOWE CZERWIEC 2014

ARKUSZ EGZAMINACYJNY ETAP PRAKTYCZNY EGZAMINU POTWIERDZAJ CEGO KWALIFIKACJE ZAWODOWE CZERWIEC 2014 Zawód: technik elektronik Symbol cyfrowy zawodu: 311[07] Numer zadania: 1 Arkusz zawiera informacje prawnie chronione do momentu rozpoczcia egzaminu 311[07]-01-142 Czas trwania egzaminu: 240 minut ARKUSZ

Bardziej szczegółowo

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja

Bardziej szczegółowo

Ć W I C Z E N I E N R E-19

Ć W I C Z E N I E N R E-19 INSTYTUT FIZYKI WYDZIAŁ INŻYNIERII PRODUKCJI I TECHNOLOGII MATERIAŁÓW POLITECHNIKA CZĘSTOCHOWSKA PRACOWNIA ELEKTRYCZNOŚCI I MAGNETYZMU Ć W I C Z E N I E N R E-19 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYKI PRĄDOWO-NAPIĘCIOWEJ,

Bardziej szczegółowo

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska 1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika

Bardziej szczegółowo

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury. WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Zasilacz JPS-305DG jest to nowsza wersja JPS-305. JPS-305DG cechuje lepsza stabilno oraz posiada pod wietlanie wy wietlaczy LCD (jak na zdj ciu).

Zasilacz JPS-305DG jest to nowsza wersja JPS-305. JPS-305DG cechuje lepsza stabilno oraz posiada pod wietlanie wy wietlaczy LCD (jak na zdj ciu). JPS-305DG Seria zasilaczy stabilizowanych RXN&JPS dedykowana jest to precyzyjnych prac w laboratoriach, serwisach, warsztatach oraz zakadach elektronicznych. Napicie oraz natenie wyjciowe jest regulowane

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj

Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

wiczenie 1. Przetwornice dławikowe

wiczenie 1. Przetwornice dławikowe Laboratorium z przedmiotu Półprzewodnikowe przyrzdy mocy dla VI semestru studiów inynierskich Elektronika i Telekomunikacja o specjalnoci Elektronika Morska wiczenie 1. Przetwornice dławikowe Zadania do

Bardziej szczegółowo

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki Półprzewodniki Definicja i własności Półprzewodnik materiał, którego przewodnictwo rośnie z temperaturą (opór maleje) i w temperaturze pokojowej wykazuje wartości pośrednie między przewodnictwem metali,

Bardziej szczegółowo

Rys1. Schemat blokowy uk adu. Napi cie wyj ciowe czujnika [mv]

Rys1. Schemat blokowy uk adu. Napi cie wyj ciowe czujnika [mv] Wstp Po zapoznaniu si z wynikami bada czujnika piezoelektrycznego, ramach projektu zaprojektowano i zasymulowano nastpujce ukady: - ródo prdowe stabilizowane o wydajnoci prdowej ma (do zasilania czujnika);

Bardziej szczegółowo

Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/

Bardziej szczegółowo

MIKROMOCOWY STABILIZOWANY UKŁAD POLARYZACJI TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

MIKROMOCOWY STABILIZOWANY UKŁAD POLARYZACJI TRANZYSTORA BIPOLARNEGO MKROMOOWY STABLZOWANY KŁAD OLARYZAJ TRANZYSTORA BOLARNO Jan Winiewski nstytut nformatyki i lektroniki, niwersytet Zielonogórski 65-46 Zielona óra, ul odgórna 50 e-mail: jwisniewski@iieuzzgorapl STRSZZN

Bardziej szczegółowo

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe

Przyrządy półprzewodnikowe Przyrządy półprzewodnikowe Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T Metal

Bardziej szczegółowo

Badanie baterii słonecznych w zależności od natężenia światła

Badanie baterii słonecznych w zależności od natężenia światła POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Elektroenergetyki, Zakład Elektrowni i Gospodarki Elektroenergetycznej Przemiany energii laboratorium Ćwiczenie Badanie baterii słonecznych w zależności od natężenia światła

Bardziej szczegółowo

Zasilanie urzdze elektronicznych laboratorium IV rok Elektronika Morska

Zasilanie urzdze elektronicznych laboratorium IV rok Elektronika Morska Zasilanie urzdze elektronicznych laboratorium IV rok Elektronika Morska wiczenie 1. Wyznaczanie charakterystyk dławikowej przetwornicy buck przy wykorzystaniu analizy stanów przejciowych Celem niniejszego

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Elektroniki, Informatyki i Automatyki Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych.

Wydział Elektrotechniki, Elektroniki, Informatyki i Automatyki Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych. Politechnika Łódzka Wydział Elektrotechniki, Elektroniki, Informatyki i Automatyki Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Niekonwencjonalne źródła energii Laboratorium Ćwiczenie 1

Bardziej szczegółowo

BADANIE MASZYN PRDU STAŁEGO

BADANIE MASZYN PRDU STAŁEGO OPISYWICZENIE 3 BADANIE MASZYN PRDU STAŁEGO WPROWADZENIE 1. Zasada działania maszyn prdu stałego. 2. Prdnice prdu stałego. 2.1. Prdnice samowzbudne. 2.1.1. Prdnica samowzbudna bocznikowa. 3. Silniki prdu

Bardziej szczegółowo

Instytut Fizyki Doświadczalnej Wydział Matematyki, Fizyki i Informatyki UNIWERSYTET GDAŃSKI

Instytut Fizyki Doświadczalnej Wydział Matematyki, Fizyki i Informatyki UNIWERSYTET GDAŃSKI Instytut Fizyki Doświadczalnej Wydział Matematyki, Fizyki i Informatyki UNIWERSYTET GDAŃSKI I. Zagadnienia do opracowania. 1. Struktura pasmowa ciał stałych. 2. Klasyfikacja ciał stałych w oparciu o teorię

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA OBSŁUGI LUKSOMIERZA L-51. SONOPAN Sp. z o.o Białystok, ul. Ciołkowskiego 2/2 tel., fax (0 85)

INSTRUKCJA OBSŁUGI LUKSOMIERZA L-51. SONOPAN Sp. z o.o Białystok, ul. Ciołkowskiego 2/2 tel., fax (0 85) INSTRUKCJA OBSŁUGI LUKSOMIERZA L-51 SONOPAN Sp. z o.o. 15-950 Białystok, ul. Ciołkowskiego 2/2 tel., fax (0 85) 742 36 62 www.sonopan.com.pl - 1 - INFORMACJE O NORMACH Cyfrowy luksomierz L-51 spełnia wymagania

Bardziej szczegółowo

SZKIC ODPOWIEDZI I SCHEMAT OCENIANIA ROZWI ZA ZADA W ARKUSZU II

SZKIC ODPOWIEDZI I SCHEMAT OCENIANIA ROZWI ZA ZADA W ARKUSZU II Nr zadania.1.. Przemiany gazu.. SZKIC ODPOWIEDZI I SCHEMAT OCENIANIA ROZWIZA ZADA W ARKUSZU II PUNKTOWANE ELEMENTY ODPOWIEDZI Za czynno Podanie nazwy przemiany (AB przemiana izochoryczna) Podanie nazwy

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyki diody

Badanie charakterystyki diody Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

Półprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna

Półprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna Półprzewodniki samoistne Struktura krystaliczna Si a5.43 A GaAs a5.63 A ajczęściej: struktura diamentu i blendy cynkowej (ZnS) 1 Wiązania chemiczne Wiązania kowalencyjne i kowalencyjno-jonowe 0K wszystkie

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy

Bardziej szczegółowo

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 WSPÓŁPRACA JEDNAKOWYCH OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH W RÓŻNYCH KONFIGURACJACH POŁĄCZEŃ. Opis stanowiska pomiarowego. Przebieg ćwiczenia

Ćwiczenie 2 WSPÓŁPRACA JEDNAKOWYCH OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH W RÓŻNYCH KONFIGURACJACH POŁĄCZEŃ. Opis stanowiska pomiarowego. Przebieg ćwiczenia Ćwiczenie WSPÓŁPRACA JEDNAKOWYCH OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH W RÓŻNYCH KONFIGURACJACH POŁĄCZEŃ Opis stanowiska pomiarowego Stanowisko do analizy współpracy jednakowych ogniw fotowoltaicznych w różnych konfiguracjach

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika

Ćwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika Nazwisko... Data... Nr na liście... Imię... Wydział... Dzień tyg.... Godzina... Ćwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika Tabela I. Metal Nazwa próbki:

Bardziej szczegółowo

W obiekcie hali sportowej projektuje si nastpujce powierzchnie: Nr pom. uytkowa (m 2 ) I PARTER

W obiekcie hali sportowej projektuje si nastpujce powierzchnie: Nr pom. uytkowa (m 2 ) I PARTER WARUNKI OCHRONY PRZECIWPOAROWEJ DO PROJEKTU ARCHITEKTONICZNO- BUDOWLANEGO ROZBUDOWA SZKOŁY PODSTAWOWEJ O SAL SPORTOW Z ZAPLECZEM I BIBLIOTEK Lubosz, ul. Powstaców Wlkp. 1, działki nr 121/4, 122 1. Dane

Bardziej szczegółowo

1 Źródła i detektory. V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED.

1 Źródła i detektory. V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED. 1 V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTROTECHNIKI SILNIK ASYNCHRONICZNY I (E-12)

LABORATORIUM ELEKTROTECHNIKI SILNIK ASYNCHRONICZNY I (E-12) POLTECHNKA LSKA WYDZAŁ NYNER RODOWSKA ENERGETYK NSTYTUT MASZYN URZDZE ENERGETYCZNYCH LABORATORUM ELEKTROTECHNK SLNK ASYNCHRONCZNY (E-) www.imiue.polsl.pl/~wwwzmiape Opracował: Dr in. Jan Około-Kułak Sprawdził:

Bardziej szczegółowo

Softstarty 3RW40 dostpne do mocy 250 KW

Softstarty 3RW40 dostpne do mocy 250 KW Softstarty 3RW40 dostpne do mocy 250 KW Softstarty z rodziny 3RW40 s układami łagodnego rozruchu silnika, przeznaczonymi do rozruchów normalnych i rednio cikich, poniewa s wykonane w CLASS 10 i CLASS 20.

Bardziej szczegółowo

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,

Bardziej szczegółowo

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent

Bardziej szczegółowo

POCZTA POLSKA S.A. Obszar Operacyjny ds. Nieruchomo ci w Katowicach pl. Oddz. Młodzie y powsta czej KATOWICE POCZTA POLSKA S.A.

POCZTA POLSKA S.A. Obszar Operacyjny ds. Nieruchomo ci w Katowicach pl. Oddz. Młodzie y powsta czej KATOWICE POCZTA POLSKA S.A. GK POCZTA POLSKA S.A. Obszar Operacyjny ds. Nieruchomoci w Katowicach pl. Oddz. Młodziey powstaczej 7 40-940 KATOWICE POCZTA POLSKA S.A. pl. Oddz. Młodziey powstaczej 7 40-940 KATOWICE PROJEKT STANOWISK

Bardziej szczegółowo

Nietypowe urzdzenia do ograniczania przepi

Nietypowe urzdzenia do ograniczania przepi Nietypowe urzdzenia do ograniczania przepi Andrzej Sowa Wstp Obecne normy ochrony odgromowej obiektów budowlanych [1,2,3] zalecaj stosowanie strefowej koncepcji ochrony wewntrz i na zewntrz budynku. Ogólna

Bardziej szczegółowo

Pomiar i nastawianie luzu w osiach posuwowych obrotowych

Pomiar i nastawianie luzu w osiach posuwowych obrotowych Wydział Budowy Maszyn i Zarządzania Instytut Technologii Mechanicznej Maszyny i urządzenia technologiczne laboratorium Pomiar i nastawianie luzu w osiach posuwowych obrotowych Cykl II Ćwiczenie 1 1. CEL

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach

Bardziej szczegółowo

BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH

BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 70 Electrical Engineering 2012 Bartosz CERAN* BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH W artykule przedstawiono model matematyczny modułu fotowoltaicznego.

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 8 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n I. Zagadnienia do samodzielnego przygotowania

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY 1.WIADOMOŚCI OGÓLNE

Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY 1.WIADOMOŚCI OGÓLNE Laboratorium z Fizyki Materiałów 00 Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY.WIADOMOŚCI OGÓLNE Przewodnictwo elektryczne ciał stałych można opisać korzystając

Bardziej szczegółowo

PRZYKŁADOWY ARKUSZ EGZAMINACYJNY Z FIZYKI I ASTRONOMII

PRZYKŁADOWY ARKUSZ EGZAMINACYJNY Z FIZYKI I ASTRONOMII Autor: Jerzy Sarbiewski TEST PRZED MATUR 2007 PRZYKŁADOWY ARKUSZ EGZAMINACYJNY Z FIZYKI I ASTRONOMII Instrukcja dla zdajcego POZIOM ROZSZERZONY Czas pracy 150 minut 1. Sprawd, czy arkusz egzaminacyjny

Bardziej szczegółowo

PARAMATRY TECHNICZNE PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA...... Nazwa i typ (producent) oferowanego urzdzenia:.....

PARAMATRY TECHNICZNE PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA...... Nazwa i typ (producent) oferowanego urzdzenia:..... Sprawa Nr: NA-P/33/2010 Załcznik nr 4 do SIWZ PARAMATRY TECHNICZNE PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA Nazwa i adres Wykonawcy:...... Nazwa i typ (producent) oferowanego urzdzenia:.... CHŁODZIARKO-ZAMRAARKA 1. Pojemno

Bardziej szczegółowo

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2 Elektroluminescencja SZCZECIN 2002 WSTĘP Mianem elektroluminescencji określamy zjawisko emisji spontanicznej

Bardziej szczegółowo

BADANIA NAD WYKORZYSTANIEM OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH W ROLNICTWIE I PRZEMYLE ROLNO-SPOYWCZYM. CZ II. BADANIA LABORATORYJNE

BADANIA NAD WYKORZYSTANIEM OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH W ROLNICTWIE I PRZEMYLE ROLNO-SPOYWCZYM. CZ II. BADANIA LABORATORYJNE Technica Agraria (1) 3, 1- BADANIA NAD WYKORZYSTANIEM OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH W ROLNICTWIE I PRZEMYLE ROLNO-SPOYWCZYM. CZ II. BADANIA LABORATORYJNE Marek Adamiec, Marek Kuna-Broniowski, Izabela Kuna-Broniowska

Bardziej szczegółowo

Energia emitowana przez Słońce

Energia emitowana przez Słońce Energia słoneczna i ogniwa fotowoltaiczne Michał Kocyła Problem energetyczny na świecie Przewiduje się, że przy obecnym tempie rozwoju gospodarczego i zapotrzebowaniu na energię, paliw kopalnych starczy

Bardziej szczegółowo

Badanie ogniw fotowoltaicznych

Badanie ogniw fotowoltaicznych POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH Badanie ogniw fotowoltaicznych Laboratorium Energetyki Rozproszonej i Odnawialnych Źródeł Energii

Bardziej szczegółowo

Fotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski

Fotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski Fotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski Photovoltaic and Sensors in Environmental Development of Malopolska Region ZWIĘKSZANIE WYDAJNOŚCI SYSTEMÓW FOTOWOLTAICZNYCH Plan prezentacji

Bardziej szczegółowo

Szkoła z przyszłością. Zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne

Szkoła z przyszłością. Zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne Szkoła z przyszłością szkolenie współfinansowane przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Narodowe Centrum Badań Jądrowych, ul. Andrzeja Sołtana 7, 05-400 Otwock-Świerk ĆWICZENIE

Bardziej szczegółowo

Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale

Bardziej szczegółowo

MATERIAŁ WICZENIOWY Z FIZYKI I ASTRONOMII

MATERIAŁ WICZENIOWY Z FIZYKI I ASTRONOMII Miejsce na naklejk MATERIAŁ WICZENIOWY Z FIZYKI I ASTRONOMII POZIOM ROZSZERZONY STYCZE 2010 Czas pracy 150 minut Instrukcja dla zdajcego 1. Sprawd, czy arkusz egzaminacyjny zawiera 18 stron (zadania 1

Bardziej szczegółowo

półprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski

półprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) 152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,

Bardziej szczegółowo

Kwantowe własności promieniowania, ciało doskonale czarne, zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne.

Kwantowe własności promieniowania, ciało doskonale czarne, zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne. Kwantowe własności promieniowania, ciało doskonale czarne, zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne. DUALIZM ŚWIATŁA fala interferencja, dyfrakcja, polaryzacja,... kwant, foton promieniowanie ciała doskonale

Bardziej szczegółowo

SOLARNA. Moduły fotowoltaiczne oraz kompletne systemy przetwarzające energię słoneczną. EKOSERW BIS Sp. j. Mirosław Jedrzejewski, Zbigniew Majchrzak

SOLARNA. Moduły fotowoltaiczne oraz kompletne systemy przetwarzające energię słoneczną. EKOSERW BIS Sp. j. Mirosław Jedrzejewski, Zbigniew Majchrzak Moduły fotowoltaiczne oraz kompletne systemy przetwarzające energię słoneczną ENERGIA SOLARNA Fotowoltaika Do Ziemi dociera promieniowanie słoneczne zbliżone widmowo do promieniowania ciała doskonale czarnego

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Przyrządy i układy półprzewodnikowe Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA LABORATORYJNA 11-FR. OBSŁUGA APLIKACJI ZINTEGROWANEJ Z INSTALACJĄ FOTOWOLTAICZNĄ O MOCY 2 kwp

INSTRUKCJA LABORATORYJNA 11-FR. OBSŁUGA APLIKACJI ZINTEGROWANEJ Z INSTALACJĄ FOTOWOLTAICZNĄ O MOCY 2 kwp LABORATORIUM ODNAWIALNYCH ŹRÓDEŁ ENERGII Katedra Aparatury i Maszynoznawstwa Chemicznego Wydział Chemiczny Politechniki Gdańskiej INSTRUKCJA LABORATORYJNA 11-FR OBSŁUGA APLIKACJI ZINTEGROWANEJ Z INSTALACJĄ

Bardziej szczegółowo

POBÓR MOCY MASZYN I URZDZE ODLEWNICZYCH

POBÓR MOCY MASZYN I URZDZE ODLEWNICZYCH Eugeniusz ZIÓŁKOWSKI, 1 Roman WRONA 2 Wydział Odlewnictwa AGH 1. Wprowadzenie. Monitorowanie poboru mocy maszyn i urzdze odlewniczych moe w istotny sposób przyczyni si do oceny technicznej i ekonomicznej

Bardziej szczegółowo

ZMIANY W KRZYWIZNACH KRGOSŁUPA MCZYZN I KOBIET W POZYCJI SIEDZCEJ W ZALENOCI OD TYPU POSTAWY CIAŁA WSTP

ZMIANY W KRZYWIZNACH KRGOSŁUPA MCZYZN I KOBIET W POZYCJI SIEDZCEJ W ZALENOCI OD TYPU POSTAWY CIAŁA WSTP Elbieta CHLEBICKA Agnieszka GUZIK Wincenty LIWA Politechnika Wrocławska ZMIANY W KRZYWIZNACH KRGOSŁUPA MCZYZN I KOBIET W POZYCJI SIEDZCEJ W ZALENOCI OD TYPU POSTAWY CIAŁA WSTP siedzca, która jest przyjmowana

Bardziej szczegółowo

Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)

Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) 1. Wymagane zagadnienia - ruch ładunku w polu magnetycznym, siła Lorentza, pole elektryczne - omówić zjawisko Halla, wyprowadzić wzór na napięcie

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH. ĆWICZENIE Nr 2. Badanie własności ferroelektrycznych soli Seignette a

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH. ĆWICZENIE Nr 2. Badanie własności ferroelektrycznych soli Seignette a POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH ĆWICZENIE Nr 2 Badanie własności ferroelektrycznych soli Seignette a Celem ćwiczenia jest wyznaczenie zależności temperaturowej

Bardziej szczegółowo

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują

Bardziej szczegółowo

PRZEWODNIKI ELEKTRYCZNO CI I IZOLATORY

PRZEWODNIKI ELEKTRYCZNO CI I IZOLATORY ELEKTROTECHNIKA Z elektrycznoci stykasz si wszdzie. Poznajesz coraz wicej skutków jej oddziaływania. Na przykład, pierwotnych ludzi przeraała błyskawica, uderzenie pioruna, jego niszczycielskie skutki.

Bardziej szczegółowo