wiczenie 1. Przetwornice dławikowe
|
|
- Barbara Kaczor
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Laboratorium z przedmiotu Półprzewodnikowe przyrzdy mocy dla VI semestru studiów inynierskich Elektronika i Telekomunikacja o specjalnoci Elektronika Morska wiczenie 1. Przetwornice dławikowe Zadania do konania w laboratorium: 1. Zmierzy charakterystyki przetwornicy BUCK w układzie pokazanym na rys.1.1. W tym celu na płycie czołowej zestawu pomiarowego naley kona nastpujce czynnoci: IRF840 L=200 µh C=470 µf U U we =20V BY229 R 0 Rys.1.1. Schemat przetwornicy BUCK a) przełcznik POMIAR przełczy w pozycj BUCK, b) przełcznik LOOP przełczy w pozycj BUCK, c) przełcznik PTLA przełczy w pozycj 0, d) przełcznik Uwe przełczy w pozycj BUCK, e) zmieniajc potencjometrem Uwe warto napicia U we znaczy charakterystyki U (U we ) przetwornicy przy dwóch wartociach napicia odniesienia U REF (ustawianych pokrtłem U REF1 na płycie czołowej zestawu) równych kolejno 1,5 V oraz 2,5 V. Przyj zakres zmian wartoci napicia U we od 0 do 20 V, f) zmieniajc potencjometrem U REF1 warto napicia U REF znaczy zaleno napicia jciowego przetwornicy U od współczynnika pełnienia sygnału sterujcego bramk d=t w /T S przy rezystancji obcienia R1 = 20 Ω oraz R2 = 1 kω (bieranej przełcznikiem na płycie czołowej); wartoci czasu trwania impulsu sygnału sterujcego bramk tranzystora t w oraz okresu tego sygnału T S naley zmierzy za pomoc oscyloskopu. g) dla najwikszej wartoci napicia U REF zmierzy wartoci I we, I, U we oraz U. 2. Zmierzy charakterystyki przejciowe przetwornicy BOOST, pokazanej na rys.1.2. W tym celu na płycie czołowej zestawu pomiarowego naley kona nastpujce czynnoci: a) przełcznik POMIAR przełczy w pozycj BOOST, b) przełcznik LOOP przełczy w pozycj BOOST, L1=350µH BY229 IRF840 U U we C=470µF R 0 Rys.1.2. Schemat przetwornicy BOOST
2 c) przełcznik PTLA przełczy w pozycj 0, d) przełcznik Uwe przełczy w pozycj BOOST e) zmieniajc potencjometrem Uwe warto napicia wejciowego U we znaczy charakterystyki przejciowe U (U we ) przetwornicy przy dwóch wartociach napicia odniesienia U REF (ustawianych pokrtłem U REF1 na płycie czołowej zestawu) równych kolejno 1,5 V oraz 2,5 V; Przyj zakres zmian wartoci napicia U we od 0 do 20 V, f) zmieniajc potencjometrem U REF1 warto napicia U REF znaczy zaleno napicia jciowego przetwornicy U od współczynnika pełnienia sygnału sterujcego bramk d=t w /T S przy rezystancji obcienia R1 = 1 kω oraz R2 = 30 Ω (bieranej przełcznikiem na płycie czołowej); wartoci czasu trwania impulsu sygnału sterujcego bramk tranzystora t w oraz okresu tego sygnału T S naley zmierzy za pomoc oscyloskopu. g) dla najwikszej wartoci napicia odniesienia U REF zmierzy wartoci I we, I, U we oraz U. 1. Wykreli zmierzone charakterystyki U (U we ) oraz U (d) obu przetwornic. 2. Obliczy sprawno energetyczn η obu przetwornic korzystajc ze wzoru U I η = (1.1) U I we 3. Na podstawie zmierzonych charakterystyk U (d) znaczy zakres regulacji napicia jciowego obu przetwornic dla idealnych przełczników i porówna go z nikami pomiarów. Skomentowa zauwaone rozbienoci. Dla idealnych elementów półprzewodnikoch relacje midzy napiciem jciom przetwornicy a współczynnikiem pełnienia sygnału sterujcego d s dane wzorami U = d dla przetwornicy BUCK (1.2) U U we 1 = 1 d U we we dla przetwornicy BOOST (1.3) wiczenie 2. Przetwornica półmostkowa Zadania do konania w laboratorium: 1. Zmierzy charakterystyki przejciowe U (U we ) przetwornicy półmostkowej, pokazanej na rysunku 2.1. W tym celu na płycie czołowej zestawu pomiarowego naley kona nastpujce czynnoci: a) przełcznik PTLA przełczy w pozycj 0, b) zmieniajc warto napicia wejciowego U we, podawanego z zewntrznego zasilacza, znaczy charakterystyki przejciowe U (U we ) przy ustalonych wartociach napicia odniesienia U REF (regulowanego potencjometrem U REF1 na płycie czołowej zestawu) równych kolejno 1,5 V oraz 2,5 V; Przyj zakres zmian wartoci napicia U we od 0 do 20 V, c) zmieniajc potencjometrem U REF1 warto napicia U REF znaczy zaleno napicia jciowego przetwornicy U od współczynnika pełnienia sygnału sterujcego bramk d=t w /T S przy rezystancji obcienia R1 = 20 Ω oraz R2 = 1 kω (bieranej przełcznikiem na płycie czołowej); wartoci czasu trwania impulsu
3 sygnału sterujcego bramk tranzystora t w oraz okresu tego sygnału T S naley zmierzy za pomoc oscyloskopu. UZ C1 T1 C11 R9 R8 Eg US Rw Tr1 Uwe C2 D1 D2 Df Cf R11 US R0 U T2 C10 R10 Ed Rys Schemat przetwornicy półmostkowej d) znaczy zaleno t w (U REF ) czasu trwania impulsu sterujcego tranzystor T1 od napicia odniesienia, przy ustalonej wartoci napicia wejciowego U we = 20 V oraz przy dwóch wartociach rezystancji obcienia R1 = 20 Ω oraz R2 = 1 kω, e) dla najwikszej wartoci napicia odniesienia U REF zmierzy wartoci I we, I, U we oraz U, 2. Przerysowa z oscyloskopu czasowe przebiegi napi na jciu sterownika (jcie U SERL na płycie czołowej zestawu) oraz na bramkach obu tranzystorów (jcia U GL oraz U GH na płycie czołowej), odpowiadajce wartoci napicia wejciowego przetwornicy U we = 20 V oraz wartoci napicia odniesienia U REF = 2 V, przy rezystancji obcienia R1 = 20 Ω. 1. Narysowa zmierzone charakterystyki U (U we ) oraz U (d) badanej przetwornicy półmostkowej. 2. Wyznaczy sprawno energetyczn przetwornicy. 3. Wyjani zaobserwowane na oscyloskopie rónice w kształcie napicia na bramkach tranzystorów T1 i T2 (jcia U GL oraz U GH ). wiczenie 3. Tranzystor IGBT Zadania do konania w laboratorium: 1. W układzie pokazanym na rysunku 3.1 zmierzy nastpujce charakterystyki statyczne i(u) tranzystora IGBT w zakresie (u CE 15 V, i C 2 A): a) charakterystyki przejciowe i C (u GE ) dla dwóch wartoci napicia kolektor-emiter: u CE1 = 2 V oraz u CE2 = 6 V, b) charakterystyki jciowe i C (u CE ) dla trzech wartoci napicia bramka-emiter: u GE1 = 5,5 V; u GE2 = 6 V; u GE3 = 6,5 V, przy dodatnich wartoci napicia kolektor-emiter, c) charakterystyki jciowe i C (u CE ) dla dwóch wartoci napicia bramka-emiter u GE1 = 0; u GE2 = 6 V, przy ujemnych wartociach napicia kolektor-emiter. W celu
4 konania tego pomiaru naley zmieni polaryzacj napicia z zasilacza obwodu kolektora E C. Rys.3.1. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych tranzystora IGBT 2. W układzie pokazanym na rysunku 3.2 zmierzy parametry dynamiczne tranzystora IGBT: e(t) R G OX T 1 OY R C E C Rys.3.2. Układ do pomiaru charakterystyk dynamicznych tranzystora IGBT a) znaczy czas włczania i łczania tranzystora przy pobudzeniu e(t) sygnałem prostoktnym o czstotliwoci f = 5 khz, dla prdów włczenia kolejno o wartociach: i C = 0,1 A, 0,5 A, 1 A, 2A, b) odrysowa z oscyloskopu czasowe przebiegi napicia bramka-emiter oraz kolektoremiter przy amplitudzie napicia bramka emiter równej u GE1 = 5 V oraz u GE2 = 7,5 V oraz przy napiciu zasilania równym E C = 20 V. 1. Wykreli zmierzone w punkcie 1 charakterystyki statyczne badanego tranzystora. 2. Wyznaczy warto napicia progowego U p, jako warto napicia bramka-emiter, odpowiadajc prdowi kolektora równemu 10 µa przy napiciu U CE = 6 V. 3. Uzasadni przebieg zmierzonej charakterystyki jciowej i C (u CE ) badanego tranzystora dla ujemnych napi kolektor-emiter u CE < Wykreli zmierzon w punkcie 2a zaleno czasu włczania i łczania tranzystora od prdu kolektora w stanie włczenia. Dane katalogowe badanego elementu: U CEmax I Cmax P TOT(25 C) IGBT IRG4PC40UD 600 V 40 A 160 W
5 wiczenie 4. Tyrystor Zadania do konania w laboratorium: 1. Zmierzy statyczne charakterystyki jciowe i A (u AK ) tyrystora w układzie z rys.4.1. przy nastpujcych wartociach prdu bramki: i G1 = 5 ma, i G2 = 10,6 ma, i G3 = 15 ma. Przed rozpoczciem pomiarów naley ustawi pokrtło ograniczenia prdowego w zasilaczu E A na minimum i w kolejnych punktach pomiaroch zwiksza warto dopuszczaln prdu i A tylko na tyle, by nie paliła si sygnalizacja ograniczania prdu jciowego tego zasilacza. W czasie pomiaru najpierw naley zwiksza warto napicia u AK a do uzyskania napicia u AK = 60 V lub do uzyskania prdu i A = 2.5 A. Nastpnie naley zmniejsza warto napicia u AK do zera. W ten sposób uzyskana zastania charakterystyka tyrystora w zakresie blokowania i włczenia. A R G T 1 E G V V E A Rys.4.1. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych tyrystora 2. Wyznaczy czasowe przebiegi napi u AK oraz u GK tyrystora przy pracy dynamicznej. Odrysowa z oscyloskopu czasowe przebiegi napicia u AK (t) oraz u GK (t) w układzie do płynnej regulacji mocy, pokazanym na rys. 4.2., odpowiadajce dwom wartociom kta komutacji tyrystora, regulowanego pokrtłem na płycie czołowej zestawu pomiarowego, przy najwikszym i najmniejszym nateniu wiatła emitowanego przez arówk. ~230V Tr T1 D1 RG P1 R1 C1 R2 R3 Q2 Q1 R4 Rys.4.2. Układ płynnej regulacji mocy 1. Wykreli zmierzone w punkcie 1 charakterystyki statyczne tyrystora. 2. Wyznaczy warto prdu podtrzymania tyrystora I L na podstawie uzyskanych w punkcie 1 charakterystyk statycznych. 3. Skomentowa zmierzone przebiegi napi u AK (t) oraz u GK (t). Dane katalogowe badanego elementu: I T U DRM SCR C 50 A 100 V
6 Literatura pomocnicza [1] Tietze U., Schenk Ch.: Układy półprzewodnikowe. WNT, Warszawa, [2] Borkowski A.: Zasilanie urzdze elektronicznych. WKiŁ, Warszawa, [3] Napieralski A., Napieralska M.: Polowe półprzewodnikowe przyrzdy duej mocy. WNT, Warszawa, [4] Stepowicz W.J., Zarbski J.: Laboratorium z elementów elektronicznych. Wydawnictwo WSM w Gdyni, Gdynia 1989 (danie 1), 1994 (danie 2). [5] Marciniak W.: Przyrzdy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa, [6] Kołodziejski J., Spiralski L., Stolarski E.: Pomiary przyrzdów półprzewodnikoch. WKiŁ, Warszawa [7] Górecki K.: Układy przetwarzania energii elektrycznej w elektronice. Podrcznik dla studium podyplomowego Elektroniczne elementy i układy mocy, Wydawnictwo Tekst, Bydgoszcz, [8] Zarbski J.: Półprzewodnikowe elementy mocy. Wydawnictwo Tekst, Bydgoszcz, 2009.
wiczenie 1. Diody LED mocy Celem niniejszego wiczenia jest zbadanie wpływu warunków chłodzenia diody LED mocy na jej charakterystyki statyczne.
Laboratorium z przedmiotu Półprzewodnikowe przyrzdy mocy dla semestru studiów inynierskich Elektronika i Telekomunikacja o specjalnoci Elektronika Morska wiczenie 1. Diody LED mocy Celem niniejszego wiczenia
Bardziej szczegółowoZasilanie urzdze elektronicznych laboratorium IV rok Elektronika Morska
Zasilanie urzdze elektronicznych laboratorium IV rok Elektronika Morska wiczenie 1. Wyznaczanie charakterystyk dławikowej przetwornicy buck przy wykorzystaniu analizy stanów przejciowych Celem niniejszego
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoZasilanie urzdze elektronicznych laboratorium VII semestr Elektronika Morska
Zasilanie urzdze elektronicznych laboratorium VII semestr Elektronika Morska wiczenie 1. Wyznaczanie charakterystyk dławikowej przetwornicy buck przy wykorzystaniu analizy stanów przejciowych Celem niniejszego
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego
LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory sygnału prostokątnego Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Zasada działania, schemat i zastosowania tranzystorowego multiwibratora
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz tranzystorowy
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.
Bardziej szczegółowoStabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723
LABORATORIUM Stabilizacja napięcia Prostowanie i Filtracja Zasilania Stabilizator scalony µa723 Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania: - Układy prostowników półokresowych i pełnookresowych. - Filtracja
Bardziej szczegółowoBadanie tranzystorów MOSFET
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 7045 Szczecin Pracownia Elektroniki Badanie tranzystorów MOSFET Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: budowa i zasada działania tranzystora MOSFET; charakterystyki
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz
INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz Gdynia 2015 wiczenie 1. Mierniki magnetoelektryczne Celem wiczenia jest zapoznanie studentów z zasad działania
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów przełączających. Cel ćwiczenia : Poznanie właściwości elektrycznych tranzystorów bipolarnych
Bardziej szczegółowoTranzystory w pracy impulsowej
Tranzystory w pracy impulsowej. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości impulsowych tranzystorów. Wyniki pomiarów parametrów impulsowych tranzystora będą porównane z parametrami obliczonymi.
Bardziej szczegółowo1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS
1 Tranzystor MOS Podczas bierzącego ćwiczenia omówiony zostanie sposób działania tranzystora polowego nmos, zbadane zostaną podstawowe charakterystyki tranzystora, oraz szybkość jego działania. Przed przystąpieniem
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJE LABORATORYJNE Z PODSTAW MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz
INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z PODSTAW MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz Gdynia 2005 wiczenie 1. Mierniki magnetoelektryczne Celem wiczenia jest zapoznanie studentów z zasad
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 18 BADANIE UKŁADÓW CZASOWYCH A. Cel ćwiczenia. - Zapoznanie z działaniem i przeznaczeniem przerzutników
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz
INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz Gdynia 05 wiczenie. Mierniki magnetoelektryczne Celem wiczenia jest zapoznanie studentów z zasad działania miernika
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego
ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się ze wzmacniaczem różnicowym, który
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoRys1. Schemat blokowy uk adu. Napi cie wyj ciowe czujnika [mv]
Wstp Po zapoznaniu si z wynikami bada czujnika piezoelektrycznego, ramach projektu zaprojektowano i zasymulowano nastpujce ukady: - ródo prdowe stabilizowane o wydajnoci prdowej ma (do zasilania czujnika);
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.
ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu
Bardziej szczegółowoLaboratorium elektryczne. Falowniki i przekształtniki - I (E 14)
POLITECHNIKA LSKA WYDZIAŁINYNIERII RODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZDZE ENERGETYCZNYCH Laboratorium elektryczne Falowniki i przekształtniki - I (E 14) Opracował: mgr in. Janusz MDRYCH Zatwierdził:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoBadanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie
LABORATORIUM ZASILANIE URZĄDZEŃ ELETRONICZNYCH Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie Opracował: Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Budowa, parametry i zasada działania
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)
ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h) 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJE DO LABORATORIUM Z ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz, Janusz Zarbski
INSTRUKCJ DO LABORATORIUM Z LMNTÓW PÓŁPRZWODNIKOWYCH Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz, Janusz Zarbski Gdynia 2002 RGULAMIN Przed przystpieniem do wykonania wiczenia naley przygotowa si do niego w
Bardziej szczegółowoLiniowe stabilizatory napięcia
. Cel ćwiczenia. Liniowe stabilizatory napięcia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości stabilizatora napięcia zbudowanego na popularnym układzie scalonym. Zakres ćwiczenia obejmuje projektowanie
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 17 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego -
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKA. Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski
LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory drgań sinusoidalnych Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Rodzaje generatorów. 2. Warunki generacji generatorów RC z przesuwnikiem
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TYRYSTOR I TRIAK
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 4 TYRYSTOR I TRIAK
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoBADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA
BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:
Bardziej szczegółowoPodstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:
Wydział EAIiIB Katedra Laboratorium Metrologii i Elektroniki Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Ćw. 5. Funktory CMOS cz.1 Data wykonania: Grupa (godz.): Dzień tygodnia:
Bardziej szczegółowoScalony stabilizator napięcia typu 723
LBORTORIUM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część I Układy sprzężeń zwrotnych i źródeł napięcia odniesienia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Znajomość schematów,
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 5 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego - Zasada
Bardziej szczegółowo3. Funktory CMOS cz.1
3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz
INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz Gdynia 0 wiczenie. Mierniki magnetoelektryczne Celem wiczenia jest zapoznanie studentów z zasad działania miernika
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI FILTRY AKTYWNE
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 11 FILTRY AKTYWNE DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 8 WZMACNIACZ OPERACYJNY DO
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych
ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI TRANZYSTOR UNIPOLARNY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 7 TRANZYSTOR UNIPOLARNY DO
Bardziej szczegółowoRezonans szeregowy (E 4)
POLITECHNIKA LSKA WYDZIAŁINYNIERII RODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTT MASZYN I RZDZE ENERGETYCZNYCH Rezonans szeregowy (E 4) Opracował: mgr in. Janusz MDRYCH Zatwierdził: W.O. . Cel wiczenia. Celem wiczenia
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h)
ĆWCZENE LORTORYJNE TEMT: znaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h) 1. WPROWDZENE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawoch
Bardziej szczegółowoZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY RE. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych tranzystora. - Wyznaczenie podstawowych parametrów tranzystora
Bardziej szczegółowo4. Schemat układu pomiarowego do badania przetwornika
1 1. Projekt realizacji prac związanych z uruchomieniem i badaniem przetwornika napięcie/częstotliwość z układem AD654 2. Założenia do opracowania projektu a) Dane techniczne układu - Napięcie zasilające
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6
Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7
Bardziej szczegółowoDIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych
WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Katedra Inżynierii Systemów, Sygnałów i Elektroniki LABORATORIUM Technika Cyfrowa Badanie Bramek Logicznych Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka 1 BADANIE FUNKCJI LOGICZNYCH 1.1 Korzystając
Bardziej szczegółowoBadanie wzmacniacza niskiej częstotliwości
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 9 Pracownia Elektroniki Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: klasyfikacje
Bardziej szczegółowoBierne układy różniczkujące i całkujące typu RC
Instytut Fizyki ul. Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 6 Pracownia Elektroniki. Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC........ (Oprac. dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia:
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoDyskretyzacja sygnałów cigłych.
POLITECHNIKA LSKA WYDZIAŁ INYNIERII RODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZDZE ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM METROLOGII Dyskretyzacja sygnałów cigłych. (M 15) www.imiue.polsl.pl/~wwwzmiape Opracował:
Bardziej szczegółowoELEMENTY REGULATORÓW ELEKTRYCZNYCH (A 4)
ELEMENTY REGULATORÓW ELEKTRYCZNYCH (A 4) 1. Cel wiczenia. Celem wiczenia jest poznanie budowy i działania elementów regulatorów elektrycznych. W trakcie wiczenia zdejmowane s charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoSprzęt i architektura komputerów
Krzysztof Makles Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat: Elementy i układy półprzewodnikowe Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Zakład Systemów i Sieci Komputerowych SPIS TREŚCI
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia Poznanie konfiguracji zasady pracy wzmacniacza w układzie OE. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OE. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Parametry czwórnikowe tranzystorów bipolarnych. Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z parametrami czwórnikowymi tranzystora bipolarnego (admitancyjnymi [y],
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 1.2 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 5 Temat: STABILIZATORY NAPIĘCIA Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Cel ćwiczenia
Bardziej szczegółowoE104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów
E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów
Bardziej szczegółowo1 Ćwiczenia wprowadzające
1 W celu prawidłowego wykonania ćwiczeń w tym punkcie należy posiłkować się wiadomościami umieszczonymi w instrukcji punkty 1.1.1. - 1.1.4. oraz 1.2.2. 1.1 Rezystory W tym ćwiczeniu należy odczytać wartość
Bardziej szczegółowoZastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza
Bardziej szczegółowoKomputerowa symulacja generatorów cyfrowych
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 28 Komputerowa symulacja
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoARKUSZ EGZAMINACYJNY ETAP PRAKTYCZNY EGZAMINU POTWIERDZAJ CEGO KWALIFIKACJE ZAWODOWE CZERWIEC 2014
Zawód: technik elektronik Symbol cyfrowy zawodu: 311[07] Numer zadania: 1 Arkusz zawiera informacje prawnie chronione do momentu rozpoczcia egzaminu 311[07]-01-142 Czas trwania egzaminu: 240 minut ARKUSZ
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów
ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR UNIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS RE. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z działaniem tranzystora unipolarnego MOS, - wykreślenie charakterystyk napięciowo-prądowych
Bardziej szczegółowo2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2010/2011 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II. stopnia (okręgowe) 1 Na rysunku przedstawiono przebieg prądu
Bardziej szczegółowoSystemy cyfrowe z podstawami elektroniki i miernictwa Wyższa Szkoła Zarządzania i Bankowości w Krakowie Informatyka II rok studia
Systemy cyfrowe z podstawami elektroniki i miernictwa Wyższa Szkoła Zarządzania i Bankowości w Krakowie Informatyka II rok studia Ćwiczenie nr 2: Bramka NAND. l. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoPolitechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost
Bardziej szczegółowoBadanie wzmacniacza operacyjnego
Badanie wzmacniacza operacyjnego CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i komparatorów oraz możliwości wykorzystania ich do realizacji bloków funkcjonalnych poprzez dobór
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz operacyjny
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz operacyjny Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych wzmacniaczy operacyjnych. 2. Układów pracy wzmacniacza
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowoBadanie diody półprzewodnikowej
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 2 Pracownia Elektroniki Badanie diody półprzewodnikowej Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: (Oprac dr Radosław Gąsowski) półprzewodniki samoistne
Bardziej szczegółowoĆwiczenie C2 Tranzystory. Wydział Fizyki UW
Wydział Fizyki UW Pracownia fizyczna i elektroniczna (w tym komputerowa) dla Inżynierii Nanostruktur (1100-1INZ27) oraz Energetyki i Chemii Jądrowej (1100-1ENPRFIZELEK2) Ćwiczenie C2 Tranzystory Streszczenie
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 3 TRANZYSTOR BIPOLARNY
Bardziej szczegółowo1.2 Funktory z otwartym kolektorem (O.C)
Wydział EAIiIB Laboratorium Katedra Metrologii i Elektroniki Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Ćw. 4. Funktory TTL cz.2 Data wykonania: Grupa (godz.): Dzień tygodnia:
Bardziej szczegółowo