wiczenie 1. Diody LED mocy Celem niniejszego wiczenia jest zbadanie wpływu warunków chłodzenia diody LED mocy na jej charakterystyki statyczne.
|
|
- Maria Marciniak
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Laboratorium z przedmiotu Półprzewodnikowe przyrzdy mocy dla semestru studiów inynierskich Elektronika i Telekomunikacja o specjalnoci Elektronika Morska wiczenie 1. Diody LED mocy Celem niniejszego wiczenia jest zbadanie wpływu warunków chłodzenia diody LED mocy na jej charakterystyki statyczne. 1. Zmierzy charakterystyki statyczne badanej diody LED mocy spolaryzowanej w kierunku przewodzenia. Dioda powinna by zasilana ze ródła mierzcego Keithley Badania naley przeprowadzi dla: Diody umieszczonej na płytce drukowanej (przełcznik na płycie czołowej ustawiony w pozycji D2) dla prdów diody z zakresu od 2 µa do 350 ma, Diody umieszczonej na radiatorze aluminiowym (przełcznik na płycie czołowej ustawiony w pozycji D1) dla prdów diody z zakresu od 2 µa do 1 A. Jednoczenie obu rozwaanych diod połczonych szeregowo (przełcznik na płycie czołowej ustawiony w pozycji D1+D2) dla prdów diody z zakresu od 2 µa do 350 ma. Regulacja wydajnoci ródła mierzcego Keithley 2410 odbywa si za pomoc przełczników umieszczonych na płycie czołowej tego ródła. W czasie regulacji wartoci prdu musi by odłczone wyjcie ródła mierzcego (wyłczona lampka ON/OFF). Przyciskiem Source naley wybra I, a nastpnie strzałkami ustawi podan warto prdu i wcisn przycisk Enter. Po włczeniu zaprogramowanego prdu (włczona lampka ON/OFF) przyciskami, I w sekcji Measure naley wybra pomiar napicia lub prdu diody. Oprócz napi i prdów diody naley równie rejestrowa wartoci temperatury jej obudowy T C wyznaczone za pomoc multimetru APPA 207 oraz wartoci natenia owietlenia E mierzone za pomoc luksomierza L-100. Pomiary naley wykonywa w stanie ustalonym, tzn. wtedy, gdy wartoci temperatury obudów wskazywane przez multimetry nie zmieni si bardziej ni o 0,5 K w cigu 1 minuty. 2. Zmierzy charakterystyki statyczne badanej diody LED mocy umieszczonej na radiatorze aluminiowym (przełcznik na płycie czołowej ustawiony w pozycji D1) spolaryzowanej w kierunku zaporowym. Dioda powinna by zasilana ze ródła mierzcego Keithley Badania naley przeprowadzi dla prdów diody z zakresu od 1 µa do 100 ma. Opracowanie wyników 1. Wykreli na wspólnym wykresie dla obu badanych diod zmierzone charakterystyki prdowonapiciowe, zalenoci temperatury obudowy diody od jej napicia przewodzenia oraz zalenoci natenia owietlenia od napicia przewodzenia odpowiadajce rozwaanym warunkom mocowania tych elementów. 2. Wykreli charakterystyki diody D1 spolaryzowanej zaporowo. Okreli warto napicia przebicia badanej diody. 3. Skomentowa uzyskane wyniki pomiarów. 4. Uwzgldniajc, e odległo diody od detektora luksomierza r wynosi 17 cm, wyznaczy wiatło diody I dla wszystkich zmierzonych punktów pracy. W obliczeniach naley wykorzysta wzór Lamberta-Beera dla punktowych ródeł wiatła, w których osi optycznej umieszczony jest detektor promieniowania, o postaci I E = 2 r Wykreli zalenoci I (i) dla diody zamocowanej na płytce drukowanej oraz na radiatorze. I Fmax BR P TOT(25 C) Optoplash OF-HPW5-3EL 0,8 A 5 3 W
2 wiczenie 2 Przełczniki elektroniczne 1. Zmierzy charakterystyki statyczne przełczników elektronicznych, o schematach pokazanych na rys.2.1. W układzie z rys.2.1 do zacisków B/G, C/D oraz E/S naley kolejno podłcza wyprowadzenia nastpujcych elementów: a. Tranzystor Darlingtona BD649 b. Tranzystor MOSFET IRF530, c. Tranzystor IGBT IRG4PC50FD. W celu wykonania pomiaru charakterystyk stycznych rozwaanego przełcznika naley: a) podłczy badany element do odpowiednich zacisków zestawu pomiarowego, b) ustawi na zewntrznym zasilaczu podłczonym do zacisków C napicie równe 10, c) regulujc wydajnoci zewntrznego zasilacza E G w zakresie od 0 do 10 wyznaczy zalenoci U CE (U B ) oraz I C (U B ). B/G C/D A R D E G E/S Rys Schemat układu do badania właciwoci statycznych przełczników elektronicznych 2. Zmierzy charakterystyki dynamiczne przełczników elektronicznych, o schematach pokazanych na rys.2.2. OX B/G C/D OY R C e(t) E/S Rys Schemat układu do badania właciwoci dynamicznych przełczników elektronicznych W układzie z rys.2.2 do zacisków B/G, C/D oraz E/S naley kolejno podłcza wyprowadzenia wszystkich rozwaanych elementów. Wartoci rezystancji rezystorów w układzie pomiarowym wynosz = 32,6 Ω oraz R C = 11,1 Ω. W celu wykonania pomiaru charakterystyk dynamicznych rozwaanego przełcznika naley: a) podłczy badany element do odpowiednich zacisków zestawu pomiarowego, b) odłczy zacisk + zasilacza E G od zestawu pomiarowego, c) ustawi na zewntrznym zasilaczu podłczonym do zacisków C napicie równe 10, d) podłczy wyjcie zewntrznego generatora sygnałowego do zestawu pomiarowego,
3 e) na zewntrznym generatorze sygnału prostoktnego e(t) ustawi czstotliwo sygnału wyjciowego równ 100 khz oraz poziomy napicia wyjciowego równe odpowiednio -10 oraz 10, e) naszkicowa przebiegi czasowe napi na zaciskach wejciowych i wyjciowych badanych tranzystorów 1. Narysowa zmierzone charakterystyki U CE (U B ) oraz I C (U B ) badanych elementów. 2. Wyznaczy wartoci czasów włczania t ON i wyłczania t OFF badanych elementów. 3. Skomentowa zaobserwowane rónice w przebiegu charakterystyk statycznych rozwaanych elementów oraz rónice w szybkoci przełczania tych elementów. U CEmax I Cmax P TOT(25 C) Tran. Darlingtona BD A 62,5 W IGBT IRG4PC50FD A 200 W U DSmax I Dmax P TOT(25 C) MOSFET IRF A 79 W wiczenie 3. Tranzystor IGBT 1. W układzie pokazanym na rysunku 3.1 zmierzy nastpujce charakterystyki statyczne i(u) tranzystora IGBT w zakresie (u CE 15, i C 2 A): a) charakterystyki przejciowe i C (u GE ) dla dwóch wartoci napicia kolektor-emiter: u CE1 = 2 oraz u CE2 = 6, b) charakterystyki wyjciowe i C (u CE ) dla trzech wartoci napicia bramka-emiter: u GE1 = 5,5 ; u GE2 = 6 ; u GE3 = 6,5, przy dodatnich wartoci napicia kolektor-emiter, c) charakterystyki wyjciowe i C (u CE ) dla dwóch wartoci napicia bramka-emiter u GE1 = 0; u GE2 = 6, przy ujemnych wartociach napicia kolektor-emiter. W celu wykonania tego pomiaru naley zmieni polaryzacj napicia z zasilacza obwodu kolektora. Rys.3.1. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych tranzystora IGBT 2. W układzie pokazanym na rysunku 3.2 zmierzy parametry dynamiczne tranzystora IGBT: a) wyznaczy czas włczania i wyłczania tranzystora przy pobudzeniu e(t) sygnałem prostoktnym o czstotliwoci f = 5 khz, dla prdów włczenia kolejno o wartociach: i C = 0,1 A, 0,5 A, 1 A, 2A,
4 OX T 1 OY R C e(t) Rys.3.2. Układ do pomiaru charakterystyk dynamicznych tranzystora IGBT b) odrysowa z oscyloskopu czasowe przebiegi napicia bramka-emiter oraz kolektoremiter przy amplitudzie napicia bramka emiter równej u GE1 = 5 oraz u GE2 = 7,5 oraz przy napiciu zasilania równym = Wykreli zmierzone w punkcie 1 charakterystyki statyczne badanego tranzystora. 2. Wyznaczy warto napicia progowego U p, jako warto napicia bramka-emiter, odpowiadajc prdowi kolektora równemu 10 µa przy napiciu U CE = Uzasadni przebieg zmierzonej charakterystyki wyjciowej i C (u CE ) badanego tranzystora dla ujemnych napi kolektor-emiter u CE < Wykreli zmierzon w punkcie 2a zaleno czasu włczania i wyłczania tranzystora od prdu kolektora w stanie włczenia. U CEmax I Cmax P TOT(25 C) IGBT IRG4PC40UD A 160 W wiczenie 4. Tyrystor 1. Zmierzy statyczne charakterystyki wyjciowe i A (u AK ) tyrystora w układzie z rys.4.1. przy nastpujcych wartociach prdu bramki: i G1 = 5 ma, i G2 = 10,6 ma, i G3 = 15 ma. Przed rozpoczciem pomiarów naley ustawi pokrtło ograniczenia prdowego w zasilaczu E A na minimum i w kolejnych punktach pomiarowych zwiksza warto dopuszczaln prdu i A tylko na tyle, by nie paliła si sygnalizacja ograniczania prdu wyjciowego tego zasilacza. W czasie pomiaru najpierw naley zwiksza warto napicia u AK a do uzyskania napicia u AK = 60 lub do uzyskania prdu i A = 2.5 A. Nastpnie naley zmniejsza warto napicia u AK do zera. W ten sposób uzyskana zastania charakterystyka tyrystora w zakresie blokowania i włczenia. 2. Wyznaczy czasowe przebiegi napi u AK oraz u GK tyrystora przy pracy dynamicznej. Odrysowa z oscyloskopu czasowe przebiegi napicia u AK (t) oraz u GK (t) w układzie do płynnej regulacji mocy, pokazanym na rys. 4.2., odpowiadajce dwom wartociom kta komutacji tyrystora, regulowanego pokrtłem na płycie czołowej zestawu pomiarowego, przy najwikszym i najmniejszym nateniu wiatła emitowanego przez arówk.
5 A T 1 E G E A Rys.4.1. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych tyrystora ~230 Tr T1 D1 RG P1 R1 C1 R2 R3 Q2 Q1 R4 Rys.4.2. Układ płynnej regulacji mocy 1. Wykreli zmierzone w punkcie 1 charakterystyki statyczne tyrystora. 2. Wyznaczy warto prdu podtrzymania tyrystora I L na podstawie uzyskanych w punkcie 1 charakterystyk statycznych. 3. Skomentowa zmierzone przebiegi napi u AK (t) oraz u GK (t). I T U DRM SCR C 50 A 100 Literatura pomocnicza [1] Tietze U., Schenk Ch.: Układy półprzewodnikowe. WNT, Warszawa, [2] Borkowski A.: Zasilanie urzdze elektronicznych. WKiŁ, Warszawa, [3] Napieralski A., Napieralska M.: Polowe półprzewodnikowe przyrzdy duej mocy. WNT, Warszawa, [4] Stepowicz W.J., Zarbski J.: Laboratorium z elementów elektronicznych. Wydawnictwo WSM w Gdyni, Gdynia 1989 (wydanie 1), 1994 (wydanie 2). [5] Marciniak W.: Przyrzdy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa, [6] Kołodziejski J., Spiralski L., Stolarski E.: Pomiary przyrzdów półprzewodnikowych. WKiŁ, Warszawa [7] Górecki K.: Układy przetwarzania energii elektrycznej w elektronice. Podrcznik dla studium podyplomowego Elektroniczne elementy i układy mocy, Wydawnictwo Tekst, Bydgoszcz, [8] Zarbski J.: Półprzewodnikowe elementy mocy. Wydawnictwo Tekst, Bydgoszcz, 2009.
wiczenie 1. Przetwornice dławikowe
Laboratorium z przedmiotu Półprzewodnikowe przyrzdy mocy dla VI semestru studiów inynierskich Elektronika i Telekomunikacja o specjalnoci Elektronika Morska wiczenie 1. Przetwornice dławikowe Zadania do
Bardziej szczegółowoZasilanie urzdze elektronicznych laboratorium IV rok Elektronika Morska
Zasilanie urzdze elektronicznych laboratorium IV rok Elektronika Morska wiczenie 1. Wyznaczanie charakterystyk dławikowej przetwornicy buck przy wykorzystaniu analizy stanów przejciowych Celem niniejszego
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoDIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Bardziej szczegółowoLaboratorium elektryczne. Falowniki i przekształtniki - I (E 14)
POLITECHNIKA LSKA WYDZIAŁINYNIERII RODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZDZE ENERGETYCZNYCH Laboratorium elektryczne Falowniki i przekształtniki - I (E 14) Opracował: mgr in. Janusz MDRYCH Zatwierdził:
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoLaboratorium z przedmiotu Modelowanie dla I roku MSU o specjalnoci sieci teleinformatyczne
Laboratorium z przedmiotu Modelowanie dla I roku MSU o specjalnoci sieci teleinformatyczne wiczenie1. Modelowanie diod półprzewodnikowych w programie SPICE W programie SPICE wbudowane s modele wielu elementów
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJE LABORATORYJNE Z PODSTAW MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz
INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z PODSTAW MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz Gdynia 2005 wiczenie 1. Mierniki magnetoelektryczne Celem wiczenia jest zapoznanie studentów z zasad
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoRezonans szeregowy (E 4)
POLITECHNIKA LSKA WYDZIAŁINYNIERII RODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTT MASZYN I RZDZE ENERGETYCZNYCH Rezonans szeregowy (E 4) Opracował: mgr in. Janusz MDRYCH Zatwierdził: W.O. . Cel wiczenia. Celem wiczenia
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJE DO LABORATORIUM Z ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz, Janusz Zarbski
INSTRUKCJ DO LABORATORIUM Z LMNTÓW PÓŁPRZWODNIKOWYCH Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz, Janusz Zarbski Gdynia 2002 RGULAMIN Przed przystpieniem do wykonania wiczenia naley przygotowa si do niego w
Bardziej szczegółowoBadanie tranzystorów MOSFET
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 7045 Szczecin Pracownia Elektroniki Badanie tranzystorów MOSFET Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: budowa i zasada działania tranzystora MOSFET; charakterystyki
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS RE. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z działaniem tranzystora unipolarnego MOS, - wykreślenie charakterystyk napięciowo-prądowych
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz tranzystorowy
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz
INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz Gdynia 05 wiczenie. Mierniki magnetoelektryczne Celem wiczenia jest zapoznanie studentów z zasad działania miernika
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz
INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz Gdynia 2015 wiczenie 1. Mierniki magnetoelektryczne Celem wiczenia jest zapoznanie studentów z zasad działania
Bardziej szczegółowoE104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów
E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów
Bardziej szczegółowoDyskretyzacja sygnałów cigłych.
POLITECHNIKA LSKA WYDZIAŁ INYNIERII RODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZDZE ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM METROLOGII Dyskretyzacja sygnałów cigłych. (M 15) www.imiue.polsl.pl/~wwwzmiape Opracował:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED
Ćwiczenie. Parametry statyczne diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi właściwościami i charakterystykami diod LED. Poznanie ograniczeń i sposobu zasilania tego typu
Bardziej szczegółowoZastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest
Bardziej szczegółowoStabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723
LABORATORIUM Stabilizacja napięcia Prostowanie i Filtracja Zasilania Stabilizator scalony µa723 Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania: - Układy prostowników półokresowych i pełnookresowych. - Filtracja
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY RE. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych tranzystora. - Wyznaczenie podstawowych parametrów tranzystora
Bardziej szczegółowo1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS
1 Tranzystor MOS Podczas bierzącego ćwiczenia omówiony zostanie sposób działania tranzystora polowego nmos, zbadane zostaną podstawowe charakterystyki tranzystora, oraz szybkość jego działania. Przed przystąpieniem
Bardziej szczegółowoBogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego
LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory sygnału prostokątnego Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Zasada działania, schemat i zastosowania tranzystorowego multiwibratora
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz
INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz Gdynia 0 wiczenie. Mierniki magnetoelektryczne Celem wiczenia jest zapoznanie studentów z zasad działania miernika
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED)
Temat ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED) - - ` Symbol studiów (np. PK10): data wykonania ćwiczenia - godzina wykonania ćwiczenia. Nazwisko i imię*: 1 Pluton/Grupa
Bardziej szczegółowoUKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z jednym
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów przełączających. Cel ćwiczenia : Poznanie właściwości elektrycznych tranzystorów bipolarnych
Bardziej szczegółowoZasilanie urzdze elektronicznych laboratorium VII semestr Elektronika Morska
Zasilanie urzdze elektronicznych laboratorium VII semestr Elektronika Morska wiczenie 1. Wyznaczanie charakterystyk dławikowej przetwornicy buck przy wykorzystaniu analizy stanów przejciowych Celem niniejszego
Bardziej szczegółowoRys1 Rys 2 1. metoda analityczna. Rys 3 Oznaczamy prdy i spadki napi jak na powyszym rysunku. Moemy zapisa: (dla wzłów A i B)
Zadanie Obliczy warto prdu I oraz napicie U na rezystancji nieliniowej R(I), której charakterystyka napiciowo-prdowa jest wyraona wzorem a) U=0.5I. Dane: E=0V R =Ω R =Ω Rys Rys. metoda analityczna Rys
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady
Bardziej szczegółowoRys1. Schemat blokowy uk adu. Napi cie wyj ciowe czujnika [mv]
Wstp Po zapoznaniu si z wynikami bada czujnika piezoelektrycznego, ramach projektu zaprojektowano i zasymulowano nastpujce ukady: - ródo prdowe stabilizowane o wydajnoci prdowej ma (do zasilania czujnika);
Bardziej szczegółowoELEMENTY REGULATORÓW ELEKTRYCZNYCH (A 4)
ELEMENTY REGULATORÓW ELEKTRYCZNYCH (A 4) 1. Cel wiczenia. Celem wiczenia jest poznanie budowy i działania elementów regulatorów elektrycznych. W trakcie wiczenia zdejmowane s charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoTranzystory w pracy impulsowej
Tranzystory w pracy impulsowej. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości impulsowych tranzystorów. Wyniki pomiarów parametrów impulsowych tranzystora będą porównane z parametrami obliczonymi.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra utomatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIK ENS1C300 022 WYBRNE ZSTOSOWNI DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BIŁYSTOK
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowo3. Funktory CMOS cz.1
3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoLiniowe stabilizatory napięcia
. Cel ćwiczenia. Liniowe stabilizatory napięcia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości stabilizatora napięcia zbudowanego na popularnym układzie scalonym. Zakres ćwiczenia obejmuje projektowanie
Bardziej szczegółowoZworka amp. C 1 470uF. C2 100pF. Masa. R pom Rysunek 1. Schemat połączenia diod LED. Rysunek 2. Widok płytki drukowanej z diodami LED.
Ćwiczenie. Parametry dynamiczne detektorów i diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi parametrami dynamicznymi diod LED oraz detektorów. Poznanie możliwych do uzyskania
Bardziej szczegółowoMULTIMETR CYFROWY UT 20 B INSTRUKCJA OBSŁUGI
MULTIMETR CYFROWY UT 20 B INSTRUKCJA OBSŁUGI Instrukcja obsługi dostarcza informacji dotyczcych parametrów technicznych, sposobu uytkowania oraz bezpieczestwa pracy. Strona 1 1.Wprowadzenie: Miernik UT20B
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.
ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ
Bardziej szczegółowoBadanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie
LABORATORIUM ZASILANIE URZĄDZEŃ ELETRONICZNYCH Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie Opracował: Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Budowa, parametry i zasada działania
Bardziej szczegółowoBadanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II
1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 18 BADANIE UKŁADÓW CZASOWYCH A. Cel ćwiczenia. - Zapoznanie z działaniem i przeznaczeniem przerzutników
Bardziej szczegółowo1 Ćwiczenia wprowadzające
1 W celu prawidłowego wykonania ćwiczeń w tym punkcie należy posiłkować się wiadomościami umieszczonymi w instrukcji punkty 1.1.1. - 1.1.4. oraz 1.2.2. 1.1 Rezystory W tym ćwiczeniu należy odczytać wartość
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW
POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW Pracownia Układów Elektronicznych i Przetwarzania ELEKTRONICZNE SYSTEMY POMIAROWE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 2 DIODY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Parametry czwórnikowe tranzystorów bipolarnych. Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z parametrami czwórnikowymi tranzystora bipolarnego (admitancyjnymi [y],
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 5 Temat: STABILIZATORY NAPIĘCIA Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Cel ćwiczenia
Bardziej szczegółowoBadanie wzmacniacza niskiej częstotliwości
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 9 Pracownia Elektroniki Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: klasyfikacje
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A
Instrkcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A Temat: Pomiar rezystancji dynamicznej wybranych diod Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie metod wyznaczania oraz pomiar rezystancji dynamicznej (róŝniczkowej)
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH. Ćwiczenie nr 6 TYRYSTOR
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 6 TYRYSTOR Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego adanie parametrów statycznych i dynamicznych ramek Logicznych Opracował: mgr inż. ndrzej iedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Parametry statyczne bramek logicznych
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 1.2 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoARKUSZ EGZAMINACYJNY ETAP PRAKTYCZNY EGZAMINU POTWIERDZAJ CEGO KWALIFIKACJE ZAWODOWE CZERWIEC 2014
Zawód: technik elektronik Symbol cyfrowy zawodu: 311[07] Numer zadania: 1 Arkusz zawiera informacje prawnie chronione do momentu rozpoczcia egzaminu 311[07]-01-142 Czas trwania egzaminu: 240 minut ARKUSZ
Bardziej szczegółowoI Powiatowy Konkurs Matematyka, Fizyka i Informatyka w Technice Etap finałowy 10 kwietnia 2013 grupa elektryczno-elektroniczna
I Powiatowy Konkurs Matematyka, Fizyka i Informatyka w Technice Etap finałowy 10 kwietnia 2013 grupa elektryczno-elektroniczna (imi i nazwisko uczestnika) (nazwa szkoły) Arkusz zawiera 6 zada. Zadania
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych
Ćw. 4. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki LABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych Pomiary częstotliwościowe detektorów opis ćwiczenia Opracował zespół: pod kierunkiem Damiana Radziewicza
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych
Bardziej szczegółowodr IRENEUSZ STEFANIUK
dr IRENEUSZ STEFANIUK E-mail istef@univ.rzeszow.pl Wykonywanie wicze w laboratorium wie si z koniecznoci pracy z urzdzeniami elektrycznymi, laserami oraz specjalistycznymi urzdzeniami pomiarowymi. Pomimo,
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJA OBSŁUGI. MINI MULTIMETR CYFROWY M M
INSTRUKCJA OBSŁUGI MINI MULTIMETR CYFROWY M - 838 M - 838+ www.atel.com.pl/produkt.php?hash=02915! 1 2 I. WPROWADZENIE Przed przystąpieniem do normalnej eksploatacji miernika, prosimy zapoznać się z możliwościami
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów tranzystorów MOS oraz
Bardziej szczegółowo2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.
1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.
Bardziej szczegółowoPodstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:
Wydział EAIiIB Katedra Laboratorium Metrologii i Elektroniki Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Ćw. 5. Funktory CMOS cz.1 Data wykonania: Grupa (godz.): Dzień tygodnia:
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk
Bardziej szczegółowoLaboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016)
Laboratorium elektroniki Ćwiczenie E14IS Elementy logiczne Wersja 1.0 (29 lutego 2016) Spis treści: 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Zagrożenia... 3 3. Wprowadzenie... 3 4. Dostępna aparatura... 5 4.1. Moduł doświadczalny...
Bardziej szczegółowoScalony stabilizator napięcia typu 723
LABORATORIM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część II Zabezpieczenia przeciążeniowe stabilizatorów napięcia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. dzaje zabezpieczeń
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TYRYSTOR I TRIAK
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 4 TYRYSTOR I TRIAK
Bardziej szczegółowoNIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY
Temat: Własności diody p-n Cel ćwiczenia Ćwiczenie 30 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p-n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych
WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Katedra Inżynierii Systemów, Sygnałów i Elektroniki LABORATORIUM Technika Cyfrowa Badanie Bramek Logicznych Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka 1 BADANIE FUNKCJI LOGICZNYCH 1.1 Korzystając
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TYRYSTOR I TRIAK
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 4 TYRYSTOR I TRIAK
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoScalony stabilizator napięcia typu 723
LBORTORIUM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część I Układy sprzężeń zwrotnych i źródeł napięcia odniesienia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Znajomość schematów,
Bardziej szczegółowoSprzęt i architektura komputerów
Krzysztof Makles Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat: Elementy i układy półprzewodnikowe Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Zakład Systemów i Sieci Komputerowych SPIS TREŚCI
Bardziej szczegółowo