wiczenie 1. Diody LED mocy Celem niniejszego wiczenia jest zbadanie wpływu warunków chłodzenia diody LED mocy na jej charakterystyki statyczne.

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "wiczenie 1. Diody LED mocy Celem niniejszego wiczenia jest zbadanie wpływu warunków chłodzenia diody LED mocy na jej charakterystyki statyczne."

Transkrypt

1 Laboratorium z przedmiotu Półprzewodnikowe przyrzdy mocy dla semestru studiów inynierskich Elektronika i Telekomunikacja o specjalnoci Elektronika Morska wiczenie 1. Diody LED mocy Celem niniejszego wiczenia jest zbadanie wpływu warunków chłodzenia diody LED mocy na jej charakterystyki statyczne. 1. Zmierzy charakterystyki statyczne badanej diody LED mocy spolaryzowanej w kierunku przewodzenia. Dioda powinna by zasilana ze ródła mierzcego Keithley Badania naley przeprowadzi dla: Diody umieszczonej na płytce drukowanej (przełcznik na płycie czołowej ustawiony w pozycji D2) dla prdów diody z zakresu od 2 µa do 350 ma, Diody umieszczonej na radiatorze aluminiowym (przełcznik na płycie czołowej ustawiony w pozycji D1) dla prdów diody z zakresu od 2 µa do 1 A. Jednoczenie obu rozwaanych diod połczonych szeregowo (przełcznik na płycie czołowej ustawiony w pozycji D1+D2) dla prdów diody z zakresu od 2 µa do 350 ma. Regulacja wydajnoci ródła mierzcego Keithley 2410 odbywa si za pomoc przełczników umieszczonych na płycie czołowej tego ródła. W czasie regulacji wartoci prdu musi by odłczone wyjcie ródła mierzcego (wyłczona lampka ON/OFF). Przyciskiem Source naley wybra I, a nastpnie strzałkami ustawi podan warto prdu i wcisn przycisk Enter. Po włczeniu zaprogramowanego prdu (włczona lampka ON/OFF) przyciskami, I w sekcji Measure naley wybra pomiar napicia lub prdu diody. Oprócz napi i prdów diody naley równie rejestrowa wartoci temperatury jej obudowy T C wyznaczone za pomoc multimetru APPA 207 oraz wartoci natenia owietlenia E mierzone za pomoc luksomierza L-100. Pomiary naley wykonywa w stanie ustalonym, tzn. wtedy, gdy wartoci temperatury obudów wskazywane przez multimetry nie zmieni si bardziej ni o 0,5 K w cigu 1 minuty. 2. Zmierzy charakterystyki statyczne badanej diody LED mocy umieszczonej na radiatorze aluminiowym (przełcznik na płycie czołowej ustawiony w pozycji D1) spolaryzowanej w kierunku zaporowym. Dioda powinna by zasilana ze ródła mierzcego Keithley Badania naley przeprowadzi dla prdów diody z zakresu od 1 µa do 100 ma. Opracowanie wyników 1. Wykreli na wspólnym wykresie dla obu badanych diod zmierzone charakterystyki prdowonapiciowe, zalenoci temperatury obudowy diody od jej napicia przewodzenia oraz zalenoci natenia owietlenia od napicia przewodzenia odpowiadajce rozwaanym warunkom mocowania tych elementów. 2. Wykreli charakterystyki diody D1 spolaryzowanej zaporowo. Okreli warto napicia przebicia badanej diody. 3. Skomentowa uzyskane wyniki pomiarów. 4. Uwzgldniajc, e odległo diody od detektora luksomierza r wynosi 17 cm, wyznaczy wiatło diody I dla wszystkich zmierzonych punktów pracy. W obliczeniach naley wykorzysta wzór Lamberta-Beera dla punktowych ródeł wiatła, w których osi optycznej umieszczony jest detektor promieniowania, o postaci I E = 2 r Wykreli zalenoci I (i) dla diody zamocowanej na płytce drukowanej oraz na radiatorze. I Fmax BR P TOT(25 C) Optoplash OF-HPW5-3EL 0,8 A 5 3 W

2 wiczenie 2 Przełczniki elektroniczne 1. Zmierzy charakterystyki statyczne przełczników elektronicznych, o schematach pokazanych na rys.2.1. W układzie z rys.2.1 do zacisków B/G, C/D oraz E/S naley kolejno podłcza wyprowadzenia nastpujcych elementów: a. Tranzystor Darlingtona BD649 b. Tranzystor MOSFET IRF530, c. Tranzystor IGBT IRG4PC50FD. W celu wykonania pomiaru charakterystyk stycznych rozwaanego przełcznika naley: a) podłczy badany element do odpowiednich zacisków zestawu pomiarowego, b) ustawi na zewntrznym zasilaczu podłczonym do zacisków C napicie równe 10, c) regulujc wydajnoci zewntrznego zasilacza E G w zakresie od 0 do 10 wyznaczy zalenoci U CE (U B ) oraz I C (U B ). B/G C/D A R D E G E/S Rys Schemat układu do badania właciwoci statycznych przełczników elektronicznych 2. Zmierzy charakterystyki dynamiczne przełczników elektronicznych, o schematach pokazanych na rys.2.2. OX B/G C/D OY R C e(t) E/S Rys Schemat układu do badania właciwoci dynamicznych przełczników elektronicznych W układzie z rys.2.2 do zacisków B/G, C/D oraz E/S naley kolejno podłcza wyprowadzenia wszystkich rozwaanych elementów. Wartoci rezystancji rezystorów w układzie pomiarowym wynosz = 32,6 Ω oraz R C = 11,1 Ω. W celu wykonania pomiaru charakterystyk dynamicznych rozwaanego przełcznika naley: a) podłczy badany element do odpowiednich zacisków zestawu pomiarowego, b) odłczy zacisk + zasilacza E G od zestawu pomiarowego, c) ustawi na zewntrznym zasilaczu podłczonym do zacisków C napicie równe 10, d) podłczy wyjcie zewntrznego generatora sygnałowego do zestawu pomiarowego,

3 e) na zewntrznym generatorze sygnału prostoktnego e(t) ustawi czstotliwo sygnału wyjciowego równ 100 khz oraz poziomy napicia wyjciowego równe odpowiednio -10 oraz 10, e) naszkicowa przebiegi czasowe napi na zaciskach wejciowych i wyjciowych badanych tranzystorów 1. Narysowa zmierzone charakterystyki U CE (U B ) oraz I C (U B ) badanych elementów. 2. Wyznaczy wartoci czasów włczania t ON i wyłczania t OFF badanych elementów. 3. Skomentowa zaobserwowane rónice w przebiegu charakterystyk statycznych rozwaanych elementów oraz rónice w szybkoci przełczania tych elementów. U CEmax I Cmax P TOT(25 C) Tran. Darlingtona BD A 62,5 W IGBT IRG4PC50FD A 200 W U DSmax I Dmax P TOT(25 C) MOSFET IRF A 79 W wiczenie 3. Tranzystor IGBT 1. W układzie pokazanym na rysunku 3.1 zmierzy nastpujce charakterystyki statyczne i(u) tranzystora IGBT w zakresie (u CE 15, i C 2 A): a) charakterystyki przejciowe i C (u GE ) dla dwóch wartoci napicia kolektor-emiter: u CE1 = 2 oraz u CE2 = 6, b) charakterystyki wyjciowe i C (u CE ) dla trzech wartoci napicia bramka-emiter: u GE1 = 5,5 ; u GE2 = 6 ; u GE3 = 6,5, przy dodatnich wartoci napicia kolektor-emiter, c) charakterystyki wyjciowe i C (u CE ) dla dwóch wartoci napicia bramka-emiter u GE1 = 0; u GE2 = 6, przy ujemnych wartociach napicia kolektor-emiter. W celu wykonania tego pomiaru naley zmieni polaryzacj napicia z zasilacza obwodu kolektora. Rys.3.1. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych tranzystora IGBT 2. W układzie pokazanym na rysunku 3.2 zmierzy parametry dynamiczne tranzystora IGBT: a) wyznaczy czas włczania i wyłczania tranzystora przy pobudzeniu e(t) sygnałem prostoktnym o czstotliwoci f = 5 khz, dla prdów włczenia kolejno o wartociach: i C = 0,1 A, 0,5 A, 1 A, 2A,

4 OX T 1 OY R C e(t) Rys.3.2. Układ do pomiaru charakterystyk dynamicznych tranzystora IGBT b) odrysowa z oscyloskopu czasowe przebiegi napicia bramka-emiter oraz kolektoremiter przy amplitudzie napicia bramka emiter równej u GE1 = 5 oraz u GE2 = 7,5 oraz przy napiciu zasilania równym = Wykreli zmierzone w punkcie 1 charakterystyki statyczne badanego tranzystora. 2. Wyznaczy warto napicia progowego U p, jako warto napicia bramka-emiter, odpowiadajc prdowi kolektora równemu 10 µa przy napiciu U CE = Uzasadni przebieg zmierzonej charakterystyki wyjciowej i C (u CE ) badanego tranzystora dla ujemnych napi kolektor-emiter u CE < Wykreli zmierzon w punkcie 2a zaleno czasu włczania i wyłczania tranzystora od prdu kolektora w stanie włczenia. U CEmax I Cmax P TOT(25 C) IGBT IRG4PC40UD A 160 W wiczenie 4. Tyrystor 1. Zmierzy statyczne charakterystyki wyjciowe i A (u AK ) tyrystora w układzie z rys.4.1. przy nastpujcych wartociach prdu bramki: i G1 = 5 ma, i G2 = 10,6 ma, i G3 = 15 ma. Przed rozpoczciem pomiarów naley ustawi pokrtło ograniczenia prdowego w zasilaczu E A na minimum i w kolejnych punktach pomiarowych zwiksza warto dopuszczaln prdu i A tylko na tyle, by nie paliła si sygnalizacja ograniczania prdu wyjciowego tego zasilacza. W czasie pomiaru najpierw naley zwiksza warto napicia u AK a do uzyskania napicia u AK = 60 lub do uzyskania prdu i A = 2.5 A. Nastpnie naley zmniejsza warto napicia u AK do zera. W ten sposób uzyskana zastania charakterystyka tyrystora w zakresie blokowania i włczenia. 2. Wyznaczy czasowe przebiegi napi u AK oraz u GK tyrystora przy pracy dynamicznej. Odrysowa z oscyloskopu czasowe przebiegi napicia u AK (t) oraz u GK (t) w układzie do płynnej regulacji mocy, pokazanym na rys. 4.2., odpowiadajce dwom wartociom kta komutacji tyrystora, regulowanego pokrtłem na płycie czołowej zestawu pomiarowego, przy najwikszym i najmniejszym nateniu wiatła emitowanego przez arówk.

5 A T 1 E G E A Rys.4.1. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych tyrystora ~230 Tr T1 D1 RG P1 R1 C1 R2 R3 Q2 Q1 R4 Rys.4.2. Układ płynnej regulacji mocy 1. Wykreli zmierzone w punkcie 1 charakterystyki statyczne tyrystora. 2. Wyznaczy warto prdu podtrzymania tyrystora I L na podstawie uzyskanych w punkcie 1 charakterystyk statycznych. 3. Skomentowa zmierzone przebiegi napi u AK (t) oraz u GK (t). I T U DRM SCR C 50 A 100 Literatura pomocnicza [1] Tietze U., Schenk Ch.: Układy półprzewodnikowe. WNT, Warszawa, [2] Borkowski A.: Zasilanie urzdze elektronicznych. WKiŁ, Warszawa, [3] Napieralski A., Napieralska M.: Polowe półprzewodnikowe przyrzdy duej mocy. WNT, Warszawa, [4] Stepowicz W.J., Zarbski J.: Laboratorium z elementów elektronicznych. Wydawnictwo WSM w Gdyni, Gdynia 1989 (wydanie 1), 1994 (wydanie 2). [5] Marciniak W.: Przyrzdy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa, [6] Kołodziejski J., Spiralski L., Stolarski E.: Pomiary przyrzdów półprzewodnikowych. WKiŁ, Warszawa [7] Górecki K.: Układy przetwarzania energii elektrycznej w elektronice. Podrcznik dla studium podyplomowego Elektroniczne elementy i układy mocy, Wydawnictwo Tekst, Bydgoszcz, [8] Zarbski J.: Półprzewodnikowe elementy mocy. Wydawnictwo Tekst, Bydgoszcz, 2009.

wiczenie 1. Przetwornice dławikowe

wiczenie 1. Przetwornice dławikowe Laboratorium z przedmiotu Półprzewodnikowe przyrzdy mocy dla VI semestru studiów inynierskich Elektronika i Telekomunikacja o specjalnoci Elektronika Morska wiczenie 1. Przetwornice dławikowe Zadania do

Bardziej szczegółowo

Zasilanie urzdze elektronicznych laboratorium IV rok Elektronika Morska

Zasilanie urzdze elektronicznych laboratorium IV rok Elektronika Morska Zasilanie urzdze elektronicznych laboratorium IV rok Elektronika Morska wiczenie 1. Wyznaczanie charakterystyk dławikowej przetwornicy buck przy wykorzystaniu analizy stanów przejciowych Celem niniejszego

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Laboratorium elektryczne. Falowniki i przekształtniki - I (E 14)

Laboratorium elektryczne. Falowniki i przekształtniki - I (E 14) POLITECHNIKA LSKA WYDZIAŁINYNIERII RODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZDZE ENERGETYCZNYCH Laboratorium elektryczne Falowniki i przekształtniki - I (E 14) Opracował: mgr in. Janusz MDRYCH Zatwierdził:

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Laboratorium z przedmiotu Modelowanie dla I roku MSU o specjalnoci sieci teleinformatyczne

Laboratorium z przedmiotu Modelowanie dla I roku MSU o specjalnoci sieci teleinformatyczne Laboratorium z przedmiotu Modelowanie dla I roku MSU o specjalnoci sieci teleinformatyczne wiczenie1. Modelowanie diod półprzewodnikowych w programie SPICE W programie SPICE wbudowane s modele wielu elementów

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z PODSTAW MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz

INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z PODSTAW MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z PODSTAW MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz Gdynia 2005 wiczenie 1. Mierniki magnetoelektryczne Celem wiczenia jest zapoznanie studentów z zasad

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Rezonans szeregowy (E 4)

Rezonans szeregowy (E 4) POLITECHNIKA LSKA WYDZIAŁINYNIERII RODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTT MASZYN I RZDZE ENERGETYCZNYCH Rezonans szeregowy (E 4) Opracował: mgr in. Janusz MDRYCH Zatwierdził: W.O. . Cel wiczenia. Celem wiczenia

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJE DO LABORATORIUM Z ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz, Janusz Zarbski

INSTRUKCJE DO LABORATORIUM Z ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz, Janusz Zarbski INSTRUKCJ DO LABORATORIUM Z LMNTÓW PÓŁPRZWODNIKOWYCH Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz, Janusz Zarbski Gdynia 2002 RGULAMIN Przed przystpieniem do wykonania wiczenia naley przygotowa si do niego w

Bardziej szczegółowo

Badanie tranzystorów MOSFET

Badanie tranzystorów MOSFET Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 7045 Szczecin Pracownia Elektroniki Badanie tranzystorów MOSFET Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: budowa i zasada działania tranzystora MOSFET; charakterystyki

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS RE. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z działaniem tranzystora unipolarnego MOS, - wykreślenie charakterystyk napięciowo-prądowych

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz

INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz Gdynia 05 wiczenie. Mierniki magnetoelektryczne Celem wiczenia jest zapoznanie studentów z zasad działania miernika

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz

INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz Gdynia 2015 wiczenie 1. Mierniki magnetoelektryczne Celem wiczenia jest zapoznanie studentów z zasad działania

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

Dyskretyzacja sygnałów cigłych.

Dyskretyzacja sygnałów cigłych. POLITECHNIKA LSKA WYDZIAŁ INYNIERII RODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZDZE ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM METROLOGII Dyskretyzacja sygnałów cigłych. (M 15) www.imiue.polsl.pl/~wwwzmiape Opracował:

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED Ćwiczenie. Parametry statyczne diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi właściwościami i charakterystykami diod LED. Poznanie ograniczeń i sposobu zasilania tego typu

Bardziej szczegółowo

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

Stabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723

Stabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723 LABORATORIUM Stabilizacja napięcia Prostowanie i Filtracja Zasilania Stabilizator scalony µa723 Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania: - Układy prostowników półokresowych i pełnookresowych. - Filtracja

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY RE. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych tranzystora. - Wyznaczenie podstawowych parametrów tranzystora

Bardziej szczegółowo

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS 1 Tranzystor MOS Podczas bierzącego ćwiczenia omówiony zostanie sposób działania tranzystora polowego nmos, zbadane zostaną podstawowe charakterystyki tranzystora, oraz szybkość jego działania. Przed przystąpieniem

Bardziej szczegółowo

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory sygnału prostokątnego Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Zasada działania, schemat i zastosowania tranzystorowego multiwibratora

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz

INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO. Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz INSTRUKCJE LABORATORYJNE Z MIERNICTWA ELEKTRONICZNEGO Krzysztof Górecki, Witold J. Stepowicz Gdynia 0 wiczenie. Mierniki magnetoelektryczne Celem wiczenia jest zapoznanie studentów z zasad działania miernika

Bardziej szczegółowo

Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED)

Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED) Temat ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED) - - ` Symbol studiów (np. PK10): data wykonania ćwiczenia - godzina wykonania ćwiczenia. Nazwisko i imię*: 1 Pluton/Grupa

Bardziej szczegółowo

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z jednym

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów przełączających. Cel ćwiczenia : Poznanie właściwości elektrycznych tranzystorów bipolarnych

Bardziej szczegółowo

Zasilanie urzdze elektronicznych laboratorium VII semestr Elektronika Morska

Zasilanie urzdze elektronicznych laboratorium VII semestr Elektronika Morska Zasilanie urzdze elektronicznych laboratorium VII semestr Elektronika Morska wiczenie 1. Wyznaczanie charakterystyk dławikowej przetwornicy buck przy wykorzystaniu analizy stanów przejciowych Celem niniejszego

Bardziej szczegółowo

Rys1 Rys 2 1. metoda analityczna. Rys 3 Oznaczamy prdy i spadki napi jak na powyszym rysunku. Moemy zapisa: (dla wzłów A i B)

Rys1 Rys 2 1. metoda analityczna. Rys 3 Oznaczamy prdy i spadki napi jak na powyszym rysunku. Moemy zapisa: (dla wzłów A i B) Zadanie Obliczy warto prdu I oraz napicie U na rezystancji nieliniowej R(I), której charakterystyka napiciowo-prdowa jest wyraona wzorem a) U=0.5I. Dane: E=0V R =Ω R =Ω Rys Rys. metoda analityczna Rys

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady

Bardziej szczegółowo

Rys1. Schemat blokowy uk adu. Napi cie wyj ciowe czujnika [mv]

Rys1. Schemat blokowy uk adu. Napi cie wyj ciowe czujnika [mv] Wstp Po zapoznaniu si z wynikami bada czujnika piezoelektrycznego, ramach projektu zaprojektowano i zasymulowano nastpujce ukady: - ródo prdowe stabilizowane o wydajnoci prdowej ma (do zasilania czujnika);

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY REGULATORÓW ELEKTRYCZNYCH (A 4)

ELEMENTY REGULATORÓW ELEKTRYCZNYCH (A 4) ELEMENTY REGULATORÓW ELEKTRYCZNYCH (A 4) 1. Cel wiczenia. Celem wiczenia jest poznanie budowy i działania elementów regulatorów elektrycznych. W trakcie wiczenia zdejmowane s charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Tranzystory w pracy impulsowej

Tranzystory w pracy impulsowej Tranzystory w pracy impulsowej. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości impulsowych tranzystorów. Wyniki pomiarów parametrów impulsowych tranzystora będą porównane z parametrami obliczonymi.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra utomatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIK ENS1C300 022 WYBRNE ZSTOSOWNI DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BIŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

3. Funktory CMOS cz.1

3. Funktory CMOS cz.1 3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Liniowe stabilizatory napięcia

Liniowe stabilizatory napięcia . Cel ćwiczenia. Liniowe stabilizatory napięcia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości stabilizatora napięcia zbudowanego na popularnym układzie scalonym. Zakres ćwiczenia obejmuje projektowanie

Bardziej szczegółowo

Zworka amp. C 1 470uF. C2 100pF. Masa. R pom Rysunek 1. Schemat połączenia diod LED. Rysunek 2. Widok płytki drukowanej z diodami LED.

Zworka amp. C 1 470uF. C2 100pF. Masa. R pom Rysunek 1. Schemat połączenia diod LED. Rysunek 2. Widok płytki drukowanej z diodami LED. Ćwiczenie. Parametry dynamiczne detektorów i diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi parametrami dynamicznymi diod LED oraz detektorów. Poznanie możliwych do uzyskania

Bardziej szczegółowo

MULTIMETR CYFROWY UT 20 B INSTRUKCJA OBSŁUGI

MULTIMETR CYFROWY UT 20 B INSTRUKCJA OBSŁUGI MULTIMETR CYFROWY UT 20 B INSTRUKCJA OBSŁUGI Instrukcja obsługi dostarcza informacji dotyczcych parametrów technicznych, sposobu uytkowania oraz bezpieczestwa pracy. Strona 1 1.Wprowadzenie: Miernik UT20B

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie

Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie LABORATORIUM ZASILANIE URZĄDZEŃ ELETRONICZNYCH Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie Opracował: Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Budowa, parametry i zasada działania

Bardziej szczegółowo

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II 1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 18 BADANIE UKŁADÓW CZASOWYCH A. Cel ćwiczenia. - Zapoznanie z działaniem i przeznaczeniem przerzutników

Bardziej szczegółowo

1 Ćwiczenia wprowadzające

1 Ćwiczenia wprowadzające 1 W celu prawidłowego wykonania ćwiczeń w tym punkcie należy posiłkować się wiadomościami umieszczonymi w instrukcji punkty 1.1.1. - 1.1.4. oraz 1.2.2. 1.1 Rezystory W tym ćwiczeniu należy odczytać wartość

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW

POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW Pracownia Układów Elektronicznych i Przetwarzania ELEKTRONICZNE SYSTEMY POMIAROWE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 2 DIODY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Parametry czwórnikowe tranzystorów bipolarnych. Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z parametrami czwórnikowymi tranzystora bipolarnego (admitancyjnymi [y],

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny

Uniwersytet Pedagogiczny Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 5 Temat: STABILIZATORY NAPIĘCIA Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Cel ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 9 Pracownia Elektroniki Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: klasyfikacje

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.

Bardziej szczegółowo

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A Instrkcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A Temat: Pomiar rezystancji dynamicznej wybranych diod Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie metod wyznaczania oraz pomiar rezystancji dynamicznej (róŝniczkowej)

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH. Ćwiczenie nr 6 TYRYSTOR

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH. Ćwiczenie nr 6 TYRYSTOR Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 6 TYRYSTOR Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego adanie parametrów statycznych i dynamicznych ramek Logicznych Opracował: mgr inż. ndrzej iedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Parametry statyczne bramek logicznych

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 1.2 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne

Bardziej szczegółowo

ARKUSZ EGZAMINACYJNY ETAP PRAKTYCZNY EGZAMINU POTWIERDZAJ CEGO KWALIFIKACJE ZAWODOWE CZERWIEC 2014

ARKUSZ EGZAMINACYJNY ETAP PRAKTYCZNY EGZAMINU POTWIERDZAJ CEGO KWALIFIKACJE ZAWODOWE CZERWIEC 2014 Zawód: technik elektronik Symbol cyfrowy zawodu: 311[07] Numer zadania: 1 Arkusz zawiera informacje prawnie chronione do momentu rozpoczcia egzaminu 311[07]-01-142 Czas trwania egzaminu: 240 minut ARKUSZ

Bardziej szczegółowo

I Powiatowy Konkurs Matematyka, Fizyka i Informatyka w Technice Etap finałowy 10 kwietnia 2013 grupa elektryczno-elektroniczna

I Powiatowy Konkurs Matematyka, Fizyka i Informatyka w Technice Etap finałowy 10 kwietnia 2013 grupa elektryczno-elektroniczna I Powiatowy Konkurs Matematyka, Fizyka i Informatyka w Technice Etap finałowy 10 kwietnia 2013 grupa elektryczno-elektroniczna (imi i nazwisko uczestnika) (nazwa szkoły) Arkusz zawiera 6 zada. Zadania

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych

LABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych Ćw. 4. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki LABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych Pomiary częstotliwościowe detektorów opis ćwiczenia Opracował zespół: pod kierunkiem Damiana Radziewicza

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych

Bardziej szczegółowo

dr IRENEUSZ STEFANIUK

dr IRENEUSZ STEFANIUK dr IRENEUSZ STEFANIUK E-mail istef@univ.rzeszow.pl Wykonywanie wicze w laboratorium wie si z koniecznoci pracy z urzdzeniami elektrycznymi, laserami oraz specjalistycznymi urzdzeniami pomiarowymi. Pomimo,

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA OBSŁUGI. MINI MULTIMETR CYFROWY M M

INSTRUKCJA OBSŁUGI. MINI MULTIMETR CYFROWY M M INSTRUKCJA OBSŁUGI MINI MULTIMETR CYFROWY M - 838 M - 838+ www.atel.com.pl/produkt.php?hash=02915! 1 2 I. WPROWADZENIE Przed przystąpieniem do normalnej eksploatacji miernika, prosimy zapoznać się z możliwościami

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów tranzystorów MOS oraz

Bardziej szczegółowo

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz. 1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.

Bardziej szczegółowo

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia: Wydział EAIiIB Katedra Laboratorium Metrologii i Elektroniki Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Ćw. 5. Funktory CMOS cz.1 Data wykonania: Grupa (godz.): Dzień tygodnia:

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016)

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016) Laboratorium elektroniki Ćwiczenie E14IS Elementy logiczne Wersja 1.0 (29 lutego 2016) Spis treści: 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Zagrożenia... 3 3. Wprowadzenie... 3 4. Dostępna aparatura... 5 4.1. Moduł doświadczalny...

Bardziej szczegółowo

Scalony stabilizator napięcia typu 723

Scalony stabilizator napięcia typu 723 LABORATORIM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część II Zabezpieczenia przeciążeniowe stabilizatorów napięcia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. dzaje zabezpieczeń

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TYRYSTOR I TRIAK

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TYRYSTOR I TRIAK ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 4 TYRYSTOR I TRIAK

Bardziej szczegółowo

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY Temat: Własności diody p-n Cel ćwiczenia Ćwiczenie 30 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p-n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych

LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Katedra Inżynierii Systemów, Sygnałów i Elektroniki LABORATORIUM Technika Cyfrowa Badanie Bramek Logicznych Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka 1 BADANIE FUNKCJI LOGICZNYCH 1.1 Korzystając

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TYRYSTOR I TRIAK

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TYRYSTOR I TRIAK ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 4 TYRYSTOR I TRIAK

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Scalony stabilizator napięcia typu 723

Scalony stabilizator napięcia typu 723 LBORTORIUM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część I Układy sprzężeń zwrotnych i źródeł napięcia odniesienia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Znajomość schematów,

Bardziej szczegółowo

Sprzęt i architektura komputerów

Sprzęt i architektura komputerów Krzysztof Makles Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat: Elementy i układy półprzewodnikowe Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Zakład Systemów i Sieci Komputerowych SPIS TREŚCI

Bardziej szczegółowo