Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET oraz badanie własności sterowanego dzielnika napięcia.

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET oraz badanie własności sterowanego dzielnika napięcia."

Transkrypt

1 WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET oraz badanie własności sterowanego dzielnika napięcia. WSTĘP TEORETYCZNY Tranzystory JFET są elementami półprzewodnikowymi, lecz różnią się od tranzystorów bipolarnych tym, że sterowane są polem elektrycznym. Działają na zasadzie sterowania przepływem ładunku. Są to elementy posiadające trzy końcówki, w których przewodzenie między poszczególnymi końcówkami zależy od liczby nośników znajdujących się pomiędzy nimi, a to natomiast zależy od napięcia przyłożonego na bazie tranzystora. Na schematach tranzystory JFET oznaczamy w taki sposób: gdzie D- to dren, G bramka, a S źródło. Dla tranzystora można wyznaczyć dwa rodzaje charakterystyk: przejściową Id = f( UGS) oraz wyjściową zależność Id = f( U), gdzie I d to prąd drenu, U GS napięcie na złączu bramka-źródło i U napięcie Tranzystor JFET Jacek Mostowicz, Jarosław Mróz 1

2 Dane technologiczne tranzystora 2N4416: U = 30V GD U = 30V UGS = 30V moc: P = 300mW prąd drenu: I ( U = 0 V, U = 15 V) = mA d GS prąd bramki: I ( U = 20 V, U = 0 V) = 0,1nA g GS napięcie odcięcia: U ( U = 15 V, I = 1 na) = ,5V P d transkonduktancja: gm MIN (400 MHz) = 4mA V Tranzystor JFET Jacek Mostowicz, Jarosław Mróz 2

3 OPRACOWANIE POMIARÓW 1.1 Zmierzono charakterystykę przejściową Id = f( UGS). Poniżej przedstawiono dane pomiarowe: I [ ] g ma U [ V] GS 12,700 0,00 11,600-0,21 10,960-0,38 10,050-0,60 9,160-0,81 8,370-1,00 7,550-1,20 6,760-1,40 5,980-1,60 5,180-1,81 4,480-2,00 3,840-2,20 3,160-2,40 2,550-2,60 1,960-2,80 1,420-3,00 0,920-3,20 0,540-3,40 0,240-3,60 0,060-3,80 0,006-4,00 0,000-4,10 W celu wyznaczenia maksymalnego nachylenia wykresu użyto siedmiu pierwszych pomiarów. Następnie skorzystano ze wzoru: g m1 ΔId 12, 7mA 7,55mA 5,15mA ma = = = = 4, 29 ΔU 0 V ( 1,2 V) 1,2V V GS Na poniższym wykresie przedstawiono zależność prądu drenu od napięcia panującego na złączu bramka-źródło. Zaznaczono na nim prostą regresji dla pierwszych siedmiu pomiarów. Jest ona opisana następującym przepisem: y = 4, 2269x+ 12,592 Nachylenie prostej regresji to wartość transkonduktancji, można więc zapisać: ma gm2 = 4, 23 V Można obliczyć względną różnicę otrzymanych wyników pochodzących z różnych metod. 4, 29 4, 23 Δ g m 1 = 0,01 = 1% 4, 29 Z powyższego wyniku można wyciągnąć wniosek, że rozbieżność wartości wyznaczonych dwiema metodami jest rzędu 1%. Tranzystor JFET Jacek Mostowicz, Jarosław Mróz 3

4 zależność Id=f(UGS) 16 Id [ma] 14 y = 4,2269x + 12, UGS [V] 0-5,0-4,0-3,0-2,0-1,0 0,0 1,0 wykres zależności prądu drenu w funkcji napięcia bramka-źródło Z powyższego wykresu można odczytać także wartość napięcia odcięcia ( I = 0A ): UP = 4,1V Z drugiej strony jeżeli chodzi o wyznaczenie prądu nasycenia ( U = 0V ) to: I d sat= 12,7mA GS d Tranzystor JFET Jacek Mostowicz, Jarosław Mróz 4

5 1.2 W tym podpunkcie wyznaczono charakterystykę wyjściową, czyli zależność Id = f( U). W tabeli znajdującej się poniżej zestawiono wyniki otrzymane w czasie pomiaru dla kilku wartość U GS. I [ ] g ma U [ ] V UGS = 0V UGS = 1V UGS = 1, 5V 0,0 0,00 0,00 0,00 0,2 0,75 0,32 0,07 0,4 1,44 0,56 0,09 0,6 2,04 0,71 0,10 0,8 2,56 0,80 0,10 1,0 2,98 0,84 0,10 1,2 3,32 0,87 0,11 1,4 3,60 0,90 0,11 1,6 3,79 0,91 0,11 1,8 3,92 0,92 0,11 2,0 4,00 0,93 0,11 2,2 4,08 0,94 0,12 2,4 4,13 0,95 0,12 2,6 4,17 0,95 0,12 2,8 4,20 0,96 0,12 3,0 4,22 0,96 0,12 3,2 4,24 0,97 0,12 3,4 4,25 0,97 0,12 3,6 4,27 0,98 0,12 3,8 4,28 0,98 0,12 4,0 4,28 0,98 0,12 4,2 4,29 0,98 0,12 4,4 4,30 0,98 0,12 4,6 4,30 0,98 0,12 4,8 4,30 0,98 0,12 5,0 4,31 0,98 0,12 Należało wyznaczyć napięcia kolana dla poszczególnych wartości skorzystano ze wzoru: UK = UGS UP U GS. W tym celu Dane zebrano w tabeli poniżej: U [ ] GS V UK[ V ] 0 4,1-1 3,1-1,5 2,6 Tranzystor JFET Jacek Mostowicz, Jarosław Mróz 5

6 Poniższy wykres ilustruje otrzymane wyniki. 5 Id [ma] zależność Id=f(U) ,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 U [V] Prąd drenu osiąga najwyższe wartości dla napięcia U = 0V, pośrodku dla napięcia U = 1V, a dla ostatniego U = 1, 5V. Tranzystor JFET Jacek Mostowicz, Jarosław Mróz 6

7 1.3 Charakterystyka przejściowa dla obu biegunów U poniżej.. Wyniki zebrano w tabeli I [ ] g ma U [ ] V UGS = 0V UGS = 1V UGS = 1, 5V -1,0-5,79-2,90-1,86-0,9-4,38-2,53-1,58-0,8-3,54-2,18-1,31-0,7-3,00-1,84-1,06-0,6-2,53-1,52-0,84-0,5-2,06-1,21-0,64-0,4-1,62-0,93-0,46-0,3-1,19-0,66-0,30-0,2-0,78-0,42-0,17-0,1-0,38-0,20-0,07 0,0 0,00 0,00 0,00 0,1 0,37 0,17 0,04 0,2 0,74 0,33 0,07 0,3 1,09 0,46 0,08 0,4 1,42 0,57 0,09 0,5 1,75 0,65 0,09 0,6 2,01 0,72 0,10 0,7 2,27 0,76 0,10 0,8 2,52 0,80 0,10 0,9 2,74 0,83 0,10 1,0 2,94 0,85 0,10 zależność Id=f(U) Id [ma] ,5-1,0-0,5 0,0-1 0,5 1,0 1, U [V] Tranzystor JFET Jacek Mostowicz, Jarosław Mróz 7

8 W pierwszej ćwiartce wykresu znajdującego się na poprzedniej stronie pierwszy wykres odnosi się do napięcia U = 0V, drugi dla U = 1V, a ostatni U = 1, 5V. Dodatkowo w tym podpunkcie wyznaczono wartość R MIN ΔU = Δ I d R MIN ze wzoru: Dla pierwszych dwóch pomiarów (tabela na poprzedniej stronie) otrzymano wartość R MIN = 70Ω. Tranzystor JFET Jacek Mostowicz, Jarosław Mróz 8

9 1.4 Charakterystyka przejściowa dla układu zlinearyzowanego. Układ, na którym wykonywano pomiary został przedstawiony poniżej. R R MIN. W poprzednim podpunkcie Warunkiem poprawnej pracy układu jest: obliczono R MIN = 70Ω, a więc aby spełnić powyższy warunek przyjęto R = 10kΩ. Poniżej znajduje się tabela, w której zawarto pomiary: I [ ] g ma U [ ] V UGS = 0V UGS = 1V UGS = 1, 5V -1,0-3,85-2,73-2,31-0,9-3,47-2,47-2,06-0,8-3,08-2,21-1,82-0,7-2,69-1,94-1,59-0,6-2,30-1,66-1,35-0,5-1,92-1,38-1,12-0,4-1,53-1,10-0,88-0,3-1,11-0,81-0,64-0,2-0,77-0,53-0,40-0,1-0,38-0,24-0,17 0,0 0,00 0,00 0,00 0,1 0,38 0,33 0,31 0,2 0,77 0,62 0,54 0,3 1,11 0,91 0,79 0,4 1,54 1,20 1,03 0,5 1,93 1,50 1,25 0,6 2,31 1,70 1,50 0,7 2,71 2,01 1,73 0,8 3,10 2,23 1,98 0,9 3,50 2,54 2,21 1,0 3,88 2,79 2,44 Tranzystor JFET Jacek Mostowicz, Jarosław Mróz 9

10 zależność Id=f(U) Id [ma] 0-1,5-1,0-0,5 0,0 0,5 1,0 1, U [V] Pierwszy wykres odnosi się do napięcia U = 0V, drugi dla U = 1V, a ostatni do U = 1, 5V. Tranzystor JFET Jacek Mostowicz, Jarosław Mróz 10

11 2 W tym punkcie należało zbudować i zmierzyć charakterystyki dzielnika napięcia. Układ wykorzystany w pomiarach znajduje się na poniższym rysunku. Do realizacji układu posłużono się warunkiem R R1 R, R = 100kΩ i R MIN 1 = 10kΩ. Pierwszą z charakterystyk można opisać zależnością U = f( U ) dla U = 1, 5V. Poniżej znajdują się zebrane pomiary. OUT IN ster Uster = 1, 5[ V] U [ ] IN V UIOUT[ mv ] -2,0-76,44-1,9-72,68-1,8-68,99-1,7-65,31-1,6-61,65-1,5-57,95-1,4-54,26-1,3-50,60-1,2-46,91-1,1-43,22-1,0-39,53-0,9-35,87-0,8-32,18-0,7-28,49-0,6-24,82-0,5-21,13-0,4-17,43-0,3-13,73-0,2-10,06-0,1-6,37 0,0-2,72 0,2 4,65 0,4 12,02 0,6 19,42 0,8 26,79 1,0 34,16 1,2 41,57 1,4 48,99 1,6 56,36 1,8 63,73 2,0 71,17 Tranzystor JFET Jacek Mostowicz, Jarosław Mróz 11

12 zależność Uout=f(Uin) Uster=-1,5V Uout [mv] 0-2,5-2,0-1,5-1,0-0,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2, Uin [V] Następną charakterystyką jest U = f( U ) dla U 2V OUT ster IN =. Poniżej tabela z wynikami. UIN = 2V U [ ] ster V UIOUT [ mv ] 0,0 45,29-0,2 47,63-0,4 50,19-0,6 53,01-0,8 56,18-1,0 59,75-1,2 63,88-1,4 68,69-1,6 74,42-1,8 81,30-2,0 89,89-2,2 100,86-2,4 115,51-2,6 136,22-2,8 167,58-3,0 219,58-3,2 306,07-3,4 428,87-3,6 570,93-3,8 719,43-4,0 869,49-4,2 1016,76-4,4 1160,28-4,6 1296,96-4,8 1421,60-5,0 1529,20-5,2 1606,40-5,4 1640,60-5,6 1640,40 Tranzystor JFET Jacek Mostowicz, Jarosław Mróz 12

13 zależność Uout=f(Uster) Uin=2V Uout [mv] Uster [V] 3 Przełącznik analogowy W tym punkcie należało skonstruować przełącznik analogowy oraz zaobserwować sygnał na wyjściu podczas, gdy na wejście układu podawano sygnał trójkątny. Poniżej znajduje się obraz z ekranu oscyloskopu przedstawiający efekt pracy układu. Tranzystor JFET Jacek Mostowicz, Jarosław Mróz 13

14 WNIOSKI Otrzymane charakterystyki tranzystora zgadzają się z teoretycznymi przewidywaniami. Dzięki wyznaczeniu charakterystyki przejściowej można było określić wartość napięcia odcięcia, które w naszym przypadku wynosi UP = 4,1V. Na podstawie wykresu charakterystyki określono również wartość transkonduktancji g m ma 4, 22 V =. W kolejnym punkcie dokonano linearyzacji układu przez wpięcie do układu (pomiędzy bramkę i dren) rezystora R, co spowodowało powstanie sprzężenia zwrotnego. Zakładając rezystancję R R otrzymano liniowe, wygładzone charakterystyki MIN wyjściowe dla badanego układu. Pomiaru dokonano również jak w przypadku poprzednim dla różnych wartości napięcia sterowania. ZAŁĄCZNIKI [1] dane pomiarowe otrzymane na laboratorium; Tranzystor JFET Jacek Mostowicz, Jarosław Mróz 14

WFiIS CEL ĆWICZENIA WSTĘP TEORETYCZNY

WFiIS CEL ĆWICZENIA WSTĘP TEORETYCZNY WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Ćwiczenie

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS KTEDR ELEKTRONIKI GH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE TRNZYSTOR UNIPOLRNY MOS RE. 2.1 Laboratorium Elementów Elektronicznych: TRNZYSTOR UNIPOLRNY MOS 1. CEL ĆWICZENI - zapoznanie się z działaniem

Bardziej szczegółowo

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS 1 Tranzystor MOS Podczas bierzącego ćwiczenia omówiony zostanie sposób działania tranzystora polowego nmos, zbadane zostaną podstawowe charakterystyki tranzystora, oraz szybkość jego działania. Przed przystąpieniem

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Marcin Polkowski (251328) 19 kwietnia 2007 r. Spis treści 1 Cel ćwiczenia 2 2 Opis ćwiczenia 2 3 Wykonane pomiary 3 3.1 Dioda krzemowa...............................................

Bardziej szczegółowo

Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA

Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA WFiIS LABORATORIM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE RE. 0.4 1. CEL ĆWICZENIA Wyznaczenie podstawowych parametrów tranzystora unipolarnego takich jak: o napięcie progowe, o transkonduktancja,

Bardziej szczegółowo

1 Wprowadzenie. WFiIS

1 Wprowadzenie. WFiIS WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko:. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie : Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej

Bardziej szczegółowo

Rys. 1 Schemat układu L 2 R 2 E C 1. t(0+)

Rys. 1 Schemat układu L 2 R 2 E C 1. t(0+) Autor: Piotr Fabijański Koreferent: Paweł Fabijański Zadanie Obliczyć napięcie na stykach wyłącznika S zaraz po jego otwarciu, w chwili t = (0 + ) i w stanie ustalonym, gdy t. Do obliczeń przyjąć następujące

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE ZASILACZE. L a b o r a t o r i u m Elektroniki 2. Zakład EMiP I M i I B

ĆWICZENIE ZASILACZE. L a b o r a t o r i u m Elektroniki 2. Zakład EMiP I M i I B Zakład EMiP I M i I B L a b o r a t o r i u m Elektroniki 2 ĆWICZENIE ZASILACZE TEMATYKA ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości źródeł zasilających: zasilacza niestabilizowanego,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

Laboratorum 2 Badanie filtru dolnoprzepustowego P O P R A W A

Laboratorum 2 Badanie filtru dolnoprzepustowego P O P R A W A Laboratorum 2 Badanie filtru dolnoprzepustowego P O P R A W A Marcin Polkowski (251328) 15 marca 2007 r. Spis treści 1 Cel ćwiczenia 2 2 Techniczny i matematyczny aspekt ćwiczenia 2 3 Pomiary - układ RC

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Cel: Zapoznanie ze składnią języka SPICE, wykorzystanie elementów RCLEFD oraz instrukcji analiz:.dc,.ac,.tran,.tf, korzystanie z bibliotek

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data

Bardziej szczegółowo

Badanie wzmacniacza operacyjnego

Badanie wzmacniacza operacyjnego Badanie wzmacniacza operacyjnego CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i komparatorów oraz możliwości wykorzystania ich do realizacji bloków funkcjonalnych poprzez dobór

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA 1. Lutowanie lutowania ołowiowe i bezołowiowe, przebieg lutowania automatycznego (strefy grzania i przebiegi temperatur), narzędzia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 9 TRANZYSTORY POLOWE MOS

Ćwiczenie 9 TRANZYSTORY POLOWE MOS Ćwiczenie 9 TRNZYSTORY POLOWE MOS Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk napięciowo-prądowych tranzystorów n-mosfet i p-mosfet, tworzących pary komplementarne w układzie scalonym CD4007

Bardziej szczegółowo

4. Schemat układu pomiarowego do badania przetwornika

4. Schemat układu pomiarowego do badania przetwornika 1 1. Projekt realizacji prac związanych z uruchomieniem i badaniem przetwornika napięcie/częstotliwość z układem AD654 2. Założenia do opracowania projektu a) Dane techniczne układu - Napięcie zasilające

Bardziej szczegółowo

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie współczynnika oporu platyny. Pomiar charakterystyki termopary miedź-konstantan.

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie współczynnika oporu platyny. Pomiar charakterystyki termopary miedź-konstantan. WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1.. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

GENERATORY KWARCOWE. Politechnika Wrocławska. Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

GENERATORY KWARCOWE. Politechnika Wrocławska. Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Zakład Układów Elektronicznych Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego GENERATORY KWARCOWE 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

F = e(v B) (2) F = evb (3)

F = e(v B) (2) F = evb (3) Sprawozdanie z fizyki współczesnej 1 1 Część teoretyczna Umieśćmy płytkę o szerokości a, grubości d i długości l, przez którą płynie prąd o natężeniu I, w poprzecznym polu magnetycznym o indukcji B. Wówczas

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych

Tranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych Tranzystory polowe Wiadomości podstawowe Tranzystory polowe w skrócie FET (Field Effect Transistor), są równieŝ nazywane unipolarnymi. Działanie tych tranzystorów polega na sterowanym transporcie jednego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Ćwiczenie: Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 1 Temat: PRZYRZĄDY POMIAROWE Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Wprowadzenie

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory sygnału prostokątnego Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Zasada działania, schemat i zastosowania tranzystorowego multiwibratora

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOR BIPOLARNY. WZMACNIACZ TRANZYSTOROWY

TRANZYSTOR BIPOLARNY. WZMACNIACZ TRANZYSTOROWY TRANZYSTOR BIPOLARNY. WZMACNIACZ TRANZYSTOROWY Indywidualna Pracownia Elektroniczna Michał Dąbrowski asystent: Krzysztof Piasecki 14 X 2010 1 Streszczenie Celem doświadczenia jest zapoznanie się z tranzystorem

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE KATEA ELEKTONIKI AGH L A B O A T O I U M ELEMENTY ELEKTONICZNE ZASTOSOWANIE IO EV. 1.2 Laboratorium Elementów Elektronicznych: ZASTOSOWANIE IO 1. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja działania diodowych:

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED)

Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED) Temat ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED) - - ` Symbol studiów (np. PK10): data wykonania ćwiczenia - godzina wykonania ćwiczenia. Nazwisko i imię*: 1 Pluton/Grupa

Bardziej szczegółowo

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa. Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa. Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 1 Temat: Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

Grupa: Zespół: wykonał: 1 Mariusz Kozakowski Data: 3/11/2013 111B. Podpis prowadzącego:

Grupa: Zespół: wykonał: 1 Mariusz Kozakowski Data: 3/11/2013 111B. Podpis prowadzącego: Sprawozdanie z laboratorium elektroniki w Zakładzie Systemów i Sieci Komputerowych Temat ćwiczenia: Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa Sprawozdanie Rok: Grupa: Zespół:

Bardziej szczegółowo

Przetworniki analogowo-cyfrowe

Przetworniki analogowo-cyfrowe POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Przetworniki analogowo-cyfrowe (E-11) opracował: sprawdził: dr inż. Włodzimierz

Bardziej szczegółowo

STABILIZATOR NAPIĘCIA

STABILIZATOR NAPIĘCIA STABILIZATOR NAPIĘCIA Indywidualna Pracownia Elektroniczna Michał Dąbrowski asystent: Krzysztof Piasecki 16 XI 2010 1 Streszczenie Celem doświadczenia jest zapoznanie się z zasadą działania i wykonanie

Bardziej szczegółowo

Sprzęt i architektura komputerów

Sprzęt i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat:Pomiary podstawowych wielkości elektryczych: prawa Ohma i Kirchhoffa Katedra Architektury

Bardziej szczegółowo

Badanie własności diód krzemowej, germanowej, oraz diody Zenera

Badanie własności diód krzemowej, germanowej, oraz diody Zenera 23 kwietnia 2001 Ryszard Kostecki Badanie własności diód krzemowej, germanowej, oraz diody Zenera Streszczenie Celem tej pracy jest zapoznanie się z tematyką i zbadanie diód krzemowej, germanowej, oraz

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Finał IV edycji konkursu ELEKTRON zadania ver.0

Finał IV edycji konkursu ELEKTRON zadania ver.0 ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław www.wemif.pwr.wroc.pl www.wemif.pwr.wroc.pl/elektron.dhtml Finał IV edycji konkursu ELEKTRON zadania ver.0 1. Połącz w pary: A. Transformator B. Prądnica C. Generator

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów przełączających. Cel ćwiczenia : Poznanie właściwości elektrycznych tranzystorów bipolarnych

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI Temat ćwiczenia: Ćwiczenie nr 1 BADANIE MONOLITYCZNEGO WZAMACNIACZA MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚĆI 1. 2. 3. 4. Imię i Nazwisko

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2014 r. Wzmacniacze operacyjne Ćwiczenie 4 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i wybranymi zastosowaniami wzmacniaczy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 23. Charakterystyka styku między metalem a półprzewodnikiem typu n. str. 1. Cel ćwiczenia:

Ćwiczenie nr 23. Charakterystyka styku między metalem a półprzewodnikiem typu n. str. 1. Cel ćwiczenia: Ćwiczenie nr 23 Charakterystyka styku między metalem a półprzkiem typu n. Cel ćwiczenia: Wyznaczanie charakterystyki napięciowo - prądowej złącza metal-półprzk n oraz zaobserwowanie działania elementów

Bardziej szczegółowo

Obwody liniowe. Sprawdzanie praw Kirchhoffa

Obwody liniowe. Sprawdzanie praw Kirchhoffa POLTECHNK ŚLĄSK WYDZŁ NŻYNER ŚRODOWSK ENERGETYK NSTYTT MSZYN RZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LBORTORM ELEKTRYCZNE Obwody liniowe. Sprawdzanie praw Kirchhoffa (E 2) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGLEWCZ 3 1. Cel

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 82: Efekt fotoelektryczny

Ćwiczenie nr 82: Efekt fotoelektryczny Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 82: Efekt fotoelektryczny

Bardziej szczegółowo

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Instrukcja wykonawcza 1. Wykaz przyrządów 1. Panel z ogniwami 5. Zasilacz stabilizowany oświetlacza 2. Oświetlacz 3. Woltomierz napięcia stałego 4. Miliamperomierz

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Metrologii

Laboratorium Metrologii Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną

Bardziej szczegółowo

Układy zasilania tranzystorów

Układy zasilania tranzystorów kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009 Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.

Bardziej szczegółowo

Materiały używane w elektronice

Materiały używane w elektronice Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3: Pomiar parametrów przebiegów sinusoidalnych, prostokątnych i trójkątnych. REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 3: Pomiar parametrów przebiegów sinusoidalnych, prostokątnych i trójkątnych. REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 3: Pomiar parametrów przebiegów sinusoidalnych, prostokątnych

Bardziej szczegółowo

Przetworniki AC i CA

Przetworniki AC i CA KATEDRA INFORMATYKI Wydział EAIiE AGH Laboratorium Techniki Mikroprocesorowej Ćwiczenie 4 Przetworniki AC i CA Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie budowy i zasady działania wybranych rodzajów przetworników

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II 1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych

Bardziej szczegółowo

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132.

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. Bramki logiczne 1. Czas trwania: 3h 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. 3. Wymagana znajomość pojęć stany logiczne Hi, Lo, stan

Bardziej szczegółowo

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016)

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016) Laboratorium elektroniki Ćwiczenie E14IS Elementy logiczne Wersja 1.0 (29 lutego 2016) Spis treści: 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Zagrożenia... 3 3. Wprowadzenie... 3 4. Dostępna aparatura... 5 4.1. Moduł doświadczalny...

Bardziej szczegółowo

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych prądu stałego i przemiennego

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych prądu stałego i przemiennego Zakład Napędów Wieloźródłowych nstytut Maszyn Roboczych CięŜkich PW Laboratorium Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie P1 - protokół Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych prądu stałego i przemiennego

Bardziej szczegółowo

Stosując tzw. równania telegraficzne możemy wyznaczyć napięcie i prąd w układzie: x x. x x

Stosując tzw. równania telegraficzne możemy wyznaczyć napięcie i prąd w układzie: x x. x x WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA WSTĘP TEORETYCZNY Model

Bardziej szczegółowo

Technika Cyfrowa. Badanie pamięci

Technika Cyfrowa. Badanie pamięci LABORATORIUM Technika Cyfrowa Badanie pamięci Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się studentów z budową i zasadą działania scalonych liczników asynchronicznych

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW. Stany nieustalone

LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW. Stany nieustalone Politechnika Warszawska Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA ZAWODOWE LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW Ćwiczenie nr 4 Stany nieustalone opracował: dr inż. Wojciech Kazubski

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 9. Pomiar rezystancji metodą porównawczą.

Ćwiczenie nr 9. Pomiar rezystancji metodą porównawczą. Ćwiczenie nr 9 Pomiar rezystancji metodą porównawczą. 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie różnych metod pomiaru rezystancji, a konkretnie zapoznanie się z metodą porównawczą. 2. Dane

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 7 Tranzystor polowy MOSFET

Ćwiczenie nr 7 Tranzystor polowy MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, Iwona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław Synowiec, Bogusław

Bardziej szczegółowo

4. Funktory CMOS cz.2

4. Funktory CMOS cz.2 2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA w Kielcach WYDZIAŁ MECHATRONIKI I BUDOWY MASZYN KATEDRA URZĄDZEŃ MECHATRONICZNYCH LABORATORIUM FIZYKI INSTRUKCJA

POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA w Kielcach WYDZIAŁ MECHATRONIKI I BUDOWY MASZYN KATEDRA URZĄDZEŃ MECHATRONICZNYCH LABORATORIUM FIZYKI INSTRUKCJA POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA w Kielcach WYDZIAŁ MECHATRONIKI I BUDOWY MASZYN KATEDRA URZĄDZEŃ MECHATRONICZNYCH LABORATORIUM FIZYKI INSTRUKCJA ĆWICZENIE LABORATORYJNE NR 6 Temat: Pomiar zależności oporu półprzewodników

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Mierniki cyfrowe"

Ćwiczenie: Mierniki cyfrowe Ćwiczenie: "Mierniki cyfrowe" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres ćwiczenia: Próbkowanie

Bardziej szczegółowo

Obwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3

Obwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3 Obwody nieliniowe Rysunek 1 Rysunek 2 Rysunek 3 1. Narysuj schemat zasilania diody świecącej, której parametry graniczne przedstawiono na rysunku 1, a charakterystykę prądowo-napięciową na rysunku 2. Układ

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie generatorów sinusoidalnych (2h)

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie generatorów sinusoidalnych (2h) ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie generatorów sinusoidalnych (2h) 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych typów generatorów sinusoidalnych.

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Telewizji Cyfrowej

Laboratorium Telewizji Cyfrowej Laboratorium Telewizji Cyfrowej Badanie wybranych elementów sieci TV kablowej Jarosław Marek Gliwiński Robert Sadowski Przemysław Szczerbicki Paweł Urbanek 14 maja 2009 1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h)

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h) ĆWCZENE LORTORYJNE TEMT: znaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h) 1. WPROWDZENE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawoch

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTROTECHNIKI POMIAR PRZESUNIĘCIA FAZOWEGO

LABORATORIUM ELEKTROTECHNIKI POMIAR PRZESUNIĘCIA FAZOWEGO POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ TRANSPORTU KATEDRA LOGISTYKI I TRANSPORTU PRZEMYSŁOWEGO NR 1 POMIAR PRZESUNIĘCIA FAZOWEGO Katowice, październik 5r. CEL ĆWICZENIA Poznanie zjawiska przesunięcia fazowego. ZESTAW

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUIA ZIENNE W-10 LABORATORIUM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 4 Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET I.

Bardziej szczegółowo