LASERY NA CIELE STAŁYM Wstęp
|
|
- Ksawery Dziedzic
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 LASERY NA CIELE STAŁYM Wstęp Lasery na ciele stałym lasery, których ośrodki czynne mają budowę krystaliczną lub amorficzną (w tym lasery półprzewodnikowe). Charakterystyka ośrodka: silne linie fluorescencji, poszerzone niejednorodnie (szczególnie w szkliwach), wskazujące na duże momenty przejść dipolowych, szerokie pasma absorpcji, długie czasy życia górnego stanu laserowego, duża wydajnością kwantową fluorescencji, duży udział fononów w redystrybucji energii.
2 Wystarczająco dobre właściwości spektralne i optyczne ma około 300 kryształów i szkieł. Centra aktywne zwykle jony pierwiastków przejściowych zgrupżelaza, palladu, platyny, ziem rzadkich i aktynowców Pierwiastki grup przejściowych Grupa Konfiguracja Pierwiastki Żelaza 3d n 4s od 21 do 30 np.: Ti, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Zn Palladu 4d n 5s 1 od 39 do 48 np.:y,zr,nb,mo,te,ag,cd Ziem rzadkich 4f n sd 0 6s 2 od 57 do 70 np.:pr,nd,sm,eu,ho,er,yb Platyny 5d n 6s 2 od 71 do 80 np.: Ta, W, Re, Ir, Pt, Au, Hg Aktynowców 5f n 6d 0 7s 2 od 89 do 98 np.:ac,pa,u,np,pu,am,cf 2
3 a). Lasery na jonach paramagnetycznych - lasery na jonach metali przejściowych (np. rubinowe, tytanowo - szafirowe), - lasery na trójwartościowych ziemiach rzadkich (np. neodymowe), - lasery na dwuwartościowych ziemiach rzadkich, - lasery na aktynowcach. b).lasery na centrach barwnych c). Lasery półprzewodnikowe. Lasery na metalach przejściowych Laser rubinowy Laser rubinowy (T.H. Maiman, 1960 r.). Pierwszy laser pracujący w obszarze widzialnym ( em 694.3nm). Rubin Al 2 O 3, domieszkowany Cr (konfiguracja elektronowa Ar 3d 5 4s). Osobliwością tej grupy (np. V, Mn, Fe) jest ekranowanie elektronów z niewypełnionej powłoki 3d przez elektrony 4s. 3
4 Trzy elektrony potrójnie zjonizowanego jonu Cr 3 z powłoki 3d nie są ekranowane i w szafirze są poddane działaniu silnego pola krystalicznego pochodzącego od sześciu najbliższych jonów tlenu, co ma decydujący wpływ na własności spektralne rubinu. Oś C O O Al Komórka elementarna kryształu rubinu. Mniejszy promień jonowy Al 3 ( m ) od promienia Cr 3 ( m) wewnętrzne naprężenia i defekty sieci. Wyższy stan: 2E (rozszczepiony na metastabilne o bardzo długich czasach życia ( 3ms): 2Ā i Ē 4
5 25 x F 1 Pasmo niebieskie Pasmo zielone -1 Energia [cm ] F 2 U Y B R 2 R R 1 2A E 2 F 2 29 cm -1 Dublet 2 E g = A, g = 4 2 Schemat poziomów energetycznych lasera rubinowego. Długość linii R nm, a linii R nm. Pasma absorpcji szerokie: pasmo zielone, pasmo niebieskie Laser trójpoziomowy Relaksacja oscylacyjna samosynchronizację modów Generacja gigantyczna Stosuje się zwykle pręty o średnicy 2 3cm i długości 20 30cm. Zazwyczaj oś optyczna kryształu (oś C) tworzykąt zosią pręta. Emisja jest liniowo spolaryzowana. Przy wzroście temperatury linie R 1 i R 2 znacznie się rozszerzają. 5
6 Przy dużych stężeniach chromu pojawiają się dodatkowo linie: 704 nm, 701 nm, 767 nm. Współczynnik absorpcji [cm -1 ] Stężenie Cr = 1.58 x 10 E C Przejście laserowe Długość fali E C cm Widmo absorpcji kryształu rubinu. Widoczna jest silna zależność absorpcji od polaryzacji światła absorbowanego Niech N 1 N 2 N 3 N, stan 4 A 2 Ē 2Ā 4 F 2 4 F 1 N, gdzie N jest stężęniem jonów. W równowadze termodynamicznej możemy wyznaczyć obsadzenie poziomów w stanie wzbudzonym: N 2Ā 2 exp E 0.87 K. N Ē 2 kt dla E 29cm 1 i kt 209cm 1 300K. Niech obsadzenie Ē 2Ā będzie N 2,to obsadzenia stanów [nm] 6
7 N 2Ā K 1 K N 2, N Ē 1 1 K N 2, Optyczną przezroczystość dla linii nm występuje jeśli czyli Ponieważ to N Ē 2 4 N 4 A N 1, N 2 1 K 1 2 N 1. N 1 N 2 N. N K K N 0.483N, N K K N 0.517N, Jak widać, wielkości obsadzeń te są w praktyce równe. Nawet jeżeli wzmocnienie jest równe zeru spontaniczna emisja jest bardzo duża: P sp 1 3 K K N h sp 727Wcm 3, przy N cm 3 oraz sp 3ms. 7
8 Załóżmy, że kwantową wydajność pompowania 0.7. Obliczymy gęstość promieniowania, potrzebną do uzyskania optycznej przezroczystości. Gęstość promieniowania zaabsorbowanego wynosi: P ab P sp 1.04kW/cm3. Jeśli 50% energii zmagazynowanej w kondensatorze zamienia się w energię promienistą lampy błyskowej, a 20% promieniowania lampy (przy czasie błysku 3ms) jest absorbowane przez rubin, to aby otrzymać zerowe wzmocnienie należy dysponować energią: W prog W/cm s J cm 3 8
9 4 A 2 Lasery na ciele stałym Laser aleksandrytowy Ośrodk czynny chryzoberyl (BeAl 2 O 4 ) domieszkowany chromem nawet do stężenia 0.5 %. Energia 2 E 4 T 2 Współrzędna konfiguracyjna Schemat krzywych potencjalnych jonu Cr 3 w krysztale aleksandrytu (z [21]) silne przesunięcie przesunięcie stokesowskie pasm i udział fononów w dystrybucji energii w niższym stanie szerokie pasmo emisji i absorpcji Laser czteropoziomowy Czasy życia górnych stanów laserowych: 2 E -1.54ms, a 4 T s. Pasmo strojenia: 720 nm 860 nm. Wydajność energetyczna wynosi ok. 3%. 9
10 Laser tytanowo - szafirowy Ośrodk czynnym lasera Ti : Al 2 O 3 lub Ti : S Al 2 O 3 domieszkowany TiO 3. W sieci krystalicznej dwa elektrony 4s i jeden 3d tworzą wiązanie z tlenem. O O O Ti O O O Struktura najbliższego otoczenia jonu Ti 3 w szafirze. Stan 3d rozszczepia się na dwa stany elektronowe z silnie przesuniętymi minimami potencjału. Promień jonowy tytanu jest 26% większy niż glinu. Widma są niezwykle szerokie. Stan podstawowy 2 T 2 w polu trigonal (o symetrii C 2v ) rozszczepia się na dwa stany 2 A 1 i 2 E. Z powodu sprzężenie spin-orbita stan 2 E 10
11 rozszczepia się dalej na stany Ē i 2Ā. W wyniku dynamicznego efektu Jahna-Tellera powstają dwa stany Ē pochodzące od stanów 2 A 1 i 2 E leżące powyżej stanu 2Ā. Wzbudzony stan 2 E rozszczepia się silnie dzięki statycznemu efektowi Jahna-Tellera. 2 E g 2 E g Statyczny efekt Jahna-Tellera E 2A 3d 2 A 1 Dynamiczny efekt Jahna-Tellera E 2 T 2g 2 E E Rozszczepienie stanu 3 d w statycznym polu krystalicznym Widmo absorpcji (ok cm 1 )składa się z dwóch szerokich pasm odległychook cm 1 Luminescencja występuje tylko ze stanu najniższego z maksimum ok cm 1. Tak więc, silne sprzężenia spin - orbitalne, lokalne pole krystaliczne oraz oddziaływania elektronowo - fononowe wpływają na poziomy energetyczne jonu, które szerokością przypominają poziomy 2A 11
12 barwnika. Widmo absorpcji leży w obszarze zielonym. Układ pompujący przeprowadza jon ze stanu podstawowego 2 T 2g do pewnego poziomu wibronowego stanu wzbudzonego 2 E g, który jest rozszczepiony, jak wspomniano wyżej, w lokalnym polu krystalicznym na dwa podpoziomy odległe od siebie o 50 nm. Absorpcja Fluorescencja 2 E g cm -1 Energia cm -1 2 T 2g Natężenie (j.w.) r Długość fali [nm] Krzywe potencjału jonu tytanu w Al 2 O 3 oraz widma absorpcjii fluorescencji. Czas życia górnego stanu laserowego 3.9 s Widmo fluorescencji jest silnie przesunięte w kierunku czerwieni. Strjeni w zakresie, od 660 nm do 1.1 m. Lasery femtosekundowe (dostępne w 12
13 handlu: kilkudziesiąt MHz i średnią mocą ok. 1W. Kompresor Wyjście Ti:S Pompowanie Filtr Lyota Typowy schemat femtosekundowego lasera Ti:S. Duże przewodnictwo cieplne Ppompowanie optyczne, zwykle za pomocą np. drugiej harmonicznej laserów Nd:YAG, V:YAG, atakże Ar,lampbłyskowych lub wyższych harmonicznych laserów podczerwonych. Lasery na trójwartościowych ziemiach rzadkich Lasery na: Nd 3, Ho 3, Gd 3, Tm 3, Er 3, Pr 3, Eu 3 i reszcie z 13 pierwiastków ziem rzadkich w np: CaWO 4, Y 2 O 3, LaF 3, SrMoO 4, 13
14 CaF 2, ale również wzwiązkach organicznych i w wielu innych ośrodkach. Przejścia laserowe zachodzą w powłoce 4f. Długi czas życia w górnych stanach laserowych oraz niski poziom progu. neodymowy odkryty w 1969 r. Inne mają znaczenie poznawcze. Laser neodymowy 1969 r. a) Czas życia stanu 0.255ms (YAG) 0.7ms (szkliwo) 4 F 3/2 4 F 3/ mm Absorpcja 30ns 4 I 15/2 4 I 13/ mm 4 I 11/2 4 I 9/2 b) Schemat poziomów energetycznych Nd:YAG (a) i widmo [nm] 14
15 absorpcji (b) Laser Nd:YAG: ośrodek czynny kryształ Y 3 Al 5 O 12 (YAG) - granatu aluminiowo - itrowego domieszkowany Nd. Kryształ granatu aluminiowo - itrowego struktura kubiczna. Przejścia laserowe 4 F 3/2 4 I 11/2 : m (dla ) i m (dla Nd:szkło). Czas życia górnego stanu laserowego: 255 s w YAG dolnego: 30ns Układ czteropoziomowy Typowe gęstości jonów Nd są rzędu cm 3. Szkliwo a kryształ Szkła wieloskładnikowe, np. 59% SiO 2, 25% BaO, 15% K 2 O, 1% SbO 3, 1 2% Nd 2 O 3. Oszacowania progu i pompowania progowego Kryształ odługości l 50mm i średnicy 5mm, rezonator: R 1 100% i R 2 92%. Wzmocnienie progowe 15
16 prog 1 2l ln R 1R m 1. Z pomiarów spektroskopowych: em m 2 (dla rubinu em m 2 ),to N prog 1 em prog m 3 jest kilkaset razy mniejsze niż dla rubinu. Przy 100% wydajności pompy do górnego stanu laserowego 4 F 3/2 U prog N prog h pomp Jm 3, czyli próg zostanie osiągnięty, jeśli zostanie zaabsorbowana energia ok. 0. 5mJ. Dla pracy ciągłej moc pompowania (w Wcm 3 ) P prog N progh pomp 21, gdzie: 1/ 21 A s 1. Podstawiając P prog 10 6 Wm 3, czyli by został osiągnięty próg ciągłej akcji laserowej pręt o wymiarach przyjętych do obliczeń wyżej musi zaabsorbować ok. 1 W. Pompowanie diodami 16
17 3 F 2 3 F 4 3 H 6 Lasery na ciele stałym Synchronizacja modów impulsy: 1 10 ps. Lasery światłowodowe Lasery up - conversion Np. jon Tm 3 1 G 4 Pompa 1.06 µ m 475 nm 3 H 4 3 H 5 Pompa Pompa 1.06 µ m 1.06 µ m Schemat poziomów energetycznych i pompowania lasera Tm 3 z konwersją częstotliwości Rezonatory Rezonator Fabry - Perot Siatki Bragga Wnęka typu Figura - 8 (ang. figure - 8 cavity) 17
18 Sprzęgacze Wyjście Wzmacniacz Pompowanie Dioda optyczna Kontrolery polaryzacji Laser światłowodowy z wnęką Figura - 8 z synchronizacją modów Schemat interferometru światłowodowego Sagnaca jako zwierciadła ilustruje Rys.VII.11. Sprzęgacz kierunkowy Wejście Odbicie Transmisja Interferometr Sagnaca transmitujące i odbijające światło Skrośna modulacja fazy (ang. cross - phase modulation)[34] Funkcja przełączania interferometru w funkcji mocy wejściowej jest analogiczna do działania nasycającego się absorbera. Laser Nd 3 18
19 1. strojenie lasera w granicach kilkudziesięciu nm, 2. generację impulsów ultrakrótkich. Duża liczba modów podłużnych jest w tym przypadku bardzo korzystna. Trudności z pracż jednomodową Praca up - conversion : Wzbudzenie dwoma fotonami lasera barwnikowego o energii odpowiadajacej długości fali 590 nm linie381 nm i 412 nm. Laser Er 3 Od widzialnego do dalekiej podczerwieni. Duże znaczenie lasera (EDFL) i wzmacniacza (EDFA) Strojenie Synchronizacja modów 1. Pasywna sychronizacja modów I 0 1 I I s. 19
20 Absorber do laserów erbowych t InGaAsP. Zazwyczaj absorbery półprzewodnikowe ze zwierciadłem Bragga i nasycającego się zwierciadła Bragga (ang. Saturable Bragg Reflector - SBR). 2. Aktywna synchronizacja modów Laser Dzielnik wiązki Światłowód Soliton Zwierciadło Laser solitonowy Lasery solitonowe Całkowicie światłowodowy laser solitonowy 20
21 Popowanie Sprzęgacz kierunkowy Wyjście Modulator fazy Światłowód do formowania solitonów Wzmacniacz EDFA W pełni światłowodowy laser solitonowy Lasery na dwuwartościowych ziemiach rzadkich Pierwszym laserem tego typu był na Sm 2 w CaF 2.Później zademonstrowano akcje na Tm 2 i Dy 2 wróżnych kryształach. Lasery na aktynowcach Znana jest akcja na U 3 domieszkowanym do kryształów CaF 2, BaF 2 i SrF 2 impulsowa i ciągła. 21
22 Lasery na centrach barwnych Centra F luki, tj. braków atomów lub jonów w węzłach sieci. Luka anionowa (zabarwnienie NaCl lub KCl. Szerokie pasma absorpcji i fluorescencji centrów F oddziaływania pola krystalicznego z elektronem znajdującym się w luce. 1. Zabarwianie fotochemiczne Naświetlanie światłem UV.Kryształ atom chlorowca traci elektron, stanie się neutralny i przejdzie do obszaru międzywęzłowego. Tworzy się luka anionowa, któramoże przechwycić wolny elektron i utworzy centrum F. Centra nie są stabilne termicznie. 2. Barwienie addytywne Wygrzewa się próbkę w parach metalu alkalicznego i np. NaCl lub KCl w parach sodu przyjmują barwę jaskrawo - niebieską. Metal traci elektrony, które dyfundują wgłąb 22
23 kryształu i po ochłodzeniu mogą się koncentrować np. w lukach anionowych. Tego typu centra są bardzo stabilne. 3. Barwienie wiązkami elektronowymi Bombarduje się kryształ wiązką elektronów, które wnikają do wnętrza i koncentrują się w lukach anionowych. Schematy centrów F e e F F + A e e e F + B F e e F (F - ) A Domieszka + Pusta luka Model Schematy oraz model centrum barwnego typu F Układ luka - elektron tworzy na ogół agregaty obejmujące kilka węzłów sieci krystalicznej tworząc centra wyższych rzędów: F 2, F 3,itd
24 + Centra F 2 w KF Centra F w KBr Absorpcja [j.w.] Luminescencja [j.w.] Absorpcja [j.w.] Luminescencja [j.w.] Długość fali [mm] Długość fali [mm] Widma wybranych centrów F Czas życia centrów jest różny i wynosi od 1 do 1000ns. Uzyskano płynne przestrajanie w zakresie m, m i m. 24
25 Lasery półprzewodnikowe Podstawowe własności półprzewodników Struktura pasmowa pasmo walencyjne pasmo przewodzenia przerwa energetyczna E g Półprzewodnik Samoistny E g Domieszkowany Typu n Typu p Pasmo przewodnictwa Przerwa energetyczna Poziom donorowy Poziom akceptorowy Pasmo walencyjne Schemat pasmowy półprzewodników samoistnych i domieszkowanych Energia przerwy energetycznej E g i graniczna długość fali 25
26 Materiał E g 300K ev m ch/e g Diament Ge Si GaAs AlGaAs InGaAs InGaAsP Metale Izolatory przerwa energetyczna jest duża (3eV iwięcej) Półprzewodniki przerwa od 0. 1eV do 2. 5eV, Półmetal Elektrony i dziury. Masa efektywna Półprzewodnik samoistny. Elektrony - gaz elektronowy. Dziury Rekombinacja: elektron - dziura Funkcja Blocha 26
27 c r u r exp ik r, gdzie: u r jest funkcją opisującą periodyczność pola krystalicznego, a k jest wektorem falowym elektronu. Pęd nośników p h k. W całkowicie wypełnionym pasmie walencyjnym Warunki brzegowe i k i 0. k x 2 L l, k y 2 L m, k z 2 L q, gdzie: l, m i q są liczbami całkowitymi. Energia kinetyczna nośnika czyli E 1 2 mv2 p2 2m 2 k 2 2m, E qpm ml 2 m 2 n 2 q 2. Masa efektywna v de dp. 27
28 przyspieszenie czyli a dv dt Wielkość dp dt dt d de dp dp dt a 1 d2 E dp 2 d dp 1. de dp, m d 2 E 1 d 2 E dp 2 2 dk 2 ma wymiar masy - masa efektywna ładunku. Ruchliwość nośników Gęstość stanów w pasmie przewodzenia 3/2 c E de 1 2m e E Ec /2 de, a w pasmie walencyjnym 3/2 v E de 1 2m h E v E 1/2 de, Rozkład Fermiego - Diraca f E 1 exp E F 1. kt gdzie: T jest temperaturą, ak -stałą 1 28
29 Boltzmanna, a F - energią Fermiego. Jeśli E F, tof E 1/2. Energia Fermiego - parametr rozkładu Fermiego - Diraca. Dla E F statystyka Boltzmanna. f(e) 1 T=0 0 f(e) 1 T>0 E v F E c E Stany puste Stany obsadzone 0 E v Rozkłady Fermiego - Diraca dla dwu temperatur w półprzewodniku samoistnym F E c E 29
30 Półprzewodniki domieszkowane Półprzewodniki typu n (donorowe) -do kryształu zbudowanego z atomów czterowartościowych (krzem, german) - atomy z grupy V (tj. pięciowartościowe: fosfor, arsen, antymon). Pólprzewodniki typu p (akceptorowych) - domieszkowanie atomami trzeciej grupy (glin, gal, ind) Poziomy - akceptorowe (w półprzewodniku typu p) - donorowych (w n) Półprzewodniki silnie domieszkowane Typ n Typ p E Elektrony E E c E g Gęstość ładunku E c E g Gęstość ładunku E v E v Dziury Rozkłady gęstości ładunków w silnie domieszkowanych półprzewodnikach w temperaturze 0K 30
31 Złącze p - n Typ p Obszar bariery potencjału Typ n Pasmo przewodzenia E g Pasmo walencyjne Energia Fermiego Przerwa energetyczna Prąd Obszar przewodzenia Obszar zaporowy Napięcie Niespolaryzowane złącze p n oraz charakterystyka prądowo - napięciowa złącza Złącze p n w kierunku przewodzenia: elektrony z półprzewodnika n przejdą do półprzewodnika typu p możliwa rekombinacja. Kwazipoziomy Fermiego Funkcje Fermiego - dla elektronów w pasmie przewodnictwa f c E 1 exp E F c 1, kt 31
32 - dla dziur w pasmie walencyjnym f v E 1 1 exp E F p 1 1 exp F p E 1. kt kt Gęstości: - elektronów w pasmie przewodzenia n c E de E E c 1/2 de exp E F c 1 ; E E c, kt 2m e 2 3/2 32
33 - dziur w pasmie walencyjnym p v E de E v E 1/2 de exp F v E 1 ; E E v, kt o energii E w przedziale de. 2m h 2 3/2 E c i E v dolna krawędź pasma przewodzenia i górna krawędź pasma walencyjnego. Dla poziomu Fermiego w pasmie funkcja Fermiego - Diraca i f E F v n c E de 0 1; dla E F 0; dla E F, m c 2 2m c 2 3/2 F v E E c 1/2 de 0 3/2 Fv E c 3/2. 33
34 Jaka musi być gęstość nośników, by poziom Fermiego znajdował się wpsmie przewodzenia na głębokości np. 30 mev. Ponieważ dla GaAs m c m e,to n kg/ J 2 s eV C 1.5 /3 2, zatem n cm 3. Począwszy od takiej gęstości elektronów GaAs zachowuje się jak metal. 34
35 Rekombinacja elektron - dziura Przejścia międzypasmowe proste i skośne. Elektrony Energia Energia Dziury Pęd Pęd Międzypasmowe przejścia proste i skośne. Promienistą rekombinację elektron dziura foton. Z zasady zachowania pędu k k e k f k p e. Pęd fotonu k f jest do zaniedbania k k p e k k e 0. Rekombinacja elektronów i dziur jest zdeterminowana przez nadmiar ładunku mniejszościowego i przez jego czas życia. Całkowia stała rekombinacji zależy od: -stałej przejść bezpromienistych związanych z poziomami defektowymi, defektami powierzchniowymi, itd, 35
36 - prawdopodobieństwa promienistej rekombinacji, - prawdopodobieństwa rekombinacji Augera, - prawdopodobienstwa rekombinacji wymuszonej, jeśli jest. Równanie kinetyczne (zaniedbujemy emisję wymuszoną) J e qd J h qd qd J A nrn Bn 2 C aug n 3, gdzie: n n h n e -gęstością nośników, a d - efektywną grubością złącza. Prawdopodobieństwo rekombinacji bezpromienistej: nr A nr C aug n 2, prawdopodobieństwo emisji promienistej: r Bn Całkowite prawdopodobieństwo rekombinacji s r nr, Szybkość rekombinacji - liczba przejść na jednostkę czasu i na jednostkę objętości 36
37 jest proporcjonalna do: - prawdopodobieństwa znalezienia elektronu w pasmie przewodzenia, - prawdopodobieństwa braku elektronu w pasmie walencyjnym, czyli znalezienia dziury: R rnp, gdzie: r -stała rekombinacji (w m 3 s 1 ) Moc emitowanego promieniowania na jednostkę objętości P opt rnp h, gdzie: jest wewnętrzną wydajnością kwantową rekombinacji promienistej, która wynosi r r nr. 37
38 Wzmocnienie LP Są trzy możliwe przypadki: 1. emisja spontaniczna przeważa nad wymuszoną: dioda elektroluminescencyjna, 2. jest inwersja obsadzeń, aleduże straty wnęki: diodą superluminescencyjną, 3. jest inersja obsadzeń ispełniony warunek progowy:diodą laserową. Prawdopodobieństwo przejść międzypasmowych: -są proporcjonalne do B 21 (niech B 21 B 12 ), -gęstości energii e, -zależą od gęstości stanów w pasmie przewodzenia c E 2 - prawdopodobieństwa obsadzenia tych stanów f c E 2, -gęstości stanów w pasmie walencyjnym E 1 - prawdopodobieństwu, że testanysą puste: 1 f E 1. Zredukowana gęstość stanów 38
39 red h 1 1 2m 3/2 e m h m h E h m g 1/2. e Liczbę przejść promienistych w jednostce czasu i objętości - emisji wymuszonej R 2 1 B 21 e red h f c E 2 1 f v E 1, - absorpcji R 1 2 B 21 e red h f v E 1 1 f c E 2. Różnica R R 2 1 R 1 2 B 21 e red h f c E 2 f v E 1. Jeśli R 0 -ośrodek czynny wzmacnia gdy R 0 - absorbuje. Współczynnik wzmocnienia 1 I di dz 1 e moc / jedn.obj. h R v g e, v g gdzie: v g c/n g prędkość grupowa, n g n dn grupowy współczynnik d załamania. 39
40 Zatem współczynnik wzmocnienia półprzewodnika n h B g 21 c red h f c E 2 f v E 1 N. Iloczyn red h f c E 2 f v E 1 jest odpowiednikiem inwersji obsadzeń - N, a red h f c E 2 i red h f v E 1 odpowiadają obsadzeniom. Ośrodek wzmacnia jeśli f c E 2 f v E 1 0. Ponieważ f c E 2 exp E 2 F c kt 1 1, f v E 1 exp E 1 F v 1 1, kt to F c F v E 2 E 1. Wzmocnienie promieniowania o energii E 2 E 1 h wystąpi, jeżeli 40
41 E g h F c F v. Jest to warunek Bernarda - Duraffourga W bardziej użytecznej formie h K h E g 1/2 f c h f v h, gdzie: K stała niezależna od długości fali emisji K abs 2m r 3/2 exp E F E g, 2 R kt i E F F c F v, m m r e m h m. h m e 41
42 Rezonatory laserów półprzewodnikowych 1. Płaszczyzny łupliwości (interferometr Fabry - Perota) Ze wzorów Fresnela n 1 2 r n 1. 2 Dla GaAs ( n 3.6) r 0.32, 2. Zwierciadła Bragga. Laser DBR (ang. Distributed Bragg Refelection). Laserów typu VCSEL Lasery z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym - DFB (ang. Distributed Feedback Bragg). 3. Rezonatory zewnętrzne. Rezonatory Fabry-Perota Amplitudowe współczynniki transmisji i odbicia mają postać t 12 2n 1 n 1 n, 2 r 12 n 1 n 2 n 1 n, 2 Promień od
43 Widać też, że t 12 t 21 oraz r 12 r 21, czyli 2 t 12 t 21 r Dla wielu warstw (N) formalizm macierzy S (macierz rozpraszania) pole odbite o pierwszej warstwy w postaci E 0 S 0,N E N, czyli r 0,N S 12 ; R r S 0,N 2, 22 t 0,N S 1 ; T n N 22 n 1 t 0,N 2. Macierz S nazywa się macierzą propagacji. Trzeba zauważyć, że przy powyższej definicji współczynników R T 1. Macierze przejścia P 12 1 t 12 1 r 0 exp i r 0 exp i 1 P 21 1 t 21 1 r 0 exp i r 0 exp i 1 Przesunięcie fazy wynosi. Przesunięcie fazy w wyniku przejścia drogi,. 43
44 optycznej o długości L D exp i 0 0 exp i gdzie: kl 2 n 1 L/ 0. Macierz propagacji dla jednego pełnego przejścia rezonatora ma postać S 1 t 12 t 21 e i r 2 0 e i r 0 e i e i, r 0 e i e i e i r 2 0 e i Natężeniowy współczynnik transmisji T FP t T FP 12 t r 2 0 e i. 2 Niech: 2, wtedy T FP T 2 1 R 2 2R cos, gdzie: T jest współczynnikiem transmisji zwierciadeł, ar - współczynnikiem odbicia. Jeżeli zmienia się długość fali promieniowania we wnęce,tozmieniasię też transmisja wnęki w zakresie od, 44
45 do Wielkość T min T 2 1 R 2, T max T 2 1 R 2. C T max 1 4R T min 1 R 2 nosi nazwę kontrastu wnęki. W pobliżu rezonansu wnęki (gdy 2m ) T FP T max 1 1 2F 2 L 2n 1 0 m 2 T max 1 1 2F 2 m, 2 gdzie: - odległość między sąsiednimi modami, F nosi nazwę finessy R F 1 R. Wykres () w funkcji częstotliwości składa się z linii o oddzielonych o c 2n 1 L, 45
46 iszerokości (FWHM) wynoszącej /F. Rezonatory wielozwierciadłowe Trójzwierciadłowe Rezonatora z trzema zwierciadłami. a) b) L a L p L a L p β a β p β a β p r 1 r 2 r 3 r 2 r 3 L a L a β a β a r 1 r ef r 1 r ef Rezonator trójzwierciadłowy a) oraz czterozwierciadłowy (b) Ekwiwalent - układ dwuzwierciadłowyz jednym zwierciadełem t r ef r r 3 exp 2i p L p 1 r 2 r 3 exp 2i p L p. gdzie: 2 n/ jest stałą propagacji. Warunek rezonansu 2 a L a ef 2 m. Stąd d a L a 1 2 d ef dm. Odległość między dwoma sąsiednimi 46
47 modami dm 1 i d a L a 1 d. 2 ef/d a Efektywną długość części pasywnej rezonatora L ef 1 2 d ef d p. Ale d a 2 n gad, 2 gdzie: n g n dn/d jest grupowym współczynnikiem załamania. Ale też d p n gp d a n ga, zatem odstęp między modami d 2 2 n ga L a n gp L eff, lub d c 2 n ga L a n gp L eff. Czterozwierciadłowy Selekcja modów jest lepsza niż w trójzwierciadłowym rezonatorze. Lepsze są 47
48 też efekty strojenia. Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Stosowane w laserach VCSEL, często też w laserach z rezonatorem prostopadłym do płaszczyzny złącza. a) b) Warstwy o grubości λ/2 L g L a r 1 r g L+L a b L+L+L=L a b ef DBR Ośrodek czynny c) Wyjście L a L p L g Wyjście r 1 r g L+L+L =L a b ef DBR L ef d) Wyjście Schemat rezonatorów ze zwierciadłem Bragga (DBR) w VCSEL z jednostronnym zwierciadłem Bragga (a) oraz ze zwierciadłami Bragga z obu stron ośrodka czynnego (b). Na rys. c) część ośrodka czynnego jest zwierciadłem Bragga, natomiast rys. d) ilustruje przypadek sprzężenia z siatką dyfrakcyjną 48
49 Małe współczynniki odbić cząstkowych to duży całkowity współczynnik odbicia. Padająca i odbita fala zmiania fazę o L ef, czyli współczynnik odbicia siatki dla częstotliwości Bragga wynosi r g r g exp 2i 0 L ef. Rozwijając 0 0 stąd efektywna długość siatki L ef 1 2. Przyjmijmy, że promieniowanie przechodzi przez dwie dwuwarstwy złożone z dielektryków 1 i 2, o różnych współczynnikach załamania. Macierz S będzie miała postać S P 12 D 2 P 12 D 1. Ponieważ 49
50 P 12 1 t 12 1 r 12 r 12 1 ; P 21 1 t 12 1 r 12 r 21 1 D 1 exp i exp i 1 ; D 2 exp i exp i 2, to S 1 t 2 e i 1 e i 2 r0 2 e i 2 2i sin 2 e i 1 2i sin 2 e i 1 e i 1 e i 2 r0 2 e i 2, gdzie: t 2 t 12 t 21. Warstwy muszą być ćwierćfalówkami, tzn. 1 2 /2, zatem S 1 t 1 r r 2. 50
51 owartościach własnych X 1 r 2 ; X 1 r 2 iwektorywłasne V ; V 1 2 W postaci zdiagonalizowanej S T 1 ST, gdzie: 1 1 M 1 t 4 1 r r 2,. T Dla układu N warstw podwójnych S N 1 t 4 T 1 1 r 2N r 2N T. Stą współczynnik odbicia zwierciadła Bragga R N 1 r 2N 1 r 2N 1 r 2N 1 r 2N. 2, 51
52 lub inaczej 1 n 2 n R N 1 2N 1 n 2 n 1 2N przy założeniu, że n 1 n 2. Pasmo w którym współczynnik odbicia spełnia warunek 1 R 10 n, wynosi 8ln10 n 1 n 2 2 n 1 n 2log n 1 2 n 2 n log4 N Jeżeli N, wtedy pasmo graniczne (ang. stop band) 4 n 1 n 2 n 1 n log n 1 2 n 2. Lasery z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym Lasery z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym (DFB) 1/2. 52
53 λ/4 Ośrodek czynny Warstwy antyrefleksyjne Schemat lasera DFB Aby osiągnąć efekt konstruktywnej intereferencji okres powinien być równy /4. 53
54 Prąd progowy lasera półprzewodnikowego N 1 0 Zatem N, gdzie: N gęstość elektronów wstrzykniętych do obszaru czynnego z obszaru typu n. Straty 1 ln 1 2L R 1 R 1 2 c c, agęstość progowa elektronów wynosi N t 1. c c Gęstość elektronów wstrzykiwanych do obszaru aktywnego - J/ed zatem w warunkach stacjonarnych s N ed J, gdzie: d droga dyfuzji Tak więc progową gęstość prądu J t ed s N t. Inaczej 54
55 J t ed s ed A 1 21 c 3 g 0 c c 3 g 0 c A 21 / s wewnętrzna wydajność kwantowa. 55
56 Równania kinetyczne laserów półprzewodnikowych Pompowanie dn J dt pomp ed. Spontaniczna rekombinacja dn N dt spont s. Emisja wymuszona dn A N N dt t P, stym gdzie: N t inwersja progowa. -1 Wzmocnienie [cm ] T = 300K N t Gęstość ładunku [x10 cm ] Zależność maksymalnego wzmocnienia w funkcji gęstości wstrzykniętych elektronów 56
57 A Bc n g, gdzie: B współczynnik kierunkowy Czynnik nakrywania d/2 d/2 E 2 dx E 2 dx gdzie: d grubość obszaru czynnego, a E 2 dx całkowita moc optyczna modu. Zmiana inwersji w czasie dn J dt ed N s A N N t P. Emisja wymuszona dp A N N dt t P, stym Emisja spontaniczna dp N dt spont s, gdzie: współczynnikiem, zależny od udziału emisji spontanicznej w modzie. Straty, 57
58 dp P dt em c. Równanie kinetyczne na gęstość fotonów dp A N N dt t P N s P c. Przypadek stacjonarny: oraz Inaczej Dalej istąd dn dt dp dt 0. A N N t P N s P c, A N N t 1 c N P s. 0 J ed N s P c N s, P c ed J Ned s N c s. Inaczej P K J J t P sp. Zależność mocy wyjściowej w funkcji prądu 58
59 Moc wyjściowa [mw] Próg Prąd [ma] Typowa zależność mocy wyjściowej lasera półprzewodnikowego od natężenia prądu pompowania Prąd progowy rośniezewzrostemok.1. 5% na 1 o C. Zależność prądu J prog od temperatury J prog J 0 exp T T0, gdzie: T 0 - temperatury charakterystycznej. Temperatura charakterystyczna różnych heterostruktur. Heterostruktura Dł. fali( m) T 0 (K) GaN/InGaN GaAs/AlGaAs InGaAs/GaAs InGaAs/AlGaAs/InP InGaSb/InAs/GaSb
60 Właściwości promieniowania Widmo emisji 50 ma nm 65 ma ma nm Widma emisji lasera półprzewodnikowego w zależności od prądu zasilania. Częstotliwości rezonansowe q c 2n L, gdzie: q jest liczbą całkowitą, al długością lasera. nm Wpływ dyspersji półprzewodnika Częstotliwość rezonansowa modu o 60
61 numerze q 1 wynosi f c q 1. 2n L Korzystając zrozwinięcia n n dn d otrzymujemy odległość między dwoma sąsiednimi modami c 2nL 1 n dn d 1. Dla GaAs n dn d Promieniowanie jest spolaryzowane Laser półprzewodnikowy Obszar czynny złącza Natężenie promieniowania Rozkład natężenia promieniowania złączowego lasera półprzewodnikowego. Świergotanie (chirping) Rozkład przestrzenny 61
62 promieniowania Rozkład przestrzenny ma w przybliżeniu kształtwciągniętej elipsy. Rozbieżność wiązki w płaszczyźnie złącza - około 10 o, a w prostopadłej do niej - 40 o. Redukcja astygmatyzmu Nasycenie Natężenia nasycenia I s v g 1, gdzie: v j prędkość światła w materiale, czas rekombinacji międzypasmowej, g - różniczkowe wzmocnienie (odpowiada przekrojowi czynnemu na emisję wymuszoną w laserach atomowych). Nasycenie międzypasmowe - podstawowy efekt we wzmacniaczach optycznych. W diodach laserowych zależność mocy wyjściowej od prądu pompowania jest w dużym stopniu liniowa, bo typowo: v cm/s, 1ns, g cm 2 i I s cm 3. Rrelaksacja wewnątrzpasmowa czase rzędu 62
63 ps i I s cm 3, Współczynnik wzmocnienia w postaci 0 1 I 0 1 I, gdzie: współczynnikiem tłumienia wzmocnienia. Nasycenie wewnątrzpasmowe i między pasmowe wpływa na ograniczenie pasma odpowiedzi częstotliwościowej diody laserowej. Lasery diodowe (homozłączowe) Homozłącze - wykonane z jednego rodzaju półprzewodnika. Drog dyfuzji d d D 1/2, gdzie: D współczynnikdyfuzji: D/ kt/e ( ruchliwość nośników). Rekombinacja elektronów z dziurami dn p p dt p n p n p s. Indeks p oznacza, że równanie dotyczy elektronów po stronie p. Drogę dyfuzji - rzędu m. 63
64 a) + p n b) E cp F=F c v E g E vp F v E cn F c E vn c) E cp F v d F c E vp Schemat zasilania (a), poziomów energetycznych lasera półprzewodnikowego przy braku zasilania (b) i przy złączu spolaryzowanym w kierunku przewodzenia (c) Progowa gęstość prądu ze wzoru J t ned s. Wartość rzędu ka/cm 2 główna wada laserów homozłączowych. 64
65 Lasery heterozłączowe Lasery heterozłączowe GaAs i Al x Ga 1 x As, gdzie x jest względną zawartością atomów aluminium zastępujących w węzłach sieci krystalicznej gal. Ośrodek aktywny AlGaAs GaAs AlGaAs Pasmo przewodzenia E g2 F c Elektrony E g Dziury F v E g1 P p N Pasmo walencyjne Współczynnik załamania Uproszczony schemat struktury heterozłączowej spolaryzowanej w kierunku przewodzenia i zmiany współczynnika załamania w przekroju poprzecznym złącza 65
66 Obszar czynny N + N p P n p Budowa lasera półprzewodnikowego. Grubą linią oznaczono złącze spolaryzowane zaporowo Lasery niebieskie i UV InGaN, - przerwa energetyczna między 2. 0 a 6.2eV GaN ( 405 nm). Lasery na studniach kwantowych Laser hetrozłączowy. Np. GaAs o niewielkiej grubości złączony z obu stron z Al x Ga 1 x As. Wymiar studni kwantowej grubość GaAs. Całkowita energia elektronu E m, p, q 8m h2 l 2 e L m2 h2 q 2, 2 2 x L y 8m 2 e L z gdzie: m, p i q są liczbami kwantowymi. Gęstość stanów w przedziale de wynosi E de 1 2m de Lz 66
67 dla q 1. Zmieniając grubość obszaru czynnego możemy regulować gęstość stanów. GaAs AlGaAs ok. 10 nm E g2 E g1 Przejście promieniste Schemat pasm energetycznych lasera ze studniami kwantowymi. Lasery typu VCSEL Lasery typu VCSEL (ang. vertical cavity surface emitting lasers) Diody elektroluminescencyjne Stałą rekombinacji spontanicznej R spon h 1 R red h f c h 1 f v h, gdzie: R jest czasem życia, red h jest łączną gęstością stanów, f c h - funkcją Fermiego - Diraca obsadzenia stanu wzbudzonego przez elektrony, 1 f v h oznacza prawdopodobieństwo, że dolny 67
68 stan jest pusty. Przypomnijmy, że przy f c E 1 exp E c F c 1, kt oraz gdzie: E c h E g m r m c h E g, f v E 1 exp E v F v 1, kt E v h m r m c h E g. Ponieważ możemy rozkład Fermiego - Diraca przybliżyć funkcją Boltzmanna i stąd f c E c exp E c F c kt 1 f v E v exp F v E v kt f c E c h 1 f v E v h exp h kt E F kt gdzie: E F E Fc E Fv.,, 68
69 Zatem, ponieważ E c k E v k h 2 k 2 2m r to E g R spon h K spon h E g 1/2 exp h E g kt gdzie: stała K spon wynosi K spon 2m r 3/2 exp E F E g. 2 R kt przy: E F F c F v. Jeżeli zwiększa się gęstość nośników n,to czynniki exp F c /kt i exp F v /kt też rosną, tak że R spon h rośnie jak n 2. Łatwo można pokazać, że maksymalne natężenie emisji spontanicznej przypada na energię h max E g kt 2, a FWHM pasma emisji spontanicznej h 1.8kT. Związek między max m i h max ev jest, jak wiadomo, następujący max h 1.24, max, 69
70 stąd natchmiast wynika, że całkowita szerokość połówkowa w m wynosi max kt. Czyli im większa długość fali, tym szersze jest pasmo emisji spontanicznej. Fizyczne procesy zachodzące w DEL: - rekombinacja pasmo - pasmo, - rekombinacja z udziałem poziomów domieszkowych: pasmo przewodzenia - poziom akceptorowy, poziom donorowy - pasmo walencyjne, poziom donorowy - poziom akceptorowy. - rekombinacja z udziałem ekscytonów. Diody elektroluminescencyjne i obszar spektralny emitowanego promieniowania. 70
71 Materiał E g [ev] Dom. Barwa GaAs Si IR GaP 2.26 N Zielony GaP N, N Żółty GaP Zn, O Czerwony GaAs 0.6 P Czerwony GaAs 0.35 P 0.65 N Pomarańczowy GaAs 0.15 P 0.85 N Żółty Ga 0.6 Al 0.4 As Zn Czerwony Ga x Al 1 x As (1 x 0.7) Si IR Ekscyton jest złożonyzdziuryi swobodnego elektronu utrzymywanym siłami przyciągania Coulomba. Poziomy ekscytonowe uzyskuje się przez wprowadzenie odpowiednich domieszek, np. jeśli GaP domieszkuje się równocześnie O i Zn, wtedy dioda świeci na czerwono, jeśli zaś atomami azotu, wtedy emituje promieniowanie zielone i jest to promieniowanie ekscytonowe. Typowe materiały, z których zbudowane są diody elektroluminescencyjne to: GaAs, 71
72 InAs, InSb, GaSb, GaAlAs, GaAsP, InGaAsP, ZnS, ZnSe, CdTe, PbS, PbTe i wiele, wiele innych. Podstawowymi materiałami pozostają GaAs, GaP. Literatura 1. B. Ziętek, Optoelektronika, Wydawnictwo UMK, Toruń Dye laser principles, ed. F.J. Duarte, L.W. Hillman, Academic Press, Inc., San Diego, 1990, 3. Encyclopedia o Laser and Technology, ed. R.A. Meyers, Academic Press Inc., New York, 1991, 4. J. Hawkes, I. Latimer, Lasers, Theory and Practice, Prentice Hall, New York, London, 1995, 5. M.A. Herman, Heterozłącza półprzewodnikowe, PWN, Warszawa, 1987, 6. F. Kaczmarek, Wstęp do fzyki laserów, PWN, Warszawa, 1986, 7. N. W. Karłow, Wykłady z fizyki laserów, WNT, Warszawa, 1989, 8. P. W. Milonni, J.H. Eberly, Lasers, John Wiley & Sons, New York, 1988, 72
73 9. B. Mroziewicz, M. Bugajski, W. Nakwaski, Lasery półprzewodnikowe, PWN, Warszawa, 1985, 10. S. Nakamura, G. Fasol, The blue laser diode, Springer - Verlang, Berlin, 1997, 11. Semicoductor lasers I, ed. E. Kapon, Academic Press, San Diego, 1998, 12. K. Shimoda, Wstęp do fizyki laserów, PWN, Warszawa, 1993, 13. F. P. Schäfer, Dye lasers, Springer - Verlag, ed. III, Berlin, 1990, 14. M. J. Weber, Handbook of Lasers, CRC Press, Boca Raton, London, New York, Washington D.C., J. Wilson, J.F. Hawkes, Optoelectronics - an introduction, Prentice Hall, New York, 1989, 16. J.T. Verdeyen, Laser electronics, Prentice Hall, New Jersey, 1989, 17. L.A. Coldren, S.W. Corzine, Diode lasers and Photonic Integrated Circuits, John Wiley and Sons, New York, 1995, 18. E. Rosencher, B. Vinter, Optoelectronics, Cambrige Univ. Press, Cambrige, 2002, 19. A. K. Ghatak, K. Thyagarajan, Optical electronics, Cambridge Uniwersity Press, Cambrige, 1989, 20. A. Kowalski, Podstawy telekomunikacji, Wyd. 73
74 Oficyna PW, Warszawa, 1998, 21. G.P. Agrawal, Applications of nonlinear Fiber Optics, Academic Press, San Diego, 2001, 22. C. Rulliere, Femtosecond laser pulses, Springer - Verlang, Berlin,
Rezonatory ze zwierciadłem Bragga
Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Siatki dyfrakcyjne stanowiące zwierciadła laserowe (zwierciadła Bragga) są powszechnie stosowane w laserach VCSEL, ale i w laserach z rezonatorem prostopadłym do płaszczyzny
Bardziej szczegółowoLASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK
LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK TEK Lasery na ciele stałym lasery, których ośrodek czynny jest: -kryształem i ciałem amorficznym (również proszkiem), - dielektrykiem i półprzewodnikiem. 2 Podział
Bardziej szczegółowoLasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek
Lasery półprzewodnikowe przewodnikowe Bernard Ziętek Plan 1. Rodzaje półprzewodników 2. Parametry półprzewodników 3. Złącze p-n 4. Rekombinacja dziura-elektron 5. Wzmocnienie 6. Rezonatory 7. Lasery niskowymiarowe
Bardziej szczegółowoII. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet
II. WYBRANE LASERY BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet Laser gazowy Laser He-Ne, Mechanizm wzbudzenia Bernard Ziętek IF UMK Toruń 2 Model Bernard Ziętek IF UMK Toruń 3 Rozwiązania stacjonarne
Bardziej szczegółowoPODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp
PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp LASER Light Amplification by Stimulation Emission of Radiation Składa się z: 1. ośrodka czynnego. układu pompującego 3.Rezonator optyczny - wnęka rezonansowa Generatory: liniowe
Bardziej szczegółowo!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Bardziej szczegółowoVI. Elementy techniki, lasery
Światłowody VI. Elementy techniki, lasery BERNARD ZIĘTEK http://www.fizyka.umk.pl www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet a) Sprzęgacze czołowe 1. Sprzęgacze światłowodowe (czołowe, boczne, stałe, rozłączalne) Złącza,
Bardziej szczegółowoWykład IV. Dioda elektroluminescencyjna Laser półprzewodnikowy
Wykład IV Dioda elektroluminescencyjna Laser półprzewodnikowy Półprzewodniki - diagram pasmowy Kryształ Si, Ge, GaAs Struktura krystaliczna prowadzi do relacji dyspersji E(k). Krzywizna pasm decyduje o
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowoSprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)
Wojciech Niwiński 30.03.2004 Bartosz Lassak Wojciech Zatorski gr.7lab Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Zadanie laboratoryjne miało na celu zaobserwowanie różnic
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoStruktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Bardziej szczegółowoIV. Transmisja. /~bezet
Światłowody IV. Transmisja BERNARD ZIĘTEK http://www.fizyka.umk.pl www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet 1. Tłumienność 10 7 10 6 Tłumienność [db/km] 10 5 10 4 10 3 10 2 10 SiO 2 Tłumienność szkła w latach (za A.
Bardziej szczegółowopółprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski
Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 półprzewodniki
Bardziej szczegółowoPrzejścia promieniste
Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej
Bardziej szczegółowoWykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
Bardziej szczegółowoI. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA
1 I. DIODA LKTROLUMINSCNCYJNA Cel ćwiczenia : Pomiar charakterystyk elektrycznych diod elektroluminescencyjnych. Zagadnienia: misja spontaniczna, złącze p-n, zasada działania diody elektroluminescencyjnej
Bardziej szczegółowoTEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH
TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH Skolektywizowane elektrony w metalu Weźmy pod uwagę pewną ilość atomów jakiegoś metalu, np. sodu. Pojedynczy atom sodu zawiera 11 elektronów o konfiguracji 1s 2 2s 2 2p 6 3s
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoRozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
Bardziej szczegółowoBadanie emiterów promieniowania optycznego
LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI Ćwiczenie 9 Badanie emiterów promieniowania optycznego Cel ćwiczenia: Zapoznanie studentów z podstawowymi charakterystykami emiterów promieniowania optycznego. Badane elementy:
Bardziej szczegółowoWłaściwości światła laserowego
Właściwości światła laserowego Cechy charakterystyczne światła laserowego: rozbieżność (równoległość) wiązki, pasmo spektralne, gęstość mocy spójność (koherencja). Równoległość wiązki Dyfrakcyjną rozbieżność
Bardziej szczegółowoFunkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach
Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B
Bardziej szczegółowoUNIWERSYTET MARII CURIE-SKŁODOWSKIEJ W LUBLINIE
UNIWERSYTET MARII CURIE-SKŁODOWSKIEJ W LUBLINIE Projekt Zintegrowany UMCS Centrum Kształcenia i Obsługi Studiów, Biuro ds. Kształcenia Ustawicznego telefon: +48 81 537 54 61 Podstawowe informacje o przedmiocie
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Bardziej szczegółowoWykład III. Teoria pasmowa ciał stałych
Wykład III Teoria pasmowa ciał stałych Energia elektronu (ev) Powstawanie pasm w krysztale sodu pasmo walencyjne (zapełnione częściowo) Konfiguracja w izolowanym atomie Na: 1s 2 2s 2 2p 6 3s 1 Ne Położenie
Bardziej szczegółowoWykład VI. Teoria pasmowa ciał stałych
Wykład VI Teoria pasmowa ciał stałych Energia elektronu (ev) Powstawanie pasm w krysztale sodu pasmo walencyjne (zapełnione częściowo) Konfiguracja w izolowanym atomie Na: 1s 2 2s 2 2p 6 3s 1 Ne Położenie
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoPasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka
Pasmowa teoria przewodnictwa elektrycznego Anna Pietnoczka Wpływ rodzaju wiązań na przewodność próbki: Wiązanie jonowe - izolatory Wiązanie metaliczne - przewodniki Wiązanie kowalencyjne - półprzewodniki
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoWłasności optyczne półprzewodników
Własności optyczne półprzewodników Andrzej Wysmołek Wykład przygotowany w oparciu o wykłady prowadzone na Wydziale Fizyki UW przez prof. Mariana Grynberga oraz prof. Romana Stępniewskiego Klasyfikacja
Bardziej szczegółowoAbsorpcja związana z defektami kryształu
W rzeczywistych materiałach sieć krystaliczna nie jest idealna występują różnego rodzaju defekty. Podział najważniejszych defektów ze względu na właściwości optyczne: - inny atom w węźle sieci: C A atom
Bardziej szczegółowoWykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych
Wykład XIV: Właściwości optyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wiadomości wstępne: a) Załamanie
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników
Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Model atomu Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jądro jest zbudowane z: i) dodatnich protonów ii) neutralnych neutronów Liczba atomowa
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowon n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A / B 2 1 hν exp( ) 1 kt (24)
n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A 1 2 / B hν exp( ) 1 kt (24) Powyższe równanie określające gęstość widmową energii promieniowania
Bardziej szczegółowoWstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 7 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15
Bardziej szczegółowoLasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów
Lasery Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Laser - nazwa utworzona jako akronim od Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - wzmocnienie światła poprzez
Bardziej szczegółowoW1. Właściwości elektryczne ciał stałych
W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3
Bardziej szczegółowoPiotr Targowski i Bernard Ziętek LASER PÓŁPRZEWODNIKOWY
Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Piotr Targowski i Bernard Ziętek Pracownia Optoelektroniki Specjalność : Fizyka medyczna LASER PÓŁPRZEWODNIKOWY Zadanie V Zakład Optoelektroniki Toruń 2001
Bardziej szczegółowoUNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja
UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2 Elektroluminescencja SZCZECIN 2002 WSTĘP Mianem elektroluminescencji określamy zjawisko emisji spontanicznej
Bardziej szczegółowoOptyczne elementy aktywne
Optyczne elementy aktywne Źródła optyczne Diody elektroluminescencyjne Diody laserowe Odbiorniki optyczne Fotodioda PIN Fotodioda APD Generowanie światła kontakt metalowy typ n GaAs podłoże typ n typ n
Bardziej szczegółowoS. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki
Półprzewodniki Definicja i własności Półprzewodnik materiał, którego przewodnictwo rośnie z temperaturą (opór maleje) i w temperaturze pokojowej wykazuje wartości pośrednie między przewodnictwem metali,
Bardziej szczegółowoWłaściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ
Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoSkończona studnia potencjału
Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach
Bardziej szczegółowoPrzejścia kwantowe w półprzewodnikach (kryształach)
Przejścia kwantowe w półprzewodnikach (kryształach) Rozpraszanie na nieruchomej sieci krystalicznej (elektronów, neutronów, fotonów) zwykłe odbicie Bragga (płaszczyzny krystaliczne odgrywają rolę rys siatki
Bardziej szczegółowoWprowadzenie do ekscytonów
Proces absorpcji można traktować jako tworzenie się, pod wpływem zewnętrznego pola elektrycznego, pary elektron-dziura, które mogą być opisane w przybliżeniu jednoelektronowym. Dokładniejszym podejściem
Bardziej szczegółowoTechnika laserowa, otrzymywanie krótkich impulsów Praca impulsowa
Praca impulsowa Impuls trwa określony czas i jest powtarzany z pewną częstotliwością; moc w pracy impulsowej znacznie wyższa niż w pracy ciągłej (pomiędzy impulsami może magazynować się energia) Ablacja
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna
Półprzewodniki samoistne Struktura krystaliczna Si a5.43 A GaAs a5.63 A ajczęściej: struktura diamentu i blendy cynkowej (ZnS) 1 Wiązania chemiczne Wiązania kowalencyjne i kowalencyjno-jonowe 0K wszystkie
Bardziej szczegółowoSystemy laserowe. dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki
Systemy laserowe dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki Lasery półprzewodnikowe Charakterystyka lasera półprzewodnikowego pierwszy laser półprzewodnikowy został opracowany w 1962 r. zastosowanie
Bardziej szczegółowoModel elektronów swobodnych w metalu
Model elektronów swobodnych w metalu Stany elektronu w nieskończonej trójwymiarowej studni potencjału - dozwolone wartości wektora falowego k Fale stojące - warunki brzegowe znikanie funkcji falowej na
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowoWidmo promieniowania elektromagnetycznego Czułość oka człowieka
dealna charakterystyka prądowonapięciowa złącza p-n ev ( V ) = 0 exp 1 kbt Przebicie złącza przy polaryzacji zaporowej Przebicie Zenera tunelowanie elektronów przez wąską warstwę zaporową w złączu silnie
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoŹródła światła w technice światłowodowej - podstawy
Źródła światła w technice światłowodowej - podstawy Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim. Wykorzystanie niekomercyjne dozwolone
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe
Przyrządy półprzewodnikowe Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T Metal
Bardziej szczegółowoWstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Paweł Kowalczyk, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2015/16
Bardziej szczegółowoWprowadzenie do optyki nieliniowej
Wprowadzenie do optyki nieliniowej Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim. Wykorzystanie niekomercyjne dozwolone pod warunkiem podania
Bardziej szczegółowoPodstawy krystalografii
Podstawy krystalografii Kryształy Pojęcie kryształu znane było już w starożytności. Nazywano tak ciała o regularnych kształtach i gładkich ścianach. Już wtedy podejrzewano, że te cechy związane są ze szczególną
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE Nr 4 LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH. Badanie krawędzi absorpcji podstawowej w kryształach półprzewodników POLITECHNIKA ŁÓDZKA
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH ĆWICZENIE Nr 4 Badanie krawędzi absorpcji podstawowej w kryształach półprzewodników I. Cześć doświadczalna. 1. Uruchomić Spekol
Bardziej szczegółowoRyszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoProjekt FPP "O" Kosma Jędrzejewski 13-12-2013
Projekt FPP "O" Kosma Jędrzejewski --0 Projekt polega na wyznaczeniu charakterystyk gęstości stanów nośników ładunku elektrycznego w obszarze aktywnym lasera półprzewodnikowego GaAs. Wyprowadzenie wzoru
Bardziej szczegółowo2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.
2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały
Bardziej szczegółowoV. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA
1 V. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA Cel ćwiczenia : Pomiar charakterystyk elektrycznych diod elektroluminescencyjnych. Zagadnienia: Emisja spontaniczna, złącze p-n, zasada działania diody elektroluminescencyjnej
Bardziej szczegółowoI. PROMIENIOWANIE CIEPLNE
I. PROMIENIOWANIE CIEPLNE - lata '90 XIX wieku WSTĘP Widmo promieniowania elektromagnetycznego zakres "pokrycia" różnymi rodzajami fal elektromagnetycznych promieniowania zawartego w danej wiązce. rys.i.1.
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoIX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski
IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski 1 1 Dioda na złączu p n Zgodnie z wynikami, otrzymanymi na poprzednim wykładzie, natężenie prądu I przepływającego przez złącze p n opisane jest wzorem Shockleya
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoTechnika laserowa. dr inż. Sebastian Bielski. Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej PG
Technika laserowa dr inż. Sebastian Bielski Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej PG Technika laserowa Zakres materiału (wstępnie przewidywany) 1. Bezpieczeństwo pracy z laserem 2. Własności
Bardziej szczegółowoLASERY I ICH ZASTOSOWANIE
LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 13 Temat: Biostymulacja laserowa Istotą biostymulacji laserowej jest napromieniowanie punktów akupunkturowych ciągłym, monochromatycznym
Bardziej szczegółowoOgólne cechy ośrodków laserowych
Ogólne cechy ośrodków laserowych Gazowe Cieczowe Na ciele stałym Naturalna jednorodność Duże długości rezonatora Małe wzmocnienia na jednostkę długości ośrodka czynnego Pompowanie prądem (wzdłużne i poprzeczne)
Bardziej szczegółowoWstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15
Bardziej szczegółowoLASERY NA SWOBODNYCH ELEKTRONACH
LASERY NA SWOBODNYCH ELEKTRONACH Historia: 1951 r. Hans Motz, 1957 r. Philips, 1975 r. J. Madey, 1977 r. J. Madey ogłosił uruchomienie pierwszego FEL, 1983 r. pierwszy FEL w obszarze widzialnym Orsey (Francja),
Bardziej szczegółowo6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe
6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe Typy rekombinacji Rekombinacja promienista Diody LED Lasery półprzewodnikowe Struktury niskowymiarowe OLEDy 1 Promieniowanie termiczne Rozkład Plancka
Bardziej szczegółowoWykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoPodstawowe właściwości fizyczne półprzewodników WYKŁAD 1 SMK J. Hennel: Podstawy elektroniki półprzewodnikowej, WNT, W-wa 2003
Podstawowe właściwości fizyczne półprzewodników WYKŁAD 1 SMK J. Hennel: Podstawy elektroniki półprzewodnikowej, WNT, W-wa 003 1. Wiązania atomów w krysztale Siły wiążące atomy w kryształ mają charakter
Bardziej szczegółowoDr inż. Zbigniew Szklarski
Wykład 1: Ciało stałe Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.31 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ Struktura kryształu Ciała stałe o budowie bezpostaciowej
Bardziej szczegółowoGAZ ELEKTRONÓW SWOBODNYCH POWYŻEJ ZERA BEZWZGLĘDNEGO.
GAZ ELEKTRONÓW SWOBODNYCH POWYŻEJ ZERA BEZWZGLĘDNEGO. Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca T=0K T>0K 1 f ( E ) = 0 dla dla E E F E > EF f ( E, T ) 1 = E E F kt e + 1 1 T>0K Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca
Bardziej szczegółowoKrawędź absorpcji podstawowej
Obecność przerwy energetycznej między pasmami przewodnictwa i walencyjnym powoduje obserwację w eksperymencie absorpcyjnym krawędzi podstawowej. Dla padającego promieniowania oznacza to przejście z ośrodka
Bardziej szczegółowo1 Źródła i detektory. V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED.
1 V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym
Bardziej szczegółowoFizyka Laserów wykład 11. Czesław Radzewicz
Fizyka Laserów wykład 11 Czesław Radzewicz Lasery na ciele stałym (prócz półprzewodnikowych) matryca + domieszki izolatory=kryształy+szkła+ceramika metale przejściowe metale ziem rzadkich Matryca: kryształy
Bardziej szczegółowoLasery budowa, rodzaje, zastosowanie. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Lasery budowa, rodzaje, zastosowanie Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Budowa i zasada działania lasera Laser (Light Amplification by Stimulated
Bardziej szczegółowoWłasności optyczne półprzewodników
Własności optyczne półprzewodników Andrzej Wysmołek Wykład przygotowany w oparciu o wykłady prowadzone na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawakiego przez prof. Mariana Grynberga oraz prof. Romana Stępniewskiego
Bardziej szczegółowoMateriały w optoelektronice
Materiały w optoelektronice Materiał Typ Podłoże Urządzenie Długość fali (mm) Si SiC Ge GaAs AlGaAs GaInP GaAlInP GaP GaAsP InP InGaAs InGaAsP InAlAs InAlGaAs GaSb/GaAlSb CdHgTe ZnSe ZnS IV IV IV III-V
Bardziej szczegółowoVI. POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORNOŚCI METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY
Oporność właściwa (Ωm) 1 VI. POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORNOŚCI METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY Cel ćwiczenia: pomiar zależności oporności elektrycznej (rezystancji) metalu i półprzewodnika od temperatury,
Bardziej szczegółowoWYZNACZENIE STAŁEJ PLANCKA NA PODSTAWIE CHARAKTERYSTYKI DIODY ELEKTROLUMINESCENCYJNEJ
ĆWICZENIE 48 WYZNACZENIE STAŁEJ PLANCKA NA PODSTAWIE CHARAKTERYSTYKI DIODY ELEKTROLUMINESCENCYJNEJ Cel ćwiczenia: Wyznaczenie stałej Plancka na podstawie pomiaru charakterystyki prądowonapięciowej diody
Bardziej szczegółowo