Rozdział 3. Rezystancyjne czujniki gazów na podłożu mikromechanicznym

Rozdział 3. Rezystancyjne czujniki gazów na podłożu mikromechanicznym Połączenie własności mechanicznych krzemu z mikroelektroniką przyczyniło się do powstania pod koniec lat 80 zintegrowanych mikrosystemów nazywanych w Ameryce MEMS (ang. Micro-Electro-Mechanical-System), a w Europie MST (ang. Microsystem Technology) [3.1]. Miniaturyzacja czujników wpłynęła na mniejszy pobór energii, a zatem możliwe stało się zastosowanie zasilania bateryjnego. Drogi i zajmujący dużo miejsca sprzęt laboratoryjny ustąpił miejsca niewielkim urządzeniom przenośnym. Mikromechanika znalazła zastosowanie w technice sensorowej z powodu obniżenia poboru mocy czujników mikromechanicznych, mniejszych wymiarów, jak również korzystnych własności mechanicznych, przez co stała się konkurencyjna dla technologii ceramicznych. Najczęściej spotykanym w sensorach gazów elementem mikromechanicznym jest podłoże w kształcie membrany. Niskie przewodnictwo cieplne membran Si 3N 4/SiO powoduje obniżenie poboru mocy urządzenia (poniżej 40 mw). Zaletą jest mała masa przy dużej wytrzymałości mechanicznej, krótki czas odtworzenia sygnału (do około 30 ms), możliwość budowy matryc sensorowych oraz możliwość zastosowania takich czujników w urządzeniach przenośnych. Niewątpliwą zaletą technologii mikromechanicznej jest kompatybilność z technologią wytwarzania układów scalonych, dlatego układy mikromechaniczne mogą być integrowane z układami obróbki i przetwarzania sygnału, a przez to posiadać niewielkie rozmiary. 3.1. Wytwarzanie podłoży mikromechanicznych Zasadniczymi etapami produkcji podłoży mikromechanicznych jest osadzanie warstw, ich domieszkowanie, litografia i trawienie. Układy wytwarza się zwykle na podłożu krzemowym, wcześniej pociętym na płytki oraz oczyszczonym. Na tak przygotowanych podłożach osadza się warstwy SiO, Si 3N 4, polikrzem oraz warstwy metali (Au, Al). Dwutlenek krzemu SiO ze względu na niską przewodność cieplną i elektryczną, podobnie jak w układach scalonych, również w strukturach mikromechanicznych stosowany jest jako izolator (przerwa energetyczna 8 ev). Jest również mniej niż krzem podatny na trawienie oraz sprężysty (moduł Younga 73 GPa), dlatego chętnie stosuje się go do budowy belek lub membran. Materiałem często używanym w technologii mikromechanicznej jest też azotek krzemu Si 3N 4 chroniący przed zanieczyszczeniami przez jony. Materiał ten jest lepszym 51

cieplnym izolatorem niż polikrzem, ale gorszym niż SiO. Nawet cienkie (50 nm) membrany Si 3N 4 posiadają wysoką wytrzymałość mechaniczną przy dużych wstrząsach [3.]. Ponieważ Si 3N 4 wykazuje naprężenia rozciągające, a SiO naprężenia ściskające, to poprzez zmianę grubości i konstrukcji wielowarstw SiO i Si 3N 4 można zredukować wielkość tych naprężeń. Potrzeba detekcji gazu w wysokich temperaturach skłania ośrodki naukowe do poszukiwań nowych materiałów. Standardowe membrany wykonane są z Si 3N 4 lub SiO, dla których temperatura działania ograniczona jest do około 550 o C. Do wyższych temperatur (800 o C) stosowany może być węglik krzemu SiC, zarówno jako grzejnik, jak i struktura membrany [3.3]. Materiał ten stosuje się ze względu na twardość, wysoką odporność termiczną, mechaniczną i stabilność w wysokich temperaturach. 3.1.1. Tworzenie warstwy SiO Wytworzenie warstwy SiO następuje w procesie termicznego utleniania krzemu. Utlenianie może odbywać się w atmosferze tlenu suchego lub wilgotnego (szybszy proces). Funkcją warstw tlenkowych jest maskowanie oraz pasywowanie powierzchni krzemu, czyli ochrona przed zanieczyszczeniami i zmniejszenie ilości stanów powierzchniowych [3.4]. Aby osadzić warstwy SiO na innym niż krzemowe podłożu, wykorzystuje się proces zwany chemicznym osadzaniem z fazy gazowej CVD (ang. Chemical Vapor Deposition). W procesie tym chemiczne składniki warstwy są dostarczane do reaktora jako mieszanina gazów. Podłoże jest ogrzewane do temperatury, która wymusza reakcje pirochemiczne i formowanie warstwy. Ze względu na warunki ciśnienia wyróżniamy dwa rodzaje chemicznego osadzania. W systemach z ciśnieniem atmosferycznym (ang. Atmospheric Pressure CVD) stopień wzrostu jest o wiele wyższy niż w systemach z niskim ciśnieniem (ang. Low Pressure CVD), ale osadzane warstwy są mniej jednorodne. Proces CVD jest także stosowany w celu osadzania grubych (>1.5 µm) warstw tlenku, lub kiedy podłoże nie może być w prosty sposób utleniane termicznie. Poprzez CVD na warstwie SiO osadzony może być też metal, polikrzem, Si 3N 4 i in. [3.5]. Specjalną odmianą techniki osadzania chemicznego CVD jest epitaksjalny wzrost warstw. Epitaksja jest rozumiana jako wytwarzanie cienkiej warstwy półprzewodnika monokrystalicznego na podłożu monokrystalicznym z zachowaniem ciągłości budowy krystalicznej. Warstwy epitaksjalne mają identyczną orientację krystalograficzną co podłoże, ale mogą mieć inne właściwości elektrofizyczne (np. różnego rodzaju przewodnictwo typu n lub p, różną koncentrację domieszek) [3.4]. 5

Wiele warstw nie jest termicznie stabilnych w temperaturach używanych zwykle przy konwencjonalnym osadzaniu CVD. Aby zredukować temperaturę osadzania wykorzystuje się proces zwany nanoszeniem chemicznym ze wspomaganiem plazmowym PECVD (ang. Plasma-Enhanced CVD). W rezultacie uzyskuje się lepsze pokrycie warstwy. Wadą warstw PECVD jest znaczący udział wodoru i mniejsza niż w procesie CVD gęstość powstałych warstw. Degraduje to właściwości elektryczne i mechaniczne materiału [3.5]. Przygotowane podłoże krzemowe może posłużyć dalszym procesom wytwarzania podłoża mikromechanicznego. 3.1.. Domieszkowanie W przypadku membran i belek mikromechanicznych istnieje potrzeba zmiany właściwości warstw przez wprowadzenie odpowiednich domieszek. Proces domieszkowania dokonywany jest poprzez dyfuzję termiczną lub implantację jonów. Dyfuzja termiczna jest osiągana przez ogrzanie płytek krzemowych w piecu wysokotemperaturowym (1000 o C) i przepuszczenie strumienia gazu zawierającego domieszki w poprzek powierzchni płytki Si. Wskutek chaotycznego ruchu cieplnego, atomy domieszki dyfundują w głąb podłoża z obszarów o wyższej koncentracji do obszarów o niższej koncentracji domieszki. Implantacja jonów wprowadza domieszki poprzez bombardowanie płytki krzemowej strumieniem jonów rozpędzonych w silnym polu elektrycznym. Proces ten nie wymaga wysokich temperatur. W przypadku czujników mikromechanicznych podłoże najczęściej domieszkuje się borem. Ma to na celu powstanie warstwy domieszkowanej p + Si, w której proces trawienia następuje wolniej niż w podłożu. Zjawisko to nazywane jest stopowaniem trawienia i może służyć określaniu grubości membrany/belki. 3.1.3. Litografia Litografia jest techniką służącą wykonaniu wzoru projektowego na podłożu. Wzór maski jest przenoszony na powierzchnię podłoża poprzez materiał promienioczuły. Promieniowaniem mogą być fale optyczne, rentgenowskie, strumień elektronów lub jonów. Kiedy nanoszenie wzoru odbywa się przy pomocy fal optycznych, wówczas materiał światłoczuły potocznie nazywany jest fotorezystem, a cały proces fotolitografią. Emulsja fotorezystu zostaje równomiernie rozłożona na powierzchni i wysuszona (rys.3.1a). 53

Rys.3.1. Procesy wytwarzania struktur mikromechanicznych (membrany) techniką fotolitografii Następnie powierzchnię naświetla się promieniowaniem UV przez specjalną maskę kontaktową (płaszczyzna szklana pokryta chromową warstwą wzoru rys.3.1b). Po wywołaniu i utrwaleniu warstwa światłoczuła ochrania tylko część maskowaną - wzór maski zostaje przeniesiony na fotorezyst. Kwas fluorowodorowy HF wytrawia tzw. okna trawienia w odsłoniętej części warstwy SiO (rys.3.1c). Szerokość okna wpływa na kształt, który zostanie wytrawiony. Dla wąskiego okna powstanie rowek typu V, podczas gdy dla szerokiego okna może zostać utworzony otwór przelotowy bądź membrana w zależności od obecności warstwy stopującej trawienie i czasu trawienia (rys.3.1e). 54

3.1.4. Trawienie Trawienie anizotropowe (zależne od orientacji krystalograficznej) skutkuje powstaniem pochyłych ścian (o kącie 54,74 o ), co w połączeniu z szerokością otwarcia maski trawienia determinuje ostateczną wielkość otworu lub V-rowka (rys.3.1e). Za grubość membrany odpowiada selektywnie zapobiegająca trawieniu warstwa stopująca (ang. stop etching layer), jak również czas trawienia. Spotyka się trawienie suche lub mokre (chemiczne). Najczęściej stosowanymi środkami chemicznego trawienia są HF dla SiO oraz KOH, NaOH, EDP (Etylenodiamina-Pyrokatehol) dla warstwy Si [3.6]. Do trawienia suchego można zaliczyć fizyczne odparowanie, trawienie reaktywnymi jonami RIE (ang. Reactive Ion Etching) oraz trawienie plazmą [3.5]. W odróżnieniu od trawienia suchego, procesowi chemicznemu można poddać kilka płytek krzemowych równolegle. Trawienie mokre cechuje wysoka selektywność, jest jednak trudniej je kontrolować (przez domieszkowanie podłoża, jakość maski) i jest ono bardziej szkodliwe dla środowiska. 3.. Podział technologii mikromechanicznych Technologie wytwarzanie układów mikromechanicznych można podzielić na mikromechanikę objętościową i powierzchniową. Mikromechanika objętościowa została rozwinięta w latach 70. jako rozszerzenie techniki układów scalonych w celu stworzenia struktur 3D - procesy trawienia obejmują w niej podłoże, natomiast w mikromechanice powierzchniowej trawione są jedynie cienkie warstwy nałożone na podłoże. 3..1. Mikromechanika objętościowa Głównym problemem w integracji podłoży mikromechanicznych z czujnikami gazu na bazie tlenków metali jest temperatura działania. Poszukiwano takiego konstrukcyjnego rozwiązania podłoża, które zapewniałoby stosunkowo niewielki pobór mocy i optymalny rozkład temperatury (jednorodny rozkład temperatury na niewielkiej powierzchni). Semancik [3.7] rozwiązał ten problem w 1993 roku przez zastosowanie cienkowarstwowego włókna jako grzejnika na dielektrycznej membranie podwieszonej na belkach i stworzył tym samym strukturę nazywaną membraną typu hot-plate lub spider (rys.3.). Zaletą tego rozwiązania jest kompatybilność z technologią CMOS, bowiem procesy prowadzone są na wierzchniej stronie płytki krzemowej. Ponadto membrany hot-plate z powodzeniem mogą być stosowane jako elementy matrycy czujników gwarantując kontrolę dystrybucji ciepła na poszczególnych membranach w sposób niezależny. 55

Rys.3.. Budowa membrany typu hot-plate Drugim rodzajem membrany jest konstrukcja zamknięta (rys.3.3). Rozwiązanie to wymaga zastosowania fotolitografii i trawienia po dolnej stronie płytki krzemowej. Etapy wytwarzania tego typu membrany ilustruje rys.3.1. Rys.3.3. Budowa membrany typu zamkniętego Grzejnik umieszczony w membranie wykonuje się najczęściej z platyny lub polikrzemu. Czasami stosowane są dodatkowe warstwy z materiałów o dużej przewodności cieplnej (np. Al lub Si) umieszczone na dolnej stronie membrany. Dzięki nim pole rozkładu temperatury jest bardziej jednorodne. W procesach mikromechaniki objętościowej wytwarzane mogą być również elementy zwane mikrobelkami stosowane powszechnie w mikroskopach sił atomowych AFM (ang. Atomic Force Miscroscope). Na rys.3.4 przedstawiono belkę podpartą wytwarzaną w procesie anizotropowego głębokiego trawienia. 56

Rys.3.4. Etapy powstawania belki jednostronnie podpartej W pierwszej fazie następuje utlenianie termiczne płytki w celu wytworzenia warstwy SiO maskującej trawienie. Po wytworzeniu okna odpowiadającego długości belki (fotolitografia I) płytka poddawana jest trawieniu (np. HF), a następnie silnemu domieszkowaniu p + w obszarze okna. Ponownie nakładana jest maska, tym razem nieco przesunięta (fotolitografia II). Anizotropowe trawienie KOH powoduje uwolnienie belki. 3... Mikromechanika powierzchniowa Proces wytwarzania w mikromechanice powierzchniowej nie obejmuje podłoża - dotyczy jedynie osadzonych na podłożu cienkich warstw. Na krzem nałożona zostaje warstwa poświęcona (ang. sacrificial layer) (rys. 3.5a), w której wytrawia się miejsce pod zaczep belki. Następnie nanoszona jest warstwa strukturalna o długości belki (rys. 3.5b). W celu rozpuszczenia warstwy poświęconej tlenku wykorzystywany jest kwas fluorowodorowy HF powodujący uwolnienie belki (rys. 3.5c). 57

Rys.3.5. Schemat wytwarzania mikrobelki metodami mikromechaniki powierzchniowej Najczęściej warstwą poświęcaną (trawioną) jest SiO, a materiałem strukturalnym polikrzem, jednak gdy zachodzi potrzeba izolacji jako belki używa się Si 3N 4. Istnieją również rozwiązania, w których jako warstwa strukturalna stosowany jest Al, natomiast fotorezyst jest warstwą poświęconą. W tym przypadku uwolnienie warstwy Al dokonane zostaje przez usunięcie fotorezystu za pomocą trawienia plazmą. Maksymalna grubość warstw strukturalnych w tradycyjnej mikromechanice powierzchniowej jest ograniczona do 10 µm z powodu naprężeń, które mogą prowadzić do uszkodzeń podczas procesów technologicznych. Co więcej, istnieją ograniczenia szybkości procesu. Wolny stopień osadzania w tradycyjnych metodach, takich jak CVD można zastąpić szybszym osadzaniem warstw dzięki technikom ablacji laserowej (ang. PLD - Pulsed Laser Deposition) [3.5]. 3.3. Pomiar koncentracji gazu metodą rezonansu i odchyleń mikrobelki Struktura belki może być wykorzystana jako podłoże dla wytworzenia czujnika gazu. W rozwiązaniu takim zmiany częstotliwości rezonansowej (tryb dynamiczny) lub odchylenia belki (tryb statyczny) spowodowane będą przyrostem masy belki o zaadsorbowane cząstki gazu. Dla prostego czujnika na belkach o masie rzędu około 10-9 10-6 g minimalna rozpoznawalna zmiana masy może być nawet rzędu 10-1 g [3.8]. W celu poprawienia odbicia wiązki lasera podczas pomiaru częstotliwości drgań powierzchnię belki pokrywa się warstwą Cr/Au. Wyniki modelowania i symulacji w pracy [3.9] pokazują, że częstotliwości rezonansowe maleją liniowo ze wzrostem adsorbowanej 58

masy. Dla mikrobelki o stałej sprężystości k, częstotliwość rezonansowa f 0 jest odwrotnie proporcjonalna do pierwiastka z masy efektywnej belki wg zależności: 1 k f 0 =. (17) π m eff Masę efektywną wylicza się ze wzoru: meff n0m b =, (18) gdzie n 0 - współczynnik geometryczny, m b masa belki. Dla mikrobelki o przekroju prostokątnym o szerokości w, długości l, grubości d i współczynniku geometrycznym n=0,4 częstotliwość rezonansowa wynosi: f 0 3 1 Ewd =, (19) 3 π 4l n 0m b gdzie E - moduł Younga belki. Przyrost masy może być opisany poniższym równaniem: k 1 1 m = 4π n0 f1 f 0, (0) gdzie f 1- częstotliwość rezonansowa belki po adsorpcji gazu, f 0- częstotliwość belki nieobciążonej [3.10]. Oprócz rejestracji obecności gazu metodą rezonansową, można również dokonywać pomiaru statycznego odchyleń mikrobelki. W metodzie tej rejestrowane jest ugięcie belki na skutek adsorpcji gazu na materiale aktywnym umieszczonym na wierzchniej stronie, co przedstawia rys.3.6. Typowe rozmiary mikrobelek w modzie statycznym (pomiar odchylenia) to: grubość 0,-1 µm, szerokość 0-100 µm i długość 100-500 µm. Konstrukcje te pozwalają na pomiary naprężeń powierzchni w bardzo małym zakresie rzędu mn/m. Metoda odchyleń jest dokładniejsza od metody rezonansowej. W dodatku może być stosowana zarówno dla gazów, jak i dla cieczy. W przypadku cząstek lotnych odchylenie może być rejestrowane na poziomie poniżej 10-10 m [3.11], dla cieczy rozdzielczość pomiaru jest jeszcze większa. 59

Rys.3.6. Odchylenie mikrobelki na skutek adsorpcji gazu Kiedy naprężenia po obu stronach belki będą różne ( σ > σ 1) nastąpi ugięcie, które może być charakteryzowane przez promień krzywizny R. Efekt powierzchniowych naprężeń określa równanie Stoneya: 1 R 6(1 v) = Ed ( σ σ ) 1, (1) gdzie v - współczynnik Poissona, E - moduł Younga belki, d grubość belki. Promień krzywizny przekłada się na odchylenie końcówki belki z=l /R, stąd: 3l (1 v) z max = ( σ 1 σ ), () Ed gdzie: l efektywna długość belki, σ naprężenie. Różnica naprężeń powierzchniowych jest w pierwszym przybliżeniu proporcjonalna do liczby zaadsorbowanych cząstek, dlatego także do całkowitej dodanej masy m, σ = c1 m (3) gdzie c 1 stała zależna od współczynnika lepkości adsorbowanych molekuł. Maksymalne odchylenie z max można wyrazić poprzez wzrost masy: 60

z max 3l (1 v) = c1 m Ed (4) Ugięcie belki można mierzyć za pomocą pomiaru zmiany kąta odbicia promienia laserowego od belki (metoda optyczna). W skład urządzenia pomiarowego wchodzi dioda laserowa, system ogniskowania, filtry oraz detektor pozycji PSD (ang. Position Sensor Detector) jak przedstawiono na rys.3.7. Rys.3.7. Schematyczny układ do pomiaru wychylenia belki Urządzeniem PSD jest najczęściej linijka fotodiod użyta do zbierania odbitego światła lasera. Prąd wyjściowy fotodiody zależy liniowo od odchylenia mikrobelki. Filtr optyczny umieszczony przed fotodiodą służy do selekcji oczekiwanej długości fali. Odchylenie belki można wyrazić poprzez zmianę pozycji na detektorze PSD: x z max = l, (5) h gdzie h - odległość belki od fotodiody, x przesunięcie strumienia światła na fotodiodzie [3.11]. 3.4. Realizacje czujników na podłożu mikromechanicznym w postaci membran Zasadniczo z powodu złożonej aparatury pomiarowej czujniki z belką ustępują rozwiązaniu z membraną, przy czym membrana najczęściej służy jedynie zmniejszeniu poboru mocy, a pomiar koncentracji dokonywany jest poprzez elektrody w sposób 61

klasyczny. Przykładem takiego rozwiązania jest sensor MGS 1100 firmy Motorola. Jest to czujnik o budowie zamkniętej membrany (rys.3.8). Rys.3.8. Czujnik MGS 1100 na membranie zamkniętej: (a) element mikromechaniczny z warstwą aktywną, (b) przekrój przez obudowę Impulsowo zasilany grzejnik polikrzemowy posiada w środku prostokątne wycięcie stosowane w celu ujednorodnienia rozkładu ciepła. Warstwa gazoczuła SnO została naniesiona w technologii RGTO. Filtr węglowy poprawia selektywność względem CO. Pomiar odpowiedzi sensora dokonywany jest w omówionym wcześniej układzie z dzielnikiem napięciowym. Czujnik ten powstał na bazie licencji szwajcarskiej firmy Microsens, która również może się poszczycić serią sensorów mikromechanicznych serii MSGS czułych na lotne substancje organiczne, np. dym tytoniowy oraz CO/CH 4 [3.1]. Istnieją zarówno pojedyncze czujniki, jak również matryce złożone z czterech lub sześciu sensorów (rys.3.9). 6

a) b) Rys.3.9. Czujniki firmy Microsens: (a) pojedynczy czujnik MSGS 3000, (b) MSGS 4000 z matrycą czterech sensorów [3.1] Pierwszym w Polsce mikromechanicznym czujnikiem gazu wykorzystującym jako podłoże membranę krzemową był sensor wytworzony we współpracy Katedry Elektroniki AGH i Instytutu Technologii Elektronowej w Warszawie. Ogólny zarys czujnika przedstawia rys.3.10. Rys.3.10. Schemat ogólny mikromechanicznego czujnika wytworzonego we współpracy AGH i ITE Materiał gazoczuły został naniesiony na membranę krzemową (grubość membrany rzędu kilku µm) w technologii cienkowarstwowej (grubość warstwy gazoczułej ok. 0,5 µm). Kontakty umieszczone na wierzchniej stronie zostały połączone bezpośrednio z grzejnikiem Pt o rezystancji 18- Ω. Gotowe płytki krzemowe (rys.3.11a) zostały pocięte piłą diamentową na pojedyncze układy (rys.3.11c), zamontowane w obudowie i poddane testom. Rzeczywista pobierana moc dla temperatury 350 C wyniosła ok. 0.47 W w powietrzu i ok. 0.31 W w próżni, co jest wynikiem korzystnym w stosunku do czujników na podłożu ceramicznym [3.19]. 63

Rys.3.11. Ostatni etap przygotowania czujnika w Katedrze AGH: (a) Płytki krzemowe z gotowymi podłożami (b) Membrany (widok od spodu płytki) (c) Gotowy układ wycięty z płytki (widok od góry) (d) Struktura podłoża zamontowana w obudowie TO5 Doświadczalnie wykazano, iż aby zapewnić mały pobór mocy należy zminimalizować kontakt czujnika z obudową. Optymalnym rozwiązaniem byłoby zawieszenie sensora na drutach, co z kolei zmniejszyłoby wytrzymałość mechaniczną czujnika. Źródła: [3.1] http://memscyclopedia.org/document/intromems.pdf. [3.] Brian Stark, MEMS Reliability Assurance Guidelines for Space Applications, Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, JPL Publication 99-1, chapter4:material Properties,p.49-85 http://parts.jpl.nasa.gov/docs/jpl%0pub%099-1.pdf. [3.3] Gregor Wiche, High Temperatur SiC Micro Hotplate for Gas Sensors http://www-mat.ee.tu-berlin.de/files/research/start_research.htm. [3.4] W.Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, s.78-85, WNT, Warszawa 1979. 64

[3.5] M. Mehregany and S. Roy, Microengineering Aerospace Systems, Chapter 1: Introduction to MEMS, Microfabrication Laboratory, Electrical Engineering and Applied Physics, Case Western Reserve University, Cleveland, Ohio http://www.aero.org/publications/helvajian/helvajian-1.html. [3.6] http://ece-classweb.ucsd.edu:16080/spring06/ece138l/etching_1_(general_&_wet).pdf. [3.7] J. S. Suehle, R. E. Cavicchi, M. Gaitan, S. Semancik, Tin Oxide Gas Sensor Fabricated Using CMOS Micro-Hotplates and In-Situ Processing, IEEE Electron Device Letters, 1993, 14, 3, 118-10. [3.8] R. Berger, Microelectron Eng., 35, pp 373-379, 1997. [3.9] Ijaz H. Jafri, Frank DiMeo Jr., Experimental investigation, modeling, and simulations for MEMS based gas sensor used for monitoring process chambers in semiconductor manufacturing, National Institute of Standards and Technology Advanced Technology Program, Cooperative Agreement Number 70NANB9H3018. http://www.intellisensesoftware.com/papers/experimental%0investiga.pdf. [3.10] Sarah S. Bedair, Gary K. Fedder, CMOS MEMS Oscilator fo gas chemical detection, Department of Electrical & Computer Engineering and The Robotics Institute Carnegie Mellon University, Pittsburgh USA http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?isnumber=30805&arnumber=146330&coun t=414&index=47. [3.11] P.G. Datskos, Chemical Detection Based on Adsorption-Induced and Photo-Induced Stresses in MEMS Devices, Oak Ridge National Laboratory, University of Tennessee Knoxville http://www.mnl.ornl.gov/conferences/conf_4.pdf. [3.1] http://www.microsens.ch/products.htm. [3.13] http://download.siliconexpert.com/pdfs/quickdata/mot/mgs1100.rev.pdf. [3.14] http://metrology.hut.fi/courses/186/mems-fujita.pdf. [3.15] http://www.sameconference.org/same_003/images/documents/tutorials/tutorial_3_mems_p1.pdf. [3.16] http://www.ktu.lt/lt/mokslas/zurnalai/mechanika/mech_5/lendraitis5.pdf. [3.17] http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f/dsk1/tape4/pqdd_0010/mq6001.pdf. [3.18] http://archiv.tu-chemnitz.de/pub/006/0011/data/stoney.pdf. [3.19] W.Maziarz, Zintegrowany sensor gazów wytworzony w technologii mikromechanicznej, Rozprawa doktorska, Katedra Elektroniki AGH, Kraków 006. [3.0] Gardner, Julian W.; Varadan, Vijay K.; Awadelkarim, Osama O. Knovel, Microsensors, MEMS, and Smart Devices, Publisher: John Wiley & Sons Copyright / Pub. Date: 001 ISBN: 978-0-471-86109-6 Electronic ISBN: 978-1-60119-081-9 No. Pages: 58 http://www.knovel.com/knovel/toc.jsp?bookid=1436&verticalid=0. 65