UKD 1383 ELEMENTY PÓŁPREWODNKOWE _ N O R M A B R A N O WA Tranzystory typu Be 177 Be 17B Be 179 BNBO 337530/0 ' Grupa katalogowa 193 1 Prz'ldmiot pormy Przedmiotem normy sę krzemowe Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń tranzystora _ wg epitaksjalno_planarne tranzystory pnp małej mocy małej rysunku i tab 1 częstotliwości typu B 177 B 178 B 179' w obudowie Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta metalowej do zastosowań powszechnego użytku oraz w urzę c'e dzeniach w których wymaga się zastosowania elementów ( wysokiej i bardfo wysokiej jakości zgod:ie z określenia_ mi wg PN78/ T01515 Tranzystory przeznaczone sę do pracy w stopniach s teruję cyh i wejściowych wzmacniaczy małej częstotliwości Tranzystory B ' l '19 przeznaczone sę głównie do zastosowań w stopniach wejściowych o niskim poziomie szumów Tr:anzystory B 177 B )78 B 179 sę ko!"'plemertarne do tranzystorów B 107 B 108 B 109 Kategoria klimatyczna wg PN73/E0550/00 dla tran_ zystorów o: standardowej'jakości (poziom jakości ) _ 0/15/0 11 '" Q r ' Kolektor ( ) tranzystora jest połęczony obudowę Tablica 1 A 1= r ' i 181180/3375 3OD elektrycznie z ' wysokie:i:jakoś ci (roziom jakości ) 0/15/ 1 o bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) 0/15/ 5 Przykład oznaczenia tranzystqrów a) o standardowej jakości : TRANYSTOR B 177 BN80i 337530/0 b) o wysokiej jakości: TRANYSTOR B 177/ 3 BN80/3 3753 /0 cl o bardzo wysokiej jakości: TRANYSTOR B' 177/ BN80/ 337530/ 0 Kęt Symbol Wymiary mm o wymiaru min nom max nom A 3 53 a 5 1 ) b 0 053 D 53 58 D 1 53 95 F l O j 09 1 1 ) 1 15 3 echowanie tranzystorów powinno zawierać nazwę producenta oraz oznaczen i e typu (podtypu) Ponadto tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane c y frę 3 a tranzystory o bardzo wysokiej jakości cyfrę umies zczonę po oznaczeniu typu k 0 1 l 175 J 5 X 5 1 ) 1) Wymiar teoretyczny głoszona przez NaukowoProdukcyjne entrum Półprzewodników Ustanowiona przez Naczelnego Dyrektora jednoczenia Przemysłu Podzespołów i Materiałów Elektronicznych UNTRAELEKTRON dnia 8 października 1980 r jako norma obowiązująca od dnia l lipca 19a1 r (Dz Norm i Miar nr 8/ 1980 poz 113) WYda nie gd zr WYDAWNTWA NORMALAYJNE "ALFA" 1987 Druk Wyd Norm Wwe Ark wyd 10 Nakł 00+3 am 185/ 87 ena zł
BN0/337530/0 5 Badania w grupie A B i D wg BN0/337530/00 P 5 1 Wymagania szczegółowe do badań grupy A B i D na narażenia elektryczne: układ OS wg PN7/T 01515 tabl 7 JE '0mAU m30vdlab' 1770raz B E = = 0 mau B = 15 V dla B 17 i B 179" t amb = 5" j) badania podgrupy sprawdzenie parametrów elekt rycznych wg tab 3 a) badania podgrupy Al sprawdzenie wymiarów: D D 1 A l wg rysunku i tabl 1 b) badania podgrupy A sprawdzenie podstawowych parametrów elektrycznych wg tabl k) badania podgrupy : _ sprawdzenie wytrzymałości na przyspieszenie tałe _ kierunek probierczy obydwa kierunki wzdłu:t"' osi wyprowadzeń mocowan i e za obudowę parametrów elektrycznych wg tabl 3 d) badania podgrupy A _ Sf'rawdzenie parametrów eleko trycznych w t amb = 15 wg t<lbl (poziom ill i V) e) badan ia podgrupy B 1 i : s/jrawdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowadzeń próba Ub metoda! 5 N 3 cykle: próba Ua 1 5 N" sprawdzenie szczelności próba Ok póziom niesz 3'/ czelności 5' 10 Pa' dm s f) badania podgrupy 3 sprawdzenie 1 1 g masy wyrobu g) badania podgrupy B 3 i 9 sprawdzenie ' wytrzymałości na spadki swobodn położeietr8nżystora w c'asie spadania ości wyprowadzeniami do góry" h) badęnia podgrupy B i ' sprawdzenie wytrzyll'a na udary wielokrolne: mocowanie za obudowę i) badania podgrupy B i sprawdzenie odporności c) badania podgrupy A3 ' sprawdzenie drugorzędnych ' sprawdzenie wytrzymałości njł udary wi'clekrotne mocowanie za obudowę _ sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o' stałej częst tliwości mocowanie za obudowę ) badania podgrupy'l0 sprawdzenie wymiarów wg ry_ sunku i tabl l m) badania podgrupy Dl (poziom i V) sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmosferyczne: temperatura narażania 5 0 ' n) badanie podgrupy 0 _ sprawdzenie wytrzymałości na pleśń; po badaniu brak p'orostu pl eśni o) badanie podgrupy 05 sprawdzenie wytrzymałości na mgłę ' solnę: położenie tran;zystoris dowolne p) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i' po bada'niach grupy B i D wg tabl 5: 7 Pozostałe postanowienia wg BN80/337530/00 Tablica Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A (poziom l V) Lp Oznaczet)ie!terowe parametru Metoda po_ Wartości graniczne miaru wg Jed_ Warunki pomiaru ' B 177 PN7/ nos tka B 17 B 179 T0150 min max min max min max 1 3 5 7 8 9 10 1 1 1 ES ark 09 U =0 V E R m O BE na 100 100 100 l = ma U ark 03 V 5 5 0 1 = O B (BR) EO 3 U ark 03 (BR) ES 1 Q 10 /LA E V 50 30 5 RBEm O = 10 pa U BR ) ark 0 E V 5 5 5 EDO c = O 1 = ma 5 80 5 850 110 50 : U E 5V V 5 'SO 5 150 5 h 1E 1) ark 01 kl A 110 0 110 0 110 0 kl B 00 0 00 80 00 0 kl 00 850 00 50
B80/337530/0 3 cd tab Jed nos tka Be 177 Be 178 Be 179 Metoda po Oznaczenie mlaru wg literowe Lp PN7/ Warunki pomiaru parametru T0150 Wartości graniczne min max min max min ma>< 1 3 5 7 8 9 10 1 z 0 ma / U E 5V R kn Af 30 Hz; F ark 15 khz db " 1 0 ma U E 5V Ra kn At = 00 Hz 10 10 1) Selekcja na asy wzmocnienia (V A B e) tylko na życzęnie odbiorcy Tablica l Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A3 (poziom V) Wart ości graniczne Oznaczenie etoda pomiaru Lp literowe wg Warunki pomiaru Jednostka Be 177 Be 178 Be 179 parametru PN7/T 0150 min max min max min max l 3 5 7 8 9 10 l 'u Ba! E ark 0 10 ma la 05 ma mv 00 00 00 " U 0 BE Jat 1 = 10 ma ark mv 800 800 800 05 ma B 3 UB i; ark 01 1 ma U ' '" 5 V E mv 550 700 550 700 550 700 l = 10 ma f T ark U E 5V MHz 100 100 100 f 100 MHz 5 ebo ark U 10 V B re O pf 7 7 7 f l MHz Tablica Parametry elektryczne sprawdza";e w badaniach podgrupy A (poziom V) Wartości graniczne Oznaczenie Metoda pomiaru f Lp literowe wg Warunki pomiaru Jednostka Be 177 Be 178 ee 179 parametru PN7/T 0150 min max min max min max 3 5 7 8 9 10 t ES ark 09 U E '" 0 V R ae '" O o ta mb 15 e pa "
BN80/33'/530/0 Oznaczenie literowe parametru Tablica 5 Parametry " elektryc:ne sprawdzane w czas ie < po badaniach grupy B i ozi<:"" l V ) Metoda po_ miaru wg PN7/ T0150 1 3 1 U = 0 V D 11 ) 1' a r k 09 E 'ES Wart ości graniczne Warunki pomiaru Podgrupa badań Jednostka Be 177 B 178 B 179 l F' ' 8 9 10 Bl B3 B' B 5 5" 7 9 na min max min max min m ax 100 100 100 R = O BE B 8 na 1 +00 500 500 1 ) )LA Bl B 3 B B5 5 80 5 850 110 850 V 5 7 9 5 150 5 150 k l A 110 0 110 0 110 0 k l B 00 80 00 80 00 8 0 k l 00 850 00 850 B 8 50 580 50 100 90 100 h 1E ark 01 V 50 180 50 180 1 = ma U = 5V k l A 90 90 90 90 90 90 E kl B 1 0 580 10 580 10 580 k i 30 100 30 10 0 V 1 ) 30 30 1 L L_ 1) W czasie badania ki A 5 5 5 ki B 8 0 80 80 ki 10 10 K O N E NFORMAJE DODATKOWE PN7/ T 01503/8 Elementy półprzewodnikowe i wym iary Podstawa B l PN7/T0150/01 Tranzys tory Pomiar h 1E arysy napię PN7/ TOl50/ 0 Tranzystory Pomiar napięć nasycenia U U E sa! BE sat PN7/T O 150/03 Tranzystory Pomiar napięć U U U ' U(BR) EO (B R ) ES (BR) ER' (BR) EX PN7/T O 150/ 0 Tranzystory Pom iar napięć U(BR) BO i U (BR) EBO PN7/T 0150/ 09 Tranzystory 'P om iar prędów resztkowych ER' ES ' EV i prędu zerowego EO l nstytucja opracowujjlca normę NaukowoProdukcyjne entrum P ó łpf"zewodnik ów Normy zwijlzane PN73/E0550 Wyroby e lektrotechniczre Próby środowiskowe PN8/ T O 1503 Elementy półprzewodnikowe arysy i wymiary przebicia przeb ici a ci a U BE PN7/T0150/1 Tranzystory Pomiar h 1e w zakresie m cz
nformacje dodatkowe do BN80/337530/0 5 PN7/T0150/ Tranzystory Pomiar pojemności ebo i EBO PN7fT01S0/ Tranzystory Pomiar modułu h 1e l w zakresie wcz i częstotliwości f T PN7/T 0150/ Tranzystory "Pomiary parametrów szumów PN78/T01515 Elementy płprżewodnikowe Ogólne wy':' magania i badania BN80/337530/00 Elementy półprzewodnikowe Tranzy / story małej mocy małej częstotliwości Wymagania i badania 3 Normy zagraniczne RWPG T 3B 377 TpBH3HTO THllOB B 177 Symbole KTM tranzystorów B 177 11511000 Be 177V 115110017 Be 177A 11511000 B :778 11511003 B 178 1151107005 B 178V 1151107018 B 178A 115110700 B 178B " 1151107033 B"f78 11511070 B 79 115110800 B 179A 1151108019 B 179B 115110801 B 179 115110803 B 178 B 179 norma 90dna 5 Wartości dopuszczalne wg tabl 11 rys 11 Tablica ll LP Oznaczenie parametru Nazwa parametru Jednostka Wartośc i dopuszcza ne B 177 B 178 B 179 1 3 5 7 1 VEo napięcie stałe kolektor_ emiter V 50 30 5 U ES napięcie stałe kolektor emiter przy V 50 30 5 i R BE =0 3 VEBO napięcie stałe emiter baza V 5 5 5 l pręd stały kolektora ma 100 100 100 5 lm pręd szczytowy kolektora ma 00 00 00 l B pręd stały bazy ma 50 50 50 7 P tot całkowita m" "wejściowa ' ( stała lub średnia) na ws S'tKich elektrodach przy tam!> "5 mw 300 300 300 8 tj 9 tam!> temperatura złęcza temperatura otoczenia w czasie pracy o 175 175 Oc 0 ; +15 0; +15 175 0; +15 10 t stg temperatura przechowywania Oc 55; +175 55+175 55; +175 Rezystancja term iczna złęcze otoczenie Rezystancja termiczna złęcze obudowa 10 Be 11' B'rs 'Lt B179 R th j a 500 K/ W R th j c 00 K/W 0' D 11 " "pł r 't " 5 o 5 50 75 " 1 r 100 1' r 181180/3375300111 Rys 11 ależność temperaturowa mocy strat od tmperatury p tot = te t)
nformacje dodatkowe do BN0/337530/0 j Dane charakterystyczne wg tabl 1 i rys 1; 11 Tablica 1 Oz naczenie Nazwa Jed Lp Warunki pomiaru para_ parametru nos tka metru Typ tranzystora B 177 B 178 B 179 min typ max min typ max min typ max l 3 5 7 8 9 10 l l 1 13 1 l 1 ES pręd resztko U = '0 V ee wy kolektora R ae = O na 100 100 100 napięcie prze11e = ma U (ar1eeo bicia kolektor _ emiter 1 = O napięcie prze 1 ' a = lo' jla V '5 5 0 3 bicia kolektor E V 50 U(aR)eES 30 5 emiter R = O ae napięcia prze 1 = 10 jla UBR)EBO bicia emiter E V 5 5 S baza l = O statyczny l ' 5 h l wzmocnienia 1E fole = 10 jla k 'l V ' 5 5 U E =5V kl A 110 ' 110 110 kl B 00 00 00 ki 70 70 fe = ma 5 80 5 50 110 850 U =5V współczynn ik klv 5 100 150 5 100 150 pr'ędowege> w kl A 110 180 0 110 180 0 110 180 0 uklad"ie wspó nego en1itera kl B 00 90 8 00 90 80 00 90 80 kl 50 50 l = 100mA kl V 70 00 70 850 00 850 e ki B 190 190 Ue E =5V kl A l 10 110 : l = 10 pa U E =5V 570 570 570 [ e = ma ae ' napięcie stałe U E =5V mv 550 50 700 550 50 700 550 50 700 baza emiter [ = 100 ma:!) 800 800 U = 5 V E [ E 10 ma napięcie nasy l = 05 ma O l 0 O 0 O 0 7 UE sal cenia kolektor ru ae aal B E 100 ma ) V em iter 03 095 03 095 l a = 5mA le 10 ma 070 080 070 080 070 080 napięcie nasy [ = 05 ma B ' 8 cenia baza V emiter l E 100 ma ) e 090 1 0 090 l 0 090 10 l B = 5 nia ' 9 U EK = 10 ma napięcie kolan_ l = li ma /<owe V 03 0 03 0 03 0 Vet =V
nformacje dodatkowe do BN90j337530j0 cd tabl 1 Lp Oz nacznie para_ metru Nazwa parametru Warunki pomiaru Jednostka Typ tranzystora Be 177 ae 178 min typ max min typ max min ae 179 typ mi;lx 1 3 5 7 8 9 10 11 1 13 1 ' a A e małosygnałowa U E 5 V war tość zwar: 1 = 1kHz ciowej impedancj jwejć i o wej w Układzie wspólnego emitera kl Y kl A kl B k e 0 80 0 150 150 " 1++++ 0 i 0 1 1 7 5 1 7 5 l 7 5 30 5 80 30 5 80 30 S 0 90 150 0!! O 15 O ' h 1) 11e mało sygnałowa wartość roz' warciowęgo współczynnika wstecznego przenoszenia nap ięciowego w układzie wspólnego emitera kl V kl A kl B J _ ma kl e e U E a 5 V małosygnałowa wartość zwar 1 1 khz c iowego WSP9łczynnika przenoszjłn ia "pr dowego w : układzie wspólnego emitera X 1 O 5 30 35 5 30 3 O 35 35 0 0 'L++ ++_ 75 500 75 900 15 900 kl V kl A kl B kl' e 75 110 150 15 0 0 0 330 500 75 110 150 15 0 0 15 0 0 0 330 500 0 330 500 50 550 900 50 550 900 ) 13 h e 1 małosygnałowa warto 'ść zwar:' ciowej admitalicji wyjściowej w układzie wspólnego emitera kl V kl Ą kl B 70 0 0!loS 5 50 35 70 110 110 0 0 5 50 5 50 35 70 35 70 kl e 110 110 1 1 T częstotliwość granićzn le "10 nia U 5 V ee f 100 MHz MHz 100 00 100 00 100 00 U ee a 5 V le = 00 PA 15 F współczynnik szumów " Rg": kll 1= 1 khz 111 m 00 Hz Uci; ' '" 5 V db 10 10 le = 00 JA Rg=kll 111 = 30 Hf 15 khż 1 BO U ' =10V pojemność ' zł:' '1 e O cza kolektor _ E baza f =1 MHz pf 7 7 7 U = O 5 V pojemnosć zł_ EB ' cza emiter J e = O baza f= 1 MHz pf 1 1 1) Selekcja n k lasy zmocnienia (11 A e e) tylko na życzenie odbiorcy )Pomiar ;';'puisowy: t p 300 s % 1 1 11
' " ' B nformacje dodatkowe do BNBO/ 337530/0 _ 90 le ("'AJ 70 0 50 0 3D zo o ac 177 Be 17& Be 179 / fi / /1 '/ / '1 'V ' 'r'" r tqb: zs'c_ OKmA V"'" A / i"'""" O" / i""" v r OmA l'" DS ma: /" l OmA /" 03 1'11 A l OmA l la: 01 ma U[ [V] ' BN80/3375300! le [ma] 100 10 0 0 O Bel?? tnmb :S' _ <::'ł 'ł " "+> 'łl / v' <:o / ' /" V " V //" V V "" v / /'" r" / " / i'" V l i'" _ h O ma r r o 10 O 30 UE [v] 50 B"80/33753001 3! R ys 1 harakterystyka wyjściowa le = f ( U Ę ) B parametr R ys 13 harakterystyka wyjściowa _ parametr =f(u ) E 100 BO le?! 8[179 lq :S " " f ";' ;:;: ' 1<' " v: fi""" f v r"""' _fr ) 0 '!t«l 0 OWlA 1tf1 ł 8e 177 Bt178 8e 119 Uu =5V troli "S't D 10 U E [V] 0 18N80/33153001! D' D os u [ 1 19H80/33753O0151 R ys 1 h akterys tyka wyjściowa e = tcu c Ę) l B parametr R ys 15 harakterys tyka przej ści owa l B = f ( UBĘ )
l!'lformacje dodatkowe do BN:BO/337530/0 9 1 [lila 10 1 O (; 10 o Bl77 L 8178 81:179 la =05 " 'S' " 10 O 01 O 03 0 'UceSlll: (V] BHeo/3375300H; le [maj 10 10 10 D' O Bt 177 Btl78 879 l" t : QSĄ '" = S 1/ SHSO!3375300+71 Rys 1 ależność napięcia nasycenia U od prędu kolektorallce sat=f() E sat Rys 17 ależność napięcia nasycenia U BE sat od kolektora U BE sat=f(c) prędu 0 hijl 18 1 " l O o 8 0 li O 5 D V 1/ 1('= ma t":zso 'J! " V St 177 Be 178 8t 179 h"t he t h'e Y t V' " " L lo 0 la tv] 30 SN80/33153o01sl 10 St 177 B 178 Bt 179 10 o Uta=0V 10' O SO 100 150 1b [Ol 1 BNeO/3375'3001Q 1 RyS B ależność parametrów mącierzy hi; od napięcia kolektor emiter h ij :: tcue) Rys 19 ależność temperaturowa prędu zerowego Bo=ft amb )
10 nformacje dodatkowe do BN80/337530/0 ac 177 8178 ae 179 f T (M Hi] tu": S l / i'" lov f" f" r '" U E ' v t F [118] 1 D a li Be 177 Be 178 ' l' l" =OmA Uce :: 5V Rg" ksl tnmb: 5' 10 ' 10 1 lo' le (lila] 810 BN80/3375 300 10 10 l 10 f [khz] 10' BN 80/3375 300111 R ys 110 a1eżność częstotl iwości g r anicznej od p r ę du ko lektora t 1 =ju ) Rys 111 ależność współczynnika szumów od częstotliw ośc i F = t(t) 1Stłt F [dllj łttt le: DmA Un' SV Rg:kR 'Q" : 5' BN80!3375300l Hl Rys 11 ależnośe ws pół czy nni ka szumów od częstot i wości F = t(1) 7 Wydanie stan aktualny: kw iecień 1987 uaktualniono Jdrm y zwięzane i poprawiono błędy