r-! i, b -" I, B' C E e,

UKD 62 1.382.3 O R M A BRAŻOA B8? ELEMETY Tranzystry 337532/22 PÓŁPRZEODKOE typu SDP 280 SDP 282 SDP 284 SDP 286 Grupa kata lgwa 1923 1. Przedmit nrmy. Przedmitem nrmy są szczegó Oznaczenie budwy stswane przez prducenta CE 30. lwe wymagania dtyc ząc c krzemwych z e pitaks jalną bazą tranzy strów mcy malcj cz\isttliwści p n p typu BDP 280 J3DP 282 BDP 284 HDP 286 w budwie plastykwej CE 30 (TO_ 220AB) przeznacznych d zastswall w sprz\icic pwszechneg użytku raz w urządzenia c h wymagających zastswania elementów wyskie j i bardz wyskiej jakśc i zgdnie z kreś l eniami wg P78/ T 015 15. Tranzy stry są przezn aczne d pracy w układach przełączają cyc h mcy w szeregwych i równległych regula trach we wzmacniaczach m. cz. mcy i w stpniach sterując yc h i kńcw ych wzmacniaczy. Tranzystry typu BDP 280 BDP 282 BDP 284 BDP286 są kmplementar ne dpwiedni d tranzystrów BDP 279 BDP281 BDP 283 BDP 285. Kateg ria klimatyczna dla tranzystrów: standardwej jakści (pzim jakści ) 40/100/ 10 wyskiej j akści (pzim i.akści ll) 40/100/21 bardz wyskiej jakści (pzim jakści ) 40/ 100/56. 2. Przykład znaczenia a) tranzystrów standardwej jakści : TRAZY STOR BDP 286 B 87/ 3375 32/22 b ) tranzystrów wyskiej jakści: TRAZYSTOR BDP 286/3 B87/337532/22 c ) tranzystrów bardz wyskiej jakści: TRAZYSTOR BDP 286/4 B 87/3375 32/22 3. Cechwanie tranz ystrów pwi nn zawie rać nast ę p u jące dane: a) na z wę prducenta b ) znaczenie typu c) znakwanie ddatkwe dla tranzystrów wyskiej i bardz wyskiej jakśc i; tranzystry wyskiej j akści pwinny być znakwane cyfr ą 3 a tranzystry bardz wyskiej jakści cyfrą 4 umieszczną p znaczeniu typu. 4. ymiary i znaczenie wyprwadzeń tranzystra wg rys. 1 i tabl. 1. Symbl wymiaru A E E f """ j r <:::1 :r: r 1/0/[1 J '" c:: 45 c..l. t! b r! i b " B' C E e e le 87/3375':l2/1Bl Rys. 1. Obudwa CE 30 Tablica 1. ymiary budwy CE 30 min ymiary mm 1 2 3 nm A 406 b 064 b 122 1 c 038 D 1461 e 203 e 1 457 F 127 Hi 5':!7 J 216 1 L 127 L 762 1 tp p 358 Q 254 z 102 E 1003 Ef 920 E 2 7 62 max 4 483 089 140 043 15 88 305 564 673 292 889 363 305 152 1041 940 813 Z g ł sz na przez Fabr y k ę Półprzewdn ikó w TEA Ustanwina przez Dyrektra aukwprdukcyj neg Centrum Półprze w dnik ó w dnia 15 kwietnia 1987 r. jak nrma b w iązując a d dnia 1 p aź dzi e rni k a 1987 r. (Dz. rm. i Miar nr 11 / 1987 pz. 27) YDACTA ORMALZACYJE..ALFA 1987. Druk. yd. rm. wa Ark. wyd. 130 akł. 2500' 40 Zam. 1396/87 Cena zł 4500

2 B87 / 3375 32/22 :.>. l.ladania w grupie A B! C i D wg B 80/ 337532/ 00 p. :i. 1. 6. ymagania szcze gółwe d badań grupy A B C i D a ) badania pdgrupy Al sprawdzenie wymiarów A b b " D e w d l eglści 645; 650 mm d budwy wg 1 rys. l i tabl. l b l badania pdgrupy A2 sprawdzenie pdstawwych parametrów elektrycznych wg tab. 2 c ) badania pdgrupy A3 sprawdzenie parametrów e lektrycznych wg tabl 3 drugrzędnych d) badania pdgrupy A4 sprawdzenie parametrów eek trycznych w temperaturze t a m b = 100 C (pzim l! i ) wg tab. 4 e) badanie pdgrupy B C i D wg tab. 5 f) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i p badaniach grupy B C i D wg tabl 6 g) wartść AQL dl a jakści pdstawwej dl a pdgrupy C2 4% dla pdgrupy C4 25%. a)!oog..''0 120Q! 5 rbri CE a /te 12 15.52 5 tomh. np.l1il1er Odchl/{me nr 4533 1/'1 pinwe 1S/. 1%05'11 beziuk 1 xx pzime Dscj05kp HP mdel 130B lub równrzędni; b} klektr em[t(}{ 70 50 JO apięcie ( : \ ł: i+ l l l 5Om/ ;&_4 1rmA fe :rt!b87/337h2/222! +U cc Rys. 2. Metda pmiaru napięć przebicia klektremiter al układ pmiar wy b) scylram napięć prze bicia Tablica 2. Parametry e lektryczne s prawdzane w badaniu pdgrupy A2 (pzim 111 ) artści graniczne Oznaczenie Metda pmiaru Jednstka arunki pmiaru Lp. literwe wg miary BDP 280 BDP 282 BDP 284 BDP 286 parametru min max min max min max min max l 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 '12 13 l lce P 75/T 01504/09 U CEO = 20 l l 2 _ 1 U C EO = 40 ma l U = 60 CEO l rys. 2 l = 100 ma l = O 25 30 50 70 U (BR)CEO C ' B 3 U(BR )EBO P 74/T 01504/04 E =lma; C =O 3 5 '5 5 4 h 21E 1) P 74/T 0 1504/08 _Ucr;: = 4 j lc =1/1 25 U CE = 4 ; C =2 /1 30 200 U CE = 4 j c=25 /1 l 30 200 U CE = 4 i c = 3 j 30 200 5 U 1 rys. 2 l c =Ol A; R BE =100 n 30 40 60 80 ( BR )CER 6 1 P 75/T 01504/09 U = 30 250 100 CER CER U CER =50 p. A 100 1) Pmiar impulswy: t p 300 p. s j tj 2%. U = 70 CE R 100

B87/337532/ 22 3 Tablica 3. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu pdgrupy A3 i C2 (pzim l ) artści graniczne Oznaczenie Metda pmiaru Jednstka arunki pmiaru Lp. literwe wg miary BDP 280 BDP 282 BDP 284 BDP 286 parametru min max min max min max min max l 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 l U 1) P74/ T 01504/06 _lc 1 A; l B =0 l A l C E sat l =2 Aj le =02 A 1 e l =25Aj1B=025 A 1 e l e =3 Aj l B =03 1\ 1 2 U. 1) P74/T 01504/06 l =1 A; lb =0 l A 18 B Ę sat e 3 P 74/T01504/24 U CE =4 ; lc =05 A t T f = l MHz le =2 Aj l B =02 A 18 le =25 A;l B =0 25A 18 l =3 Aj l =03 A e B 1 8 8 10 10 10 MHz 4 C CBO P 74/ T 01504/22 U CB =10 jf =lm:hz pf 250 250 250 250 1) Pmiar impulswy t p :s 300. s; 2%. Tablica 4. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu pdgrupy A4 ( pzim i ) artści graniczne Oznaczenie Metda pmiar u Jednstka ar unki pmiaru literwe wg miary parametru BDP 280 BDP 282 BDP 284 BDP 286 min max min max min max min max l 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 leer P75/T01504/09 tamb =l OO Cj U CEO =30 5 2 U CEO =50 ma 2 RB E loo O j U =70 CEO 2

4 B 87/337532/ 22 Tablica 5. ymagania szczegół've d badań grupy. B C i D Lp. Pdgrupa badań Rdzaj badania ymagania szczegółwe l 2 3 4 l 131 C Sprawdzenie wytrzymałści mechanicz próba Ub metda 2j 5 nej wyprwadzeń 3 cykle próba U a1; 10 Sprawdzenie szczelnści próba Qt 2 133 Sprawdzenie wytrzymałści na spadki płżenie tranzystra w czasie spadania s wbdne wyprwadzeniami d góry 3 B4 i C4 Sprawdzenie wytrzymałści na udary mcwanie za budwę wielkrtne 4 136 i C6 Sprawdzenie' dprnści na narażenia wg P78/ T 01515 p. 5. 3.22 elektryczne tabl. 5; metda badania a) układ OB '3 C3 Sprawdzenie masy 2 g BDP 280 U CE =17 5j l e= 100 ma BDP 282 U ee =21 j le = 85 ma BDP 284 U CE =35 j le = 50 ma BDP 286 U CE =50 j le = 36 ma 6 C4 Sprawdzenie wytrzymałści na przy kierunek prbierczy: spieszenie stałe bydwa kierunki wzdłuż si wyprwadzeń mcwanie za budw ę Sprawdzenie wytrzymałści na udary wielkrtne Sprawdzenie wytrzymałści na wibracje stalej częsttliwści 7 CS Sprawdzenie wytrzymałści na ciepł lutwania mcwanie za budwę temperatura kąpieli 350 C 8 ClO Sprawdzenie wymiarów wg rys. 1 i tabl. 1 9 Dl Sprawdzenie dprnści na niskie ( pzim i ) ci śnien ie atmsferyczne temperatura narażenia 25 C 10 D2 Sprawdzenie wytrzymałści na rz alkhl etylwy acetn puszczalniki 11 D3 Sprawdzeni e palnści palnść zewnętrzna 12 D4 ( pzim jakści i ) Sprawdzenie wytrzymałści n a p l eśń brak prstu pleśni p badaniu 13 D5 Sprawdzenie wytrzymałści n a mglę pł żenie tranzystra dwlne ( pzim jakści Uli ) slną

Tablica 6. Parametry e lektryczne s prawdzane w czasie i p badaniach grupy B C i D ( pzim l i ) Lp. Pdgrupa artści Oznaczenie Metda pmiaru arunki pmiaru Jednstka graniczne badań literwe miary BDP 280 BDP 282 BDP 284 wg parametru min max min max min max l 2 3 4 S 6 7 8 9 10 11 12 l [CER P7Str 01S04/09 30 Bl B3 B4 BS p. A 250 100 L B = O 70 R BE =100 fi SO C C2 C3 C4 100 1) CS ej C9 Dl 30 B6 C6 C8 p. A 1200 SOO :t: 50 500 t.l \.J 70 t 30 C 2 1T ma S 2 50 2 70 2 h 2) P74/T 01S04/08 l A B B3 B4 BS 2S 2 le 2A C C2 C3 C4 1) 2.S A C5 C7 C9 Dl 30 200 3A 30 200 la B6 C6 C8 20. \.J... 20 A U = 4 CE. 25 A 23 2S0 3A 23 250 la C 1) 10 2 2A ls 2S A 3A l S min BDP 286 max 13 14 100. SOO 2 30 200 23 2S0 15 :J Z (J) 'J () 'J 1 1) czasie badania. 2) Pmiar impulswy t p 300 Ls ts 2%. 7. Pzstałe pstanwienia wg B 80/3375 32/00. KOEC rmacje ddatkwe 1

G nfrjllilc je ddatkwe d B 87 1 3375 32 / 22 FORMAC JE DOL'AT KOE l. n st vtuc ja pracwu jq CH nrm.;' aukw PrdukcY Jne Centrum Pólprzewdników Fabryka Pólprzewuników TEA arszawa. 2. rmy Zli!ZHnC l' 7L T0 1504/ 04 Trilnzystry. Pmiar napi. <;:ć U ( BR )CBO i U ( BR)EB O P74/T01504/ 06 Tranzystry. Pmiar napi<;:ć nasycenia U CE i metdą impulsw ą sa B E sa! P7L/ T01304 / 08 Tranzystry. Pmiar h 21f ; impujsit P 75/ T01504/09 Tranzystry. Pmiar pr'ldów przebicia metdą resztkwych r::er.' C ES ee i p r ądu zerweg l ee O P741 T 01504/22 Tranzystr y. Pmiar pjemnści CeRO i CEB O P74/TOJSOt./2t. Tranzystry. Pmiar mdułu! zakres ie w. cz. i czsttliwśc i f T h 21 E w P T/ T 01515 Elcmcnty półprzewdnikwe. Ogól ne wymagania i badania B8013375 J2/00 E lementy półprzewdnikwe. Tranzystry mcy malcj czs l tliwś c i. ymagania i Dadani" 3. Symbl wg KTM BDP 280 1156231302004 BDP 282 1156231304006 BDP 284 1156231306008 BDP 286 1156231308000. 4. artści dpuszczalne wg tabl. Jl i rys. ll. fc(a ) 70 7 6 kma OC 1 1 1.tf.... f 1" Ht;>;Q f ' ' + +l'ljfljl f l+++l 2 t ' rar/ JC! OQtr1[.niCzenie 1/1 _ :.. ' f.> _ =..: : =:.:j' F.;:::'.fR::::_::::_:= l\t. ;f!jj3 0'5=!El ljl=nl_=. tf +.. l lł i' 04... +1+++ ł. +lj r++'!+'trj i \ 1 8DP282 80P 2.BD... J.. '\ 'Zf++++H++t=.. ; +tti::l _"BOP284 0.1 Li._:':::!:LJ. il BDP286 '...JJJ LLJ i 2 4 6 810?O J[) 40 6{)8O UCE(v} 57 35 50 70 Rys. ll. Dpuszczalny bszar pracy ccb f!"'z""3)""753""2/2"'2""'"j"""1) Tablica l l. Dpuszczalne wa r tści parametrów Lp. Oznaczenie parametr u azwa pa r ametru Jednstka artśc i dpuszczalne miary BDP 280 BDP 282 BDP 284 BDP 286 l 2 3 4 5 6 7 8 l U ebo apicie klektr baza przy E = O 30 40 60 80 2 U CER api <;:c ic klektr emiter przy R BE =100 0 30 40 60 80. api<;cie klektr emiter przy l a = O v 25 30 50 70 J eeo t. U EBO apicie emiter baza przy = O C J 5 5 5 ') 1 C P"'ld kleklcra przyt c a se 1000C A 7 7 7 7 6 l B Pr'ld bazy przy t case!s 125 C A 3 3 3 3 7 P tt Całkwita mc wejściwa (stala lub średn i a) na wszyslkich e lektrdach t 2S C 40 40 40 40 Case t case.:!5 100 0 C 16 16 16 16 t am b 2S C 18 18 18 18 8 t j Temperatura zl'lcza Oc 150 150 150 150 9 tamb Temperatura tczenia w czasie pracy Oc.40; 100 40; 100 40;100 40 100 10 t s l g Temperatura przec hwywania Oc 40" 155 40155 40+ 155 40; 155 t il mb = 25 C.

5. Dane charakterystyczne wg tabl. 12 i rys.2n8. Lp. Oznaczenie azwa parametru parametru. arunki pmiaru Tablica 12. Dane charakterystyczne Jednstka miary BDP 280 min typ max l 2 3 4 J 6 7 8 l l Prąd resztkwy U CER U CE =30 150 250 klektra L'") 11 C U =50 p. A.c CE 1: O......" U =70 CE U <l QJ U CE =30 500 11 tl:;. U CE =50 ma... l'o 11 " UCE =70 2 'l Prąd zerwy U CEO CE =20 05 l klektra przy tamb = 2S C 3 U(BR)EBO 4 l B = O U CE =40 ma apięcie prze 1 l ma E bicia emiter baz a e. =0 U CE =60' 3 U l ' ap i ęcie prze 1 = 01 A (BR)CEO e 25 28 bicia klektr emiter l = O B 5 U 1) ap i ęci(l prze = O l A (BR )CER C 30 38 bicia R = 100 a klektr emiter BE Typ BDP 282 BDP 284 min typ max min typ 9 10 11 12 13 l 100 l 200.. 01 l 01 S 5 30 45 50 60 40 50 60 70 max min 14 15 100 200 l ' 5 70 80 BDP 286 typ 16 l O l 80 90 max 17 100 200 l Pl n (1) P P e; '" (1) " P tt Z l w 'l Ul l 6 h 21E 1) Statyczny = l A 25 współczynnik wzmcnienia C' prądweg = 2 A C 30 200 U 1 ce 4 " =25A 30 200 l = 3 A C 30 200 l = 7 A 23 C 2;3 23 23 'l

cd. tabl. 12 l 2 3 4 J 6 7 8 9 10 12 13 14 ls 16 17 (p 7 UCEsat 1) apięcie nasyce LC = l Aj ls =0 l A l nia klektr emi ter LC = 2 Aj ls =02 A LC =25 A; ls =025 A lc=3aj lb =03 A l l l Le = 7 A; l B =3 A 35 35 35 35 10 8 u 1) apięcie nasyce _l la' ls =0 l A 18 BE sat \. ' nia baza emiter le = 2 A; lb =02 A 9 U BE 1) h 2Je f T le =25 Aj lb =025 A le=3aj ls =03 A apięcie le = l A 15 bazaemiter le = 2 A U =4 CE _lc=2sa Zwarciwy le =05 Aj U CE =4 l =3 A c lc =7 A 3 współczynnik 20 przenszenia f =50 khz prądweg C zę sttli wść lc =0 5 Aj U CE =4 r = l MHz graniczna MHz 8 18 " 15 3 20 20 10 10 18 15 3 20 10 18 15 3 Pl n. (1) "" Pl "" (1) " "" tjj Z (p "l... "l Ul tv... tv 12 CCBO Pjemnść U CB =10 ; f =1 MHz. pf 250 klektr baza 250 250 250 13 R thj c Rezystancja l =1 A U =10 R thi a termiczna: C ' CS 3125 złączebudwa Rezystancja t =10 s C /w termiczna: J =180 ma U =lo 70 złącze tczenie C 'cs 3125 70 3125 70 3125 70. t amb = 2S C. 1)Pmiar impulswy t p ::;300...s;. "" 2%.

nfrmacje ddatkwe d B 87/337532/22 9 1(JJ (%) "" i'........ % BOP 280 BDP 282 BOP 284...... BDP 286 t'... ".... r... "":q.. r...... vel"" "t'... r... " lo 40 fi) 80 too 120 140 trase! ej prą Rys. 1 2. Dpuszczalny zakres prcentwej war tści du w funkcji temperatury budwy tranzystra B 87/337'32/22121 fela ) 5 4 3 ' 2 1 '/ f/ ' S " _SOmA t... /'./ 100 rut " f " t case 25'C BOP 280 BOP 282 /' ""' BOP 284 20mA BOP 286 f 8 =OmA 2 4 6 8 10 12 PrtO Rys. 1 5. Typwe charakterystyki wyjściwe " J ' B87/337532J22H 40 f+11f+++++++8"'p ' "''80;;tł+++H 1+li1.++++BDP 28Z+t+++t BDP284 BOP 28ó H+++t1 5 Je (A ) 4 3 2 1 O / 1J(f 4 / Ą j / /?! & c / / '? '.} '1; 0".. "(Si / / '/ BOP 280 BOP 282 BOP 284 BOP 286 / / J / /./ '"././ 02 Q6 0.8 1 12 14 U Bc M 16 B 87(337532/22161 Rys. 1 3. Maksymalnie dpuszczalna liczba cykli termicznych w wyniku grzania mcą e le ktryczną Rys. 1 6. Typwe charakterystyki przejściwe fs{ma) 250 l 150 1m 50 Ql Q4 lja =4 " '' 'Sj l3... / / /L '" K: ; J / BDP280 BOP282 BDP 284 BOP286 46 B 1 12 14 apięcie bala l'miter JBAv) <=Ol B""' 87Z=33=75'3""2/"'22"'ł::l41 h ZlE 1000 filo 600 400 2(1) 100 80 (f) 40 lo 1cE'4 tcase 1l;C 80P?80 "' 8DP281 c BDP284 <10 C r:. ' BDP286 ri' 1'1..... '" '" " i'... 1'..'"... i'. \ " 10 r' 16 QOt 02 04 0.6080.1 2 4 6 81 2 '1 68 Je (A) B 87/337532/2217\ Rys. 14. Typwe charakterystyki wejściwe Rys. 1 7. Typwe charakterystyki statyczneg współczyn nika wzmcnienia prądweg w funkcji prądu klektra

10 nfrmacje ddatkwe d B87/337532/22 BDP 280 BDP 282 BDP 284 BDP 286 0010.2 0.40.6 0.1 2 4 6 1 2 46 10 Prąd klektra Mil) C B C 51 ""7""33""7 53"'2 /2""2"1"'81 Rys. 18. Typwa charakterystyka częsttliwści granicznej tranzystra w funkcji prądu klektra