MIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie

Podobne dokumenty
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO

IM21 SPEKTROSKOPIA ODBICIOWA ŚWIATŁA BIAŁEGO

Inżynieria Wytwarzania

Supergel. Supergel. Prolight.com.pl. Opis. Szczegóły

Wyznaczanie zależności współczynnika załamania światła od długości fali światła

Wyznaczenie długości fali świetlnej metodą pierścieni Newtona

Wykład 17: Optyka falowa cz.2.

Technologia planarna

4. Atesty dla powłok organicznych

Wyznaczanie długości fali świetlnej za pomocą spektrometru siatkowego

Dodatki i uszlachetnienia toreb. Średnica 5 mm dostępna w kilku kolorach.

Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: modelowanie membrany krzemowej podstawowego elementu piezorezystancyjnego czujnika ciśnienia

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

Modelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 1. Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia

BADANIE INTERFEROMETRU YOUNGA

Modelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 1. Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Procesy technologiczne w elektronice

Czyszczenie powierzchni podłoży jest jednym z

Jaki kolor widzisz? Doświadczenie pokazuje zjawisko męczenia się receptorów w oku oraz istnienie barw dopełniających. Zastosowanie/Słowa kluczowe

Wyznaczanie długości fali świetlnej metodą pierścieni Newtona

Ćwiczenie: "Zagadnienia optyki"

ANALIZA SPEKTRALNA I POMIARY SPEKTROFOTOMETRYCZNE. Instrukcja wykonawcza

Laboratorium Ochrony przed Korozją. GALWANOTECHNIKA II Ćw. 6: ANODOWE OKSYDOWANIE ALUMINIUM

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,

TECHNOLOGIA STRUKTUR MOEMS

Struktura CMOS Click to edit Master title style

pobrano z serwisu Fizyka Dla Każdego zadania z fizyki, wzory fizyczne, fizyka matura

Dlaczego niebo jest niebieskie?

11. Korozja wysokotemperaturowa

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Fotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski

TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne

Ceny netto (PLN) cena szt. lączna kwota druk 2 strony. lączna kwota

ĆWICZENIE 11 CHEMICZNE BARWIENIE METALI I STOPÓW

Katedra Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego. Ćwiczenie 10 Badania powierzchni ciała stałego metodą elipsometryczną

Temat: Pomiar współczynnika załamania światła w gazie za pomocą interferometru Michelsona

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd r.

Przyrządy Półprzewodnikowe

Spis treści. Szkło kwarcowe - dane techniczne 3. Rury kwarcowe 5. Pręty kwarcowe 7. Szkło borokrzemowe - dane techniczne 8. Rury borokrzemowe 10

Laboratorium Ochrony przed Korozją. Ćw. 9: ANODOWE OKSYDOWANIEALUMINIUM

Repeta z wykładu nr 10. Detekcja światła. Kondensator MOS. Plan na dzisiaj. fotopowielacz, część 2 MCP (detektor wielokanałowy) streak camera

Interferencyjny pomiar krzywizny soczewki przy pomocy pierścieni Newtona

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm)

Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski

Powłoki cienkowarstwowe

Raport końcowy kamienie milowe (KM) zadania 1.2

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.

Dyfrakcja. interferencja światła. dr inż. Romuald Kędzierski

Optyka 2012/13 powtórzenie

Ćwiczenie 12 (44) Wyznaczanie długości fali świetlnej przy pomocy siatki dyfrakcyjnej

Farby do tkanin TZ. Technical Data Sheet. Farby drukarskie TZ do tkanin

Części zamienne do opryskiwaczy Hardi. Rozpylacze Zestawy Filtry Karuzele Kalibracja

I Konferencja. InTechFun

BARWY W CHEMII Dr Emilia Obijalska Katedra Chemii Organicznej i Stosowanej UŁ

K A T A L O G P R O D U K T Ó W

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

CIENKIE WARSTWY prof. dr hab. inż. Krzysztof Patorski

INSTYTUT INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ PŁ LABORATORIUM TECHNOLOGII POWŁOK OCHRONNYCH ĆWICZENIE 1 POWŁOKI KONWERSYJNE-TECHNOLOGIE NANOSZENIA

Procesy kontrolowane dyfuzją. Witold Kucza

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Wykład 17: Optyka falowa cz.1.

Uwaga! Na zamówienie dostarczamy także szkło i dodatki BAOLI C.O.E. 90 i 96 ceny i kolory identyczne

Optyka geometryczna Tadeusz M.Molenda Instytut Fizyki, Uniwersytet Szczeciński. Załamanie światła

Politechnika Warszawska Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Zakład Optoelektroniki

Skalowanie układów scalonych

Własności optyczne półprzewodników

Makijaż zasady ogólne

Właściwości kryształów

( Wersja A ) WYZNACZANIE PROMIENI KRZYWIZNY SOCZEWKI I DŁUGOŚCI FALI ŚWIETLNEJ ZA POMOCĄ PIERŚCIENI NEWTONA.

INFORMACJA O PRODUKCIE

I Konferencja. InTechFun

Interferencja jest to zjawisko nakładania się fal prowadzące do zwiększania lub zmniejszania amplitudy fali wypadkowej. Interferencja zachodzi dla

Stałe : h=6, Js h= 4, eVs 1eV= J nie zależy

Pomiar współczynnika pochłaniania światła

Technologia elementów optycznych

Długopisy metalowe GWARANTUJEMY NAJWYŻSZĄ JAKOŚĆ GRAWERU

PODSTAWY BARWY, PIGMENTY CERAMICZNE

OP6 WIDZENIE BARWNE I FIZYCZNE POCHODZENIE BARW W PRZYRODZIE

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych

Długopisy metalowe GWARANTUJEMY NAJWYŻSZĄ JAKOŚĆ GRAWERU

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH. ĆWICZENIE Nr 1. Optyczne badania kryształów

PDF stworzony przez wersję demonstracyjną pdffactory

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II

LABORATORIUM FIZYKI PAŃSTWOWEJ WYŻSZEJ SZKOŁY ZAWODOWEJ W NYSIE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Problemy optyki falowej. Teoretyczne podstawy zjawisk dyfrakcji, interferencji i polaryzacji światła.

Sposób i urządzenie do odzysku materiałów krzemowych z ogniw fotowoltaicznych

Załącznik nr 1. Projekty struktur falowodowych

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style

Własności optyczne materii. Jak zachowuje się światło w zetknięciu z materią?

Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych

E 4. Poradnik doboru kolorów. Informacja techniczna. Sprawdzenie koloru

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor

Kationy grupa analityczna I

Badanie własności półprzewodnikowych diod świecących

Transkrypt:

MIKROSYSTEMY Ćwiczenie nr 2a Utlenianie 1. Cel ćwiczeń: Celem zajęć jest wykonanie kompletnego procesu mokrego utleniania termicznego krzemu. W skład ćwiczenia wchodzą: obliczenie czasu trwania procesu utleniania dla zadanych parametrów w celu u zyskania tlenku krzemu o odpowiedniej grubości, przygotowanie (procedura mycia) podłoży krzemowych do utleniania, włożenie podłoży krzemowych do pieca, po procesie utleniania pomiar grubości tlenku. 2. Wprowadzenie: Utlenianie krzemu jest procesem wysokotemperaturowym (850-1150 C) mający na celu wytworzenie na krzemie warstwy tlenku krzemu (SiO 2 ), która jest głównym materiałem dielektrycznym używanym w technologii krzemowej. Najważniejsze funkcje warstw SiO 2 to: - pasywacja powierzchni półprzewodnika, - maskowanie w procesach trawienia, dyfuzji, - izolowanie elektryczne w obrębie układu, - zabezpieczenie półprzewodnika przez czynnikami zewnętrznymi. W zależności od warunków w jakich prowadzimy proces można utleniać krzem w atmosferze czystego tlenu lub parze wodnej: - suchy tlen - Si + O 2 SiO 2 - para wodna - Si + 2H 2 O SiO 2 + 2H 2 Cechy utleniania suchego: - warstwa tlenku rośnie bardzo powoli, - warstwa cechuje się jednorodnością, - małe zdefektowanie. Wytwarzane są tą metodą warstwy cienkie (~100 Å) potrzebne w układach MOS. Cechy utleniania mokrego: - warstwa ma duży ładunek powierzchniowy, - warstwa tlenku rośnie szybko, - duże zdefektowanie. Wytwarzane są tą metodą warstwy grube (~ 1μm). Najważniejsze parametry procesu utleniania to: - temperatura utleniania, - czas trwania procesu, - skład chemiczny gazu utleniającego, - ciśnienie tlenu w reaktorze, - orientacja krystalograficzna podłoża krzemowego

Podczas otrzymywania warstw SiO 2 w procesie utleniania termicznego wiązany jest krzem. Powstały tlenek zużywa warstwę krzemu o grubości równej 44% grubości otrzymanego tlenku. 2a Obliczenia: Rys. 1 Zużywanie podłoża w wyniku utleniania termicznego krzemu rysunek: A. Javey, Berkeley Univ., EECS143 Szybkość narastania warstwy jest zależna od temperatury, czasu wygrzewania i rodzaju procesu (mokre lub suche utlenianie). Wyprowadzenie podanych wzorów można znaleźć w [1]. W przypadku mokrgo utlaniania szybkość narastania warstwy jest zależna: - dla długiego czasu utleniania grubość tlenku x 0 zależy od czasu wg funkcji parabolicznej: t - czas wygrzewania [h]; Parametr B podano w tabeli 1. x 2 0 - dla krótkiego czasu utleniania grubość tlenku zależy od czasu wg funkcji liniowej Bt Parametr B podano w tabeli 1. x 0 B A t x 2 i Axi, x i - początkowa grubość tlenku krzemu przed procesem utleniania B

Tabela 1 Parametry dla procesu utleniania w parze wodnej w warunkach: O 2 = 30 l/h, H 2 = 50 l/h, N 2 =<5l/h A [μm] B [μ 2 m/h] 850 C 1.811 0.154 900 C 1.058 0.191 950 C 0.501 0.257 1000 C 0.285 0.323 1050 C 0.169 0.398 1100 C 0.104 0.484 1150 C 0.067 0.580 W przypadku nasteawienia innej temperatury pieca należy korzystać z wykresu poniżej.

2b Pomiar grubości tlenku krzemu: Najdokładniejsze I najbardziej rozpowczechniowe są optyczne metody pomiaru grubości tlenku krzemu. Są nimi: - metoda barw interferencyjnych - metoda prążków interferencyjnych jednakowej grubości - metoda elipsometrii Na zajęciach wykorzystamy metodę barw intrferencyjnych, gdzie warstwa dielektryczna daje wrażenie barwne, jeśli wskutek interferncji zachodzi wzmocnienie światła o wybranej długośći fali. Dla pionowego padania światła wzmocnienie to wystąpi dla długości światła określonej zależnośćią: 2dn N λ długość fali światła d grubość warstwy dielektrycznej n współczynnik załamania warstwy dielektrycznej N rząd interferencji KOLORY INTERFERENCYJNE TLENKÓW SIO 2. d[μm] kolor 0.05 żółto-brązowy, orzechowy 0.07 brązowy 0.10 ciemny fiolet do czerwony fiolet 0.12 jaskrawo-niebieski 0.15 jasno-niebieski do metaliczno-niebieski 0.17 metaliczny do bardzo jasno-żółtozielony 0.20 jasno-żółty lub żółty, nieznacznie metaliczny 0.25 złoty z nieznacznym żółtym oranżem 0.27 czerwono-fioletowy 0.30 niebieski do fioletowo-niebieski 0.31 niebieski 0.325 niebieski do niebiesko-zielony 0.34 jasno-zielony 0.35 zielony do żółto-zielony 0.36 żółto-zielony 0.37 zielono-żółty 0.39 żółty 0.41 jasno-pomarańczowy 0.42 różowy goździk 0.44 fioletowo-czerwony 0.46 czerwono-fioletowy

0.47 fioletowy 0.48 niebiesko-fioletowy 0.49 niebieski 0.50 niebiesko-zielony 0.52 zielony 0.54 żółto-zielony 0.56 zielono-żółty 0.57 żółty do prawie żółty, czasami jasno-krzemowo-szary lub metaliczny 0.58 jasno-pomarańczowy lub żółty do różowego 0.60 różowy goździk 0.63 fioletowo-czerwony 0.68 pomiędzy fioletem a niebiesko-zielonym, niebieskawy 0.72 niebiesko-zielony do zielonego 0.77 żółtawy 0.80 pomarańczowy 0.82 łososiowy 0.85 mętny, jasny czerwono-fioletowy 0.86 fioletowy 0.87 niebiesko-fioletowy 0.89 niebieski 0.92 niebiesko-zielony 0.95 mętny żółto-zielony 0.97 żółty do żółtawy 0.99 pomarańczowy 1.00 różowy goździk 1.02 fioletowo-czerwony 1.05 czerwono-fioletowy 1.06 fioletowy 1.07 niebiesko-fioletowy 1.10 zielony 1.11 żółto-zielony 1.12 zielony 1.18 fioletowy 1.19 czerwono-fioletowy 1.21 fioletowo-czerwony 1.24 różowy goździk do łososiowego 1.25 pomarańczowy 1.28 żółtawy 1.32 błękit nieba do zielono-niebieski 1.40 pomarańczowy 1.43 fiolet 1.46 niebiesko-fioletowy 1.50 niebieski 1.54 mętny żółto-zielony

5. Przebieg ćwiczenia: 1. Zapoznanie się za stanowiskiem do procesów utleniania termicznego i jego specyfikacją techniczną. 2. Obliczenie grubości tlenku krzemu niezbędnej do procesu trawienia w celu otrzymania membrany o zadanej grubości. Przykład: Oblicz grubość tlenku krzemu oraz czas jego otrzymania (uzyskanego w procesie mokrego utleniania w temperaturze 1150 C) niezbędnego to wytworzenia membrany o grubości 60 µm (w procesie mokrego anizotropowego trawienia w wodnych roztworach KOH) w podłożu krzemowym (100) o grubości 380 µm. Dane: Szybkość trawienia krzemu przez10 M KOH, 80 C - V (100) = 1 m/min, Szybkość trawienia tlenku krzemu przez10 M KOH, 80 C - V SiO2 = 256 nm/godz. Obliczenia: 380-60= 320 µm grubość krzemu jaką trzeba wytrawić 320*1= 320 min czas trawienia V SiO2 = 256 nm/godz = 4,2(6) nm/min 320*4,2(6)=1365,(3) nm Trzeba uzyskać grubość tlenku krzemu 1,4 µm. 1,4 2 =0.580*t t=3 h 23 min 3. Przygotowanie podłoży krzemowych do procesu utleniania Płytki są kolejno: myte w TRI, w acetonie, płukane w H 2 O(DI), trawione w H 2 SO 4 :H 2 O 2 =1:1, płukane w H 2 O, HF:H 2 O = 1:15, płukane w H 2 O (DI). 4. Przeprowadzenie procesu mokrego utleniania termicznego 5. Pomiar grubości otrzymanego tlenku krzemu Literatura: 1. Praca zbiorowa: Procesy technologiczne w elektronice półprzewodnikowej, WNT, Warszawa 1980