ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Podobne dokumenty
TRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Ćwiczenie 2. Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2013/2014

TRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE ORAZ PRACA W UKLADZIE WZMACNIACZA

PARAMETRY ELEKTRYCZNE CYFROWYCH ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

TRANZYSTORY POLOWE WYK. 12 SMK Na pdstw. W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone

WYKŁAD 5 TRANZYSTORY BIPOLARNE


Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

ELEKTRONIKA ELM001551W

exp jest proporcjonalne do czynnika Boltzmanna exp(-e kbt (szerokość przerwy energetycznej między pasmami) g /k B

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Zasada działania tranzystora bipolarnego

ZADANIE 9.5. p p T. Dla dwuatomowego gazu doskonałego wykładnik izentropy = 1,4 (patrz tablica 1). Temperaturę spiętrzenia obliczymy następująco

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Sterowanie Procesami Ciągłymi

EKONOMIA MENEDŻERSKA. Wykład 3 Funkcje produkcji 1 FUNKCJE PRODUKCJI. ANALIZA KOSZTÓW I KORZYŚCI SKALI. MINIMALIZACJA KOSZTÓW PRODUKCJI.

max Z F I F VX F - k v I B I D V x Z B Rys.51. Ogólny schemat konwertera prądowo-napięciowego.

Zarządzanie ryzykiem w przedsiębiorstwie i jego wpływ na analizę opłacalności przedsięwzięć inwestycyjnych

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY



Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - tranzystory

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE


ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Proces narodzin i śmierci

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE







Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

SPIS TREŚCI WIADOMOŚCI OGÓLNE 2. ĆWICZENIA

TRANZYSTORY BIPOLARNE

I. GRAFICZNE PRZEDSTAWIENIE PUNKTU PRACY.

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

TRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD

Indywidualna Pracownia Elektroniczna 2012

Tranzystory bipolarne

XXX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych. Klasyfikacja wzmacniaczy. Klasyfikacja wzmacniaczy

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

5. Jednowymiarowy przepływ gazu przez dysze.

Układy nieliniowe - przypomnienie

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 2. ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONICZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym)

WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA im. Jar osława Dąbr owskiego ZAKŁAD AWIONIKI I UZBROJENIA LOTNICZEGO


Półprzewodniki Teoria złącza PN. Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wprowadzenie







Termodynamika 2. Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

Korekcja liniowych układów regulacji automatycznej

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Fizyka Ciała Stałego

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

5. TRANZYSTOR BIPOLARNY

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Stany materii. Masa i rozmiary cząstek. Masa i rozmiary cząstek. m n mol. n = Gaz doskonały. N A = 6.022x10 23

1. Definicje podstawowe. Rys Profile prędkości w rurze. A przepływ laminarny, B - przepływ burzliwy. Liczba Reynoldsa

D. II ZASADA TERMODYNAMIKI

WZMACNIACZE MOCY. Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe.

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory

Tranzystory bipolarne.

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

Doświadczenie Joule a i jego konsekwencje Ciepło, pojemność cieplna sens i obliczanie Praca sens i obliczanie

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:

XLI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP WSTĘPNY Zadanie teoretyczne

u(t)=u R (t)+u L (t)+u C (t)

Rys. 1. Temperatura punktu rosy na wykresie p-t dla wody.

P 1, P 2 - wektory sił wewnętrznych w punktach powierzchni F wokół punktu A

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

Przyrządy półprzewodnikowe część 3

Kryteria samorzutności procesów fizyko-chemicznych

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

Badanie tranzystora bipolarnego

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Wykład V Złącze P-N 1

Transkrypt:

AKADMA GÓRNZO-HUTNZA M. STANSŁAWA STASZA W KRAKOW Wydzał nformatyk, lektronk Telekomunkacj Katedra lektronk LMNTY LKTRONZN dr nż. Potr Dzurdza aw. -3, okój 413; tel. 617-27-02, otr.dzurdza@agh.edu.l dr nż. reneusz rzozowsk aw. -3, okój 512; tel. 617-27-24, reneusz.brzozowsk@agh.edu.l TRANZYSTOR POLARNY +T 2018 r. PD& 2 1

WSTĘP zy wesz, że : nn. do nedawna tranzystor bolarny był najowszechnej stosowanym elementem ółrzewodnkowym, wyowadając słowo tranzystor rozumano, że chodz o tranzystor bolarny.. rąd łynący mędzy dwema końcówkam tranzystora bolarnego jest regulowany rzez stosunkowo newelk rąd łynący rzez trzecą końcówkę. n. w tranzystorze bolarnym w rzeływe rądu borą udzał zarówno elektrony jak dzury. +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 3 ZASADA DZAŁANA Jak to było z dodą?: D UD dzury T T n RL nne sosoby zwększana rądu unoszena??? Skąd wząć dzury? +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 4 2

ZASADA DZAŁANA W b + wstrzykwane dzur n unoszene dzur R MTTR AS OLLTOR R U W dobrym tranzystorze n rawe wszystke dzury wstrzykwane z emtera do bazy są unoszone zberane w kolektorze. Temu założenu srzyja sełnene warunków wąskej bazy (W b << L ) oraz długego czasu życa dzur τ. +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 5 ZASADA DZAŁANA W b + wstrzykwane dzur n unoszene dzur R MTTR AS OLLTOR R Na rzeływ rądu bazy składają sę: 1. Prąd elektronów rekombnujących z dzuram w baze. 2. Prąd elektronów wstrzykwanych do emtera mmo, że emter jest slnej domeszkowany nż baza. 3. Newelk rąd elektronów (owstających w wynku generacj termcznej) wływający do bazy od strony zaorowo solaryzowanego złącza kolektorowego. +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 6 3

LANS PRZPŁYWU DZUR LKTRONÓW rzeływ elektronów 5 + n 1 rzeływ dzur 3 4 2 n 1 wstrzykwane dzury tracone na rekombnację w baze 2 dzury osągające złącze kolektora solaryzowanego zaorowo 3 elektrony dostarczane rzez kontakt bazy rekombnujące z dzuram 4 celna generacja elektronów dzur tworzących rąd nasycena złącza kolektora solaryzowanego zaorowo 5 elektrony wstrzyknęte do emtera orzez złącze za: Przyrządy ółrzewodnkowe, en G. Streetman +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 7 WSPÓŁZYNNK WZMONNA PRĄDOWGO rzeływ elektronów Wsółczynnk transortu bazy (jaka część wstrzyknętych dzur dotarła za ośrednctwem bazy do kolektora) 5 + n n Wsółczynnk srawnośc wstrzykwana emtera 1 rzeływ dzur 3 n n n 1 4 1 1 Wzmocnene rądowe mędzy emterem a kolektorem n / 1 1 2 elektrony, które zrekombnowały w baze / t n za: Przyrządy ółrzewodnkowe, en G. Streetman +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 8 4

100kΩ 5kΩ WZMANAZ O OPS JAKOŚOWY Przykład: 100 t u 10V n + 10s t 0, 1s u 100V b[ma] 0.05 c[ma] 5 10V 0, 1mA 100 k 10mA t t +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 9 STRUKTURY TRANZYSTORÓW POLARNYH n+ n + n nn n emter baza kolektor +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 10 5

PASMOWY MODL NRGTYZNY TRANZYSTORA n+ n qu z olaryzacją qu bez olaryzacj elektron +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 11 KONGURAJ PRAY TRANZYSTORA POLARNGO O O u W u WY uw u WY O uw u WY +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 12 6

STANY PRAY TRANZYSTORA POLARNGO aktywny normalny odcęca aktywny nwersyjny nasycena +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 13 MODL RSA-MOLLA αrr nn α R u u +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 14 u u nut n T 1 1 U S e RS e u u nut n T 1 1 U S e S e 7

MODL RSA-MOLLA S rąd rewersyjny nasycena złącza emterowego rzy zwartym złączu kolektorowym S rąd rewersyjny nasycena złącza kolektorowego rzy zwartym złączu emterowym 0 S 1 0 S 1 n, n wsółczynnk nedealnośc złącza emterowego kolektorowego α stałorądowy wsółczynnk wzmocnena rądowego tranzystora w konfguracj O rzy aktywnej racy normalnej 0 0 αr stałorądowy wsółczynnk wzmocnena rądowego tranzystora w konfguracj O rzy aktywnej racy nwersyjnej R R +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 15 MODL RSA-MOLLA S R S S tożsamość Onsagera S transortowy rąd nasycena u u S nut n T 1 1 U e S e u u nu T S n T 1 1 U S e e R równana -M uzależnone tylko od trzech arametrów +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 16 8

MODL RSA-MOLLA Jeżel zdefnujemy rzez rąd rzewodzena dody emterowej rzy racy aktywnej normalnej, oraz rzez R rąd dody kolektorowej dla aktywnej racy nwersyjnej: u nut S e 1 R S u nut 1 S e To otrzymamy równana -M w ostac: R R R e u nut +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 17 MODL RSA-MOLLA dbe dbc jbe αrr jbc α R nn u u +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 18 9

HARAKTRYSTYK W KONGURAJ O harakterystyk wejścowe f U U const. U1 U2 U U1<U2 U U +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 19 HARAKTRYSTYK W KONGURAJ O harakterystyk rzejścowe f U const. U2 U1 U U1<U2 U +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 20 10

HARAKTRYSTYK W KONGURAJ O harakterystyk wyjścowe f U const. 1<2 U 4 3 U 2 1 U +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny 21 ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Określane unktu racy Q +U U R U R R U U R U uwe U uwy U U U R U R +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny: wzmacnacz 22 11

ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Wływ wyboru unktu racy na właścwośc wzmacnające wzmacnacza R R uwe uwy Q(, ) -1/R Q(U, ) U Q(, U) U +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny: wzmacnacz 23 ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Punkt racy zaewnający maksymalną dynamkę zman naęca wyjścowego R R uwe uwy Q(, ) -1/R Q(U, ) U Q(, U) U +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny: wzmacnacz 24 12

ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Przesterowane wzmacnacza R R uwe uwy Q(, ) -1/R Q(U, ) U Q(, U) U +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny: wzmacnacz 25 ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Punkt racy skutkujący wchodzenem wzmacnacza w obszar nasycena R R uwe uwy Q(, ) Q(U, ) -1/R U Q(, U) U +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny: wzmacnacz 26 13

ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Punkt racy skutkujący wchodzenem wzmacnacza w obszar odcęca R R -1/R uwy uwe Q(, ) Q(U, ) U Q(, U) U +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny: wzmacnacz 27 ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Stany racy tranzystora w olu charakterystyk wyjścowych Pmax=U R R -1/R Q(U, ) uwy uwe U obszar nasycena obszar odcęca obszar aktywny +T 2018 r. PD& lementy elektronczne - tranzystor bolarny: wzmacnacz 28 14