Układy cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym

Podobne dokumenty
Metody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej

Dynamika w magnetycznych złączach tunelowych

Badanie uporządkowania magnetycznego w ultracienkich warstwach kobaltu w pobliżu reorientacji spinowej.

Ferromagnetyczne materiały dla kontrolowanego pozycjonowania ścian domenowych

W stronę plazmonowego wzmocnienia efektów magnetooptycznych

Badania dyfrakcyjne cienkowarstwowych struktur pod kątem zastosowań w elektronice spinowej

Prof. dr hab. Tomasz Stobiecki Kraków, Recenzja. pracy doktorskiej mgr inż. Kingi Aleksandry Lasek

Dynamika namagnesowania warstwowych struktur magnetycznych i nanostruktur.

Nadprzewodnictwo w nanostrukturach metalicznych Paweł Wójcik Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej, AGH

Maciej Czapkiewicz Katedra Elektroniki, WIEiT, AGH

Fizyka silnie skorelowanych elektronów na przykładzie międzymetalicznych związków ceru

Struktura i właściwości magnetyczne układów warstwowych metal/izolator

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

BADANIA WARSTW FE NANOSZONYCH Z ELEKTROLITU NA BAZIE ACETONU

Podstawy Mikroelektroniki

Marcin Sikora. Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych

Replikacja domen magnetycznych w warstwach wielokrotnych

Nowa odmiana tlenku żelaza: obliczenia ab initio i pomiary synchrotronowe

Czy warto jeszcze badad efekt magnetokaloryczny? O nowym kierunku prac nad magnetycznym chłodzeniem

Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury. Józef Korecki, C1, II p., pok. 207

Nanourządzenia elektroniki spinowej: magnetyczne złącza tunelowe, spintorque

Prezentacja aparatury zakupionej przez IKiFP. Mikroskopy LEEM i PEEM


Efektywne symulacje mikromagnetyczne układów magnonicznych przy wykorzystaniu GPGPU.

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å

Amorficzne warstwy w spintronice

Spektroskopia charakterystycznych strat energii elektronów EELS (Electron Energy-Loss Spectroscopy)

Autoreferat. 2. Dyplomy i stopnie: magistra inżyniera, Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława 1998 Staszica w Krakowie

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL



Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza

Aparatura do osadzania warstw metodami:

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun

Spektroskopia mionów w badaniach wybranych materiałów magnetycznych. Piotr M. Zieliński NZ35 IFJ PAN

Elementy teorii powierzchni metali

Materiały magnetycznie miękkie i ich zastosowanie w zmiennych polach magnetycznych. Jacek Mostowicz

dr inż. Beata Brożek-Pluska SERS La boratorium La serowej

Magdalena Fitta. Zakład Materiałów Magnetycznych i Nanostruktur NZ34

Plan. Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych. Kropki samorosnące. Kropki fluktuacje szerokości

Badanie pól elektrycznych w azotkach metodami optycznymi

Oddziaływanie grafenu z metalami

Nagroda Nobla 2007 efekt GMR

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Frustracja i współzawodnictwo oddziaływań magnetycznych w związkach międzymetalicznych ziem rzadkich. Ł. Gondek

Operacje na spinie pojedynczego elektronu w zastosowaniu do budowy bramek logicznych komputera kwantowego

Końcowe Sprawozdanie z Realizacji Projektu Krajowe Centrum Nanostruktur Magnetycznych do Zastosowań w Elektronice Spinowej - SPINLAB

Zastosowanie spektroskopii EPR do badania wolnych rodników generowanych termicznie w drotawerynie

Zastosowanie GMR w dyskach twardych HDD i pamięci MRAM

Wykład 17: Optyka falowa cz.2.

Badania powierzchni kryształów i struktur epitaksjalnych. Bogdan J. Kowalski IF PAN

Właściwości defektów punktowych w stopach Fe-Cr-Ni z pierwszych zasad

Nanostruktury i nanotechnologie

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej ZAPRASZAMY NA STUDIA

Analiza parametrów rozszczepienia zero-polowego oraz pola krystalicznego dla jonów Mn 2+ i Cr 3+ domieszkowanych w krysztale YAl 3 (BO 3 ) 4

Nierównowagowe kondensaty polarytonów ekscytonowych z gigantycznym rozszczepieniem Zeemana w mikrownękach półprzewodnikowych

MATERIAŁY I WIELOWARSTWOWE STRUKTURY OPTYCZNE DO ZASTOSOWAŃ W FOTOWOLTAICE ORGANICZNEJ (WYBRANE ZAGADNIENIA MODELOWANIA, POMIARÓW I REALIZACJI)

Kropki samorosnące. Optyka nanostruktur. Gęstość stanów. Kropki fluktuacje szerokości. Sebastian Maćkowski. InAs/GaAs QDs. Si/Ge QDs.

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych

Indukowana prądem dynamika momentu magnetycznego w złączach tunelowych

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.

Hyperfine interactions and magnetic properties of La 0.67 Ca 0.33 Mn 1-x. Fe x O 3 with x=0.1 and 0.15

Piotr Kowalczuk Natura rozpuszczonej materii organicznej w morzach szelfowych w świetle najnowszych zastosowań spektroskopii fluorescencyjnej

Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Uniwersytet w Białymstoku

Struktura elektronowa

Grafen materiał XXI wieku!?

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski

Przejścia fazowe w uogólnionym modelu modelu q-wyborcy na grafie zupełnym

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych

Maciej Czapkiewicz. Magnetic domain imaging

Stanowisko do pomiaru magnetorezystancji elementu odczytowego głowicy dysku twardego

Własności transportowe niejednorodnych nanodrutów półprzewodnikowych

Laureaci Nagrody Nobla z fizyki w 2007 r.

Metody Lagrange a i Hamiltona w Mechanice

Jak laserem zrobić kompozyt?

Poznań, 11 sierpnia 2014 r.

Staż naukowy Foresight impact on innovation

Wady ostrza. Ponieważ ostrze ma duży promień niektóre elementy ukształtowania powierzchni nie są rejestrowane (fioletowy element)

Badania powierzchni kryształów i struktur epitaksjalnych. Bogdan J. Kowalski IF PAN

Mody sprzężone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

O kondensacie BosegoEinsteina powstaj cym w ZOA

Grafen materiał XXI wieku!?

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Organiczne ogniwa słonecznes. Ogniwa półprzewodnikowe. p przewodnikowe zasada ania. Charakterystyki fotoogniwa

Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

WPŁYW GRUBOŚCI EKRANU NA CAŁKOWITE POLE MAGNETYCZNE DWUPRZEWODOWEGO BIFILARNEGO TORU WIELKOPRĄDOWEGO. CZĘŚĆ II EKRAN I OBSZAR WEWNĘTRZNY EKRANU

Rezonansowe jądrowego rozpraszanie promieniowania synchrotronowego czyli: Druga młodość efektu Mössbauera

INSTYTUT FIZYKI WYDZIAŁ INŻYNIERII PROCESOWEJ, MATERIAŁOWEJ I FIZYKI STOSOWANEJ POLITECHNIKA CZĘSTOCHOWSKA ĆWICZENIE NR MR-6

Spektroskopowe badania właściwości magnetycznych warstwowych związków RBa2Cu3O6+x i R2Cu2O5. Janusz Typek Instytut Fizyki

Uniwersytet Warszawski Wydział Fizyki. Badanie efektu Faraday a w kryształach CdTe i CdMnTe

Informatyka kwantowa i jej fizyczne podstawy Rezonans spinowy, bramki dwu-kubitowe

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Rozdział 8. Przykłady eksperymentów

Atom wodoropodobny. Biegunowy układ współrzędnych. współrzędne w układzie. kartezjańskim. współrzędne w układzie. (x,y,z) biegunowym.

AFM. Mikroskopia sił atomowych

Transkrypt:

Układy cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym A. Kozioł-Rachwał Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej AGH National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) seminarium WFiIS AGH 28.04.2017

Plan seminarium prostopadła anizotropia magnetyczna (PMA) w układach cienkowarstwowych efekt wpływu pola elektrycznego na PMA (VCMA) PMA oraz VCMA w układzie MgO/Fe/Cr jak zwiększyd PMA oraz VCMA w układzie MgO/Fe/Cr poprzez inżynierię interfejsową?

Prostopadła anizotropia magnetyczna (PMA) E= - K eff cos 2 θ n θ M E= - (K v + K s / t) cos 2 θ K s ~ 0.5 mj/m 2 30nm

Wpływ pola elektrycznego na PMA w cienkiej warstwie ferromagnetyka M. Weisheit, S. Fähler, A. Marty, Y. Souche, C. Poinsignon, D. Givord, Science 315 (2007)

VCMA coefficient (fj/vm) K PMA,eff *t free (mj/m 2 ) Duża PMA oraz silny efekt VCMA niezbędne do realizacji pamięci magnetycznej nowej generacji 10000 E SW =1V/nm, t free =1 nm 10 Storage class Main memory memory Cache memory 1000 1 = 80 0 = 60 100 = 40 = 30 0 10 20 30 40 50 0.1 MTJ diameter, d (nm) T. Nozaki et al., to be published T. Nozaki et al., impact symposium, 2015

PMA w układzie MgO/Fe/Cr PMA @ RT subnanometrowych warstw Fe w układzie MgO/Fe/Cr oraz MgO/Fe/V 1,2 pochodzenie PMA: anizotropia powierzchniowa (~1mJ/m 2 ) MgO klin Fe Cr/V MgO(001) 1 Lambert et al. Appl. Phys. Lett. 102, 122410 (2013), 2 Koo et al. Appl. Phys. Lett. 103, 192401 (2013)

K eff t Fe (mj/m 2 ) Wpływ buforowej warstwy MgO na PMA w układzie MgO/Fe/Cr/bufor MgO/MgO(001) - PMA subnanometrowych warstw Fe w układzie MgO/Fe/Cr/buforMgO(3nm)/MgO(001) - anizotropia powierzchniowa K s ~ 2.1mJ/m 2 2.5 Czy MA w układzie MgO/Fe/Cr/buforMgO/MgO(001) może byd kontrolowana poprzez zmianę grubości bufora MgO? 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 Fe thickness, t Fe ' (nm) T. Nozaki, AKR, W. Skowrooski, V. Zayets, Y. Shiota, S. Tamaru, H. Kubota, A. Fukushima, S. Yuasa, and Y. Suzuki, Phys. Rev. Applied 5, 044006 (2016).

MgO/Fe(t)/Cr/bufor MgO(d)/MgO(001) - podłoże MgO(001) (wygrzano @ 800 C) - klinowa warstwa MgO @ 200 C, 0 < d < 4nm(15nm) - 30 nm Cr @ 200 C (wygrzano @ 800 C/20min.) - Fe @ 200 C (0.4 1.1)nm (wygrzano@ 260 C) - 3nm MgO @ 60 C (wygrzano@ 350 C/20minutes) - 20nm ITO @ RT

AES intensity [a.u.] C/Cr ratio MgO/Fe(t)/Cr/bufor MgO(d)/MgO(001) RHEED AES grubośd MgO Cr Fe(0.7nm) 0.20 0nm 0.15 C 3nm 15nm 0 nm 2 nm 5 nm 15 nm Cr Cr Cr 0.00 200 300 400 500 600 700 Kinetic energy [ev] 0.10 0.05 0 5 10 15 MgO thickness [nm]

Kerr rotation [ rad] coercivity [koe] MgO/Fe(t)/Cr/bufor MgO(d)/MgO(001) pomiary PMOKE grubośd MgO d 0nm 1nm 2nm 3nm 4nm 40 20 0-20 -40 grubośd Fe t = 0.4nm -2-1 0 1 2 H [koe] Kerr rotation [ rad] 60 30 0-30 -60 grubośd Fe t = 0.6nm -3-2 -1 0 1 2 3 H [koe] 1.5 1.0 0.5 H c vs d (grubośd Fe: t=0.5nm, 0.6nm, 0.7nm) 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 MgO thickness [nm] 0.5 nm 0.6 nm 0.7 nm

Kerr rotation [ rad] K eff * 10 5 [J/m 3 ] Zależnośd MA od grubości bufora MgO(d) grubośd Fe t=1.0nm K eff vs grubośd MgO (d) (t=0.9nm, 1.0nm) grubośd MgO (d) 1nm 2nm 4nm Kerr rotation [ rad] 80 40 0-40 -80 LMOKE 80 0-80 -0.5 0.0 0.5 H[kOe] 2 1 0-1 -2-3 -4-5 -6 Fe 0.9 nm Fe 1.0 nm zmiana K eff nie jest związana ze zmianą anizotropii kształtu -9-6 -3 0 3 6 9 H [koe] 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 MgO thickness [nm] AKR, T. Nozaki, V. Zayets, H. Kubota, A. Fukushima, S. Yuasa and Y. Suzuki, J. Appl. Phys. J. 120, 085303 (2016).

Pytania: 1. co jest źródłem MEA w układzie? 2. dlaczego MEA zmienia się z grubością bufora MgO?

Pochodzenie MEA w układzie MgO/Fe/Cr - silna zależnośd MEA vs. stała sieci dla FeCo (K. H. He and J. S. Chen, JAP 111, 07C109 (2012)) - dla d=3nm przyczynek objętościowy do K eff ~ K v =-2*10 6 J/m 3 - zmiana stałej sieci Fe może byd spowodowane mieszaniem Fe i Cr

K eff * 10 5 [J/m 3 ] Dlaczego K eff zmienia się z grubością d? 2 1 Fe 0.9 nm Fe 1.0 nm 0-1 -2-3 -4-5 -6 - wzrost ujemnego przyczynku do K eff wraz ze wzrostem grubości MgO - zmiana naprężeo w warstwie Fe 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 MgO thickness [nm]

coercivity [koe] K eff * 10 5 [J/m 3 ] MA w układzie MgO/Fe(0.4nm 1.0nm)/Cr/MgO(d)/MgO(001) zależy od grubości bufora MgO dla t < 0.8 nm niemonotoniczna zależnośd H c (d) dla 0.8nm t 1.0nm zmiana kierunku namagnesowania (SRT) w funkcji grubości MgO 1.5 0.5 nm 0.6 nm 0.7 nm 2 1 0 Fe 0.9 nm Fe 1.0 nm -1-2 1.0-3 -4-5 0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 MgO thickness [nm] -6 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 MgO thickness [nm]

Wpływ pola elektrycznego na MA w układzie Cr/Fe/MgO

Wpływ pola elektrycznego na MA w układzie Cr/Fe/MgO G(θ)=G 90 + (G P G 90 ) cosθ

Wpływ pola elektrycznego na MA w układzie Cr/Fe/MgO t Fe =5.3Å VCMA ~ 290 fj/vm t Fe =7.8Å VCMA ~ 80 fj/vm T. Nozaki, AKR, W. Skowrooski, V. Zayets, Y. Shiota, S. Tamaru, H. Kubota, A. Fukushima, S. Yuasa, and Y. Suzuki, Phys. Rev. Applied 5, 044006 (2016).

K eff t Fe (mj/m 2 ) Silny efekt VCMA zaobserwowano dla t Fe < 6Å! 2.5 K s ~ 2.1 mj/m 2 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 Fe thickness, t Fe ' (nm)

AKR, T. Nozaki, K. Friendl, J. Korecki, S. Yuasa and Y. Suzuki, http://arxiv.org/abs/1701.00048 Cr/ 57 Fe(6Å)/MgO spektroskopia Mössbauera widmo Cr/ 57 Fe(6Å)/MgO przed i po wygrzaniu Po wygrzaniu: wyostrzenie interfejsów segregacja Cr SRT

Jak obecnośd Cr wpływa w interfejsie Fe/MgO wpływa na PMA oraz VCMA?

Normalized conductance [a. u.] Zależnośd K eff od grubości Cr 1.00 grubośd Fe t=5.1å grubośd Fe t=6.6å 0.75 0.50 0.25 0.00 a Cr thickness d [Å] 0 0.44 0.56 1.07-15 -10-5 0 H [koe] Cr thickness d [Å] 0 0.16 0.28 0.41 0.66 b -15-10 -5 0 H [koe] PMA w układzie Cr/Fe/MgO może byd wzmocniona poprzez naniesienie cienkiej warstwy Cr pomiędzy Fe i MgO!

K eff [ J/m 3 ] Zależnośd K eff od grubości Cr d 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 Fe thickness t [Å] 4.91 5.11 5.26 5.41 5.61 5.91 6.11 6.61 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 Cr thickness [Å] PMA w układzie Cr/Fe/MgO może byd wzmocniona poprzez naniesienie cienkiej warstwy Cr pomiędzy Fe i MgO!

K eff t [mj/m 2 ] Zależnośd efektu VCMA od grubości Cr 0.55 0.50 0.45 0.40 t = 5.1 Å 302 fj/vm 257 fj/vm d [Å] 0 0.44 0.69 0.60 0.56 0.52 0.48 0.44 t = 5.4 Å d [Å] 0 0.41 0.66 0.79 0.75 0.70 0.65 0.60 t = 5.9 Å d [Å] 0 0.28 0.54 0.66 0.35 0.40 0.55 0.30 0.25 0.20 a 199 fj/vm -300-200 -100 0 100 200 300 0.36 0.32 0.28 b -300-200 -100 0 100 200 300 0.50 0.45 c -300-200 -100 0 100 200 300 E [mv/nm] E [mv/nm] E [mv/nm]

VCMA coefficient [fj/vm] Zależnośd efektu VCMA od grubości Cr 400 350 300 Fe thickness [Å] 5.11 5.41 5.61 5.91 6.11 wzmocnienie VCMA dla optymalnej grubości Cr! 250 200 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Cr thickness [Å]

K eff [MJ/m 3 ] AKR, T. Nozaki, K. Freindl, J. Korecki, S. Yuasa and Y. Suzuki, http://arxiv.org/abs/1701.00048 VCMA [fj/vm] Zależnośd PMA oraz VCMA od grubości Cr 2.0 1.8 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 Fe thickness t [Å] 5.11 Å 5.41 Å 5.61 Å 5.91 Å 6.11 Å 400 350 300 250 200 150 wzmocnienie PMA oraz VCMA dla optymalnej grubości Cr! 0.6 100 0.4 50 0.2 0 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 Cr thickness d [Å]

Wzmocnienie PMA oraz VCMA przyczyna? A. Hallal et al. PRB 90, 064422(2016) J. Zhang et al. arxiv:1612.02724v1 P. V. Ong et al. PRB 92, 020407(R) (2015)

Podsumowanie

Podziękowania AIST (Tsukuba) Spintronics Research Center T. Nozaki V. Zayets Y. Shiota S. Tamaru H. Kubota A. Fukushima Y. Suzuki S. Yuasa AGH & IKiFP PAN W. Skowrooski K. Freindl J. Korecki This work was supported by ImPACT Program of Council for Science