Elektronika Molekularna
|
|
- Maciej Brzozowski
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Elektronika Molekularna
2 Plan wypowiedzi -słowo o miniaturyzacji - definicja zagadnienia - podział elektroniki - opis elementów: * przełącznik * połączenia elektryczne * oporniki * diody * bramki logiczne -prosty układ logiczny, molekularny.
3 Jedna z wersji prawa Moore'a głosi, że liczba tranzystorów w układach scalonych podwaja się co 18 do 24 miesięcy. Wkrótce jednak prawo Moore'a zmusi nas do zrezygnowania z używania krzemu do produkcji podzespołów elektronicznych...
4 Obecnie stosowane procesy technologiczne bliskie są już granicy możliwości krzemowej elektroniki - niektórzy twierdzą, że jest nią 0,07 mikrona. Coraz bardziej realna jest też bariera finansowa - zmniejszenie wymiaru technologicznego o jeden krok powoduje wykładniczy wzrost kosztów uruchomienia produkcji. Obecnie mówi się o kilku miliardach dolarów, za lat może być to już... kilkaset miliardów! Czy ludzkość wysupła tyle na nowa fabrykę Intela? Być może nie będzie to potrzebne. Okazuje się, że można tworzyć elementy cyfrowe dziesiątki czy nawet setki tysięcy razy mniejsze od submikronowych tranzystorów. Wkraczamy w świat mikroelektroniki molekularnej.
5 Wykorzystanie cząsteczek w roli elementów elektronicznych pozwoliłoby zwiększyć ich upakowanie kilkadziesiąt tysięcy razy w stosunku do krzemowych odpowiedników!
6 elektrony w cząsteczkach mogą przybierać pewne ściśle określone poziomy energetyczne, związane z zajmowanym orbitalem. Kształt orbitalu związany jest zaś z geometrią, a co za tym idzie, właściwościami cząsteczki - i odwrotnie
7 Elektronika molekularna Elementy elektroniczne zależą od organizacji molekuł.
8 magnesy, ferroelektryki... Kable, diody, tranzystory... Optoelektronike: czujniki...
9 W lipcu 1999 r. naukowcy pracujący w laboratoriach Hewlett- Packarda zbudowali elektroniczny przełącznik składający się z warstwy kilku milionów cząsteczek organicznej substancji zwanej rotaksanem. Łącząc kilka takich przełączników, stworzyli bramkę AND. dawała się przełączyć tylko jeden raz, niemniej jednak zadziałała zgodnie z oczekiwaniami.
10 Kilka miesięcy później grupy naukowców z amerykańskich uniwersytetów Yale i Rice stworzyły przełącznik "wielorazowego użytku". Miesiąc później cząsteczkę przekonstruowano w ten sposób, że mogła pełnić rolę podstawowej komórki pamięci.
11 Do stworzenia przełącznika wykorzystano również substancję organiczną - nitroaminobenzotiol, cząsteczkę zawierającą trzy łańcuchy benzenowe z doczepionymi po przeciwnych stronach środkowego łańcucha: grupą nitrową (NO2) i aminową (NH2) oraz grupą tiolową na końcu. Grupa tiolowa pełniła rolę "kleju" łączącego cząsteczkę ze złotą elektrodą, zaś grupy azotynowa i aminowa uczyniły cząsteczkę wrażliwą na pole elektryczne. Przyłożenie odpowiedniego napięcia powoduje skręcenie cząsteczki, deformację orbitali i blokuje przepływ prądu - mamy logiczne zero. Po zmniejszeniu napięcia cząsteczka wraca do pierwotnego kształtu, prąd płynie, mamy logiczną jedynkę. "Przewodnikiem" jest tu koniugacja pustych, niskoenergetycznych orbitali pi, która przestaje istnieć przy skręceniu cząsteczki.
12 Niemal identyczna cząsteczka, jednak bez grupy aminowej, okazała się znakomitą komórką pamięci. Obecność lub brak ładunku w środkowym węźle w analogiczny jak wyżej sposób reguluje przepływ prądu - przy czym stan logiczny pamiętany jest niemal dziesięć minut! Dla porównania, zawartość pamięci DRAM musi być odświeżana co kilka-kilkadziesiąt milisekund...
13 Jak tworzy się takie konstrukcje: Do roztworu substancji dodaje się kolejno określone odczynniki, o których wiadomo, że dołączają się w odpowiednich miejscach cząsteczki. Właściwości substancji bada się następnie metodami spektroskopii podczerwonej, rezonansu magnetycznego, spektrometrii masowej.
14 Do osadzenia otrzymanych elementów na elektrodach wykorzystuje się zdolność cząsteczek do samoorganizacji. Temu właśnie służy umieszczona na końcu wspomnianej wyżej cząsteczki grupa tiolowa - po zanurzeniu złotej płytki w roztworze, cząsteczki przyklejają się do niej końcami jedna koło drugiej, tworząc sterczący pionowo "las". Oczywiście płytka nie musi być jednolita - może to być równie dobrze otrzymana np. za pomocą konwencjonalnej fotolitografii siatka połączeń.
15 Parametry: Cząsteczkę złożoną z pojedynczego pierścienia benzenowego z dwiema grupami tiolowymi dołączonymi po przeciwnych stronach zbadano za pomocą tunelowego mikroskopu skaningowego (być może użycie mikroskopu w charakterze amperomierza wydaje się niecodziennym rozwiązaniem, ale właśnie tak się to robi). Cząsteczka okazała się mieć opór rzędu dziesiątek megaomów. Stwierdzono, że jest ona w stanie wytrzymać przepływ prądu o natężeniu 0,2 mikroampera przy napięciu 5 woltów - co oznacza przejście przez nią biliona elektronów, jednego po drugim, w ciągu sekundy. Przy okazji zauważono, że przepływ elektronów nie spowodował wydzielenia się ciepła, które mogłoby powstawać przy zderzeniach. Bardzo dobre okazały się też charakterystyki przełączania wspomnianej cząsteczki. Stosunek prądów w stanie włączonym i wyłączonym wynosił 1000, tymczasem parametr ten dla analogicznego urządzenia wykonanego z konwencjonalnych półprzewodników (rezonującej diody tunelowej) wynosi około 100.
16 Molekularne połączenia
17
18 (b) (c)
19
20
21
22 Diody molekularne
23
24
25 Realizacja polifenylenowej diody molekularnej X kompleks donorowy Y kompleks akceptorowy
26 Bramki klogiczne
27 Bramka and
28 półsumator:
29 Literatura: - Możliwość wykorzystania cząsteczki mnemon do realizacji bramek logicznych, Adam Leśniewski - Molecular electronics, Mark A. Ratner - Kwantowe bity-elektronika molekularna, Michał Setlak - Nanotechnologia-stan obecny i perspektywy, B Dręczewski
Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl
Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl Plan ogólny Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie, czyli czym będziemy się
SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
6. Oryginalny bezpiecznik można w razie potrzeby zastąpić kawałkiem grubego drutu. a) prawda, b) fałsz. 8. Przyrządem do pomiaru napięcia jest:...
1. Jeśli obojętnej elektrycznie kulce odbierzemy część elektronów, stanie się ona naelektryzowana:.. 2. Powłoki elektronowe atomu tlenu zawierają 8 elektronów. Ile protonów zawiera jądro tlenu?... 3. Przedstaw
Test powtórzeniowy. Prąd elektryczny
Test powtórzeniowy. Prąd elektryczny Informacja do zadań 1. i 2. Przez dwie identyczne żarówki (o takim samym oporze), podłączone szeregowo do baterii o napięciu 1,6 V (patrz rysunek), płynie prąd o natężeniu
Opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak
Materiały dydaktyczne na zajęcia wyrównawcze z chemii dla studentów pierwszego roku kierunku zamawianego Inżynieria Środowiska w ramach projektu Era inżyniera pewna lokata na przyszłość Opracowała: mgr
Przestrzenne układy oporników
Przestrzenne układy oporników Bartosz Marchlewicz Tomasz Sokołowski Mateusz Zych Pod opieką prof. dr. hab. Janusza Kempy Liceum Ogólnokształcące im. marsz. S. Małachowskiego w Płocku 2 Wstęp Do podjęcia
Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr
Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma
Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)
Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) 1. Wymagane zagadnienia - ruch ładunku w polu magnetycznym, siła Lorentza, pole elektryczne - omówić zjawisko Halla, wyprowadzić wzór na napięcie
pobrano z serwisu Fizyka Dla Każdego - - zadania fizyka, wzory fizyka, matura fizyka
6. Prąd elektryczny zadania z arkusza I 6.7 6.1 6.8 6.9 6.2 6.3 6.10 6.4 6.5 6.11 Na zmieszczonym poniżej wykresie przedstawiono charakterystykę prądowo-napięciową żarówki. 600 500 400 I, ma 300 200 6.6
Test powtórzeniowy Prąd elektryczny
Test powtórzeniowy rąd elektryczny 1 Wybierz poprawne uzupełnienia zdania. W metalach kierunek przepływu prądu jest zgodny z kierunkiem ruchu elektronów, jest przeciwny do kierunku ruchu elektronów, ponieważ
Różne dziwne przewodniki
Różne dziwne przewodniki czyli trzy po trzy o mechanizmach przewodzenia prądu elektrycznego Przewodniki elektronowe Metale Metale (zwane również przewodnikami) charakteryzują się tym, że elektrony ich
Elektryczność i magnetyzm cz. 2 powtórzenie 2013/14
strona 1 Imię i nazwisko ucznia Data...... Klasa... Zadanie 1. Czajnik elektryczny o mocy 1000 W pracuje przez 5 minut. Oblicz, ile energii elektrycznej uległo przemianie w inne formy energii. Zadanie
Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6
Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany
Podstawy chemii obliczeniowej
Podstawy chemii obliczeniowej Anna Kaczmarek Kędziera Katedra Chemii Materiałów, Adsorpcji i Katalizy Wydział Chemii UMK, Toruń Elementy chemii obliczeniowej i bioinformatyki 2015 Plan wykładu 15 godzin
Czym jest prąd elektryczny
Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,
IV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
3. Cząsteczki i wiązania
3. Cząsteczki i wiązania Elektrony walencyjne Wiązania jonowe i kowalencyjne Wiązanie typu σ i π Hybrydyzacja Przewidywanie kształtu cząsteczek AX n Orbitale zdelokalizowane Cząsteczki związków organicznych
Statyka Cieczy i Gazów. Temat : Podstawy teorii kinetyczno-molekularnej budowy ciał
Statyka Cieczy i Gazów Temat : Podstawy teorii kinetyczno-molekularnej budowy ciał 1. Podstawowe założenia teorii kinetyczno-molekularnej budowy ciał: Ciała zbudowane są z cząsteczek. Pomiędzy cząsteczkami
1 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J
1 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J P R A C O W N I A P O D S T A W E L E K T R O T E C H N I K I I E L E K T R O N I K I Ćw. 1. Łączenie i pomiar oporu Wprowadzenie Prąd elektryczny Jeżeli w przewodniku
Różne techniki hodowli kryształów wykorzystywanych w elektronice. Paweł Porada Informatyka stosowana semestr 7
Różne techniki hodowli kryształów wykorzystywanych w elektronice Paweł Porada Informatyka stosowana semestr 7 Hodowanie Z masy stopionej z roztworu z fazy gazowej z fazy stałej (tzw. rekrystalizacja) Hodowanie
PROJEKTOWANIE UKŁADÓW VLSI
prof. dr hab. inż. Andrzej Kos Tel. 34.35, email: kos@uci.agh.edu.pl Pawilon C3, pokój 505 PROJEKTOWANIE UKŁADÓW VLSI Forma zaliczenia: egzamin Układy VLSI wczoraj i dzisiaj Pierwszy układ scalony -
ELEKTRONIKA WYPOSAŻENIE LABORATORIUM DYDAKTYCZNEGO POMOC DYDAKTYCZNA DLA STUDENTÓW WYDZIAŁU ELEKTRYCZNEGO SERIA: PODSTAWY ELEKTRONIKI
ELEKTRONIKA WYPOSAŻENIE LABORATORIUM DYDAKTYCZNEGO POMOC DYDAKTYCZNA DLA STUDENTÓW WYDZIAŁU ELEKTRYCZNEGO SERIA: PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMAT: ZASILACZ LABORATORYJNY ZASILACZ LABORATORYJNY CZĘSTO W JEDNEJ
Badanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Obwód składający się z baterii (źródła siły elektromotorycznej ) oraz opornika. r opór wewnętrzny baterii R- opór opornika
Obwód składający się z baterii (źródła siły elektromotorycznej ) oraz opornika r opór wewnętrzny baterii - opór opornika V b V a V I V Ir Ir I 2 POŁĄCZENIE SZEEGOWE Taki sam prąd płynący przez oba oporniki
Spektroskopia magnetycznego rezonansu jądrowego - wprowadzenie
Spektroskopia magnetycznego rezonansu jądrowego - wprowadzenie Streszczenie Spektroskopia magnetycznego rezonansu jądrowego jest jedną z technik spektroskopii absorpcyjnej mającej zastosowanie w chemii,
Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Układy prostownicze. Laboratorium elektroniki i miernictwa. Gliwice, 3 grudnia informatyka, semestr 3, grupa 5
Gliwice, 3 grudnia 2010 Laboratorium elektroniki i miernictwa Układy prostownicze informatyka, semestr 3, grupa 5 sekcja 1: Paweł Burda Łukasz Jabłoński Piotr Jawniak Joanna Szymańska sekcja 2: Artur Czarnota
Geometria cząsteczek wieloatomowych. Hybrydyzacja orbitali atomowych.
Geometria cząsteczek wieloatomowych. Hybrydyzacja orbitali atomowych. Geometria cząsteczek Geometria cząsteczek decyduje zarówno o ich właściwościach fizycznych jak i chemicznych, np. temperaturze wrzenia,
Projektowanie Nowych Chemoterapeutyków
Jan Mazerski Katedra Technologii Leków i Biochemii Wydział Chemiczny Projektowanie Nowych Chemoterapeutyków XV. QSAR 3D QSAR w przestrzeni Rozwój metod ustalania struktury 3D dla białek i ich kompleksów.
STAŁY PRĄD ELEKTRYCZNY
STAŁY PRĄD ELEKTRYCZNY Natężenie prądu elektrycznego Wymuszenie w przewodniku różnicy potencjałów powoduje przepływ ładunków elektrycznych. Powszechnie przyjmuje się, że przepływający prąd ma taki sam
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych
Atomy wieloelektronowe
Wiązania atomowe Atomy wieloelektronowe, obsadzanie stanów elektronowych, układ poziomów energii. Przykładowe konfiguracje elektronów, gazy szlachetne, litowce, chlorowce, układ okresowy pierwiastków,
LI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne
LI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne ZADANIE D1 Cztery identyczne diody oraz trzy oporniki o oporach nie różniących się od siebie o więcej niż % połączono szeregowo w zamknięty obwód elektryczny.
Materiały pomocnicze 10 do zajęć wyrównawczych z Fizyki dla Inżynierii i Gospodarki Wodnej
Materiały pomocnicze 10 do zajęć wyrównawczych z Fizyki dla Inżynierii i Gospodarki Wodnej 1. Siła Coulomba. F q q = k r 1 = 1 4πεε 0 q q r 1. Pole elektrostatyczne. To przestrzeń, w której na ładunek
Skalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Instrukcje do doświadczeń. Elektronika
Instrukcje do doświadczeń Elektronika 1 Spis doświadczeń 1 Dioda podstawowy obwód elektryczny...7 2 Dioda badanie charakterystyki...8 3 Dioda jako prostownik...9 4 LED podstawowy obwód elektryczny...10
Rozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Co się stanie, gdy połączymy szeregowo dwie żarówki?
Różne elementy układu elektrycznego można łączyć szeregowo. Z wartości poszczególnych oporów, można wyznaczyć oporność całkowitą oraz całkowite natężenie prądu. Zadania 1. Połącz szeregowo dwie identyczne
Elektronika z plastyku
Elektronika z plastyku Adam Proń 1,2 i Renata Rybakiewicz 2 1 Komisariat ds Energii Atomowej, Grenoble 2 Wydział Chemiczny Politechniki Warszawskiej Elektronika krzemowa Krzem Jan Czochralski 1885-1953
Laboratorium Sieci Komputerowe
Laboratorium Sieci Komputerowe Adresowanie IP Mirosław Juszczak 9 października 2014 Mirosław Juszczak 1 Sieci Komputerowe Na początek: 1. Jak powstaje standard? 2. Co to są dokumenty RFC...??? (czego np.
Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Budowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2018 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA
Arkusz zawiera informacje prawnie chronione do momentu rozpoczęcia egzaminu Układ graficzny CKE 2017 Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania:
Elektromagnetyzm. pole magnetyczne prądu elektrycznego
Elektromagnetyzm pole magnetyczne prądu elektrycznego Doświadczenie Oersteda (1820) 1.Jeśli przez przewodnik płynie prąd, to wokół tego przewodnika powstaje pole magnetyczne. 2.Obecność oraz kierunek linii
Krótka informacja o bateriach polimerowych.
Koło Naukowe Robotyków KoNaR Krótka informacja o bateriach polimerowych. Jan Kędzierski Jacek Kalemba Wrocław. 08.06.2006 Niniejszy artykuł ma za zadanie przedstawić podstawowe informacje o bateriach Li-POL
Celem tego projektu jest stworzenie
Prosty kalkulator Celem tego projektu jest stworzenie prostego kalkulatora, w którym użytkownik będzie podawał dwie liczby oraz działanie, które chce wykonać. Aplikacja będzie zwracała wynik tej operacji.
Ćwiczenie: "Pomiary rezystancji przy prądzie stałym"
Ćwiczenie: "Pomiary rezystancji przy prądzie stałym" Opracowane w ramach projektu: "Wirtualne Laboratoria Fizyczne nowoczesną metodą nauczania realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.
Włączanie i wyłączanie tyrystora. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia;
. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia; Zapoznanie się z budową, działaniem i zastosowaniem tyrystora. Zapoznanie się z budową, działaniem i zastosowaniem tyrystora w obwodzie kondensatorem.
Cienkowarstwowe organiczne tranzystory polowe z kanałem typu n. Thin Film Organic Field Effect Transistors with n-type channel
POLITECHNIKA ŁÓDZKA WYDZIAŁ CHEMII KATEDRA FIZYKI MOLEKULARNEJ Izabela Tszydel Cienkowarstwowe organiczne tranzystory polowe z kanałem typu n Thin Film Organic Field Effect Transistors with n-type channel
Klucz odpowiedzi. Konkurs Fizyczny Etap Rejonowy
Klucz odpowiedzi Konkurs Fizyczny Etap Rejonowy Zadania za 1 p. TEST JEDNOKROTNEGO WYBORU (łącznie 20 p.) Nr zadania 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Odpowiedź B C C B B D C A D B Zadania za 2 p. Nr zadania 11 12
Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.
Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,
Teoria Orbitali Molekularnych. tworzenie wiązań chemicznych
Teoria Orbitali Molekularnych tworzenie wiązań chemicznych Zbliżanie się atomów aż do momentu nałożenia się ich orbitali H a +H b H a H b Wykres obrazujący zależność energii od odległości atomów długość
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych
SOLARNA. Moduły fotowoltaiczne oraz kompletne systemy przetwarzające energię słoneczną. EKOSERW BIS Sp. j. Mirosław Jedrzejewski, Zbigniew Majchrzak
Moduły fotowoltaiczne oraz kompletne systemy przetwarzające energię słoneczną ENERGIA SOLARNA Fotowoltaika Do Ziemi dociera promieniowanie słoneczne zbliżone widmowo do promieniowania ciała doskonale czarnego
Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302)
Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302) 1. Elementy elektroniczne stosowane w ćwiczeniach Elementy elektroniczne będące przedmiotem pomiaru, lub służące do zestawienia
Wprowadzenie do programu MultiSIM
Ćw. 1 Wprowadzenie do programu MultiSIM 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSIM służącym do symulacji działania układów elektronicznych. Jednocześnie zbadane zostaną podstawowe
Człowiek najlepsza inwestycja
Człowiek najlepsza inwestycja Fizyka ćwiczenia F6 - Prąd stały, pole magnetyczne magnesów i prądów stałych Prowadzący: dr Edmund Paweł Golis Instytut Fizyki Konsultacje stałe dla projektu; od Pn. do Pt.
Ćwiczenie 1 Program Electronics Workbench
Systemy teleinformatyczne Ćwiczenie Program Electronics Workbench Symulacja układów logicznych Program Electronics Workbench służy do symulacji działania prostych i bardziej złożonych układów elektrycznych
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem
46 POWTÓRKA 8 PRĄD STAŁY. Włodzimierz Wolczyński. Zadanie 1. Oblicz i wpisz do tabeli R 2 = 2 Ω R 4 = 2 Ω R 3 = 6 Ω. E r = 1 Ω U [V] I [A] P [W]
Włodzimierz Wolczyński 46 POWTÓRKA 8 PRĄD STAŁY Zadanie 1 Oblicz i wpisz do tabeli R 1 = 4 Ω RR 22 = = 22 Ω I 2 = 1,5 A R 4 = 2 Ω R 3 = 6 Ω R 1 = 4 Ω R 2 = 2 Ω R 3 = 6 Ω R 4 = 2 Ω r = 1 Ω SEM ogniwa wynosi
Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii
P O L I T E C H N I K A G D A Ń S K A Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii Temat: Wyznaczanie charakterystyk prądowo-napięciowych modułu ogniw fotowoltaicznych i sprawności konwersji
Od lampy do układu scalonego
Lekcje dla licealistów 2009 Od lampy do układu scalonego F. Gołek Uniwersytet Wrocławski Zanim wynaleziono lampę W latach 1861 1873 J.C. Maxwell opisuje równaniami poznane zjawiska elektryczne i magnetyczne..
INSTRUKCA OBSŁUGI KONTROLERA KLUCZY ZBLIŻENIOWYCH WPC-02
INSTRUKCA OBSŁUGI KONTROLERA KLUCZY ZBLIŻENIOWYCH WPC-02 WPC-02 jest autonomicznym kontrolerem kluczy zbliżeniowych przeznaczonym do pracy z urządzeniami działającymi w oparciu o protokół Weigand 26. Protokół
Prądem elektrycznym nazywamy uporządkowany ruch cząsteczek naładowanych.
Prąd elektryczny stały W poprzednim dziale (elektrostatyka) mówiliśmy o ładunkach umieszczonych na przewodnikach, ale na takich, które są odizolowane od otoczenia. W temacie o prądzie elektrycznym zajmiemy
Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski
Plan referatu Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski 1. Podstawowe definicje ffl wektory: E, B, ffl nośniki ładunku: elektrony i dziury, ffl podział ciał stałych ze względu na własności elektryczne:
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Test sprawdzający z chemii do klasy I LO i technikum z działu Budowa atomu i wiązania chemiczne
Anna Grych Test sprawdzający z chemii do klasy I LO i technikum z działu Budowa atomu i wiązania chemiczne Informacja do zadań -7 75 Dany jest pierwiastek 33 As. Zadanie. ( pkt) Uzupełnij poniższą tabelkę.
MOMENT MAGNETYCZNY W POLU MAGNETYCZNYM
Ćwiczenie nr 16 MOMENT MAGNETYCZNY W POLU MAGNETYCZNYM Aparatura Zasilacze regulowane, cewki Helmholtza, multimetry cyfrowe, dynamometr torsyjny oraz pętle próbne z przewodnika. X Y 1 2 Rys. 1 Układ pomiarowy
RJC. Wiązania Chemiczne & Slides 1 to 39
Wiązania Chemiczne & Struktura Cząsteczki Teoria Orbitali & ybrydyzacja Slides 1 to 39 Układ okresowy pierwiastków Siły występujące w cząsteczce związku organicznego Atomy w cząsteczce związku organicznego
26 Okresowy układ pierwiastków
26 Okresowy układ pierwiastków Przyjmując procedurę Hartree ego otrzymujemy poziomy numerowane, jak w atomie wodoru, liczbami kwantowymi (n, l, m) z tym, że degeneracja ze względu na l na ogół już nie
Laboratorium Metrologii
Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną
Tranzystory i ich zastosowania
Tranzystory i ich zastosowania Nie wszystkie elementy obwodu elektrycznego zachowują się jak poznane na lekcjach rezystory (oporniki omowe). Większość używanych elementów ma zmienny opór. Jak się tak bliżej
6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE
6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6.1. WSTĘP Tranzystory unipolarne, inaczej polowe, są przyrządami półprzewodnikowymi, których działanie polega na sterowaniu za pomocą pola elektrycznego wielkością prądu przez
Elementy chemii obliczeniowej i bioinformatyki Zagadnienia na egzamin
Elementy chemii obliczeniowej i bioinformatyki Zagadnienia na egzamin 1. Zapisz konfigurację elektronową dla atomu helu (dwa elektrony) i wyjaśnij, dlaczego cząsteczka wodoru jest stabilna, a cząsteczka
Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej
Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej W układach elektronicznych występują: Rezystory Rezystor potocznie nazywany opornikiem jest jednym z najczęściej spotykanych
Badanie charakterystyki prądowo-napięciowej opornika, żarówki i diody półprzewodnikowej z wykorzystaniem zestawu SONDa
Badanie charakterystyki prądowo-napięciowej opornika, żarówki i diody półprzewodnikowej z wykorzystaniem zestawu SONDa Celem doświadczenia jest wyznaczenie charakterystyk prądowo-napięciowych oraz zależności
7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP
7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe, tj. mające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Analogowy sterownik silnika krokowego oparty na układzie avt 1314
Katedra Energoelektroniki i Automatyki Systemów Przetwarzania Energii 51 Konferencja Studenckich Kół Naukowych Bartłomiej Dąbek Adrian Durak - Elektrotechnika 3 rok - Elektrotechnika 3 rok Analogowy sterownik
Pamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije rynek pamięci RAM?
1 Pamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije Pamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije rynek pamięci RAM? Na rynku pamięci RAM od dawna dominują układy zawierające pamięci
dr inż. Andrzej Skorupski Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechnika Warszawska
dr inż. Andrzej Skorupski Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechnika Warszawska Zasilacz pierwszego polskiego komputera UMC1 produkowanego seryjnie w ELWRO opracowanego w katedrze kierowanej
O systemach liczbowych
O systemach liczbowych 1. Systemy liczbowe Literatura:Turski,Propedeutyka...;Skomorowski,... 1.1. Dwójkowy system pozycyjny W dziesiętnym systemie pozycyjnym ciąg cyfr 321.23 oznacza liczbę 3 10 2 +2 10
I we. F (filtr) U we. Rys. 1. Schemat blokowy układu zasilania odbiornika prądu stałego z sieci energetycznej z zastosowaniem stabilizatora napięcia
22 ĆWICZENIE 3 STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO Wiadomości wstępne Stabilizatory napięcia stałego są to układy elektryczne dostarczające do odbiornika napięcie o stałej wartości niezależnie od zmian w określonych
Budowa atomu Poziom: rozszerzony Zadanie 1. (2 pkt.)
Budowa atomu Poziom: rozszerzony Zadanie 1. (2 pkt.) Zadanie 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Punkty Okres połowiczego rozpadu pewnego radionuklidu wynosi 16 godzin. a) Określ, ile procent atomów tego izotopu rozpadnie
ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Teoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Źródła siły elektromotorycznej = pompy prądu
Źródła siły elektromotorycznej = pompy prądu komórki elektrochemiczne ogniwo Volty akumulator generatory elektryczne baterie I urządzenia termoelektryczne E I I Prądnica (dynamo) termopara fotoogniwa ogniwa
Układy scalone. wstęp
Układy scalone wstęp Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy scalone Układ scalony (ang. intergrated
Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.
adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie
LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0
LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..
Q t lub precyzyjniej w postaci różniczkowej. dq dt Jednostką natężenia prądu jest amper oznaczany przez A.
Prąd elektryczny Dotychczas zajmowaliśmy się zjawiskami związanymi z ładunkami spoczywającymi. Obecnie zajmiemy się zjawiskami zachodzącymi podczas uporządkowanego ruchu ładunków, który często nazywamy
10.2. Źródła prądu. Obwód elektryczny
rozdział 10 o prądzie elektrycznym 62 10.2. Źródła prądu. Obwód elektryczny W doświadczeniu 10.1 obserwowaliśmy krótkotrwałe przepływy ładunków elektrycznych w przewodzie łączącym dwa elektroskopy. Żeby
Grafen perspektywy zastosowań
Grafen perspektywy zastosowań Paweł Szroeder 3 czerwca 2014 Spis treści 1 Wprowadzenie 1 2 Właściwości grafenu 2 3 Perspektywy zastosowań 2 3.1 Procesory... 2 3.2 Analogoweelementy... 3 3.3 Czujniki...