Zastosowania elektroniki molekularnej
|
|
- Mateusz Lipiński
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Zastosowania elektroniki molekularnej Wykład 15h zakończony egzaminem pisemnym dr Małgorzata Franz pok. 109C GG Konsultacje: wtorek 13-14
2 Zastosowania elektroniki molekularnej plan wykładu W1. Wprowadzenie W2. Własności elektryczne i magnetyczne cząsteczek W3. Oddziaływanie międzycząsteczkowe W4. Kryształy i struktury molekularne W5. Metody wytwarzania cienkich warstw W6. Procesy generacji i rekombinacji nośników nadmiarowych W7. Iniekcja nośników ładunku W8. Mechanizmy transportu w materiałach molekularnych W9. Podstawy działania OLED W10. Podstawy działania OSC W11. Organiczny tranzystor polowy W12. Detekcja materiałów przy użyciu organicznych tranzystorów polowych W13. Wybrane elementy elektroniki molekularnej oparte na pojedynczych molekułach W14. Podsumowanie, perspektywy rozwoju elektroniki molekularnej
3 Zastosowania elektroniki molekularnej literatura LITERATURA UZUPŁNIAJĄCA A. Köhler i H. Bässler Electronic Processes in Organic Semiconductors Willey-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA Weinheim Germany 2015 S. M. Sze Semiconductor Devices, Physics and Technology John Wiley & Sons Singapore 1985 P. Atkins i J. de Paula Chemia Fizyczna PWN Warszawa 2016
4 Zastosowania elektroniki molekularnej warunki zaliczenia Zaliczenie wykładu (w formie pisemnej) będzie składało się z 5 pytań obejmujących zagadnienia z wykładu. Warunkiem uzyskania pozytywnej oceny jest uzyskanie 50% punktów. Do zaliczenia wykładu mogą przystąpić studenci, którzy uzyskali pozytywne oceny z ćwiczeń i laboratorium. ZALICZENIE ĆWICZEŃ W semestrze odbędą się dwa 45 minutowe kolokwia, każde składające się maksymalnie z 3 zagadnień, za które będzie można uzyskać max. 60 pkt (= 2 x 30 pkt). Aktywność, premiowana punktami dodatkowymi max. 10 pkt. Ocena końcowa z ćwiczeń ustalana będzie na podstawie algebraicznej sumy punktów uzyskanych w trakcie semestru, zgodnie z punktacją przedstawioną w tabeli: ilość punktów < ocena OCENA KOŃCOWA Z PRZEDMIOTU Ocena końcowa, wpisywana do moja.pg, będzie obliczana na podstawie wzoru: OCENA = 0,5 x ocena z zaliczenia wykładu + 0,3 x ocena z ćwiczeń + 0,2 x ocena z laboratorium
5 Wykład 1 Wprowadzenie elektronika molekularna, miniaturyzacja urządzeń elektronicznych, materiały nieorganiczne i organiczne w elektronice, polimery przewodzące, OLED, OPV, OFET
6 W1. Czym jest elektronika molekularna? FIZYKA MOLEKULARNA konwencjonalne urządzenia elektroniczne MIKROELEKTRONIKA KRZEMOWA nowatorskie urządzenia elektroniczne ELEKTRONIKA MOLEKULARNA CHEMIA ORGANICZNA INŻYNIERIA MATERIAŁOWA FIZYKA CIAŁA STAŁEGO ELEKTRONIKA MOLEKULARNA obejmuje wszystkie zjawiska i procesy, w których molekularne materiały organiczne grają aktywną rolę w przetwarzaniu, transmisji i przechowywaniu informacji. H. Haken, H. C. Wolf, Fizyka molekularna z elementami chemii kwantowej, PWN, Warszawa ELEKTRONIKA MOLEKULARNA zastosowanie pojedynczych molekuł lub układów molekularnych do budowy elementów elektronicznych. J. Godlewski, Wstęp do elektroniki molekularnej, Wydawnictwo PG, Gdańsk 2008.
7 W1. Miniaturyzacja urządzeń elektronicznych - Cząsteczki lub molekularne jednostki funkcyjne jako przełączniki - Cząsteczki lub molekularne jednostki funkcyjne jako przewodniki i nadprzewodniki - Cząsteczki lub molekularne jednostki funkcyjne jako elementy logiczne - Cząsteczki lub molekularne jednostki funkcyjne jako urządzenia pamięci
8 W1. Dlaczego elektronika molekularna? Elektronika molekularna Elektronika konwencjonalna Elastyczna Lekka Tanie technologie Minimalne rozmiary urządzeń Szeroka gama materiałów Kompatybilność ze strukturami biologicznymi Przyjazna środowisku Sztywna Ciężka Drogie (ale dopracowane) technologie Ograniczone rozmiary urządzeń Ograniczona ilość materiałów Niekompatybilność ze strukturami biologicznymi Nieprzyjazna środowisku Elementy elektroniczne konwencjonalnej elektroniki charakteryzuje min.: duża szybkość działania, dobra odporność temperaturowa i mechaniczna, niskie szumy.
9 W1. Klasyczne półprzewodniki nieorganiczne a półprzewodniki organiczne KRZEM (Si) GERMAN (Ge) ARSENEK GALU (GaAs) - Niska wartość przerwy energetycznej: 1,1 ev (Si), 0,67 ev (Ge), 1,4 ev (GaAs) - Wysoka wartość przerwy energetycznej (> 2eV): np. 3,1 ev (Tc) - Typowe wartości przewodnictwa elektrycznego: cm -1 - Duże wartości względnych stałych dielektrycznych r 11 - Małe wartości względnych stałych dielektrycznych r 3,5 - Możliwość generacji swobodnych nośników ładunku w wyniku wzbudzenia termicznego bądź optycznego N = N eff exp(-eg/2kt) N koncentracja nośników ładunku (elektrony bądź dziury) N eff fektywna gęstośc stanów - Ładunki są głównie wstrzykiwane z elektrod (INIEKCJA) bądź w wyniku dysocjacji EKSCYTONÓW (związana para e-h) generowanych w wyniku optycznego wzbudzenia
10 W1.Materiały organiczne CHEMIA ORGANICZNA = CHEMIA ZWIĄZKÓW WĘGLA Obecnie liczba zbadanych związków węgla przekracza 25 milionów. Liczba opisanych związkó nieorganicznych to zaledwie pół miliona. ZWIĄZKI ORGANICZNE mała odporność termiczna palność niskie temperatury topnienia i wrzenia znaczna liczba atomów tworzących cząsteczkę W skład większości związków organicznych wchodzi tylko kilka pierwiastków: C, H, O, rzadziej N i bardzo rzadko fluorowce, siarka, fosfor lub inne niemetale. Przyczyną istnienia bardzo dużej liczby związków organicznych jest zdolność atomów węgla do tworzenia trwałych wiązań między sobą ZJAWISKO KATENACJI Atomy węgla wykazują zdolność do tworzenia WIĄZAŃ WIELOKROTNYCH. C C C C UWAGA : WIĄZANIA WIELOKROTNE są nietrwałe i w wyniku reakcji addycji zmieniają się w wiązania pojedyncze.
11 W1. Związki organiczne WĘGLOWODORY związki zbudowane z C i H. Mogą różnić się kolejnością powiązania atomów i / lub odmiennym rozmieszczeniem atomów w przestrzeni. ZWIĄZKI JEDNOFUNKCYJNE związki zawierające jedną lub większą liczbę jednakowych grup funkcyjnych. ZWIĄZKI WIELOFUNKCYJNE związki, których cząsteczki zawierają różne grupy funkcyjne.
12 W1. Organiczne półprzewodniki MAŁE CZĄSTECZKI POLIMERY
13 W1. Struktury materiałów organicznych - Kryształy molekularne - Warstwy polimerów - Warstwy molekularne (amorficzne)
14 W1. Wybrane metody wytwarzania cienkich warstw spin coating BASF, produkcja OSC dip coating roll to roll
15 W1. Wybrane metody wytwarzania cienkich warstw Ink-jet printing DuPont
16 W1. Wybrane metody wytwarzania cienkich warstw This is the cover illustration of Advanced Materials ( /adma ). Credit: Artwork: Christoph Hohmann / Nanosystems Initiative Munich Read more at:
17 W1. Podstawowe elementy elektroniczne Organic Light Emitting Diodes OLEDs Organic Field Effect Transistors OFETs Organic Photovoltaic (OPV) Organic Solar Cells tsgebiete/organische_elektr onik/index.en.html Film Substrate with Test Transistors and a Printable Semiconductor Solution
18 W1. Organiczne diody elektroluminescencyjne Organic Light Emitting Diode, OLED - urządzenie służące do bezpośredniej zamiany energii elektrycznej na energię świetlną. Thien-Phap Nguyen : Polymer-based nanocomposites for organic optoelectronic devices. A review
19 W1. Organiczne diody elektroluminescencyjne O kolorze emitowanego światła decyduje przerwa LUMO-HOMO light-emitting polymers (LEPs) or, sometimes, polymer LEDs (PLEDs)
20 W1. Organiczne diody elektroluminescencyjne The unnamed concept Windows Phone 8 device from Samsung which employs a fully flexible AMOLED display. v=hgvmfe85i30 Arizona State University and HP's flexible display demonstrated in 2008 at the university's Flexible Display Center Sharp still hopes to form a Japanese OLED alliance with Japan Display v2iqzrcvzg LG came up with a perfect OLED design that only has two layers, making their digital signage display unbelievably light-weight and incredibly thin; 4.5 mm at its thinnest point. OLED TVs the best kind of TVs you can buy today
21 W1. Organiczne ogniwa fotowoltaiczne Organic Solar Cell, OSC - urządzenia służące do bezpośredniej zamiany energii słonecznej na energię elektryczną. Nie tylko polimery C 60 P3HT
22 W1. Organiczne ogniwa fotowoltaiczne
23 W1. Organiczne ogniwa fotowoltaiczne Konarka s Power Plastic Heliatek GmbH (6%, ogniwo na bazie materiałów małocząsteczkowych) Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (25 cm 2, 2,5%)
24 W1. Organiczne ogniwa fotowoltaiczne Pocket-sized HeLi-on charger uses flexible, printed solar cells to power your phone Transparent organic solar cells offer an attractive alternative for architects Organic solar cells that seem completely transparent - the project of the Institute for Science photovoltaic ICFO offers an innovative solution for urban use.
25 W1. Budowa i zasada działania OFET Zewnętrzny potencjał elektryczny przykładany jest do elektrody bramkującej (V G ) oraz elektrody zbiorczej (V D ), a elektroda źródła pozostaje uziemiona (V S = 0). U GS - napięcie bramki - różnica potencjałów pomiędzy elektrodą bramkującą, a źródłem U DS - napięcie drenu różnica potencjałów pomiędzy elektrodą zbiorczą, a źródłem ZASADA DZIAŁANIA OFET: Napięcie przyłożone do bramki (U GS ) moduluje prąd płynący przez warstwę półprzewodnika organicznego (I SD ).
26 W1. Wybrane zastosowania czujników OFET E-SKIN ELEKTRONICZNA SKÓRA
27 W1. Wybrane zastosowania czujników OFET E-NOSE ELEKTRONICZNY NOS
Elektronika molekularna
Elektronika molekularna Wykład 30h zakończony egzaminem pisemnym dr Małgorzata Franz pok. 109C GG mabo@mif.pg.gda.pl Konsultacje: piątek 10-11 Elektronika molekularna plan wykładu W1. Wprowadzenie W2.
Cienkowarstwowe organiczne tranzystory polowe z kanałem typu n. Thin Film Organic Field Effect Transistors with n-type channel
POLITECHNIKA ŁÓDZKA WYDZIAŁ CHEMII KATEDRA FIZYKI MOLEKULARNEJ Izabela Tszydel Cienkowarstwowe organiczne tranzystory polowe z kanałem typu n Thin Film Organic Field Effect Transistors with n-type channel
Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Skalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Elektronika z plastyku
Elektronika z plastyku Adam Proń 1,2 i Renata Rybakiewicz 2 1 Komisariat ds Energii Atomowej, Grenoble 2 Wydział Chemiczny Politechniki Warszawskiej Elektronika krzemowa Krzem Jan Czochralski 1885-1953
Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a
Fizyka 3.3 prof.dr hab. Ewa Popko www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.edu.pl p.231a Fizyka 3.3 Literatura 1.J.Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT Warszawa 1995. 2.W.Marciniak Przyrządy
Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Organiczne ogniwa słonecznes. Ogniwa półprzewodnikowe. p przewodnikowe zasada ania. Charakterystyki fotoogniwa
j Elektronika plastikowa i organiczna Organiczne ogniwa słonecznes Ogniwa półprzewodnikowe p przewodnikowe zasada działania ania Charakterystyki fotoogniwa współczynnik wypełnienia, wydajność Moc w obwodzie
BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 70 Electrical Engineering 2012 Bartosz CERAN* BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH W artykule przedstawiono model matematyczny modułu fotowoltaicznego.
Rozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
POLITECHNIKA GDAŃSKA WYDZIAŁ FIZYKI TECHNICZNEJ I MATEMATYKI STOSOWANEJ EKSCYTONY. Seminarium z Molekularnego Ciała a Stałego Jędrzejowski Jaromir
POLITECHNIKA GDAŃSKA WYDZIAŁ FIZYKI TECHNICZNEJ I MATEMATYKI STOSOWANEJ EKSCYTONY W CIAŁACH ACH STAŁYCH Seminarium z Molekularnego Ciała a Stałego Jędrzejowski Jaromir Co to sąs ekscytony? ekscyton to
Przyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Przyrządy półprzewodnikowe
Przyrządy półprzewodnikowe Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T Metal
Struktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
WYMAGANIA WSTĘPNE W ZAKRESIE WIEDZY, UMIEJĘTNOŚCI I INNYCH KOMPETENCJI 1. Brak
WYDZIAŁ Podstawowych Problemów Techniki KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim Podstawy chemii ogólnej Nazwa w języku angielskim General chemistry Język wykładowy polski Kierunek studiów Optyka Specjalność
Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Elektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl
Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl Plan ogólny Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie, czyli czym będziemy się
Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników
Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Model atomu Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jądro jest zbudowane z: i) dodatnich protonów ii) neutralnych neutronów Liczba atomowa
Materiały używane w elektronice
Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych
Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Repeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny
Repeta z wykładu nr 8 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 przegląd detektorów
Produkcja modułu fotowoltaicznego (PV)
Czyste energie Wykład 3 Produkcja modułu fotowoltaicznego (PV) dr inż. Janusz Teneta C-3 pok. 8 (parter), e-mail: romus@agh.edu.pl Wydział EAIiIB Katedra Automatyki i Inżynierii Biomedycznej AGH Kraków
Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Przerwa energetyczna w germanie
Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania
półprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski
Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 półprzewodniki
Energia emitowana przez Słońce
Energia słoneczna i ogniwa fotowoltaiczne Michał Kocyła Problem energetyczny na świecie Przewiduje się, że przy obecnym tempie rozwoju gospodarczego i zapotrzebowaniu na energię, paliw kopalnych starczy
Ogniwa fotowoltaiczne
Ogniwa fotowoltaiczne Efekt fotowoltaiczny: Ogniwo słoneczne Symulacja http://www.redarc.com.au/solar/about/solarpanels/ Historia 1839: Odkrycie efektu fotowoltaicznego przez francuza Alexandre-Edmond
Grafen perspektywy zastosowań
Grafen perspektywy zastosowań Paweł Szroeder 3 czerwca 2014 Spis treści 1 Wprowadzenie 1 2 Właściwości grafenu 2 3 Perspektywy zastosowań 2 3.1 Procesory... 2 3.2 Analogoweelementy... 3 3.3 Czujniki...
Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a
Fizyka 3.3 prof.dr hab. Ewa Popko www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.edu.pl p.231a Fizyka 3.3 Literatura 1.J.Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT Warszawa 1995. 2. B. Ziętek, Optoelektronika,
KARTA KURSU. Chemia fizyczna I. Physical Chemistry I
Biologia, I stopień, studia stacjonarne, 2017/2018, II semestr KARTA KURSU Nazwa Nazwa w j. ang. Chemia fizyczna I Physical Chemistry I Koordynator Prof. dr hab. Maria Filek Zespół dydaktyczny Prof. dr
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Karta (sylabus) modułu/przedmiotu ELEKTROTECHNIKA (Nazwa kierunku studiów)
Przedmiot: Inżynieria materiałowa Karta (sylabus) modułu/przedmiotu ELEKTROTECHNIKA (Nazwa kierunku studiów) Kod przedmiotu: E_D Typ przedmiotu/modułu: obowiązkowy X obieralny Rok: drugi Semestr: czwarty
Właściwości materii. Bogdan Walkowiak. Zakład Biofizyki Instytut Inżynierii Materiałowej Politechnika Łódzka. 18 listopada 2014 Biophysics 1
Wykład 8 Właściwości materii Bogdan Walkowiak Zakład Biofizyki Instytut Inżynierii Materiałowej Politechnika Łódzka 18 listopada 2014 Biophysics 1 Właściwości elektryczne Właściwości elektryczne zależą
Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Przejścia promieniste
Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Projektowanie systemów PV. Produkcja modułu fotowoltaicznego (PV)
Projektowanie systemów PV Wykład 3 Produkcja modułu fotowoltaicznego (PV) dr inż. Janusz Teneta C-3 pok. 8 (parter), e-mail: romus@agh.edu.pl Wydział EAIiIB Katedra Automatyki i Inżynierii Biomedycznej
Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Fizyka 2. Janusz Andrzejewski
Fizyka 2 wykład 13 Janusz Andrzejewski Scaledlugości Janusz Andrzejewski 2 Scaledługości Simple molecules
Czym jest prąd elektryczny
Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,
Chemia nieorganiczna. Copyright 2000 by Harcourt, Inc. All rights reserved.
Chemia nieorganiczna 1. Układ okresowy metale i niemetale 2. Oddziaływania inter- i intramolekularne 3. Ciała stałe rodzaje sieci krystalicznych 4. Przewodnictwo ciał stałych Pierwiastki 1 1 H 3 Li 11
Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Badanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Część 1. Wprowadzenie. Przegląd funkcji, układów i zagadnień
Część 1 Wprowadzenie Przegląd funkcji, układów i zagadnień Źródło energii w systemie fotowoltaicznym Ogniwo fotowoltaiczne / słoneczne photovoltaic / solar cell pojedynczy przyrząd półprzewodnikowy U 0,5
1,2 1,2. WYMAGANIA WSTĘPNE W ZAKRESIE WIEDZY, UMIEJĘTNOŚCI I INNYCH KOMPETENCJI 1. Brak
Zał. nr 4 do ZW 33/01 WYDZIAŁ Podstawowych Problemów Techniki KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim Podstawy Chemii Ogólnej Nazwa w języku angielskim General Chemistry Kierunek studiów (jeśli dotyczy):
Wykład Ćwiczenia Laboratorium Projekt Seminarium Egzamin / zaliczenie na ocenę*
Zał. nr do ZW 33/01 WYDZIAŁ Podstawowych problemów Techniki / STUDIUM KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim Projektowanie Materiałów i Sturktur Nazwa w języku angielskim Design of Materials and Structures
Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Zał. nr 4 do ZW 33/2012 WYDZIAŁ PPT
Zał. nr do ZW 33/01 WYDZIAŁ PPT KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim: Ogniwa Fotowoltaiczne Nazwa w języku angielskim: Solar cells Kierunek studiów: Fizyka Specjalność: FOZE Stopień studiów i forma:
STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
WIĄZANIA. Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE
WIĄZANIA Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE Przyciąganie Wynika z elektrostatycznego oddziaływania między elektronami a dodatnimi jądrami atomowymi. Może to być
Podstawy fizyki wykład 4
D. Halliday, R. Resnick, J.Walker: Podstawy Fizyki, tom 5, PWN, Warszawa 2003. H. D. Young, R. A. Freedman, Sear s & Zemansky s University Physics with Modern Physics, Addison-Wesley Publishing Company,
Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski
Wzrost pseudomorficzny Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 naprężenie
MATERIAŁY A PRĄD. Przewodniki, półprzewodniki i izolatory
MATERIAŁY A PRĄD CZĘŚĆ DRUGA : PÓŁPRZEWODNIKI Przewodniki, półprzewodniki i izolatory metal minimalna przewodność σ min ~ 10 3 Ω -1 cm -1 izolator Przewodniki, półprzewodniki i izolatory Przewodniki, półprzewodniki
MATERIAŁOZNAWSTWO. dr hab. inż. Joanna Hucińska Katedra Inżynierii Materiałowej Pok. 128 (budynek Żelbetu )
MATERIAŁOZNAWSTWO dr hab. inż. Joanna Hucińska Katedra Inżynierii Materiałowej Pok. 128 (budynek Żelbetu ) jhucinsk@pg.gda.pl MATERIAŁOZNAWSTWO dziedzina nauki stosowanej obejmująca badania zależności
IV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja
UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2 Elektroluminescencja SZCZECIN 2002 WSTĘP Mianem elektroluminescencji określamy zjawisko emisji spontanicznej
Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa
1/5 E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa Celem ćwiczenia jest poznanie podstaw zjawiska konwersji energii świetlnej na elektryczną, zasad działania fotoogniwa oraz wyznaczenie jego podstawowych
Podstawy chemii. dr hab. Wacław Makowski. Wykład 1: Wprowadzenie
Podstawy chemii dr hab. Wacław Makowski Wykład 1: Wprowadzenie Wspomnienia ze szkoły Elementarz (powtórka z gimnazjum) Układ okresowy Dalsze wtajemniczenia (liceum) Program zajęć Podręczniki Wydział Chemii
WŁAŚCIWOŚCI FOTOWOLTAICZNE MIESZANIN AZOMETIN Z POLIMERAMI TIOFENOWYMI.
łowa kluczowe: fotowoltaika organiczna, ogniwa słoneczne, PCBM, azometiny,p3ht Elżbieta M. WAK 1, Marzena GRUCELA 2, Ewa CHAB-BLCERZAK 2, Jerzy AETRA 3 WŁAŚCIWŚCI FTWLTAICZE MIEZAI AZMETI Z PLIMERAMI TIFEWYMI.
Wybrane Działy Fizyki
Wybrane Działy Fizyki energia elektryczna i jadrowa W. D ebski 25.11.2009 Rodzaje energii energia mechaniczna energia cieplna (chemiczna) energia elektryczna energia jadrowa debski@igf.edu.pl: W5-1 WNZ
Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK
Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika
Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Cienkowarstwowe ogniwa słoneczne: przegląd materiałów, technologii i sytuacji rynkowej
Cienkowarstwowe ogniwa słoneczne: przegląd materiałów, technologii i sytuacji rynkowej Przez ostatnie lata, rynek fotowoltaiki rozwijał się, wraz ze sprzedażą niemal zupełnie zdominowaną przez produkty
Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO
Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego
Studnia skończona. Heterostruktury półprzewodnikowe studnie kwantowe (cd) Heterostruktury mogą mieć różne masy efektywne w różnych obszarach:
Heterostruktury półprzewodnikowe studnie kwantowe (cd) Studnia skończona Heterostruktury mogą mieć różne masy efektywne w różnych obszarach: V z Okazuje się, że zamiana nie jest dobrym rozwiązaniem problemu
Wprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki
Wprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki Małgorzata Napieralska Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych tel. 26-55 mnapier@dmcs.p.lodz.pl Literatura W. Marciniak Przyrządy półprzewodnikowe
Półprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna
Półprzewodniki samoistne Struktura krystaliczna Si a5.43 A GaAs a5.63 A ajczęściej: struktura diamentu i blendy cynkowej (ZnS) 1 Wiązania chemiczne Wiązania kowalencyjne i kowalencyjno-jonowe 0K wszystkie
Chemia nieorganiczna. Pierwiastki. niemetale Be. 27 Co. 28 Ni. 26 Fe. 29 Cu. 45 Rh. 44 Ru. 47 Ag. 46 Pd. 78 Pt. 76 Os.
Chemia nieorganiczna 1. Układ okresowy metale i niemetale 2. Oddziaływania inter- i intramolekularne 3. Ciała stałe rodzaje sieci krystalicznych 4. Przewodnictwo ciał stałych Copyright 2000 by Harcourt,
i elementy z półprzewodników homogenicznych część II
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Nauka o Materiałach dr hab. inż. Mirosław Bućko, prof. AGH B-8, p. 1.13, tel
Nauka o Materiałach dr hab. inż. Mirosław Bućko, prof. AGH B-8, p. 1.13, tel. 12 617 3572 www.kcimo.pl, bucko@agh.edu.pl Plan wykładów Monokryształy, Materiały amorficzne i szkła, Polikryształy budowa,
Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej
Nanomateriałów Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa 27 80-233
ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE
ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE, WEWNETRZNE I ICH RÓŻNE ZASTOSOWANIA ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE Światło padając na powierzchnię materiału wybija z niej elektron 1 ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE
KARTA PRZEDMIOTU. Informacje ogólne WYDZIAŁ MATEMATYCZNO-PRZYRODNICZY. SZKOŁA NAUK ŚCISŁYCH UNIWERSYTET KARDYNAŁA STEFANA WYSZYŃSKIEGO W WARSZAWIE
1 3 4 5 6 7 8 8.0 Kod przedmiotu Nazwa przedmiotu Jednostka Punkty ECTS Język wykładowy Poziom przedmiotu Symbole efektów kształcenia Symbole efektów dla obszaru kształcenia Symbole efektów kierunkowych
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Fizyka Ciała Stałego
Wykład III Struktura krystaliczna Fizyka Ciała Stałego Ciała stałe można podzielić na: Krystaliczne, o uporządkowanym ułożeniu atomów lub molekuł tworzącym sieć krystaliczną. Amorficzne, brak uporządkowania,
W książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak
Materiały dydaktyczne na zajęcia wyrównawcze z chemii dla studentów pierwszego roku kierunku zamawianego Inżynieria Środowiska w ramach projektu Era inżyniera pewna lokata na przyszłość Opracowała: mgr
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA
Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor
Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,
Fizyka i inżynieria materiałów Prowadzący: Ryszard Pawlak, Ewa Korzeniewska, Jacek Rymaszewski, Marcin Lebioda, Mariusz Tomczyk, Maria Walczak
Fizyka i inżynieria materiałów Prowadzący: Ryszard Pawlak, Ewa Korzeniewska, Jacek Rymaszewski, Marcin Lebioda, Mariusz Tomczyk, Maria Walczak Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Politechnika Łódzka
ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.
Informacje ogólne Wykład 28 h Ćwiczenia 14 Charakter seminaryjny zespołu dwuosobowe ~20 min. prezentacje Lista tematów na stronie Materiały do wykładu na stronie: http://urbaniak.fizyka.pw.edu.pl Zaliczenie:
Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
PLAN STUDIÓW STACJONARNYCH studia inżynierskie pierwszego stopnia
Egzamin po semestrze Kierunek: FIZYKA TECHNICZNA wybór specjalności po semestrze czas trwania: 7 semestrów profil: ogólnoakademicki PLAN STUDIÓW STACJONARNYCH studia inżynierskie pierwszego stopnia 01/015-1
SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Kierownik: prof. dr hab. Jacek Ulański
Katedra Fizyki Molekularnej Politechnika Łódzka Kierownik: prof. dr hab. Jacek Ulański Specjalności Kierunek: Specjalność: Chemia Chemia i Fizyka Polimerów Kierunek: Specjalność: Nanotechnologia Nanomateriały
Przewodność elektryczna półprzewodników
Przewodność elektryczna półprzewodników p koncentracja dziur n koncentracja elektronów Domieszkowanie półprzewodników donory i akceptory 1 Koncentracja nośników ładunku w półprzewodniku domieszkowanym
Detektor CCD. aparaty cyfrowe kamery VIDEO spektroskopia mikrofotografia astrofizyka inne
Wykład VIII CCD 1 Detektor CCD Uran - pierwszy obiekt sfotografowany przy pomocy CCD w r. 1975. (61 calowy teleskop w górach Santa Catalina w pobliżu Tucson - Arizona). Zdjęcie zrobione zostało przy 0.89mm.
IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi