Układy TTL i CMOS. Trochę logiki

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Układy TTL i CMOS. Trochę logiki"

Transkrypt

1 Układy TTL i CMOS O liczbie elementów użytych do budowy jakiegoś urządzenia elektronicznego, a więc i o możliwości obniżenia jego ceny, decyduje dzisiaj liczba zastosowanych w nim układów scalonych. Najstarszą rodziną układów scalonych są układy TTL. Skrót ten pochodzi od angielskiej nazwy Transistor-Transistor-Logic i oznacza technologię, w której do budowy pojedynczego obwodu logicznego stosuje się wiele tranzystorów scalonych w jeden układ. Trochę logiki Obwody arytmetyczne i logiczne, a także kompletne mikroprocesory i układy pamięci zbudowane są z pewnych elementarnych obwodów zwanych bramkami logicznymi. Są to obwody, które wytwarzają określony sygnał wyjściowy z jednego lub wielu sygnałów wejściowych. Dla uproszczenia dopuszcza się tylko dwa poziomy sygnałów na wejściu i na wyjściu, oznaczane cyframi 0 i 1. Sygnał 0 oznacza napięcie z przedziału 0...0,8 V, a l odpowiada napięciu o wartości 2,4...5 V (por. rozdział o mikroprocesorach). Wszelkie inne wartości napięć są zabronione i nie definiowane w technologii TTL. Oczywiście, 1 i 0 mogą oznaczać cyfry liczby dwójkowej, co nie jest pozbawione sensu. Rachunki z liczbami 0 i 1 nazywają się algebrą Boole'a (od nazwiska matematyka Boole'a, który wprowadził ją na długo przed pojawieniem się pierwszego komputera). Podane funkcje logiczne można z łatwością przedstawić w postaci schematów elektrycznych. Na rysunku 1A pokazano obwód realizujący funkcję OR, składający się z dwóch wyłączników. Jedynka odpowiada zamknięciu wyłącznika lub świeceniu żarówki. Żarówka będzie świecić tylko wtedy, gdy zamknięty będzie co najmniej jeden wyłącznik. Na rysunku 1B pokazano układ bramki AND, wykonany przy użyciu tych i inych elementów. Żarówka świeci się tylko wtedy, gdy zamknięte będą obydwa wyłączniki. Oczywiste jest, że ta zasada dotyczy również większej liczby wyłączników (czyli odpowiednich wejść bramki). Konstrukcję bramki NAND wykonanej z dwóch tranzystorów pokazano na rys. 2. Jeżeli do obydwu wejść będzie doprowadzone napięcie nieco większe niż l V (czyli logiczna jedynka), to przez rezystory ograniczające prąd bazy obydwu tranzystorów popłynie prąd powodujący przewodzenie złącz kolektor-emiter i zwarcie wyprowadzenia wyjściowgo do masy (czyli 1

2 potencjału odniesienia, 0 V). W innych przypadkach wyjście będzie utrzymywane na poziomie 5 V, dzięki rezystorowi dołączonemu do kolektora górnego tranzystora (logiczna jedynka). Bramkę NOR z dwoma tranzystorami pokazano na rys. 3. Do zwarcia wyjścia z masą (co odpowiada stanowi 0) wystarcza w tym przypadku przewodze-nie tylko jednego tranzystora, czyli wprowadzenie przynajmniej jednego wejścia w stan l. Symbole graficzne bramek Byłoby dość uciążliwe rysowanie każdej bramki w złożonym obwodzie logicznym dokładnie tak, jak jest ona zbudowana w rzeczywistości. Wprowadzono więc pewne symbole graficzne, które jednoznacznie określają przyporządkowane im funkcje logiczne. Niestety, brak jest tu jakiejkolwiek normy międzynarodowej. Przed wielu laty opracowano pewien standard DIN (Deutsche Industrie Normen), lecz w praktyce byt on stosowany tylko w Niemczech. Na rysunku 4 pokazano różne symbole bramek logicznych. W standardzie DIN zaleca się stosowanie kwadratowych oznaczeń bramek oraz wyróżnianie funkcji logicznej przez podanie odpowiedniego znaku ("&" dla AND, "+" dla OR i "-" dla NOT). Złożone układy logiczne Z pojedynczych bramek można także zestawiać skomplikowane obwody logiczne, scalane często w jeden układ. Zalicza się do nich dekodery (kojarzące wiele sygnałów wejściowych z jednym lub z wieloma sygnałami wyjściowymi, jak np. dekoder adresu), przerzutniki (rys. 5) oraz zbudowane z przerzutników rejestry przesuwne i liczniki. 2

3 Przerzutniki mogą pamiętać określone stany logiczne, a więc są komórkami pamięci o pojemności l bit. Dzięki odpowiedniemu doborowi układu połączeń można spowodować takie ich działanie, że każdy impuls pojawiający się na tzw. wejściu zegarowym będzie zmieniał stan logiczny układu. Jeżeli połączy się ze sobą większą liczbę przerzutników, to powstanie licznik binarny (rys. 6). Jego sygnały wyjściowe zmieniają się po każdym impulsie zegarowym w następujący sposób: Można łatwo zauważyć, że numer impulsu pojawia się na wyjściu w postaci liczby dwójkowej. Liczniki tego typu są na ogół wyposażone w dodatkowe wejście kasujące, przez które można ustawić stan 0 na wszystkich wyjściach. Możliwe jest również zbudowanie licznika dziesiętnego: wystarczy tylko dodać połączenie realizujące funkcję AND, które automatycznie kasuje licznik, gdy wyjścia Q3 i Q2 przejdą w stan l. Skończmy jednak z nudną teorią i przejdźmy do omawiania układów rzeczywistych! Układy TTL Układy scalone z serii 74 są zasilane napięciem 5 V (4:5%). Logiczne zero (stan niski) leży w przedziale napięć O...0,8 V, a logiczna jedynka (stan wysoki) odpowiada napięciom z przedziału 2, V. Jeden układ scalony zawiera zazwyczaj więcej niż jedną bramkę albo pojedynczy, dość złożony obwód logiczny. Większość układów TTL ma czternaste- lub szesnastonóżkową obudowę typu DIL. 3

4 Na rysunku 7 pokazano schemat układu połączeń jednej z czterech bramek NAND w układzie Istnieją też inne wersje tego układu; 74L00 (charaktery-zująca się zmniejszonym poborem prądu, lecz także i mniejszą szybkością przetaczania, rys. 8), 74S00 (z diodami Schottky'ego o dużej szybkości przełączania, rys. 9) oraz wersja 74LS00 (w której osiągnięto szybkość prawie taką jak w 74S00 i pobór prądu jak w 74L00). Obydwa wejścia połączone są z tranzystorem wieloemiterowym (rys. 10), stanowiącym kombinację omawianych wcześniej złącz diodowych. Kolektor tego tranzystora może być w stanie wysokim tylko wówczas, gdy obydwa wejścia będą w tym stanie, czyli gdy żadna z końcówek dołączonych do dolnego końca rezystora bazowego nie jest zwarta do masy. Połączony z tranzystorem inwerter będzie wtedy wysterowany, tak aby dolny tranzystor wyjściowy (na schemacie) przewodził, a górny był zatkany, co oznacza stan niski na wyjściu. 4

5 Istnieją też scalone układy TTL zawierające w obwodzie wyjściowym tylko jeden tranzystor z tzw. otwartym kolektorem (rys. l1). Możliwe jest wówczas przełączanie napięć wyjściowych wyższych niż 5 V (np. do 20 V w układzie 7406). Oczywiste jest, że dopóki takie wyjście nie jest nigdzie podłączone, to nie można zmierzyć na nim żadnego napięcia. Nigdzie nie podłączone wejścia układu TTL znajdują się w stanie l (w stanie wysokim), co wynika z zastosowania tranzystora wieloemiterowego. Można więc wykorzystać bramkę NAND jako inwerter, używając pojedynczego wejścia lub obydwu wejść połączonych ze sobą. W niezupełnie "cyfrowy" sposób (rozpatrując to od strony wejścia) pracuje tzw. przerzutnik Schmitta: przekształca on zmieniający się monotonicznie sygnał wejściowy na "czysto" cyfrowy sygnał wyjściowy (rys. 12). Uniwibratory (zwane też przerzutnikami monostabilnymi) są wykorzystywane do formowania impulsów o czasie trwania określonym przez odpowiednio dobrane wartości rezystancji i pojemności. Dla takiego obwodu obowiązuje zależność: T=R*C gdzie: T - czas trwania wytwarzanego impulsu [s], R - rezystancja [ohm], C - pojemność [F]. Przykładowo, dla C = 1 uf i R = 1 M otrzymujemy T = 1 s. Uniwibratory, w których impuls wejściowy przychodzący w czasie trwania impulsu wyjściowego wydłuża go odpowiednio, nazywane są uniwibratorami z podtrzymaniem (rys. l3). Układy CMOS 5

6 Układy wykonane w technologii TTL są mało przydatne do budowy urządzeń zasilanych z baterii, gdyż już jedna bramka pobiera prąd o natężeniu kilku miliamperów, a w przypadku np. dekodera adresów w komputerze bramek takich jest dość dużo. Wynika stąd również, że nawet w urządzeniach wyposażonych w zasilacz sieciowy pojawi się problem odprowadzania dużych ilości ciepła wytwa-rzanego przez prąd płynący w układach TTL. W technologii CMOS stosuje się dwa komplementarne tranzystory polowe MOS (rys. 14). Jak już wspomniano wcześniej, elektroda sterująca (bramka) jest całkowicie odizolowana od kanału dren-źródło i nie pobiera żadnego prądu. Aby przez kanał również nie płynął prąd, łączy się po prostu szeregowo tranzystor z kanałem typu p z tranzystorem z kanałem typu n. W takim obwodzie tylko jeden z tranzystorów może być w stanie przewodzenia. Na rysunku 15 pokazano schemat zbudowanego właśnie w ten sposób inwertera. Jeżeli na wejściu E pojawi się stan wysoki, to będzie przewodził dolny tranzystor (z kanałem typu n), górny zaś (z kanałem typu p) będzie zablokowany. Wyjście Q przejdzie więc w stan niski. Sytuacja odwróci się, jeśli na wejściu E pojawi się stan wysoki: wówczas będzie przewodził tranzystor górny, co prowadzi do pojawienia się stanu wysokiego na wyjściu. Prąd w takim obwodzie płynie tylko podczas przełączania (rys. l6) i to tylko wtedy, gdy w 6

7 pewnym zakresie napięć wejściowych obydwa tranzystory MOSFET przewodzą (wartości tych napięć zależą od domieszkowania półprzewodnika i od napięcia zasilania) lub gdy są ładowane różne pojemności wewnętrzne i zewnętrzne. Ładowanie pojemności wewnątrz układu scalonego i w obwodzie zewnętrznym prowadzi do tego, że pobór prądu przez bramki CMOS jest, w dobrym przybliżeniu, wprost proporcjonalny do częstotliwości przełączeń (rys. l7). Oczywiste jest też, że częstotliwość l MHz odpowiada dwom milionom przełączeń na sekundę (w obydwu kierunkach). Na rysunku 18 pokazano porównanie poboru prądu w funkcji częstotliwości pracy dla bramek wykonanych za pomocą różnych technologii: CMOS, TTL i TTL-LS. Pobór prądu przez układy TTL i TTL-LS nie zależy praktycznie od częstotliwości. Wynika też stąd, że powyżej pewnej wartości częstotliwości (wyróżnionej przez punkt przecięcia się wykresów), układy CMOS pobierają w rzeczywistości większy prąd niż układy TTL! Zjawisko to zachodzi jednak przy tak dużych częstotliwościach przełączania, że w komputerach nie mamy z nim praktycznie do czynienia. Układy CMOS mają też dodatkową zaletę: poziom przełączania jest w nich równy w przybliżeniu połowie wartości napięcia zasilania, a więc impulsy zakłócające muszą tę wartość przekroczyć, aby mogły wpływać na pracę układu. Inaczej jest w układach TTL: poziom przełączania wynosi tu ok. 0,6 V (przy napięciu zasilania równym 5 V). Oprócz tego napięcie zasilające układy TTL musi zawierać się w przedziale od 4,75 do 5,25 V, a układy CMOS pracują przy napięciach V. Jako wadę logicznych układów CMOS należy podkreślić małą obciążalność ich układu wyjściowego (do kilku miliamperów), co może stać się czynnikiem krytycznym już przy podłączeniu diody elektroluminescencyjnej. W przeciwieństwie do tego układy TTL dostarczają prąd o natężeniu ma. Naturalnie, powstaje tu pytanie, czy można łączyć układy CMOS i układy TTL ze sobą? Oczywiście, można, lecz należy wówczas przestrzegać kilku następujących zasad: 7

8 1. Układy CMOS muszą być zasilane napięciem 5 V, tak jak układy TTL. 2. Jedno wyjście układu CMOS może sterować jednym wejściem układu TTL. 3. Do sprzężenia wejścia CMOS z wyjściem TTL najkorzystniej jest stosować układy TTL z otwartym kolektorem (rys. 18). Na rysunku 19 pokazano wewnętrzną budowę bramki NAND wykonanej w technologii CMOS, Jeśli np. obydwa wejścia znajdą się w stanie wysokim, to będą przewodzić dwa dolne tranzystory z kanałem typu n, a obydwa górne, połączone równolegle tranzystory z kanałem typu p, będą zablokowane i dlatego wyjście przejdzie w stan niski. Liniowa zależność rezystancji kanału od napięcia dren-źródło w tranzystorach FET umożliwia zbudowanie przełączników elektronicznych CMOS, które mogą przełączać bez zniekształceń również sygnały analogowe. Na rysunku 20 przedstawiono schemat takiego przełącznika analogowego. Jego rezystancja w stanie wyłączenia jest bardzo duża (rzędu MOhm), natomiast rezystancja wewnętrzna w stanie włączenia zawiera się na ogól w przedziale Ohm. 8

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie

Bardziej szczegółowo

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz

Bardziej szczegółowo

Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2

Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2 Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2 Elementarne prawa Trzy elementarne prawa 2 Prawo Ohma Stosunek natężenia prądu płynącego przez przewodnik do napięcia pomiędzy jego końcami jest stały R U I 3 Prawo

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania. adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z techniką połączenia za pośrednictwem interfejsu. Zbudowanie

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) RZECZPO SPO LITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 172018 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21)Numer zgłoszenia 298251 (22) Data zgłoszenia: 23.03.1993 (51) Int.Cl.6 G01R 31/36 H02J

Bardziej szczegółowo

3. Funktory CMOS cz.1

3. Funktory CMOS cz.1 3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę. WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora

Bardziej szczegółowo

dwójkę liczącą Licznikiem Podział liczników:

dwójkę liczącą Licznikiem Podział liczników: 1. Dwójka licząca Przerzutnik typu D łatwo jest przekształcić w przerzutnik typu T i zrealizować dzielnik modulo 2 - tzw. dwójkę liczącą. W tym celu wystarczy połączyć wyjście zanegowane Q z wejściem D.

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie przerzutników - ćwiczenie 3

Statyczne badanie przerzutników - ćwiczenie 3 Statyczne badanie przerzutników - ćwiczenie 3. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami przerzutników w wersji TTL realizowanymi przy wykorzystaniu bramek logicznych NAND oraz NO. 2. Wykaz

Bardziej szczegółowo

Badanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie Cel ćwiczenia. 2. Wykaz przyrządów i elementów: 3. Przedmiot badań

Badanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie Cel ćwiczenia. 2. Wykaz przyrządów i elementów: 3. Przedmiot badań adanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie 6. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi układami SSI (Średniej Skali Integracji). Przed wykonaniem ćwiczenia należy zapoznać

Bardziej szczegółowo

Przerzutnik ma pewną liczbę wejść i z reguły dwa wyjścia.

Przerzutnik ma pewną liczbę wejść i z reguły dwa wyjścia. Kilka informacji o przerzutnikach Jaki układ elektroniczny nazywa się przerzutnikiem? Przerzutnikiem bistabilnym jest nazywany układ elektroniczny, charakteryzujący się istnieniem dwóch stanów wyróżnionych

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego

Bardziej szczegółowo

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:

Bardziej szczegółowo

Tranzystor JFET i MOSFET zas. działania

Tranzystor JFET i MOSFET zas. działania Tranzystor JFET i MOSFET zas. działania brak kanału v GS =v t (cutoff ) kanał otwarty brak kanału kanał otwarty kanał zamknięty w.2, p. kanał zamknięty Co było na ostatnim wykładzie? Układy cyfrowe Najczęściej

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017

Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017 Poliechnika Wrocławska Klucze analogowe Wrocław 2017 Poliechnika Wrocławska Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji układów impulsowych oraz cyfrowych jes wykorzysanie wielkosygnałowej pacy elemenów akywnych,

Bardziej szczegółowo

UKŁADY CYFROWE. Układ kombinacyjny

UKŁADY CYFROWE. Układ kombinacyjny UKŁADY CYFROWE Układ kombinacyjny Układów kombinacyjnych są bramki. Jedną z cech układów kombinacyjnych jest możliwość przedstawienia ich działania (opisu) w postaci tabeli prawdy. Tabela prawdy podaje

Bardziej szczegółowo

Analogowy sterownik silnika krokowego oparty na układzie avt 1314

Analogowy sterownik silnika krokowego oparty na układzie avt 1314 Katedra Energoelektroniki i Automatyki Systemów Przetwarzania Energii 51 Konferencja Studenckich Kół Naukowych Bartłomiej Dąbek Adrian Durak - Elektrotechnika 3 rok - Elektrotechnika 3 rok Analogowy sterownik

Bardziej szczegółowo

Funkcje logiczne X = A B AND. K.M.Gawrylczyk /55

Funkcje logiczne X = A B AND. K.M.Gawrylczyk /55 Układy cyfrowe Funkcje logiczne AND A B X = A B... 2/55 Funkcje logiczne OR A B X = A + B NOT A A... 3/55 Twierdzenia algebry Boole a A + B = B + A A B = B A A + B + C = A + (B+C( B+C) ) = (A+B( A+B) )

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Ćw. 8 Bramki logiczne

Ćw. 8 Bramki logiczne Ćw. 8 Bramki logiczne 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi, poznanie ich rodzajów oraz najwaŝniejszych parametrów opisujących ich własności elektryczne.

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400) INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 74).Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z charakterystykami statycznymi i parametrami statycznymi bramki standardowej NAND

Bardziej szczegółowo

Cyfrowe układy scalone c.d. funkcje

Cyfrowe układy scalone c.d. funkcje Cyfrowe układy scalone c.d. funkcje Ryszard J. Barczyński, 206 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Kombinacyjne układy cyfrowe

Bardziej szczegółowo

LEKCJA. TEMAT: Funktory logiczne.

LEKCJA. TEMAT: Funktory logiczne. TEMAT: Funktory logiczne. LEKCJA 1. Bramką logiczną (funktorem) nazywa się układ elektroniczny realizujący funkcje logiczne jednej lub wielu zmiennych. Sygnały wejściowe i wyjściowe bramki przyjmują wartość

Bardziej szczegółowo

Tranzystory i ich zastosowania

Tranzystory i ich zastosowania Tranzystory i ich zastosowania Nie wszystkie elementy obwodu elektrycznego zachowują się jak poznane na lekcjach rezystory (oporniki omowe). Większość używanych elementów ma zmienny opór. Jak się tak bliżej

Bardziej szczegółowo

Projekt z przedmiotu Systemy akwizycji i przesyłania informacji. Temat pracy: Licznik binarny zliczający do 10.

Projekt z przedmiotu Systemy akwizycji i przesyłania informacji. Temat pracy: Licznik binarny zliczający do 10. Projekt z przedmiotu Systemy akwizycji i przesyłania informacji Temat pracy: Licznik binarny zliczający do 10. Andrzej Kuś Aleksander Matusz Prowadzący: dr inż. Adam Stadler Układy cyfrowe przetwarzają

Bardziej szczegółowo

Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk

Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk przejściowych użytych tranzystorów. NOR CMOS Skale integracji

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA WARSZAWSKA, Warszawa, PL BUP 04/11. KRZYSZTOF GOŁOFIT, Lublin, PL WUP 06/14

PL B1. POLITECHNIKA WARSZAWSKA, Warszawa, PL BUP 04/11. KRZYSZTOF GOŁOFIT, Lublin, PL WUP 06/14 PL 217071 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217071 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 388756 (51) Int.Cl. H03K 3/023 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07. PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI I TEORII OBWODÓW

LABORATORIUM ELEKTRONIKI I TEORII OBWODÓW POLITECHNIKA POZNAŃSKA FILIA W PILE LABORATORIUM ELEKTRONIKI I TEORII OBWODÓW numer ćwiczenia: data wykonania ćwiczenia: data oddania sprawozdania: OCENA: 6 21.11.2002 28.11.2002 tytuł ćwiczenia: wykonawcy:

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

TEST KONKURSOWY CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA:

TEST KONKURSOWY CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA: CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA: TEST KONKURSOWY 1. Do arkusza testu dołączona jest KARTA ODPOWIEDZI, na której wpisz swoje imię i nazwisko, nazwę szkoły i miasto. 2. Test zawiera

Bardziej szczegółowo

Zabezpieczenie akumulatora Li-Poly

Zabezpieczenie akumulatora Li-Poly Zabezpieczenie akumulatora Li-Poly rev. 2, 02.02.2011 Adam Pyka Wrocław 2011 1 Wstęp Akumulatory litowo-polimerowe (Li-Po) ze względu na korzystny stosunek pojemności do masy, mały współczynnik samorozładowania

Bardziej szczegółowo

SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC

SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC Własności Driver dwóch silników DC Zasilanie: 6 30V DC Prąd ciągły (dla jednego silnika): do 7A (bez radiatora) Prąd ciągły (dla jednego silnika): do

Bardziej szczegółowo

UKŁAD SCALONY. Cyfrowe układy można podzielić ze względu na różne kryteria, na przykład sposób przetwarzania informacji, technologię wykonania.

UKŁAD SCALONY. Cyfrowe układy można podzielić ze względu na różne kryteria, na przykład sposób przetwarzania informacji, technologię wykonania. UKŁDAY CYFROWE Układy cyfrowe są w praktyce realizowane różnymi technikami. W prostych urządzeniach automatyki powszechnie stosowane są układy elektryczne, wykorzystujące przekaźniki jako podstawowe elementy

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasad działania, budowy i właściwości podstawowych funktorów logicznych wykonywanych w jednej z najbardziej rozpowszechnionych

Bardziej szczegółowo

Logiczne układy bistabilne przerzutniki.

Logiczne układy bistabilne przerzutniki. Przerzutniki spełniają rolę elementów pamięciowych: -przy pewnej kombinacji stanów na pewnych wejściach, niezależnie od stanów innych wejść, stany wyjściowe oraz nie ulegają zmianie; -przy innej określonej

Bardziej szczegółowo

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

WSTĘP DO ELEKTRONIKI WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część VI Sprzężenie zwrotne Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacz operacyjny w układach z ujemnym i dodatnim sprzężeniem zwrotnym Janusz Brzychczyk IF UJ Sprzężenie zwrotne Sprzężeniem

Bardziej szczegółowo

Projekt Układów Logicznych

Projekt Układów Logicznych Politechnika Opolska Wydział Elektrotechniki i Automatyki Kierunek: Informatyka Opole, dn. 21 maja 2005 Projekt Układów Logicznych Temat: Bramki logiczne CMOS Autor: Dawid Najgiebauer Informatyka, sem.

Bardziej szczegółowo

1. Nadajnik światłowodowy

1. Nadajnik światłowodowy 1. Nadajnik światłowodowy Nadajnik światłowodowy jest jednym z bloków światłowodowego systemu transmisyjnego. Przetwarza sygnał elektryczny na sygnał optyczny. Jakość transmisji w dużej mierze zależy od

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE. Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji LABORATORIUM.

AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE. Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji LABORATORIUM. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki LABORATORIUM Elektronika LICZNIKI ELWIS Rev.1.0 1. Wprowadzenie Celem

Bardziej szczegółowo

1. Poznanie właściwości i zasady działania rejestrów przesuwnych. 2. Poznanie właściwości i zasady działania liczników pierścieniowych.

1. Poznanie właściwości i zasady działania rejestrów przesuwnych. 2. Poznanie właściwości i zasady działania liczników pierścieniowych. Ćwiczenie 9 Rejestry przesuwne i liczniki pierścieniowe. Cel. Poznanie właściwości i zasady działania rejestrów przesuwnych.. Poznanie właściwości i zasady działania liczników pierścieniowych. Wprowadzenie.

Bardziej szczegółowo

Podstawowe układy cyfrowe

Podstawowe układy cyfrowe ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 4 Podstawowe układy cyfrowe Grupa 6 Prowadzący: Roman Płaneta Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi,

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami liczników asynchronicznych szeregowych modulo N, zliczających w przód i w tył oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami liczników asynchronicznych szeregowych modulo N, zliczających w przód i w tył oraz zasadą ich działania. Badanie liczników asynchronicznych - Ćwiczenie 4 1. el ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami liczników asynchronicznych szeregowych modulo N, zliczających w przód i w tył oraz zasadą ich

Bardziej szczegółowo

Podział układów cyfrowych. rkijanka

Podział układów cyfrowych. rkijanka Podział układów cyfrowych rkijanka W zależności od przyjętego kryterium możemy wyróżnić kilka sposobów podziału układów cyfrowych. Poniżej podam dwa z nich związane ze sposobem funkcjonowania układów cyfrowych

Bardziej szczegółowo

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz. 1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.

Bardziej szczegółowo

PL B1. Akademia Górniczo-Hutnicza im. St. Staszica,Kraków,PL BUP 19/03

PL B1. Akademia Górniczo-Hutnicza im. St. Staszica,Kraków,PL BUP 19/03 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 198698 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 352734 (51) Int.Cl. H05B 6/06 (2006.01) H02M 1/08 (2007.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data

Bardziej szczegółowo

Komputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS

Komputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 27 Komputerowa symulacja

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 TRANZYSTORY JAKO ELEMENTY DWUSTANOWE BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132.

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. Bramki logiczne 1. Czas trwania: 3h 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. 3. Wymagana znajomość pojęć stany logiczne Hi, Lo, stan

Bardziej szczegółowo

Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń

Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń Załącznik 4c do SIWZ Lp. NAZWA OPIS GŁÓWNYCH PARAMETRÓW TECHNICZNYCH ILOŚĆ (szt.) Zestaw powinien składać się min. z modułu bazowego oraz modułów ćwiczeniowych

Bardziej szczegółowo

Odbiór i dekodowanie znaków ASCII za pomocą makiety cyfrowej. Znaki wysyłane przez komputer za pośrednictwem łącza RS-232.

Odbiór i dekodowanie znaków ASCII za pomocą makiety cyfrowej. Znaki wysyłane przez komputer za pośrednictwem łącza RS-232. Odbiór i dekodowanie znaków ASCII za pomocą makiety cyfrowej. Znaki wysyłane przez komputer za pośrednictwem łącza RS-232. Opracowanie: Andrzej Grodzki Do wysyłania znaków ASCII zastosujemy dostępny w

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Komparatory napięcia i ich zastosowanie

Liniowe układy scalone. Komparatory napięcia i ich zastosowanie Liniowe układy scalone Komparatory napięcia i ich zastosowanie Komparator Zadaniem komparatora jest wytworzenie sygnału logicznego 0 lub 1 na wyjściu w zależności od znaku różnicy napięć wejściowych Jest

Bardziej szczegółowo

2.1 Porównanie procesorów

2.1 Porównanie procesorów 1 Wstęp...1 2 Charakterystyka procesorów...1 2.1 Porównanie procesorów...1 2.2 Wejścia analogowe...1 2.3 Termometry cyfrowe...1 2.4 Wyjścia PWM...1 2.5 Odbiornik RC5...1 2.6 Licznik / Miernik...1 2.7 Generator...2

Bardziej szczegółowo

Generatory impulsowe przerzutniki

Generatory impulsowe przerzutniki Generatory impulsowe przerzutniki Wrocław 2015 Przerzutniki Przerzutniki stosuje się do przechowywania małych ilości danych, do których musi być zapewniony ciągły dostęp. Ze względu na łatwy odczyt i zapis,

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

Obwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3

Obwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3 Obwody nieliniowe Rysunek 1 Rysunek 2 Rysunek 3 1. Narysuj schemat zasilania diody świecącej, której parametry graniczne przedstawiono na rysunku 1, a charakterystykę prądowo-napięciową na rysunku 2. Układ

Bardziej szczegółowo

Badanie przerzutników astabilnych i monostabilnych

Badanie przerzutników astabilnych i monostabilnych Badanie przerzutników astabilnych i monostabilnych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest przeprowadzenie badania podstawowych układów przerzutników astabilnych, bistabilnych i monostabilnych. 2. Przebieg

Bardziej szczegółowo

Architektura komputerów Wykład 2

Architektura komputerów Wykład 2 Architektura komputerów Wykład 2 Jan Kazimirski 1 Elementy techniki cyfrowej 2 Plan wykładu Algebra Boole'a Podstawowe układy cyfrowe bramki Układy kombinacyjne Układy sekwencyjne 3 Algebra Boole'a Stosowana

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 3 Wzmacniacz operacyjny Grupa 6 Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniaczy operacyjnych do przetwarzania

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

TEST KONKURSOWY CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA:

TEST KONKURSOWY CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA: CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA: TEST KONKURSOWY 1. Do arkusza testu dołączona jest KARTA ODPOWIEDZI, na której wpisz swoje imię i nazwisko, nazwę szkoły i miasto. 2. Test zawiera

Bardziej szczegółowo

Cyfrowe układy scalone

Cyfrowe układy scalone Ryszard J. Barczyński, 2 25 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy cyfrowe stosowane są do przetwarzania informacji zakodowanej

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Układ elementarnej pamięci cyfrowej

Układ elementarnej pamięci cyfrowej Opis ćwiczenia Układ elementarnej pamięci cyfrowej Pod określeniem pamięć cyfrowa będziemy rozumieć układ, do którego moŝna wprowadzić i przez pewien czas w nim przechowywać ciąg liczb zero-jedynkowych.

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12 PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0 LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..

Bardziej szczegółowo

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier) 7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

f we DZIELNIKI I PODZIELNIKI CZĘSTOTLIWOŚCI Dzielnik częstotliwości: układ dający impuls na wyjściu co P impulsów na wejściu

f we DZIELNIKI I PODZIELNIKI CZĘSTOTLIWOŚCI Dzielnik częstotliwości: układ dający impuls na wyjściu co P impulsów na wejściu DZIELNIKI I PODZIELNIKI CZĘSTOTLIWOŚCI Dzielnik częstotliwości: układ dający impuls na wyjściu co P impulsów na wejściu f wy f P Podzielnik częstotliwości: układ, który na każde p impulsów na wejściu daje

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 Program Electronics Workbench

Ćwiczenie 1 Program Electronics Workbench Systemy teleinformatyczne Ćwiczenie Program Electronics Workbench Symulacja układów logicznych Program Electronics Workbench służy do symulacji działania prostych i bardziej złożonych układów elektrycznych

Bardziej szczegółowo

PL B1. Sposób podgrzewania żarników świetlówki przed zapłonem i układ zasilania świetlówki z podgrzewaniem żarników

PL B1. Sposób podgrzewania żarników świetlówki przed zapłonem i układ zasilania świetlówki z podgrzewaniem żarników RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 211844 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386656 (51) Int.Cl. H05B 41/14 (2006.01) H05B 41/295 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego.

1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego. 1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego. Przerzutniki monostabline w odróżnieniu od przerzutników bistabilnych zapamiętują stan na z góry założony, ustalony przez konstruktora układu,

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający

Bardziej szczegółowo

PRZETWORNIKI A/C I C/A.

PRZETWORNIKI A/C I C/A. Przetworniki A/C i C/A 0 z 8 PRACOWNIA ENERGOELEKTRONICZNA w ZST Radom 2006/2007 PRZETWORNIKI A/C I C/A. Przed wykonaniem ćwiczenia powinieneś znać odpowiedzi na 4 pierwsze pytania i polecenia. Po wykonaniu

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.

Bardziej szczegółowo

(43)Zgłoszenie ogłoszono: BUP 24/98

(43)Zgłoszenie ogłoszono: BUP 24/98 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 182117 (13) B1 (2 1) Numer zgłoszenia: 319966 (51 ) IntCl7 G 11C 7/16 H02H 3/08 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 14.05.1997 H03M 1/80 Rzeczypospolitej

Bardziej szczegółowo

LICZNIKI Liczniki scalone serii 749x

LICZNIKI Liczniki scalone serii 749x LABOATOIUM PODSTAWY ELEKTONIKI LICZNIKI Liczniki scalone serii 749x Cel ćwiczenia Zapoznanie się z budową i zasadą działania liczników synchronicznych i asynchronicznych. Poznanie liczników dodających

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie ZINTEGROWANE SYSTEMY CYFROWE. Pakiet edukacyjny DefSim Personal. Analiza prądowa IDDQ

Ćwiczenie ZINTEGROWANE SYSTEMY CYFROWE. Pakiet edukacyjny DefSim Personal. Analiza prądowa IDDQ Ćwiczenie 2 ZINTEGROWANE SYSTEMY CYFROWE Pakiet edukacyjny DefSim Personal Analiza prądowa IDDQ K A T E D R A M I K R O E L E K T R O N I K I I T E C H N I K I N F O R M A T Y C Z N Y C H Politechnika

Bardziej szczegółowo

CYFROWE UKŁADY SCALONE STOSOWANE W AUTOMATYCE

CYFROWE UKŁADY SCALONE STOSOWANE W AUTOMATYCE Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 5 str. 1/16 ĆWICZENIE 5 CYFROWE UKŁADY SCALONE STOSOWANE W AUTOMATYCE 1.CEL ĆWICZENIA: zapoznanie się z podstawowymi elementami cyfrowymi oraz z

Bardziej szczegółowo

PRZERZUTNIKI: 1. Należą do grupy bloków sekwencyjnych, 2. podstawowe układy pamiętające

PRZERZUTNIKI: 1. Należą do grupy bloków sekwencyjnych, 2. podstawowe układy pamiętające PRZERZUTNIKI: 1. Należą do grupy bloków sekwencyjnych, 2. podstawowe układy pamiętające Zapamiętywanie wartości wybranych zmiennych binarnych, jak również sekwencji tych wartości odbywa się w układach

Bardziej szczegółowo

PoniŜej zamieszczone są rysunki przedstawiane na wykładach z przedmiotu Peryferia Komputerowe. ELEKTRONICZNE UKŁADY CYFROWE

PoniŜej zamieszczone są rysunki przedstawiane na wykładach z przedmiotu Peryferia Komputerowe. ELEKTRONICZNE UKŁADY CYFROWE PoniŜej zamieszczone są rysunki przedstawiane na wykładach z przedmiotu Peryferia Komputerowe. ELEKTRONICZNE UKŁADY CYFROWE Podstawowymi bramkami logicznymi są układy stanowiące: - funktor typu AND (funkcja

Bardziej szczegółowo

PL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13

PL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13 PL 222455 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 222455 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 399143 (51) Int.Cl. H02M 5/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: 1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: A. 10 V B. 5,7 V C. -5,7 V D. 2,5 V 2. Zasilacz dołączony jest do akumulatora 12 V i pobiera z niego prąd o natężeniu

Bardziej szczegółowo

Automatyzacja i robotyzacja procesów produkcyjnych

Automatyzacja i robotyzacja procesów produkcyjnych Automatyzacja i robotyzacja procesów produkcyjnych Instrukcja laboratoryjna Technika cyfrowa Opracował: mgr inż. Krzysztof Bodzek Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie studenta z zapisem liczb

Bardziej szczegółowo

XXIX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne

XXIX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne XXIX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne ZADANIE D1 Nazwa zadania: Wyznaczenie napięcia. Mając do dyspozycji: trójnóżkowy element półprzewodnikowy, dwie baterie 4,5 V z opornikami zabezpieczającymi

Bardziej szczegółowo

O systemach liczbowych

O systemach liczbowych O systemach liczbowych 1. Systemy liczbowe Literatura:Turski,Propedeutyka...;Skomorowski,... 1.1. Dwójkowy system pozycyjny W dziesiętnym systemie pozycyjnym ciąg cyfr 321.23 oznacza liczbę 3 10 2 +2 10

Bardziej szczegółowo

Parametry układów cyfrowych

Parametry układów cyfrowych Sławomir Kulesza Technika cyfrowa Parametry układów cyfrowych Wykład dla studentów III roku Informatyki Wersja 3.1, 25/10/2012 Rodziny bramek logicznych Tranzystory bipolarne Tranzystory unipolarne Porównanie

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo