Układy TTL i CMOS. Trochę logiki
|
|
- Maja Pawłowska
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Układy TTL i CMOS O liczbie elementów użytych do budowy jakiegoś urządzenia elektronicznego, a więc i o możliwości obniżenia jego ceny, decyduje dzisiaj liczba zastosowanych w nim układów scalonych. Najstarszą rodziną układów scalonych są układy TTL. Skrót ten pochodzi od angielskiej nazwy Transistor-Transistor-Logic i oznacza technologię, w której do budowy pojedynczego obwodu logicznego stosuje się wiele tranzystorów scalonych w jeden układ. Trochę logiki Obwody arytmetyczne i logiczne, a także kompletne mikroprocesory i układy pamięci zbudowane są z pewnych elementarnych obwodów zwanych bramkami logicznymi. Są to obwody, które wytwarzają określony sygnał wyjściowy z jednego lub wielu sygnałów wejściowych. Dla uproszczenia dopuszcza się tylko dwa poziomy sygnałów na wejściu i na wyjściu, oznaczane cyframi 0 i 1. Sygnał 0 oznacza napięcie z przedziału 0...0,8 V, a l odpowiada napięciu o wartości 2,4...5 V (por. rozdział o mikroprocesorach). Wszelkie inne wartości napięć są zabronione i nie definiowane w technologii TTL. Oczywiście, 1 i 0 mogą oznaczać cyfry liczby dwójkowej, co nie jest pozbawione sensu. Rachunki z liczbami 0 i 1 nazywają się algebrą Boole'a (od nazwiska matematyka Boole'a, który wprowadził ją na długo przed pojawieniem się pierwszego komputera). Podane funkcje logiczne można z łatwością przedstawić w postaci schematów elektrycznych. Na rysunku 1A pokazano obwód realizujący funkcję OR, składający się z dwóch wyłączników. Jedynka odpowiada zamknięciu wyłącznika lub świeceniu żarówki. Żarówka będzie świecić tylko wtedy, gdy zamknięty będzie co najmniej jeden wyłącznik. Na rysunku 1B pokazano układ bramki AND, wykonany przy użyciu tych i inych elementów. Żarówka świeci się tylko wtedy, gdy zamknięte będą obydwa wyłączniki. Oczywiste jest, że ta zasada dotyczy również większej liczby wyłączników (czyli odpowiednich wejść bramki). Konstrukcję bramki NAND wykonanej z dwóch tranzystorów pokazano na rys. 2. Jeżeli do obydwu wejść będzie doprowadzone napięcie nieco większe niż l V (czyli logiczna jedynka), to przez rezystory ograniczające prąd bazy obydwu tranzystorów popłynie prąd powodujący przewodzenie złącz kolektor-emiter i zwarcie wyprowadzenia wyjściowgo do masy (czyli 1
2 potencjału odniesienia, 0 V). W innych przypadkach wyjście będzie utrzymywane na poziomie 5 V, dzięki rezystorowi dołączonemu do kolektora górnego tranzystora (logiczna jedynka). Bramkę NOR z dwoma tranzystorami pokazano na rys. 3. Do zwarcia wyjścia z masą (co odpowiada stanowi 0) wystarcza w tym przypadku przewodze-nie tylko jednego tranzystora, czyli wprowadzenie przynajmniej jednego wejścia w stan l. Symbole graficzne bramek Byłoby dość uciążliwe rysowanie każdej bramki w złożonym obwodzie logicznym dokładnie tak, jak jest ona zbudowana w rzeczywistości. Wprowadzono więc pewne symbole graficzne, które jednoznacznie określają przyporządkowane im funkcje logiczne. Niestety, brak jest tu jakiejkolwiek normy międzynarodowej. Przed wielu laty opracowano pewien standard DIN (Deutsche Industrie Normen), lecz w praktyce byt on stosowany tylko w Niemczech. Na rysunku 4 pokazano różne symbole bramek logicznych. W standardzie DIN zaleca się stosowanie kwadratowych oznaczeń bramek oraz wyróżnianie funkcji logicznej przez podanie odpowiedniego znaku ("&" dla AND, "+" dla OR i "-" dla NOT). Złożone układy logiczne Z pojedynczych bramek można także zestawiać skomplikowane obwody logiczne, scalane często w jeden układ. Zalicza się do nich dekodery (kojarzące wiele sygnałów wejściowych z jednym lub z wieloma sygnałami wyjściowymi, jak np. dekoder adresu), przerzutniki (rys. 5) oraz zbudowane z przerzutników rejestry przesuwne i liczniki. 2
3 Przerzutniki mogą pamiętać określone stany logiczne, a więc są komórkami pamięci o pojemności l bit. Dzięki odpowiedniemu doborowi układu połączeń można spowodować takie ich działanie, że każdy impuls pojawiający się na tzw. wejściu zegarowym będzie zmieniał stan logiczny układu. Jeżeli połączy się ze sobą większą liczbę przerzutników, to powstanie licznik binarny (rys. 6). Jego sygnały wyjściowe zmieniają się po każdym impulsie zegarowym w następujący sposób: Można łatwo zauważyć, że numer impulsu pojawia się na wyjściu w postaci liczby dwójkowej. Liczniki tego typu są na ogół wyposażone w dodatkowe wejście kasujące, przez które można ustawić stan 0 na wszystkich wyjściach. Możliwe jest również zbudowanie licznika dziesiętnego: wystarczy tylko dodać połączenie realizujące funkcję AND, które automatycznie kasuje licznik, gdy wyjścia Q3 i Q2 przejdą w stan l. Skończmy jednak z nudną teorią i przejdźmy do omawiania układów rzeczywistych! Układy TTL Układy scalone z serii 74 są zasilane napięciem 5 V (4:5%). Logiczne zero (stan niski) leży w przedziale napięć O...0,8 V, a logiczna jedynka (stan wysoki) odpowiada napięciom z przedziału 2, V. Jeden układ scalony zawiera zazwyczaj więcej niż jedną bramkę albo pojedynczy, dość złożony obwód logiczny. Większość układów TTL ma czternaste- lub szesnastonóżkową obudowę typu DIL. 3
4 Na rysunku 7 pokazano schemat układu połączeń jednej z czterech bramek NAND w układzie Istnieją też inne wersje tego układu; 74L00 (charaktery-zująca się zmniejszonym poborem prądu, lecz także i mniejszą szybkością przetaczania, rys. 8), 74S00 (z diodami Schottky'ego o dużej szybkości przełączania, rys. 9) oraz wersja 74LS00 (w której osiągnięto szybkość prawie taką jak w 74S00 i pobór prądu jak w 74L00). Obydwa wejścia połączone są z tranzystorem wieloemiterowym (rys. 10), stanowiącym kombinację omawianych wcześniej złącz diodowych. Kolektor tego tranzystora może być w stanie wysokim tylko wówczas, gdy obydwa wejścia będą w tym stanie, czyli gdy żadna z końcówek dołączonych do dolnego końca rezystora bazowego nie jest zwarta do masy. Połączony z tranzystorem inwerter będzie wtedy wysterowany, tak aby dolny tranzystor wyjściowy (na schemacie) przewodził, a górny był zatkany, co oznacza stan niski na wyjściu. 4
5 Istnieją też scalone układy TTL zawierające w obwodzie wyjściowym tylko jeden tranzystor z tzw. otwartym kolektorem (rys. l1). Możliwe jest wówczas przełączanie napięć wyjściowych wyższych niż 5 V (np. do 20 V w układzie 7406). Oczywiste jest, że dopóki takie wyjście nie jest nigdzie podłączone, to nie można zmierzyć na nim żadnego napięcia. Nigdzie nie podłączone wejścia układu TTL znajdują się w stanie l (w stanie wysokim), co wynika z zastosowania tranzystora wieloemiterowego. Można więc wykorzystać bramkę NAND jako inwerter, używając pojedynczego wejścia lub obydwu wejść połączonych ze sobą. W niezupełnie "cyfrowy" sposób (rozpatrując to od strony wejścia) pracuje tzw. przerzutnik Schmitta: przekształca on zmieniający się monotonicznie sygnał wejściowy na "czysto" cyfrowy sygnał wyjściowy (rys. 12). Uniwibratory (zwane też przerzutnikami monostabilnymi) są wykorzystywane do formowania impulsów o czasie trwania określonym przez odpowiednio dobrane wartości rezystancji i pojemności. Dla takiego obwodu obowiązuje zależność: T=R*C gdzie: T - czas trwania wytwarzanego impulsu [s], R - rezystancja [ohm], C - pojemność [F]. Przykładowo, dla C = 1 uf i R = 1 M otrzymujemy T = 1 s. Uniwibratory, w których impuls wejściowy przychodzący w czasie trwania impulsu wyjściowego wydłuża go odpowiednio, nazywane są uniwibratorami z podtrzymaniem (rys. l3). Układy CMOS 5
6 Układy wykonane w technologii TTL są mało przydatne do budowy urządzeń zasilanych z baterii, gdyż już jedna bramka pobiera prąd o natężeniu kilku miliamperów, a w przypadku np. dekodera adresów w komputerze bramek takich jest dość dużo. Wynika stąd również, że nawet w urządzeniach wyposażonych w zasilacz sieciowy pojawi się problem odprowadzania dużych ilości ciepła wytwa-rzanego przez prąd płynący w układach TTL. W technologii CMOS stosuje się dwa komplementarne tranzystory polowe MOS (rys. 14). Jak już wspomniano wcześniej, elektroda sterująca (bramka) jest całkowicie odizolowana od kanału dren-źródło i nie pobiera żadnego prądu. Aby przez kanał również nie płynął prąd, łączy się po prostu szeregowo tranzystor z kanałem typu p z tranzystorem z kanałem typu n. W takim obwodzie tylko jeden z tranzystorów może być w stanie przewodzenia. Na rysunku 15 pokazano schemat zbudowanego właśnie w ten sposób inwertera. Jeżeli na wejściu E pojawi się stan wysoki, to będzie przewodził dolny tranzystor (z kanałem typu n), górny zaś (z kanałem typu p) będzie zablokowany. Wyjście Q przejdzie więc w stan niski. Sytuacja odwróci się, jeśli na wejściu E pojawi się stan wysoki: wówczas będzie przewodził tranzystor górny, co prowadzi do pojawienia się stanu wysokiego na wyjściu. Prąd w takim obwodzie płynie tylko podczas przełączania (rys. l6) i to tylko wtedy, gdy w 6
7 pewnym zakresie napięć wejściowych obydwa tranzystory MOSFET przewodzą (wartości tych napięć zależą od domieszkowania półprzewodnika i od napięcia zasilania) lub gdy są ładowane różne pojemności wewnętrzne i zewnętrzne. Ładowanie pojemności wewnątrz układu scalonego i w obwodzie zewnętrznym prowadzi do tego, że pobór prądu przez bramki CMOS jest, w dobrym przybliżeniu, wprost proporcjonalny do częstotliwości przełączeń (rys. l7). Oczywiste jest też, że częstotliwość l MHz odpowiada dwom milionom przełączeń na sekundę (w obydwu kierunkach). Na rysunku 18 pokazano porównanie poboru prądu w funkcji częstotliwości pracy dla bramek wykonanych za pomocą różnych technologii: CMOS, TTL i TTL-LS. Pobór prądu przez układy TTL i TTL-LS nie zależy praktycznie od częstotliwości. Wynika też stąd, że powyżej pewnej wartości częstotliwości (wyróżnionej przez punkt przecięcia się wykresów), układy CMOS pobierają w rzeczywistości większy prąd niż układy TTL! Zjawisko to zachodzi jednak przy tak dużych częstotliwościach przełączania, że w komputerach nie mamy z nim praktycznie do czynienia. Układy CMOS mają też dodatkową zaletę: poziom przełączania jest w nich równy w przybliżeniu połowie wartości napięcia zasilania, a więc impulsy zakłócające muszą tę wartość przekroczyć, aby mogły wpływać na pracę układu. Inaczej jest w układach TTL: poziom przełączania wynosi tu ok. 0,6 V (przy napięciu zasilania równym 5 V). Oprócz tego napięcie zasilające układy TTL musi zawierać się w przedziale od 4,75 do 5,25 V, a układy CMOS pracują przy napięciach V. Jako wadę logicznych układów CMOS należy podkreślić małą obciążalność ich układu wyjściowego (do kilku miliamperów), co może stać się czynnikiem krytycznym już przy podłączeniu diody elektroluminescencyjnej. W przeciwieństwie do tego układy TTL dostarczają prąd o natężeniu ma. Naturalnie, powstaje tu pytanie, czy można łączyć układy CMOS i układy TTL ze sobą? Oczywiście, można, lecz należy wówczas przestrzegać kilku następujących zasad: 7
8 1. Układy CMOS muszą być zasilane napięciem 5 V, tak jak układy TTL. 2. Jedno wyjście układu CMOS może sterować jednym wejściem układu TTL. 3. Do sprzężenia wejścia CMOS z wyjściem TTL najkorzystniej jest stosować układy TTL z otwartym kolektorem (rys. 18). Na rysunku 19 pokazano wewnętrzną budowę bramki NAND wykonanej w technologii CMOS, Jeśli np. obydwa wejścia znajdą się w stanie wysokim, to będą przewodzić dwa dolne tranzystory z kanałem typu n, a obydwa górne, połączone równolegle tranzystory z kanałem typu p, będą zablokowane i dlatego wyjście przejdzie w stan niski. Liniowa zależność rezystancji kanału od napięcia dren-źródło w tranzystorach FET umożliwia zbudowanie przełączników elektronicznych CMOS, które mogą przełączać bez zniekształceń również sygnały analogowe. Na rysunku 20 przedstawiono schemat takiego przełącznika analogowego. Jego rezystancja w stanie wyłączenia jest bardzo duża (rzędu MOhm), natomiast rezystancja wewnętrzna w stanie włączenia zawiera się na ogól w przedziale Ohm. 8
WSTĘP. Budowa bramki NAND TTL, ch-ka przełączania, schemat wewnętrzny, działanie 2
WSTĘP O liczbie elementów użytych do budowy jakiegoś urządzenia elektronicznego, a więc i o możliwości obniżenia jego ceny, decyduje dzisiaj liczba zastosowanych w nim układów scalonych. Najstarszą rodziną
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4
Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z techniką połączenia za pośrednictwem interfejsu. Zbudowanie
Bardziej szczegółowoBADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO
Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz
Bardziej szczegółowoPodstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2
Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2 Elementarne prawa Trzy elementarne prawa 2 Prawo Ohma Stosunek natężenia prądu płynącego przez przewodnik do napięcia pomiędzy jego końcami jest stały R U I 3 Prawo
Bardziej szczegółowoZapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.
adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoBadanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania
Bardziej szczegółowo3. Funktory CMOS cz.1
3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)
RZECZPO SPO LITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 172018 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21)Numer zgłoszenia 298251 (22) Data zgłoszenia: 23.03.1993 (51) Int.Cl.6 G01R 31/36 H02J
Bardziej szczegółowoPrzerzutnik ma pewną liczbę wejść i z reguły dwa wyjścia.
Kilka informacji o przerzutnikach Jaki układ elektroniczny nazywa się przerzutnikiem? Przerzutnikiem bistabilnym jest nazywany układ elektroniczny, charakteryzujący się istnieniem dwóch stanów wyróżnionych
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie przerzutników - ćwiczenie 3
Statyczne badanie przerzutników - ćwiczenie 3. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami przerzutników w wersji TTL realizowanymi przy wykorzystaniu bramek logicznych NAND oraz NO. 2. Wykaz
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 171947 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21)Numer zgłoszenia: 301401 (2)Data zgłoszenia: 08.12.1993 (5 1) IntCl6 H03F 3/72 H03K 5/04
Bardziej szczegółowoCyfrowe Elementy Automatyki. Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem
Cyfrowe Elementy Automatyki Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem Układy cyfrowe W układach cyfrowych sygnały napięciowe (lub prądowe) przyjmują tylko określoną liczbę poziomów,
Bardziej szczegółowodwójkę liczącą Licznikiem Podział liczników:
1. Dwójka licząca Przerzutnik typu D łatwo jest przekształcić w przerzutnik typu T i zrealizować dzielnik modulo 2 - tzw. dwójkę liczącą. W tym celu wystarczy połączyć wyjście zanegowane Q z wejściem D.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia
Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 23 Poznanie symboli własności. Zmierzenie parametrów podstawowych bramek logicznych TTL i CMOS. Czytanie schematów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoU 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF
Dynamiczne badanie przerzutników - Ćwiczenie 3. el ćwiczenia Zapoznanie się z budową i działaniem przerzutnika astabilnego (multiwibratora) wykonanego w technice TTL oraz zapoznanie się z działaniem przerzutnika
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 18 BADANIE UKŁADÓW CZASOWYCH A. Cel ćwiczenia. - Zapoznanie z działaniem i przeznaczeniem przerzutników
Bardziej szczegółowoBadanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie Cel ćwiczenia. 2. Wykaz przyrządów i elementów: 3. Przedmiot badań
adanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie 6. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi układami SSI (Średniej Skali Integracji). Przed wykonaniem ćwiczenia należy zapoznać
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego
Bardziej szczegółowoBADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA
BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:
Bardziej szczegółowoPolitechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017
Poliechnika Wrocławska Klucze analogowe Wrocław 2017 Poliechnika Wrocławska Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji układów impulsowych oraz cyfrowych jes wykorzysanie wielkosygnałowej pacy elemenów akywnych,
Bardziej szczegółowoTranzystor JFET i MOSFET zas. działania
Tranzystor JFET i MOSFET zas. działania brak kanału v GS =v t (cutoff ) kanał otwarty brak kanału kanał otwarty kanał zamknięty w.2, p. kanał zamknięty Co było na ostatnim wykładzie? Układy cyfrowe Najczęściej
Bardziej szczegółowoUKŁADY CYFROWE. Układ kombinacyjny
UKŁADY CYFROWE Układ kombinacyjny Układów kombinacyjnych są bramki. Jedną z cech układów kombinacyjnych jest możliwość przedstawienia ich działania (opisu) w postaci tabeli prawdy. Tabela prawdy podaje
Bardziej szczegółowoFunkcje logiczne X = A B AND. K.M.Gawrylczyk /55
Układy cyfrowe Funkcje logiczne AND A B X = A B... 2/55 Funkcje logiczne OR A B X = A + B NOT A A... 3/55 Twierdzenia algebry Boole a A + B = B + A A B = B A A + B + C = A + (B+C( B+C) ) = (A+B( A+B) )
Bardziej szczegółowoĆw. 7: Układy sekwencyjne
Ćw. 7: Układy sekwencyjne Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z sekwencyjnymi, cyfrowymi blokami funkcjonalnymi. W ćwiczeniu w oparciu o poznane przerzutniki zbudowane zostaną następujące układy
Bardziej szczegółowoSML3 październik
SML3 październik 2005 24 100_LED8 Moduł zawiera 8 diod LED dołączonych do wejść za pośrednictwem jednego z kilku możliwych typów układów (typowo jest to układ typu 563). Moduł jest wyposażony w dwa złącza
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Bardziej szczegółowoZbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk
Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk przejściowych użytych tranzystorów. NOR CMOS Skale integracji
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 26. Temat: Układ z bramkami NAND i bramki AOI..
Temat: Układ z bramkami NAND i bramki AOI.. Ćwiczenie 26 Cel ćwiczenia Zapoznanie się ze sposobami konstruowania z bramek NAND różnych bramek logicznych. Konstruowanie bramek NOT, AND i OR z bramek NAND.
Bardziej szczegółowoAnalogowy sterownik silnika krokowego oparty na układzie avt 1314
Katedra Energoelektroniki i Automatyki Systemów Przetwarzania Energii 51 Konferencja Studenckich Kół Naukowych Bartłomiej Dąbek Adrian Durak - Elektrotechnika 3 rok - Elektrotechnika 3 rok Analogowy sterownik
Bardziej szczegółowoSDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC
SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC Własności Driver dwóch silników DC Zasilanie: 6 30V DC Prąd ciągły (dla jednego silnika): do 7A (bez radiatora) Prąd ciągły (dla jednego silnika): do
Bardziej szczegółowoTranzystory i ich zastosowania
Tranzystory i ich zastosowania Nie wszystkie elementy obwodu elektrycznego zachowują się jak poznane na lekcjach rezystory (oporniki omowe). Większość używanych elementów ma zmienny opór. Jak się tak bliżej
Bardziej szczegółowoĆw. 8 Bramki logiczne
Ćw. 8 Bramki logiczne 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi, poznanie ich rodzajów oraz najwaŝniejszych parametrów opisujących ich własności elektryczne.
Bardziej szczegółowoLogiczne układy bistabilne przerzutniki.
Przerzutniki spełniają rolę elementów pamięciowych: -przy pewnej kombinacji stanów na pewnych wejściach, niezależnie od stanów innych wejść, stany wyjściowe oraz nie ulegają zmianie; -przy innej określonej
Bardziej szczegółowoCyfrowe układy scalone c.d. funkcje
Cyfrowe układy scalone c.d. funkcje Ryszard J. Barczyński, 206 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Kombinacyjne układy cyfrowe
Bardziej szczegółowoPrzetworniki cyfrowo-analogowe C-A CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE
Przetworniki cyfrowo-analogowe C-A CELE ĆWICZEŃ Zrozumienie zasady działania przetwornika cyfrowo-analogowego. Poznanie podstawowych parametrów i działania układu DAC0800. Poznanie sposobu generacji symetrycznego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)
INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 74).Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z charakterystykami statycznymi i parametrami statycznymi bramki standardowej NAND
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoTechnika Cyfrowa 2 wykład 4: FPGA odsłona druga technologie i rodziny układów logicznych
Technika Cyfrowa 2 wykład 4: FPGA odsłona druga technologie i rodziny układów logicznych Dr inż. Jacek Mazurkiewicz Katedra Informatyki Technicznej e-mail: Jacek.Mazurkiewicz@pwr.edu.pl Elementy poważniejsze
Bardziej szczegółowoLEKCJA. TEMAT: Funktory logiczne.
TEMAT: Funktory logiczne. LEKCJA 1. Bramką logiczną (funktorem) nazywa się układ elektroniczny realizujący funkcje logiczne jednej lub wielu zmiennych. Sygnały wejściowe i wyjściowe bramki przyjmują wartość
Bardziej szczegółowo1. Poznanie właściwości i zasady działania rejestrów przesuwnych. 2. Poznanie właściwości i zasady działania liczników pierścieniowych.
Ćwiczenie 9 Rejestry przesuwne i liczniki pierścieniowe. Cel. Poznanie właściwości i zasady działania rejestrów przesuwnych.. Poznanie właściwości i zasady działania liczników pierścieniowych. Wprowadzenie.
Bardziej szczegółowoProjekt z przedmiotu Systemy akwizycji i przesyłania informacji. Temat pracy: Licznik binarny zliczający do 10.
Projekt z przedmiotu Systemy akwizycji i przesyłania informacji Temat pracy: Licznik binarny zliczający do 10. Andrzej Kuś Aleksander Matusz Prowadzący: dr inż. Adam Stadler Układy cyfrowe przetwarzają
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA WARSZAWSKA, Warszawa, PL BUP 04/11. KRZYSZTOF GOŁOFIT, Lublin, PL WUP 06/14
PL 217071 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217071 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 388756 (51) Int.Cl. H03K 3/023 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoSprawdzenie poprawności podstawowych bramek logicznych: NOT, NAND, NOR
Laboratorium Podstaw Techniki Cyfrowej dr Marek Siłuszyk mgr Arkadiusz Wysokiński Ćwiczenie 01 PTC Sprawdzenie poprawności podstawowych bramek logicznych: NOT, NAND, NOR opr. tech. Mirosław Maś Uniwersytet
Bardziej szczegółowoPL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.
PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoZabezpieczenie akumulatora Li-Poly
Zabezpieczenie akumulatora Li-Poly rev. 2, 02.02.2011 Adam Pyka Wrocław 2011 1 Wstęp Akumulatory litowo-polimerowe (Li-Po) ze względu na korzystny stosunek pojemności do masy, mały współczynnik samorozładowania
Bardziej szczegółowoPodział układów cyfrowych. rkijanka
Podział układów cyfrowych rkijanka W zależności od przyjętego kryterium możemy wyróżnić kilka sposobów podziału układów cyfrowych. Poniżej podam dwa z nich związane ze sposobem funkcjonowania układów cyfrowych
Bardziej szczegółowoProjekt Układów Logicznych
Politechnika Opolska Wydział Elektrotechniki i Automatyki Kierunek: Informatyka Opole, dn. 21 maja 2005 Projekt Układów Logicznych Temat: Bramki logiczne CMOS Autor: Dawid Najgiebauer Informatyka, sem.
Bardziej szczegółowoAKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE. Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji LABORATORIUM.
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki LABORATORIUM Elektronika LICZNIKI ELWIS Rev.1.0 1. Wprowadzenie Celem
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI I TEORII OBWODÓW
POLITECHNIKA POZNAŃSKA FILIA W PILE LABORATORIUM ELEKTRONIKI I TEORII OBWODÓW numer ćwiczenia: data wykonania ćwiczenia: data oddania sprawozdania: OCENA: 6 21.11.2002 28.11.2002 tytuł ćwiczenia: wykonawcy:
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoTEST KONKURSOWY CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA:
CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA: TEST KONKURSOWY 1. Do arkusza testu dołączona jest KARTA ODPOWIEDZI, na której wpisz swoje imię i nazwisko, nazwę szkoły i miasto. 2. Test zawiera
Bardziej szczegółowoWSTĘP DO ELEKTRONIKI
WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część VI Sprzężenie zwrotne Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacz operacyjny w układach z ujemnym i dodatnim sprzężeniem zwrotnym Janusz Brzychczyk IF UJ Sprzężenie zwrotne Sprzężeniem
Bardziej szczegółowoZwykle układ scalony jest zamknięty w hermetycznej obudowie metalowej, ceramicznej lub wykonanej z tworzywa sztucznego.
Techniki wykonania cyfrowych układów scalonych Cyfrowe układy scalone dzielimy ze względu na liczbę bramek elementarnych tworzących dany układ na: małej skali integracji SSI do 10 bramek, średniej skali
Bardziej szczegółowoCHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL
CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasad działania, budowy i właściwości podstawowych funktorów logicznych wykonywanych w jednej z najbardziej rozpowszechnionych
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy cyfrowe
ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 4 Podstawowe układy cyfrowe Grupa 6 Prowadzący: Roman Płaneta Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi,
Bardziej szczegółowoStatyczne i dynamiczne badanie przerzutników - ćwiczenie 2
tatyczne i dynamiczne badanie przerzutników - ćwiczenie 2. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami przerzutników w wersji TTL realizowanymi przy wykorzystaniu bramek logicznych NAND oraz
Bardziej szczegółowoModulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE
Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów z układem A741. Analiza charakterystyk i podstawowych obwodów z układem LM555. Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów
Bardziej szczegółowoBadanie przerzutników astabilnych i monostabilnych
Badanie przerzutników astabilnych i monostabilnych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest przeprowadzenie badania podstawowych układów przerzutników astabilnych, bistabilnych i monostabilnych. 2. Przebieg
Bardziej szczegółowoEGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2018 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA
Arkusz zawiera informacje prawnie chronione do momentu rozpoczęcia egzaminu Układ graficzny CKE 2017 Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania:
Bardziej szczegółowoZapoznanie się z podstawowymi strukturami liczników asynchronicznych szeregowych modulo N, zliczających w przód i w tył oraz zasadą ich działania.
Badanie liczników asynchronicznych - Ćwiczenie 4 1. el ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami liczników asynchronicznych szeregowych modulo N, zliczających w przód i w tył oraz zasadą ich
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230058 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 422007 (51) Int.Cl. H02M 3/155 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 24.06.2017
Bardziej szczegółowo2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.
1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia
Bardziej szczegółowoUKŁAD SCALONY. Cyfrowe układy można podzielić ze względu na różne kryteria, na przykład sposób przetwarzania informacji, technologię wykonania.
UKŁDAY CYFROWE Układy cyfrowe są w praktyce realizowane różnymi technikami. W prostych urządzeniach automatyki powszechnie stosowane są układy elektryczne, wykorzystujące przekaźniki jako podstawowe elementy
Bardziej szczegółowo1. Nadajnik światłowodowy
1. Nadajnik światłowodowy Nadajnik światłowodowy jest jednym z bloków światłowodowego systemu transmisyjnego. Przetwarza sygnał elektryczny na sygnał optyczny. Jakość transmisji w dużej mierze zależy od
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 TRANZYSTORY JAKO ELEMENTY DWUSTANOWE BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoOpracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoUkłady sekwencyjne. Podstawowe informacje o układach cyfrowych i przerzutnikach (rodzaje, sposoby wyzwalania).
Ćw. 10 Układy sekwencyjne 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z sekwencyjnymi, cyfrowymi blokami funkcjonalnymi. W ćwiczeniu w oparciu o poznane przerzutniki zbudowane zostaną układy rejestrów
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoBramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132.
Bramki logiczne 1. Czas trwania: 3h 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. 3. Wymagana znajomość pojęć stany logiczne Hi, Lo, stan
Bardziej szczegółowo1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego.
1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego. Przerzutniki monostabline w odróżnieniu od przerzutników bistabilnych zapamiętują stan na z góry założony, ustalony przez konstruktora układu,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie ZINTEGROWANE SYSTEMY CYFROWE. Pakiet edukacyjny DefSim Personal. Analiza prądowa IDDQ
Ćwiczenie 2 ZINTEGROWANE SYSTEMY CYFROWE Pakiet edukacyjny DefSim Personal Analiza prądowa IDDQ K A T E D R A M I K R O E L E K T R O N I K I I T E C H N I K I N F O R M A T Y C Z N Y C H Politechnika
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny wzmacniacz OE
Tranzystor bipolarny wzmacniacz OE projektowanie poradnikowe u 1 (t) C 1 U B0 I 1 R 1 R 2 I 2 T I B0 R E I E0 I C0 V CC R C C 2 U C0 U E0 C E u 2 (t) Zadania elementów: T tranzystor- sterowane źródło prądu
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 29 Temat: Układy koderów i dekoderów. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 29 Temat: Układy koderów i dekoderów. Cel ćwiczenia Poznanie zasad działania układów koderów. Budowanie koderów z podstawowych bramek logicznych i układu scalonego Czytanie schematów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoPL B1. Akademia Górniczo-Hutnicza im. St. Staszica,Kraków,PL BUP 19/03
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 198698 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 352734 (51) Int.Cl. H05B 6/06 (2006.01) H02M 1/08 (2007.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoPorty wejścia/wyjścia w układach mikroprocesorowych i w mikrokontrolerach
Porty wejścia/wyjścia w układach mikroprocesorowych i w mikrokontrolerach Semestr zimowy 2012/2013, E-3, WIEiK-PK 1 Porty wejścia-wyjścia Input/Output ports Podstawowy układ peryferyjny port wejścia-wyjścia
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoKomputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 27 Komputerowa symulacja
Bardziej szczegółowoPracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne
Małgorzata Marynowska Uniwersytet Wrocławski, I rok Fizyka doświadczalna II stopnia Prowadzący: dr M. Grodzicki Data wykonania ćwiczenia: 14.04.2015 Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy
Bardziej szczegółowoPodstawy Techniki Cyfrowej Liczniki scalone
Podstawy Techniki Cyfrowej Liczniki scalone Liczniki scalone są budowane zarówno jako asynchroniczne (szeregowe) lub jako synchroniczne (równoległe). W liczniku równoległym sygnał zegarowy jest doprowadzony
Bardziej szczegółowoSDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC
SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC Własności Driver dwóch silników DC Zasilanie: 6 30V DC Prąd ciągły (dla jednego silnika): do 7A (bez radiatora) Prąd ciągły (dla jednego silnika): do
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoOpis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń
Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń Załącznik 4c do SIWZ Lp. NAZWA OPIS GŁÓWNYCH PARAMETRÓW TECHNICZNYCH ILOŚĆ (szt.) Zestaw powinien składać się min. z modułu bazowego oraz modułów ćwiczeniowych
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób podgrzewania żarników świetlówki przed zapłonem i układ zasilania świetlówki z podgrzewaniem żarników
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 211844 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386656 (51) Int.Cl. H05B 41/14 (2006.01) H05B 41/295 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowo2.1 Porównanie procesorów
1 Wstęp...1 2 Charakterystyka procesorów...1 2.1 Porównanie procesorów...1 2.2 Wejścia analogowe...1 2.3 Termometry cyfrowe...1 2.4 Wyjścia PWM...1 2.5 Odbiornik RC5...1 2.6 Licznik / Miernik...1 2.7 Generator...2
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0
LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 Program Electronics Workbench
Systemy teleinformatyczne Ćwiczenie Program Electronics Workbench Symulacja układów logicznych Program Electronics Workbench służy do symulacji działania prostych i bardziej złożonych układów elektrycznych
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoArchitektura komputerów Wykład 2
Architektura komputerów Wykład 2 Jan Kazimirski 1 Elementy techniki cyfrowej 2 Plan wykładu Algebra Boole'a Podstawowe układy cyfrowe bramki Układy kombinacyjne Układy sekwencyjne 3 Algebra Boole'a Stosowana
Bardziej szczegółowoGeneratory impulsowe przerzutniki
Generatory impulsowe przerzutniki Wrocław 2015 Przerzutniki Przerzutniki stosuje się do przechowywania małych ilości danych, do których musi być zapewniony ciągły dostęp. Ze względu na łatwy odczyt i zapis,
Bardziej szczegółowo