Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji"

Transkrypt

1 Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

2 Układy pracy tranzystora W zeszłym semestrze poznaliśmy trzy podstawowe możliwości włączenia tranzystora i ich podstawowe cechy. Teraz postaramy się rozważyć najprostsze układy praktyczne wykorzystujące te możliwości. Zwrócimy przy tym uwagę nie tylko na parametry układów, ale także na ich stabilność i inne cechy użytkowe.

3 Układ wspólnego emitera z równoległym napięciowym sprzężeniem zwrotnym Uproszczony schemat wyjaśniający zasadę sprzężenia zwrotnego Tranzystor włączony w układzie WE jest wzmacniaczem odwracającym o dużym wzmocnieniu. Można w nim zrealizować ujemne sprzężenie zwrotne za pomocą rezystorów R 1 i R N.

4 Układ wspólnego emitera z równoległym napięciowym sprzężeniem zwrotnym Rezystancja wejściowa r 1 '=R 1 r BE R N k u R 1 Rezystancja wyjściowa Wzmocnienie napięciowe r 2 '= R C R CE g gdzie g= k u k u ' 1 k u '= 1 k u R 1 R N gdzie k u = R C r CE r BE

5 Układ wspólnego emitera z równoległym napięciowym sprzężeniem zwrotnym Przypomnijmy: Współczynnik wzmocnienia g razy mniejszy Zniekształcenia nieliniowe g razy mniejsze Szerokość pasma g razy większa Rezystancja wyjściowa g razy mniejsza Mała rezystancja wejściowa

6 Układ wspólnego emitera z szeregowym prądowym sprzężeniem zwrotnym Rezystancja wejściowa r 1 '=r BE R E Rezystancja wyjściowa r 2 '=R C Wzmocnienie 1 k u '= 1 k u R E R C gdzie k u = R C r CE r BE

7 Układ wspólnego emitera z szeregowym prądowym sprzężeniem zwrotnym Przypomnijmy: Współczynnik wzmocnienia g razy mniejszy Zniekształcenia nieliniowe g razy mniejsze Szerokość pasma g razy większa Rezystancja wyjściowa większa Duża rezystancja wejściowa

8 Układy polaryzacji tranzystora By tranzystor mógł pracować w aktywnym zakresie swojej charakterystyki musimy ustalić odpowiedni spoczynkowy punkt jego pracy. Konieczne są do tego odpowiednie układy polaryzacji. Układy polaryzacji dostarczają też energii z układu zasilania. Energia ta w układzie wzmacniającym przekształcana jest w energię sygnału użytecznego. Ważną cechą układów polaryzacji jest ich stabilność i mała wrażliwość na rozrzut i dryf (na przykład temperaturowy) parametrów tranzystora.

9 Układ polaryzacji tranzystora z dzielnikiem napięciowym Najprostszy wydawało by się układ polaryzacji, z dzielnikiem napięcia zastosowanym do uzyskania wstępnej polaryzacji bazy, charakteryzuje się tym, że wzmocnienie dryfu napięcia U BE jest równe wzmocnieniu użytecznemu (dosyć dużemu). W rezultacie układ nie nadaje się do praktycznego zastosowania. k D = U C U BE =k u

10 Układ polaryzacji tranzystora stałym prądem bazy Prosty układ z dużym rezystorem polaryzującym bazę stałym prądem jest mało czuły na dryf napięcia U BE (o ile napięcie zasilania jest odpowiednio duże). Niestety, trudno go zastosować ze względu na rozrzut współczynnika wzmocnienia prądowego tranzystora. Układ również bardzo mało przydatny do praktycznego zastosowania.

11 Układ polaryzacji tranzystora z dzielnikiem napięciowym i napięciowym sprzężeniem zwrotnym Wzmocnienie dryfu k D = U C U BE =1 R N R 1 Oporność wejściowa układu jest mała r 1 =r BE R 1 R N k u Zasada sprzężenia zwrotnego

12 Układ polaryzacji tranzystora z dzielnikiem napięciowym i napięciowym sprzężeniem zwrotnym Układ nadaje się do zastosowań praktycznych, ale mała rezystancja wejściowa stanowi problem. Można pominąć R1, układ wtedy staje się podobny do układu z polaryzacją stałym prądem bazy, ale ma większą stabilność. Do przemyślenia: jak zmniejszyć wpływ R N na wzmocnienie układu i rezystancję wewnętrzną nie psując stabilności?

13 Układ polaryzacji tranzystora ze sprzężeniem prądowym Wzmocnienie dryfu k D = U C U BE R C R E Układ jest w praktyce bardzo często stosowany (typowy koń roboczy ), przyjrzyjmy się zatem bliżej jego wzmocnieniu napięciowemu.

14 Układ polaryzacji tranzystora ze sprzężeniem prądowym Wzmocnienie stopnia bez C E 1 k u '= 1 k u R E R C Ponieważ interesuje nas wzmacnianie prądów zmiennych uwzględniamy impedancję kondensatora 1 '= 1 R E 1 j C k u k u R C Stąd możemy określić jaka powinna być pojemność kondensatora C przy zadanej dolne granicy pasma przenoszenia f d.

15 Układ polaryzacji tranzystora ze sprzężeniem prądowym Pojemność kondensatora C przy zadanej dolne granicy pasma przenoszenia f d. k u C E = 2 f d R C Jeżeli jest potrzebne również sprzężenie zwrotne dla prądów zmiennych (oczywiście słabsze niż dla prądu stałego) możemy szeregowo z C E włączyć rezystor o odpowiedniej wielkości.

16 Układ polaryzacji tranzystora ze sprzężeniem prądowym Gdy do dyspozycji mamy dodatnie i ujemne napięcia zasilania możemy prosto zrealizować ten układ bez potrzeby stosowania dzielnika w bazie, która znajduje się tu na potencjale zerowym i jest sterowana bezpośrednio ze źródła napięcia zmiennego.

17 Układ wspólnego kolektora (wtórnik emiterowy) W układzie wtórnika emiterowego występuje pełne napięciowe sprzężenie zwrotne. Wzmocnienie: k u =1 r BE R E r CE 1 Rezystancja wejściowa r 1 =r BE R E Rezystancja wyjściowa r 2 =R E r BE R g

18 Układ wspólnego kolektora polaryzacja w układzie ze sprzężeniem pojemnościowym Rezystancja wejściowa r 1 = r BE R E R 1 R 2 Ze względu na wzmocnienie napięciowe mniejsze od jedności stabilność punktu pracy jest bardzo dobra. Niestety, rezystory dzielnika w obwodzie bazy psują podstawową zaletę układu duży opór wejściowy.

19 Układ wspólnego kolektora polaryzacja przy podwójnym napięciu zasilania Gdy mamy do dyspozycji dwa napięcia zasilania dodatnie i ujemne możemy łatwo pozbyć się dzielnika z bazy.

20 Układ wspólnego kolektora polaryzacja z układem bootstrap Rezystancja wejściowa r 1 = r BE R E R E r CE r BR R 3 Dzielnik R1, R2 określa punkt pracy tranzystora. Napięcie jest jednak doprowadzane do bazy przez rezystor R3, na którym występuje jedynie bardzo małe napięcie zmienne.

21 Układ wspólnej bazy Wzmocnienie prądowe k i = I C = = I E 1 1 Wzmocnienie napięciowe k u = R C r CE r BE R C r BE Rezystancja wejściowa r 1 = r BE Rezystancja wyjściowa r 2 =R C r CE

22 Układ wspólnej bazy ustalanie punktu pracy za pomocą prądowego sprzężenia zwrotnego W układach wspólnej bazy i wspólnego emitera nie ma różnic w ustalaniu punktu pracy. Stosuje się te same sposoby.

23 Układ wspólnej bazy ustalanie punktu pracy za pomocą napięciowego sprzężenia zwrotnego W układach wspólnej bazy i wspólnego emitera nie ma różnic w ustalaniu punktu pracy. Stosuje się te same sposoby.

24 Układ kaskody Wzmocnienie napięciowe k u = R C r BE1 Rezystancja wejściowa r 1 =r BE1 Rezystancja wyjściowa r 2 =R C Kaskoda to połączenie dwóch tranzystorów pracujących w układach WE i WB. Stosowany jest głównie w układach wielkiej częstotliwości.

25 Źródło prądowe w układzie WE ze sprzężeniem zwrotnym prądowym Prąd wyjściowy I 2 = U E R E Rezystancja wewnętrzna r g = du 2 d I 2 =r CE 1 R E r BE R E Tranzystory pracują w układach ze wspólnym emiterem z silnym sprzężeniem zwrotnym szeregowym prądowym i przy stałym napięciu wejściowym.

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1 Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład... Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Generatory drgań sinusoidalnych LC

Generatory drgań sinusoidalnych LC Generatory drgań sinusoidalnych LC Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Generatory drgań sinusoidalnych

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze selektywne Filtry aktywne cz.1

Wzmacniacze selektywne Filtry aktywne cz.1 Wzmacniacze selektywne Filtry aktywne cz.1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacze selektywne

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209493 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 382135 (51) Int.Cl. G01F 1/698 (2006.01) G01P 5/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu 11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12 PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Liniowe układy scalone Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Wzmacniacze scalone Duża różnorodność Powtarzające się układy elementarne Układy elementarne zbliżone do odpowiedników dyskretnych, ale

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze Politechnika Białostocka Temat i plan wykładu Wydział Elektryczny Wzmacniacze 1. Wprowadzenie 2. Klasyfikacja i podstawowe parametry 3. Wzmacniacz w układzie OE 4. Wtórnik emiterowy 5. Wzmacniacz róŝnicowy

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny parametry i zastosowania Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego (klasyka: Fairchild ua702) 1965 Wzmacniacze

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/12

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/12 PL 219586 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 219586 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 392996 (51) Int.Cl. H03F 1/30 (2006.01) H04R 3/06 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 3. Podstawowe układy wzmacniaczy tranzystorowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD

Bardziej szczegółowo

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

WSTĘP DO ELEKTRONIKI WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część VI Sprzężenie zwrotne Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacz operacyjny w układach z ujemnym i dodatnim sprzężeniem zwrotnym Janusz Brzychczyk IF UJ Sprzężenie zwrotne Sprzężeniem

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Dr inż. Adam Klimowicz konsultacje: wtorek, 9:15 12:00 czwartek, 9:15 10:00 pok. 132 aklim@wi.pb.edu.pl Literatura Łakomy M. Zabrodzki J. : Liniowe układy scalone

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone

Liniowe układy scalone Liniowe układy scalone Wykład 3 Układy pracy wzmacniaczy operacyjnych - całkujące i różniczkujące Cechy układu całkującego Zamienia napięcie prostokątne na trójkątne lub piłokształtne (stała czasowa układu)

Bardziej szczegółowo

Układy zasilania tranzystorów

Układy zasilania tranzystorów kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009 Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat.

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat. PL 216395 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 216395 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 384627 (51) Int.Cl. G01N 27/00 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacze Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Zasilanie Z i I we I wy E s M we Wzmacniacz wy Z L Masa Wzmacniacze 2 Podział wzmacniaczy na klasy Klasa A ηmax

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRAOWNIA ELEKTRONIKI Temat ćwiczenia: UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZZY INSTYTUT TEHNIKI Imię i Nazwisko BADANIE. 2. 3. GENERATORA OLPITTSA 4. Data wykonania Data oddania Ocena Kierunek Rok

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Proste układy wykonawcze

Proste układy wykonawcze Proste układy wykonawcze sterowanie przekaźnikami, tyrystorami i małymi silnikami elektrycznymi Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne.

Wzmacniacze operacyjne. Wzmacniacze operacyjne Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Polecam dla początkujących! Piotr Górecki Wzmacniacze operacyjne Jak to działa? Powtórzenie: dzielnik napięcia R 2 Jeśli pominiemy prąd płynący przez wyjście:

Bardziej szczegółowo

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Wrocław 2015 Wprowadzenie jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). Wzmacniacz ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH

ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 1 ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 14.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest pomiar wybranych charakterystyk i parametrów określających podstawowe właściwości statyczne i dynamiczne

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach

Bardziej szczegółowo

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. Wykonanie ćwiczenia 1. Zapoznać się ze schematem ideowym układu ze wzmacniaczem operacyjnym. 2. Zmontować wzmacniacz odwracający fazę o

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz na tranzystorze J FET

Wzmacniacz na tranzystorze J FET Wzmacniacz na tranzystorze J FET Najprostszym wzmacniaczem sygnałów w. cz. jest tranzystorowy wzmacniacz oporowy. Można go zrealizować zarówno na tranzystorze bipolarnym jak i na polowym (JFET, MOSFET).

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 4

Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Wiadomości podstawowe

Wiadomości podstawowe Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Zasilacz. Ze względu na sposób zmiany napięcia do wartości wymaganej przez zasilany układ najczęściej spotykane zasilacze można podzielić na:

Zasilacz. Ze względu na sposób zmiany napięcia do wartości wymaganej przez zasilany układ najczęściej spotykane zasilacze można podzielić na: Układy zasilające Ryszard J. Barczyński, 2010 2013 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasilacz Zasilacz urządzenie, służące do

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone

Liniowe układy scalone Liniowe układy scalone Układy wzmacniaczy operacyjnych z elementami nieliniowymi: prostownik liniowy, ograniczniki napięcia, diodowe generatory funkcyjne układy logarytmujące i alogarytmujące, układy mnożące

Bardziej szczegółowo

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym

Bardziej szczegółowo

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

Przetworniki C/A. Ryszard J. Barczyński, 2016 Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Przetworniki C/A. Ryszard J. Barczyński, 2016 Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Przetworniki C/A Ryszard J. Barczyński, 2016 Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Przetwarzanie C/A i A/C Większość rzeczywistych sygnałów to sygnały analogowe. By je przetwarzać w dzisiejszych

Bardziej szczegółowo

Dobór współczynnika modulacji częstotliwości

Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Im większe mf, tym wyżej położone harmoniczne wyższe częstotliwości mniejsze elementy bierne filtru większy odstęp od f1 łatwiejsza realizacja filtru dp. o

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 3 Wzmacniacz operacyjny Grupa 6 Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniaczy operacyjnych do przetwarzania

Bardziej szczegółowo

Laboratorium układów elektronicznych. Zasilanie i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych i unipolarnych.

Laboratorium układów elektronicznych. Zasilanie i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych i unipolarnych. Ćwiczenie numer Zasilanie i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych i unipolarnych Zagadnienia do przygotowania kłady zasilania tranzystorów bipolarnych Wpływ temperatury na podstawowe parametry

Bardziej szczegółowo

I-21 WYDZIAŁ PPT LABORATORIUM Z ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI

I-21 WYDZIAŁ PPT LABORATORIUM Z ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 0 Cel ćwiczenia: Poznanie cech wzmacniaczy operacyjnych oraz charakterystyk opisujących wzmacniacz poprzez przeprowadzenie pomiarów dla wzmacniacza odwracającego. Program ćwiczenia. Identyfikacja

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Temat i cel wykładu. Tranzystory POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITEHNIKA BIAŁOSTOKA WYDZIAŁ ELEKTRYZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 5. Wzmacniacze mocy Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy AD w elektronice TS1422 380 Opracował:

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 07/10. ZDZISŁAW NAWROCKI, Wrocław, PL DANIEL DUSZA, Inowrocław, PL

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 07/10. ZDZISŁAW NAWROCKI, Wrocław, PL DANIEL DUSZA, Inowrocław, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 213448 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386136 (51) Int.Cl. H03H 11/16 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.09.2008

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych cz. 2 wzmacniacze pomiarowe (instrumentacyjne)

Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych cz. 2 wzmacniacze pomiarowe (instrumentacyjne) Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych cz. 2 wzmacniacze pomiarowe (instrumentacyjne) Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe cz II

Diody półprzewodnikowe cz II Diody półprzewodnikowe cz II pojemnościowe Zenera tunelowe PIN Schottky'ego Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku

Bardziej szczegółowo

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym

Bardziej szczegółowo

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz tranzystorowy

Wzmacniacz tranzystorowy Wzmacniacz tranzystorowy. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości jednostopniowego, tranzystorowego wzmacniacza napięcia. Wyniki pomiarów parametrów samego tranzystora jak i całego układu

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Filtry aktywne w oparciu o wzmacniacze operacyjne

Liniowe układy scalone. Filtry aktywne w oparciu o wzmacniacze operacyjne Liniowe układy scalone Filtry aktywne w oparciu o wzmacniacze operacyjne Wiadomości ogólne (1) Zadanie filtrów aktywnych przepuszczanie sygnałów znajdujących się w pewnym zakresie częstotliwości pasmo

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOR BIPOLARNY

TRANZYSTOR BIPOLARNY Podstawy teoretyczne Materiały pomocnicze do ćwiczenia nr. 8 TANZYST PLANY 1.1. Tranzystor bipolarny. dowa, zasada działania. Tranzystor bipolarny jest przyrządem półprzewodnikowym o dwóch złączach p-n

Bardziej szczegółowo

Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach

Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach 1 Sygnały wejściowe/wyjściowe w sterowniku PLC Izolacja galwaniczna obwodów sterownika Zasilanie sterownika Elementy sygnalizacyjne Wejścia logiczne (dwustanowe)

Bardziej szczegółowo

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Temat ćwiczenia: BADANIE WZMACNIA- CZA SELEKTYWNEGO Z OBWODEM LC NIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTT TECHNIKI. 2. 3. Imię i Nazwisko 4. Data wykonania Data oddania

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące

Liniowe układy scalone. Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące Liniowe układy scalone Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące Wzmacniacze o wejściu symetrycznym Do wzmacniania małych sygnałów z różnych czujników, występujących na tle dużej składowej sumacyjnej (tłumionej

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując

Bardziej szczegółowo

Badanie tranzystora bipolarnego

Badanie tranzystora bipolarnego Spis ćwiczeń: Badanie tranzystora bipolarnego Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego 2. Wyznaczanie rezystancji wejściowej 3. Rysowanie charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo