ELEMENTY ELEKTRONICZNE
|
|
- Krystian Pawłowski
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 KEM GÓCZO-HTCZ M. STSŁW STSZC W KKOWE Wyział nformayki, Elekroniki i Telekomunikacji Kaera Elekroniki ELEMETY ELEKTOCZE r inż. Pior ziurzia paw. C-3, pokój 43; el , pior.ziurzia@agh.eu.pl r inż. reneusz Brzozowski paw. C-3, pokój 52; el , ireneusz.brzozowski@agh.eu.pl ZŁĄCZE p-n charakerysyka - wpływ emperaury, przebicie złącza, pojemność złącza i inne EiT 206 r. P&B 2
2 Ch-ka prąowo-napięciowa WPŁYW TEMPETY Kierunek zaporowy Temperaurowy współczynnik prąu rewersyjnego nasycenia S nośników mniejszościowych: ln S TW S S T ni2 T 3 exp Eg 0 / kt TW S T E E ln 3 ln T g 0 3 g 0 T kt T kt la krzemu o Eg=,2eV w T=300K orzymujemy: TWS 5 %/K Temperaurowy współczynnik prąu generacyjnego TW G0 2T E 3 g 0 kt la krzemu o Eg=,2eV w T=300K orzymujemy: TWG0 7,5 %/K Wzglęne zmiany całkowiego prąu rewersyjnego zwykle wynoszą nie więcej niż 9 %/K a każe 0K prą rewersyjny powaja się EiT 206 r. Elemeny elekroniczne - złącze p-n P&B 3 Ch-ka prąowo-napięciowa WPŁYW TEMPETY Kierunek przewozenia F nt Zakres prąów yfuzyjnych, gy n ( =F) wey: S exp zaem: TW TW S F T q F S exp kt F T TW S F TW F T T F T T T T poencjał elekroermiczny Temperaurowy współczynnik napięcia przewozenia TW F F EiT 206 r. P&B F F T 3nk g 0 F T q cons 2mV / K Elemeny elekroniczne - złącze p-n 4 2
3 Ch-ka prąowo-napięciowa WPŁYW TEMPETY T -2mV/K T na każe 0K prą powaja się EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne - złącze p-n 5 ioa jako ermomer EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 6 3
4 PZEBCE ZŁĄCZ p-n Gwałowny wzros prąu po przekroczeniu pewnego napięcia polaryzującego złącze zaporowo przebicie Zenera przebicie lawinowe przebicie cieplne EiT 206 r. Elemeny elekroniczne - złącze p-n: przebicie P&B 7 PZEBCE ZEE Pole elekryczne w cienkiej warswie zaporowej może wyrwać elekron z wiązania kowalencyjnego aomów sieci krysalicznej jonizacja elekrosayczna emisja wewnęrzna (zjawisko Zenera). <0 P Jnu Jnu EC Przejście unelowe elekronów l 2 s ( B ) q p+-n: >> wzros koncenracji omieszek węższa warswa zaporowa złącza EC EF EF EV Jpu Jpu EiT 206 r. P&B mniejsza szerokość bariery poencjału ławiejsze unelowanie nośników EV Elemeny elekroniczne - złącze p-n: przebicie 8 4
5 PZEBCE LWOWE Silne pole elekryczne rozpęza swobony nośnik o prękości pozwalającej na rozerwanie wiązań kowalencyjnych w sieci krysalicznej jonizacja zerzeniowa powielanie lawinowe. <0 P B + aężenie pola elekrycznego musi być rzęu 05 V/cm Fp Współczynnik powielania lawinowego: M Fn B m B napięcie przebicia złącza m współczynnik, la Si: 2 6 Gęsość prąu: J J 0 M J0 gęsość prąu prze przebiciem EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne - złącze p-n: przebicie 9 PZEBCE ZŁĄCZ p-n napięcie przebicia 𝑼𝑩𝑹 𝑾𝒈 <4 𝒒 la krzemu rozaj przebicia 𝑼𝑩𝑹 < 5V Zenera 𝑾𝒈 𝑾𝒈 𝟒 𝑼𝑩𝑹 𝟔 𝟓V < 𝑼𝑩𝑹 < 7V 𝒒 𝒒 apięcie przebicia [V] 𝑼𝑩𝑹 < 6 𝑾𝒈 𝒒 𝑼𝑩𝑹 > 7V Zenera i lawinowe lawinowe Przebicie lawinowe Przebicie Zenera Koncenracja omieszek w obszarze bazy [cm-] EiT 206 r. P&B Zróło: Figure 26 in Physics of Semiconucor evices, Secon Eiion, S.M. Sze, John Wiley an Sons, ew York, 98, p.0 Elemeny elekroniczne - złącze p-n: przebicie 0 5
6 Przebicie Zenera WPŁYW TEMPETY na napięcie przebicia T E g unelowy Przebicie lawinowe T ampliua rgań aomów sieci prawopoobieńswo zerzeń roga swobona energia kineyczna nośników powielanie lawinowe lawinowy EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne - złącze p-n: przebicie WPŁYW TEMPETY na napięcie przebicia ( Z ) Temperaurowy współczynnik napięcia przebicia TW Z Z Z T określa wzglęne zmiany napięcia przebicia o emperaury EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne - złącze p-n: przebicie 2 6
7 WPŁYW TEMPETY na napięcie przebicia przebicie Zenera przebicie lawinowe T T TW Z < 0 TW Z > 0 EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne - złącze p-n 3 PZEBCE TEMCZE po wpływem wzrosu emperaury rośnie prą rewersyjny złącza pogrzewanie i alszy wzros prąu oanie sprzężenie zwrone uszkozenie złącza w skuek przegrzania EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne - złącze p-n: przebicie cieplne 4 7
8 8 EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze p-n: pojemność 5 Pojemność złączowa powsaje w obszarze zubożonym, laego ominuje przy polaryzacji zaporowej złącza l - szerokość obszaru zubożonego powierzchnia przekroju złącza l p n x n0 p0 x 0 Gęsość łaunku x x n0 x p0 q q qx n Q 0 qx p Q B q l w sanie równowagi, przy braku polaryzacji zewnęrznej 2 2 B q l przy polaryzacji zewnęrznej napięciem p n qx qx Q 0 0 n l x 0 p l x 0 VETE POJEMOŚĆ ZŁĄCZ POJEMOŚĆ ZŁĄCZOW EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze p-n: pojemność 6 POJEMOŚĆ ZŁĄCZ POJEMOŚĆ ZŁĄCZOW 2 2 B l q Q u Q C B B j q Q C j l C Ską my o znamy? m B j j C C 0 2 m 3 m la złączy skokowych la złączy liniowych la złącza (p + -n) >>, laego xn0 l, xp0 0, wówczas: B j q C wniosek: na posawie pomiaru pojemności złączowej można określić koncenrację omieszki słabiej omieszkowanego obszaru (u: ypu n) C j C j0 B 2 2 B q l
9 POJEMOŚĆ ZŁĄCZ POJEMOŚĆ YFZYJ Pojemność yfuzyjna ominuje przy polaryzacji złącza w kierunku przewozenia, wynika z opóźnienia zmian napięcia wzglęem zmian prąu Zakłaamy złącze ypu (p + -n), czyli: >>, laego xn0 l, xp0 0 p n rozkła nośników p Q p p p n e xn Lp Cały rozkła łaunków jes onawiany zięki wsrzykiwaniu łaunków przez przepływający prą. W innym przypaku ów rozkła zanikałby na skuek rekombinacji po śrenim czasie życia ziur τp w maeriale ypu n. Q p Q p Q p q 0 p x x n n x n C Q p p T Ską my o znamy? EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze p-n: pojemność 7 POJEMOŚĆ ZŁĄCZ POSMOWE zaporowy kierunek pracy złącza przewozenia ominuje pojemność złączowa C j >C Związana jes z gromazeniem łaunku w warswie zubożonej ominuje pojemność yfuzyjna C >>C j Związana z przepływem prąu yfuzyjnego C j0 C j C Q p p T B C j0 C j m B EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne - złącze p-n: pojemność 8 9
10 PZEŁĄCZE OY EFEKTY YMCZE E M -E E EF EF F Δ s f Przełączanie prąowe jeżeli: r r s M EF E r la m=/2,58c j0 EF 0.7V EF 0.7V F r S F eg r r s,25 C j0 la m=/3 F i E r C j ln C j ln C j E 0.7V jeżeli EF>>0.7V i EF=E u E 0.7V rise ime r s ln sorage ime F off s f f 2. 2C j falling ime EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze p-n: efeky ynamiczne 9 ZŁĄCZE p-n moelowanie EiT 206 r. P&B 20 0
11 MOELE O MOELE SYMBOLCZE schemay zasępcze ELOWE wielkosygnałowe LOWE małosygnałowe STTYCZE YMCZE EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne moele io 2 MOELE O MOEL WELKOSYGŁOWY, STTYCZY ównanie Shockleya T ( ) e S lub: ( ) G0 e r 2 S T S e r T S o ELOWE zależności wiążące prą i napięcie ioy r () serowane źróło prąowe (wg jenego z powyższych równań) r S r rezysancja upływu (la kierunku zaporowego) r S rezysancja szeregowa EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne wielkosygnałowy moel ioy 22
12 MOELE O MOEL WELKOSYGŁOWY, YMCZY zjawiska ynamiczne są reprezenowane przez: pojemność złączową C j i yfuzyjną C r () C j r S C EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne wielkosygnałowy moel ioy 23 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KOKTCJ O EGLOWEJ WTOŚC i 2 2 P 2 punk pracy P(, ) i u i u i P 2 g skłaowa sała skłaowa zmienna i u i u g u u g i u g 2 i u 2 EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa złączowa 2
13 MOELE O MOEL MŁOSYGŁOWY, LOWY WG: jeśli zmiany napięcia i prąu ioy bęą małe o ELOWĄ ch-kę można lokalnie LEYZOWĆ w ooczeniu punku pracy i + PP i u u = + sin() EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne małosygnałowy moel ioy 25 MOELE O MOEL MŁOSYGŁOWY, LOWY i syczna w punkcie pracy i S e u n T r u i (, ) nt S nt /r PP u zwykle n = i r T k C Ską my o znamy? Q p p T r k r r S moel la kierunku przewozenia EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne małosygnałowy moel ioy 26 3
14 MOELE O MOEL MŁOSYGŁOWY, YMCZY r C j r S r rezysancja ynamiczna r S rezysancja szeregowa C j pojemność złączowa C pojemność yfuzyjna C pulsacja graniczna gr r C j. wey, gy spaek napięcia na złączu jes porównywalny ze spakiem napięcia na rezysancji szeregowej (r S ) S j EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa prosownicza 27 MOELE O MOEL MŁOSYGŁOWY, LOWY PZYKŁ ioa krzemowa pracuje przy prązie = 0m. Obliczyć rezysancję sayczną i ynamiczną, przeyskuować wyniki zależności mięzy ymi rezysancjami. i ezysancja sayczna: T ezysancja ynamiczna: r 0m /r PP u la ioy krzemowej można przyjąć = 0,6V i poencjał elekroermiczny 26mV la T=300K. są: = 0,6V/0m = 60, r = 26mV/0m = 2,6. / Jak bęzie wygląać zależność /r w funkcji napięcia ioy (czyli położenia punku pracy na ch-ce)? EiT 205 r. P&B Elemeny elekroniczne małosygnałowy moel ioy 28 4
15 OY POSTOWCZ, STBLZCYJ, TELOW, ŚWECĄC, EiT 206 r. P&B 29 O POSTOWCZ Wykorzysuje fak jenokierunkowego przepływu prąu przez złącze p-n Paramery: maksymalny prą przewozenia maksymalne napięcie rewersyjne maksymalna moc sra (amisyjna) Pmax prą rewersyjny upływu rezysancja ermiczna h maksymalna emperaura złącza Tjmax ypowa pojemność złączowa inne EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa prosownicza 30 5
16 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE PZEBEGÓW PĘCOWYCH ETEKTO SZCZYTOWY BMK OOW OGCZK OOWY POSTOWK POWELCZE PĘC POMP ŁKOW i inne EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 3 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH POSTOWK JEOPOŁÓWKOWY Mała ampliua ęnień gy spełniony jes warunek: i LC L >> T E L E L L CL T EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 32 6
17 ESET OY W KŁCH ELEKTOCZYCH POSTOWK WPOŁÓWKOWY E T E CL L L EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 33 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH ETEKTO WTOŚC SZCZYTOWEJ we C V V Z we V ESET eekory warości szczyowej pozwalają mierzyć wolomierzem prąu sałego warość ampliuy przebiegów zmiennych. Pojemność C łaowana jes przez ioę, uża rezysancja wewnęrzna wolomierza uniemożliwia jej szybkie rozłaowanie. Krókorwałe zwarcie przycisku ESET powouje rozłaowanie pojemności z małą sałą czasową τ=zc i przygoowanie ukłau o nowych pomiarów. EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 34 7
18 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE CHKTEYSTYK PZEJŚCOWEJ () WE WY arysuj ch-kę przejściową WY = f( WE ) ukłau zakłaając, że ioa jes iealna. WY WE EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 35 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE CHKTEYSTYK PZEJŚCOWEJ () WE WY arysuj ch-kę przejściową WY = f( WE ) ukłau zakłaając, że ioa jes iealna. WY WE Gy, WE 0, o: ioa przewozi. WY = WE EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 36 8
19 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE CHKTEYSTYK PZEJŚCOWEJ () WE WY arysuj ch-kę przejściową WY = f( WE ) ukłau zakłaając, że ioa jes iealna. WY WE Gy, WE 0, o: ioa przewozi. Gy, WE < 0, o: ioa nie przewozi. WY = 0 WY = WE EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 37 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE CHKTEYSTYK PZEJŚCOWEJ (2) 0,7V WE WY arysuj ch-kę przejściową WY = f( WE ) ukłau zakłaając, że ioa jes prawie iealna. WY 0,7V Gy, WE 0,7V, o: ioa przewozi. Gy, WE < 0,7V, o: ioa nie przewozi. WY = 0 WE 0,7V WE 0,7V WY =0 WY = WE 0,7V EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 38 9
20 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE CHKTEYSTYK PZEJŚCOWEJ (3) WE WY arysuj ch-kę przejściową WY = f( WE ) ukłau zakłaając, że ioa nie jes iealna. WY 0,7V /r WE EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 39 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE CHKTEYSTYK PZEJŚCOWEJ (4) WE 2 WY arysuj ch-kę przejściową WY = f( WE ) ukłau zakłaając, że ioa jes prawie iealna. WY WE EiT 205 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 40 20
21 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE PZEBEGÓW PĘCOWYCH WE WE WY 4 m m2 m3 WY m m: przewozi () m= m2: przewozi (,, 2) m2=(2)/(+2) m3: przewozi (,, 2, 2, 3) m3=(2 3)/(+2 3) 4 m4: przewozi (,, 2, 3, 2, 3, 4) m4=(2 3 4)/(+2 3 4) EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 4 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH EMOLCJ M EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 42 2
22 O STBLZCYJ Wykorzysuje owracalne przebicie złącza o mechanizmie Zenera i/lub lawinowym. Paramery: napięcie sabilizacji Z (częso nazywane napięciem Zenera) emperaurowy współczynnik napięcia sabilizacji rezysancja ynamiczna r z maksymalna moc sra (amisyjna) P max prą rewersyjny upływu rezysancja ermiczna h maksymalna emperaura złącza T jmax EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa sabilizacyjna 43 O STBLZCYJ EZYSTCJ YMCZ r Z Z Z Z Z ( Z, Z ) Określa własności sabilizacyjne ioy nachylenie ch-ki w zakresie przebicia Zależność TW Z i rezysancji ynamicznej o napięcia sabilizacyjnego ysunek zaczerpnięo z S. Kua Elemeny i ukłay elekroniczne, GH 2000 EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa sabilizacyjna 44 22
23 O STBLZCYJ EZYSTCJ YMCZ hp:// EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa sabilizacyjna 45 O STBLZCYJ OPSZCZL MOC STT P MX P max określa maksymalną moc jaka może się wyzielić w iozie przy określonej emperaurze. Zwykle, w kaalogach, poawana przy emperaurze obuowy T amb =25 o C P max T j max T h amb Przekroczenie opuszczalnej mocy najczęściej powouje uszkozenie ioy przez przegrzanie EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa sabilizacyjna 46 23
24 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH PMETYCZY STBLZTO PĘC WE Z Sabilizaor parameryczny bez obciążenia WE Z WY iealna charakerysyka ioy sabilizacyjnej WY Z WE Z Z Z F Z WE F la ioy krzemowej wynosi ok. 0,7V EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie ioy sabilizacyjnej 47 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH PMETYCZY STBLZTO PĘC WE Z L Sabilizaor parameryczny z obciążeniem WE WY Z Z Z Z P P L L WY WE WEZ Z Z WE L iealna charakerysyka ioy sabilizacyjnej Z P Z F F la ioy krzemowej wynosi ok. 0,7V EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie ioy sabilizacyjnej 48 24
25 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH PMETYCZY STBLZTO PĘC we Wpływ zmian napięcia wejściowego na napięcie wyjściowe przy L=cons rzeczywisa charakerysyka ioy sabilizacyjnej u WE WE u we Z L u WY WY u wy (skłaowa sała i zmienna) u WY P( WE, WY ) Z u wy Z u WE P r Z P Z L u we EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie ioy sabilizacyjnej 49 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH PMETYCZY STBLZTO PĘC Wpływ zmian napięcia wejściowego na napięcie wyjściowe u we r Z u wy u wy rz u r Z we EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie ioy sabilizacyjnej 50 25
26 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH PMETYCZY STBLZTO PĘC Wpływ zmian rezysancji obciążenia L na napięcie wyjściowe przy WE=cons zeczywisa charakerysyka ioy Zenera u WE cons. Z L u WY WY u wy uwy Z? P r T L EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie ioy sabilizacyjnej 5 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH OGCZK PĘC WE WE WY WY +3.0V +0.7V -0.7V -3.0V WE 4,3V 6,8V WY WE WY +0.0V +5.0V -7.5V -0.0V EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 52 26
27 O TELOW ioa Esakiego powsaje ze złącza wóch zegenerowanych półprzewoników p ++ n ++. Półprzewonik zegenerowany o aki, w kórym poziom koncenracji omieszki zbliża się o koncenracji aomów maeriału. p n EF EC E EV EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa unelowa 53 O TELOW r<0 -r EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa unelowa 54 27
28 O ELEKTOLMESCECYJ B l Ga n V C Si Ge Sn V P s Sb ekombinacja promienisa (luminescencja) GaP -V lp ls GaP Gas GaSb EC S Zn EV Eg=2,26eV hv=2,2ev zielone EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa świecąca 55 O ELEKTOLMESCECYJ LGHT EMTTG OE E 0,7 2,5 EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa świecąca 56 28
29 ZŁĄCZE m-s (meal półprzewonik) O SCHOTTKY EGO EiT 206 r. P&B 57 ZŁĄCZE METL-PÓŁPZEWOK Połączenie srukury półprzewonikowej z końcówkami elemenu (oprowazenia) ma być niskorezysancyjne nie wpływać na charakerysykę - elemenu jes w pewnych warunkach może powsać złącze prosujące może eż być niskorezysancyjne EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze m-s 58 29
30 ZŁĄCZE m-s Praca wyjścia W energia porzebna na przeniesienie elekronu z poziomu Fermiego o nieskończoności (W - W F ) Powinowacwo elekronowe - praca wyjścia z poziomu minimalnej energii w paśmie przewonicwa E C energia elekronu w próżni W M S W S E C E F WM W S E i E F E V meal półprzewonik ypu n EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze m-s 59 ZŁĄCZE m-s połączenie myślowe WM W S Elekrony ławo przechozą z półprzewonika o mealu q B q 0 E C E F E V 0 poencjał konakowy B bariera poencjału meal półprzewonik n opóki ich ruch nie zosanie powsrzymany przez pole elekryczne o gromazących się łaunków S Z równania Poissona: 2 S 0 S q EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze m-s 60 30
31 ZŁĄCZE m-s KOTKT OMOWY Przy polaryzacji napięciem : S 2 S ( 0 ) q q B unelowanie E C E F S n+ n E V może wysąpić unelowanie uraa własności prosujących złącza meal S półprzewonik n Żeby wykonać konak omowy musi być opowienia koncenracja omieszek EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze m-s: konak omowy 6 ZŁĄCZE m-s O SCHOTTKY ego ioa Schoky ego o prosujące złącze meal półprzewonik symbol graficzny: zaley: mniejsze napięcie przewozenia (ok. 0,3V), mała pojemność (prakycznie brak pojemności yfuzyjnej) way: uży prą rewersyjny, małe napięcie przebicia zasosowanie: ukłay impulsowe pracujące z użymi częsoliwościami eekcja sygnałów mikrofalowych ukłay cyfrowe TTL-LS EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze m-s: ioa Schoky ego 62 3
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMA GÓNCO-HTNCA M. STANSŁAWA STASCA W KAKOWE Wydział nformayki, Elekroniki i Telekomunikacji Kaedra Elekroniki ELEMENTY ELEKTONCNE dr inż. Pior Dziurdzia paw. C-3, pokój 413; el. 617-27-02, pior.dziurdzia@agh.edu.pl
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKAEMA GÓNCZO-HNCZA M. ANŁAWA AZCA W KAKOWE Wyział nformayki, Elekroniki i elekomunikacji Kaera Elekroniki ELEMENY ELEKONCZNE r inż. Pior ziurzia paw. C-3, pokój 413; el. 617-27-02, pior.ziurzia@agh.eu.pl
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKAEMA GÓRNCZO-HTNCZA M. STANSŁAWA STASZCA W KRAKOWE Wydział nformayki, Elekroniki i Telekomunikacji Kaedra Elekroniki ELEMENTY ELEKTRONCZNE dr inż. Pior ziurdzia paw. C-3, pokój 43; el. 67-27-02, pior.dziurdzia@agh.edu.pl
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoUkłady zasilania tranzystorów. Punkt pracy tranzystora Tranzystor bipolarny. Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny
kłady zasilania ranzysorów Wrocław 28 Punk pracy ranzysora Punk pracy ranzysora Tranzysor unipolarny SS GS p GS S S opuszczalny oszar pracy (safe operaing condiions SOA) P max Zniekszałcenia nieliniowe
Bardziej szczegółowoPolitechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017
Poliechnika Wrocławska Klucze analogowe Wrocław 2017 Poliechnika Wrocławska Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji układów impulsowych oraz cyfrowych jes wykorzysanie wielkosygnałowej pacy elemenów akywnych,
Bardziej szczegółowoPodstawy elektrotechniki
Wydział Mechaniczno-Energeyczny Podsawy elekroechniki Prof. dr hab. inż. Juliusz B. Gajewski, prof. zw. PWr Wybrzeże S. Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław Bud. A4 Sara kołownia, pokój 359 Tel.: 7 320 320
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 6 WŁASNOŚCI DYNAMICZNE DIOD
1. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 6 WŁASNOŚCI DYNAMICZNE DIOD Celem ćwiczenia jes poznanie własności dynamicznych diod półprzewodnikowych. Obejmuje ono zbadanie sanów przejściowych podczas procesu przełączania
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoWSTĘP DO ELEKTRONIKI
WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część I Napięcie, naężenie i moc prądu elekrycznego Sygnały elekryczne i ich klasyfikacja Rodzaje układów elekronicznych Janusz Brzychczyk IF UJ Elekronika Dziedzina nauki i echniki
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Poliechnika Lubelska Wydział Elekroechniki i Informayki Kaedra Urządzeń Elekrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbysrzycka 38A www.kueiwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podsawy eoreyczne
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe cz II
Diody półprzewodnikowe cz II pojemnościowe Zenera tunelowe PIN Schottky'ego Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe
Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (GFET) ze złączem m-s (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy
Bardziej szczegółowoWykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)
Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (IFET) ze złączem ms (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy (TFT) z kanałem zuobożanym
Bardziej szczegółowoEL08s_w03: Diody półprzewodnikowe
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 Badanie stanów nieustalonych w obwodach RL, RC i RLC przy wymuszeniu stałym
ĆWIZENIE 4 Badanie sanów nieusalonych w obwodach, i przy wymuszeniu sałym. el ćwiczenia Zapoznanie się z rozpływem prądów, rozkładem w sanach nieusalonych w obwodach szeregowych, i Zapoznanie się ze sposobami
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowo3. Prąd elektryczny. 3.1Prąd stały. 3.2Równanie ciągłości, 3.3Prawo Ohma. 3.4Prawa Kirchhoffa. 3.5Łączenie oporów
3 Prą elekryczny 3Prą sały 3ównanie ciągłości, 33Prawo Ohma 34Prawa Kirchhoffa 35Łączenie oporów 45 3Prą sały Prą elekryczny o uporząkowany ruch nośników Prą może płynąć w przewonikach, ale akże elekroliach
Bardziej szczegółowoTemat: Wyznaczanie charakterystyk baterii słonecznej.
Ćwiczenie Nr 356 Tema: Wyznaczanie charakerysyk baerii słonecznej. I. Lieraura. W. M. Lewandowski Proekologiczne odnawialne źródła energii, WNT, 007 (www.e-link.com.pl). Ćwiczenia laboraoryjne z fizyki
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoBadanie funktorów logicznych TTL - ćwiczenie 1
adanie funkorów logicznych TTL - ćwiczenie 1 1. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podsawowymi srukurami funkorów logicznych realizowanych w echnice TTL (Transisor Transisor Logic), ich podsawowymi paramerami
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ
Bardziej szczegółowoBase. Paul Sherz Practical Electronic for Inventors McGraw-Hill 2000
Złącze p-n Base Paul Sherz Practical Electronic for Inventors McGraw-Hill 2000 Dyfuzja aż do stanu równowagi 6n+3p+6D Dipol ładunku elektrycznego 6p+3n+6A Pole elektryczne Nadmiarowe nośniki mniejszościowe
Bardziej szczegółowoPolitechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Klucze analogowe. Wrocław 2010
Poliechnika Wrocławska nsyu elekomunikacji, eleinformayki i Akusyki Klucze analogowe Wrocław 200 Poliechnika Wrocławska nsyu elekomunikacji, eleinformayki i Akusyki Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Bardziej szczegółowoI. Przełączanie diody
Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 I. Przełączanie diody 1. Trochę eorii an przejściowy pomiędzy sanem przewodzenia diod, a sanem nieprzewodzenia opisuje się za pomocą
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 4: Diody półprzewodnikowe
Elementy elektroniczne Wykłady 4: Diody półprzewodnikowe Część pierwsza Diody - wprowadzenie Diody półprzewodnikowe - wprowadzenie Podstawowe równanie: AK R exp 1 mt proszczenia w zakresie przewodzenia
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM Z ELEKTRONIKI
LABORAORIM Z ELEKRONIKI PROSOWNIKI Józef Boksa WA 01 1. PROSOWANIKI...3 1.1. CEL ĆWICZENIA...3 1.. WPROWADZENIE...3 1..1. Prosowanie...3 1.3. PROSOWNIKI NAPIĘCIA...3 1.4. SCHEMAY BLOKOWE KŁADÓW POMIAROWYCH...5
Bardziej szczegółowoC d u. Po podstawieniu prądu z pierwszego równania do równania drugiego i uporządkowaniu składników lewej strony uzyskuje się:
Zadanie. Obliczyć przebieg napięcia na pojemności C w sanie przejściowym przebiegającym przy nasępującej sekwencji działania łączników: ) łączniki Si S są oware dla < 0, ) łącznik S zamyka się w chwili
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoWydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki. Badanie zasilaczy ze stabilizacją napięcia
Wydział Mechaniczno-Energeyczny Laboraorium Elekroniki Badanie zasilaczy ze sabilizacją napięcia 1. Wsęp eoreyczny Prawie wszyskie układy elekroniczne (zarówno analogowe, jak i cyfrowe) do poprawnej pracy
Bardziej szczegółowoψ przedstawia zależność
Ruch falowy 4-4 Ruch falowy Ruch falowy polega na rozchodzeniu się zaburzenia (odkszałcenia) w ośrodku sprężysym Wielkość zaburzenia jes, podobnie jak w przypadku drgań, funkcją czasu () Zaburzenie rozchodzi
Bardziej szczegółowo1 OPTOELEKTRONIKA 3. FOTOTRANZYSTOR
1 3. FOORNZYSOR Wprowazenie. Konstrukcja fototranzystora jest zbliżona o konstrukcji zwykłego tranzystora wzmacniającego z tą różnicą, że obuowa umożliwia oświetlenie obszaru jego bazy (rysunek 1). W większości
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI Badanie Bramki X-OR
LORTORIUM PODSTWY ELEKTRONIKI adanie ramki X-OR 1.1 Wsęp eoreyczny. ramka XOR ramka a realizuje funkcję logiczną zwaną po angielsku EXLUSIVE-OR (WYŁĄZNIE LU). Polska nazwa brzmi LO. Funkcję EX-OR zapisuje
Bardziej szczegółowo4.2. Obliczanie przewodów grzejnych metodą dopuszczalnego obciążenia powierzchniowego
4.. Obliczanie przewodów grzejnych meodą dopuszczalnego obciążenia powierzchniowego Meodą częściej sosowaną w prakyce projekowej niż poprzednia, jes meoda dopuszczalnego obciążenia powierzchniowego. W
Bardziej szczegółowoBADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie
Bardziej szczegółowo1 Sygnały. Zad 1. Wyznacz wartość średnią, średnia wyprostowaną i skuteczną sygnałów przedstawionych na rysunkach.
Sygnały Zad. Wyznacz warość średnią, średnia wyprosowaną i skeczną sygnałów przedsawionych na rysnkach. U 0 U Zad. Miernik napięcia składa się z prosownika dwpołówkowego oraz miernika napięcia prąd sałego
Bardziej szczegółowoTEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowo1 Sygnały. Zad 1. Wyznacz wartość średnią, średnia wyprostowaną i skuteczną sygnałów przedstawionych na rysunkach 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7.
Sygnały Zad. Wyznacz warość średnią, średnia wyprosowaną i skeczną sygnałów przedsawionych na rysnkach,, 3,, 5, 6, 7. Zad. Miernik napięcia składa się z prosownika dwpołówkowego oraz miernika napięcia
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Elektrotechniki
AGH Kaedra Elekroniki Podsawy Elekroniki dla Elekroechniki Klucze Insrukcja do ćwiczeń symulacyjnych (5a) Insrukcja do ćwiczeń sprzęowych (5b) Ćwiczenie 5a, 5b 2015 r. 1 1. Wsęp. Celem ćwiczenia jes ugrunowanie
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E - 7) www.imiue.polsl.pl/~wwwzmiape Opracował:
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia. Podstawowe informacje. eu exp mkt ] 1 (1) I =I S[
Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z diodami półprzewodnikowymi poprzez pomiar ich charakterystyk prądowonapięciowych oraz jednoczesne doskonalenie techniki pomiarowej. Zakres ćwiczenia
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKAEMA ÓRNCZO-HTNCZA M. TANŁAWA TAZCA W KRAKOWE Wydział nformatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONCZNE dr inż. iotr ziurdzia paw. C-3, pokój 413; tel. 617-7-, piotr.dziurdzia@agh.edu.pl
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoUkłady elektroniczne I Przetwornice napięcia
kłady elekriczne Przewornice napięcia Jerzy Wikowski Sabilizaor równoległy i szeregowy = + Z = + Z Z o o Z Mniejsze sray mocy 1 Sabilizaor impulsowy i liniowy P ( ) sra P sra sa max o o o Z Mniejsze sray
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY POLOWE JFET I MOSFET
POLTECHNKA RZEZOWKA Kaedra Podsaw Elekroiki srukcja Nr5 F 00/003 sem. lei TRANZYTORY POLOWE JFET MOFET Cel ćwiczeia: Pomiar podsawowych charakerysyk i wyzaczeie paramerów określających właściwości razysora
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKAEMIA ÓRNICZO-HTNICZA IM. TANIŁAWA TAZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. iotr ziurdzia paw. C-3, pokój 413; tel. 617-7-,
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoWykład 4 Metoda Klasyczna część III
Teoria Obwodów Wykład 4 Meoda Klasyczna część III Prowadzący: dr inż. Tomasz Sikorski Insyu Podsaw Elekroechniki i Elekroechnologii Wydział Elekryczny Poliechnika Wrocławska D-, 5/8 el: (7) 3 6 fax: (7)
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Politechniki Wrocławskiej TUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki = f(u) złącza p-n.. Zagadnienia do samodzielnego
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PROSTOWNIKI
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 5 PROSTOWNIKI DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoPraca omowa nr. Meoologia Fizyki Grupa. Szacowanie warości wielkości fizycznych i posawy analizy wymiarowej W wielu zaganieniach ineresuje nas przybliżona warość wielkości fizycznej X. Może o być spowoowane
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA ELM001551W
ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoTeoria Przekształtników - Kurs elementarny
W. PRZEKSZTAŁTNIKI SIECIOWE 1 ( AC/DC; AC/AC) Ta wielka grupa przekształtników swą nazwę wywozi z tego, że są one ołączane bezpośrenio o sieci lub systemu energetycznego o napięciu przemiennym 50/60 Hz
Bardziej szczegółowoUkłady zasilania tranzystorów
kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions
Bardziej szczegółowoRegulatory. Zadania regulatorów. Regulator
Regulaory Regulaor Urządzenie, kórego podsawowym zadaniem jes na podsawie sygnału uchybu (odchyłki regulacji) ukszałowanie sygnału serującego umożliwiającego uzyskanie pożądanego przebiegu wielkości regulowanej
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoPodstawy elektrotechniki
Wydział Mechaniczno-Energeyczny Podsawy elekroechniki Prof. dr hab. inż. Juliusz B. Gajewski, prof. zw. PWr Wybrzeże S. Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław Bud. A4 Sara kołownia, pokój 359 Tel.: 71 320 3201
Bardziej szczegółowo( 3 ) Kondensator o pojemności C naładowany do różnicy potencjałów U posiada ładunek: q = C U. ( 4 ) Eliminując U z równania (3) i (4) otrzymamy: =
ROZŁADOWANIE KONDENSATORA I. el ćwiczenia: wyznaczenie zależności napięcia (i/lub prądu I ) rozładowania kondensaora w funkcji czasu : = (), wyznaczanie sałej czasowej τ =. II. Przyrządy: III. Lieraura:
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowo4. OBLICZANIE REZYSTANCYJNYCH PRZEWODÓW I ELEMENTÓW GRZEJ- NYCH
4. OBLICZANIE REZYSTANCYJNYCH PRZEWODÓW I ELEMENTÓW GRZEJ- NYCH Wybór wymiarów i kszału rezysancyjnych przewodów czy elemenów grzejnych mających wchodzić w skład urządzenia elekroermicznego zależny jes,
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN
Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wprowadzenie Budowa atomu: a) model starożytny b) model J.J. Thompsona c) model E. Rutherforda
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STOSUNKU ŁADUNKU ELEKTRONU DO STAŁEJ BOLTZMANNA
WYZNAZANI STOSUNKU ŁADUNKU LKTRONU DO STAŁJ OLTZMANNA I. el ćwiczenia: wyznaczenie stosnk łank elektron o stałej oltzmanna, nabycie miejętności posłgiwania się przyrząami: ltratermostatem i zielnikiem
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław ynowiec, Bogusław
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 43 U R I (1)
ĆWCZENE N 43 POMY OPO METODĄ TECHNCZNĄ Cel ćwiczenia: wyznaczenie warości oporu oporników poprzez pomiary naężania prądu płynącego przez opornik oraz napięcia na oporniku Wsęp W celu wyznaczenia warości
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoPole temperatury - niestacjonarne (temperatura zależy od położenia elementu ciała oraz czasu) (1.1) (1.2a)
PODSAWY WYMIANY CIEPŁA. Postawowe pojęcia w wymianie ciepła Sposoby transportu ciepła: przewozenie konwekcja - swobona - wymuszona promieniowanie ransport ciepła w ciałach stałych obywa się na roze przewozenia.
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD
TRAZYSTORY BPOLARE SMK WYKŁAD 9 a pdstw. W. Marciniak, WT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone 6. Zakresy pracy i układy włączania tranzystora bipolarnego Opis funkcjonalny zestaw równań wiążących
Bardziej szczegółowo1
WYKŁAD #5 Elekryczność i Magneyzm. Elekrosayka. Elekrodynamika Elekryczność dziedzina zjawisk w kórej isoną rolę odgrywają ładunki lub prądy elekryczne); Elekrosayka (ładunki nie poruszają się); Elekrodynamika
Bardziej szczegółowoPole temperatury - niestacjonarne (temperatura zależy od położenia elementu ciała oraz czasu)
PODSAWY WYMIANY CIEPŁA. Postawowe pojęcia w wymianie ciepła Sposoby transportu ciepła: przewozenie konwekcja - swobona - wymuszona promieniowanie ransport ciepła w ciałach stałych obywa się na roze przewozenia.
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoZłożone struktury diod Schottky ego mocy
Złożone struktury diod Schottky ego mocy Diody JBS (Junction Barrier Schottky) złącze blokujące na powierzchni krzemu obniżenie krytycznego natężenia pola (Ubr 50 V) Diody MPS (Merged PINSchottky) struktura
Bardziej szczegółowoJ14. Pomiar zasięgu, rozrzutu zasięgu i zdolności hamującej cząstek alfa w powietrzu PRZYGOTOWANIE
J14 Pomiar zasięgu, rozrzutu zasięgu i zdolności hamującej cząstek alfa w powietrzu PRZYGOTOWANIE 1. Oddziaływanie ciężkich cząstek naładowanych z materią [1, 2] a) straty energii na jonizację (wzór Bethego-Blocha,
Bardziej szczegółowoPrzedmiotowy system nauczania z fizyki dla klasy II gimnazjum
Przedmioowy sysem nauczania z fizyki dla klasy II gimnazjum 7. Przemiany energii w zjawiskach cieplnych 7.1. Energia wewnęrzna i jej zmiany przez wykonanie pracy 7.2. Cieplny przepływ energii. Rola izolacji
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję
Bardziej szczegółowo19. Zasilacze impulsowe
19. Zasilacze impulsowe 19.1. Wsęp Sieć energeyczna (np. 230V, 50 Hz Prosownik sieciowy Rys. 19.1.1. Zasilacz o działaniu ciągłym Sabilizaor napięcia Napięcie sałe R 0 Napięcie sałe E A Zasilacz impulsowy
Bardziej szczegółowoWENTYLACJA i KLIMATYZACJA 2. Ćwiczenia nr 1
Insyu Inżynierii Cieplnej i Ochrony Powierza Poliechniki Krakowskiej Zakład Wenylacji Klimayzacji i Chłodnicwa WENTYLACJA i KLIMATYZACJA 2 Ćwiczenia nr 1 Urządzenia do uzdania powierza w klimayzacji Dr
Bardziej szczegółowoPole temperatury - niestacjonarne (temperatura zależy od położenia elementu ciała oraz czasu)
PODSAWY WYMIANY CIEPŁA. Postawowe pojęcia w wymianie ciepła Sposoby transportu ciepła: przewozenie konwekcja - swobona - wymuszona promieniowanie ransport ciepła w ciałach stałych obywa się na roze przewozenia.
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoDOBÓR PRZEKROJU ŻYŁY POWROTNEJ W KABLACH ELEKTROENERGETYCZNYCH
Franciszek SPYRA ZPBE Energopomiar Elekryka, Gliwice Marian URBAŃCZYK Insyu Fizyki Poliechnika Śląska, Gliwice DOBÓR PRZEKROJU ŻYŁY POWROTNEJ W KABLACH ELEKTROENERGETYCZNYCH. Wsęp Zagadnienie poprawnego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie C1 Diody. Wydział Fizyki UW
Wydział Fizyki UW Pracownia fizyczna i elektroniczna (w tym komputerowa) dla Inżynierii Nanostruktur (1100-1INZ27) oraz Energetyki i Chemii Jądrowej (1100-1ENPRFIZELEK2) Ćwiczenie C1 Diody Streszczenie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Nieliniowe obwody rezonansowe
Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 /8. Wstęp Ćwiczenie 5 Nieliniowe obwoy rezonansowe Obwó rezonansowy zawierający konensator o nieliniowej pojemności lub inuktor o nieliniowej
Bardziej szczegółowo