Badanie diod półprzewodnikowych

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Badanie diod półprzewodnikowych"

Transkrypt

1 POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ

2 3 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk napięciowo-prądowych podstawowych przyrządów półprzewodnikowych, znajdujących zastosowanie w elektroenergetyce: diody prostowniczej, diody stabilizacyjnej. Znajomość charakterystyk napięciowo-prądowych umożliwia mierzącemu wyznaczenie podstawowych parametrów elektrycznych ww. elementów. 2. Wprowadzenie 2.1. Diody półprzewodnikowe Diody są najprostszymi, posiadającymi dwie elektrody (anodę A i katodę K), elementami elektronicznymi, zawierającymi złącza półprzewodnikowe. Zwykle dioda jest zbudowana z pojedynczego złącza PN lub złącza metal-półprzewodnik (m-p). Znajomość podstawowych właściwości złączy PN oraz m-p jest kluczem do zrozumienia działania diod i nie tylko diod, gdyż złącza PN stanowią elementarne cegiełki, z których buduje się bardziej złożone struktury tranzystorów, tyrystorów, układów scalonych itp. Diody można klasyfikować w zależności od przyjętych kryteriów. Dla użytkowników elementów najistotniejszy jest podział diod ze względu na zastosowanie: prostownicze i uniwersalne, stabilizacyjne (stabilitrony, diody Zenera), pojemnościowe, przełączające (impulsowe) i ładunkowe, detekcyjne i mieszające (mikrofalowe), generacyjne i wzmacniające, modulacyjne i tłumiące, optoelektroniczne (fotodiody, diody świecące). W tradycyjnych układach zasilających największe znaczenie mają diody prostownicze i diody stabilizacyjne.

3 Diody prostownicze Diody prostownicze to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego o małej częstotliwości i dużej mocy dostarczanej do odbiornika. Diody te pracują przeważnie w układach prostowniczych bloków zasilania urządzeń elektronicznych i elektrycznych. Diody prostownicze przeznaczone są zasadniczo do pracy przy częstotliwościach sieciowych (50 Hz, czasem 400 Hz). Jest to zakres tak małych częstotliwości, że zjawiska dynamiczne w złączu PN nie mają istotnego wpływu na pracę diody w układzie. Inną grupę stanowią diody prostownicze impulsowe przeznaczone do pracy w przetwornicach lub zasilaczach impulsowych, dla których wymagane są diody o specjalnych parametrach. Diody prostownicze są diodami warstwowymi (dyfuzyjnymi lub stopowymi) wytwarzanymi z krzemu (Si) lub rzadziej z germanu (Ge). Wytwarzane są również diody prostownicze z barierą Schottky ego (m-p). Diody prostownicze produkowane są na prądy o natężeniu od pojedynczych amperów do kilku tysięcy amperów i na napięcia wsteczne od kilkudziesięciu woltów do kilku tysięcy woltów. Diody na prądy powyżej 10 A pracują z radiatorami odprowadzającymi wydzielane ciepło do otoczenia. Na rysunku 1.1. przedstawiono przykładowe charakterystyki napięciowo-prądowe diody germanowej (Ge) i krzemowej (Si) w kierunku przewodzenia I F = f (U F ) oraz w kierunku zaporowym I R = f (U R ). I F 200 ma Ge Si 200 V 100 V U R 0,5 V 1 V U F 20 μa I R Rys Przykładowe charakterystyki napięciowo-prądowe diod germanowej (Ge) i krzemowej (Si) Zauważyć należy zdecydowanie różne wartości podziałek dla napięć i natężeń prądów w kierunku przewodzenia i w kierunku zaporowym diod. Z przebiegu

4 5 charakterystyk wynika, że dla wartości spadku napięcia na diodzie U F rzędu 1 V natężenie prądu przewodzenia I F płynącego przez diodę bardzo gwałtownie narasta do dużych wartości. Każdy element elektroniczny, w tym również dioda, ma parametry graniczne, których przekroczenie powoduje trwałe uszkodzenie elementu. Natężenie prądu przewodzenia diody I F nie powinno przekroczyć wartości dopuszczalnego średniego prądu przewodzenia I F(AV), a napięcie w kierunku zaporowym U R wartości powtarzalnego szczytowego napięcia wstecznego U RRM. Wartości I F(AV) oraz U RRM podawane są w katalogach diod półprzewodnikowych. Jednym z charakterystycznych parametrów diod prostowniczych jest wartość napięcia progowego diody U (TO) określana umownie przy prądzie przewodzenia I F = 0,1 I F(AV) [10]. Dla diody germanowej (Ge) napięcie to zawiera się w zakresie od 0,2 V do 0,4 V, a dla diody krzemowej (Si) w zakresie od 0,5 V do 0,8 V [10]. Zmiany natężenia prądu idealnego złącza PN w funkcji napięcia polaryzacji opisuje wzór Shockleya [10]: qu I I exp 1, (1) F sat kt gdzie: I sat prąd nasycenia złącza, U napięcie polaryzacji, T temperatura [K], k = 1, J/K (stała Boltzmanna), q = 1, C (ładunek elementarny). Z dobrym przybliżeniem przyjmuje się, że dla U F > 100mV: qu I I exp. (2) F S nkt Prąd I S jest zastępczym prądem nasycenia, uwzględniającym mechanizmy dyfuzji i rekombinacji, a wartość współczynnika n zależy od udziału składowej dyfuzyjnej i rekombinacyjnej w prądzie płynącym przez złącze. Współczynnik n przyjmuje wartość pomiędzy 1 (tylko prąd dyfuzji) a 2 (tylko prąd rekombinacji). Aby uwzględnić spadek napięcia na elementach diody poza obszarem ładunku przestrzennego, zwykle wprowadza się pojęcie rezystancji szeregowej. Uwzględniając powyższe, najprostszy model diody w kierunku przewodzenia przedstawiono na rysunku 1.2. I F U F I F R S I F R S D R S U F Rys Model diody w kierunku przewodzenia

5 6 Charakterystykę diody D opisuje zależność (2). Podstawiając za U spadek napięcia na diodzie (U F I FRS ), otrzymamy: q U I R F F S I I exp. (3) F S nkt Po logarytmowaniu otrzymujemy równanie liniowe (4): lni F 1 U I R lni' (U ΔU) q lni'. (4) S F F S S F nkt nu Potencjał elektrokinetyczny U T w temperaturze 300 K wynosi ok. 26 mv 23 ( U k T 1,3810 J/K 300K 26mV ). T q 1, C Zależność (4) narysowaną w półlogarytmicznym układzie współrzędnych (oś napięcia U F jest liniowa, a oś prądu I F ma podziałkę logarytmiczną) przedstawiono na rysunku 1.3. T [μa] I F ΔU = I F R S n 1 mv przy T 300 K 1 0,1 0,01 I' S przy U = 0 U F 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 [V] Rys Charakterystyka napięciowo-prądowa diody półprzewodnikowej w układzie półlogarytmicznym Na podstawie przedstawionej na rysunku 1.3. charakterystyki można wyznaczyć wartość natężenia prądu I S (ekstrapolując do przecięcia z osią część liniową charakterystyki) oraz wartość współczynnika udziału składowej dyfuzyjnej do rekombinacyjnej n (tangens kąta nachylenia części liniowej charakterystyki). Dodatkowo, z części nieliniowej można określić wartość rezystancji szeregowej R S. Dla ułatwienia analizy wykresu w części liniowej pominięto wpływ rezystancji R S.

6 Diody stabilizacyjne Diody stabilizacyjne, nazywane zwyczajowo diodami Zenera, to diody warstwowe PN, przeznaczone do zastosowań w układach stabilizacji napięć, w układach ograniczników amplitudy, jako źródła napięć odniesienia itp. Dioda stabilizacyjna wykorzystuje zjawisko Zenera i/lub zjawisko powielania lawinowego, występujące podczas zaporowej polaryzacji złącza PN. Zjawisko Zenera polega na efekcie tunelowego przejścia elektronu (tzn. bez straty energii) z pasma podstawowego do pasma przewodnictwa półprzewodnika. Występuje ono przede wszystkim w półprzewodnikach silnie domieszkowanych o cienkich złączach (implikuje to duże natężenie pola elektrycznego w obszarze złącza ok V/m). Zjawisko Zenera występuje w diodach, dla których napięcie przebicia nieniszczącego leży w zakresie do 7 V. Zjawisko powielania lawinowego polega na powielaniu nośników prądu w warstwie zaporowej złącza, w wyniku zderzeń elektronów z atomami sieci krystalicznej. Zjawisko to występuje w półprzewodnikach słabiej domieszkowanych, w złączach o grubości znacznie przekraczającej średnią drogę swobodną elektronu. Powoduje to zwiększenie prawdopodobieństwa powielania lawinowego. Natężenie pola elektrycznego w warstwie zaporowej złącza wynosi ok V/m. Diody lawinowe pracują przy napięciach przebicia nieniszczącego wyższych od 5 V. Dla diod o napięciu stabilizacji zawierającym się w granicach 57 V oba zjawiska występują równocześnie. Na rysunku 1.4. przedstawiono przykładową charakterystykę napięciowo-prądową diody stabilizacyjnej. 20 V ΔU Z U Z Napięcie stabilizacji 10 V 200 ma I F U F U R I Zmin 0,5 V 1 V Hiperbola mocy admisyjnej 1 r Z I U Z Z ΔI Z 200 ma P max = const I Zmax 400 ma I R Rys Przykładowa charakterystyka napięciowo-prądowa diody stabilizacyjnej

7 8 Przy polaryzacji w kierunku przewodzenia dioda stabilizacyjna zachowuje się tak jak zwykła dioda prostownicza, tzn. spadek napięcia na niej jest niewielki i wynosi ok. 0,60,7 V. Przy polaryzacji diody w kierunku zaporowym dla pewnej wartości napięcia (zależnej od sposobu wykonania diody) następuje gwałtowny wzrost natężenia prądu (przebicie nieniszczące). Podstawowe parametry diod stabilizacyjnych to: napięcie stabilizowane U Z (nazywane również napięciem Zenera), definiowane jako napięcie odpowiadające umownej wartości prądu stabilizacji I Z, (np. 0,1 I Zmax 10% maksymalnej wartości prądu stabilizacji), natężenie prądu stabilizacji I Z, rezystancja dynamiczna (przyrostowa) r Z = U Z /I Z (dla określonego prądu stabilizacji); graficznie jest to nachylenie odcinka prostoliniowego charakterystyki napięciowo-prądowej diody stabilizacyjnej, temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji TKU Z (ujemny dla diod Zenera i dodatni dla diod lawinowych), dopuszczalna maksymalna moc strat P tot max, dopuszczalny średni prąd przewodzenia I F(AV). 3. Badania i pomiary 3.1. Określenie wielkości mierzonych Wielkościami mierzonymi są spadki napięć i prądy płynące przez diody. Na podstawie danych pomiarowych wyznacza się charakterystyki napięciowo-prądowe badanych elementów. Z analizy wykresów wyznaczamy dla diody prostowniczej: wartość natężenia zastępczego prądu nasycenia złącza I S oraz współczynnik n, a dla diody stabilizacyjnej napięcie stabilizacji U Z i rezystancję przyrostową r Z Wyznaczenie charakterystyk w kierunku przewodzenia Schemat stanowiska Stanowisko pomiarowe zasilane jest z regulowanego źródła prądu stałego. Układ pomiarowy przedstawiono na rysunku 1.5.

8 9 Regulowany zasilacz prądu stałego + R ma mv U F I F D DZ Rys Schemat układu pomiarowego do wyznaczania charakterystyki diody prostowniczej i stabilizacyjnej w kierunku przewodzenia Przebieg ćwiczenia 1. Zestawić układ pomiarowy według rysunku Dokonać pomiarów natężenia prądu I F [ma] oraz napięcia U F [mv] dla diody prostowniczej D. 3. Dokonać pomiarów natężenia prądu I F [ma] oraz napięcia U F [mv] dla diody stabilizacyjnej DZ. 4. Wyniki pomiarów zapisać w tabeli 1.1. Tabela 1.1 Kierunek Dioda prostownicza Dioda stabilizacyjna przewodzenia Typ diody.. Typ diody.. Lp itd. I F U F I F U F ma mv ma mv 3.3. Wyznaczenie charakterystyk w kierunku zaporowym Schemat stanowiska Stanowiska pomiarowe zasilane są z regulowanego źródła prądu stałego. Układ pomiarowy dla diody prostowniczej przedstawia rysunek , a dla diody stabilizacyjnej rysunek

9 10 Regulowany zasilacz prądu stałego + R V I R U R μa D Rys Schemat układu pomiarowego do wyznaczania charakterystyki diody prostowniczej w kierunku zaporowym Regulowany zasilacz prądu stałego + R V I R U R ma DZ Rys Schemat układu pomiarowego do wyznaczania charakterystyki diody stabilizacyjnej w kierunku zaporowym Przebieg ćwiczenia 1. Zestawić układy pomiarowe wg rysunków i (dwa stanowiska). 2. Dokonać pomiarów natężenia prądu I R [μa] oraz napięcia U R [V] dla diody prostowniczej D. 3. Dokonać pomiarów natężenia prądu I R [ma] oraz napięcia U R [V] dla diody stabilizacyjnej DZ. 4. Wyniki pomiarów zapisać w tabeli 1.2. Tabela 1.2 Kierunek zaporowy Dioda prostownicza Typ diody.. Dioda stabilizacyjna Typ diody.. Lp itd. I R U R I R U R μa V ma V

10 11 4. Opracowanie wyników pomiarów 1. Sporządzić na podstawie wyników pomiarowych (tabela 1.1. i 1.2.) wykresy charakterystyk diody prostowniczej i diody stabilizacyjnej (przy polaryzacji w obu kierunkach: przewodzenia i zaporowym). 2. Sporządzić półlogarytmiczną charakterystykę napięciowo-prądową diody prostowniczej w kierunku przewodzenia (tabela 1.1.). 3. Wyznaczyć parametry badanej diody prostowniczej (wartość natężenia zastępczego prądu nasycenia złącza I S oraz wartość współczynnika udziału składowej dyfuzyjnej do rekombinacyjnej n). 4. Wyznaczyć parametry badanej diody stabilizacyjnej (napięcie stabilizacji diody U Z oraz wartość rezystancji dynamicznej r Z ). 5. Podać uwagi dotyczące przebiegu ćwiczenia, otrzymanych wyników pomiarowych oraz dokonać oszacowania niepewności pomiarowych i błędów. 5. Sprawozdanie Sprawozdanie powinno zawierać: 1. Stronę tytułową (nazwę ćwiczenia, numer sekcji, nazwiska i imiona ćwiczących oraz datę wykonania ćwiczenia). 2. Symbole i dane katalogowe badanych elementów elektronicznych. 3. Schematy układów pomiarowych. 4. Tabele wyników pomiarowych ze wszystkich stanowisk. 5. Wykresy wyszczególnionych w punkcie 4. charakterystyk. 6. Wyszczególnione w punkcie 4. parametry badanych elementów elektronicznych. 7. Uwagi i wnioski (dotyczące przebiegu charakterystyk, ich odstępstw od przebiegów teoretycznych, wartości wyznaczonych parametrów, rozbieżności wyników pomiarów na różnych stanowiskach, oszacowania niepewności pomiarowej i błędów itp.).

Badanie diod półprzewodnikowych

Badanie diod półprzewodnikowych POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E - 7) www.imiue.polsl.pl/~wwwzmiape Opracował:

Bardziej szczegółowo

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Elementy i obwody nieliniowe

Elementy i obwody nieliniowe POLTCHNKA ŚLĄSKA WYDZAŁ NŻYNR ŚRODOWSKA NRGTYK NSTYTT MASZYN RZĄDZŃ NRGTYCZNYCH LABORATORM LKTRYCZN lementy i obwody nieliniowe ( 3) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGLWCZ 3 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Cel ćwiczenia. Podstawowe informacje. eu exp mkt ] 1 (1) I =I S[

Cel ćwiczenia. Podstawowe informacje. eu exp mkt ] 1 (1) I =I S[ Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z diodami półprzewodnikowymi poprzez pomiar ich charakterystyk prądowonapięciowych oraz jednoczesne doskonalenie techniki pomiarowej. Zakres ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE.

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. POLITECHNIK ŚLĄSK WYDZIŁ INŻYNIERII ŚRODOWISK I ENERGETYKI INSTYTUT MSZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LBORTORIUM ELEKTRYCZNE Badanie tyrystora (E 9) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ 3 1. Cel ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

Ćwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław ynowiec, Bogusław

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. Obwody nieliniowe.

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. Obwody nieliniowe. POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Obwody nieliniowe. (E 3) Opracował: dr inż. Leszek Remiorz Sprawdził: dr

Bardziej szczegółowo

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA NWERSYTET TECHNOLOGCZNO-PRZYRODNCZY W BYDGOSZCZY WYDZAŁ NŻYNER MECHANCZNEJ NSTYTT EKSPLOATACJ MASZYN TRANSPORT ZAKŁAD STEROWANA ELEKTROTECHNKA ELEKTRONKA ĆWCZENE: E7 BADANE DODY PROSTOWNCZEJ DODY ZENERA

Bardziej szczegółowo

4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.

4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. 4. Diody 1 DIODY PROSTOWNICE Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. jawisko prostowania: przepuszczanie przez diodę prądu w jednym kierunku, wtedy gdy chwilowa polaryzacja diody jest

Bardziej szczegółowo

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej

Bardziej szczegółowo

Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego

Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego POLIECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGEYKI INSYU MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGEYCZNYCH LABORAORIUM ELEKRYCZNE Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego (E 1) Opracował: Dr inż. Włodzimierz

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe cz II

Diody półprzewodnikowe cz II Diody półprzewodnikowe cz II pojemnościowe Zenera tunelowe PIN Schottky'ego Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez

Bardziej szczegółowo

Elementy przełącznikowe

Elementy przełącznikowe Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

Elementy elektroniczne Wykłady 4: Diody półprzewodnikowe

Elementy elektroniczne Wykłady 4: Diody półprzewodnikowe Elementy elektroniczne Wykłady 4: Diody półprzewodnikowe Część pierwsza Diody - wprowadzenie Diody półprzewodnikowe - wprowadzenie Podstawowe równanie: AK R exp 1 mt proszczenia w zakresie przewodzenia

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika

Bardziej szczegółowo

Diody prostownicze. częstotliwo. ową 50 Hz) przy znacznych lub zgoła a duŝych mocach wydzielanych w obciąŝ

Diody prostownicze. częstotliwo. ową 50 Hz) przy znacznych lub zgoła a duŝych mocach wydzielanych w obciąŝ Diody 1 Diody prostownicze Ogólna charakterystyka Diodami prostowniczymi nazywa się diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. W domyśle rozumie się prostowanie prądu o małej częstotliwo stotliwości

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier) 7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E02FT. Diody. Wersja 1.0 (31 marca 2016)

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E02FT. Diody. Wersja 1.0 (31 marca 2016) Laboratorium elektroniki Ćwiczenie E02FT Diody Wersja 1.0 (31 marca 2016) Spis treści: 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Zagrożenia... 3 3. Wprowadzenie teoretyczne... 3 4. Dostępna aparatura... 5 4.1. Moduł doświadczalny...

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo

WARYSTORY, TERMISTORY, DIODY.

WARYSTORY, TERMISTORY, DIODY. WARYSTORY, TERMISTORY, DIODY. 1. Warystory. Warystor jest rezystorem, którego wartośd rezystancji zmniejsza się silnie wraz ze wzrostem napięcia. Warystory produkuje się obecnie najczęściej z granulowanego

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe. Model diody półprzewodnikowej Shockley a. Dioda półprzewodnikowa U D >0 model podstawowy

Diody półprzewodnikowe. Model diody półprzewodnikowej Shockley a. Dioda półprzewodnikowa U D >0 model podstawowy iody półprzewodnikowe Model diody półprzewodnikowej Shockley a U U + U gr0 exp 1 0 exp 1 2ϕT ϕt gr0 prąd generacyjno-rekombinacyjny 0 prąd nasycenia φ T potencjał termiczny elektronów kt/e26mv dla T300K

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyki diody

Badanie charakterystyki diody Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć. Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Ćwiczenie 2 Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych 1. WSTĘP TEORETYCZNY 1.1. Diody Podstawę większości diod półprzewodnikowych stanowi złącze p-n. Ze względu na powszechność zastosowania dzieli

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów

Bardziej szczegółowo

Base. Paul Sherz Practical Electronic for Inventors McGraw-Hill 2000

Base. Paul Sherz Practical Electronic for Inventors McGraw-Hill 2000 Złącze p-n Base Paul Sherz Practical Electronic for Inventors McGraw-Hill 2000 Dyfuzja aż do stanu równowagi 6n+3p+6D Dipol ładunku elektrycznego 6p+3n+6A Pole elektryczne Nadmiarowe nośniki mniejszościowe

Bardziej szczegółowo

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Marcin Polkowski (251328) 19 kwietnia 2007 r. Spis treści 1 Cel ćwiczenia 2 2 Opis ćwiczenia 2 3 Wykonane pomiary 3 3.1 Dioda krzemowa...............................................

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra utomatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIK ENS1C300 022 WYBRNE ZSTOSOWNI DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BIŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Miłosz Andrzejewski IE

Miłosz Andrzejewski IE Miłosz Andrzejewski IE Diody Diody przepuszczają prąd tylko w jednym kierunku; służą do prostowania. W tym celu używa się ich w: prostownikach wchodzących w skład zasilaczy. Ogólnie rozpowszechnione są

Bardziej szczegółowo

Obwody liniowe. Sprawdzanie praw Kirchhoffa

Obwody liniowe. Sprawdzanie praw Kirchhoffa POLTECHNK ŚLĄSK WYDZŁ NŻYNER ŚRODOWSK ENERGETYK NSTYTT MSZYN RZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LBORTORM ELEKTRYCZNE Obwody liniowe. Sprawdzanie praw Kirchhoffa (E 2) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGLEWCZ 3 1. Cel

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE

PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE w Jeleniej Górze (Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa) WYDZIAŁ TECHNICZNY PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE INSTRUKCJE LABORATORYJNE Józef Biegalski Lech Kaczmarek Jerzy Pietruszewski Jerzy Zdanowski Jelenia Góra,

Bardziej szczegółowo

Badanie diody półprzewodnikowej

Badanie diody półprzewodnikowej Badanie diody półprzewodnikowej Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Wyznaczanie charakterystyki statycznej diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia Rysunek nr 1. Układ do wyznaczania

Bardziej szczegółowo

Impedancje i moce odbiorników prądu zmiennego

Impedancje i moce odbiorników prądu zmiennego POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Impedancje i moce odbiorników prądu zmiennego (E 6) Opracował: Dr inż.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Ćwiczenie: Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.

Bardziej szczegółowo

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują

Bardziej szczegółowo

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych 1. zas trwania: 6h 2. el ćwiczenia Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych różnych typów diod półprzewodnikowych. Montaż i badanie wybranych układów,

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA

ĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA ĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA 10.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości sterowanych elementów półprzewodnikowych, wykorzystujących struktury p - n - p - n, głównie

Bardziej szczegółowo

I we. F (filtr) U we. Rys. 1. Schemat blokowy układu zasilania odbiornika prądu stałego z sieci energetycznej z zastosowaniem stabilizatora napięcia

I we. F (filtr) U we. Rys. 1. Schemat blokowy układu zasilania odbiornika prądu stałego z sieci energetycznej z zastosowaniem stabilizatora napięcia 22 ĆWICZENIE 3 STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO Wiadomości wstępne Stabilizatory napięcia stałego są to układy elektryczne dostarczające do odbiornika napięcie o stałej wartości niezależnie od zmian w określonych

Bardziej szczegółowo

IV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego

IV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego 1 V. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego Cel ćwiczenia: 1.Zbadanie zależności fotoprądu zwarcia i fotonapięcia zwarcia od natężenia oświetlenia. 2. Wyznaczenie sprawności energetycznej baterii słonecznej.

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II 1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

Ć w i c z e n i e 1 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH

Ć w i c z e n i e 1 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH Ć w i c z e n i e 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH. Wiadomości ogólne Prostowniki są to urządzenia przetwarzające prąd przemienny na jednokierunkowy. Prostowniki stosowane są m.in. do ładowania akumulatorów,

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

W książce tej przedstawiono:

W książce tej przedstawiono: Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE

Ćwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE Ćwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe rodzaje diod półprzewodnikowych................... 3 2.1.1 Dioda

Bardziej szczegółowo

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODA

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODA ZESPÓŁ LABORATORÓW TELEMATYK TRANSPORT ZAKŁAD TELEKOMNKACJ W TRANSPORCE WYDZAŁ TRANSPORT POLTECHNK WARSZAWSKEJ LABORATORM PODSTAW ELEKTRONK NSTRKCJA DO ĆWCZENA NR 2 DODA DO ŻYTK WEWNĘTRZNEGO WARSZAWA 2016

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych

Bardziej szczegółowo

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości

Bardziej szczegółowo

5. Tranzystor bipolarny

5. Tranzystor bipolarny 5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:

Bardziej szczegółowo

DIODY WYK. VI SMK W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, W-wa 1987

DIODY WYK. VI SMK W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, W-wa 1987 DIODY WYK. VI SMK W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, W-wa 1987 Nadając konkretny kształt konstrukcyjny bryle półprzewodnika, będącej złączem p-n, czyli definiując jej rozmiary,

Bardziej szczegółowo

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b) Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa

Ćwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa Ćwiczenie 123 Ćwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa Cel ćwiczenia Poznanie własności warstwowych złącz półprzewodnikowych typu p-n. Wyznaczenie i analiza charakterystyk stałoprądowych dla różnych typów

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Rys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia

Rys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia ĆWICZENIE 12 BADANIE STABILIZATORÓW NAPIĘCIA STAŁEGO 12.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasady działania, budowy oraz podstawowych właściwości różnych typów stabilizatorów półprzewodnikowych

Bardziej szczegółowo

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek Lasery półprzewodnikowe przewodnikowe Bernard Ziętek Plan 1. Rodzaje półprzewodników 2. Parametry półprzewodników 3. Złącze p-n 4. Rekombinacja dziura-elektron 5. Wzmocnienie 6. Rezonatory 7. Lasery niskowymiarowe

Bardziej szczegółowo

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Wiadomości podstawowe

Wiadomości podstawowe Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów

Bardziej szczegółowo

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII

Bardziej szczegółowo

IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski

IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski 1 1 Dioda na złączu p n Zgodnie z wynikami, otrzymanymi na poprzednim wykładzie, natężenie prądu I przepływającego przez złącze p n opisane jest wzorem Shockleya

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

Metodę poprawnie mierzonego prądu powinno się stosować do pomiaru dużych rezystancji, tzn. wielokrotnie większych od rezystancji amperomierza: (4)

Metodę poprawnie mierzonego prądu powinno się stosować do pomiaru dużych rezystancji, tzn. wielokrotnie większych od rezystancji amperomierza: (4) OBWODY JEDNOFAZOWE POMIAR PRĄDÓW, NAPIĘĆ. Obwody prądu stałego.. Pomiary w obwodach nierozgałęzionych wyznaczanie rezystancji metodą techniczną. Metoda techniczna pomiaru rezystancji polega na określeniu

Bardziej szczegółowo

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) 152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,

Bardziej szczegółowo

Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED)

Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED) Temat ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED) - - ` Symbol studiów (np. PK10): data wykonania ćwiczenia - godzina wykonania ćwiczenia. Nazwisko i imię*: 1 Pluton/Grupa

Bardziej szczegółowo

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1.. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny

Uniwersytet Pedagogiczny Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 5 Temat: STABILIZATORY NAPIĘCIA Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Cel ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 23. Charakterystyka styku między metalem a półprzewodnikiem typu n. str. 1. Cel ćwiczenia:

Ćwiczenie nr 23. Charakterystyka styku między metalem a półprzewodnikiem typu n. str. 1. Cel ćwiczenia: Ćwiczenie nr 23 Charakterystyka styku między metalem a półprzkiem typu n. Cel ćwiczenia: Wyznaczanie charakterystyki napięciowo - prądowej złącza metal-półprzk n oraz zaobserwowanie działania elementów

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny

Uniwersytet Pedagogiczny Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 5 Temat: STABILIZATORY NAPIĘCIA Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Cel ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

WYDZIAŁ.. LABORATORIUM FIZYCZNE

WYDZIAŁ.. LABORATORIUM FIZYCZNE W S E i Z W WASZAWE WYDZAŁ.. LABOATOUM FZYCZNE Ćwiczenie Nr 10 Temat: POMA OPOU METODĄ TECHNCZNĄ. PAWO OHMA Warszawa 2009 Prawo Ohma POMA OPOU METODĄ TECHNCZNĄ Uporządkowany ruch elektronów nazywa się

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO. 1. Wiadomości wstępne

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO. 1. Wiadomości wstępne STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO 1. Wiadomości wstępne Stabilizatory napięcia stałego są to układy elektryczne dostarczające do odbiornika napięcie o stałej wartości niezależnie od zmian w określonych granicach:

Bardziej szczegółowo