LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
|
|
- Kinga Bednarczyk
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Poliechnika Lubelska Wydział Elekroechniki i Informayki Kaedra Urządzeń Elekrycznych i TWN Lublin, ul. Nadbysrzycka 38A LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podsawy eoreyczne do ćwiczenia nr 14 Wyznaczanie emperaurowych zależności prądu wsecznego diod wykonanych z różnych maeriałów półprzewodnikowych Lublin 2015
2 1. CEL ĆWICZENIA Ćw. 14. Wyznaczanie emperaurowych zależności prądu wsecznego diod Celem ćwiczenia jes zbadanie emperaurowych właściwości złączy p - n, wykonanych z różnych maeriałów półprzewodnikowych oraz badanie prosowników nieserowanych. 2. WIADOMOŚCI TEORETYCZNE Półprzewodniki są o ciała sałe o budowie krysalicznej, kórych szerokość pasma wzbronionego w modelu pasmowym, określającym energeyczne sany elekronów jes zawara w granicach od 0,5 ev do 2,0 ev. B C B V B C B C B V B G B G B V B G = 0 meal 0,5 ev < B G < ok. 2 ev półprzewodnik B G > 2 ev izolaor Rys. 1. Uproszczony model energeyczny ciała sałego, gdzie: B C - pasmo przewodnicwa (conducion band), B G - przerwa zabroniona (band gap), B V - pasmo walencyjne (valence band) Rezysywność ych maeriałów jes większa niż rezysywność przewodników oraz mniejsza niż rezysywność izolaorów, na przykład: miedź (przewodnik) ma rezysywność 10-8 Ω m, krzem (półprzewodnik) ma rezysywność ok Ω m, mika (izolaor) ma rezysywność rzędu Ω m Półprzewodniki samoisne Przewodnicwo chemiczne czysych (bezdomieszkowych) półprzewodników nazywamy przewodnicwem samoisnym, zaś same półprzewodniki - półprzewodnikami samoisnymi. Podsawową właściwością półprzewodników jes o, że dla ich przewodnicwa elekrycznego porzebny jes czynnik akywizujący: emperaura, napromieniowanie, silne pole elekryczne. Przewodnicwo pojawia się ylko pod wpływem zewnęrznego czynnika jonizującego, kóry jes w sanie przenieść elekrony z pasma walencyjnego do pasma przewodnicwa. Do pasma 2
3 przewodnicwa rafia sosunkowo niewielka liczba elekronów z pasma walencyjnego. Elekrony, kóre dosały się do pasma przewodnicwa zajmują przede wszyskim najniższe poziomy, położone na dnie ego pasma. W emperaurze zera bezwzględnego akie ciała powinny posiadać zerowe przewodnicwo elekryczne, zn. powinny być izolaorami. Jednakże ze wzrosem emperaury, wskuek ermicznego wzbudzenia elekronów pasma walencyjnego, mogą uzyskać energię wysarczającą do przejścia do pasma przewodnicwa. Pasmo przewodnicwa będzie wówczas częściowo zapełnione, naomias w paśmie walencyjnym, doąd całkowicie obsadzonym, pojawiają się poziomy nieobsadzone i ruch elekronów saje się w nim możliwy. Im mniejsza jes szerokość pasma wzbronionego i im wyższa emperaura kryszału, ym więcej elekronów przechodzi do pasma przewodnicwa i ym więcej nieobsadzonych poziomów worzy się w paśmie walencyjnym. Pojawienie się pusych (nieobsadzonych) poziomów w paśmie walencyjnym umożliwia powsanie kolekywnego ruchu elekronów ego pasma pod wpływem pola zewnęrznego. Nieobsadzone miejsca w paśmie walencyjnym nazywane są dziurami. Dziury w polu elekrycznym zachowują się jak ładunki dodanie. Zachowanie się dziur i elekronów najwygodniej jes opisywać za pomocą pojęcia sanu, przypisując elekronom sany obsadzone w paśmie, naomias dziurom sany nieobsadzone. W paśmie przewodnicwa sany obsadzone przemieszczają się na le sanów nieobsadzonych, zaś w paśmie walencyjnym sany nieobsadzone przemieszczają się na le sanów obsadzonych. Koncenracja elekronów i dziur w półprzewodniku samoisnym jes związana zależnością: (1) ln σ /T Rys. 2. Zależność kondukywności od emperaury odwronej (zw. wykres Arrheniusa), gdzie: 1 - zakres generacji samoisnej, 2 - zakres sałej koncenracji nośników, 3 - zakres jonizacji domieszek 3
4 2.2. Półprzewodniki domieszkowane Domieszkowanie o proces wprowadzania domieszek do kryszału półprzewodnika samoisnego. W odróżnieniu od półprzewodników samoisnych, w kórych przewodnicwo odbywa się jednocześnie za pośrednicwem elekronów i dziur, w półprzewodnikach domieszkowanych przewodnicwo jes uwarunkowane głównie przez nośniki o jednakowym znaku: w półprzewodnikach donorowych (półprzewodnikach ypu n) przez elekrony, w półprzewodnikach akceporowych (półprzewodnikach ypu p) przez dziury. Nośniki e noszą nazwę większościowych. Oprócz nośników większościowych w półprzewodnikach znajdują się akże nośniki mniejszościowe: w półprzewodniku elekronowym - dziury, w półprzewodniku dziurowym - elekrony. Domieszki powodują powsanie dodakowych poziomów energeycznych w srukurze pasmowej, zwykle w przerwie wzbronionej między pasmem walencyjnym i pasmem przewodnicwa. Domieszka donorów, zn. aomów, kóre mają nadmiar elekronów w porównaniu z aomami sieci krysalicznej, wprowadza poziomy w pobliżu dna pasma przewodnicwa. Są o na przykład pierwiaski z V grupy układu okresowego (P, As, Sb) w Si i Ge. Poziomy e są w emperaurze 0 K zapełnione elekronami. Niewielka energia cieplna wysarcza, aby przeszły one do pasma przewodnicwa (rysunek 3). Zaem w emperaurze od 50 do 100 K prakycznie wszyskie elekrony z poziomów domieszkowych przechodzą do pasma przewodnicwa. Takie poziomy domieszkowe nazywają się poziomami donorowymi, a domieszki z grupy V nazywane są donorami. Jes o maeriał ypu n. E C E C E D E D E V E V T = 0 T ~ 50 K Rys. 3. Przechodzenie elekronów z poziomu donorowego do pasma przewodnicwa Energia przejścia z poziomu donorowego do pasma przewodnicwa jes dużo mniejsza niż energia pasma zabronionego (E D << E G ). Tabela 1. Warości energii E D oraz E G dla poszczególnych domieszek E D, ev P As Sb E G, ev Si 0,0045 0,049 0,039 Si 1,1 Ge 0,012 0,013 0,0096 Ge 0,7 4
5 Naomias domieszka akceporów, zn. aomów, kóre mają mniej elekronów niż aomy sieci krysalicznej, wprowadza poziomy w pobliżu wierzchołka pasma walencyjnego. Są o na przykład pierwiaski z III grupy układu okresowego (B, Al, Ga, In). W niskich emperaurach energia cieplna wysarcza do pobudzenia elekronów z pasma walencyjnego do przejścia na poziomy domieszkowe i pozosawienia za sobą dziur w paśmie walencyjnym (rysunek 4). Ponieważ e poziomy przyjmują (akcepują) elekrony z pasma walencyjnego, są nazywane poziomami akceporowymi, a domieszki z grupy III są dla Ge i Si domieszkami akceporowymi. Domieszkowanie akceporami worzy półprzewodnik, w kórym gęsość dziur jes znacznie większa niż gęsość elekronów w paśmie przewodnicwa. Jes o maeriał ypu p. Dla półprzewodników domieszkowanych koncenrację nośników wyrażają równania:, (2) (3) E C E C E A E A E V E V T ~ 0 T ~ 50 K Rys. 4. Wychwyywanie elekronów z pasma walencyjnego przez poziom akceporowy, powodujący powsawanie dziur w paśmie podsawowym 2.3. Złącze p - n Złączem p - n nazywamy syk obszarów o różnym ypie przewodnicwa, wyworzony w obrębie ego samego maeriału półprzewodnikowego. Złącze akie orzymuje się przez odpowiednie rozmieszczenie domieszek. Domieszki powodują powsanie dodakowych poziomów energeycznych w srukurze pasmowej, zwykle w przerwie wzbronionej między pasmem podsawowym i pasmem przewodnicwa. W obszarze domieszkowanym akceporami, zwanym obszarem ypu p, koncenracja swobodnych dziur przewyższa koncenrację elekronów. W maeriale donorowym (yp n) koncenracja elekronów przewyższa koncenrację dziur. Na granicy obszarów n i p powsaje dipolowa warswa ładunku 5
6 przesrzennego, zwana warswą zubożoną lub warswą zaporową. Siły elekrosayczne wywarzane przez ładunki jonów urudniają dalszy ruch dyfuzyjny nośników większościowych, naomias na nośniki mniejszościowe powsałe pole elekryczne działa przyśpieszająco. Przez złącze płyną przeciwnie skierowane prądy dyfuzji oraz prądy unoszenia dziur i elekronów. Zewnęrzne pole elekryczne może być przyłożone zgodnie lub przeciwnie z polem powsałym w złączu. Jeżeli zewnęrzne pole elekryczne przyłożone jes przeciwnie do pola złącza niespolaryzowanego, wówczas wysokość bariery poencjału obniża się, zwęża się obszar zubożony w nośniki. Jes o polaryzacja w kierunku przewodzenia. Prąd dyfuzji nośników większościowych gwałownie wzrasa, wraz ze wzrosem przyłożonego napięcia. φ B U N P I F I F U Elekron Rys. 5. Polaryzacja złącza p - n w kierunku przewodzenia Dziura Elekrony półprzewodnika ypu n są odpychane przez biegun ujemny źródła w kierunku warswy zaporowej i mogą ławo przekroczyć barierę poencjału. Naomias dziury półprzewodnika ypu p są odpychane przez biegun dodani źródła w kierunku złącza. Jeżeli zewnęrzne pole elekryczne zosanie przyłożone zgodnie z polem, powsałym w złączu (plus napięcia źródła zasilającego dołączony do obszaru ypu n, minus do obszaru ypu p, napięcie rakujemy jako ujemne), o wówczas powiększa się bariera poencjału na złączu. φ B + U P I R N U I R Elekron Rys. 6. Polaryzacja złącza p - n w kierunku zaporowym Dziura Zjawisko o można wyłumaczyć w en sposób, że biegun dodani źródła odciąga elekrony obszaru n od złącza, a biegun ujemny odciąga dziury obszaru p od złącza, wobec czego w srefie złącza jes bardzo mało nośników ładunku elekrycznego, pozosają ylko jony nie przenoszące ładunku. Mówimy, że przy akim połączeniu złącze działa zaporowo. W kierunku zaporowym może płynąć minimalny 6
7 prąd, zwany prądem wsecznym. Prąd wseczny spowodowany jes przepływem przez złącze zw. nośników mniejszościowych, kóre powsają na skuek przejść elekronów pod wpływem emperaury z pasma walencyjnego do pasma przewodzenia. Jes o podobne do powsawania nośników swobodnych w półprzewodniku samoisnym. W aki sposób w obszarze ypu n pojawia się niewielka liczba dziur, a w obszarze ypu p niewielka liczba elekronów. Nośniki mniejszościowe mogą swobodnie przechodzić przez złącze p - n, spolaryzowane w kierunku zaporowym. Naężenie prądu w ym przypadku, z dużym przybliżeniem, jes yle razy mniejsze od naężenia prądu przewodzenia, ile razy mniejsza jes koncenracja nośników mniejszościowych w sosunku do nośników większościowych. Ponieważ powsawanie nośników mniejszościowych jes związane z przejściami elekronów z pasma walencyjnego do pasma przewodzenia, wymuszanymi energią cieplną, naężenie prądu wsecznego wzrasa, wraz ze wzrosem emperaury. Widać, że złącze p - n umożliwia przepływ prądu ylko w jednym kierunku, w kierunku przewodzenia, po przekroczeniu zw. napięcia progowego U (TO). Warość napięcia progowego zależy od rodzaju maeriału półprzewodnikowego, z kórego zosało wykonane złącze. Z dobrym przybliżeniem napięcie progowe możemy obliczyć z szerokości pasma zabronionego maeriału złącza: (4) Po przekroczeniu warości U (TO) prąd przewodzenia zwiększa się bardzo szybko. Naomias przy polaryzacji w kierunku zaporowym prąd jes bardzo mały - wiele ysięcy razy mniejszy niż w kierunku przewodzenia. Mówimy, że złącze p - n ma warości prosownicze. Przy dużym napięciu wsecznym (po przekroczeniu zw. napięcia przebicia U (BR) ) rozpoczyna się zjawisko przebicia lawinowego, a więc szybkie narasanie prądu przy prawie sałym napięciu na diodzie. Może o spowodować zniszczenie diody, jeżeli nie ograniczy się prądu przez włączenie szeregowo dodakowej rezysancji. Charakerysyka prądowo - napięciowa diody opisywana jes wzorem:, (5) gdzie: i, V ze znakiem (+) dla kierunku przewodzenia oraz i, V ze znakiem ( ) dla kierunku zaporowego. Ze wzoru (5) wynika, że naężenie prądu przy polaryzacji złącza w kierunku zaporowym opisane jes zależnością:, (6) gdzie: C - współczynnik słabo zależny od T. 7
8 Ponieważ przebieg funkcji exp jes sosunkowo rudny do wykreślenia, sosuje się zw. wykres Arrheniusa, wprowadzając nowe zmienne Y = log(i zap ) oraz X = 1/T. W maemayce aką operację nazywa się operacją linearyzacji lub wyrównaniem. W nowych współrzędnych wzór będzie funkcją liniową, ponieważ:, (7), (8) skąd orzymujemy: (9) 2.4. Prosowniki Prosowniki są o urządzenia przewarzające prąd przemienny na jednokierunkowy. Przy rozparywaniu zjawisk zachodzących w obwodach zawierających elemeny prosownikowe sosuje się częso uproszczenia polegające na ym, że rezysancję w sanie przewodzenia przyjmuje się równą zeru, a rezysancję w sanie zaporowym równą nieskończoności. a) b) c) T U 0 U S I 1 I 0 U 1 U 1 U 0 R U m I 1 I 0 U m I m I m Rys. 7. Prosownik jednopulsowy: a) schema elekryczny, b) przebiegi czasowe napięcia i prądu przed prosownikiem, c) przebiegi czasowe napięcia i prądu za prosownikiem Dla prosowników jednopulsowych prawdziwe są nasępujące zależności. Warość średnia prądu przy prosowaniu półfalowym jes równa:, (10) naomias warość skueczna prądu jes równa: (11) 8
9 Moc czynna i pozorna pobierana ze źródła jes równa:, (12) (13) Współczynnik mocy jes równy: (14) Moc użyeczna pobierana przez odbiornik jes równa: (15) Sprawność danego układu prosowania jes równa: (16) a) b) c) T I U 1 U 0 0 U S U 1 I 1 P U 0 R U m U m I 1 I 0 I m I m Rys. 8. Prosownik dwupulsowy: a) schema elekryczny, b) przebiegi czasowe napięcia i prądu przed prosownikiem, c) przebiegi czasowe napięcia i prądu za prosownikiem Na rysunku 8a przedsawiono układ do całofalowego prosowania prądu. Jes o zw. układ Graeza. Dla ego układu prawdziwe są nasępujące zależności. Warość średnia prądu przy prosowaniu całofalowym jes równa:, (17) naomias warość skueczna prądu jes równa: 9
10 (18) Moc czynna pobierana ze źródła jes równa: (19) Moc użyeczna pobierana przez odbiornik jes równa: (20) Sprawność danego układu prosowania jes równa: (21) Do wygładzania przebiegu wyprosowanego sosuje się filry dolnoprzepusowe. a) b) U i R i C U U R U C W 0 ω 1 ω 2 ω Rys. 9. Prosowanie półfalowe z wygładzaniem: a) schema elekryczny, b) przebieg czasowy napięcia Od chwili 1 rwa proces rozładowania kondensaora o napięciu począkowym:, (22) poprzez rezysancję R, przy czym prąd rozładowania jes wykładniczą funkcją czasu: (23) Temu prądowi odpowiada napięcie na rezysancji: (24) Proces rozładowania będzie rwał do chwili 2, w kórej napięcie na kondensaorze zrówna się z napięciem źródła w kierunku przewodzenia diody. 10
11 3. PROGRAM ĆWICZENIA 3.1. Sanowisko laboraoryjne Sanowisko Wyznaczanie wpływu emperaury na paramery diod o zespół urządzeń do badania wpływu emperaury na diodę krzemową i germanową. Pomiary będą wykonywane w oparciu o nasępujący układ: Rys. 10. Widok płyy czołowej sanowiska laboraoryjnego do wyznaczania wpływu emperaury na elemeny półprzewodnikowe, z uwzględnieniem przełączników wykorzysywanych podczas pomiarów Oznaczenia do rysunku 10: 1 - miejsce przyłączenia zasilacza prądu sałego, 2 - miejsce przyłączenia wolomierza V1, mierzącego napięcie przy włączeniu diody w kierunku zaporowym, 3 - miejsce przyłączenia miliamperomierza, mierzącego prąd przepływający przez diodę, 4 - przełącznik kierunku pracy diody (przewodzenia / zaporowy), 5 - przełącznik wyboru diody, 7 - wyłącznik grzania diod, 8 - wyłącznik chłodzenia diod. Urządzenie składa się z probówki wypełnionej olejem, w kórym zanurzone są badane elemeny półprzewodnikowe oraz układu pomiarowego. Probówka podgrzewana jes przez grzałkę, isnieje możliwość chłodzenia za pomocą wenylaorów. Pomiar emperaury realizowany jes przez cyfrowy ermomer z dołączoną ermoparą zanurzoną w oleju razem z próbkami. 11
12 Nasępny segmen sanowiska o nazwie Badanie układów z prosownikami nieserowanymi umożliwia obserwację na ekranie oscyloskopu przebiegów z układu prosowania półfalowego i całofalowego, bez wygładzenia i z wygładzeniem. Rys. 11. Widok płyy czołowej sanowiska laboraoryjnego do obserwacji przebiegów z prosowników nieserowanych, z uwzględnieniem przełączników wykorzysywanych podczas pomiarów Oznaczenia do rysunku 11: 1 - przełącznik wyboru danego rodzaju prosownika, 2 - miejsce przyłączenia oscyloskopu do obserwacji przebiegu wejściowego, 3 - miejsce przyłączenia oscyloskopu do obserwacji przebiegu wyjściowego z filrami lub bez, W1 - włącznik filra pojemnościowego 10 μf, W2 - włącznik filra pojemnościowego 100 μf, W3 - włącznik filra pojemnościowego 1000 μf, W4 - włącznik obciążenia 1 kω. Urządzeniem, na kórym obserwujemy charakerysyki jes oscyloskop usawiony na pomiar w układzie X - Y. Wybór danego rodzaju prosownika sygnalizowany jes zapaleniem się diody przy schemacie przedsawiającym dany układ prosowniczy Wyznaczanie wpływu emperaury na paramery diod półprzewodnikowych Sposób wykonania ćwiczenia: za pomocą przełącznika znajdującego się na przedniej ściance sanowiska wybrać opcję Charakerysyki, do gniazd (2), (3), (6) (rysunek 10) podłączyć odpowiednie mierniki, podłączyć miernik emperaury, do gniazda (1) podłączyć zasilacz laboraoryjny Cobrabid KB (kanał A), przed włączeniem zasilacza sprawdzić usawienie poencjomeru regulacji napięcia na 0, 12
13 usawić zakres regulacji napięcia Vols na pozycję 0 (zakres od 0 V do 10 V) oraz ograniczenie prądowe Curren limi na 1 A, przełącznikiem (4) usawić zaporowy kierunek pracy diody, za pomocą poencjomeru zasilacza usawić warość 3 V na wolomierzu V2, przełącznikiem (5) dokonać wyboru diody do pomiaru (dioda germanowa lub krzemowa), włącznikiem (7) zasilić grzałkę i uważnie obserwować wskazania miernika emperaury, w chwili, gdy emperaura na mierniku osiągnie warość 73 C wyłączyć grzałkę i zaczekać aż emperaura osiągnie warość 100 C, odczyać wskazania mikroamperomierza w zakresie emperaur od 100 C do 25 C, chłodzenie można włączyć od emperaury 50 C w dół. Tabela 2. Wyniki pomiarów diod półprzewodnikowych z krzemu i germanu U 2 Krzem German p T p = p +273 I p T p = p +273 I C K μa C K μa , , , , , ,5 3V 70 67, , , , , , , , , ,5 13
14 3.3. Obserwacja przebiegów wyjściowych z prosowników nieserowanych Sposób wykonania ćwiczenia: za pomocą przełącznika znajdującego się na przedniej ściance sanowiska wybrać opcję Prosowniki, podłączyć oscyloskop pod wyjścia kóre chcemy badać (zasosować nasępujące usawienia oscyloskopu: TIME - 5 ms, AMPLITUDA - 5 V, KANAŁ - Y), za pomocą przełącznika (1) (rysunek 11) wybrać rodzaj prosownika do przeprowadzenia obserwacji, zaobserwować na ekranie oscyloskopu przebiegi z prosowników półfalowych z wygładzaniem i bez wygładzania oraz całofalowych z wygładzaniem i bez wygładzania. 4. OPRACOWANIE SPRAWOZDANIA Na podsawie uzyskanych wyników należy wykreślić charakerysyki zbadanych diod półprzewodnikowych. Z charakerysyk diod należy odczyać napięcia progowe, przy kórych dana dioda zaczyna przewodzić (punk przecięcia sycznej do charakerysyki z osią X). Nasępnie należy wykreślić charakerysyki ln(i) = f(1000/t) dla badanych próbek. Z wykresu należy wybrać odcinek prosoliniowy o największej sromości (podobnie jak odcinek 1 na rysunku 2) i odczyać warości i 1, i 2 oraz 1000/T 1, 1000/T 2. Warości przerwy energeycznej E G należy obliczyć, korzysając ze wzoru:, (25) gdzie k = 8, ev/k. Sposób wyznaczania warości przerwy E G : warości emperaury p z abeli 2, podane w C, przeliczyć na Kelwiny:, K (26) wyliczyć warość 1000/T p, warości prądu I przeliczyć na Ampery, wykreślić charakerysykę ln(i) = f(1000/t p ), wybrać odcinek o największej sromości i poprowadzić przez niego syczną, odczyać z wykresu warości punków przecięcia sycznej z osiami (rysunek 12), wyliczyć warości E G ze wzoru (25), 14
15 wykreślić przebiegi wyjściowe z prosownika półfalowego oraz całofalowego, z wygładzaniem oraz bez wygładzania, opracować wnioski z wykonanego ćwiczenia. i 2 ln(i), A Rys. 12. Przykładowy wykres zależności ln(i) = f(1000/t p ) wraz z wykreśloną syczną, wyznaczającą warości i 1, i 2 oraz 1000/T 1, 1000/T 2 i /T /T /T p, K 5. PYTANIA KONTROLNE Charakerysyki i paramery diod prosowniczych. Właściwości diody Zenera. Właściwości złącza p - n. Półprzewodnik samoisny i domieszkowany, rodzaje domieszkowania. Model pasmowy półprzewodnika. Rozparz złącze p - n spolaryzowane w kierunku przewodzenia i zaporowym. Omawiając zachodzące zjawiska fizyczne wykaż, że ma ono właściwości prosownicze. Wpływ emperaury na przewodzenie prądu przez złącze p - n. 15
LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 6 WŁASNOŚCI DYNAMICZNE DIOD
1. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 6 WŁASNOŚCI DYNAMICZNE DIOD Celem ćwiczenia jes poznanie własności dynamicznych diod półprzewodnikowych. Obejmuje ono zbadanie sanów przejściowych podczas procesu przełączania
Bardziej szczegółowoTemat: Wyznaczanie charakterystyk baterii słonecznej.
Ćwiczenie Nr 356 Tema: Wyznaczanie charakerysyk baerii słonecznej. I. Lieraura. W. M. Lewandowski Proekologiczne odnawialne źródła energii, WNT, 007 (www.e-link.com.pl). Ćwiczenia laboraoryjne z fizyki
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PROSTOWNIKI
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 5 PROSTOWNIKI DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM Z ELEKTRONIKI
LABORAORIM Z ELEKRONIKI PROSOWNIKI Józef Boksa WA 01 1. PROSOWANIKI...3 1.1. CEL ĆWICZENIA...3 1.. WPROWADZENIE...3 1..1. Prosowanie...3 1.3. PROSOWNIKI NAPIĘCIA...3 1.4. SCHEMAY BLOKOWE KŁADÓW POMIAROWYCH...5
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoPodstawy elektrotechniki
Wydział Mechaniczno-Energeyczny Podsawy elekroechniki Prof. dr hab. inż. Juliusz B. Gajewski, prof. zw. PWr Wybrzeże S. Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław Bud. A4 Sara kołownia, pokój 359 Tel.: 7 320 320
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoRys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)
Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone
Bardziej szczegółowoInstytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka
Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 43 U R I (1)
ĆWCZENE N 43 POMY OPO METODĄ TECHNCZNĄ Cel ćwiczenia: wyznaczenie warości oporu oporników poprzez pomiary naężania prądu płynącego przez opornik oraz napięcia na oporniku Wsęp W celu wyznaczenia warości
Bardziej szczegółowo4.2. Obliczanie przewodów grzejnych metodą dopuszczalnego obciążenia powierzchniowego
4.. Obliczanie przewodów grzejnych meodą dopuszczalnego obciążenia powierzchniowego Meodą częściej sosowaną w prakyce projekowej niż poprzednia, jes meoda dopuszczalnego obciążenia powierzchniowego. W
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoWykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
Bardziej szczegółowoĆ W I C Z E N I E N R E-9
INSTYTT FIZYKI WYDZIAŁ INŻYNIERII PRODKJI I TEHNOLOGII MATERIAŁÓW POLITEHNIKA ZĘSTOHOWSKA PRAOWNIA ELEKTRYZNOŚI I MAGNETYZM Ć W I Z E N I E N R E-9 DRGANIA RELAKSAYJNE I. Zagadnienia do przesudiowania
Bardziej szczegółowo( 3 ) Kondensator o pojemności C naładowany do różnicy potencjałów U posiada ładunek: q = C U. ( 4 ) Eliminując U z równania (3) i (4) otrzymamy: =
ROZŁADOWANIE KONDENSATORA I. el ćwiczenia: wyznaczenie zależności napięcia (i/lub prądu I ) rozładowania kondensaora w funkcji czasu : = (), wyznaczanie sałej czasowej τ =. II. Przyrządy: III. Lieraura:
Bardziej szczegółowoBadanie funktorów logicznych TTL - ćwiczenie 1
adanie funkorów logicznych TTL - ćwiczenie 1 1. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podsawowymi srukurami funkorów logicznych realizowanych w echnice TTL (Transisor Transisor Logic), ich podsawowymi paramerami
Bardziej szczegółowoW1. Właściwości elektryczne ciał stałych
W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.
WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoczułość normalną, odniesioną do srumienia świelnego lub oświelenia wywarzanego przez wzorcowe źródło świała, wydajność kwanową lub zw. charakerysykę c
BADANIE WŁAŚCIWOŚCI FOTOOPORNIKA I FOTOOGNIWA I. Cel ćwiczenia: wprowadzenie w problemaykę oomerii izycznej półprzewodnikowych deekorów świała widzialnego oraz zbadanie właściwości ooopornika i ooogniwa
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i Układy Półprzewodnikowe
VI. Prostownik jedno i dwupołówkowy Cel ćwiczenia: Poznanie zasady działania układu prostownika jedno i dwupołówkowego. A) Wstęp teoretyczny Prostownik jest układem elektrycznym stosowanym do zamiany prądu
Bardziej szczegółowoWydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki. Badanie zasilaczy ze stabilizacją napięcia
Wydział Mechaniczno-Energeyczny Laboraorium Elekroniki Badanie zasilaczy ze sabilizacją napięcia 1. Wsęp eoreyczny Prawie wszyskie układy elekroniczne (zarówno analogowe, jak i cyfrowe) do poprawnej pracy
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 Badanie stanów nieustalonych w obwodach RL, RC i RLC przy wymuszeniu stałym
ĆWIZENIE 4 Badanie sanów nieusalonych w obwodach, i przy wymuszeniu sałym. el ćwiczenia Zapoznanie się z rozpływem prądów, rozkładem w sanach nieusalonych w obwodach szeregowych, i Zapoznanie się ze sposobami
Bardziej szczegółowoĆwiczenie E-5 UKŁADY PROSTUJĄCE
KŁADY PROSJĄCE I. Cel ćwiczenia: pomiar podsawowych paramerów prosownika jedno- i dwupołówkowego oraz najprosszych filrów. II. Przyrządy: płyka monaŝowa, wolomierz magneoelekryczny, wolomierz elekrodynamiczny
Bardziej szczegółowoE5. KONDENSATOR W OBWODZIE PRĄDU STAŁEGO
E5. KONDENSATOR W OBWODZIE PRĄDU STAŁEGO Marek Pękała i Jadwiga Szydłowska Procesy rozładowania kondensaora i drgania relaksacyjne w obwodach RC należą do szerokiej klasy procesów relaksacyjnych. Procesy
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie
Bardziej szczegółowoI. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA
1 I. DIODA LKTROLUMINSCNCYJNA Cel ćwiczenia : Pomiar charakterystyk elektrycznych diod elektroluminescencyjnych. Zagadnienia: misja spontaniczna, złącze p-n, zasada działania diody elektroluminescencyjnej
Bardziej szczegółowoDIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym
Bardziej szczegółowoEFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE
ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowo2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.
2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMA GÓNCO-HTNCA M. STANSŁAWA STASCA W KAKOWE Wydział nformayki, Elekroniki i Telekomunikacji Kaedra Elekroniki ELEMENTY ELEKTONCNE dr inż. Pior Dziurdzia paw. C-3, pokój 413; el. 617-27-02, pior.dziurdzia@agh.edu.pl
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoWSTĘP DO ELEKTRONIKI
WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część I Napięcie, naężenie i moc prądu elekrycznego Sygnały elekryczne i ich klasyfikacja Rodzaje układów elekronicznych Janusz Brzychczyk IF UJ Elekronika Dziedzina nauki i echniki
Bardziej szczegółowoPodstawy elektrotechniki
Wydział Mechaniczno-Energeyczny Podsawy elekroechniki Prof. dr hab. inż. Juliusz B. Gajewski, prof. zw. PWr Wybrzeże S. Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław Bud. A4 Sara kołownia, pokój 359 Tel.: 71 320 3201
Bardziej szczegółowoPolitechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i Automatyki Katedra Inżynierii Systemów Sterowania. Podstawy Automatyki
Poliechnika Gdańska Wydział Elekroechniki i Auomayki Kaedra Inżynierii Sysemów Serowania Podsawy Auomayki Repeyorium z Podsaw auomayki Zadania do ćwiczeń ermin T15 Opracowanie: Kazimierz Duzinkiewicz,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚLĄSKA W GLIWICACH WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA i ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN i URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH
POLIECHNIKA ŚLĄSKA W GLIWICACH WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA i ENERGEYKI INSYU MASZYN i URZĄDZEŃ ENERGEYCZNYCH IDENYFIKACJA PARAMERÓW RANSMIANCJI Laboraorium auomayki (A ) Opracował: Sprawdził: Zawierdził:
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia. Podstawowe informacje. eu exp mkt ] 1 (1) I =I S[
Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z diodami półprzewodnikowymi poprzez pomiar ich charakterystyk prądowonapięciowych oraz jednoczesne doskonalenie techniki pomiarowej. Zakres ćwiczenia
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza)
Instrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza) Laboratorium Elektroenergetyki 1 1. Cel i program ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: zapoznanie się z budową diody półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoWYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.
Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.1/10 ĆWICZENIE 1 WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.CEL ĆWICZENIA: Zapoznanie się z podstawowymi
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna
Półprzewodniki samoistne Struktura krystaliczna Si a5.43 A GaAs a5.63 A ajczęściej: struktura diamentu i blendy cynkowej (ZnS) 1 Wiązania chemiczne Wiązania kowalencyjne i kowalencyjno-jonowe 0K wszystkie
Bardziej szczegółowoWykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Bardziej szczegółowoPOMIAR ZALEŻNOŚCI OPORU METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY
ĆWICZENIE 44 POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORU METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY Cel ćwiczenia: Pomiar zależności oporu elektrycznego (rezystancji) metalu i półprzewodnika od temperatury oraz wyznaczenie temperaturowego
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoDOBÓR PRZEKROJU ŻYŁY POWROTNEJ W KABLACH ELEKTROENERGETYCZNYCH
Franciszek SPYRA ZPBE Energopomiar Elekryka, Gliwice Marian URBAŃCZYK Insyu Fizyki Poliechnika Śląska, Gliwice DOBÓR PRZEKROJU ŻYŁY POWROTNEJ W KABLACH ELEKTROENERGETYCZNYCH. Wsęp Zagadnienie poprawnego
Bardziej szczegółowoGr.A, Zad.1. Gr.A, Zad.2 U CC R C1 R C2. U wy T 1 T 2. U we T 3 T 4 U EE
Niekóre z zadań dają się rozwiązać niemal w pamięci, pamięaj jednak, że warunkiem uzyskania różnej od zera liczby punków za każde zadanie, jes przedsawienie, oprócz samego wyniku, akże rozwiązania, wyjaśniającego
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Tema ćwiczenia: BADANIE MULTIWIBRATORA UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI. 2. 3. Imię i Nazwisko 4. Daa wykonania Daa oddania Ocena Kierunek Rok sudiów
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoZłącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoGłównie występuje w ośrodkach gazowych i ciekłych.
W/g ermodynamiki - ciepło jes jednym ze sposobów ransporu energii do/z bila, zysy przepływ ciepła może wysąpić jedynie w ciałach sałych pozosających w spoczynku. Proces wymiany ciepla: przejmowanie ciepła
Bardziej szczegółowoDiody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.
Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa
Ćwiczenie 123 Ćwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa Cel ćwiczenia Poznanie własności warstwowych złącz półprzewodnikowych typu p-n. Wyznaczenie i analiza charakterystyk stałoprądowych dla różnych typów
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Politechniki Wrocławskiej TUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki = f(u) złącza p-n.. Zagadnienia do samodzielnego
Bardziej szczegółowoBADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 241. Wyznaczanie ładunku elektronu na podstawie charakterystyki złącza p-n (diody półprzewodnikowej) .. Ω.
Nazwisko... Data... Nr na liście... Imię... Wydział... Dzień tyg.... Godzina... Ćwiczenie 241 Wyznaczanie ładunku elektronu na podstawie charakterystyki złącza p-n (diody półprzewodnikowej) Opór opornika
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoPrzerwa energetyczna w germanie
Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2 Temat: Wpływ temperatury na charakterystyki i parametry statyczne diod Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie wpływu temperatury na charakterystyki i
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 39 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ
Piotr Janas Zakład Fizyki, Uniwersytet Rolniczy Do użytku wewnętrznego ĆWICZENIE 39 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ Kraków 2015 SPIS TREŚCI I. CZĘŚĆ TEORETYCZNA... 2 1. ELEMENTY PASMOWEJ
Bardziej szczegółowoĆw. III. Dioda Zenera
Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław ynowiec, Bogusław
Bardziej szczegółowoZłącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoBadanie diody półprzewodnikowej
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 2 Pracownia Elektroniki Badanie diody półprzewodnikowej Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: (Oprac dr Radosław Gąsowski) półprzewodniki samoistne
Bardziej szczegółowo19. Zasilacze impulsowe
19. Zasilacze impulsowe 19.1. Wsęp Sieć energeyczna (np. 230V, 50 Hz Prosownik sieciowy Rys. 19.1.1. Zasilacz o działaniu ciągłym Sabilizaor napięcia Napięcie sałe R 0 Napięcie sałe E A Zasilacz impulsowy
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoSTABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO. 1. Wiadomości wstępne
STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO 1. Wiadomości wstępne Stabilizatory napięcia stałego są to układy elektryczne dostarczające do odbiornika napięcie o stałej wartości niezależnie od zmian w określonych granicach:
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY 1.WIADOMOŚCI OGÓLNE
Laboratorium z Fizyki Materiałów 00 Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY.WIADOMOŚCI OGÓLNE Przewodnictwo elektryczne ciał stałych można opisać korzystając
Bardziej szczegółowoPOMIAR PARAMETRÓW SYGNAŁOW NAPIĘCIOWYCH METODĄ PRÓKOWANIA I CYFROWEGO PRZETWARZANIA SYGNAŁU
Pomiar paramerów sygnałów napięciowych. POMIAR PARAMERÓW SYGNAŁOW NAPIĘCIOWYCH MEODĄ PRÓKOWANIA I CYFROWEGO PRZEWARZANIA SYGNAŁU Cel ćwiczenia Poznanie warunków prawidłowego wyznaczania elemenarnych paramerów
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN
Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wprowadzenie Budowa atomu: a) model starożytny b) model J.J. Thompsona c) model E. Rutherforda
Bardziej szczegółowoĆ w i c z e n i e 1 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH
Ć w i c z e n i e 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH. Wiadomości ogólne Prostowniki są to urządzenia przetwarzające prąd przemienny na jednokierunkowy. Prostowniki stosowane są m.in. do ładowania akumulatorów,
Bardziej szczegółowoĆw. S-II.2 CHARAKTERYSTYKI SKOKOWE ELEMENTÓW AUTOMATYKI
Dr inż. Michał Chłędowski PODSAWY AUOMAYKI I ROBOYKI LABORAORIUM Ćw. S-II. CHARAKERYSYKI SKOKOWE ELEMENÓW AUOMAYKI Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jes zapoznanie się z pojęciem charakerysyki skokowej h(),
Bardziej szczegółowoBadanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)
Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) 1. Wymagane zagadnienia - ruch ładunku w polu magnetycznym, siła Lorentza, pole elektryczne - omówić zjawisko Halla, wyprowadzić wzór na napięcie
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA w Kielcach WYDZIAŁ MECHATRONIKI I BUDOWY MASZYN KATEDRA URZĄDZEŃ MECHATRONICZNYCH LABORATORIUM FIZYKI INSTRUKCJA
POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA w Kielcach WYDZIAŁ MECHATRONIKI I BUDOWY MASZYN KATEDRA URZĄDZEŃ MECHATRONICZNYCH LABORATORIUM FIZYKI INSTRUKCJA ĆWICZENIE LABORATORYJNE NR 6 Temat: Pomiar zależności oporu półprzewodników
Bardziej szczegółowoTemat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych
INSTYTUT SYSTEMÓW INŻYNIERII ELEKTRYCZNEJ POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ WYDZIAŁ: KIERUNEK: ROK AKADEMICKI: SEMESTR: NR. GRUPY LAB: SPRAWOZDANIE Z ĆWICZEŃ W LABORATORIUM METROLOGII ELEKTRYCZNEJ I ELEKTRONICZNEJ
Bardziej szczegółowoF = e(v B) (2) F = evb (3)
Sprawozdanie z fizyki współczesnej 1 1 Część teoretyczna Umieśćmy płytkę o szerokości a, grubości d i długości l, przez którą płynie prąd o natężeniu I, w poprzecznym polu magnetycznym o indukcji B. Wówczas
Bardziej szczegółowoStruktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Bardziej szczegółowoelektryczne ciał stałych
Wykład 23: Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ 08.06.2017 1 2 Własności elektryczne
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
Bardziej szczegółowo