I. Przełączanie diody

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "I. Przełączanie diody"

Transkrypt

1 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 I. Przełączanie diody 1. Trochę eorii an przejściowy pomiędzy sanem przewodzenia diod, a sanem nieprzewodzenia opisuje się za pomocą parameru/ów czasowego/ych. Mamy więc najprosszy elemen półprzewodnikowy (dwójnik), kóry powinniśmy opisać za pomocą akiego parameru czasowego, aby w oparciu o jego warość, można było dokonać szybkiego wyboru elemenu najbardziej odpowiedniego do naszej aplikacji. Wybrany paramer winien być jednoznacznie opisany. W sposób jednoznaczny określone muszą być warunki jego pomiaru (czyli; zawsze należy porównywać jabłka z jabłkami ). Preferowaną meodę pomiaru zawsze wybiera użykownik. kukiem ego, o samo zjawisko fizyczne będzie inaczej oceniane przez elekronika, inaczej przez fizyka, jeszcze inaczej przez informayka. Tak więc, o samo zjawisko fizyczne (szybkość zaniku nośników prądu w diodzie): elekronik określi za pomocą parameru off (czas wyłączania), fizyk określi za pomocą parameru B (czas życia), informayk (program PE) określi za pomocą parameru TT (czas przelou). ą o oczywiście różne paramery, chociaż doyczą ego samego zjawiska fizycznego. ależy również wyraźnie swierdzić, że nie ma pomiędzy ymi paramerami jednoznacznych zależności. Tym niemniej, każda perspekywa ma swoje zaley. Perspekywa elekronika jes ważna ze względu na ławość weryfikacji, perspekywa fizyka w sposób jednoznaczny opisuje właściwości samego maeriału półprzewodnikowego, naomias perspekywa informayka w sposób syneyczny opisuje właściwości złącza. Obejmuje ona nie ylko czas życia nośników, lecz również procesy rekombinacji na konakach oraz efeky związane z ograniczoną długością bazy złącza P W ćwiczeniu nr 3 doyczącym efeków dynamicznych przełączania diody skoncenrowano się na pomiarach czasu życia i czasu przelou nośników. Poniżej, na rysunku 1 przedsawiono schemaycznie diodę półprzewodnikową P oraz rozkład nośników nadmiarowych w bazie ( - ) przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia. W związku z ograniczoną długością bazy (obszar - ) nie wszyskie nośniki nadmiarowe ulegną rekombinacji w jej obszarze. Pewna część nośników ulegnie rekombinacji dopiero w warswie konakowej ( + ). Już en fak sprawia, że dokładne wyznaczenie czasu życia nośników jes rudne. Dla przeprowadzenia dokładnego pomiaru czasu życia nośników obszar ( - ) winien rozciągać się do nieskończoności. Ponieważ w prakyce jes o niemożliwe, za warunek wysarczający przyjmuje się jeżeli długość bazy ( - ) jes wielokronie większa od średniej drogi dyfuzji nośników mniejszościowych, a efeky związane z przemieszczeniem się ładunków w obszarach konakowych są pomijane. ajkorzysniejsze są więc akie meody, gdzie efeky związane ze zjawiskami konakowymi są wyeliminowane np. meoda generacji nośników nadmiarowych za KATEDA ELEKTOIKI AGH ver

2 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 pośrednicwem błysków świelnych połączona z obserwacją zaniku przewodnicwa. Meoda a jes sosowana przy ocenie jakości wafli. łuży między innymi do oceny ilości defeków. ys. 1. ozkład koncenracji nadmiarowych nośników w bazie i warswie konakowej 2. Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych. W ćwiczeniu do oceny czasu życia zasosujemy meodę mniej doskonałą (nieuchronne zjawiska konakowe) polegającą na pomiarze zaniku napięcia na diodzie po rozwarciu obwodu polaryzującego diodę (Open Circui Volage Decay OCVD). Przy nagłym odłączenia obwodu polaryzacji diody nadmiarowe nośniki mniejszościowe znajdujące się w obszarze bazy diody ( - ), skukiem procesu rekombinacji będą zanikać według funkcji: n n ( ) ( 0 ) e (1) gdzie, sała czasowa, czyli czas po kórym koncenracja nośników nadmiarowych maleje aomias równanie: e-razy. n ( n ( 0 ) e określa warość wewnęrznego prądu rekombinacji. KATEDA ELEKTOIKI AGH ver ) Z drugiej srony, zależność pomiędzy prądem (I D ), a napięciem na diodzie (U D ) określa wzór (hockleya): gdzie: I prąd nasycenia, I D U n D q kt U n D I ( e 1) I e (3) n współczynnik emisji (nieidealności) złącza, q ładunek elekronu, k sała Bolzmana, T emperaura. q kt (2)

3 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 Załóżmy hipoeycznie, że po pewnym czasie, od chwili rozwarcia obwodu, chcemy powsrzymać dalszy zanik nośników mniejszościowych w obszarze bazy. W ym celu należałoby na diodę w ym właśnie momencie przyłożyć pewną warość napięcia U 1, aką kóra spowoduje przepływ zewnęrznego prądu kompensującego wewnęrzny prąd rekombinacji. Zaem: 1 U n 1 n ( 1) n( 0) e I e Analogiczne równanie można zapisać dla innego momenu czasowego 2, a po podzieleniu przez siebie obu równań orzymamy: e e q( U1 U2 ) nkt 1 2 Zaem, sała czasowa może być określona za pomocą wzoru: n kt (6) q U Określa ona wypadkowy czas życia, uwzględniający wpływ czasu życia nośników mniejszościowych w warswie konakowej. Dla krókiej bazy wynik pomiaru zbliżony jes do czasu życia nośników w warswie konakowej. Dokonując pomiarów sałej czasowej zauważymy, że na podsawie oscylogramu można wyznaczyć również drugą sałą czasową, kóra określa czas życia w słabo domieszkowanym obszarze bazy ( - ). Zjawisko o wyjaśnia rysunek poniżej (rys. 2). Współczynnik emisji (nieidealności) n można wyznaczyć w oparciu o pomiary sayczne. q kt (4) (5) ys. 2. posób pomiaru czasu życia nośników 3. Czas przelou nośników mniejszościowych. W programie przeznaczonym do symulacji układów elekronicznych PE właściwości diody w dziedzinie czasu określa paramer TT nazywany czasem przelou (ransi ime). Jak sama nazwa sugeruje określa on czas przejścia nośników mniejszościowych przez pewien obszar, uaj KATEDA ELEKTOIKI AGH ver

4 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 - bazy. Przyjęcie ego erminu ma swoje uzasadnienie, ponieważ długość bazy ma znacznie silniejszy wpływ na wielkość ładunku nośników mniejszościowych, aniżeli czas życia nadmiarowych nośników mniejszościowych. Ładunek nośników nadmiarowych, kóry głównie zgromadzony jes w słabo domieszkowanym obszarze bazy ( - ), jes wpros proporcjonalny do naężenia przepływającego przez diodę prądu w kierunku przewodzenia (I F ) oraz czasu przelou nadmiarowych nośników mniejszościowych: TT (7) I F Jeżeli nagle zmienimy kierunek przepływającego przez diodę prądu (zmiana polaryzacji przewodzącej na zaporową), o zgromadzony ładunek będzie zanikać wskuek dwóch czynników: wewnęrznego prądu rekombinacji po dojściu nośników do warswy konakowej, zewnęrznego prądu polaryzacji. Zmianę ładunku wskuek ych czynników wyraża wzór poniżej: TT Po zróżniczkowaniu równania (8) orzymamy: TT 2 2 I ozwiązaniem równania (9) jes funkcja w posaci: asępnie po podsawieniu (10) do (8) orzymamy: TT 0 ( ) A e B (10) B I (11) W momencie zmiany kierunku prądu czyli w czasie =0 (warunek począkowy): Zaem, Osaecznie orzymujemy: TT I F Ae A I I ) TT F TT TT I ależy eraz ylko obliczyć czas po kórym () jes równe zero: (8) (9) (12) ( (13) F TT ( ) TT ( I I ) e TT I (14) I I F TT ln (15) I Zależność (15) umożliwia obliczenie czasu przepływu prądu przez diodę po nagłej zmianie polaryzacji diody z normalnej na rewersyjną. W oparciu o zmierzony czas magazynowania ( s ), KATEDA ELEKTOIKI AGH ver

5 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 równanie o, pozwala określić czas przelou nośników mniejszościowych. Pokazuje również jak dodakowy prąd rewersyjny może przyspieszyć proces wyłączania diody. posób pomiaru czasu magazynowania wyjaśnia rysunek 3. ys. 3. posób pomiaru czasu magazynowania Przygoowując o moje widzimisię korzysałem za nasępujących pozycji: 1. Lifeime Facors in ilicon, American ociey for Tesing and Maerials, 1980, 2. Jacek Izydorczyk, Pspice- kompuerowa symulacja układów elekronicznych, HELIO, ZbigMag KATEDA ELEKTOIKI AGH ver

6 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 II. Przełączanie ranzysora bipolarnego 1. Wsęp ormalnym sanem pracy ranzysora bipolarnego są akie warunki pracy, że w sanie spoczynkowym, czyli bez sygnału wejściowego, warość prądu kolekora jes równa połowie maksymalnej warości prądu kolekora w danym układzie aplikacyjnym. Dzięki emu możliwe jes wywołanie zarówno dodanich przyrosów prądu kolekora jak i ujemnych przyrosów (zmniejszenia warości) w zależności od sygnału wejściowego. Ten ryb pracy ranzysora (nazywany klasą A) zapewnia najmniejszy sopień zniekszałceń wzmocnionego sygnału wejściowego. osowany jes w większości wzmacniaczy sygnałowych oraz wzmacniaczy pomiarowych. Cechą charakerysyczną ego ypu pracy jes fak, że niezależnie od ampliudy sygnału wejściowego w kolekorze ranzysora racona jes energia, kóra przekracza warość maksymalnej energii, kóra jes przekazywana do kolejnego sopnia, czyli odbiornika. Mówimy, że aki wzmacniacz ma małą sprawność energeyczną, kórą określamy jako sosunek mocy wyjściowej do całkowiej mocy dosarczonej do wzmacniacza. W przypadku wspomnianej klasy sprawność energeyczna jes mniejsza od 25%. Tryb pracy w kórym ranzysor pracuje jako łącznik prądowy (klucz) zapewnia uzyskanie znacznie większej sprawności energeycznej. Dzięki sosunkowo dużej szybkości przełączania możliwe jes znaczne zmniejszenie gabaryów elemenów indukcyjnych, co przekłada się na wielokronie mniejszą wagę, rozmiary i koszy maeriałów. Przykładowo ransformaor o mocy 100W odbiornika radiowego z la 60-ych ważył ok. 2 kg. Obecnie zasilacz kompuera o mocy 300 W ma masę ok. 0,3 kg, a całkowia masa wszyskich elemenów zawarych w nim elemenów indukcyjnych nie przekracza 100 g. Impulsowy ryb pracy ranzysora sanowi więc alernaywę w sosunku do wspomnianego wcześniej rybu ciągłego. W ćwiczeniu zosanie pokazane, że poprawa jednego z paramerów (sprawności energeycznej) opłacona jes pogorszeniem innego parameru. W języku angielskim doskonale określa o słowo rade-off. Waro zapamięać o słowo, ponieważ w prakyce niemal zawsze, poprawę jednego z paramerów uzyskuje się koszem innego. Idealny łącznik powinien posiadać nasępujące paramery: rezysancja w sanie załączonym = 0[ rezysancja w sanie wyłączonym = [ opóźnienie przy załączaniu = 0sek. opóźnienie przy wyłączaniu = 0sek. dopuszczalne napięcie na łączniku w sanie rozłączenia = [V] W rzeczywisym łączniku każdy z wymienionych paramerów jes ograniczony. a rysunku poniżej (ys. 1) przedsawiono charakerysyki napięciowo prądowe ranzysora bipolarnego, gdzie paramerem jes prąd bazy. akreślono eż charakerysykę napięciowo KATEDA ELEKTOIKI AGH ver

7 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 prądową rezysora połączonego szeregowo z łącznikiem ranzysorowym i dołączonego do źródła napięcia zasilania. ys. 1. Charakerysyki wyjściowe ranzysora bipolarnego i prosa obciążenia w układzie WE W celu określenia warości prądu płynącego przez oba elemeny. Charakerysykę napięciowo prądową rezysora C przesunięo do punku odpowiadającego warości napięcia zasilającego U Z. nasępnie dokonano obrou przesunięej charakerysyki wokół werykalnej osi w punkcie U Z. Odwrócona charakerysyka rezysora C sanowi graficzne rozwiązanie równania opisującego zależność pomiędzy napięciem na ranzysorze, a warością prądu kolekora: U CE U Z Oznacza o, że wszyskie rozwiązania równania (1) znajdują się na odcinku prosej pomiędzy punkami: {0 [V], U Z / C [A]}, { U Z [V], 0 [A]}. Ten odcinek odwróconej charakerysyki rezysora C (w przypadku wzmacniacza C) czasami nazywany jes prosą pracy. Ponieważ ranzysor bipolarny serowany jes za pośrednicwem prądu bazy, dla określonej warości prądu bazy orzymamy szczególne rozwiązanie równania (1). Będzie o punk przecięcia odwróconej charakerysyki rezysora C z charakerysyką wyjściową ranzysora dla określonej warości prądu bazy. a rysunku 1 nakreślono akże charakerysykę napięciowo prądową ranzysora bipolarnego, w kórym baza ranzysora zosała połączona z kolekorem ranzysora. Charakerysyka KATEDA ELEKTOIKI AGH ver C I gdzie: U CE napięcie pomiędzy emierem i kolekorem ranzysora, U Z napięcie zasilające, I C prąd kolekora, rezysancja obciążenia. C (1)

8 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 napięciowo prądowa, ak skonfigurowanego dwójnika, rozdziela rodzinę charakerysyk wyjściowych ranzysora bipolarnego na dwa obszary. Obszar pracy normalnej (jeżeli U CE >U BE ) i obszar pracy w sanie nasycenia (jeżeli U CE <U BE ). Czym się różnią oba e obszary? 2. Praca ranzysora w sanie normalnym W sanie pracy normalnej ranzysor jes przewidywalny, zn. zależność pomiędzy prądem kolekora i prądem bazy określona jes jednoznaczną zależnością I C = I B. W sanie nasycenia I C < I B, a dalsze zwiększanie warości prądu bazy ma niewielki wpływ na warość prądu kolekora. Z uwagi na fak, że ranzysor pełni funkcję łącznika korzysne jes, aby warość napięcia pomiędzy kolekorem i emierem była jak najniższa, wówczas moc racona na łączniku w sanie załączenia, kóra jes iloczynem napięcia kolekor-emier i prądu kolekora, będzie minimalna. ilne przeserowanie ranzysora zmniejsza warość napięcia kolekor emier dla sanu załączenia, jednakże na skuek przeserowania nasępuje pogorszenie paramerów w ranzysora/łącznika w dziedzinie częsoliwości. Czasy załączenia i wyłączenia ulegają wydłużeniu, co ogranicza maksymalną częsoliwość pracy. ysunek 2 przedsawia rozkład nośników mniejszościowych dla uproszczonego, jednowymiarowego model ranzysora bipolarnego. ys. 2. ozkład koncenracji nadmiarowych nośników w obszarze neuralnym bazy dla normalnego sanu pracy (U CE > U BE ). Odłączenie prądu emiera spowoduje sopniowy zanik ładunku, co ilusrują kolejne wykresy 1, 2, id.. Wsrzykiwane przez emier nośniki w obszarze neuralnym bazy (brak pola elekrycznego) przemieszczają się na skuek dyfuzji w kierunku kolekora, gdzie ulegną rekombinacji, co spowoduje przepływ prądu kolekora. Aby proces dyfuzji mógł zachodzić w określonym kierunku musi isnieć ujemny gradien koncenracji. Zaem, dla określonej warości prądu emiera rozkład koncenracji nośników można przedsawić za pomocą funkcji n(x, =0). KATEDA ELEKTOIKI AGH ver

9 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 Jeżeli w chwili 0 zosanie przerwane wsrzykiwanie nośników przez emier (czyli wyłączony zosanie prąd bazy) ładunek będzie sopniowo zanikać jak pokazano na rysunku 2, maleć będzie gradien koncenracji, a więc i warość prądu kolekora. W warunkach normalnego sanu pracy (złącze baza kolekor spolaryzowane zaporowo) ładunek nośników nadmiarowych w obszarze bazy jes wpros proporcjonalny do naężenia przepływającego prądu oraz czasu przelou nadmiarowych nośników mniejszościowych przez obszar bazy. gdzie: TT I C TT czas przelou nośników prze bazę, I C prąd kolekora (1) 3. Praca ranzysora w sanie nasycenia Jeżeli do bazy zosanie doprowadzony prąd o warości większej aniżeli (I C /) napięcie kolekor emier zmaleje do akiego poziomu, że złącze kolekora-baza zosanie spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Kolekor nie zbierze wszyskich nośników, skukiem czego uż przy kolekorze wzrośnie koncenracja nośników nadmiarowych. W efekcie w obszarze bazy zosanie zgromadzony dodakowy ładunek nośników mniejszościowych, kórego warość można wyrazić jako: ( I BF ) (2) gdzie: τ - czas usuwania dodakowych-nadmiarowych 1 nośników mniejszościowych. Ten dodakowy ładunek w obszarze bazy silnie opóźnia proces wyłączania ranzysora. Jeżeli w chwili 0 zosanie przerwane wsrzykiwanie nośników przez emier (czyli wyłączony zosanie prąd bazy) prąd kolekora będzie jeszcze płynąć przez pewien okres czasu τ, a jego warość nadal będzie ograniczona przez rezysancję obciążenia. Ładunek nadmiarowych nośników mniejszościowych będzie maleć do momenu τ (jak pokazano na rysunku 3). Począwszy od momenu τ rozpocznie się proces wyłączania ranzysora, a prąd kolekora zacznie maleć, ponieważ od ego momenu zmieniać się będzie gradien koncenracji nośników mniejszościowych. Jeżeli nagle wsrzymamy przepływ prądu emiera, o zgromadzony ładunek będzie zanikać wskuek rzech czynników: 1. przemieszczania się dodakowych-nadmiarowych 1 nośników do kolekora, 2. zewnęrznego prądu polaryzacji bazy I, 3. przemieszczania się nadmiarowych nośników do kolekora. 1 Przez pojęcie dodakowe-nadmiarowe nośniki mniejszościowe należy rozumieć ylko ę część nośników, kóre sanowią ładunek, ermin nadmiarowe nośniki doyczy ylko ładunku KATEDA ELEKTOIKI AGH ver

10 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 ys. 3. ozkład koncenracji nadmiarowych nośników w obszarze neuralnym bazy dla sanu nasycenia (U CE <U BE ), san przejściowy (proces wyłączania ranzysora). Po wyłączeniu prądu bazy emier nie wsrzykuje nośników do bazy. Ładunek przeserowania sopniowo zanika jednak przez cały czas płynie maksymalny prąd kolekora. W momencie ranzysor wychodzi ze sanu nasycenia, prąd kolekora sopniowo maleje ponieważ zmienia się gradien koncenracji nośników w bazie. Zmianę ładunku wskuek ych czynników wyraża wzór poniżej: I po zróżniczkowaniu równania (3) orzymamy: rozwiązaniem równania (4) jes funkcja w posaci: ( ) A e B po podsawieniu (5) do (3) orzymamy: B ( I ) W momencie zmiany kierunku prądu czyli w czasie =0 (warunek począkowy) ( I ) A e ( I BF ) (3) (4) (5) (6) zaem, A ( I B I ) F osaecznie orzymujemy: ( ) ( I I ) e ( I BF ) (7) KATEDA ELEKTOIKI AGH ver

11 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 ależy eraz ylko obliczyć czas po kórym () jes równe zero: I ln I BF I gdzie: I C prąd kolekora, I BF prąd bazy załączający, I BF prąd bazy rewersyjny posób pomiaru czasu wyjaśnia rysunek nr 4. ysunek pokazuje znaczne opóźnienie przy wyłączaniu ranzysora spowodowane (8) ys. 4. Pomiar czasu magazynowania Wzór (8) jes podobny do przedsawionego wcześniej, w ćwiczeniu nr 3, wzoru (13). Dla diody en paramer nazwaliśmy czasem przelou przez bazę diody. Dla ranzysora wzór (8) określa czas magazynowania nośników w obszarze bazy. Klucz ranzysorowy pozosanie ak długo w sanie załączonym dopóki dodakowe-nadmiarowe nośniki mniejszościowe nie zosaną usunięe z obszaru bazy. Jeżeli I C / jes równe I BF wyrażenie pod logarymem przyjmuje warość 1, a warość logarymu jes równa 0, zaem orzymujemy zerowy czas magazynowania. Wówczas ranzysor nie wchodzi w san nasycenia. Wzór (8) pokazuje również, że jeżeli ranzysor jes serowany impulsowo duża warość współczynnika wzmocnienia prądowego nie jes korzysna. KATEDA ELEKTOIKI AGH ver

12 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał Pomiar czas życia nośników w bazie Pomiar czasu życia nośników w bazie można przeprowadzić w oparciu o meodę (Open Circui Volage Decay), (OCVD) przedsawioną w punkcie doyczącym przełączania diody wzór (6). Czas życia można również wyznaczyć na podsawie pomiaru czasu narasania prądu kolekora. Czas po kórym prąd kolekora osiąga 63% maksymalnej warości prądu kolekora jes równy czasowi życia nośników w bazie. Przy pomiarze szybkości narasania prądu kolekora ranzysor nie może wchodzić w san nasycenia. Znajomość czasu życia nośników w bazie umożliwia oszacowanie ładunku nośników mniejszościowych w bazie ranzysora. B B I BF Jeżeli ranzysor pracuje w sanie normalnym (U CE >U BE ) ładunek en niemal w całości przechwyywany jes przez kolekor ranzysora, zaem; (9) B (10) B I BF I C (11) gdzie: τ B czas życia nośników mniejszościowych w bazie, τ czas przelou nośników przez bazę, I C - prąd kolekora, I BF prąd bazy Korzysając z wzorów (9) i (11) można również wyznaczyć zależności dla pracy inwersyjnej ranzysora. Pomiar szybkości narasania prądu kolekora wyjaśnia rysunek 5. ys 5. Pomiar sałej czasowej τ B. ZbigMag KATEDA ELEKTOIKI AGH ver

Ćwiczenie nr 6 (część teoretyczna) Przełączanie tranzystora

Ćwiczenie nr 6 (część teoretyczna) Przełączanie tranzystora Ćwiczenie nr 6 (część teoretyczna) Przełączanie tranzystora Normalnym stanem pracy tranzystora bipolarnego są takie warunki pracy, że w stanie spoczynkowym, czyli bez sygnału wejściowego, wartość prądu

Bardziej szczegółowo

Gr.A, Zad.1. Gr.A, Zad.2 U CC R C1 R C2. U wy T 1 T 2. U we T 3 T 4 U EE

Gr.A, Zad.1. Gr.A, Zad.2 U CC R C1 R C2. U wy T 1 T 2. U we T 3 T 4 U EE Niekóre z zadań dają się rozwiązać niemal w pamięci, pamięaj jednak, że warunkiem uzyskania różnej od zera liczby punków za każde zadanie, jes przedsawienie, oprócz samego wyniku, akże rozwiązania, wyjaśniającego

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki AGH Kaedra Elekroniki Podsawy Elekroniki dla Elekroechniki Klucze Insrukcja do ćwiczeń symulacyjnych (5a) Insrukcja do ćwiczeń sprzęowych (5b) Ćwiczenie 5a, 5b 2015 r. 1 1. Wsęp. Celem ćwiczenia jes ugrunowanie

Bardziej szczegółowo

Przełączanie diody. Stan przejściowy pomiędzy stanem przewodzenia diod, a stanem nieprzewodzenia opisuje się za pomocą parametru/ów czasowego/ych.

Przełączanie diody. Stan przejściowy pomiędzy stanem przewodzenia diod, a stanem nieprzewodzenia opisuje się za pomocą parametru/ów czasowego/ych. Przełączaie diody 1. Trochę eorii a przejściowy pomiędzy saem przewodzeia diod, a saem ieprzewodzeia opisuje się za pomocą parameru/ów czasowego/ych. Mamy więc ajprosszy eleme półprzewodikowy (dwójik),

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 6 WŁASNOŚCI DYNAMICZNE DIOD

Ćwiczenie 6 WŁASNOŚCI DYNAMICZNE DIOD 1. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 6 WŁASNOŚCI DYNAMICZNE DIOD Celem ćwiczenia jes poznanie własności dynamicznych diod półprzewodnikowych. Obejmuje ono zbadanie sanów przejściowych podczas procesu przełączania

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 4 Badanie stanów nieustalonych w obwodach RL, RC i RLC przy wymuszeniu stałym

ĆWICZENIE 4 Badanie stanów nieustalonych w obwodach RL, RC i RLC przy wymuszeniu stałym ĆWIZENIE 4 Badanie sanów nieusalonych w obwodach, i przy wymuszeniu sałym. el ćwiczenia Zapoznanie się z rozpływem prądów, rozkładem w sanach nieusalonych w obwodach szeregowych, i Zapoznanie się ze sposobami

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017

Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017 Poliechnika Wrocławska Klucze analogowe Wrocław 2017 Poliechnika Wrocławska Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji układów impulsowych oraz cyfrowych jes wykorzysanie wielkosygnałowej pacy elemenów akywnych,

Bardziej szczegółowo

C d u. Po podstawieniu prądu z pierwszego równania do równania drugiego i uporządkowaniu składników lewej strony uzyskuje się:

C d u. Po podstawieniu prądu z pierwszego równania do równania drugiego i uporządkowaniu składników lewej strony uzyskuje się: Zadanie. Obliczyć przebieg napięcia na pojemności C w sanie przejściowym przebiegającym przy nasępującej sekwencji działania łączników: ) łączniki Si S są oware dla < 0, ) łącznik S zamyka się w chwili

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Klucze analogowe. Wrocław 2010

Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Klucze analogowe. Wrocław 2010 Poliechnika Wrocławska nsyu elekomunikacji, eleinformayki i Akusyki Klucze analogowe Wrocław 200 Poliechnika Wrocławska nsyu elekomunikacji, eleinformayki i Akusyki Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji

Bardziej szczegółowo

( 3 ) Kondensator o pojemności C naładowany do różnicy potencjałów U posiada ładunek: q = C U. ( 4 ) Eliminując U z równania (3) i (4) otrzymamy: =

( 3 ) Kondensator o pojemności C naładowany do różnicy potencjałów U posiada ładunek: q = C U. ( 4 ) Eliminując U z równania (3) i (4) otrzymamy: = ROZŁADOWANIE KONDENSATORA I. el ćwiczenia: wyznaczenie zależności napięcia (i/lub prądu I ) rozładowania kondensaora w funkcji czasu : = (), wyznaczanie sałej czasowej τ =. II. Przyrządy: III. Lieraura:

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

DYNAMIKA KONSTRUKCJI

DYNAMIKA KONSTRUKCJI 10. DYNAMIKA KONSTRUKCJI 1 10. 10. DYNAMIKA KONSTRUKCJI 10.1. Wprowadzenie Ogólne równanie dynamiki zapisujemy w posaci: M d C d Kd =P (10.1) Zapis powyższy oznacza, że równanie musi być spełnione w każdej

Bardziej szczegółowo

Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i Automatyki Katedra Inżynierii Systemów Sterowania. Podstawy Automatyki

Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i Automatyki Katedra Inżynierii Systemów Sterowania. Podstawy Automatyki Poliechnika Gdańska Wydział Elekroechniki i Auomayki Kaedra Inżynierii Sysemów Serowania Podsawy Auomayki Repeyorium z Podsaw auomayki Zadania do ćwiczeń ermin T15 Opracowanie: Kazimierz Duzinkiewicz,

Bardziej szczegółowo

ψ przedstawia zależność

ψ przedstawia zależność Ruch falowy 4-4 Ruch falowy Ruch falowy polega na rozchodzeniu się zaburzenia (odkszałcenia) w ośrodku sprężysym Wielkość zaburzenia jes, podobnie jak w przypadku drgań, funkcją czasu () Zaburzenie rozchodzi

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PROSTOWNIKI

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PROSTOWNIKI ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 5 PROSTOWNIKI DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

4.2. Obliczanie przewodów grzejnych metodą dopuszczalnego obciążenia powierzchniowego

4.2. Obliczanie przewodów grzejnych metodą dopuszczalnego obciążenia powierzchniowego 4.. Obliczanie przewodów grzejnych meodą dopuszczalnego obciążenia powierzchniowego Meodą częściej sosowaną w prakyce projekowej niż poprzednia, jes meoda dopuszczalnego obciążenia powierzchniowego. W

Bardziej szczegółowo

E5. KONDENSATOR W OBWODZIE PRĄDU STAŁEGO

E5. KONDENSATOR W OBWODZIE PRĄDU STAŁEGO E5. KONDENSATOR W OBWODZIE PRĄDU STAŁEGO Marek Pękała i Jadwiga Szydłowska Procesy rozładowania kondensaora i drgania relaksacyjne w obwodach RC należą do szerokiej klasy procesów relaksacyjnych. Procesy

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 43 U R I (1)

ĆWICZENIE NR 43 U R I (1) ĆWCZENE N 43 POMY OPO METODĄ TECHNCZNĄ Cel ćwiczenia: wyznaczenie warości oporu oporników poprzez pomiary naężania prądu płynącego przez opornik oraz napięcia na oporniku Wsęp W celu wyznaczenia warości

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Tema ćwiczenia: BADANIE MULTIWIBRATORA UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI. 2. 3. Imię i Nazwisko 4. Daa wykonania Daa oddania Ocena Kierunek Rok sudiów

Bardziej szczegółowo

( ) ( ) ( τ) ( t) = 0

( ) ( ) ( τ) ( t) = 0 Obliczanie wraŝliwości w dziedzinie czasu... 1 OBLICZANIE WRAśLIWOŚCI W DZIEDZINIE CZASU Meoda układu dołączonego do obliczenia wraŝliwości układu dynamicznego w dziedzinie czasu. Wyznaczane będą zmiany

Bardziej szczegółowo

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu

Bardziej szczegółowo

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

WSTĘP DO ELEKTRONIKI WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część I Napięcie, naężenie i moc prądu elekrycznego Sygnały elekryczne i ich klasyfikacja Rodzaje układów elekronicznych Janusz Brzychczyk IF UJ Elekronika Dziedzina nauki i echniki

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 7 WYZNACZANIE LOGARYTMICZNEGO DEKREMENTU TŁUMIENIA ORAZ WSPÓŁCZYNNIKA OPORU OŚRODKA. Wprowadzenie

ĆWICZENIE 7 WYZNACZANIE LOGARYTMICZNEGO DEKREMENTU TŁUMIENIA ORAZ WSPÓŁCZYNNIKA OPORU OŚRODKA. Wprowadzenie ĆWICZENIE 7 WYZNACZIE LOGARYTMICZNEGO DEKREMENTU TŁUMIENIA ORAZ WSPÓŁCZYNNIKA OPORU OŚRODKA Wprowadzenie Ciało drgające w rzeczywisym ośrodku z upływem czasu zmniejsza ampliudę drgań maleje energia mechaniczna

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

Badanie funktorów logicznych TTL - ćwiczenie 1

Badanie funktorów logicznych TTL - ćwiczenie 1 adanie funkorów logicznych TTL - ćwiczenie 1 1. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podsawowymi srukurami funkorów logicznych realizowanych w echnice TTL (Transisor Transisor Logic), ich podsawowymi paramerami

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŚLĄSKA W GLIWICACH WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA i ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN i URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH

POLITECHNIKA ŚLĄSKA W GLIWICACH WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA i ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN i URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH POLIECHNIKA ŚLĄSKA W GLIWICACH WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA i ENERGEYKI INSYU MASZYN i URZĄDZEŃ ENERGEYCZNYCH IDENYFIKACJA PARAMERÓW RANSMIANCJI Laboraorium auomayki (A ) Opracował: Sprawdził: Zawierdził:

Bardziej szczegółowo

Układy zasilania tranzystorów. Punkt pracy tranzystora Tranzystor bipolarny. Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny

Układy zasilania tranzystorów. Punkt pracy tranzystora Tranzystor bipolarny. Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny kłady zasilania ranzysorów Wrocław 28 Punk pracy ranzysora Punk pracy ranzysora Tranzysor unipolarny SS GS p GS S S opuszczalny oszar pracy (safe operaing condiions SOA) P max Zniekszałcenia nieliniowe

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

Wykład 4 Metoda Klasyczna część III

Wykład 4 Metoda Klasyczna część III Teoria Obwodów Wykład 4 Meoda Klasyczna część III Prowadzący: dr inż. Tomasz Sikorski Insyu Podsaw Elekroechniki i Elekroechnologii Wydział Elekryczny Poliechnika Wrocławska D-, 5/8 el: (7) 3 6 fax: (7)

Bardziej szczegółowo

Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki. Badanie zasilaczy ze stabilizacją napięcia

Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki. Badanie zasilaczy ze stabilizacją napięcia Wydział Mechaniczno-Energeyczny Laboraorium Elekroniki Badanie zasilaczy ze sabilizacją napięcia 1. Wsęp eoreyczny Prawie wszyskie układy elekroniczne (zarówno analogowe, jak i cyfrowe) do poprawnej pracy

Bardziej szczegółowo

Temat: Wyznaczanie charakterystyk baterii słonecznej.

Temat: Wyznaczanie charakterystyk baterii słonecznej. Ćwiczenie Nr 356 Tema: Wyznaczanie charakerysyk baerii słonecznej. I. Lieraura. W. M. Lewandowski Proekologiczne odnawialne źródła energii, WNT, 007 (www.e-link.com.pl). Ćwiczenia laboraoryjne z fizyki

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI

LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI LABORAORIM Z ELEKRONIKI PROSOWNIKI Józef Boksa WA 01 1. PROSOWANIKI...3 1.1. CEL ĆWICZENIA...3 1.. WPROWADZENIE...3 1..1. Prosowanie...3 1.3. PROSOWNIKI NAPIĘCIA...3 1.4. SCHEMAY BLOKOWE KŁADÓW POMIAROWYCH...5

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET Wydział Elekroniki Mikrosysemów i Fooniki Poliechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Przełącznikowy ranzysor mocy MOSFET Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ

Bardziej szczegółowo

Podstawy elektrotechniki

Podstawy elektrotechniki Wydział Mechaniczno-Energeyczny Podsawy elekroechniki Prof. dr hab. inż. Juliusz B. Gajewski, prof. zw. PWr Wybrzeże S. Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław Bud. A4 Sara kołownia, pokój 359 Tel.: 7 320 320

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Podstawy elektrotechniki

Podstawy elektrotechniki Wydział Mechaniczno-Energeyczny Podsawy elekroechniki Prof. dr hab. inż. Juliusz B. Gajewski, prof. zw. PWr Wybrzeże S. Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław Bud. A4 Sara kołownia, pokój 359 Tel.: 71 320 3201

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Zasada pędu i popędu, krętu i pokrętu, energii i pracy oraz d Alemberta bryły w ruchu postępowym, obrotowym i płaskim

Zasada pędu i popędu, krętu i pokrętu, energii i pracy oraz d Alemberta bryły w ruchu postępowym, obrotowym i płaskim Zasada pędu i popędu, kręu i pokręu, energii i pracy oraz d Alembera bryły w ruchu posępowym, obroowym i płaskim Ruch posępowy bryły Pęd ciała w ruchu posępowym obliczamy, jak dla punku maerialnego, skupiając

Bardziej szczegółowo

19. Zasilacze impulsowe

19. Zasilacze impulsowe 19. Zasilacze impulsowe 19.1. Wsęp Sieć energeyczna (np. 230V, 50 Hz Prosownik sieciowy Rys. 19.1.1. Zasilacz o działaniu ciągłym Sabilizaor napięcia Napięcie sałe R 0 Napięcie sałe E A Zasilacz impulsowy

Bardziej szczegółowo

Silniki cieplne i rekurencje

Silniki cieplne i rekurencje 6 FOTO 33, Lao 6 Silniki cieplne i rekurencje Jakub Mielczarek Insyu Fizyki UJ Chciałbym Pańswu zaprezenować zagadnienie, kóre pozwala, rozważając emaykę sprawności układu silników cieplnych, zapoznać

Bardziej szczegółowo

Układy sekwencyjne asynchroniczne Zadania projektowe

Układy sekwencyjne asynchroniczne Zadania projektowe Układy sekwencyjne asynchroniczne Zadania projekowe Zadanie Zaprojekować układ dwusopniowej sygnalizacji opycznej informującej operaora procesu o przekroczeniu przez konrolowany paramer warości granicznej.

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI Badanie Bramki X-OR

LABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI Badanie Bramki X-OR LORTORIUM PODSTWY ELEKTRONIKI adanie ramki X-OR 1.1 Wsęp eoreyczny. ramka XOR ramka a realizuje funkcję logiczną zwaną po angielsku EXLUSIVE-OR (WYŁĄZNIE LU). Polska nazwa brzmi LO. Funkcję EX-OR zapisuje

Bardziej szczegółowo

Całka nieoznaczona Andrzej Musielak Str 1. Całka nieoznaczona

Całka nieoznaczona Andrzej Musielak Str 1. Całka nieoznaczona Całka nieoznaczona Andrzej Musielak Sr Całka nieoznaczona Całkowanie o operacja odwrona do liczenia pochodnych, zn.: f()d = F () F () = f() Z definicji oraz z abeli pochodnych funkcji elemenarnych od razu

Bardziej szczegółowo

2.1 Zagadnienie Cauchy ego dla równania jednorodnego. = f(x, t) dla x R, t > 0, (2.1)

2.1 Zagadnienie Cauchy ego dla równania jednorodnego. = f(x, t) dla x R, t > 0, (2.1) Wykład 2 Sruna nieograniczona 2.1 Zagadnienie Cauchy ego dla równania jednorodnego Równanie gań sruny jednowymiarowej zapisać można w posaci 1 2 u c 2 2 u = f(x, ) dla x R, >, (2.1) 2 x2 gdzie u(x, ) oznacza

Bardziej szczegółowo

WYKŁAD FIZYKAIIIB 2000 Drgania tłumione

WYKŁAD FIZYKAIIIB 2000 Drgania tłumione YKŁD FIZYKIIIB Drgania łumione (gasnące, zanikające). F siła łumienia; r F r b& b współczynnik łumienia [ Nm s] m & F m & && & k m b m F r k b& opis różnych zjawisk izycznych Niech Ce p p p p 4 ± Trzy

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki. Układy przełączające

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki. Układy przełączające AGH Kaedra Elekroniki Podsawy Elekroniki dla Elekroechniki Układy przełączające Insrukcja do ćwiczeń symulacyjnych (5a) Insrukcja do ćwiczeń sprzęowych (5b) Ćwiczenie 5a, 5b 2017 r. 1. Wsęp. Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Dobór przekroju żyły powrotnej w kablach elektroenergetycznych

Dobór przekroju żyły powrotnej w kablach elektroenergetycznych Dobór przekroju żyły powronej w kablach elekroenergeycznych Franciszek pyra, ZPBE Energopomiar Elekryka, Gliwice Marian Urbańczyk, Insyu Fizyki Poliechnika Śląska, Gliwice. Wsęp Zagadnienie poprawnego

Bardziej szczegółowo

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Temat i cel wykładu. Tranzystory POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji

Bardziej szczegółowo

Ruch płaski. Bryła w ruchu płaskim. (płaszczyzna kierująca) Punkty bryły o jednakowych prędkościach i przyspieszeniach. Prof.

Ruch płaski. Bryła w ruchu płaskim. (płaszczyzna kierująca) Punkty bryły o jednakowych prędkościach i przyspieszeniach. Prof. Ruch płaski Ruchem płaskim nazywamy ruch, podczas kórego wszyskie punky ciała poruszają się w płaszczyznach równoległych do pewnej nieruchomej płaszczyzny, zwanej płaszczyzną kierującą. Punky bryły o jednakowych

Bardziej szczegółowo

Rozdział 4 Instrukcje sekwencyjne

Rozdział 4 Instrukcje sekwencyjne Rozdział 4 Insrukcje sekwencyjne Lisa insrukcji sekwencyjnych FBs-PLC przedsawionych w niniejszym rozdziale znajduje się w rozdziale 3.. Zasady kodowania przy zasosowaniu ych insrukcji opisane są w rozdziale

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

Równania różniczkowe. Lista nr 2. Literatura: N.M. Matwiejew, Metody całkowania równań różniczkowych zwyczajnych.

Równania różniczkowe. Lista nr 2. Literatura: N.M. Matwiejew, Metody całkowania równań różniczkowych zwyczajnych. Równania różniczkowe. Lisa nr 2. Lieraura: N.M. Mawiejew, Meody całkowania równań różniczkowych zwyczajnych. W. Krysicki, L. Włodarski, Analiza Maemayczna w Zadaniach, część II 1. Znaleźć ogólną posać

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych

Bardziej szczegółowo

zestaw laboratoryjny (generator przebiegu prostokątnego + zasilacz + częstościomierz), oscyloskop 2-kanałowy z pamięcią, komputer z drukarką,

zestaw laboratoryjny (generator przebiegu prostokątnego + zasilacz + częstościomierz), oscyloskop 2-kanałowy z pamięcią, komputer z drukarką, - Ćwiczenie 4. el ćwiczenia Zapoznanie się z budową i działaniem przerzunika asabilnego (muliwibraora) wykonanego w echnice dyskrenej oraz TTL a akże zapoznanie się z działaniem przerzunika T (zwanego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW OPTOELEKTRONIKI WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK STATYCZNYCH I DYNAMICZNYCH TRANSOPTORA PC817

LABORATORIUM PODSTAW OPTOELEKTRONIKI WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK STATYCZNYCH I DYNAMICZNYCH TRANSOPTORA PC817 LABORATORIUM PODSTAW OPTOELEKTRONIKI WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK STATYCZNYCH I DYNAMICZNYCH TRANSOPTORA PC87 Ceem badań jes ocena właściwości saycznych i dynamicznych ransopora PC 87. Badany ransopor o

Bardziej szczegółowo

Matematyka ubezpieczeń majątkowych r. ma złożony rozkład Poissona. W tabeli poniżej podano rozkład prawdopodobieństwa ( )

Matematyka ubezpieczeń majątkowych r. ma złożony rozkład Poissona. W tabeli poniżej podano rozkład prawdopodobieństwa ( ) Zadanie. Zmienna losowa: X = Y +... + Y N ma złożony rozkład Poissona. W abeli poniżej podano rozkład prawdopodobieńswa składnika sumy Y. W ejże abeli podano akże obliczone dla k = 0... 4 prawdopodobieńswa

Bardziej szczegółowo

POMIAR PARAMETRÓW SYGNAŁOW NAPIĘCIOWYCH METODĄ PRÓKOWANIA I CYFROWEGO PRZETWARZANIA SYGNAŁU

POMIAR PARAMETRÓW SYGNAŁOW NAPIĘCIOWYCH METODĄ PRÓKOWANIA I CYFROWEGO PRZETWARZANIA SYGNAŁU Pomiar paramerów sygnałów napięciowych. POMIAR PARAMERÓW SYGNAŁOW NAPIĘCIOWYCH MEODĄ PRÓKOWANIA I CYFROWEGO PRZEWARZANIA SYGNAŁU Cel ćwiczenia Poznanie warunków prawidłowego wyznaczania elemenarnych paramerów

Bardziej szczegółowo

Podstawowe wyidealizowane elementy obwodu elektrycznego Rezystor ( ) = ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( τ ) i t i t u ( ) u t u t i ( ) i t. dowolny.

Podstawowe wyidealizowane elementy obwodu elektrycznego Rezystor ( ) = ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( τ ) i t i t u ( ) u t u t i ( ) i t. dowolny. Tema. Opracował: esław Dereń Kaedra Teorii Sygnałów Insyu Telekomunikacji Teleinformayki i Akusyki Poliechnika Wrocławska Prawa auorskie zasrzeżone Podsawowe wyidealizowane elemeny obwodu elekrycznego

Bardziej szczegółowo

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości

Bardziej szczegółowo

Wojewódzki Konkurs Matematyczny dla uczniów gimnazjów. Etap szkolny 5 listopada 2013 Czas 90 minut

Wojewódzki Konkurs Matematyczny dla uczniów gimnazjów. Etap szkolny 5 listopada 2013 Czas 90 minut Wojewódzki Konkurs Maemayczny dla uczniów gimnazjów. Eap szkolny 5 lisopada 2013 Czas 90 minu ZADANIA ZAMKNIĘTE Zadanie 1. (1 punk) Liczby A = 0, 99, B = 0, 99 2, C = 0, 99 3, D = 0, 99, E=0, 99 1 usawiono

Bardziej szczegółowo

Wykład 5 Elementy teorii układów liniowych stacjonarnych odpowiedź na dowolne wymuszenie

Wykład 5 Elementy teorii układów liniowych stacjonarnych odpowiedź na dowolne wymuszenie Wykład 5 Elemeny eorii układów liniowych sacjonarnych odpowiedź na dowolne wymuszenie Prowadzący: dr inż. Tomasz Sikorski Insyu Podsaw Elekroechniki i Elekroechnologii Wydział Elekryczny Poliechnika Wrocławska

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami

Bardziej szczegółowo

Przekaźniki czasowe ATI opóźnienie załączania Czas Napięcie sterowania Styki Numer katalogowy

Przekaźniki czasowe ATI opóźnienie załączania Czas Napięcie sterowania Styki Numer katalogowy W celu realizowania prosych układów opóźniających można wykorzysać przekaźniki czasowe dedykowane do poszczególnych aplikacji. Kompakowa obudowa - moduł 22,5 mm, monaż na szynie DIN, sygnalizacja sanu

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji

Bardziej szczegółowo

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier) 7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY POLOWE JFET I MOSFET

TRANZYSTORY POLOWE JFET I MOSFET POLTECHNKA RZEZOWKA Kaedra Podsaw Elekroiki srukcja Nr5 F 00/003 sem. lei TRANZYTORY POLOWE JFET MOFET Cel ćwiczeia: Pomiar podsawowych charakerysyk i wyzaczeie paramerów określających właściwości razysora

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach

Bardziej szczegółowo

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2009/2010 Zadania dla grupy elektrycznej na zawody I stopnia

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2009/2010 Zadania dla grupy elektrycznej na zawody I stopnia EUOEEKA Ogólnopolska Olimpiada iedzy Elekrycznej i Elekronicznej ok szkolny 2009/2010 Zadania dla grpy elekrycznej na zawody I sopnia 1 Ilość ładnk w klombach [C], kóry przepłynął przez przewód, można

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział

Bardziej szczegółowo

Wiadomości podstawowe

Wiadomości podstawowe Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów

Bardziej szczegółowo

BADANIE DYNAMICZNYCH WŁAŚCIWOŚCI PRZETWORNIKÓW POMIAROWYCH

BADANIE DYNAMICZNYCH WŁAŚCIWOŚCI PRZETWORNIKÓW POMIAROWYCH BADANIE DYNAMICZNYCH WŁAŚCIWOŚCI PRZETWORNIKÓW POMIAROWYCH. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jes poznanie właściwości przyrządów i przeworników pomiarowych związanych ze sanami przejściowymi powsającymi po

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. 1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi

Bardziej szczegółowo

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody

Bardziej szczegółowo

Ćw. III. Dioda Zenera

Ćw. III. Dioda Zenera Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Analityczny opis łączeniowych strat energii w wysokonapięciowych tranzystorach MOSFET pracujących w mostku

Analityczny opis łączeniowych strat energii w wysokonapięciowych tranzystorach MOSFET pracujących w mostku Pior GRZEJSZCZK, Roman BRLIK Wydział Elekryczny, Poliechnika Warszawska doi:1.15199/48.215.9.12 naliyczny opis łączeniowych sra energii w wysokonapięciowych ranzysorach MOSFET pracujących w mosku Sreszczenie.

Bardziej szczegółowo

Regulatory. Zadania regulatorów. Regulator

Regulatory. Zadania regulatorów. Regulator Regulaory Regulaor Urządzenie, kórego podsawowym zadaniem jes na podsawie sygnału uchybu (odchyłki regulacji) ukszałowanie sygnału serującego umożliwiającego uzyskanie pożądanego przebiegu wielkości regulowanej

Bardziej szczegółowo

DOBÓR PRZEKROJU ŻYŁY POWROTNEJ W KABLACH ELEKTROENERGETYCZNYCH

DOBÓR PRZEKROJU ŻYŁY POWROTNEJ W KABLACH ELEKTROENERGETYCZNYCH Franciszek SPYRA ZPBE Energopomiar Elekryka, Gliwice Marian URBAŃCZYK Insyu Fizyki Poliechnika Śląska, Gliwice DOBÓR PRZEKROJU ŻYŁY POWROTNEJ W KABLACH ELEKTROENERGETYCZNYCH. Wsęp Zagadnienie poprawnego

Bardziej szczegółowo

Laboratorium z PODSTAW AUTOMATYKI, cz.1 EAP, Lab nr 3

Laboratorium z PODSTAW AUTOMATYKI, cz.1 EAP, Lab nr 3 I. ema ćwiczenia: Dynamiczne badanie przerzuników II. Cel/cele ćwiczenia III. Wykaz użyych przyrządów IV. Przebieg ćwiczenia Eap 1: Przerzunik asabilny Przerzuniki asabilne służą jako generaory przebiegów

Bardziej szczegółowo

SPRAWOZDANIE Z PROJEKTU Dioda jako czujnik temperatury

SPRAWOZDANIE Z PROJEKTU Dioda jako czujnik temperatury emperaury 1. Cele Sprawdzenie zależności między emperaurą a naężeniem świała emiowanego przez diodę LED (napięciem baza-emier na ranzysorze) w układzie z Rys.1 (parz srona 1 Budowa układu ). 2. Wykaz przyrządów

Bardziej szczegółowo

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora

Bardziej szczegółowo

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego. IMPSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Przekształtnik impulsowy z tranzystorem szeregowym słuŝy do przetwarzania energii prądu jednokierunkowego

Bardziej szczegółowo

TEORIA PRZEKSZTAŁTNIKÓW. Kurs elementarny Zakres przedmiotu: ( 7 dwugodzinnych wykładów :) W4. Złożone i specjalne układy przekształtników sieciowych

TEORIA PRZEKSZTAŁTNIKÓW. Kurs elementarny Zakres przedmiotu: ( 7 dwugodzinnych wykładów :) W4. Złożone i specjalne układy przekształtników sieciowych EORA PRZEKSZAŁNKÓW W1. Wiadomości wsępne W. Przekszałniki sieciowe 1 W3. Przekszałniki sieciowe Kurs elemenarny Zakres przedmiou: ( 7 dwugodzinnych wykładów :) W4. Złożone i specjalne układy przekszałników

Bardziej szczegółowo