I. Przełączanie diody
|
|
- Adrian Komorowski
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 I. Przełączanie diody 1. Trochę eorii an przejściowy pomiędzy sanem przewodzenia diod, a sanem nieprzewodzenia opisuje się za pomocą parameru/ów czasowego/ych. Mamy więc najprosszy elemen półprzewodnikowy (dwójnik), kóry powinniśmy opisać za pomocą akiego parameru czasowego, aby w oparciu o jego warość, można było dokonać szybkiego wyboru elemenu najbardziej odpowiedniego do naszej aplikacji. Wybrany paramer winien być jednoznacznie opisany. W sposób jednoznaczny określone muszą być warunki jego pomiaru (czyli; zawsze należy porównywać jabłka z jabłkami ). Preferowaną meodę pomiaru zawsze wybiera użykownik. kukiem ego, o samo zjawisko fizyczne będzie inaczej oceniane przez elekronika, inaczej przez fizyka, jeszcze inaczej przez informayka. Tak więc, o samo zjawisko fizyczne (szybkość zaniku nośników prądu w diodzie): elekronik określi za pomocą parameru off (czas wyłączania), fizyk określi za pomocą parameru B (czas życia), informayk (program PE) określi za pomocą parameru TT (czas przelou). ą o oczywiście różne paramery, chociaż doyczą ego samego zjawiska fizycznego. ależy również wyraźnie swierdzić, że nie ma pomiędzy ymi paramerami jednoznacznych zależności. Tym niemniej, każda perspekywa ma swoje zaley. Perspekywa elekronika jes ważna ze względu na ławość weryfikacji, perspekywa fizyka w sposób jednoznaczny opisuje właściwości samego maeriału półprzewodnikowego, naomias perspekywa informayka w sposób syneyczny opisuje właściwości złącza. Obejmuje ona nie ylko czas życia nośników, lecz również procesy rekombinacji na konakach oraz efeky związane z ograniczoną długością bazy złącza P W ćwiczeniu nr 3 doyczącym efeków dynamicznych przełączania diody skoncenrowano się na pomiarach czasu życia i czasu przelou nośników. Poniżej, na rysunku 1 przedsawiono schemaycznie diodę półprzewodnikową P oraz rozkład nośników nadmiarowych w bazie ( - ) przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia. W związku z ograniczoną długością bazy (obszar - ) nie wszyskie nośniki nadmiarowe ulegną rekombinacji w jej obszarze. Pewna część nośników ulegnie rekombinacji dopiero w warswie konakowej ( + ). Już en fak sprawia, że dokładne wyznaczenie czasu życia nośników jes rudne. Dla przeprowadzenia dokładnego pomiaru czasu życia nośników obszar ( - ) winien rozciągać się do nieskończoności. Ponieważ w prakyce jes o niemożliwe, za warunek wysarczający przyjmuje się jeżeli długość bazy ( - ) jes wielokronie większa od średniej drogi dyfuzji nośników mniejszościowych, a efeky związane z przemieszczeniem się ładunków w obszarach konakowych są pomijane. ajkorzysniejsze są więc akie meody, gdzie efeky związane ze zjawiskami konakowymi są wyeliminowane np. meoda generacji nośników nadmiarowych za KATEDA ELEKTOIKI AGH ver
2 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 pośrednicwem błysków świelnych połączona z obserwacją zaniku przewodnicwa. Meoda a jes sosowana przy ocenie jakości wafli. łuży między innymi do oceny ilości defeków. ys. 1. ozkład koncenracji nadmiarowych nośników w bazie i warswie konakowej 2. Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych. W ćwiczeniu do oceny czasu życia zasosujemy meodę mniej doskonałą (nieuchronne zjawiska konakowe) polegającą na pomiarze zaniku napięcia na diodzie po rozwarciu obwodu polaryzującego diodę (Open Circui Volage Decay OCVD). Przy nagłym odłączenia obwodu polaryzacji diody nadmiarowe nośniki mniejszościowe znajdujące się w obszarze bazy diody ( - ), skukiem procesu rekombinacji będą zanikać według funkcji: n n ( ) ( 0 ) e (1) gdzie, sała czasowa, czyli czas po kórym koncenracja nośników nadmiarowych maleje aomias równanie: e-razy. n ( n ( 0 ) e określa warość wewnęrznego prądu rekombinacji. KATEDA ELEKTOIKI AGH ver ) Z drugiej srony, zależność pomiędzy prądem (I D ), a napięciem na diodzie (U D ) określa wzór (hockleya): gdzie: I prąd nasycenia, I D U n D q kt U n D I ( e 1) I e (3) n współczynnik emisji (nieidealności) złącza, q ładunek elekronu, k sała Bolzmana, T emperaura. q kt (2)
3 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 Załóżmy hipoeycznie, że po pewnym czasie, od chwili rozwarcia obwodu, chcemy powsrzymać dalszy zanik nośników mniejszościowych w obszarze bazy. W ym celu należałoby na diodę w ym właśnie momencie przyłożyć pewną warość napięcia U 1, aką kóra spowoduje przepływ zewnęrznego prądu kompensującego wewnęrzny prąd rekombinacji. Zaem: 1 U n 1 n ( 1) n( 0) e I e Analogiczne równanie można zapisać dla innego momenu czasowego 2, a po podzieleniu przez siebie obu równań orzymamy: e e q( U1 U2 ) nkt 1 2 Zaem, sała czasowa może być określona za pomocą wzoru: n kt (6) q U Określa ona wypadkowy czas życia, uwzględniający wpływ czasu życia nośników mniejszościowych w warswie konakowej. Dla krókiej bazy wynik pomiaru zbliżony jes do czasu życia nośników w warswie konakowej. Dokonując pomiarów sałej czasowej zauważymy, że na podsawie oscylogramu można wyznaczyć również drugą sałą czasową, kóra określa czas życia w słabo domieszkowanym obszarze bazy ( - ). Zjawisko o wyjaśnia rysunek poniżej (rys. 2). Współczynnik emisji (nieidealności) n można wyznaczyć w oparciu o pomiary sayczne. q kt (4) (5) ys. 2. posób pomiaru czasu życia nośników 3. Czas przelou nośników mniejszościowych. W programie przeznaczonym do symulacji układów elekronicznych PE właściwości diody w dziedzinie czasu określa paramer TT nazywany czasem przelou (ransi ime). Jak sama nazwa sugeruje określa on czas przejścia nośników mniejszościowych przez pewien obszar, uaj KATEDA ELEKTOIKI AGH ver
4 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 - bazy. Przyjęcie ego erminu ma swoje uzasadnienie, ponieważ długość bazy ma znacznie silniejszy wpływ na wielkość ładunku nośników mniejszościowych, aniżeli czas życia nadmiarowych nośników mniejszościowych. Ładunek nośników nadmiarowych, kóry głównie zgromadzony jes w słabo domieszkowanym obszarze bazy ( - ), jes wpros proporcjonalny do naężenia przepływającego przez diodę prądu w kierunku przewodzenia (I F ) oraz czasu przelou nadmiarowych nośników mniejszościowych: TT (7) I F Jeżeli nagle zmienimy kierunek przepływającego przez diodę prądu (zmiana polaryzacji przewodzącej na zaporową), o zgromadzony ładunek będzie zanikać wskuek dwóch czynników: wewnęrznego prądu rekombinacji po dojściu nośników do warswy konakowej, zewnęrznego prądu polaryzacji. Zmianę ładunku wskuek ych czynników wyraża wzór poniżej: TT Po zróżniczkowaniu równania (8) orzymamy: TT 2 2 I ozwiązaniem równania (9) jes funkcja w posaci: asępnie po podsawieniu (10) do (8) orzymamy: TT 0 ( ) A e B (10) B I (11) W momencie zmiany kierunku prądu czyli w czasie =0 (warunek począkowy): Zaem, Osaecznie orzymujemy: TT I F Ae A I I ) TT F TT TT I ależy eraz ylko obliczyć czas po kórym () jes równe zero: (8) (9) (12) ( (13) F TT ( ) TT ( I I ) e TT I (14) I I F TT ln (15) I Zależność (15) umożliwia obliczenie czasu przepływu prądu przez diodę po nagłej zmianie polaryzacji diody z normalnej na rewersyjną. W oparciu o zmierzony czas magazynowania ( s ), KATEDA ELEKTOIKI AGH ver
5 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 równanie o, pozwala określić czas przelou nośników mniejszościowych. Pokazuje również jak dodakowy prąd rewersyjny może przyspieszyć proces wyłączania diody. posób pomiaru czasu magazynowania wyjaśnia rysunek 3. ys. 3. posób pomiaru czasu magazynowania Przygoowując o moje widzimisię korzysałem za nasępujących pozycji: 1. Lifeime Facors in ilicon, American ociey for Tesing and Maerials, 1980, 2. Jacek Izydorczyk, Pspice- kompuerowa symulacja układów elekronicznych, HELIO, ZbigMag KATEDA ELEKTOIKI AGH ver
6 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 II. Przełączanie ranzysora bipolarnego 1. Wsęp ormalnym sanem pracy ranzysora bipolarnego są akie warunki pracy, że w sanie spoczynkowym, czyli bez sygnału wejściowego, warość prądu kolekora jes równa połowie maksymalnej warości prądu kolekora w danym układzie aplikacyjnym. Dzięki emu możliwe jes wywołanie zarówno dodanich przyrosów prądu kolekora jak i ujemnych przyrosów (zmniejszenia warości) w zależności od sygnału wejściowego. Ten ryb pracy ranzysora (nazywany klasą A) zapewnia najmniejszy sopień zniekszałceń wzmocnionego sygnału wejściowego. osowany jes w większości wzmacniaczy sygnałowych oraz wzmacniaczy pomiarowych. Cechą charakerysyczną ego ypu pracy jes fak, że niezależnie od ampliudy sygnału wejściowego w kolekorze ranzysora racona jes energia, kóra przekracza warość maksymalnej energii, kóra jes przekazywana do kolejnego sopnia, czyli odbiornika. Mówimy, że aki wzmacniacz ma małą sprawność energeyczną, kórą określamy jako sosunek mocy wyjściowej do całkowiej mocy dosarczonej do wzmacniacza. W przypadku wspomnianej klasy sprawność energeyczna jes mniejsza od 25%. Tryb pracy w kórym ranzysor pracuje jako łącznik prądowy (klucz) zapewnia uzyskanie znacznie większej sprawności energeycznej. Dzięki sosunkowo dużej szybkości przełączania możliwe jes znaczne zmniejszenie gabaryów elemenów indukcyjnych, co przekłada się na wielokronie mniejszą wagę, rozmiary i koszy maeriałów. Przykładowo ransformaor o mocy 100W odbiornika radiowego z la 60-ych ważył ok. 2 kg. Obecnie zasilacz kompuera o mocy 300 W ma masę ok. 0,3 kg, a całkowia masa wszyskich elemenów zawarych w nim elemenów indukcyjnych nie przekracza 100 g. Impulsowy ryb pracy ranzysora sanowi więc alernaywę w sosunku do wspomnianego wcześniej rybu ciągłego. W ćwiczeniu zosanie pokazane, że poprawa jednego z paramerów (sprawności energeycznej) opłacona jes pogorszeniem innego parameru. W języku angielskim doskonale określa o słowo rade-off. Waro zapamięać o słowo, ponieważ w prakyce niemal zawsze, poprawę jednego z paramerów uzyskuje się koszem innego. Idealny łącznik powinien posiadać nasępujące paramery: rezysancja w sanie załączonym = 0[ rezysancja w sanie wyłączonym = [ opóźnienie przy załączaniu = 0sek. opóźnienie przy wyłączaniu = 0sek. dopuszczalne napięcie na łączniku w sanie rozłączenia = [V] W rzeczywisym łączniku każdy z wymienionych paramerów jes ograniczony. a rysunku poniżej (ys. 1) przedsawiono charakerysyki napięciowo prądowe ranzysora bipolarnego, gdzie paramerem jes prąd bazy. akreślono eż charakerysykę napięciowo KATEDA ELEKTOIKI AGH ver
7 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 prądową rezysora połączonego szeregowo z łącznikiem ranzysorowym i dołączonego do źródła napięcia zasilania. ys. 1. Charakerysyki wyjściowe ranzysora bipolarnego i prosa obciążenia w układzie WE W celu określenia warości prądu płynącego przez oba elemeny. Charakerysykę napięciowo prądową rezysora C przesunięo do punku odpowiadającego warości napięcia zasilającego U Z. nasępnie dokonano obrou przesunięej charakerysyki wokół werykalnej osi w punkcie U Z. Odwrócona charakerysyka rezysora C sanowi graficzne rozwiązanie równania opisującego zależność pomiędzy napięciem na ranzysorze, a warością prądu kolekora: U CE U Z Oznacza o, że wszyskie rozwiązania równania (1) znajdują się na odcinku prosej pomiędzy punkami: {0 [V], U Z / C [A]}, { U Z [V], 0 [A]}. Ten odcinek odwróconej charakerysyki rezysora C (w przypadku wzmacniacza C) czasami nazywany jes prosą pracy. Ponieważ ranzysor bipolarny serowany jes za pośrednicwem prądu bazy, dla określonej warości prądu bazy orzymamy szczególne rozwiązanie równania (1). Będzie o punk przecięcia odwróconej charakerysyki rezysora C z charakerysyką wyjściową ranzysora dla określonej warości prądu bazy. a rysunku 1 nakreślono akże charakerysykę napięciowo prądową ranzysora bipolarnego, w kórym baza ranzysora zosała połączona z kolekorem ranzysora. Charakerysyka KATEDA ELEKTOIKI AGH ver C I gdzie: U CE napięcie pomiędzy emierem i kolekorem ranzysora, U Z napięcie zasilające, I C prąd kolekora, rezysancja obciążenia. C (1)
8 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 napięciowo prądowa, ak skonfigurowanego dwójnika, rozdziela rodzinę charakerysyk wyjściowych ranzysora bipolarnego na dwa obszary. Obszar pracy normalnej (jeżeli U CE >U BE ) i obszar pracy w sanie nasycenia (jeżeli U CE <U BE ). Czym się różnią oba e obszary? 2. Praca ranzysora w sanie normalnym W sanie pracy normalnej ranzysor jes przewidywalny, zn. zależność pomiędzy prądem kolekora i prądem bazy określona jes jednoznaczną zależnością I C = I B. W sanie nasycenia I C < I B, a dalsze zwiększanie warości prądu bazy ma niewielki wpływ na warość prądu kolekora. Z uwagi na fak, że ranzysor pełni funkcję łącznika korzysne jes, aby warość napięcia pomiędzy kolekorem i emierem była jak najniższa, wówczas moc racona na łączniku w sanie załączenia, kóra jes iloczynem napięcia kolekor-emier i prądu kolekora, będzie minimalna. ilne przeserowanie ranzysora zmniejsza warość napięcia kolekor emier dla sanu załączenia, jednakże na skuek przeserowania nasępuje pogorszenie paramerów w ranzysora/łącznika w dziedzinie częsoliwości. Czasy załączenia i wyłączenia ulegają wydłużeniu, co ogranicza maksymalną częsoliwość pracy. ysunek 2 przedsawia rozkład nośników mniejszościowych dla uproszczonego, jednowymiarowego model ranzysora bipolarnego. ys. 2. ozkład koncenracji nadmiarowych nośników w obszarze neuralnym bazy dla normalnego sanu pracy (U CE > U BE ). Odłączenie prądu emiera spowoduje sopniowy zanik ładunku, co ilusrują kolejne wykresy 1, 2, id.. Wsrzykiwane przez emier nośniki w obszarze neuralnym bazy (brak pola elekrycznego) przemieszczają się na skuek dyfuzji w kierunku kolekora, gdzie ulegną rekombinacji, co spowoduje przepływ prądu kolekora. Aby proces dyfuzji mógł zachodzić w określonym kierunku musi isnieć ujemny gradien koncenracji. Zaem, dla określonej warości prądu emiera rozkład koncenracji nośników można przedsawić za pomocą funkcji n(x, =0). KATEDA ELEKTOIKI AGH ver
9 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 Jeżeli w chwili 0 zosanie przerwane wsrzykiwanie nośników przez emier (czyli wyłączony zosanie prąd bazy) ładunek będzie sopniowo zanikać jak pokazano na rysunku 2, maleć będzie gradien koncenracji, a więc i warość prądu kolekora. W warunkach normalnego sanu pracy (złącze baza kolekor spolaryzowane zaporowo) ładunek nośników nadmiarowych w obszarze bazy jes wpros proporcjonalny do naężenia przepływającego prądu oraz czasu przelou nadmiarowych nośników mniejszościowych przez obszar bazy. gdzie: TT I C TT czas przelou nośników prze bazę, I C prąd kolekora (1) 3. Praca ranzysora w sanie nasycenia Jeżeli do bazy zosanie doprowadzony prąd o warości większej aniżeli (I C /) napięcie kolekor emier zmaleje do akiego poziomu, że złącze kolekora-baza zosanie spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Kolekor nie zbierze wszyskich nośników, skukiem czego uż przy kolekorze wzrośnie koncenracja nośników nadmiarowych. W efekcie w obszarze bazy zosanie zgromadzony dodakowy ładunek nośników mniejszościowych, kórego warość można wyrazić jako: ( I BF ) (2) gdzie: τ - czas usuwania dodakowych-nadmiarowych 1 nośników mniejszościowych. Ten dodakowy ładunek w obszarze bazy silnie opóźnia proces wyłączania ranzysora. Jeżeli w chwili 0 zosanie przerwane wsrzykiwanie nośników przez emier (czyli wyłączony zosanie prąd bazy) prąd kolekora będzie jeszcze płynąć przez pewien okres czasu τ, a jego warość nadal będzie ograniczona przez rezysancję obciążenia. Ładunek nadmiarowych nośników mniejszościowych będzie maleć do momenu τ (jak pokazano na rysunku 3). Począwszy od momenu τ rozpocznie się proces wyłączania ranzysora, a prąd kolekora zacznie maleć, ponieważ od ego momenu zmieniać się będzie gradien koncenracji nośników mniejszościowych. Jeżeli nagle wsrzymamy przepływ prądu emiera, o zgromadzony ładunek będzie zanikać wskuek rzech czynników: 1. przemieszczania się dodakowych-nadmiarowych 1 nośników do kolekora, 2. zewnęrznego prądu polaryzacji bazy I, 3. przemieszczania się nadmiarowych nośników do kolekora. 1 Przez pojęcie dodakowe-nadmiarowe nośniki mniejszościowe należy rozumieć ylko ę część nośników, kóre sanowią ładunek, ermin nadmiarowe nośniki doyczy ylko ładunku KATEDA ELEKTOIKI AGH ver
10 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 ys. 3. ozkład koncenracji nadmiarowych nośników w obszarze neuralnym bazy dla sanu nasycenia (U CE <U BE ), san przejściowy (proces wyłączania ranzysora). Po wyłączeniu prądu bazy emier nie wsrzykuje nośników do bazy. Ładunek przeserowania sopniowo zanika jednak przez cały czas płynie maksymalny prąd kolekora. W momencie ranzysor wychodzi ze sanu nasycenia, prąd kolekora sopniowo maleje ponieważ zmienia się gradien koncenracji nośników w bazie. Zmianę ładunku wskuek ych czynników wyraża wzór poniżej: I po zróżniczkowaniu równania (3) orzymamy: rozwiązaniem równania (4) jes funkcja w posaci: ( ) A e B po podsawieniu (5) do (3) orzymamy: B ( I ) W momencie zmiany kierunku prądu czyli w czasie =0 (warunek począkowy) ( I ) A e ( I BF ) (3) (4) (5) (6) zaem, A ( I B I ) F osaecznie orzymujemy: ( ) ( I I ) e ( I BF ) (7) KATEDA ELEKTOIKI AGH ver
11 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał. 1 ależy eraz ylko obliczyć czas po kórym () jes równe zero: I ln I BF I gdzie: I C prąd kolekora, I BF prąd bazy załączający, I BF prąd bazy rewersyjny posób pomiaru czasu wyjaśnia rysunek nr 4. ysunek pokazuje znaczne opóźnienie przy wyłączaniu ranzysora spowodowane (8) ys. 4. Pomiar czasu magazynowania Wzór (8) jes podobny do przedsawionego wcześniej, w ćwiczeniu nr 3, wzoru (13). Dla diody en paramer nazwaliśmy czasem przelou przez bazę diody. Dla ranzysora wzór (8) określa czas magazynowania nośników w obszarze bazy. Klucz ranzysorowy pozosanie ak długo w sanie załączonym dopóki dodakowe-nadmiarowe nośniki mniejszościowe nie zosaną usunięe z obszaru bazy. Jeżeli I C / jes równe I BF wyrażenie pod logarymem przyjmuje warość 1, a warość logarymu jes równa 0, zaem orzymujemy zerowy czas magazynowania. Wówczas ranzysor nie wchodzi w san nasycenia. Wzór (8) pokazuje również, że jeżeli ranzysor jes serowany impulsowo duża warość współczynnika wzmocnienia prądowego nie jes korzysna. KATEDA ELEKTOIKI AGH ver
12 Laboraorium Elemenów Elekronicznych: PZEŁĄCZAIE DIOD I TAZYTOÓW. zał Pomiar czas życia nośników w bazie Pomiar czasu życia nośników w bazie można przeprowadzić w oparciu o meodę (Open Circui Volage Decay), (OCVD) przedsawioną w punkcie doyczącym przełączania diody wzór (6). Czas życia można również wyznaczyć na podsawie pomiaru czasu narasania prądu kolekora. Czas po kórym prąd kolekora osiąga 63% maksymalnej warości prądu kolekora jes równy czasowi życia nośników w bazie. Przy pomiarze szybkości narasania prądu kolekora ranzysor nie może wchodzić w san nasycenia. Znajomość czasu życia nośników w bazie umożliwia oszacowanie ładunku nośników mniejszościowych w bazie ranzysora. B B I BF Jeżeli ranzysor pracuje w sanie normalnym (U CE >U BE ) ładunek en niemal w całości przechwyywany jes przez kolekor ranzysora, zaem; (9) B (10) B I BF I C (11) gdzie: τ B czas życia nośników mniejszościowych w bazie, τ czas przelou nośników przez bazę, I C - prąd kolekora, I BF prąd bazy Korzysając z wzorów (9) i (11) można również wyznaczyć zależności dla pracy inwersyjnej ranzysora. Pomiar szybkości narasania prądu kolekora wyjaśnia rysunek 5. ys 5. Pomiar sałej czasowej τ B. ZbigMag KATEDA ELEKTOIKI AGH ver
Ćwiczenie nr 6 (część teoretyczna) Przełączanie tranzystora
Ćwiczenie nr 6 (część teoretyczna) Przełączanie tranzystora Normalnym stanem pracy tranzystora bipolarnego są takie warunki pracy, że w stanie spoczynkowym, czyli bez sygnału wejściowego, wartość prądu
Bardziej szczegółowoGr.A, Zad.1. Gr.A, Zad.2 U CC R C1 R C2. U wy T 1 T 2. U we T 3 T 4 U EE
Niekóre z zadań dają się rozwiązać niemal w pamięci, pamięaj jednak, że warunkiem uzyskania różnej od zera liczby punków za każde zadanie, jes przedsawienie, oprócz samego wyniku, akże rozwiązania, wyjaśniającego
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Elektrotechniki
AGH Kaedra Elekroniki Podsawy Elekroniki dla Elekroechniki Klucze Insrukcja do ćwiczeń symulacyjnych (5a) Insrukcja do ćwiczeń sprzęowych (5b) Ćwiczenie 5a, 5b 2015 r. 1 1. Wsęp. Celem ćwiczenia jes ugrunowanie
Bardziej szczegółowoPrzełączanie diody. Stan przejściowy pomiędzy stanem przewodzenia diod, a stanem nieprzewodzenia opisuje się za pomocą parametru/ów czasowego/ych.
Przełączaie diody 1. Trochę eorii a przejściowy pomiędzy saem przewodzeia diod, a saem ieprzewodzeia opisuje się za pomocą parameru/ów czasowego/ych. Mamy więc ajprosszy eleme półprzewodikowy (dwójik),
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 6 WŁASNOŚCI DYNAMICZNE DIOD
1. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 6 WŁASNOŚCI DYNAMICZNE DIOD Celem ćwiczenia jes poznanie własności dynamicznych diod półprzewodnikowych. Obejmuje ono zbadanie sanów przejściowych podczas procesu przełączania
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 Badanie stanów nieustalonych w obwodach RL, RC i RLC przy wymuszeniu stałym
ĆWIZENIE 4 Badanie sanów nieusalonych w obwodach, i przy wymuszeniu sałym. el ćwiczenia Zapoznanie się z rozpływem prądów, rozkładem w sanach nieusalonych w obwodach szeregowych, i Zapoznanie się ze sposobami
Bardziej szczegółowoPolitechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017
Poliechnika Wrocławska Klucze analogowe Wrocław 2017 Poliechnika Wrocławska Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji układów impulsowych oraz cyfrowych jes wykorzysanie wielkosygnałowej pacy elemenów akywnych,
Bardziej szczegółowoC d u. Po podstawieniu prądu z pierwszego równania do równania drugiego i uporządkowaniu składników lewej strony uzyskuje się:
Zadanie. Obliczyć przebieg napięcia na pojemności C w sanie przejściowym przebiegającym przy nasępującej sekwencji działania łączników: ) łączniki Si S są oware dla < 0, ) łącznik S zamyka się w chwili
Bardziej szczegółowoPolitechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Klucze analogowe. Wrocław 2010
Poliechnika Wrocławska nsyu elekomunikacji, eleinformayki i Akusyki Klucze analogowe Wrocław 200 Poliechnika Wrocławska nsyu elekomunikacji, eleinformayki i Akusyki Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji
Bardziej szczegółowo( 3 ) Kondensator o pojemności C naładowany do różnicy potencjałów U posiada ładunek: q = C U. ( 4 ) Eliminując U z równania (3) i (4) otrzymamy: =
ROZŁADOWANIE KONDENSATORA I. el ćwiczenia: wyznaczenie zależności napięcia (i/lub prądu I ) rozładowania kondensaora w funkcji czasu : = (), wyznaczanie sałej czasowej τ =. II. Przyrządy: III. Lieraura:
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoDYNAMIKA KONSTRUKCJI
10. DYNAMIKA KONSTRUKCJI 1 10. 10. DYNAMIKA KONSTRUKCJI 10.1. Wprowadzenie Ogólne równanie dynamiki zapisujemy w posaci: M d C d Kd =P (10.1) Zapis powyższy oznacza, że równanie musi być spełnione w każdej
Bardziej szczegółowoPolitechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i Automatyki Katedra Inżynierii Systemów Sterowania. Podstawy Automatyki
Poliechnika Gdańska Wydział Elekroechniki i Auomayki Kaedra Inżynierii Sysemów Serowania Podsawy Auomayki Repeyorium z Podsaw auomayki Zadania do ćwiczeń ermin T15 Opracowanie: Kazimierz Duzinkiewicz,
Bardziej szczegółowoψ przedstawia zależność
Ruch falowy 4-4 Ruch falowy Ruch falowy polega na rozchodzeniu się zaburzenia (odkszałcenia) w ośrodku sprężysym Wielkość zaburzenia jes, podobnie jak w przypadku drgań, funkcją czasu () Zaburzenie rozchodzi
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PROSTOWNIKI
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 5 PROSTOWNIKI DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowo4.2. Obliczanie przewodów grzejnych metodą dopuszczalnego obciążenia powierzchniowego
4.. Obliczanie przewodów grzejnych meodą dopuszczalnego obciążenia powierzchniowego Meodą częściej sosowaną w prakyce projekowej niż poprzednia, jes meoda dopuszczalnego obciążenia powierzchniowego. W
Bardziej szczegółowoE5. KONDENSATOR W OBWODZIE PRĄDU STAŁEGO
E5. KONDENSATOR W OBWODZIE PRĄDU STAŁEGO Marek Pękała i Jadwiga Szydłowska Procesy rozładowania kondensaora i drgania relaksacyjne w obwodach RC należą do szerokiej klasy procesów relaksacyjnych. Procesy
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 43 U R I (1)
ĆWCZENE N 43 POMY OPO METODĄ TECHNCZNĄ Cel ćwiczenia: wyznaczenie warości oporu oporników poprzez pomiary naężania prądu płynącego przez opornik oraz napięcia na oporniku Wsęp W celu wyznaczenia warości
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Tema ćwiczenia: BADANIE MULTIWIBRATORA UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI. 2. 3. Imię i Nazwisko 4. Daa wykonania Daa oddania Ocena Kierunek Rok sudiów
Bardziej szczegółowo( ) ( ) ( τ) ( t) = 0
Obliczanie wraŝliwości w dziedzinie czasu... 1 OBLICZANIE WRAśLIWOŚCI W DZIEDZINIE CZASU Meoda układu dołączonego do obliczenia wraŝliwości układu dynamicznego w dziedzinie czasu. Wyznaczane będą zmiany
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoWSTĘP DO ELEKTRONIKI
WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część I Napięcie, naężenie i moc prądu elekrycznego Sygnały elekryczne i ich klasyfikacja Rodzaje układów elekronicznych Janusz Brzychczyk IF UJ Elekronika Dziedzina nauki i echniki
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 7 WYZNACZANIE LOGARYTMICZNEGO DEKREMENTU TŁUMIENIA ORAZ WSPÓŁCZYNNIKA OPORU OŚRODKA. Wprowadzenie
ĆWICZENIE 7 WYZNACZIE LOGARYTMICZNEGO DEKREMENTU TŁUMIENIA ORAZ WSPÓŁCZYNNIKA OPORU OŚRODKA Wprowadzenie Ciało drgające w rzeczywisym ośrodku z upływem czasu zmniejsza ampliudę drgań maleje energia mechaniczna
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoBadanie funktorów logicznych TTL - ćwiczenie 1
adanie funkorów logicznych TTL - ćwiczenie 1 1. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podsawowymi srukurami funkorów logicznych realizowanych w echnice TTL (Transisor Transisor Logic), ich podsawowymi paramerami
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚLĄSKA W GLIWICACH WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA i ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN i URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH
POLIECHNIKA ŚLĄSKA W GLIWICACH WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA i ENERGEYKI INSYU MASZYN i URZĄDZEŃ ENERGEYCZNYCH IDENYFIKACJA PARAMERÓW RANSMIANCJI Laboraorium auomayki (A ) Opracował: Sprawdził: Zawierdził:
Bardziej szczegółowoUkłady zasilania tranzystorów. Punkt pracy tranzystora Tranzystor bipolarny. Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny
kłady zasilania ranzysorów Wrocław 28 Punk pracy ranzysora Punk pracy ranzysora Tranzysor unipolarny SS GS p GS S S opuszczalny oszar pracy (safe operaing condiions SOA) P max Zniekszałcenia nieliniowe
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoWykład 4 Metoda Klasyczna część III
Teoria Obwodów Wykład 4 Meoda Klasyczna część III Prowadzący: dr inż. Tomasz Sikorski Insyu Podsaw Elekroechniki i Elekroechnologii Wydział Elekryczny Poliechnika Wrocławska D-, 5/8 el: (7) 3 6 fax: (7)
Bardziej szczegółowoWydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki. Badanie zasilaczy ze stabilizacją napięcia
Wydział Mechaniczno-Energeyczny Laboraorium Elekroniki Badanie zasilaczy ze sabilizacją napięcia 1. Wsęp eoreyczny Prawie wszyskie układy elekroniczne (zarówno analogowe, jak i cyfrowe) do poprawnej pracy
Bardziej szczegółowoTemat: Wyznaczanie charakterystyk baterii słonecznej.
Ćwiczenie Nr 356 Tema: Wyznaczanie charakerysyk baerii słonecznej. I. Lieraura. W. M. Lewandowski Proekologiczne odnawialne źródła energii, WNT, 007 (www.e-link.com.pl). Ćwiczenia laboraoryjne z fizyki
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM Z ELEKTRONIKI
LABORAORIM Z ELEKRONIKI PROSOWNIKI Józef Boksa WA 01 1. PROSOWANIKI...3 1.1. CEL ĆWICZENIA...3 1.. WPROWADZENIE...3 1..1. Prosowanie...3 1.3. PROSOWNIKI NAPIĘCIA...3 1.4. SCHEMAY BLOKOWE KŁADÓW POMIAROWYCH...5
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET
Wydział Elekroniki Mikrosysemów i Fooniki Poliechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Przełącznikowy ranzysor mocy MOSFET Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ
Bardziej szczegółowoPodstawy elektrotechniki
Wydział Mechaniczno-Energeyczny Podsawy elekroechniki Prof. dr hab. inż. Juliusz B. Gajewski, prof. zw. PWr Wybrzeże S. Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław Bud. A4 Sara kołownia, pokój 359 Tel.: 7 320 320
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoPodstawy elektrotechniki
Wydział Mechaniczno-Energeyczny Podsawy elekroechniki Prof. dr hab. inż. Juliusz B. Gajewski, prof. zw. PWr Wybrzeże S. Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław Bud. A4 Sara kołownia, pokój 359 Tel.: 71 320 3201
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoZasada pędu i popędu, krętu i pokrętu, energii i pracy oraz d Alemberta bryły w ruchu postępowym, obrotowym i płaskim
Zasada pędu i popędu, kręu i pokręu, energii i pracy oraz d Alembera bryły w ruchu posępowym, obroowym i płaskim Ruch posępowy bryły Pęd ciała w ruchu posępowym obliczamy, jak dla punku maerialnego, skupiając
Bardziej szczegółowo19. Zasilacze impulsowe
19. Zasilacze impulsowe 19.1. Wsęp Sieć energeyczna (np. 230V, 50 Hz Prosownik sieciowy Rys. 19.1.1. Zasilacz o działaniu ciągłym Sabilizaor napięcia Napięcie sałe R 0 Napięcie sałe E A Zasilacz impulsowy
Bardziej szczegółowoSilniki cieplne i rekurencje
6 FOTO 33, Lao 6 Silniki cieplne i rekurencje Jakub Mielczarek Insyu Fizyki UJ Chciałbym Pańswu zaprezenować zagadnienie, kóre pozwala, rozważając emaykę sprawności układu silników cieplnych, zapoznać
Bardziej szczegółowoUkłady sekwencyjne asynchroniczne Zadania projektowe
Układy sekwencyjne asynchroniczne Zadania projekowe Zadanie Zaprojekować układ dwusopniowej sygnalizacji opycznej informującej operaora procesu o przekroczeniu przez konrolowany paramer warości granicznej.
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI Badanie Bramki X-OR
LORTORIUM PODSTWY ELEKTRONIKI adanie ramki X-OR 1.1 Wsęp eoreyczny. ramka XOR ramka a realizuje funkcję logiczną zwaną po angielsku EXLUSIVE-OR (WYŁĄZNIE LU). Polska nazwa brzmi LO. Funkcję EX-OR zapisuje
Bardziej szczegółowoCałka nieoznaczona Andrzej Musielak Str 1. Całka nieoznaczona
Całka nieoznaczona Andrzej Musielak Sr Całka nieoznaczona Całkowanie o operacja odwrona do liczenia pochodnych, zn.: f()d = F () F () = f() Z definicji oraz z abeli pochodnych funkcji elemenarnych od razu
Bardziej szczegółowo2.1 Zagadnienie Cauchy ego dla równania jednorodnego. = f(x, t) dla x R, t > 0, (2.1)
Wykład 2 Sruna nieograniczona 2.1 Zagadnienie Cauchy ego dla równania jednorodnego Równanie gań sruny jednowymiarowej zapisać można w posaci 1 2 u c 2 2 u = f(x, ) dla x R, >, (2.1) 2 x2 gdzie u(x, ) oznacza
Bardziej szczegółowoWYKŁAD FIZYKAIIIB 2000 Drgania tłumione
YKŁD FIZYKIIIB Drgania łumione (gasnące, zanikające). F siła łumienia; r F r b& b współczynnik łumienia [ Nm s] m & F m & && & k m b m F r k b& opis różnych zjawisk izycznych Niech Ce p p p p 4 ± Trzy
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Elektrotechniki. Układy przełączające
AGH Kaedra Elekroniki Podsawy Elekroniki dla Elekroechniki Układy przełączające Insrukcja do ćwiczeń symulacyjnych (5a) Insrukcja do ćwiczeń sprzęowych (5b) Ćwiczenie 5a, 5b 2017 r. 1. Wsęp. Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoDobór przekroju żyły powrotnej w kablach elektroenergetycznych
Dobór przekroju żyły powronej w kablach elekroenergeycznych Franciszek pyra, ZPBE Energopomiar Elekryka, Gliwice Marian Urbańczyk, Insyu Fizyki Poliechnika Śląska, Gliwice. Wsęp Zagadnienie poprawnego
Bardziej szczegółowoTemat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowoRuch płaski. Bryła w ruchu płaskim. (płaszczyzna kierująca) Punkty bryły o jednakowych prędkościach i przyspieszeniach. Prof.
Ruch płaski Ruchem płaskim nazywamy ruch, podczas kórego wszyskie punky ciała poruszają się w płaszczyznach równoległych do pewnej nieruchomej płaszczyzny, zwanej płaszczyzną kierującą. Punky bryły o jednakowych
Bardziej szczegółowoRozdział 4 Instrukcje sekwencyjne
Rozdział 4 Insrukcje sekwencyjne Lisa insrukcji sekwencyjnych FBs-PLC przedsawionych w niniejszym rozdziale znajduje się w rozdziale 3.. Zasady kodowania przy zasosowaniu ych insrukcji opisane są w rozdziale
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoRównania różniczkowe. Lista nr 2. Literatura: N.M. Matwiejew, Metody całkowania równań różniczkowych zwyczajnych.
Równania różniczkowe. Lisa nr 2. Lieraura: N.M. Mawiejew, Meody całkowania równań różniczkowych zwyczajnych. W. Krysicki, L. Włodarski, Analiza Maemayczna w Zadaniach, część II 1. Znaleźć ogólną posać
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych
Bardziej szczegółowozestaw laboratoryjny (generator przebiegu prostokątnego + zasilacz + częstościomierz), oscyloskop 2-kanałowy z pamięcią, komputer z drukarką,
- Ćwiczenie 4. el ćwiczenia Zapoznanie się z budową i działaniem przerzunika asabilnego (muliwibraora) wykonanego w echnice dyskrenej oraz TTL a akże zapoznanie się z działaniem przerzunika T (zwanego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW OPTOELEKTRONIKI WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK STATYCZNYCH I DYNAMICZNYCH TRANSOPTORA PC817
LABORATORIUM PODSTAW OPTOELEKTRONIKI WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK STATYCZNYCH I DYNAMICZNYCH TRANSOPTORA PC87 Ceem badań jes ocena właściwości saycznych i dynamicznych ransopora PC 87. Badany ransopor o
Bardziej szczegółowoMatematyka ubezpieczeń majątkowych r. ma złożony rozkład Poissona. W tabeli poniżej podano rozkład prawdopodobieństwa ( )
Zadanie. Zmienna losowa: X = Y +... + Y N ma złożony rozkład Poissona. W abeli poniżej podano rozkład prawdopodobieńswa składnika sumy Y. W ejże abeli podano akże obliczone dla k = 0... 4 prawdopodobieńswa
Bardziej szczegółowoPOMIAR PARAMETRÓW SYGNAŁOW NAPIĘCIOWYCH METODĄ PRÓKOWANIA I CYFROWEGO PRZETWARZANIA SYGNAŁU
Pomiar paramerów sygnałów napięciowych. POMIAR PARAMERÓW SYGNAŁOW NAPIĘCIOWYCH MEODĄ PRÓKOWANIA I CYFROWEGO PRZEWARZANIA SYGNAŁU Cel ćwiczenia Poznanie warunków prawidłowego wyznaczania elemenarnych paramerów
Bardziej szczegółowoPodstawowe wyidealizowane elementy obwodu elektrycznego Rezystor ( ) = ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( τ ) i t i t u ( ) u t u t i ( ) i t. dowolny.
Tema. Opracował: esław Dereń Kaedra Teorii Sygnałów Insyu Telekomunikacji Teleinformayki i Akusyki Poliechnika Wrocławska Prawa auorskie zasrzeżone Podsawowe wyidealizowane elemeny obwodu elekrycznego
Bardziej szczegółowoPracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC
Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości
Bardziej szczegółowoWojewódzki Konkurs Matematyczny dla uczniów gimnazjów. Etap szkolny 5 listopada 2013 Czas 90 minut
Wojewódzki Konkurs Maemayczny dla uczniów gimnazjów. Eap szkolny 5 lisopada 2013 Czas 90 minu ZADANIA ZAMKNIĘTE Zadanie 1. (1 punk) Liczby A = 0, 99, B = 0, 99 2, C = 0, 99 3, D = 0, 99, E=0, 99 1 usawiono
Bardziej szczegółowoWykład 5 Elementy teorii układów liniowych stacjonarnych odpowiedź na dowolne wymuszenie
Wykład 5 Elemeny eorii układów liniowych sacjonarnych odpowiedź na dowolne wymuszenie Prowadzący: dr inż. Tomasz Sikorski Insyu Podsaw Elekroechniki i Elekroechnologii Wydział Elekryczny Poliechnika Wrocławska
Bardziej szczegółowoTranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr
Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami
Bardziej szczegółowoPrzekaźniki czasowe ATI opóźnienie załączania Czas Napięcie sterowania Styki Numer katalogowy
W celu realizowania prosych układów opóźniających można wykorzysać przekaźniki czasowe dedykowane do poszczególnych aplikacji. Kompakowa obudowa - moduł 22,5 mm, monaż na szynie DIN, sygnalizacja sanu
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY POLOWE JFET I MOSFET
POLTECHNKA RZEZOWKA Kaedra Podsaw Elekroiki srukcja Nr5 F 00/003 sem. lei TRANZYTORY POLOWE JFET MOFET Cel ćwiczeia: Pomiar podsawowych charakerysyk i wyzaczeie paramerów określających właściwości razysora
Bardziej szczegółowoĆw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2009/2010 Zadania dla grupy elektrycznej na zawody I stopnia
EUOEEKA Ogólnopolska Olimpiada iedzy Elekrycznej i Elekronicznej ok szkolny 2009/2010 Zadania dla grpy elekrycznej na zawody I sopnia 1 Ilość ładnk w klombach [C], kóry przepłynął przez przewód, można
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział
Bardziej szczegółowoWiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Bardziej szczegółowoBADANIE DYNAMICZNYCH WŁAŚCIWOŚCI PRZETWORNIKÓW POMIAROWYCH
BADANIE DYNAMICZNYCH WŁAŚCIWOŚCI PRZETWORNIKÓW POMIAROWYCH. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jes poznanie właściwości przyrządów i przeworników pomiarowych związanych ze sanami przejściowymi powsającymi po
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoIA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Bardziej szczegółowokierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II
kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody
Bardziej szczegółowoĆw. III. Dioda Zenera
Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoAnalityczny opis łączeniowych strat energii w wysokonapięciowych tranzystorach MOSFET pracujących w mostku
Pior GRZEJSZCZK, Roman BRLIK Wydział Elekryczny, Poliechnika Warszawska doi:1.15199/48.215.9.12 naliyczny opis łączeniowych sra energii w wysokonapięciowych ranzysorach MOSFET pracujących w mosku Sreszczenie.
Bardziej szczegółowoRegulatory. Zadania regulatorów. Regulator
Regulaory Regulaor Urządzenie, kórego podsawowym zadaniem jes na podsawie sygnału uchybu (odchyłki regulacji) ukszałowanie sygnału serującego umożliwiającego uzyskanie pożądanego przebiegu wielkości regulowanej
Bardziej szczegółowoDOBÓR PRZEKROJU ŻYŁY POWROTNEJ W KABLACH ELEKTROENERGETYCZNYCH
Franciszek SPYRA ZPBE Energopomiar Elekryka, Gliwice Marian URBAŃCZYK Insyu Fizyki Poliechnika Śląska, Gliwice DOBÓR PRZEKROJU ŻYŁY POWROTNEJ W KABLACH ELEKTROENERGETYCZNYCH. Wsęp Zagadnienie poprawnego
Bardziej szczegółowoLaboratorium z PODSTAW AUTOMATYKI, cz.1 EAP, Lab nr 3
I. ema ćwiczenia: Dynamiczne badanie przerzuników II. Cel/cele ćwiczenia III. Wykaz użyych przyrządów IV. Przebieg ćwiczenia Eap 1: Przerzunik asabilny Przerzuniki asabilne służą jako generaory przebiegów
Bardziej szczegółowoSPRAWOZDANIE Z PROJEKTU Dioda jako czujnik temperatury
emperaury 1. Cele Sprawdzenie zależności między emperaurą a naężeniem świała emiowanego przez diodę LED (napięciem baza-emier na ranzysorze) w układzie z Rys.1 (parz srona 1 Budowa układu ). 2. Wykaz przyrządów
Bardziej szczegółowoRys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn
Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora
Bardziej szczegółowoIMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego. IMPSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Przekształtnik impulsowy z tranzystorem szeregowym słuŝy do przetwarzania energii prądu jednokierunkowego
Bardziej szczegółowoTEORIA PRZEKSZTAŁTNIKÓW. Kurs elementarny Zakres przedmiotu: ( 7 dwugodzinnych wykładów :) W4. Złożone i specjalne układy przekształtników sieciowych
EORA PRZEKSZAŁNKÓW W1. Wiadomości wsępne W. Przekszałniki sieciowe 1 W3. Przekszałniki sieciowe Kurs elemenarny Zakres przedmiou: ( 7 dwugodzinnych wykładów :) W4. Złożone i specjalne układy przekszałników
Bardziej szczegółowo