TECHNOLOGIA STRUKTUR MOEMS

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "TECHNOLOGIA STRUKTUR MOEMS"

Transkrypt

1 Różne wyniki trawienia krzemu TECHNOLOGIA STRUKTUR MOEMS prof. nzw. Romuald B. Beck Wykład 3 Warszawa, czerwiec 2008 Wytwarzanie belki (belka krzemowa) Magnetic Force Microscope MFM Ostrze do analizy MFM Topografia powierzchni taśmy magnetycznej Obraz pola magnetycznego na taśmie uzyskany za pomocą MFM Wytwarzanie belki (belka nie-krzemowa) Belka przyrząd d do generacji w.cz. Lokalnie wytworzony obszar łatwy do trawienia Osadzanie warstwy - materiał przyszłej belki Fotolitografia i trawienie kształtowanie belki Selektywne wytrawienie obszaru łatwego do trawienia uwalnia uformowaną belkę! 1

2 Trawienie mokre krzemu Izotropowe trawienie krzemu Trawienie izotropowe mieszanina HF:HNO 3 :H 2 O (lub CH 3 COOH) Trawienie anizotropowe (szybkość trawienia zależy od orientacji krystalograficznej + domieszkowania B) mieszaniny oparte na: KOH (NaOH, CeOH, RbOH, NH 4 OH,...) TMAH EDP (etylen-diamoinapyrcathehol) - bardzo korozyjny i bardzo kancerogenny(!!!) hydrazynie (N 2 H 4 ) paliwo rakietowe Mechanizm trawienia: HNO 3 utlenia lokalnie Si HF usuwa lokalnie tlenek H 2 O lub CH 3 COOH spełniają rolę rozcieńczalnika Zakresy trawienia: 1. proces kontrolowany przez HNO 3, pozostaje cienka warstwa tlenku 2. proces kontrolowany prez HF, pozostaje gruba (3-5nm) warstwa tlenku (nadaje się do polerowania!) 3. proces bardzo szybki Anizotropowe trawienie krzemu Trawienie Si w KOH Poprawnie zorientowane podłoże (100) daje łatwe do przewidzenia kształty Odchylenia od orientacji poprawnej przynosi wiele kłopotów (110) jest już zdecydowanie trudniejsze do opanowania Obiekt obrócony Typowy skład: KOH alkohol izopropylowy H 2 O Trawienie w 80 C + intensywne mieszanie Szybkości trawienia: Si (100) ~ 1µm/min Si 3 N 4 ~ 1.4nm/godz (!!!) SiO 2 ~ 2.0nm/min Anizotropia trawienia (111):(110):(100)=1:600:400 Charaketrystyka procesu: proces niekompatybilny z CMOS (obecność K!!!) proces stosunkowo bezpieczny dobrze poznany i stabilny Obiekt źle scentrowany Trawienie Si w TMAH Anizotropowe mokre trawienie krzemu TMAH to wodorotlenek terametylo-amonowy Typowy skład: TMAH H 2 O Trawienie w 80 C + intensywne mieszanie Szybkości trawienia: Si (100) ~ 1µm/min Si 3 N 4 < 2 nm/min SiO 2 < 5 nm/min Anizotropia trawienia (111):(100) ~ 1:10 1:35 Charakterystyka procesu: TMAH jest bezpiecznym odczynnikiem trawienie kompatybilne z CMOS (brak potasowców!!) dno trawionego profilu gładkie lub porowate w zależności od parametrów procesu (głównie składu mieszaniny) 2

3 Elektrochemiczne trawienie Si Elektrochemiczne porowacenie krzemu Elektroda z płytką Si Naczynie z elektrolitem zawierającym HF Elektroda Pt Mechanizm procesu: spolaryzowany dodatnio względem elektrolitu Si dziury wstrzyknięte z obwodu zewnętrznego utlenianie Si HF trawie powstałe SiO 2 Przy niskich stężeniach HF w elektrolicie polerowanie (elektropolerowanie) Przy wysokich stężeniach HF w elektrolicie nie cała powierzchnia Si zdąży ulec utlenieniu Si trawi się miejscami powstaje porowaty Si POROWATOŚĆ [%] ma/cm2 120mA/cm ma/cm2 10 ma/cm stężenie HF 20% 30 Si typ p ρ=0,02 Ωcm CZAS POROWACENIA [s] Parametry procesu: typ domieszki w krzemie koncentracja domieszki skład mieszaniny (elektrolitu) wymuszana gęstość prądu (lub napięcie) czas trawienia Parametry warstwy: grubość warstwy morfologia porów porowatość Krzem porowaty (obrazy z SEM cz.2) Technologia APSM ( (Advanced Porous Silicon Membrane) ) Bosch Odpowiednio przygotowane podłoże (selektywne domieszkowanie w celu zróżnicowania szybkości trawienia krzemu) Selektywne porowacenie krzemu wytwarza przestrzeń przyszłej komory pod membraną Technologia APSM (cz.2) Krzem porowaty możliwo liwość przebudowy morfologii (obrazy z SEM i AFM) Proces wygrzewania powoduje zmiany morfologii krzemu sporowaconego Proces epitaksji buduje nową warstwę na powierzchni odtwarza strukturę krzemu podłożowego i tworzy membranę o zadanej grubości warstwa krzemu porowatego podłoże Proces wysokotemperaturowy 3

4 Głębokie trawienie krzemu (DRIE) Głębokie trawienie krzemu (DRIE) Naprzemienne stosowanie dwóch procesów plazmowych: reaktywne trawienie jonowe (RIE) usuwanie krzemu na pewną głębokość osadzanie warstwy polimeru na ściankach trawionego profilu (PECVD) zabezpieczenie przed trawieniem w kierunku poziomym Możliwość uzyskania bardzo głębokich i stromych ścian profilu trawienia! Mikroreaktory Kryształy fotoniczne porowaty krzem (makropory) osadzanie + fotolitografia + trawienie Excimer Laser Ablation Wiązka umożliwia formowanie organicznych materiałów bez topienia i przypalania bezpośredniego otoczenia Ilość usuniętego materiału zależy od: materiału długości impulsu intensywności wiązki Uformowanie wiązki laserowej pozwala na kontrolę profilu trawienia ściany pionowe profil nachylony profil podcięty Laserowa mikro-stereo litografia Turbina zbudowana z 110 warstw o grubości 4.5 µm 4

5 Łączenie anodowe (anodic bonding) Łączenie dyfuzyjne (fusion bonding) Pewne łączenie położy gładkimi powierzchniami np. szkło-krzem, szkło-szkło (jedno z podłoży musi być źródłem anionów) Parametry procesu: ciśnienie atmosferyczne lub próżnia temperatura C nacisk rzędu 20 N napięcie stałe < 2kV prądy < 40mA Przyłożone napięcie warstwa zubożona w której pojawia się silne pole elektr. pojawia się elektrostatyczna siła przyciągania krzem-szkło przepływ jonów tlenu ze szkła do powierzchni krzemu reakcja anodowa Si+O - = SiO 2 stałe połączenie materiałów Bardzo gładkie powierzchnie stykane są ze sobą siły van der Waals a zapewniają wstępne połączenie obu płytek Połączenie jest wzmacniane przez wygrzewanie w odpowiedniej temperaturze powstają wiązania chemiczne i pełnie połączenie między płytkami Można tak łączyć ze sobą: krzem-krzem tlenek krzemu krzem tlenek krzemu tlenek krzemu krzem-azotek galu krzem-azotek indu... Komercyjnie produkowane są np. podłoża Silicon-On- Insulator (SOI) Elementy układ adów w elektronicznych w technologii MEMS Kondensator strojony (MEMS) Cewki o wysokiej dobroci Strojone filtry Elementy MOEMS Mikro-pensety Uchwyty do montażu światłowodów Układy optyczne, przesłony, soczewki,... 5

6 Mikro-pensety z napędem 3D układy optyczne Soczewka mikro-kula Soczewka Fresnela Source: Fan & Wu 1997 Różne cuda i cudeńka 6

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100

Bardziej szczegółowo

MIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie

MIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie MIKROSYSTEMY Ćwiczenie nr 2a Utlenianie 1. Cel ćwiczeń: Celem zajęć jest wykonanie kompletnego procesu mokrego utleniania termicznego krzemu. W skład ćwiczenia wchodzą: obliczenie czasu trwania procesu

Bardziej szczegółowo

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm)

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm) Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm) np. pamięci: 64k 1000/100 >1M 100/10 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik

Bardziej szczegółowo

Technologia elementów optycznych

Technologia elementów optycznych Technologia elementów optycznych dr inż. Michał Józwik pokój 507a jozwik@mchtr.pw.edu.pl Część 7 Technologia mikrosystemów MEMS/MOEMS Pojęcia podstawowe Wymiary MEMS/MOEMS Elementy technologii mikroelementów

Bardziej szczegółowo

Technologia planarna

Technologia planarna Technologia planarna Wszystkie końcówki elementów wyprowadzone na jedną, płaską powierzchnię płytki półprzewodnikowej Technologia krzemowa a) c) b) d) Wytwarzanie masek (a,b) Wytwarzanie płytek krzemowych

Bardziej szczegółowo

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 300055 (22) Data zgłoszenia: 12.08.1993 (5 1) IntCl6: H01L21/76 (54)

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych

Skalowanie układów scalonych Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

Czyszczenie powierzchni podłoży jest jednym z

Czyszczenie powierzchni podłoży jest jednym z to jedna z największych w Polsce inwestycji w obszarze badań i rozwoju wysokich technologii (high-tech). W jej wyniku powstała sieć laboratoriów wyposażonych w najnowocześniejszą infrastrukturę techniczną,

Bardziej szczegółowo

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła Physical

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego

Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem... Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego Jerzy Sarnecki, Andrzej Brzozowski,

Bardziej szczegółowo

Struktura CMOS Click to edit Master title style

Struktura CMOS Click to edit Master title style Struktura CMOS Click to edit Master text styles warstwy izolacyjne (CVD) Second Level kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) NMOS metal II metal I PWELL podłoże P PMOS NWELL przelotka (VIA) obszary

Bardziej szczegółowo

Technologia ogniw paliwowych w IEn

Technologia ogniw paliwowych w IEn Technologia ogniw paliwowych w IEn Mariusz Krauz 1 Wstęp Opracowanie technologii ES-SOFC 3 Opracowanie technologii AS-SOFC 4 Podsumowanie i wnioski 1 Wstęp Rodzaje ogniw paliwowych Temperatura pracy Temperatura

Bardziej szczegółowo

Czujniki mikromechaniczne

Czujniki mikromechaniczne Czujniki mikromechaniczne WSTĘP Narzędzia mikroelektroniki zastosowane do struktur mechanicznych pozwalają wytworzyć nie tylko proste czujniki o wymiarach mikronowych ale całe struktury - mikrosystemy.

Bardziej szczegółowo

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie

Bardziej szczegółowo

Procesy technologiczne w elektronice

Procesy technologiczne w elektronice Procesy technologiczne w elektronice Wytwarzanie monokryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora. Trawienie. Montowanie

Bardziej szczegółowo

OBRÓBKA PLAZMOWA W MIKROELEKTRONICE I MIKROMECHANICE

OBRÓBKA PLAZMOWA W MIKROELEKTRONICE I MIKROMECHANICE OBRÓBKA PLAZMOWA W MIKROELEKTRONICE I MIKROMECHANICE Metody suchego i mokrego trawienia umożliwiają selektywne trawienie metali, przewodników, dielektryków a także światłoczułych materiałów organicznych

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali

Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali Wymagane wiadomości Podstawy korozji elektrochemicznej, wykresy E-pH. Wprowadzenie Główną przyczyną zniszczeń materiałów metalicznych

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL BUP 26/06

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL BUP 26/06 PL 212025 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 212025 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 375716 (51) Int.Cl. H01L 27/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja

Bardziej szczegółowo

MODYFIKACJA SPECYFIKACJI ISTOTNYCH WARUNKÓW ZAMÓWIENIA

MODYFIKACJA SPECYFIKACJI ISTOTNYCH WARUNKÓW ZAMÓWIENIA Znak postępowania: CEZAMAT/ZP01/2013 Warszawa, dnia 10.07.2013 r. L. dz. CEZ-170-13 MODYFIKACJA SPECYFIKACJI ISTOTNYCH WARUNKÓW ZAMÓWIENIA Dotyczy postępowania prowadzonego w trybie przetargu nieograniczonego

Bardziej szczegółowo

Modelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 1. Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia

Modelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 1. Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia Modelowanie mikrosystemów - laboratorium Ćwiczenie 1 Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest dobranie

Bardziej szczegółowo

Modelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 2. Modelowanie pracy mikromechanicznego pojemnościowego czujnika ciśnienia z membraną typu bossed

Modelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 2. Modelowanie pracy mikromechanicznego pojemnościowego czujnika ciśnienia z membraną typu bossed Modelowanie mikrosystemów - laboratorium Ćwiczenie 2 Modelowanie pracy mikromechanicznego pojemnościowego czujnika ciśnienia z membraną typu bossed Zadania i cel ćwiczenia. Zadaniem wykonującego ćwiczenie

Bardziej szczegółowo

Modelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 1. Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia

Modelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 1. Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia Modelowanie mikrosystemów - laboratorium Ćwiczenie 1 Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest dobranie

Bardziej szczegółowo

WYKŁAD 7 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni

WYKŁAD 7 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni Mikrosystemy ceramiczne WYKŁAD 7 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni Wykład 7 Wytwarzanie struktur 3D Łączenie LTCC z innymi materiałami Integracja przeźroczystego szkła z modułem LTCC Łączenie PDMS

Bardziej szczegółowo

Technologie mikro- nano-

Technologie mikro- nano- Technologie mikro- nano- część Prof. Golonki 1. Układy wysokotemperaturowe mogą być nanoszone na następujące podłoże ceramiczne: a) Al2O3 b) BeO c) AlN 2. Typowe grubości ścieżek w układach grubowarstwowych:

Bardziej szczegółowo

Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: modelowanie membrany krzemowej podstawowego elementu piezorezystancyjnego czujnika ciśnienia

Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: modelowanie membrany krzemowej podstawowego elementu piezorezystancyjnego czujnika ciśnienia MIKROSYSTEMY - laboratorium Ćwiczenie 1 Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: modelowanie membrany krzemowej podstawowego elementu piezorezystancyjnego czujnika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. Celem

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

Politechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska

Politechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska BIOMATERIAŁY Metody pasywacji powierzchni biomateriałów Dr inż. Agnieszka Ossowska Gdańsk 2010 Korozja -Zagadnienia Podstawowe Korozja to proces niszczenia materiałów, wywołany poprzez czynniki środowiskowe,

Bardziej szczegółowo

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ

Bardziej szczegółowo

Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyki prądowo- napięciowej elektrolizera typu PEM,

Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyki prądowo- napięciowej elektrolizera typu PEM, Ćw.2 Elektroliza wody za pomocą ogniwa paliwowego typu PEM Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyki prądowo- napięciowej elektrolizera typu PEM, A także określenie wydajności tego urządzenia, jeśli

Bardziej szczegółowo

Powłoki cienkowarstwowe

Powłoki cienkowarstwowe Powłoki cienkowarstwowe Wstęp Powody zastosowania powłok znaczne straty energii - w układach o dużej ilości elementów optycznych (dalmierze, peryskopy, wzierniki) przykład : peryskop - 12% światła wchodzącego

Bardziej szczegółowo

PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)

PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) ISO 9001:2008, ISO/TS 16949:2002 ISO 14001:2004, PN-N-18001:2004 PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) *) PVD - PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION OSADZANIE

Bardziej szczegółowo

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego:

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 2383773 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 23.04.2011 11163617.1

Bardziej szczegółowo

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe

Bardziej szczegółowo

INSTYTUT INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ PŁ LABORATORIUM TECHNOLOGII POWŁOK OCHRONNYCH ĆWICZENIE 1 POWŁOKI KONWERSYJNE-TECHNOLOGIE NANOSZENIA

INSTYTUT INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ PŁ LABORATORIUM TECHNOLOGII POWŁOK OCHRONNYCH ĆWICZENIE 1 POWŁOKI KONWERSYJNE-TECHNOLOGIE NANOSZENIA INSTYTUT INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ PŁ LABORATORIUM TECHNOLOGII POWŁOK OCHRONNYCH ĆWICZENIE 1 POWŁOKI KONWERSYJNE-TECHNOLOGIE NANOSZENIA WSTĘP TEORETYCZNY Powłoki konwersyjne tworzą się na powierzchni metalu

Bardziej szczegółowo

NADPRZEWODNIKI WYSOKOTEMPERATUROWE (NWT) W roku 1986 Alex Muller i Georg Bednorz odkryli. miedziowo-lantanowym, w którym niektóre atomy lantanu były

NADPRZEWODNIKI WYSOKOTEMPERATUROWE (NWT) W roku 1986 Alex Muller i Georg Bednorz odkryli. miedziowo-lantanowym, w którym niektóre atomy lantanu były FIZYKA I TECHNIKA NISKICH TEMPERATUR NADPRZEWODNICTWO NADPRZEWODNIKI WYSOKOTEMPERATUROWE (NWT) W roku 1986 Alex Muller i Georg Bednorz odkryli nadprzewodnictwo w złożonym tlenku La 2 CuO 4 (tlenku miedziowo-lantanowym,

Bardziej szczegółowo

Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA

Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA Szkło optyczne i fotoniczne, A. Szwedowski, R. Romaniuk, WNT, 2009 POLIKRYSZTAŁY - ciała stałe o drobnoziarnistej strukturze, które są złożone z wielkiej liczby

Bardziej szczegółowo

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego

Bardziej szczegółowo

Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski

Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski Wzrost pseudomorficzny Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 naprężenie

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki specjalność FOTONIKA 3,5-letnie studia stacjonarne I stopnia (studia inżynierskie) FIZYKA TECHNICZNA Charakterystyka wykształcenia: - dobre

Bardziej szczegółowo

BADANIA NAD MECHANICZNYM I CHEMICZNYM POCIENIANIEM TERMICZNIE POŁĄCZONYCH PŁYTEK KRZEMOWYCH

BADANIA NAD MECHANICZNYM I CHEMICZNYM POCIENIANIEM TERMICZNIE POŁĄCZONYCH PŁYTEK KRZEMOWYCH PL ISSN 009-008 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 0-00 NR BADANIA NAD MECHANICZNYM I CHEMICZNYM POCIENIANIEM TERMICZNIE POŁĄCZONYCH PŁYTEK KRZEMOWYCH Bronisław Piątkowski', Piotr Zabierowski', Artur Miros' Przeprowadzono

Bardziej szczegółowo

Podstawy elektrochemii

Podstawy elektrochemii Podstawy elektrochemii Elektrochemia bada procesy zachodzące na granicy elektrolit - elektroda Elektrony można wyciągnąć z elektrody bądź budując celkę elektrochemiczną, bądź dodając akceptor (np. kwas).

Bardziej szczegółowo

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz

Bardziej szczegółowo

Układy cienkowarstwowe cz. II

Układy cienkowarstwowe cz. II Układy cienkowarstwowe cz. II Czym są i do czego mogą się nam przydać? Rodzaje mechanizmów wzrostu cienkich warstw Sposoby wytwarzania i modyfikacja cienkich warstw półprzewodnikowych czyli... Jak zrobić

Bardziej szczegółowo

Nauka o Materiałach. Wykład IV. Polikryształy I. Jerzy Lis

Nauka o Materiałach. Wykład IV. Polikryształy I. Jerzy Lis Wykład IV Polikryształy I Jerzy Lis Treść wykładu I i II: 1. Budowa polikryształów - wiadomości wstępne. 2. Budowa polikryształów: jednofazowych porowatych z fazą ciekłą 3. Metody otrzymywania polikryształów

Bardziej szczegółowo

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Metoda PLD (Pulsed Laser Deposition) PLD jest nowoczesną metodą inżynierii powierzchni, umożliwiającą

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 12/16

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 12/16 PL 225546 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 225546 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 413122 (51) Int.Cl. H01J 37/26 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

Układy zdyspergowane. Wykład 6

Układy zdyspergowane. Wykład 6 Układy zdyspergowane Wykład 6 Treśd Podwójna warstwa elektryczna Zjawiska elektrokinetyczne Potencjał zeta Nowoczesne metody oznaczania Stabilnośd dyspersji Stabilnośd dyspersji koloidalnej jest wypadkową

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Ochrony przed Korozją. GALWANOTECHNIKA II Ćw. 6: ANODOWE OKSYDOWANIE ALUMINIUM

Laboratorium Ochrony przed Korozją. GALWANOTECHNIKA II Ćw. 6: ANODOWE OKSYDOWANIE ALUMINIUM Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Fizykochemii i Modelowania Procesów Laboratorium Ochrony przed Korozją GALWANOTECHNIKA II Ćw. 6: ANODOWE

Bardziej szczegółowo

Tlen. Występowanie i odmiany alotropowe Otrzymywanie tlenu Właściwości fizyczne i chemiczne Związki tlenu tlenki, nadtlenki i ponadtlenki

Tlen. Występowanie i odmiany alotropowe Otrzymywanie tlenu Właściwości fizyczne i chemiczne Związki tlenu tlenki, nadtlenki i ponadtlenki Tlen Występowanie i odmiany alotropowe Otrzymywanie tlenu Właściwości fizyczne i chemiczne Związki tlenu tlenki, nadtlenki i ponadtlenki Ogólna charakterystyka tlenowców Tlenowce: obejmują pierwiastki

Bardziej szczegółowo

EPITAKSJA KRZEMU NA KRZEMIE POROWATYM. Elżbieta Nossarzewska-Orłowska, Dariusz Lipiński, Marta Pawłowska, Andrzej Brzozowski

EPITAKSJA KRZEMU NA KRZEMIE POROWATYM. Elżbieta Nossarzewska-Orłowska, Dariusz Lipiński, Marta Pawłowska, Andrzej Brzozowski PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T.23-1995 NR 3 EPITAKSJA KRZEMU NA KRZEMIE POROWATYM Elżbieta Nossarzewska-Orłowska, Dariusz Lipiński, Marta Pawłowska, Andrzej Brzozowski W standardowym, przemysłowym

Bardziej szczegółowo

2013-06-12. Konsolidacja Nanoproszków I - Formowanie. Zastosowanie Nanoproszków. Konsolidacja. Konsolidacja Nanoproszków - Formowanie

2013-06-12. Konsolidacja Nanoproszków I - Formowanie. Zastosowanie Nanoproszków. Konsolidacja. Konsolidacja Nanoproszków - Formowanie Konsolidacja Nanoproszków I - Formowanie Zastosowanie Nanoproszków w stanie zdyspergowanym katalizatory, farby, wypełniacze w stanie zestalonym(?): układy porowate katalizatory, sensory, elektrody, układy

Bardziej szczegółowo

Wykład 2. Wprowadzenie do metod membranowych (część 2)

Wykład 2. Wprowadzenie do metod membranowych (część 2) Wykład 2 Wprowadzenie do metod membranowych (część 2) Mechanizmy filtracji membranowej Model kapilarny Model dyfuzyjny Model dyfuzyjny Rozpuszczalność i szybkość dyfuzji Selektywność J k D( c c ) / l n

Bardziej szczegółowo

Znak postępowania: CEZAMAT/ZP01/2013 Warszawa, dnia r. L. dz. CEZ MODYFIKACJA SPECYFIKACJI ISTOTNYCH WARUNKÓW ZAMÓWIENIA

Znak postępowania: CEZAMAT/ZP01/2013 Warszawa, dnia r. L. dz. CEZ MODYFIKACJA SPECYFIKACJI ISTOTNYCH WARUNKÓW ZAMÓWIENIA Znak postępowania: CEZAMAT/ZP01/2013 Warszawa, dnia 22.07.2013 r. L. dz. CEZ-207-13 MODYFIKACJA SPECYFIKACJI ISTOTNYCH WARUNKÓW ZAMÓWIENIA Dotyczy postępowania prowadzonego w trybie przetargu nieograniczonego

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Ochrony przed Korozją. Ćw. 9: ANODOWE OKSYDOWANIEALUMINIUM

Laboratorium Ochrony przed Korozją. Ćw. 9: ANODOWE OKSYDOWANIEALUMINIUM Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Fizykochemii i Modelowania Procesów Laboratorium Ochrony przed Korozją Ćw. 9: ANODOWE OKSYDOWANIEALUMINIUM

Bardziej szczegółowo

Rodzaje mikroskopów ze skanującą sondą (SPM, Scanning Probe Microscopy)

Rodzaje mikroskopów ze skanującą sondą (SPM, Scanning Probe Microscopy) Spis treści 1 Historia 2 Rodzaje mikroskopów ze skanującą sondą (SPM, Scanning Probe Microscopy) 2.1 Skaningowy mikroskop tunelowy (STM od ang. Scanning Tunneling Microscope) 2.1.1 Uzyskiwanie obrazu metodą

Bardziej szczegółowo

Spektrometr ICP-AES 2000

Spektrometr ICP-AES 2000 Spektrometr ICP-AES 2000 ICP-2000 to spektrometr optyczny (ICP-OES) ze wzbudzeniem w indukcyjnie sprzężonej plazmie (ICP). Wykorztystuje zjawisko emisji atomowej (ICP-AES). Umożliwia wykrywanie ok. 70

Bardziej szczegółowo

Różne dziwne przewodniki

Różne dziwne przewodniki Różne dziwne przewodniki czyli trzy po trzy o mechanizmach przewodzenia prądu elektrycznego Przewodniki elektronowe Metale Metale (zwane również przewodnikami) charakteryzują się tym, że elektrony ich

Bardziej szczegółowo

Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa

Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa Zakład Fizyki Magnetyków Uniwersytet w Białymstoku Instytut Fizyki Doświadczalnej Lipowa 41, 15-424 Białystok Tel: (85) 7457228 http://physics.uwb.edu.pl/zfmag Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa

Bardziej szczegółowo

Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski

Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski Studnia kwantowa Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Studnia kwantowa

Bardziej szczegółowo

1 k. AFM: tryb bezkontaktowy

1 k. AFM: tryb bezkontaktowy AFM: tryb bezkontaktowy Ramię igły wprowadzane w drgania o małej amplitudzie (rzędu 10 nm) Pomiar zmian amplitudy drgań pod wpływem sił (na ogół przyciągających) Zbliżanie igły do próbki aż do osiągnięcia

Bardziej szczegółowo

Wykład IV: Polikryształy I. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Wykład IV: Polikryształy I. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Wykład IV: Polikryształy I JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu (część I i II): 1. Budowa polikryształów - wiadomości wstępne.

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,

Bardziej szczegółowo

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę

Bardziej szczegółowo

(zwane również sensorami)

(zwane również sensorami) Czujniki (zwane również sensorami) Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do

Bardziej szczegółowo

Metody badań składu chemicznego

Metody badań składu chemicznego Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Kierunek: Inżynieria Materiałowa Metody badań składu chemicznego Ćwiczenie : Elektrochemiczna analiza śladów (woltamperometria) (Sprawozdanie drukować dwustronnie

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY KOROZJI ELEKTROCHEMICZNEJ

PODSTAWY KOROZJI ELEKTROCHEMICZNEJ PODSTAWY KOROZJI ELEKTROCHEMICZNEJ PODZIAŁ KOROZJI ZE WZGLĘDU NA MECHANIZM Korozja elektrochemiczna zachodzi w środowiskach wilgotnych, w wodzie i roztworach wodnych, w glebie, w wilgotnej atmosferze oraz

Bardziej szczegółowo

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2. Charakteryzacja niskotemperaturowego czujnika tlenu. (na prawach rękopisu)

Ćwiczenie 2. Charakteryzacja niskotemperaturowego czujnika tlenu. (na prawach rękopisu) Ćwiczenie 2. Charakteryzacja niskotemperaturowego czujnika tlenu (na prawach rękopisu) W analityce procesowej istotne jest określenie stężeń rozpuszczonych w cieczach gazów. Gazy rozpuszczają się w cieczach

Bardziej szczegółowo

Aleksandra Świątek KOROZYJNA STALI 316L ORAZ NI-MO, TYTANU W POŁĄ ŁĄCZENIU Z CERAMIKĄ DENTYSTYCZNĄ W ROZTWORZE RINGERA

Aleksandra Świątek KOROZYJNA STALI 316L ORAZ NI-MO, TYTANU W POŁĄ ŁĄCZENIU Z CERAMIKĄ DENTYSTYCZNĄ W ROZTWORZE RINGERA WYśSZA SZKOŁA INśYNIERII DENTYSTYCZNEJ IM. PROF. MEISSNERA W USTRONIU WYDZIAŁ INśYNIERII DENTYSTYCZNEJ Aleksandra Świątek,,ODPORNOŚĆ KOROZYJNA STALI 316L ORAZ STOPÓW W TYPU CO-CR CR-MO, CR-NI NI-MO, TYTANU

Bardziej szczegółowo

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Nanomateriałów Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa 27 80-233

Bardziej szczegółowo

BADANIA WARSTW FE NANOSZONYCH Z ELEKTROLITU NA BAZIE ACETONU

BADANIA WARSTW FE NANOSZONYCH Z ELEKTROLITU NA BAZIE ACETONU BADANIA WARSTW FE NANOSZONYCH Z ELEKTROLITU NA BAZIE ACETONU W. OLSZEWSKI 1, K. SZYMAŃSKI 1, D. SATUŁA 1, M. BIERNACKA 1, E. K. TALIK 2 1 Wydział Fizyki, Uniwersytet w Białymstoku, Lipowa 41, 15-424 Białystok,

Bardziej szczegółowo

PL 203790 B1. Uniwersytet Śląski w Katowicach,Katowice,PL 03.10.2005 BUP 20/05. Andrzej Posmyk,Katowice,PL 30.11.2009 WUP 11/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA

PL 203790 B1. Uniwersytet Śląski w Katowicach,Katowice,PL 03.10.2005 BUP 20/05. Andrzej Posmyk,Katowice,PL 30.11.2009 WUP 11/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 203790 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 366689 (51) Int.Cl. C25D 5/18 (2006.01) C25D 11/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: Elektrochemiczny pomiar szybkości korozji metali. Wpływ inhibitorów korozji

Ćwiczenie 2: Elektrochemiczny pomiar szybkości korozji metali. Wpływ inhibitorów korozji Ćwiczenie 2: Elektrochemiczny pomiar szybkości korozji metali. Wpływ inhibitorów korozji Wymagane wiadomości Podstawy korozji elektrochemicznej, podstawy kinetyki procesów elektrodowych, równanie Tafela,

Bardziej szczegółowo

metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe

metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe mgr inż. Ewelina Piwowarczyk Uniwersytet Jagielloński Wydział Chemii 1 Metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe Katalizatory na nośniku

Bardziej szczegółowo

Technologia elementów optycznych

Technologia elementów optycznych Technologia elementów optycznych dr inż. Michał Józwik pokój 507a jozwik@mchtr.pw.edu.pl Część 1 Treść wykładu Specyfika wymagań i technologii elementów optycznych. Ogólna struktura procesów technologicznych.

Bardziej szczegółowo

Procesy technologiczne w elektronice

Procesy technologiczne w elektronice Procesy technologiczne w elektronice Procesy technologiczne Wytwarzanie monoryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora.

Bardziej szczegółowo

Laserowe technologie wielowiązkowe oraz dynamiczne formowanie wiązki 25 październik 2017 Grzegorz Chrobak

Laserowe technologie wielowiązkowe oraz dynamiczne formowanie wiązki 25 październik 2017 Grzegorz Chrobak Laserowe technologie wielowiązkowe oraz dynamiczne formowanie wiązki 25 październik 2017 Grzegorz Chrobak Nasdaq: IPG Photonics(IPGP) Zasada działania laserów włóknowych Modułowość laserów włóknowych IPG

Bardziej szczegółowo

Laboratorium z Konwersji Energii. Ogniwo Paliwowe PEM

Laboratorium z Konwersji Energii. Ogniwo Paliwowe PEM Laboratorium z Konwersji Energii Ogniwo Paliwowe PEM 1.0 WSTĘP Ogniwo paliwowe typu PEM (ang. PEM FC) Ogniwa paliwowe są urządzeniami elektro chemicznymi, stanowiącymi przełom w dziedzinie źródeł energii,

Bardziej szczegółowo

Kształtowanie powierzchniowe i nie tylko. Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG

Kształtowanie powierzchniowe i nie tylko. Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG Kształtowanie powierzchniowe i nie tylko Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG Warstwa wierzchnia to część materiału, z jednej strony ograniczona rzeczywistą powierzchnią ciała stałego, a z

Bardziej szczegółowo

Samopropagująca synteza spaleniowa

Samopropagująca synteza spaleniowa Samopropagująca synteza spaleniowa Inne zastosowania nauki o spalaniu Dyfuzja gazów w płomieniu Zachowanie płynnych paliw i aerozoli; Rozprzestrzenianie się płomieni wzdłuż powierzchni Synteza spaleniowa

Bardziej szczegółowo

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża)

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła 1 Tranzystor

Bardziej szczegółowo

Obwody prądu stałego. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12)Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Obwody prądu stałego. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12)Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Obwody prądu stałego Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12)Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Podstawowe prawa elektrotechniki w zastosowaniu do obwodów elektrycznych: Obwód elektryczny

Bardziej szczegółowo

Zagadnienia z chemii na egzamin wstępny kierunek Technik Farmaceutyczny Szkoła Policealna im. J. Romanowskiej

Zagadnienia z chemii na egzamin wstępny kierunek Technik Farmaceutyczny Szkoła Policealna im. J. Romanowskiej Zagadnienia z chemii na egzamin wstępny kierunek Technik Farmaceutyczny Szkoła Policealna im. J. Romanowskiej 1) Podstawowe prawa i pojęcia chemiczne 2) Roztwory (zadania rachunkowe zbiór zadań Pazdro

Bardziej szczegółowo

W książce tej przedstawiono:

W książce tej przedstawiono: Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,

Bardziej szczegółowo

Przetwarzanie energii: kondensatory

Przetwarzanie energii: kondensatory Przetwarzanie energii: kondensatory Ładując kondensator wykonujemy pracę nad ładunkiem. Przetwarzanie energii: ogniwa paliwowe W ogniwach paliwowych następuje elektrochemiczne spalanie paliwa. Energia

Bardziej szczegółowo

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy

Bardziej szczegółowo

Technika sensorowa. Czujniki mikromechaniczne - cz.1

Technika sensorowa. Czujniki mikromechaniczne - cz.1 Technika sensorowa Czujniki mikromechaniczne - cz.1 dr inż. Wojciech Maziarz, prof. dr hab. T. Pisarkiewicz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel. 12 617 30 39 Kontakt: Wojciech.Maziarz@agh.edu.pl 1 Czujniki

Bardziej szczegółowo

WYKŁAD 4 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni

WYKŁAD 4 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni Mikrosystemy ceramiczne WYKŁAD 4 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni Plan wykładu - Podstawy technologii LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics, niskotemperaturowa współwypalana ceramika) Wykonywanie

Bardziej szczegółowo

KWASY I WODOROTLENKI. 1. Poprawne nazwy kwasów H 2 S, H 2 SO 4, HNO 3, to:

KWASY I WODOROTLENKI. 1. Poprawne nazwy kwasów H 2 S, H 2 SO 4, HNO 3, to: KWASY I WODOROTLENKI 1. Poprawne nazwy kwasów H 2 S, H 2 SO 4, HNO 3, to: 1. kwas siarkowy (IV), kwas siarkowy (VI), kwas azotowy, 2. kwas siarkowy (VI), kwas siarkowy (IV), kwas azotowy (V), 3. kwas siarkowodorowy,

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Sensory w systemach wbudowanych

Sensory w systemach wbudowanych Sensory w systemach wbudowanych Technologia MEMS wytwarzanie współczesnych czujników dr inż. Wojciech Maziarz, Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel. 12 617 30 39 Kontakt: Wojciech.Maziarz@agh.edu.pl 1 Czujniki

Bardziej szczegółowo

Polisilany. R 1, R 2... CH 3, C 2 H 5, C 6 H 5, C 6 H 11 i inne

Polisilany. R 1, R 2... CH 3, C 2 H 5, C 6 H 5, C 6 H 11 i inne Polisilany R 1, R 2... CH 3, C 2 H 5, C 6 H 5, C 6 H 11 i inne Mechanizm otrzymywania polisilanów Struktura trójwymiarowego polisilanu Typy przestrzennego uporządkowania polisilanów a.) polisilan liniowy

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne warstwy azotowane nowej generacji o podwyższonej odporności korozyjnej wytwarzane na elementach maszyn

Innowacyjne warstwy azotowane nowej generacji o podwyższonej odporności korozyjnej wytwarzane na elementach maszyn Tytuł projektu: Innowacyjne warstwy azotowane nowej generacji o podwyższonej odporności korozyjnej wytwarzane na elementach maszyn Umowa nr: TANGO1/268920/NCBR/15 Akronim: NITROCOR Planowany okres realizacji

Bardziej szczegółowo

Technologia w elektronice

Technologia w elektronice Technologia w elektronice Procesy technologiczne 1. Wytwarzanie Si 2. Domieszkowanie 3. Wytwarzanie i usuwanie warstw izolatora. Cienkie warstwy. 4. Litografia. 5. Montowanie kontaktów. 1 Litografia Fotolitografia

Bardziej szczegółowo

Kryteria oceniania z chemii kl VII

Kryteria oceniania z chemii kl VII Kryteria oceniania z chemii kl VII Ocena dopuszczająca -stosuje zasady BHP w pracowni -nazywa sprzęt laboratoryjny i szkło oraz określa ich przeznaczenie -opisuje właściwości substancji używanych na co

Bardziej szczegółowo