Opis układów złożonych za pomocą schematów strukturalnych. dr hab. inż. Krzysztof Patan

Podobne dokumenty
Technika regulacji automatycznej

Podstawy Automatyki. Wykład 4 - algebra schematów blokowych. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki

Podstawy Automatyki. Wykład 4 - algebra schematów blokowych. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki

Podstawy Automatyki. Wykład 4 - algebra schematów blokowych. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki

Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych

Przekształcanie schematów blokowych. Podczas ćwiczenia poruszane będą następujące zagadnienia:

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

A-3. Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

2.2. Metoda przez zmianę strumienia magnetycznego Φ Metoda przez zmianę napięcia twornika Układ Ward-Leonarda

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

18. Wprowadzenie do metod analizy i syntezy układów

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Podstawy Automatyki Zbiór zadań dla studentów II roku AiR oraz MiBM

Wzmacniacze operacyjne

Realizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych. Instytut Automatyki PŁ

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE

Laboratorium z automatyki

Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy

LABORATORIUM ELEKTRONICZNYCH UKŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH. Badanie detektorów szczytowych

Wzmacniacze operacyjne

Sposoby modelowania układów dynamicznych. Pytania

UJEMNE SPRZĘŻENIE ZWROTNE wprowadzenie do ćwiczenia laboratoryjnego

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

PROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze

Do podr.: Metody analizy obwodów lin. ATR 2003 Strona 1 z 5. Przykład rozwiązania zadania kontrolnego nr 1 (wariant 57)

Element całkujący Element całkujący jest opisany równaniem różniczkowym o postaci: y = ku, (4.37) S(s) = ^. (4.38)

Ćwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Pracownia Fizyczna i Elektroniczna 2014

Wzmacniacz na tranzystorze J FET

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH

Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny

Analiza właściwości filtrów dolnoprzepustowych

Wzmacniacze różnicowe

9. Sprzężenie zwrotne własności

Uniwersytet Pedagogiczny

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Projekt z Układów Elektronicznych 1

Sterowane źródło mocy

Obwody prądu zmiennego

ANALOGOWE I MIESZANE STEROWNIKI PRZETWORNIC. Ćwiczenie 3. Przetwornica podwyższająca napięcie Symulacje analogowego układu sterowania

Ćwiczenie - 7. Filtry

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

TRANZYSTOR BIPOLARNY

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości

DANE: wartość skuteczna międzyprzewodowego napięcia zasilającego E S = 230 V; rezystancja odbiornika R d = 2,7 Ω; indukcyjność odbiornika.

Przekształcanie równań stanu do postaci kanonicznej diagonalnej

Teoria obwodów elektrycznych / Stanisław Bolkowski. wyd dodruk (PWN). Warszawa, Spis treści

Ćwiczenie 14. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.

Ogólny schemat blokowy układu ze sprzężeniem zwrotnym

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

u (0) = 0 i(0) = 0 Obwód RLC Odpowiadający mu schemat operatorowy E s 1 sc t = 0 i(t) w u R (t) E u C (t) C

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Elementy i obwody nieliniowe

Laboratorium Elektroniki

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Projektowanie wzmacniaczy mocy

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.

Układy zasilania tranzystorów

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. Obwody nieliniowe.

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Wiadomości podstawowe

Tranzystory bipolarne

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

1. POJĘCIA PODSTAWOWE I RODZAJE UKŁADÓW AUTOMATYKI

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Ćwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych

Automatyka i sterowania

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Pomiar parametrów roboczych wzmacniaczy OE, OB i OC. Wzmacniacza OC. Wzmacniacz OE. Wzmacniacz OB

Podstawy Automatyki. Wykład 7 - obiekty regulacji. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Scalony stabilizator napięcia typu 723

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Generatory drgań sinusoidalnych LC

WYDZIAŁ ELEKTROTECHNIKI, AUTOMATYKI I INFORMATYKI INSTYTUT AUTOMATYKI I INFORMATYKI KIERUNEK AUTOMATYKA I ROBOTYKA STUDIA STACJONARNE I STOPNIA

Plan wykładu. Własności statyczne i dynamiczne elementów automatyki:

Transkrypt:

Opis kładów złożonych za pomocą schematów strktralnych dr hab. inż. Krzysztof Patan

Schematy strktralne W przypadk opis złożonych kładów dynamicznych, należy zwrócić wagę na interpretację fizyczną zjawisk przebiegających w badanym kładzie Złożony kład dynamiczny opisany jest skomplikowaną transmitancją dlatego wygodniej jest operować schematem strktralnym Schemat strktralny można zyskać w sposób analityczny na podstawie równań operatorowych kład bądź w wynik badań eksperymentalnych Schemat strktralny jest równoważny równaniom opisjącym kład dynamiczny

Podstawowe elementy schemat strktralnego element dynamiczny (s) G(s) y(s) węzeł smacyjny 1 y = 1 2 2 węzeł zaczepowy

Przykład 1 Dany jest wzmacniacz tranzystorowy. Wyznaczyć schemat ogólny oraz transmitancję wzmacniacza, zakładając R c = 2kΩ, R 1 = 100kΩ, R 2 = 1kΩ i 2 U z = const R 1 R c R 2 i 1 U 1 U 2

Schamat zastępczy tranzystora dla małych odchyleń U 1 i U 2 od pnkt pracy U 1 R 2 i 1 h 11 h 2 i 21 i 1 2 U 3 1 R 1 h 12 U 2 1 h 22 U 2 R c h 11 (s) = h 0 11e, h 12(s) = h 0 12e h 21 (s) = β0 1sT β h 22 (s) = h 0 22e (1 stα) T α = 1 2πf α T β = 1 β 0 T α 2πf β h 0 11e rezystancja wejściowa przy zwartym wyjści h 0 12e wsp. sprzężenia zwrotnego przy otwartym wejści β 0 wsp. wzmocnienia prądowego przy zwartym wyjści h 0 22e kondktancja wyjściowa przy otwartym wejści f α częstotliwość graniczna w kładzie OB f β częstotliwość graniczna w kładzie OE

Stosjemy metodę potencjałów węzłowych dla węzła 1 otrzymjemy ( 1 U 3 (s) 1 1 R 1 R 2 h 11 i 1 (s) = ( U 3 (s) h 12 U 2 (s)) 1 h 11 dla węzła 2 otrzymjemy U 2 (s) = i 2 (s)r c i 2 (s) = h 21 i 1 (s) U 2 (s)h 22 Schemat strktralny wzmacniacza ) U 1 (s) 1 R 2 U 2 (s) h 12 h 11 = 0 U 1 R R 2 U 3 h 21 h 11 i 2 R c U 2 Rh 12 h 11 h 12 h 22 gdzie 1 R = 1 R 1 1 R 2 1 h 11

wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = 2 10 4, f a = 10 6 Hz wtedy T α = 1.59 10 7 s, T β = β 0 T α = 1.59 10 5 s R = 625Ω R h 12 625 10 3 = = 0.3 10 3, h 11 2000 R = 625 R 2 1000 = 0.625 R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = 100 2000(1 1.59 10 5 s) = 0.5 1 1.59 10 5 h 22 = h 0 22e(1 st α ) = 2 10 4 (1 1.59 10 7 ) 0

wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = 2 10 4, f a = 10 6 Hz wtedy T α = 1.59 10 7 s, T β = β 0 T α = 1.59 10 5 s R = 625Ω R h 12 625 10 3 = = 0.3 10 3, h 11 2000 R = 625 R 2 1000 = 0.625 R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = 100 2000(1 1.59 10 5 s) = 0.5 1 1.59 10 5 h 22 = h 0 22e(1 st α ) = 2 10 4 (1 1.59 10 7 ) 0

wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = 2 10 4, f a = 10 6 Hz wtedy T α = 1.59 10 7 s, T β = β 0 T α = 1.59 10 5 s R = 625Ω R h 12 625 10 3 = = 0.3 10 3, h 11 2000 R = 625 R 2 1000 = 0.625 R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = 100 2000(1 1.59 10 5 s) = 0.5 1 1.59 10 5 h 22 = h 0 22e(1 st α ) = 2 10 4 (1 1.59 10 7 ) 0

wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = 2 10 4, f a = 10 6 Hz wtedy T α = 1.59 10 7 s, T β = β 0 T α = 1.59 10 5 s R = 625Ω R h 12 625 10 3 = = 0.3 10 3, h 11 2000 R = 625 R 2 1000 = 0.625 R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = 100 2000(1 1.59 10 5 s) = 0.5 1 1.59 10 5 h 22 = h 0 22e(1 st α ) = 2 10 4 (1 1.59 10 7 ) 0

wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = 2 10 4, f a = 10 6 Hz wtedy T α = 1.59 10 7 s, T β = β 0 T α = 1.59 10 5 s R = 625Ω R h 12 625 10 3 = = 0.3 10 3, h 11 2000 R = 625 R 2 1000 = 0.625 R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = 100 2000(1 1.59 10 5 s) = 0.5 1 1.59 10 5 h 22 = h 0 22e(1 st α ) = 2 10 4 (1 1.59 10 7 ) 0

wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = 2 10 4, f a = 10 6 Hz wtedy T α = 1.59 10 7 s, T β = β 0 T α = 1.59 10 5 s R = 625Ω R h 12 625 10 3 = = 0.3 10 3, h 11 2000 R = 625 R 2 1000 = 0.625 R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = 100 2000(1 1.59 10 5 s) = 0.5 1 1.59 10 5 h 22 = h 0 22e(1 st α ) = 2 10 4 (1 1.59 10 7 ) 0

wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = 2 10 4, f a = 10 6 Hz wtedy T α = 1.59 10 7 s, T β = β 0 T α = 1.59 10 5 s R = 625Ω R h 12 625 10 3 = = 0.3 10 3, h 11 2000 R = 625 R 2 1000 = 0.625 R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = 100 2000(1 1.59 10 5 s) = 0.5 1 1.59 10 5 h 22 = h 0 22e(1 st α ) = 2 10 4 (1 1.59 10 7 ) 0

wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = 2 10 4, f a = 10 6 Hz wtedy T α = 1.59 10 7 s, T β = β 0 T α = 1.59 10 5 s R = 625Ω R h 12 625 10 3 = = 0.3 10 3, h 11 2000 R = 625 R 2 1000 = 0.625 R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = 100 2000(1 1.59 10 5 s) = 0.5 1 1.59 10 5 h 22 = h 0 22e(1 st α ) = 2 10 4 (1 1.59 10 7 ) 0

wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = 2 10 4, f a = 10 6 Hz wtedy T α = 1.59 10 7 s, T β = β 0 T α = 1.59 10 5 s R = 625Ω R h 12 625 10 3 = = 0.3 10 3, h 11 2000 R = 625 R 2 1000 = 0.625 R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = 100 2000(1 1.59 10 5 s) = 0.5 1 1.59 10 5 h 22 = h 0 22e(1 st α ) = 2 10 4 (1 1.59 10 7 ) 0

wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = 2 10 4, f a = 10 6 Hz wtedy T α = 1.59 10 7 s, T β = β 0 T α = 1.59 10 5 s R = 625Ω R h 12 625 10 3 = = 0.3 10 3, h 11 2000 R = 625 R 2 1000 = 0.625 R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = 100 2000(1 1.59 10 5 s) = 0.5 1 1.59 10 5 h 22 = h 0 22e(1 st α ) = 2 10 4 (1 1.59 10 7 ) 0

wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = 2 10 4, f a = 10 6 Hz wtedy T α = 1.59 10 7 s, T β = β 0 T α = 1.59 10 5 s R = 625Ω R h 12 625 10 3 = = 0.3 10 3, h 11 2000 R = 625 R 2 1000 = 0.625 R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = 100 2000(1 1.59 10 5 s) = 0.5 1 1.59 10 5 h 22 = h 0 22e(1 st α ) = 2 10 4 (1 1.59 10 7 ) 0

ostatecznie równanie (1) można przepisać w postaci ( U 2 (s) 1 R ) ch 21 h 12 = RR ch 21 U 1 (s) (2) h 11 R 2 h 11 czyli G(s) = RR ch 21 R 2 h 11 1 R = ch 21 h 12 h 11 Uproszczony schemat strktralny 62.5 1 st β 1 0.1 1 st β = 62.5 0.9 st β U 1 U 3 R h 21 R 2 h 11 i 2 R c U 2 h 12

Przykład 2 Wyznaczyć schemat blokowy kład opisanego następjącymi równaniami stan { x(k 1) = Ax(k) B(k) y(k) = Cx(k) gdzie A = [ 0.5 0.1 0.2 0.5 ], B = [ 2 1 ] [, C = ] 1 1

Przekształcanie schematów strktralnych Sposoby przekształcania (praszczania) schematów strktralnych 1 metoda krok po krok 2 metoda przekształcania równań opisjących kład fizyczny 3 metoda mnemotechniczna 4 metoda Masona Metody mnemotechniczna i Masona można stosować do ograniczonej klasy kładów Metoda krok po krok jest metodą niwersalną można ją stosować do praszczania dowolnego schemat strktralnego Przekształcania schemat strktralnego jest równoważne przekształcani kład równań opisjących ten kład Przekształcanie schemat może prowadzić do: 1 zmiany kład połączeń elementów 2 proszczenia schemat

Podstawowe operacje na schematach blokowych Połączenie szeregowe U(s) G 1 (s) G 2 (s) Y (s) U(s) G(s) Y (s) Transmitancja zastępcza G(s) = G 1 (s)g 2 (s)

Połączenie równoległe G 2 (s) U(s) Y (s) G 1 (s) U(s) Transmitancja zastępcza G(s) Y (s) G(s) = G 1 (s) G 2 (s)

Połączenie ze sprzężeniem zwrotnym U(s) ± G 1 (s) Y (s) G 2 (s) Transmitancja zastępcza U(s) G(s) Y (s) G(s) = G 1 (s) 1 G 1 (s)g 2 (s)

Zmiana kolejności węzłów zaczepowych

Zmiana kolejności węzłów smacyjnych 1 2 4 ± ± 1 4 ± ± 3 2 3

Łączenie/rozdzielanie węzłów zaczepowych

Łączenie/rozdzielanie węzłów smjących 3 3 ± ± 4 ± ± 4 1 2 1 2

Przeswanie węzła zaczepowego przed smjący 1 3 ± ± 3 2 1 3 ± ± ± ± 3 2

Przeswanie węzła smjącego przed zaczepowy 1 2 ± ± 3 1 1 ± ± 2 ± ± 3 1

Przeswanie węzłów zaczepowych G(s) y G(s) 1 G(s) y

Przeswanie węzłów zaczepowych cd y y y G(s) G(s) y G(s)

Przeswanie węzłów smacyjnych 1 2 ± ± G(s) y 1 ± y G(s) ± 2 G(s)

Przeswanie węzłów smacyjnych cd 1 G(s) ± ± y 2 1 ± ± 1 G(s) G(s) y 2

Przykłady Przykład 3 Wyznaczyć transmitancję zastępczą poniższego kład 1 3 2

Rozwiązanie 1 rozdzielamy węzeł zaczepowy 1 i liczymy transmitancję połączenia równoległego 2 przeswamy węzeł zaczepowy 1 za transmitancję G 2 i liczymy transmitancję połączenia szeregowego 3 łączymy węzły zaczepowe 2 i 3, a następnie je rozdzielamy 4 liczymy transmitancję połączenia ze sprzężeniem zwrotnym, a następnie połączenia szeregowego 5 rozdzielamy węzeł zaczepowy 3 i liczymy transmitancję połączenia z pełnym sprzężeniem zwrotnym 6 wyznaczamy transmitancję zastępczą kład poprzez wyznaczenie transmitancji połączenia ze sprzężenim zwrtotnym

Przykład 4 Wyznaczyć transmitancję zastępczą poniższego kład 3 2 1

Rozwiązanie 1 przeswamy węzeł zaczepowy 1 za transmitancję G 2 2 przeswamy węzeł smacyjny 2 przed transmitancję G 1 i łączymy węzły smacyjne 3 liczymy transmitancję połączenia szeregowego 4 rozdzielamy węzeł smacyjny 3 5 liczymy transmitancję połączenia ze sprzężeniem zwrotnym 6 liczymy transmitancję połączenia równoległego 7 wyznaczamy transmitancję zastępczą kład poprzez wyznaczenie transmitancji połączenia szeregowego