Badanie charakterystyki diody

Podobne dokumenty
Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n

Ćwiczenie Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

Instrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza)

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Efekt Halla. Cel ćwiczenia. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Halla. Siła Loretza

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

Elektryczne własności ciał stałych

Przyrządy i Układy Półprzewodnikowe

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2

35 KATEDRA FIZYKI STOSOWANEJ

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

Elektryczne własności ciał stałych

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY 1.WIADOMOŚCI OGÓLNE

Ćwiczenie 241. Wyznaczanie ładunku elektronu na podstawie charakterystyki złącza p-n (diody półprzewodnikowej) .. Ω.

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

10 K AT E D R A F I Z Y K I S T O S OWA N E J

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - diody

Przewodniki, półprzewodniki i izolatory

Różne dziwne przewodniki

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.

ĆWICZENIE 39 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

LI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne

Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN

POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORU METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY

MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

Struktura pasmowa ciał stałych

Półprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna

I. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

WYZNACZENIE STAŁEJ PLANCKA NA PODSTAWIE CHARAKTERYSTYKI DIODY ELEKTROLUMINESCENCYJNEJ

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Cel ćwiczenia. Podstawowe informacje. eu exp mkt ] 1 (1) I =I S[

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Układy nieliniowe. Stabilizator - dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) Logiczna bramka NAND. w.7, p.1

Przerwa energetyczna w germanie

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Czym jest prąd elektryczny

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)

E3. Badanie temperaturowej zależności oporu elektrycznego ciał stałych 1/5

Ćwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza

Ćwiczenie nr 23. Charakterystyka styku między metalem a półprzewodnikiem typu n. str. 1. Cel ćwiczenia:

str. 1 d. elektron oraz dziura e.

Badanie emiterów promieniowania optycznego

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA

Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

1 Źródła i detektory. V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED.

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Pracownia Fizyczna i Elektroniczna Struktura układu doświadczalnego. Wojciech DOMINIK. Zjawisko przyrodnicze

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa

TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki

Miłosz Andrzejewski IE

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd r.

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Układy nieliniowe. Stabilizator dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) w.9, p.1

VI. POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORNOŚCI METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY

V. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Badanie diod półprzewodnikowych

Ćwiczenie C1 Diody. Wydział Fizyki UW

Transkrypt:

Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych, charakteryzuje się tym że pozwala na przepływ prądu tylko w jednym kierunku. Dzięki tej własności znalazła bardzo liczne zastosowania. Żeby zrozumieć działanie diody trzeba poznać własności elektryczne materiału z którego jest zrobiona, tj. półprzewodnika. Półprzewodniki są to materiały, w których przewodnictwo elektryczne bardzo silnie zależy od temperatury. Jak wiemy z teorii zaproponowanej przez Nielsa Bohra dla pojedynczego atomu, elektrony krążą wokół jądra na ściśle określonych orbitach. W przypadku kiedy atomy zbliżają się do siebie, co ma miejsce w ciałach stałych, poszczególne orbity rozszczepiają a się tworząc pasma energetyczne. Pasmo wytworzone z pasm elektronów walencyjnych nazywamy pasmem walencyjnym lub podstawowym, zaś kolejne, w skali energii wyżej położone pasmo, nazywamy pasmem przewodnictwa. W półprzewodnikach i izolatorach pasma energetyczne oddzielone są przerwą energetyczną, zabronioną dla elektronu, tzn. nie może istnieć elektron posiadający energię w obszarze przerwy. Żeby elektron mógł brać udział w przewodzeniu prądu musi przejść z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa. W metalach takie przejście elektronu nie wymaga dostarczenia mu dodatkowej energii, dzięki czemu metale są dobrymi przewodnikami. W półprzewodniku żeby elektrony mogły przejść z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa trzeba im dostarczyć pewnej energii, niekiedy znacznie większej niż energia termiczna, tj energia drgań cieplnych. Wielkość przerwy energetycznej jest podstawowym parametrem charakteryzującym półprzewodnik. Dla podstawowych półprzewodników jest ona rzędu 0,5-2,4 [ev] (german 0,6 ev, krzem-1,1 ev, GaAs 1,4eV). Jeżeli w procesie technologicznym do czterowartościowego półprzewodnika (np Ge Si) dodamy pięciowartościowa domieszkę (np fosfór lub arsen) to nadmiarowy elektron tworzy poziom domieszki i łatwo może zostać uwolniony do pasma przewodnictwa. Mówimy wówczas o przewodnictwie elektronowym a półprzewodnik nazywamy półprzewodnikiem typu N (donorowy). Podobnie dodanie pierwiastka trójwartościowego (bor, gal), spowoduje brak wysyconego wiązania w krzemie lub germanie (dziurę). Powstaje pasmo domieszkowe, na które elektrony z pasma walencyjnego łatwo mogą się przemieścić. Taki półprzewodnik może także przewodzić prąd- elektrony mogą się przemieszczać zajmując wolne poziomy w paśmie walencyjnym - mówimy wówczas o przewodnictwie dziurowym a półprzewodnik nazywamy półprzewodnikiem typu P.

Rys.1. schematycznie ilustruje model pasmowy półprzewodnika. Rys.1. Model pasmowy półprzewodnika Jeśli połączymy ze sobą oba typy półprzewodnika, wówczas elektrony z typu N przemieszczą się do obszaru typu P, pozostawiając nieskompensowany ładunek dodatni w obszarze N i powodując nadmiar ładunku ujemnego w obszarze P. Ilustruje to Rys.2. gdzie krzyżyk symbolizuje dodatnią swobodną dziurę, krseka swobodny ujemny elektron a kółko oznacza że elektron lub dziura są związane z atomem domieszki. Rys.2. Złącze p-n Powstaje warstwa ładunku przestrzennego, która uniemożliwia dalsze przemieszczanie się elektronów. Ta warstwa ładunkowa powoduje wytworzenie różnicy potencjałów pomiędzy oboma typami półprzewodnika. Można to zilustrować na rysunku 3:

Rys.3. Układ pasm energetycznych złącza niespolaryzowanego W takim niespolaryzowanym złączu może płynąć dyfuzyjny prąd elektronowy z obszaru N do P, ale elektrony muszą pokonać barierę potencjału, zatem jest to prąd bardzo mały. Z obszaru P do N może płynąć prąd zwany prądem unoszenia (elektrony przyśpieszane są polem elektrycznym) ale z kolei w obszarze P elektronów jest bardzo mało więc również ten prąd jest bardzo mały. Podobne rozważania można przeprowadzić dla dziur, Zatem wszystkie prądy, przy braku polaryzacji są bardzo małe a w sumie dają prąd zerowy. Przyłożenie ujemnego napięcia do obszaru P powoduje zwiększenie wysokości bariery co ilustruje rys.4. Rys.4. Układ poziomów energetycznych przy ujemnej polaryzacji załącza Ujemna polaryzacja odpycha elektrony od granicy złącza powoduje zmniejszenie elektronowego prądu dyfuzyjnego. Jednocześnie zwiększa sie nieco prąd unoszenia z obszaru typu P ale wciąż jest bardzo mały. Mówimy że złącze jest spolaryzowane w kierunku zaporowym.

Rys.5. Układ poziomów energetycznych przy dodatniej polartzacji załącza Dodatnia polaryzacja złącza likwiduje barierę i elektrony mogą swobodnie przepływać do obszaru typu P. Prąd w układzie rośnie wraz ze zwiększaniem napięcia. Taką polaryzację złącza nazywamy kierunkiem przewodzenia. Opis układu pomiarowego Układ pomiarowy zawiera zasilacz prądowy, zasilacz napięciowy (źródła prądowe i napięciowe), mierniki napięcia i prądu, oraz zestaw sterowanych przełączników (przekaźników) umożliwiających podłączenie żródła prądowego i woltomierza albo żródła napięciowego i amperomierza do diody. Dodatkowo zamontowano matrycę przełączników pozwalającą na dołączenie jednej spośród czterech diod do wybranego miernika. Ze względu na nieliniowość charakterystyki diody (oraz zależności temperaturowe) zastosowano różne układy do pomiaru charakterystyk w kierunkach przewodzenia i zaporowym. Przy pomiarze charakterystyki wstecznej diody prąd płynący w obwodzie jest mały i posiada silną zależność temperaturową, więc lepiej jest sterować napięciem i wykonywać pomiary prądu - w ten sposób układ pomiarowy jest stabilniejszy. Stosujemy układ przedstawiony na rysunku 5. Rys.5. Przy pomiarach charakterystyk w kierunku przewodzenia mamy do czynienia z sytuacją odwrotną - napięcie na diodzie zmienia się w niewielkim zakresie, natomiast prąd rośnie w sposób wykładniczy w zależności od napięcia, dlatego aby zachować stabilność układu pomiarowego sterujemy prądem płynącym przez diodę i dokonujemy pomiaru napięcia. Stosujemy układ przedstawiony na rys.6.

Rys.6. W obwodzie używanym w ćwiczeniu zamontowano cztery diody: Diodę Schottky'ego - czyli złącze metalu z półprzewodnikiem. Charakteryzuje się ona niskim napięciem przewodzenia, ale posiada dość duży prąd wsteczny. LED - czyli diodę świecącą. Ze względu na użycie półprzewodnika o dużej przerwie energetycznej LED ma wysokie napięcie przewodzenia. Diodę Zenera - czyli diodę w której występuje zjawisko przebicia wstecznego (nagły wzrost prądu w kierunku zaporowym) przy niskim napięciu. Diodę germanową (stosowaną w układach w cz.) Wykonanie ćwiczenia Po uruchomieniu ćwiczenia przyciskiem 'Połącz' należy wybrać tryb pomiaru - można mierzyć charakterystyki diod w kierunku przewodzenia albo w kierunku zaporowym. Po wybraniu trybu pomiaru wybieramy mierzoną diodę, oraz wprowadzamy początkowe i końcowe napięcie oraz krok w przypadku pomiaru charakterystyk w kierunku zaporowym, albo początkowy i końcowy prąd oraz krok w przypadku pomiaru charakterystyk w kierunku przewodzenia. Po naciśnięciu przycisku Start rozpoczyna się cykl pomiarowy. Komputer sterujący podłącza źródło napięciowe albo prądowe do wybranej diody, oraz amperomierz albo woltomierz w zależności od trybu pomiaru. Po ustawieniu zadanych nastaw wykonywany jest pomiar, nastawy są aktualizowane dla następnego punktu pomiarowego, po czym procedura rozpoczyna się od początku. Pomiary Wyniki pomiarów są na bieżąco przesyłane na komputer użytkownika i prezentowane w postaci wykresu charakterystyki napięciowoprądowej diody. Opracowanie wyników Wykonujemy wykresy zależności prądu od napięcia dla wszystkich badanych diod. Porównjemy uzyskane wyniki.