Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Autoreferat rozprawy doktorskiej Badanie procesu wydajnego impulsowego rozpylania magnetronowego w atmosferze gazów reaktywnych Autor: Katarzyna Tadaszak Promotor: dr hab. inż. Witold M. Posadowski, prof. PWr Wrocław, 2014
1. Wstęp i teza pracy Metoda rozpylania magnetronowego jest szeroko stosowana w wielu gałęziach przemysłu, a jej gwałtowny rozwój nastąpił między innymi wraz z produkcją na skalę masową dysków CD, osadzaniem pokryć cienkowarstwowych na szklanych podłożach architektonicznych i pokrywaniem narzędzi mechanicznych warstwami utwardzającymi. Ze względu na liczne zastosowania przemysłowe, duży nacisk kładziony jest na stabilność, powtarzalność i wydajność procesu produkcyjnego otrzymywania warstw. Efektywność osadzania warstw jest determinowana między innymi mocą wydzielaną w materiale rozpylanym, wielkością targetu, odległością target-podłoże. W wypadku otrzymywania warstw związków chemicznych, dodatkowym elementem wpływającym na ograniczenie wydajności staje się pokrywanie materiału rozpylanego tworzącym się związkiem (warunek ten jest konieczny przy otrzymywaniu większości związków w standardowych procesach rozpylania). Tworzące się podczas procesu rozpylania tlenki i azotki większości materiałów mają niższe współczynniki rozpylania (w stosunku do rozpylanych targetów), co jest przyczyną mniejszej (czasami znacznie) wydajności otrzymywania cienkich warstw tych materiałów. Problem ten jest rozwiązywany przez rozpylanie targetu pokrytego tylko w części związkiem, co jednak prowadzi z kolei do problemów ze stabilnością procesu oraz koniecznością stosowania zaawansowanych systemów kontroli i sterowania parametrami technologicznymi in situ. W ramach niniejszej pracy badano procesy magnetronowego rozpylania, w szczególności pod kątem otrzymywania związków w reaktywnym modzie metalicznym. Taki sposób otrzymywania cienkich warstw związków chemicznych miał zapewnić dużą szybkość ich nanoszenia przy jednoczesnym zachowaniu stabilności i kontroli procesu osadzania. Sformułowano następującą tezę pracy: Możliwe jest stabilne i kontrolowane otrzymywanie z dużą wydajnością (dużą szybkością osadzania) cienkich warstw wybranych tlenków i azotków metodą reaktywnego, impulsowego, magnetronowego rozpylania przy targecie niepokrytym tworzącym się związkiem (punkt pracy magnetronu ustalony w reaktywnym modzie metalicznym lub na granicy modów, metalicznego i przejściowego). 2. Reaktywne rozpylanie magnetronowe W standardowych procesach technologicznych (podczas rozpylania z udziałem gazów aktywnych chemicznie) powierzchnia targetu może być pokrywana tworzącym się związkiem chemicznym, co prowadzi do znacznego spadku szybkości osadzania, spowodowanego różnicami we współczynnikach rozpylania materiału targetu i jego
związków. Konsekwencją tego jest występowanie zjawiska histerezy, a co za tym idzie trudność w stabilizacji i powtarzalności warunków pracy magnetronu. Problem wydajności procesów rozpylania magnetronowego nie jest problemem nowym i pozostaje ciągle otwartym, a szczególnego znaczenia nabiera w procesach reaktywnych, gdzie warunek wydajności otrzymywania stoi często w sprzeczności z wymaganiem uzyskania związku chemicznego o określonym składzie stechiometrycznym. W tym wypadku wybór opcji rozpylania ma znaczący wpływ na czas trwania procesu, ponieważ warstwy tej samej grubości mogą być nanoszone od kilku do kilkudziesięciu minut, w zależności od stosowanej metody. Zgodnie z aktualnym stanem wiedzy, reaktywne magnetronowe osadzanie warstw jest realizowane najczęściej za pomocą: rozpylania z zasilaniem prądem zmiennym o wysokiej częstotliwości, średniej częstotliwości, HIPIMS (ang. High Power Impulse Magnetron Sputtering, czyli impulsowego rozpylania magnetronowego wysokiej mocy) oraz MPPMS (ang. Modulated Pulse Power Magnetron Sputtering, czyli rozpylania magnetronowego z impulsowo modulowaną mocą). Analiza zjawisk zachodzących podczas rozpylania reaktywnego wymaga uporządkowania stosowanego nazewnictwa [7]. Obecność gazu aktywnego i poziom jego domieszkowania wpływa na przebieg zjawisk podczas procesu rozpylania: i) na targecie, ii) na podłożu, iii) w obszarze między targetem i podłożem. W tym kontekście można wyróżnić różne mody pracy magnetronu, a ze względu na stan powierzchni target można definiować je jako (rys. 1): mod metaliczny MM (rozpylanie bez obecności gazu reaktywnego), reaktywny mod metaliczny RMM (rozpylanie w obecności gazu reaktywnego target nie pokryty związkiem) (ang. metallic mode), reaktywny mod przejściowy RMP (rozpylanie w obecności gazu reaktywnego target częściowo pokryty związkiem) (ang. transient mode), reaktywny mod dielektryczny RMD (rozpylanie w obecności gazu reaktywnego target całkowicie pokryty związkiem) (ang. reactive (dielectric) mode). Rysunek 1: Charakterystyka procesu reaktywnego rozpylania z histerezą (schemat) [4]
3. Model Interpretacja zjawisk osadzania się związków chemicznych podczas reaktywnego rozpylania została przedstawiona w modelu Berga w latach 80-ych [1]. Model ten trafnie opisuje zachodzące podczas procesu zjawiska, a otrzymywane wyniki zostały potwierdzone danymi doświadczalnymi. Bazuje on na teoretycznej analizie przepływów gazu reaktywnego w komorze roboczej, gdzie podczas procesu, oprócz pochłaniania w czasie reakcji chemicznych, gaz jest również adsorbowany przez elementy wyposażenia komory i pompowany przez układ pompowy stanowiska. Wszystkie te zjawiska wpływają na stabilność procesu, wrażliwego zarówno na zmiany przepływów gazów, jak i na niestabilności układu pompującego czy niekontrolowane zmiany położenia punktu pracy magnetronu. Zaproponowano doprecyzowanie klasycznego modelu Berga z uwzględnieniem: wpływu kształtu profilu wytrawienia, wielkości powierzchni obszaru rozpylanego oraz wpływu odległości podłoża od targetu. Rozważania teoretyczne pozwoliły sprecyzować warunki osadzania związku w modzie metalicznym, na które wpływ mają [12]: stałe materiałowe: współczynnik adhezji α, współczynnik rozpylania materiału targetu Ym; stałe procesu: temperatura T, powierzchnia targetu At, powierzchnia obszaru osadzania Ac; parametry procesu: ciśnienie cząstkowe gazu reaktywnego pgaz reakt., gęstość prądu jonów na targecie J. Z przeprowadzonych symulacji charakterystyk rozpylania wynika [11], że korzystne, dla wysokowydajnego osadzania związków, są procesy przeprowadzane z użyciem targetów o małych rozmiarach (powierzchnia). Możliwe jest kontrolowanie szybkości osadzania warstw przez dobranie, odpowiednio mocy zasilania źródła magnetronowego i odległości między źródłem i targetem. Wykazano, że możliwe jest wydajne osadzanie związków tytanu, dzięki odpowiedniemu doborowi parametrów rozpylania. W prezentowanych, w dalszej części pracy, badaniach używano targetów WMK-50 (stosunkowo mała powierzchnia targetu). Gęstość mocy była ustalana na poziomie na tyle wysokim, aby zapewnić efektywne usuwanie powstających tlenków. W ten sposób udało się spełnić większość warunków wynikających z modelu Berga. 4. Stanowisko badawcze Procesy magnetronowego rozpylania były prowadzane w komorze stanowiska próżniowego typu NP-500 wyposażonego w układ pompowy składający się z pompy obrotowej(60 m 3 /h) i pompy dyfuzyjnej (2000 l/s). Ciśnienie końcowe w komorze wynosiło 1,33 mpa (tj. 10 5 Tr). Komora próżniowa była wyposażona w źródło magnetronowe WMK-50 [5], ustawione wertykalnie, przesłonę oraz obrotową karuzelę
umożliwiającą przeprowadzenie w jednym cyklu próżniowym sześciu niezależnych, stacjonarnych procesów technologicznych (rys. 2) lub na obracające się podłoża przy ustalonych parametrach rozpylania. Do osadzania warstw wykorzystywano zasilacz impulsowy produkcji krajowej Dora Power System MSS-10 [3]. Został on zaprojektowany specjalnie do zastosowań w procesach reaktywnych oraz do rozpylania z dużą mocą targetu. Przystosowano go do optymalnej współpracy ze źródłami magnetronowymi typu WMK. Zasilacz DPS pozwala w zupełnie nowy sposób kontrolować proces rozpylania magnetronowego[6]. Dzięki obserwacji zmian wartości tzw. mocy krążącej można diagnozować procesy zachodzące na targecie i w plazmie. Moc krążąca odzwierciedla zmiany impedancji stanowiącej obciążenie zasilacza DPS. Rysunek 2: Rozmieszczenie elementów wewnątrz komory próżniowej (geometria magnetron WMK-50 podłoże) 5. Emisja elektronów wtórnych w reaktywnym procesie rozpylania Stopień "zatrucia" targetu tworzącym się związkiem znacząco wpływa również na zmiany w impedancji plazmy, która zależy między innymi od rodzaju materiału rozpylanego i jego związków chemicznych powstających podczas procesu rozpylania. Materiał rozpylany i warstwy związku chemicznego najczęściej znacznie różnią się współczynnikiem ISEE (ang. Ion induced Secondary Electron Emission) emisji elektronów wtórnych po wpływem bombardowania jonami [2]. Obserwacja zmian impedancji wyładowania jarzeniowego umożliwia kontrolowanie procesu in situ oraz identyfikację zjawisk zachodzących na powierzchni targetu i w atmosferze procesu. W badaniach próbowano określić zależności między parametrami zasilacza a współczynnikami emisji elektronów wtórnych. Badano procesy rozpylania glinu, krzemu, tantalu i tytanu w różnych atmosferach reaktywnych (skład procentowy ciśnienie cząstkowe, rodzaj gazu). Wzrostowi mocy krążącej odpowiada zmniejszanie się impedancji plazmy wyładowania jarzeniowego, która to impedancja ściśle jest związana ze zmianami współczynnika emisji wtórnej elektronów [8].
Dla osadzania warstw tlenku glinu współczynnik emisji elektronów wtórnych dla Al2O3 (0,198) przekracza ponad dwukrotnie wartość dla Al (0,091), można wnioskować, że pojawienie się mocy krążącej (rys. 3) odpowiadało formowaniu się związku dielektrycznego na powierzchni target Al. Rysunek 3:Zależność mocy krążącej P C od mocy efektywnej P E dla rozpylania glinu w atmosferach Ar+O 2 Charakterystyki PC(PE) zmierzone podczas reaktywnego rozpylania tytanu (rys. 4) różnią się znacznie od poprzednio przedstawionych, gdyż związki tytanu cechują się niskimi współczynnikami rozpylania i emisji elektronów wtórnych γisee. Rysunek 4: Zależność mocy krążącej P C od mocy efektywnej P E dla rozpylania tytanu w atmosferach Ar+O 2 i Ar+N 2 Podczas rozpylania reaktywnego badanych materiałów obserwowano charakterystyczne zmiany mocy krążącej, co pozwalało zidentyfikować moment zatrucia powierzchni materiału rozpylanego.
Na podstawie badań zależności mocy krążącej od mocy dostarczanej do targetu i zawartości procentowej (ciśnienia cząstkowego) gazu reaktywnego w atmosferze procesu stwierdzono, że: możliwe jest stosowanie tego parametru do kontroli i sterowania procesem reaktywnego rozpylania, możliwe jest identyfikowanie momentu powstawania związku chemicznego na powierzchni katody. Warunkiem kontroli procesu reaktywnego jest uwzględnienie w analizach właściwości materiału rozpylanego, w szczególności tych związanych z wpływem gazu reaktywnego na zmiany współczynników rozpylania targetu i emisji elektronów wtórnych. 6. Wpływ parametrów procesu magnetronowego rozpylania na dynamikę osadzania cienkich warstw związków Problemy związane ze niestabilnym i niepowtarzalnym procesem rozpylania w modach przejściowym i reaktywnym (target pokryty lub/i dynamicznie pokrywający się związkiem) stały się powodem poszukiwań nowych rozwiązań technicznotechnologicznych. Rozwiązaniem (zaproponowanym w niniejszej pracy) jest prowadzenie procesu reaktywnego rozpylania w modzie metalicznym lub/i na granicy modów pracy magnetronu, metalicznego i przejściowego, a więc w warunkach gdy powierzchnia materiału rozpylanego nie jest pokryta tworzącym się związkiem. Wybór takiej opcji rozpylania ogranicza znacznie niestabilności (np. przypadkowe wyładowania elektryczne) na powierzchni materiału rozpylanego, który podczas całego procesu stanowi wydajne źródło par metalu. Głównym celem prac było określenie warunków umożliwiających zwiększenie wydajności osadzania cienkich warstw związków chemicznych otrzymywanych metodą reaktywnego rozpylania impulsowego. Konieczne jest uwzględnienie w procedurze technologicznej całej grupy parametrów wynikających z teoretycznych symulacji procesu osadzania i weryfikowanych podczas eksperymentów. Stały się one podstawą do analizy warunków niezbędnych do wydajnego nanoszenia związków metodą reaktywnego impulsowego rozpylania magnetronowego. Stwierdzono, że szybkość osadzania rośnie proporcjonalnie do mocy dostarczonej do katody (rys. 5), a odwrotnie proporcjonalnie do kwadratu odległości podłoże target (rys. 6). Zwiększenie wartości obu tych parametrów wpływało korzystnie na przesunięcie momentu całkowitego pokrycia powierzchni targetu tworzącym się związkiem i zachodziło przy coraz wyższych wartościach ciśnień cząstkowych gazu reaktywnego.
Rysunek 5: Wpływ zmiany mocy dostarczanej do targetu na charakterystykę mocy krążącej i szybkość osadzania podczas rozpylania tytanu w atmosferze Ar+N 2 Rysunek 6: Wpływ odległości podłoża od targetu na charakterystyki rozpylania glinu w atmosferze Ar+O 2 a) moc krążąca, b) szybkość osadzania Podczas przeprowadzania procesów reaktywnych należy kontrolować zmiany zachodzące w miarę zużywania się materiału rozpylanego (rys. 7) i jeśli to konieczne stosować odpowiednie procedury kalibracyjne procesów. Jest to szczególnie ważne dla długotrwałych procesów, podczas których głębokość erozji targetu zmienia się z czasem rozpylania. Rysunek 7: Rozpylanie tytanu w atmosferze Ar+O 2 przy różnych głębokościach wytrawienia rozpylanego materiału (grubość początkowa d T = 7 mm) a) moc krążąca, b) szybkość osadzania
Znajomość zależności między mocą krążącą i szybkością osadzania a parametrami procesu umożliwiała kontrolę procesu i taki dobór punktu pracy, w którym jest możliwe wysokowydajne otrzymanie cienkich warstw zawiązków chemicznych. 7. Wpływ warunków osadzania na właściwości cienkich warstw Oprócz korzyści płynących ze zwiększenia wydajności osadzania, stworzono nowe możliwości technologiczne otrzymywania warstw (np. mieszaniny przewodzącodielektryczne cermety). Badano wpływ parametrów procesu osadzania na strukturę, właściwości elektryczne i mechaniczne warstw. Możliwość wysokowydajnego otrzymywania warstw wybranych związków chemicznych (np. dielektryków) może mieć pozytywny wpływ na zwiększenie wydajności przemysłowego wykorzystania zaprezentowanej technologii nanoszenia. Wyniki badań procesów otrzymywania wybranych związków chemicznych oraz pomiary ich właściwości pokazały (tab. 1), że warstwy otrzymywane w reaktywnym modzie metalicznym (RMM) mają podobne, a czasami nawet lepsze, właściwości od warstw otrzymywanych w standardowych procesach tzn. w reaktywnym modzie dielektrycznym (RMD). Jednocześnie, szybkość osadzania cienkich warstw związków dielektrycznych, osadzanych w wysokowydajnym modzie RMM, była zbliżona do szybkości osadzania metalu (składnika związku). Wydajność procesu rozpylania silnie zależała od rodzaju rozpylanego materiału (na przykład tytan i jego związki, ze względu na stosunkowo niski współczynnik rozpylania, osadzane są wolniej niż glin w tych samych warunkach). Tabela 1: Szybkość nanoszenia warstw związków chemicznych Właściwości elektryczne cienkich warstw były mierzone i analizowane metodą spektroskopii impedancyjnej współpraca z Laboratorium Badań Elektrycznych Materiałów w Zakładzie Metrologii Mikro i Nanostruktur [10]. Na przykładzie
rozpylania reaktywnego glinu w mieszaninie tlenu i argonu (rys. 8), wskazano na możliwość otrzymywania związków chemicznych (tlenków glinu): i) z dużą szybkością osadzania i ograniczonym wpływem temperatury na osadzaną warstwę RMM, oraz ii) ze stosunkowo małą szybkością osadzania i znacznym oddziaływaniem temperatury na osadzaną warstwę RMD. Rysunek 8: Porównanie widm impedancji dla kondensatorów z tlenkami osadzanymi w modzie metalicznym RMM i dielektrycznym RMD: a) moduł impedancji i faza, b) konduktancja, c) pojemność, d) współczynnik strat dielektrycznych Nanoszenie warstw w modzie reaktywnym metalicznym otwiera nowe możliwości wysokowydajnego, stabilnego i kontrolowanego otrzymywania warstw mieszanin metaliczno-dielektrycznych (kompozyty). Na podstawie badań procesów reaktywnego rozpylania targetu Al założono, że możliwe będzie otrzymanie struktur cienkowarstwowych stanowiących mieszaninę Al2O3 i wtrąceń metalicznych Al [9]. Mimo niewielkich zmian w poziomie domieszkowania cienkiej warstwy tlenem, zmiany właściwości napylonych warstw będą mogły być zidentyfikowane podczas badań metodą spektroskopii impedancyjnej (rys. 9).
Rysunek 9: Widma impedancji dla struktur z cienkimi warstwami Al 2O 3-Al osadzanymi przy różnym ciśnieniu cząstkowym tlenu: a) pojemność, b) współczynnik strat dielektrycznych, c) konduktancja, a) urojona część modułu dielektrycznego Nawet niewielkie zmiany ciśnienia cząstkowego gazu reaktywnego mogą znacząco zmienić teksturę i skład napylanych warstw. Z jednej strony jest to wadą, gdyż wymusza konieczność stałej kontroli procesu rozpylania np. za pomocą parametrów układu zasilającego magnetron. Z drugiej strony otwiera jednak nowe możliwości zastosowań w inżynierii materiałowej. Oczekiwać można, że przy przestrzeganiu określonych procedur technologicznych, możliwe będzie osadzanie cienkich warstw (w szczególności dwu składnikowych, np. tlenek - metal, azotek - metal) o różnych składach procentowych i teksturze. 8. Podsumowanie Celem badań, których wyniki przedstawiono w pracy, było określenie warunków technologicznych wysokowydajnego otrzymywania cienkich warstw związków chemicznych metodą reaktywnego, impulsowego rozpylania magnetronowego. Warunki technologiczne zostały określone na podstawie analizy modelu Berga i symulacji procesów reaktywnego rozpylania magnetronowego. Wyniki badań pozwoliły stwierdzić, że możliwe jest kontrolowanie stanu pokrycia powierzchni rozpylanej tworzącym się związkiem, którego obecność na materiale rozpylanym bezpośrednio
determinuje szybkość osadzania warstw. Dokonać tego można przez wybór i optymalizację parametrów procesu rozpylania, takich jak moc zasilania źródła magnetronowego i odległość między podłożem i targetem. Stabilne i wydajne otrzymywanie warstw związków chemicznych wymaga stosowania systemu kontroli parametrów i charakterystyk rozpylania. W przedstawionych badaniach jednym z najbardziej istotnych okazał się parametr źródła zasilania magnetronu tzw. moc krążąca. Na podstawie obserwacji jej zmian w zależności od zawartości gazu reaktywnego w atmosferze procesu potwierdzono, że możliwe jest stosowanie tego parametru do kontroli procesu reaktywnego rozpylania in situ i identyfikowanie momentu powstawania związku chemicznego na powierzchni katody-materiału rozpylanego. Wykonano program badawczy z uwzględnieniem wpływu poszczególnych parametrów procesu na szybkość osadzania warstw i zmiany mocy krążącej. Pozwoliło to na eksperymentalne potwierdzenie wyników symulacji i określenie wpływu poszczególnych parametrów na dynamikę procesu rozpylania. Zauważono, że oprócz intencjonalnych zmian parametrów procesów reaktywnych, należy również kontrolować zmiany zachodzące w miarę zużywania się materiału rozpylanego i, jeśli to konieczne, stosować odpowiednie procedury kalibracyjne procesów. Pokazano, że metoda reaktywnego rozpylania w modzie metalicznym pozwala na stabilne i powtarzalne osadzanie nie tylko warstw związków, ale i kompozytów mieszanin związków z wtrąceniami metalicznymi. Właściwości takich struktur zostały opisane metodami spektroskopii impedancyjnej. Przedstawione wyniki powinny stanowić podstawę do dalszych badań. Podsumowując, można stwierdzić, że udowodniono postawioną tezę pracy i zrealizowano cel pracy, tzn. określono warunki technologiczne umożliwiające wysokowydajne otrzymywanie cienkich warstw wybranych związków chemicznych metodą reaktywnego impulsowego rozpylania magnetronowego. Literatura: [1] S. Berg, H-O. Blom, T. Larsson, C. Nender, Modeling of reactive sputtering of compound materials, Journal of Vacuum Science and Technology A, 5, (1987), str. 202 207. [2] D. Depla, S. Heirwegh, S. Mahieu, J. Haemers, R. De Gryse, Understanding the discharge voltage behavior during reactive sputtering of oxides, Journal of Applied Physics, 101, (2007), str. 013301 013301 9. [3] J. Dora, Zasilacz rezonansowy, Patent Nr PL178285, opubl. 28.04.2000, Zgłosz. 03.06.1996.
[4] C. May, F. Milde, G. Teschner, Process Development for Large Area Reactive Magnetron Sputtering, 45th Annual Technical Conference Proceedings, (2002), str. 153 158. [5] W.M. Posadowski, Niekonwencjonalne układy magnetronowe do próżniowego nanoszenia cienkich warstw, Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, (2001). [6] W.M. Posadowski, A. Wiatrowski, J. Dora, Z.J. Radzimski, Magnetron sputtering process control by medium-frequency power supply parameter, Thin Solid Films, 516, (2008), str. 4478 4482. [7] W.M. Posadowski, K. Tadaszak, A. Wiatrowski, Próżniowe, wysokowydajne, osadzanie cienkich warstw dielktrycznych metodą reaktywnego, impulsowego rozpylania magnetronowego - wybór punktu pracy magnetronu, Elektronika, 8, (2011), str. 90 94. [8] K. Tadaszak, A. Wiatrowski, W.M. Posadowski, Magnetron sputtering modes Turing pulsed deposition process determined by the analysis of power supply parameter, Thin Solid Films, 520, (2012), str. 4127 4130. [9] K. Tadaszak, K. Nitsch, T. Piasecki, W.M. Posadowski, Electrical characterization of aluminium oxide-aluminium thin film composites by impedance spectroscopy, Microelectronics Reliability, 51, (2011), str. 1225 1229. [10] K. Tadaszak, K. Nitsch, T. Piasecki, W.M. Posadowski, Properties of aluminium oxide thin films deposited in high effective reactive pulsed magnetron sputtering process, Materials Science-Poland, 30, (2012), str. 323 328. [11] K. Tadaszak, J. Paprocki, High rate deposition of thin film compounds - modeling of reactive magnetron sputtering process, Prace Instytutu Elektrotechniki, 263, (2013). [12] K. Tadaszak, W. Posadowski, Model of high rate reactive pulsed magnetron sputtering, Elektronika, 3, (2011), str. 69 71. Dorobek naukowy: 20 publikacji w tym 3 w czasopismach z tzw. Listy Filadelfijskiej, 13 w czasopismach z tzw. Listy Ministerialnej udział w 6 krajowych i 8 międzynarodowych konferencjach naukowych dwa wyróżnienia: Best Conference Paper Award Elte 2010 w sekcji Electronic Materials za poster Model of High Rate Reactive Pulsed Magnetron Sputtering, Najlepszy plakat na VII Konferencji "Postępy w Elektrotechnologii" 2012 za plakat Nanokompozyty osadzane metodą rozpylania magnetronowego i ich zastosowania