Opis układów złożonych za pomocą schematów strukturalnych. dr hab. inż. Krzysztof Patan
|
|
- Dominik Olejniczak
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Opis kładów złożonych za pomocą schematów strktralnych dr hab. inż. Krzysztof Patan
2 Schematy strktralne W przypadk opis złożonych kładów dynamicznych, należy zwrócić wagę na interpretację fizyczną zjawisk przebiegających w badanym kładzie Złożony kład dynamiczny opisany jest skomplikowaną transmitancją dlatego wygodniej jest operować schematem strktralnym Schemat strktralny można zyskać w sposób analityczny na podstawie równań operatorowych kład bądź w wynik badań eksperymentalnych Schemat strktralny jest równoważny równaniom opisjącym kład dynamiczny
3 Podstawowe elementy schemat strktralnego element dynamiczny (s) G(s) y(s) węzeł smacyjny 1 y = węzeł zaczepowy
4 Przykład 1 Dany jest wzmacniacz tranzystorowy. Wyznaczyć schemat ogólny oraz transmitancję wzmacniacza, zakładając R c = 2kΩ, R 1 = 100kΩ, R 2 = 1kΩ i 2 U z = const R 1 R c R 2 i 1 U 1 U 2
5 Schamat zastępczy tranzystora dla małych odchyleń U 1 i U 2 od pnkt pracy U 1 R 2 i 1 h 11 h 2 i 21 i 1 2 U 3 1 R 1 h 12 U 2 1 h 22 U 2 R c h 11 (s) = h 0 11e, h 12(s) = h 0 12e h 21 (s) = β0 1sT β h 22 (s) = h 0 22e (1 stα) T α = 1 2πf α T β = 1 β 0 T α 2πf β h 0 11e rezystancja wejściowa przy zwartym wyjści h 0 12e wsp. sprzężenia zwrotnego przy otwartym wejści β 0 wsp. wzmocnienia prądowego przy zwartym wyjści h 0 22e kondktancja wyjściowa przy otwartym wejści f α częstotliwość graniczna w kładzie OB f β częstotliwość graniczna w kładzie OE
6 Stosjemy metodę potencjałów węzłowych dla węzła 1 otrzymjemy ( 1 U 3 (s) 1 1 R 1 R 2 h 11 i 1 (s) = ( U 3 (s) h 12 U 2 (s)) 1 h 11 dla węzła 2 otrzymjemy U 2 (s) = i 2 (s)r c i 2 (s) = h 21 i 1 (s) U 2 (s)h 22 Schemat strktralny wzmacniacza ) U 1 (s) 1 R 2 U 2 (s) h 12 h 11 = 0 U 1 R R 2 U 3 h 21 h 11 i 2 R c U 2 Rh 12 h 11 h 12 h 22 gdzie 1 R = 1 R 1 1 R 2 1 h 11
7 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
8 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
9 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
10 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
11 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
12 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
13 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
14 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
15 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
16 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
17 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
18 ostatecznie równanie (1) można przepisać w postaci ( U 2 (s) 1 R ) ch 21 h 12 = RR ch 21 U 1 (s) (2) h 11 R 2 h 11 czyli G(s) = RR ch 21 R 2 h 11 1 R = ch 21 h 12 h 11 Uproszczony schemat strktralny st β st β = st β U 1 U 3 R h 21 R 2 h 11 i 2 R c U 2 h 12
19 Przykład 2 Wyznaczyć schemat blokowy kład opisanego następjącymi równaniami stan { x(k 1) = Ax(k) B(k) y(k) = Cx(k) gdzie A = [ ], B = [ 2 1 ] [, C = ] 1 1
20 Przekształcanie schematów strktralnych Sposoby przekształcania (praszczania) schematów strktralnych 1 metoda krok po krok 2 metoda przekształcania równań opisjących kład fizyczny 3 metoda mnemotechniczna 4 metoda Masona Metody mnemotechniczna i Masona można stosować do ograniczonej klasy kładów Metoda krok po krok jest metodą niwersalną można ją stosować do praszczania dowolnego schemat strktralnego Przekształcania schemat strktralnego jest równoważne przekształcani kład równań opisjących ten kład Przekształcanie schemat może prowadzić do: 1 zmiany kład połączeń elementów 2 proszczenia schemat
21 Podstawowe operacje na schematach blokowych Połączenie szeregowe U(s) G 1 (s) G 2 (s) Y (s) U(s) G(s) Y (s) Transmitancja zastępcza G(s) = G 1 (s)g 2 (s)
22 Połączenie równoległe G 2 (s) U(s) Y (s) G 1 (s) U(s) Transmitancja zastępcza G(s) Y (s) G(s) = G 1 (s) G 2 (s)
23 Połączenie ze sprzężeniem zwrotnym U(s) ± G 1 (s) Y (s) G 2 (s) Transmitancja zastępcza U(s) G(s) Y (s) G(s) = G 1 (s) 1 G 1 (s)g 2 (s)
24 Zmiana kolejności węzłów zaczepowych
25 Zmiana kolejności węzłów smacyjnych ± ± 1 4 ± ± 3 2 3
26 Łączenie/rozdzielanie węzłów zaczepowych
27 Łączenie/rozdzielanie węzłów smjących 3 3 ± ± 4 ± ±
28 Przeswanie węzła zaczepowego przed smjący 1 3 ± ± ± ± ± ± 3 2
29 Przeswanie węzła smjącego przed zaczepowy 1 2 ± ± ± ± 2 ± ± 3 1
30 Przeswanie węzłów zaczepowych G(s) y G(s) 1 G(s) y
31 Przeswanie węzłów zaczepowych cd y y y G(s) G(s) y G(s)
32 Przeswanie węzłów smacyjnych 1 2 ± ± G(s) y 1 ± y G(s) ± 2 G(s)
33 Przeswanie węzłów smacyjnych cd 1 G(s) ± ± y 2 1 ± ± 1 G(s) G(s) y 2
34 Przykłady Przykład 3 Wyznaczyć transmitancję zastępczą poniższego kład 1 3 2
35 Rozwiązanie 1 rozdzielamy węzeł zaczepowy 1 i liczymy transmitancję połączenia równoległego 2 przeswamy węzeł zaczepowy 1 za transmitancję G 2 i liczymy transmitancję połączenia szeregowego 3 łączymy węzły zaczepowe 2 i 3, a następnie je rozdzielamy 4 liczymy transmitancję połączenia ze sprzężeniem zwrotnym, a następnie połączenia szeregowego 5 rozdzielamy węzeł zaczepowy 3 i liczymy transmitancję połączenia z pełnym sprzężeniem zwrotnym 6 wyznaczamy transmitancję zastępczą kład poprzez wyznaczenie transmitancji połączenia ze sprzężenim zwrtotnym
36 Przykład 4 Wyznaczyć transmitancję zastępczą poniższego kład 3 2 1
37 Rozwiązanie 1 przeswamy węzeł zaczepowy 1 za transmitancję G 2 2 przeswamy węzeł smacyjny 2 przed transmitancję G 1 i łączymy węzły smacyjne 3 liczymy transmitancję połączenia szeregowego 4 rozdzielamy węzeł smacyjny 3 5 liczymy transmitancję połączenia ze sprzężeniem zwrotnym 6 liczymy transmitancję połączenia równoległego 7 wyznaczamy transmitancję zastępczą kład poprzez wyznaczenie transmitancji połączenia szeregowego
Technika regulacji automatycznej
Technika regulacji automatycznej Wykład 2 Wojciech Paszke Instytut Sterowania i Systemów Informatycznych, Uniwersytet Zielonogórski 1 z 56 Plan wykładu Schematy strukturalne Podstawowe operacje na schematach
Bardziej szczegółowoPodstawy Automatyki. Wykład 4 - algebra schematów blokowych. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki
Wykład 4 - algebra schematów blokowych Instytut Automatyki i Robotyki Warszawa, 2015 Wstęp Schemat blokowy Schemat blokowy (strukturalny): przedstawia wzajemne powiązania pomiędzy poszczególnymi zespołami
Bardziej szczegółowoPodstawy Automatyki. Wykład 4 - algebra schematów blokowych. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki
Wykład 4 - algebra schematów blokowych Instytut Automatyki i Robotyki Warszawa, 2015 Wstęp Schemat blokowy Schemat blokowy (strukturalny): przedstawia wzajemne powiązania pomiędzy poszczególnymi zespołami
Bardziej szczegółowoPodstawy Automatyki. Wykład 4 - algebra schematów blokowych. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki
Wykład 4 - algebra schematów blokowych Instytut Automatyki i Robotyki Warszawa, 2017 Wstęp Schemat blokowy Schemat blokowy (strukturalny): przedstawia wzajemne powiązania pomiędzy poszczególnymi zespołami
Bardziej szczegółowoLaboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych
Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego (USZ) na pracę wzmacniacza operacyjnego WYMAGANIA: 1. Klasyfikacja sprzężeń zwrotnych. 2. Wpływ sprzężenia zwrotnego
Bardziej szczegółowoPrzekształcanie schematów blokowych. Podczas ćwiczenia poruszane będą następujące zagadnienia:
Warszawa 2017 1 Cel ćwiczenia rachunkowego Podczas ćwiczenia poruszane będą następujące zagadnienia: zasady budowy schematów blokowych układów regulacji automatycznej na podstawie równań operatorowych;
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoA-3. Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych
A-3. Wzmacniacze operacyjne w kładach liniowych I. Zakres ćwiczenia wyznaczenia charakterystyk amplitdowych i częstotliwościowych oraz parametrów czasowych:. wtórnika napięcia. wzmacniacza nieodwracającego
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowo2.2. Metoda przez zmianę strumienia magnetycznego Φ Metoda przez zmianę napięcia twornika Układ Ward-Leonarda
5 Spis treści Przedmowa... 11 Wykaz ważniejszych oznaczeń... 13 1. Badanie silnika prądu stałego... 15 1.1. Elementy maszyn prądu stałego... 15 1.2. Zasada działania i budowa maszyny prądu stałego... 17
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoL ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima L ABOATOIM KŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......
Bardziej szczegółowokierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II
kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowo18. Wprowadzenie do metod analizy i syntezy układów
18. Wprowadzenie do metod analizy i syntezy kładów Metody analizy kładów nieliniowych dzielimy na dwie grpy: przybliżone i ścisłe. 1. Metody przybliżone a) linearyzacja przez rozwinięcie w szereg Taylora,
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoPodstawy Automatyki Zbiór zadań dla studentów II roku AiR oraz MiBM
Aademia GórniczoHutnicza im. St. Staszica w Kraowie Wydział Inżynierii Mechanicznej i Robotyi Katedra Automatyzacji Procesów Podstawy Automatyi Zbiór zadań dla studentów II rou AiR oraz MiBM Tomasz Łuomsi
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Wrocław 2015 Wprowadzenie jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). Wzmacniacz ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne.
Bardziej szczegółowoRealizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych. Instytut Automatyki PŁ
ealizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych W6-7/ Podstawowe układy pracy wzmacniacza operacyjnego Prezentowane schematy podstawowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym zostały
Bardziej szczegółowo2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2010/2011 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II. stopnia (okręgowe) 1 Na rysunku przedstawiono przebieg prądu
Bardziej szczegółowoZbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.
Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoPODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE
PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE 1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych diody półprzewodnikowej a) Jakie napięcie pokaże woltomierz, jeśli wiadomo, że Uzas = 11V, R = 1,1kΩ a napięcie Zenera
Bardziej szczegółowoLaboratorium z automatyki
Wydział Inżynierii Mechanicznej i Mechatroniki Laboratorium z automatyki Algebra schematów blokowych, wyznaczanie odpowiedzi obiektu na sygnał zadany, charakterystyki częstotliwościowe Kierunek studiów:
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne filtr górnoprzepustowy
. el ćwiczenia. Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy elem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości filtrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów filtru.. Budowa
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONICZNYCH UKŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH. Badanie detektorów szczytowych
LABORATORIM ELEKTRONICZNYCH KŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH Badanie detektorów szczytoch Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania i właściwości detektorów szczytoch Wyznaczane parametry Wzmocnienie detektora
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
e operacyjne Wrocław 2018 Wprowadzenie operacyjny jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne. N P E
Bardziej szczegółowoSposoby modelowania układów dynamicznych. Pytania
Sposoby modelowania układów dynamicznych Co to jest model dynamiczny? PAScz4 Modelowanie, analiza i synteza układów automatyki samochodowej równania różniczkowe, różnicowe, równania równowagi sił, momentów,
Bardziej szczegółowoUJEMNE SPRZĘŻENIE ZWROTNE wprowadzenie do ćwiczenia laboratoryjnego
UJEMNE SPRZĘŻENIE ZWROTNE wprowadzenie do ćwiczenia laoratoryjnego Józef BOKSA 1. Uwagi ogólne...2 2. Podstawowe układy sprzężenia zwrotnego...2 3. Wpływ sprzężenia zwrotnego na właściwości wzmacniaczy...4
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
Bardziej szczegółowoPROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE
PROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE LABORATORIM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI Grupa Podgrupa Numer ćwiczenia 5 Nazwisko i imię Data wykonania. ćwiczenia. Prowadzący ćwiczenie Podpis Ocena sprawozdania
Bardziej szczegółowoWydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze
Politechnika Białostocka Temat i plan wykładu Wydział Elektryczny Wzmacniacze 1. Wprowadzenie 2. Klasyfikacja i podstawowe parametry 3. Wzmacniacz w układzie OE 4. Wtórnik emiterowy 5. Wzmacniacz róŝnicowy
Bardziej szczegółowoDo podr.: Metody analizy obwodów lin. ATR 2003 Strona 1 z 5. Przykład rozwiązania zadania kontrolnego nr 1 (wariant 57)
o podr.: Metody analizy obwodów lin. T Strona z Przykład rozwiązania zadania kontrolnego nr (wariant 7) Zgodnie z tabelą Z- dla wariantu nr 7 b 6, c 7, d 9, f, g. Schemat odpowiedniego obwodu (w postaci
Bardziej szczegółowoElement całkujący Element całkujący jest opisany równaniem różniczkowym o postaci: y = ku, (4.37) S(s) = ^. (4.38)
- 87-4.1.6. Element całkujący Element całkujący jest opisany równaniem różniczkowym o postaci: z którego wynika transmitancja operatorowa y = ku, (4.37) S(s) = ^. (4.38) Równanie charakterystyki statycznej
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1
Ćwiczenie nr Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz.. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się ze sposobem realizacji czwórników aktywnych opartym na wzmacniaczu operacyjnym µa, ich
Bardziej szczegółowoĆw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Bardziej szczegółowoPracownia Fizyczna i Elektroniczna 2014
Pracownia Fizyczna i Elektroniczna 04 http://pe.fw.ed.pl/ Wojciech DOMNK ozbłysk gamma GB 08039B 9.03.008 teleskop Pi of the Sky sfilmował najpotężniejszą eksplozję obserwowaną przez człowieka pierwszy
Bardziej szczegółowoWzmacniacz na tranzystorze J FET
Wzmacniacz na tranzystorze J FET Najprostszym wzmacniaczem sygnałów w. cz. jest tranzystorowy wzmacniacz oporowy. Można go zrealizować zarówno na tranzystorze bipolarnym jak i na polowym (JFET, MOSFET).
Bardziej szczegółowoL ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima L ABOATOIM KŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......
Bardziej szczegółowoWzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny
Wzmacniacze Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Zasilanie Z i I we I wy E s M we Wzmacniacz wy Z L Masa Wzmacniacze 2 Podział wzmacniaczy na klasy Klasa A ηmax
Bardziej szczegółowoAnaliza właściwości filtrów dolnoprzepustowych
Ćwiczenie Analiza właściwości filtrów dolnoprzepustowych Program ćwiczenia. Zapoznanie się z przykładową strukturą filtra dolnoprzepustowego (DP) rzędu i jego parametrami.. Analiza widma sygnału prostokątnego.
Bardziej szczegółowoWzmacniacze różnicowe
Wzmacniacze różnicowe 1. Cel ćwiczenia : Zapoznanie się z podstawowymi układami wzmacniaczy różnicowych zbudowanych z wykorzystaniem wzmacniaczy operacyjnych. 2. Wprowadzenie Wzmacniacze różnicowe są naj
Bardziej szczegółowo9. Sprzężenie zwrotne własności
9. Sprzężenie zwrotne własności 9.. Wprowadzenie Sprzężenie zwrotne w uładzie eletronicznym realizuje się przez sumowanie części sygnału wyjściowego z sygnałem wejściowym i użycie zmodyiowanego w ten sposób
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 5 Temat: STABILIZATORY NAPIĘCIA Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Cel ćwiczenia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoProjekt z Układów Elektronicznych 1
Projekt z Układów Elektronicznych 1 Lista zadań nr 4 (liniowe zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych) Zadanie 1 W układzie wzmacniacza z rys.1a (wzmacniacz odwracający) zakładając idealne parametry WO a)
Bardziej szczegółowoSterowane źródło mocy
Sterowane źródło mocy Iloczyn prądu i napięcia jest zawsze proporcjonalny (równy) do pewnej mocy p Źródła tego typu nie mogą być zwarte ani rozwarte Moc ujemna pochłanianie mocy W rozważanym podobwodzie
Bardziej szczegółowoObwody prądu zmiennego
Obwody prądu zmiennego Prąd stały ( ) ( ) i t u t const const ( ) u( t) i t Prąd zmienny, dowolne funkcje czasu i( t) t t u ( t) t t Natężenie prądu i umowny kierunek prądu Prąd stały Q t Kierunek poruszania
Bardziej szczegółowoANALOGOWE I MIESZANE STEROWNIKI PRZETWORNIC. Ćwiczenie 3. Przetwornica podwyższająca napięcie Symulacje analogowego układu sterowania
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 7. Filtry
LABOATOIUM ELEKTONIKI Ćwiczenie - 7 Filtry Spis treści 1 el ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Transmitancja filtru dolnoprzepustowego drugiego rzędu............. 2 2.2 Aktywny filtr dolnoprzepustowy
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOR BIPOLARNY
Podstawy teoretyczne Materiały pomocnicze do ćwiczenia nr. 8 TANZYST PLANY 1.1. Tranzystor bipolarny. dowa, zasada działania. Tranzystor bipolarny jest przyrządem półprzewodnikowym o dwóch złączach p-n
Bardziej szczegółowo2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.
1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.
Bardziej szczegółowoBadanie wzmacniacza niskiej częstotliwości
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 9 Pracownia Elektroniki Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: klasyfikacje
Bardziej szczegółowoDANE: wartość skuteczna międzyprzewodowego napięcia zasilającego E S = 230 V; rezystancja odbiornika R d = 2,7 Ω; indukcyjność odbiornika.
Zadanie 4. Prostownik mostkowy 6-pulsowy z tyrystorami idealnymi o komutacji natychmiastowej zasilany z sieci 3 400 V, 50 Hz pracuje z kątem opóźnienia załączenia tyrystorów α = 60º. Obciążenie prostownika
Bardziej szczegółowoPrzekształcanie równań stanu do postaci kanonicznej diagonalnej
Przekształcanie równań stanu do postaci kanonicznej diagonalnej Przygotowanie: Dariusz Pazderski Liniowe przekształcenie równania stanu Rozważmy liniowe równanie stanu i równanie wyjścia układu niesingularnego
Bardziej szczegółowoTeoria obwodów elektrycznych / Stanisław Bolkowski. wyd dodruk (PWN). Warszawa, Spis treści
Teoria obwodów elektrycznych / Stanisław Bolkowski. wyd. 10-1 dodruk (PWN). Warszawa, 2017 Spis treści Przedmowa 13 1. Wiadomości wstępne 15 1.1. Wielkości i jednostki używane w elektrotechnice 15 1.2.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 14. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia
Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 14 1 Poznanie zasady pracy wzmacniacza w układzie OC. 2. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OC. INSTRUKCJA DO WYKONANIA
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.
ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. Wykonanie ćwiczenia 1. Zapoznać się ze schematem ideowym układu ze wzmacniaczem operacyjnym. 2. Zmontować wzmacniacz odwracający fazę o
Bardziej szczegółowoOgólny schemat blokowy układu ze sprzężeniem zwrotnym
1. Definicja sprzężenia zwrotnego Sprzężenie zwrotne w układach elektronicznych polega na doprowadzeniu części sygnału wyjściowego z powrotem do wejścia. Częśd sygnału wyjściowego, zwana sygnałem zwrotnym,
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 3 TRANZYSTOR BIPOLARNY
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1
Ćwiczenie nr 05 Oscylatory RF Cel ćwiczenia: Zrozumienie zasady działania i charakterystyka oscylatorów RF. Projektowanie i zastosowanie oscylatorów w obwodach. Czytanie schematów elektronicznych, przestrzeganie
Bardziej szczegółowou (0) = 0 i(0) = 0 Obwód RLC Odpowiadający mu schemat operatorowy E s 1 sc t = 0 i(t) w u R (t) E u C (t) C
Obwód RLC t = 0 i(t) R L w u R (t) u L (t) E u C (t) C Odpowiadający mu schemat operatorowy R I Dla zerowych warunków początkowych na cewce i kondensatorze 1 sc sl u (0) = 0 C E s i(0) = 0 Prąd I w obwodzie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
Bardziej szczegółowoElementy i obwody nieliniowe
POLTCHNKA ŚLĄSKA WYDZAŁ NŻYNR ŚRODOWSKA NRGTYK NSTYTT MASZYN RZĄDZŃ NRGTYCZNYCH LABORATORM LKTRYCZN lementy i obwody nieliniowe ( 3) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGLWCZ 3 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6
Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoProjektowanie wzmacniaczy mocy
Projektowanie wzmacniaczy mocy Zaprojektować akustyczny wzmacniacz mocy w oparciu o układ TDA 006. kład powinien posiadać następujące parametry: maksymalną moc wyjściową P Wy 0W przy maksymalnej wartości
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowo1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Odpowiedzi do zadań dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia (okręgowe) Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x,
Bardziej szczegółowoUkłady zasilania tranzystorów
kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. Obwody nieliniowe.
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Obwody nieliniowe. (E 3) Opracował: dr inż. Leszek Remiorz Sprawdził: dr
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoWiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne
Tranzystory bipolarne Tranzystor jest to element półprzewodnikowy, w zasadzie trójelektrodowy, umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych. Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoVgs. Vds Vds Vds. Vgs
Ćwiczenie 18 Temat: Wzmacniacz JFET i MOSFET w układzie ze wspólnym źródłem. Cel ćwiczenia: Wzmacniacz JFET w układzie ze wspólnym źródłem. Zapoznanie się z konfiguracją polaryzowania tranzystora JFET.
Bardziej szczegółowo1. POJĘCIA PODSTAWOWE I RODZAJE UKŁADÓW AUTOMATYKI
Podstawy automatyki / Józef Lisowski. Gdynia, 2015 Spis treści PRZEDMOWA 9 WSTĘP 11 1. POJĘCIA PODSTAWOWE I RODZAJE UKŁADÓW AUTOMATYKI 17 1.1. Automatyka, sterowanie i regulacja 17 1.2. Obiekt regulacji
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych
Ćwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych własności członów liniowych
Bardziej szczegółowoAutomatyka i sterowania
Automatyka i sterowania Układy regulacji Regulacja i sterowanie Przykłady regulacji i sterowania Funkcje realizowane przez automatykę: regulacja sterowanie zabezpieczenie optymalizacja Automatyka i sterowanie
Bardziej szczegółowoZastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
Zastosowania nielinio wzmacniaczy operacyjnych Wrocław 009 kład logarytmjący powinien dawać proporcjonalne do logarytm. = kd log = k E ln gdzie: k D, k E stałe skalowania, k D = k E ln0 napięcie normjące,
Bardziej szczegółowoPomiar parametrów roboczych wzmacniaczy OE, OB i OC. Wzmacniacza OC. Wzmacniacz OE. Wzmacniacz OB
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima 2010 L ABOATOIM KŁADÓW ANALOOWYCH rupa:... Data konania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:... Nazwisko:......... Data oddania sprawozdania: Podpis:...
Bardziej szczegółowoPodstawy Automatyki. Wykład 7 - obiekty regulacji. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki
Wykład 7 - obiekty regulacji Instytut Automatyki i Robotyki Warszawa, 2018 Obiekty regulacji Obiekt regulacji Obiektem regulacji nazywamy proces technologiczny podlegający oddziaływaniu zakłóceń, zachodzący
Bardziej szczegółowoZastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
Zastosowania nielinio wzmacniaczy operacyjnych Wrocław 2009 kłady logarytmjące kład logarytmjący powinien dawać proporcjonalne do logarytm. = k D log = k E ln gdzie: k D, k E stałe skalowania, k D = k
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Bardziej szczegółowoScalony stabilizator napięcia typu 723
LBORTORIUM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część I Układy sprzężeń zwrotnych i źródeł napięcia odniesienia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Znajomość schematów,
Bardziej szczegółowoTemat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoDynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8
Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego, oraz zapoznanie się z metodami wyznaczania charakterystyk częstotliwościowych.
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz tranzystorowy
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.
Bardziej szczegółowoGeneratory drgań sinusoidalnych LC
Generatory drgań sinusoidalnych LC Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Generatory drgań sinusoidalnych
Bardziej szczegółowoWYDZIAŁ ELEKTROTECHNIKI, AUTOMATYKI I INFORMATYKI INSTYTUT AUTOMATYKI I INFORMATYKI KIERUNEK AUTOMATYKA I ROBOTYKA STUDIA STACJONARNE I STOPNIA
WYDZIAŁ ELEKTROTECHNIKI, AUTOMATYKI I INFORMATYKI INSTYTUT AUTOMATYKI I INFORMATYKI KIERUNEK AUTOMATYKA I ROBOTYKA STUDIA STACJONARNE I STOPNIA PRZEDMIOT : : LABORATORIUM PODSTAW AUTOMATYKI 10. Dyskretyzacja
Bardziej szczegółowoPlan wykładu. Własności statyczne i dynamiczne elementów automatyki:
Plan wykładu Własności statyczne i dynamiczne elementów automatyki: - charakterystyka statyczna elementu automatyki, - sygnały standardowe w automatyce: skok jednostkowy, impuls Diraca, sygnał o przebiegu
Bardziej szczegółowo