Opis układów złożonych za pomocą schematów strukturalnych. dr hab. inż. Krzysztof Patan
|
|
- Dominik Olejniczak
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Opis kładów złożonych za pomocą schematów strktralnych dr hab. inż. Krzysztof Patan
2 Schematy strktralne W przypadk opis złożonych kładów dynamicznych, należy zwrócić wagę na interpretację fizyczną zjawisk przebiegających w badanym kładzie Złożony kład dynamiczny opisany jest skomplikowaną transmitancją dlatego wygodniej jest operować schematem strktralnym Schemat strktralny można zyskać w sposób analityczny na podstawie równań operatorowych kład bądź w wynik badań eksperymentalnych Schemat strktralny jest równoważny równaniom opisjącym kład dynamiczny
3 Podstawowe elementy schemat strktralnego element dynamiczny (s) G(s) y(s) węzeł smacyjny 1 y = węzeł zaczepowy
4 Przykład 1 Dany jest wzmacniacz tranzystorowy. Wyznaczyć schemat ogólny oraz transmitancję wzmacniacza, zakładając R c = 2kΩ, R 1 = 100kΩ, R 2 = 1kΩ i 2 U z = const R 1 R c R 2 i 1 U 1 U 2
5 Schamat zastępczy tranzystora dla małych odchyleń U 1 i U 2 od pnkt pracy U 1 R 2 i 1 h 11 h 2 i 21 i 1 2 U 3 1 R 1 h 12 U 2 1 h 22 U 2 R c h 11 (s) = h 0 11e, h 12(s) = h 0 12e h 21 (s) = β0 1sT β h 22 (s) = h 0 22e (1 stα) T α = 1 2πf α T β = 1 β 0 T α 2πf β h 0 11e rezystancja wejściowa przy zwartym wyjści h 0 12e wsp. sprzężenia zwrotnego przy otwartym wejści β 0 wsp. wzmocnienia prądowego przy zwartym wyjści h 0 22e kondktancja wyjściowa przy otwartym wejści f α częstotliwość graniczna w kładzie OB f β częstotliwość graniczna w kładzie OE
6 Stosjemy metodę potencjałów węzłowych dla węzła 1 otrzymjemy ( 1 U 3 (s) 1 1 R 1 R 2 h 11 i 1 (s) = ( U 3 (s) h 12 U 2 (s)) 1 h 11 dla węzła 2 otrzymjemy U 2 (s) = i 2 (s)r c i 2 (s) = h 21 i 1 (s) U 2 (s)h 22 Schemat strktralny wzmacniacza ) U 1 (s) 1 R 2 U 2 (s) h 12 h 11 = 0 U 1 R R 2 U 3 h 21 h 11 i 2 R c U 2 Rh 12 h 11 h 12 h 22 gdzie 1 R = 1 R 1 1 R 2 1 h 11
7 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
8 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
9 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
10 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
11 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
12 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
13 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
14 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
15 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
16 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
17 wyznaczamy transmitancję G(s) = U2(s) U 1(s) po przekształceniach otrzymjemy ( U 2 (s) 1R c h 22 R ( ch 21 h 12 Rh )) 12 = RR ch 21 U 1 (s) (1) h 11 h 11 R 2 h 11 załóżmy następjące parametry tranzystora: h 0 11e = 2kΩ, h 0 12e = 10 3, β 0 = 100, h 0 22e = , f a = 10 6 Hz wtedy T α = s, T β = β 0 T α = s R = 625Ω R h = = , h R = 625 R = R h 12 0 h 11 h 21 β 0 = h 11 h 11 (1 T αs) = ( s) = h 22 = h 0 22e(1 st α ) = ( ) 0
18 ostatecznie równanie (1) można przepisać w postaci ( U 2 (s) 1 R ) ch 21 h 12 = RR ch 21 U 1 (s) (2) h 11 R 2 h 11 czyli G(s) = RR ch 21 R 2 h 11 1 R = ch 21 h 12 h 11 Uproszczony schemat strktralny st β st β = st β U 1 U 3 R h 21 R 2 h 11 i 2 R c U 2 h 12
19 Przykład 2 Wyznaczyć schemat blokowy kład opisanego następjącymi równaniami stan { x(k 1) = Ax(k) B(k) y(k) = Cx(k) gdzie A = [ ], B = [ 2 1 ] [, C = ] 1 1
20 Przekształcanie schematów strktralnych Sposoby przekształcania (praszczania) schematów strktralnych 1 metoda krok po krok 2 metoda przekształcania równań opisjących kład fizyczny 3 metoda mnemotechniczna 4 metoda Masona Metody mnemotechniczna i Masona można stosować do ograniczonej klasy kładów Metoda krok po krok jest metodą niwersalną można ją stosować do praszczania dowolnego schemat strktralnego Przekształcania schemat strktralnego jest równoważne przekształcani kład równań opisjących ten kład Przekształcanie schemat może prowadzić do: 1 zmiany kład połączeń elementów 2 proszczenia schemat
21 Podstawowe operacje na schematach blokowych Połączenie szeregowe U(s) G 1 (s) G 2 (s) Y (s) U(s) G(s) Y (s) Transmitancja zastępcza G(s) = G 1 (s)g 2 (s)
22 Połączenie równoległe G 2 (s) U(s) Y (s) G 1 (s) U(s) Transmitancja zastępcza G(s) Y (s) G(s) = G 1 (s) G 2 (s)
23 Połączenie ze sprzężeniem zwrotnym U(s) ± G 1 (s) Y (s) G 2 (s) Transmitancja zastępcza U(s) G(s) Y (s) G(s) = G 1 (s) 1 G 1 (s)g 2 (s)
24 Zmiana kolejności węzłów zaczepowych
25 Zmiana kolejności węzłów smacyjnych ± ± 1 4 ± ± 3 2 3
26 Łączenie/rozdzielanie węzłów zaczepowych
27 Łączenie/rozdzielanie węzłów smjących 3 3 ± ± 4 ± ±
28 Przeswanie węzła zaczepowego przed smjący 1 3 ± ± ± ± ± ± 3 2
29 Przeswanie węzła smjącego przed zaczepowy 1 2 ± ± ± ± 2 ± ± 3 1
30 Przeswanie węzłów zaczepowych G(s) y G(s) 1 G(s) y
31 Przeswanie węzłów zaczepowych cd y y y G(s) G(s) y G(s)
32 Przeswanie węzłów smacyjnych 1 2 ± ± G(s) y 1 ± y G(s) ± 2 G(s)
33 Przeswanie węzłów smacyjnych cd 1 G(s) ± ± y 2 1 ± ± 1 G(s) G(s) y 2
34 Przykłady Przykład 3 Wyznaczyć transmitancję zastępczą poniższego kład 1 3 2
35 Rozwiązanie 1 rozdzielamy węzeł zaczepowy 1 i liczymy transmitancję połączenia równoległego 2 przeswamy węzeł zaczepowy 1 za transmitancję G 2 i liczymy transmitancję połączenia szeregowego 3 łączymy węzły zaczepowe 2 i 3, a następnie je rozdzielamy 4 liczymy transmitancję połączenia ze sprzężeniem zwrotnym, a następnie połączenia szeregowego 5 rozdzielamy węzeł zaczepowy 3 i liczymy transmitancję połączenia z pełnym sprzężeniem zwrotnym 6 wyznaczamy transmitancję zastępczą kład poprzez wyznaczenie transmitancji połączenia ze sprzężenim zwrtotnym
36 Przykład 4 Wyznaczyć transmitancję zastępczą poniższego kład 3 2 1
37 Rozwiązanie 1 przeswamy węzeł zaczepowy 1 za transmitancję G 2 2 przeswamy węzeł smacyjny 2 przed transmitancję G 1 i łączymy węzły smacyjne 3 liczymy transmitancję połączenia szeregowego 4 rozdzielamy węzeł smacyjny 3 5 liczymy transmitancję połączenia ze sprzężeniem zwrotnym 6 liczymy transmitancję połączenia równoległego 7 wyznaczamy transmitancję zastępczą kład poprzez wyznaczenie transmitancji połączenia szeregowego
Technika regulacji automatycznej
Technika regulacji automatycznej Wykład 2 Wojciech Paszke Instytut Sterowania i Systemów Informatycznych, Uniwersytet Zielonogórski 1 z 56 Plan wykładu Schematy strukturalne Podstawowe operacje na schematach
Podstawy Automatyki. Wykład 4 - algebra schematów blokowych. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki
Wykład 4 - algebra schematów blokowych Instytut Automatyki i Robotyki Warszawa, 2015 Wstęp Schemat blokowy Schemat blokowy (strukturalny): przedstawia wzajemne powiązania pomiędzy poszczególnymi zespołami
Podstawy Automatyki. Wykład 4 - algebra schematów blokowych. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki
Wykład 4 - algebra schematów blokowych Instytut Automatyki i Robotyki Warszawa, 2015 Wstęp Schemat blokowy Schemat blokowy (strukturalny): przedstawia wzajemne powiązania pomiędzy poszczególnymi zespołami
Podstawy Automatyki. Wykład 4 - algebra schematów blokowych. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki
Wykład 4 - algebra schematów blokowych Instytut Automatyki i Robotyki Warszawa, 2017 Wstęp Schemat blokowy Schemat blokowy (strukturalny): przedstawia wzajemne powiązania pomiędzy poszczególnymi zespołami
Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych
Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego (USZ) na pracę wzmacniacza operacyjnego WYMAGANIA: 1. Klasyfikacja sprzężeń zwrotnych. 2. Wpływ sprzężenia zwrotnego
Przekształcanie schematów blokowych. Podczas ćwiczenia poruszane będą następujące zagadnienia:
Warszawa 2017 1 Cel ćwiczenia rachunkowego Podczas ćwiczenia poruszane będą następujące zagadnienia: zasady budowy schematów blokowych układów regulacji automatycznej na podstawie równań operatorowych;
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
A-3. Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych
A-3. Wzmacniacze operacyjne w kładach liniowych I. Zakres ćwiczenia wyznaczenia charakterystyk amplitdowych i częstotliwościowych oraz parametrów czasowych:. wtórnika napięcia. wzmacniacza nieodwracającego
Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
2.2. Metoda przez zmianę strumienia magnetycznego Φ Metoda przez zmianę napięcia twornika Układ Ward-Leonarda
5 Spis treści Przedmowa... 11 Wykaz ważniejszych oznaczeń... 13 1. Badanie silnika prądu stałego... 15 1.1. Elementy maszyn prądu stałego... 15 1.2. Zasada działania i budowa maszyny prądu stałego... 17
Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima L ABOATOIM KŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......
kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II
kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody
Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
18. Wprowadzenie do metod analizy i syntezy układów
18. Wprowadzenie do metod analizy i syntezy kładów Metody analizy kładów nieliniowych dzielimy na dwie grpy: przybliżone i ścisłe. 1. Metody przybliżone a) linearyzacja przez rozwinięcie w szereg Taylora,
Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Podstawy Automatyki Zbiór zadań dla studentów II roku AiR oraz MiBM
Aademia GórniczoHutnicza im. St. Staszica w Kraowie Wydział Inżynierii Mechanicznej i Robotyi Katedra Automatyzacji Procesów Podstawy Automatyi Zbiór zadań dla studentów II rou AiR oraz MiBM Tomasz Łuomsi
Wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Wrocław 2015 Wprowadzenie jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). Wzmacniacz ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne.
Realizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych. Instytut Automatyki PŁ
ealizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych W6-7/ Podstawowe układy pracy wzmacniacza operacyjnego Prezentowane schematy podstawowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym zostały
2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2010/2011 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II. stopnia (okręgowe) 1 Na rysunku przedstawiono przebieg prądu
Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.
Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE
PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE 1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych diody półprzewodnikowej a) Jakie napięcie pokaże woltomierz, jeśli wiadomo, że Uzas = 11V, R = 1,1kΩ a napięcie Zenera
Laboratorium z automatyki
Wydział Inżynierii Mechanicznej i Mechatroniki Laboratorium z automatyki Algebra schematów blokowych, wyznaczanie odpowiedzi obiektu na sygnał zadany, charakterystyki częstotliwościowe Kierunek studiów:
Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy
. el ćwiczenia. Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy elem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości filtrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów filtru.. Budowa
LABORATORIUM ELEKTRONICZNYCH UKŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH. Badanie detektorów szczytowych
LABORATORIM ELEKTRONICZNYCH KŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH Badanie detektorów szczytoch Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania i właściwości detektorów szczytoch Wyznaczane parametry Wzmocnienie detektora
Wzmacniacze operacyjne
e operacyjne Wrocław 2018 Wprowadzenie operacyjny jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne. N P E
Sposoby modelowania układów dynamicznych. Pytania
Sposoby modelowania układów dynamicznych Co to jest model dynamiczny? PAScz4 Modelowanie, analiza i synteza układów automatyki samochodowej równania różniczkowe, różnicowe, równania równowagi sił, momentów,
UJEMNE SPRZĘŻENIE ZWROTNE wprowadzenie do ćwiczenia laboratoryjnego
UJEMNE SPRZĘŻENIE ZWROTNE wprowadzenie do ćwiczenia laoratoryjnego Józef BOKSA 1. Uwagi ogólne...2 2. Podstawowe układy sprzężenia zwrotnego...2 3. Wpływ sprzężenia zwrotnego na właściwości wzmacniaczy...4
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
PROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE
PROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE LABORATORIM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI Grupa Podgrupa Numer ćwiczenia 5 Nazwisko i imię Data wykonania. ćwiczenia. Prowadzący ćwiczenie Podpis Ocena sprawozdania
Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze
Politechnika Białostocka Temat i plan wykładu Wydział Elektryczny Wzmacniacze 1. Wprowadzenie 2. Klasyfikacja i podstawowe parametry 3. Wzmacniacz w układzie OE 4. Wtórnik emiterowy 5. Wzmacniacz róŝnicowy
Do podr.: Metody analizy obwodów lin. ATR 2003 Strona 1 z 5. Przykład rozwiązania zadania kontrolnego nr 1 (wariant 57)
o podr.: Metody analizy obwodów lin. T Strona z Przykład rozwiązania zadania kontrolnego nr (wariant 7) Zgodnie z tabelą Z- dla wariantu nr 7 b 6, c 7, d 9, f, g. Schemat odpowiedniego obwodu (w postaci
Element całkujący Element całkujący jest opisany równaniem różniczkowym o postaci: y = ku, (4.37) S(s) = ^. (4.38)
- 87-4.1.6. Element całkujący Element całkujący jest opisany równaniem różniczkowym o postaci: z którego wynika transmitancja operatorowa y = ku, (4.37) S(s) = ^. (4.38) Równanie charakterystyki statycznej
Ćwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1
Ćwiczenie nr Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz.. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się ze sposobem realizacji czwórników aktywnych opartym na wzmacniaczu operacyjnym µa, ich
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Pracownia Fizyczna i Elektroniczna 2014
Pracownia Fizyczna i Elektroniczna 04 http://pe.fw.ed.pl/ Wojciech DOMNK ozbłysk gamma GB 08039B 9.03.008 teleskop Pi of the Sky sfilmował najpotężniejszą eksplozję obserwowaną przez człowieka pierwszy
Wzmacniacz na tranzystorze J FET
Wzmacniacz na tranzystorze J FET Najprostszym wzmacniaczem sygnałów w. cz. jest tranzystorowy wzmacniacz oporowy. Można go zrealizować zarówno na tranzystorze bipolarnym jak i na polowym (JFET, MOSFET).
L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima L ABOATOIM KŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......
Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny
Wzmacniacze Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Zasilanie Z i I we I wy E s M we Wzmacniacz wy Z L Masa Wzmacniacze 2 Podział wzmacniaczy na klasy Klasa A ηmax
Analiza właściwości filtrów dolnoprzepustowych
Ćwiczenie Analiza właściwości filtrów dolnoprzepustowych Program ćwiczenia. Zapoznanie się z przykładową strukturą filtra dolnoprzepustowego (DP) rzędu i jego parametrami.. Analiza widma sygnału prostokątnego.
Wzmacniacze różnicowe
Wzmacniacze różnicowe 1. Cel ćwiczenia : Zapoznanie się z podstawowymi układami wzmacniaczy różnicowych zbudowanych z wykorzystaniem wzmacniaczy operacyjnych. 2. Wprowadzenie Wzmacniacze różnicowe są naj
9. Sprzężenie zwrotne własności
9. Sprzężenie zwrotne własności 9.. Wprowadzenie Sprzężenie zwrotne w uładzie eletronicznym realizuje się przez sumowanie części sygnału wyjściowego z sygnałem wejściowym i użycie zmodyiowanego w ten sposób
Uniwersytet Pedagogiczny
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 5 Temat: STABILIZATORY NAPIĘCIA Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Projekt z Układów Elektronicznych 1
Projekt z Układów Elektronicznych 1 Lista zadań nr 4 (liniowe zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych) Zadanie 1 W układzie wzmacniacza z rys.1a (wzmacniacz odwracający) zakładając idealne parametry WO a)
Sterowane źródło mocy
Sterowane źródło mocy Iloczyn prądu i napięcia jest zawsze proporcjonalny (równy) do pewnej mocy p Źródła tego typu nie mogą być zwarte ani rozwarte Moc ujemna pochłanianie mocy W rozważanym podobwodzie
Obwody prądu zmiennego
Obwody prądu zmiennego Prąd stały ( ) ( ) i t u t const const ( ) u( t) i t Prąd zmienny, dowolne funkcje czasu i( t) t t u ( t) t t Natężenie prądu i umowny kierunek prądu Prąd stały Q t Kierunek poruszania
ANALOGOWE I MIESZANE STEROWNIKI PRZETWORNIC. Ćwiczenie 3. Przetwornica podwyższająca napięcie Symulacje analogowego układu sterowania
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Ćwiczenie - 7. Filtry
LABOATOIUM ELEKTONIKI Ćwiczenie - 7 Filtry Spis treści 1 el ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Transmitancja filtru dolnoprzepustowego drugiego rzędu............. 2 2.2 Aktywny filtr dolnoprzepustowy
ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
TRANZYSTOR BIPOLARNY
Podstawy teoretyczne Materiały pomocnicze do ćwiczenia nr. 8 TANZYST PLANY 1.1. Tranzystor bipolarny. dowa, zasada działania. Tranzystor bipolarny jest przyrządem półprzewodnikowym o dwóch złączach p-n
2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.
1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.
Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 9 Pracownia Elektroniki Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: klasyfikacje
DANE: wartość skuteczna międzyprzewodowego napięcia zasilającego E S = 230 V; rezystancja odbiornika R d = 2,7 Ω; indukcyjność odbiornika.
Zadanie 4. Prostownik mostkowy 6-pulsowy z tyrystorami idealnymi o komutacji natychmiastowej zasilany z sieci 3 400 V, 50 Hz pracuje z kątem opóźnienia załączenia tyrystorów α = 60º. Obciążenie prostownika
Przekształcanie równań stanu do postaci kanonicznej diagonalnej
Przekształcanie równań stanu do postaci kanonicznej diagonalnej Przygotowanie: Dariusz Pazderski Liniowe przekształcenie równania stanu Rozważmy liniowe równanie stanu i równanie wyjścia układu niesingularnego
Teoria obwodów elektrycznych / Stanisław Bolkowski. wyd dodruk (PWN). Warszawa, Spis treści
Teoria obwodów elektrycznych / Stanisław Bolkowski. wyd. 10-1 dodruk (PWN). Warszawa, 2017 Spis treści Przedmowa 13 1. Wiadomości wstępne 15 1.1. Wielkości i jednostki używane w elektrotechnice 15 1.2.
Ćwiczenie 14. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia
Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 14 1 Poznanie zasady pracy wzmacniacza w układzie OC. 2. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OC. INSTRUKCJA DO WYKONANIA
ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.
ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. Wykonanie ćwiczenia 1. Zapoznać się ze schematem ideowym układu ze wzmacniaczem operacyjnym. 2. Zmontować wzmacniacz odwracający fazę o
Ogólny schemat blokowy układu ze sprzężeniem zwrotnym
1. Definicja sprzężenia zwrotnego Sprzężenie zwrotne w układach elektronicznych polega na doprowadzeniu części sygnału wyjściowego z powrotem do wejścia. Częśd sygnału wyjściowego, zwana sygnałem zwrotnym,
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie
LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 3 TRANZYSTOR BIPOLARNY
Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1
Ćwiczenie nr 05 Oscylatory RF Cel ćwiczenia: Zrozumienie zasady działania i charakterystyka oscylatorów RF. Projektowanie i zastosowanie oscylatorów w obwodach. Czytanie schematów elektronicznych, przestrzeganie
u (0) = 0 i(0) = 0 Obwód RLC Odpowiadający mu schemat operatorowy E s 1 sc t = 0 i(t) w u R (t) E u C (t) C
Obwód RLC t = 0 i(t) R L w u R (t) u L (t) E u C (t) C Odpowiadający mu schemat operatorowy R I Dla zerowych warunków początkowych na cewce i kondensatorze 1 sc sl u (0) = 0 C E s i(0) = 0 Prąd I w obwodzie
Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia
Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
Elementy i obwody nieliniowe
POLTCHNKA ŚLĄSKA WYDZAŁ NŻYNR ŚRODOWSKA NRGTYK NSTYTT MASZYN RZĄDZŃ NRGTYCZNYCH LABORATORM LKTRYCZN lementy i obwody nieliniowe ( 3) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGLWCZ 3 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia
Laboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6
Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Projektowanie wzmacniaczy mocy
Projektowanie wzmacniaczy mocy Zaprojektować akustyczny wzmacniacz mocy w oparciu o układ TDA 006. kład powinien posiadać następujące parametry: maksymalną moc wyjściową P Wy 0W przy maksymalnej wartości
Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Odpowiedzi do zadań dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia (okręgowe) Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x,
Układy zasilania tranzystorów
kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. Obwody nieliniowe.
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Obwody nieliniowe. (E 3) Opracował: dr inż. Leszek Remiorz Sprawdził: dr
Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Wiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Tranzystory bipolarne
Tranzystory bipolarne Tranzystor jest to element półprzewodnikowy, w zasadzie trójelektrodowy, umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych. Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy półprzewodnikowe
1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Vgs. Vds Vds Vds. Vgs
Ćwiczenie 18 Temat: Wzmacniacz JFET i MOSFET w układzie ze wspólnym źródłem. Cel ćwiczenia: Wzmacniacz JFET w układzie ze wspólnym źródłem. Zapoznanie się z konfiguracją polaryzowania tranzystora JFET.
1. POJĘCIA PODSTAWOWE I RODZAJE UKŁADÓW AUTOMATYKI
Podstawy automatyki / Józef Lisowski. Gdynia, 2015 Spis treści PRZEDMOWA 9 WSTĘP 11 1. POJĘCIA PODSTAWOWE I RODZAJE UKŁADÓW AUTOMATYKI 17 1.1. Automatyka, sterowanie i regulacja 17 1.2. Obiekt regulacji
Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Ćwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych
Ćwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych własności członów liniowych
Automatyka i sterowania
Automatyka i sterowania Układy regulacji Regulacja i sterowanie Przykłady regulacji i sterowania Funkcje realizowane przez automatykę: regulacja sterowanie zabezpieczenie optymalizacja Automatyka i sterowanie
Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
Zastosowania nielinio wzmacniaczy operacyjnych Wrocław 009 kład logarytmjący powinien dawać proporcjonalne do logarytm. = kd log = k E ln gdzie: k D, k E stałe skalowania, k D = k E ln0 napięcie normjące,
Pomiar parametrów roboczych wzmacniaczy OE, OB i OC. Wzmacniacza OC. Wzmacniacz OE. Wzmacniacz OB
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima 2010 L ABOATOIM KŁADÓW ANALOOWYCH rupa:... Data konania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:... Nazwisko:......... Data oddania sprawozdania: Podpis:...
Podstawy Automatyki. Wykład 7 - obiekty regulacji. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki
Wykład 7 - obiekty regulacji Instytut Automatyki i Robotyki Warszawa, 2018 Obiekty regulacji Obiekt regulacji Obiektem regulacji nazywamy proces technologiczny podlegający oddziaływaniu zakłóceń, zachodzący
Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
Zastosowania nielinio wzmacniaczy operacyjnych Wrocław 2009 kłady logarytmjące kład logarytmjący powinien dawać proporcjonalne do logarytm. = k D log = k E ln gdzie: k D, k E stałe skalowania, k D = k
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Scalony stabilizator napięcia typu 723
LBORTORIUM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część I Układy sprzężeń zwrotnych i źródeł napięcia odniesienia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Znajomość schematów,
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym
Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8
Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego, oraz zapoznanie się z metodami wyznaczania charakterystyk częstotliwościowych.
Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.
Generatory drgań sinusoidalnych LC
Generatory drgań sinusoidalnych LC Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Generatory drgań sinusoidalnych
WYDZIAŁ ELEKTROTECHNIKI, AUTOMATYKI I INFORMATYKI INSTYTUT AUTOMATYKI I INFORMATYKI KIERUNEK AUTOMATYKA I ROBOTYKA STUDIA STACJONARNE I STOPNIA
WYDZIAŁ ELEKTROTECHNIKI, AUTOMATYKI I INFORMATYKI INSTYTUT AUTOMATYKI I INFORMATYKI KIERUNEK AUTOMATYKA I ROBOTYKA STUDIA STACJONARNE I STOPNIA PRZEDMIOT : : LABORATORIUM PODSTAW AUTOMATYKI 10. Dyskretyzacja
Plan wykładu. Własności statyczne i dynamiczne elementów automatyki:
Plan wykładu Własności statyczne i dynamiczne elementów automatyki: - charakterystyka statyczna elementu automatyki, - sygnały standardowe w automatyce: skok jednostkowy, impuls Diraca, sygnał o przebiegu