AUTOREFERAT. Dane personalne. Miejsce stałego zatrudnienia i stanowisko Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
|
|
- Aleksandra Bukowska
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 AUTOREFERAT Dane personalne Tomasz Wojtowicz ur. 9 czerwca 1955 r w Katowicach żonaty (od , Grażyna) dwoje dzieci (Anna ur ; Marcin ur ) zam.: Warszawa, ul. Meissnera 6m 39 Miejsce stałego zatrudnienia i stanowisko Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Warszawa, Al. Lotników 32/46 docent Wykształcenie i stopnie naukowe Habilitacja Doktorat Wyższe 2000 Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Warszawa, Al. Lotników 32/46 specjalność: Fizyka Ciała Stałego Rozprawa habilitacyjna Stany polaronowe i ekscytonowe w trój- i dwuwymiarowych strukturach Cd 1-x Mn x Te Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Warszawa, Al. Lotników 32/46 specjalność: Fizyka Ciała Stałego Rozprawa doktorska: Wpływ oddziaływania wymiennego na zjawiska transportu w Hg 1-x Mn x Te promotor Prof. dr hab. R.R. Gałązka doktorat wyróżniony przez Radę Naukową IF PAN 1980 Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Warszawa, ul. Hoża 69 Specjalność: Fizyka Półprzewodników Praca magisterska pt. Magnetooptyczne badania półprzewodników z wąską przerwą energetyczną w dalekiej podczerwieni promotor Prof. dr hab. M. Grynberg dyplom z wyróżnieniem nagroda Polskiego Towarzystwa Fizycznego za pracę magisterską 1
2 Średnie 1975 Technikum Elektroniczno-Mechaniczne Warszawa, ul. Gen. Zajączka 7 Specjalność: Elektroniczne maszyny matematyczne praca dyplomowa uznana za najlepszą w szkole Podstawowe 1970 Szkoła Podstawowa Nr 16 Warszawa, ul. Radomska 23 pierwsze miejsce w Okręgowych Zawodach Matematycznych dla klas ósmych szkół podstawowych Historia zatrudnienia 2001 do dziś docent, SL-3, Instytut Fizyki PAN, Warszawa adiunkt, SL-3, Instytut Fizyki PAN, Warszawa adiunkt, ON-1, Instytut Fizyki PAN, Warszawa asystent i starszy asystent, ON-1, Instytut Fizyki PAN, Warszawa Staże i praca naukowa za granicą 2001/2004 Visiting Research Assocciate Professor and Senior Fulbright Scholar, Physics Department, University Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA miesiące 2000/2001 Visiting Professor, Tohoku University, Sendai, Japonia..3 miesiące 1996/1999 Visiting Scientist, Würzburg University, Niemcy.(w sumie).9 miesięcy 1994 Visiting Scientist, Heriot-Watt University, Wielka Brytania miesiąc 1988/1990 Post-doctoral research associate, Physics Department, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA..3 lata 1984/1985 Visiting Scientist, University of Montpellier, Francja (w sumie).6 tygodni 2
3 Wyróżnienia wynikające z prowadzonych badań naukowych Stypendium Fulbrighta 2001 Nagroda Dyrektora IF PAN Warszawa 1996 Nagroda Dyrektora IF PAN (zespołowa) Warszawa 1994 Nagroda za pracę doktorską IF PAN Warszawa 1988 Nagroda Sekretarza Naukowego PAN (zespołowa) Warszawa 1986 Nagroda Dyrektora IF PAN (zespołowa) Warszawa 1985 Nagroda Dyrektora IF PAN (zespołowa) Warszawa 1983 Nagroda Polskiego Towarzystwa Fizycznego za pracę magisterską Warszawa 1980 Działalność dydaktyczna W latach akademickich 1996/1997, 1997/1998, 1998/1999, 2000/2001 ośmiogodzinne cykle wykładów dla studentów Wyższej Szkoły Nauk Ścisłych oraz doktorantów IF PAN pt. Epitaksja z wiązek molekularnych. Wykład pt. Nanostruktury: dlaczego i jak? na IV Sympozjum Doktoranckim, IF PAN, październik 1999 Dwugodzinny wykład w ramach Kursu Dokształcającego dla Nauczycieli Fizyki, IF PAN, czerwiec 2000 pt. Epitaksja z wiązek molekularnych jako metoda wytwarzania niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych. W latach 1989/1990, podczas pobytu na Uniwersytecie Notre Dame w USA: - opiekun naukowy pracy doktorskiej M.S. N.G. Semaltianos-a, pt. Persistent Photonductivity in II-VI Based Semiconducting Compound and Alloys. Praca obroniona w 1995 r. - opiekun naukowy pracy doktorskiej M.S. G. Yang-a, pt. Electron Paramagnetic Resonance in II-VI Semiconductor Herterostructures. Praca obroniona w 1993 r. Promotor pracy doktorskiej dr Mirosława Kutrowskiego pt.: Magnetooptyczne własności profilowanych studni kawntowych opartych na związkach Cd 1-x Mn x Te i Cd 1-y Mg y Te. Praca ta, wyróżniona przez Radę Naukową Instytutu Fizyki, została obroniona w grudniu 2001 r. Promotor pracy doktorskiej mgr Grzegorza Cywińskiego, temat: Otrzymywanie i badanie kwazi-jednowymiarowych struktur z półprzewodnikowych materiałów II-VI. Planowany termin zakończenia sierpień 2004 r. Od kwietnia 2001 r na Uniwersytecie Notre Dame, opiekun naukowy doktorantów : Weng-Li Lim, ShaoPing Shen i Zhinguo Ge prowadzących eksperymenty technologiczne metodą epitaksji z wiązek molekularnych oraz transportowe badania ferromagnetycznych półprzewodników III-V z Mn. 3
4 Działalność recenzencka Recenzje publikacji naukowych 1. Physical Review B i Physical Review Letters 2. Applied Physics Letters 3. Acta Physica Polonica 4. Physica Status Solidi 5. European Physical Journal B Członek Komitetu Programowego: International School on the Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec w latach Członek International Program Committee of the 11th International Conference on II-VI Compounds, Niagara Falls, NY in September 22-26, Członek komitetów programowych: 14th International Conference on Crystal Growth - ICCG-14, 9-13 August 2004, Alpes Congrès, Grenoble, France oraz Electronic Material Conference EMC 2004, Notre Dame, Indiana (USA) Realizowane granty krajowe i zagraniczne Fulbright Grant for Senior Scholars, Fabrication and characterization of III-V ferromagnetic semiconductor structures for spin-photonics USD kierownik zadania 8 w projekcie badawczym zamawianym PBZ z KBN Dwu-, jedno- i zero-wymiarowe półprzewodnikowe heterostruktury kwantowe z tellurków metali II grupy i rozcieńczonych półprzewodników magnetycznych w aspekcie zastosowań optoelektronicznych zł kierownik projektu badawczego 8T11B z KBN Inżynieria przerwy energetycznej w strukturach niskowymiarowych półprzewodników A II B VI otrzymywanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych dla potrzeb optoelektroniki zł główny wykonawca w Grancie z Fundacji Volkswagena Advanced II-VI semiconductor quantum structures of low dimensionality DM główny wykonawca w projekcie badawczym zamawianym PBZ z KBN w części Otrzymywanie i charakteryzacja quasi-dwuwymiarowych struktur 4
5 półprzewodników II-VI zł wykonawca w bardzo wielu projektach badawczych krajowych (z KBN) i kilku grantach zagranicznych ( Maria Curie-Skłodowska Joint USA-Poland grant, TEMPUS, SFB-410 Niemcy, DARPA SpinS Program, 21st Century Science and Technology Fund of Indiana.) 5
6 Dorobek naukowy Współautorstwo w około 350 oryginalnych opublikowanych pracach twórczych (w bazie INSPEC do lutego 2004 r wymienione są 292 prace, kompletna lista patrz WYKAZ osiągnięć w pracy naukowo-badawczej). Prace publikowane były w recenzowanych czasopismach o wysokiej międzynarodowej renomie takich jak, m.in.: Physical Review Letters 12 artykułów Applied Physics Letters - 16 artykułów, Physical Review B - 33 artykuły, Journal of Crystal Growth 22 artykuły, Journal of Applied Physics- 2 artykuły, Semiconductor Science and Technology 6 artykułów, Thin Solid Films - 9 artykułów, Superlattices and Microstructures 2 artykuły, Solid State Communications 10 artykułów, Physica Status Solidi A & B 17 artykułów, Physica B & E 29 artykułów, Acta Physica Polonica 63 artykuły. Według ISI Web of SCIENCE (webofscience.com) do lutego 2004 r prace te (wśród których spora część została opublikowana niedawno) cytowane były 1230 razy. Oprócz regularnych publikacji, uzyskane wyniki naukowe przedstawiane były w postaci ponad 112 prezentacji na międzynarodowych konferencjach i szkołach i publikowane jedynie w formie abstraktów. Wśród wyżej wymienionych prac opublikowanych (zarówno jako regularne artykuły jak i jedynie w formie abstraktu) 51 stanowiły referaty zaproszone (lista tych referatów zamieszczona jest poniżej). Spośród oryginalnych współautorskich prac twórczych 123 opublikowanych zostało w latach , tj. po złożeniu pracy habilitacyjnej w maju 1999 r. W tym samym okresie przedstawiono 60 prezentacji na międzynarodowych konferencjach i publikowane jedynie w formie abstraktów. Wśród wszystkich prac z lat referatami zaproszonymi było 28 prac. 6
7 Referaty zaproszone na międzynarodowych konferencjach, sympozjach i szkołach I-1. I-2. I-3. I-4. I-5. I-6. I-7. I-8. I-9. "Acceptor states in Semimagnetic Semiconductors", T. Wojtowicz, Int. Symposium on Semimagnetic Semiconductors, Bad Honnef, Germany (1984) - abstract only - invited. "Semimagnetic Semiconductors near the metal-insulator transition", T. Dietl, M. Sawicki, T. Wojtowicz, J. Jaroszynski, W. Plesiewicz, and A. Lenard, 19-th Int. Conf. on Phys. of Semiconductors, Warsaw, Poland, 1988, ed. W. Zawadzki (Institute of Physics Polish Academy of Sciences, Warsaw, 1988) p (1988) - invited. "Interaction Effects near the Metal-Insulator Transition in Semimagnetic Semiconductors", T. Dietl, M. Sawicki, T. Wojtowicz, J. Jaroszynski, W. Plesiewicz, L. Swierkowski, and J. Kossut, Int. Symposium on Anderson Localization, Tokyo 1988, in:anderson Localization, ed. T. Ando and H. Fukuyama (Springer, Berlin 1988) p. 58 (1988) - invited. "Localization in Diluted Magnetic Semiconductors", T. Dietl, M. Sawicki, J. Jaroszynski, J. Wrobel, T. Wojtowicz, and A. Lenard, Localization and Confinementof Electrons in Semiconductors, ed. F. Kuchar, H. Heinrich and G. Bauer Springer Series in Solid State Sciences,Vol 97 (Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, 1990) p. 127 (1990) - invited. "Far-infrared magneto-optical studies of HgTe-CdTe superlattices in the semimetallic regime", T. Wojtowicz, M. Dobrowolska, J. K. Furdyna, J. R. Meyer, F. J. Bartoli, C. A. Hoffman, and L. R. Ram- Mohan, Acta Physica Polonica A 80, 245 (1991)- invited. "Photomemory effect in II-VI Semimagnetic Semiconductors", T. Wojtowicz, German - Polish Symposium on Semimagnetic Semiconductors, Jachranka, (1993) - abstract only - invited. "MBE growth and characterization of layers and low-dimensional structures of II-VI compounds with Mn in the SL-3 Laboratory of the Institute of Physics in Warsaw", T. Wojtowicz, 2-nd Symposium on Surface and Thin Film Structures,Kazimierz Dolny, Poland, September (1994) - abstract only - invited. "Spin tracing: a tool of interface characterization in structures with semimagnetic semiconductors", J. Gaj, P. Kossacki, Nguyen-The-Khoi, J. Cibert, W. Grieshaber, Y. M. D'Aubigne, G. Karczewski, and J. Kossut, Proc. SPIE Conf. on Laser and Optoelectronics, San Jose 1995, ed. by M. Razeghi, Y. S. Park, G. L. Witt, Vol. 2397, p. 105 (1995) - invited. "MBE growth of CdTe:In layers", G. Karczewski, T. Wojtowicz, and J. Kossut, 3-rd Symposium on Surface and Thin Film Structures, Spala, Poland (1995)- abstract only - invited. I-10. "In situ doping of CdMnTe layers grown by molecular beam epitaxy", G. Karczewski, T. Wojtowicz, and J. Kossut, International School-Conference "Solid StatePhysics, Fundamentals and Applications", Ukraina (1995)- abstract only - invited. 7
8 I-11. "Weakly diluted magnetic CdTe/Cd 1-x Mn x Te semiconductor structures grown by MBE", T. Wojtowicz, G. Karczewski, and J. Kossut, Acta Physica Polonica A 88, 631 (1995) - invited. I-12. "CdTe/CdMnTe diluted magnetic semiconductor structures grown by MBE", T. Wojtowicz, G. Karczewski, and J. Kossut, Polish-Lithuanian Symposium, Warsaw, Poland (1995)- abstract only - invited. I-13. "MBE growth and characterization of layers and low-dimensional structures of Diluted Magnetic Semiconductors", T. Wojtowicz, Dutch-Polish Colloquium, Nijmegen, The Netherlands, January (1995) - abstract only - invited. I-14. "Universal conductance fluctuations in submicron wires of Cd 1-x Mn x Te", T. Dietl, J. Jaroszynski, G. Grabecki, J. Wrobel, M. Sawicki, T. Skoskiewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska, G. Karczewski, T. Wojtowicz, and J. Kossut, Semiconductor Science and Technology 11, 1618 (1996)- invited. I-15. "Doping and characterization of wide-gap II-VI epilayers", G. Karczewski and T. Wojtowicz, Acta Physica Polonica A 90, 635 (1996)- invited. I-16. "Graded low dimensional structures", T. Wojtowicz, Seminar on Technology, Research and Applications of Epitaxially Grown Low Dimensional Structures, Bachotek, Poland (1996)- abstract only - invited. I-17. "Resonant Polaron Effect of Shallow Indium Donors in CdTe", M. Grynberg, S. Huant, M. L. Sadowski, G. Martinez, J. Kossut, T. Wojtowicz, G. Karczewski, J. M. Shi, F. M. Peeters, and J. T. Devreese, Proc. 7th Int. Conf. on Phys. of Shallow-Level Centres in Semiconductors (Amsterdam 1996), Eds. C. A. J. Ammerlaan and B. Pajot, (World Scientific, Singapore 1997) p. 1 (1997) - invited. I-18. "Iodine- and indium-doping of diluted magnetic semiconductors - a comparative study", G. Karczewski, J. Jaroszynski, M. Kutrowski, A. Barcz, T. Wojtowicz, and J. Kossut, Extended abstracts of Japanese-Polish Symposium on Diluted Magnetic Semiconductor, Warsaw, September 1997, p. 86 (1997) - invited. I-19. "On the Possibility of Real Exciton Free-Magnetic Polarons in Two-Dimensional Diluted Magnetic Semiconductors", S. Takeyama, T. Karasawa, G. Karczewski, T. Wojtowicz, and J. Kossut, Int. Symposium on Quantum Structure for Photonic Applications, (IMR Workshop, Tohoku University, March 6-9, 1997), in Nonlinear Optics Principles, Materials, Phenomena, and Devices, (Gordon & Breach Science Publishers), Vol 18 (2-4), p. 199 (1997) - invited. I-20. "Spatially Graded Diluted Magnetic Semiconductor Quantum Structures", T. Wojtowicz, M. Kutrowski, G. Cywinski, G. Karczewski, E. Janik, E. Dynowska, J. Kossut, P. Kossacki, R. Fiederling, D. R. Yakovlev, and W. Ossau, Extended abstracts of Japanese-Polish Symposium on Diluted Magnetic Semiconductor, Warsaw, September 1997, p. 26 (1997) - invited. I-21. "Excitons in novel diluted magnetic semiconductor quantum structures", T. Wojtowicz, G. Karczewski, and J. Kossut, Thin Solid Films 306, 271 (1997)- invited. I-22. "Spin exchange interaction between excitons and magnetic ions in CdTe/Cd(1-x)Mn(x)Te single quantum well structures under high magnetic field and pressure", H. Yokoi, Y. Kukudate, S. Fujiwara, S. Takeyama, H. Kunimatsu, K. Uchida, T. Schmiedel, S. Tozer, T. Wojtowicz, G. Karczewski, and J. Kossut, 8
9 Extended abstracts of Japanese-Polish Symposium on Diluted Magnetic Semiconductor, Warsaw, September 1997, p. 94 (1997) - invited. I-23. "Novel II-VI low-dimensional structures with spatial grading", T. Wojtowicz, IV Dutch-Polish Coloquium on Condensed Matter Physics: Low-dimensional systems, mesoscopics and localization, Krakow, Przegorzaly, Poland (1998) - abstract only - invited. I-24. "Graded quantum well structures made of diluted magnetic semiconductors", T. Wojtowicz, M. Kutrowski, G. Karczewski, and J. Kossut, Acta Physica Polonica A 94, 199 (1998) - invited. I-25. "Combined exciton-electron processes in modulation doped quantum well structures", V. Kochereshko, D. R. Yakovlev, T. Wojtowicz, M. Kutrowski, G. Karczewski, J. Kossut, J. Nurnberger, W. Faschinger, M. Keim, A. Waag, W. Ossau, and G. Landwehr, Int. Workshop on "Exctiton and Carriers in Confined Systems", Obory, Poland (1999) - abstract only - invited. I-26. "Negatively Charged excitons in modulation doped graded Cd(1-x)Mn(x)Te/Cd(1-y)Mg(y)Te structures", M. Kutrowski, T. Wojtowicz, G. Karczewski, J. Kossut, D. R. Yakovlev, W. Ossau, G. Landwehr, V. Kochereshko, G. V. Astakhov, F. J. Teran, and M. Potemski, Int. Workshop on "Exctiton and Carriers in Confined Systems", Obory, Poland (1999) - abstract only - invited. I-27. "Photo-induced magnetic polarons in low-dimensional dilute magnetic semiconductors", S. Takeyama, S. Adachi, Y. Takagi, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut, and T. Karasawa, Materials Science & Engineering B 63, 111 (1999) - invited. I-28. "Formation of negatively charged excitons in high magnetic fields ", P. C. M. Christianen, C. R. L. P. N. Jeukens, F. Pulizzi, W. H. A. Thijssen, J. C. Maan, D. R. Yakovlev, W. Ossau, and T. Wojtowicz, NATO Advandced Research Workshop on:"optical Probing of Many Body Effects in Nanostructures", Wurzburg, Germany, p. L6 (2000) - abstract only - invited. I-29. "Faraday rotation in studies of excitons interacting with 2D carrier gas ", J. Gaj, A. Golnik, P. Kossacki, W. Mac, W. Maslana, J. Cibert, S. Tatarenko, T. Wojtowicz, G. Karczewski, and J. Kossut, NATO Advandced Research Workshop on:"optical Probing of Many Body Effects in Nanostructures", Wurzburg, Germany, p. L1 (2000) - abstract only - invited. I-30. "Faraday rotation in studies of semimagnetic heterostructures with free carriers", J. Gaj, P. Kossacki, W. Maslana, J. Cibert, S. Tatarenko, and T. Wojtowicz, PAS-JSPS, Polish Japanese Seminar on Spin-Related Phenomena in Semiconductors, Sendai, Japan, September 11-12, 2000, p. 5 (2000) - abstract only - invited. I-31. "Cyclotron resonance in 2-dimensional electron systems of diluted magnetic semiconductors", Y. Imanaka, T. Takamasu, G. Kido, G. Karczewski, T. Wojtowicz, and J. Kossut, PAS-JSPS, Polish Japanese Seminar on Spin-Related Phenomena in Semiconductors, Sendai, Japan, September 11-12, 2000, p. 16 (2000) - abstract only - invited. I-32. "Quantum Hall effect in the highly spin-polarized electron system", J. Jaroszynski, G. Karczewski, T. Andrearczyk, T. Wojtowicz, J. Wrobel, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska, and T. Dietl, Physica B 280, 378 (2000) - invited. I-33. "Dynamics of Charged Excitons in CdTe-based Quantum Wells ", P. Kossacki, V. Ciulin, M. Kutrowski, J. Cibert, S. Tatarenko, S. Haacke, J. D. Ganiere, T. Wojtowicz, B. Deveaud, and J. Gaj, 9
10 NATO Advandced Research Workshop on:"optical Probing of Many Body Effects in Nanostructures", Wurzburg, Germany, p. L10 (2000) - abstract only - invited. I-34. "Diluted magnetic semiconductor hybrid structures and self-assembled quantum dots ", J. Kossut, K. Fronc, S. Mackowski, G. Karczewski, and T. Wojtowicz, Symposium I "Semiconductor Spintronics-Physics, Materials and Applications", Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, USA (2000) - abstract only - invited. I-35. "Optical and electron microscopic studies of CdTe/ZnTe self-assembled quantum dots", S. Mackowski, G. Karczewski, T. Wojtowicz, A. Szczepanska, S. Kret, P. Dluzewski, J. Kossut, G. Prechtl, and W. Heiss, PAS-JSPS, Polish Japanese Seminar on Spin-Related Phenomena in Semiconductors, Sendai, Japan, September 11-12, 2000, p. 17 (2000) - abstract only - invited. I-36. "Spin splitting engineering of 2DEG in CdMnTe-based quantum structures", T. Wojtowicz, M. Kutrowski, G. Karczewski, J. Kossut, B. Konig, A. Keller, D. R. Yakovlev, A. Waag, J. Geurts, W. Ossau, G. Landwehr, I. A. Merkulov, G. V. Astakhov, V. Kochereshko, F. J. Teran, and M. Potemski, PAS-JSPS, Polish Japanese Seminar on Spin-Related Phenomena in Semiconductors, Sendai, Japan, September 11-12, 2000, p. 11 (2000) - abstract only - invited. I-37. "II-VI quantum structures with tunable electron g-factor", T. Wojtowicz, M. Kutrowski, G. Karczewski, J. Kossut, B. Konig, A. Keller, D. R. Yakovlev, A. Waag, J. Geurts, W. Ossau, G. Landwehr, I. A. Merkulov, F. J. Teran, and M. Potemski, Journal of Crystal Growth , 378 (2000) - invited. I-38. "Formation of negatively charged excitons in high magnetic fields", C. R. L. P. N. Jeukens, P. C. M. Christianen, J. C. Maan, D. R. Yakovlev, W. Ossau, T. Wojtowicz, G. Karczewski, and J. Kossut, Proc. XXV Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Osaka 2000, Eds. N. Miura and T. Ando, (Springer) Berlin, p. 979 (2001) - invited. I-39. "Ferromagnetic III-Mn-V Semiconductors: Manipulation of Magnetic Properties by Annealing, Extrinsic Doping, and Multilayer Design" J. K. Furdyna, S. Lee, T. Wojtowicz, X. Liu, W. L. Lim, I. Kuryliszyn, Y. Sasaki, K. M. Yu, and W. Walukiewicz,, Journal of Korean Physical Society 42 pt. 1, S579 (2003)- invited. I-40. "Magnetic properties of above-room-temperature ferromagnetic GaSb/Mn digital alloys",, H. Luo, X. Chen, M. Na, M. Cheon, S. Wang, G. B. Kim, B. D. McCombe, X. Liu, F. Sasaki, T. Wojtowicz, J. K. Furdyna, S. J. Potashnik, and P. Schiffer,, Proc 2nd Int. Conf. on Physics and Application of Spin Related Phenomena in Semiconductors (2002) - abstract only - invited. I-41. "Optical studies of charged excitons in II-VI semiconductor quantum wells",, P. Kossacki, J. Cibert, V. Ciulin, M. Kutrowski, W. Maslana, S. Tatarenko, D. Ferrand, T. Wojtowicz, B. Deveaud, and J. Gaj,, Proc. XXVI Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Edinburgh (2002)- invited I-42. "Coupling of Mn2+ spins with 2DEG in quantum Hall regime", F. J. Teran, M. Potemski, D. K. Maude, A. K. Hassan, D. Plantier, J. Jaroszynski, Z. Wilamowski, T. Wojtowicz, and G. Karczewski, The Int. Conf. on Superlattices, Nano-structures and Nano-device (ICSNN 2002), Toulouse (2002) - Physica E 17, 335 (2003) - invited. I-43. Thermodynamic limits to the maximum Curie temperature in GaMnAs W. Walukiewicz, K.M.Yu, T. Wojtowicz, J.K. Furdyna 2002 MRS Fall Meeting, December 2-5, 2002, Boston, Massachusetts (USA), abstract only - invited. 10
11 I-44. "Novel ferromagnetism in digital GaAs/Mn and GaSb/Mn alloys", B. D. McCombe, M. Na, X. Chen, M. Cheon, S. Wang, H. Luo, X. Liu, Y. Sasaki, T. Wojtowicz, J. K. Furdyna, S. J. Potashnik, and P. Schiffer, Physica E 16, 90 (2003) - invited. I-45. I-46. Electronic Effects in Epitaxial Growth of Ferromagnetic III 1-x Mn x V Alloys J. K. Furdyna, X. Liu, W. Walukiewicz, T. Wojtowicz, K. M. Yu, Lawrence Symposium on Critical Issues in Epitaxy, Tempe, Arizona, October 2003 extended abstract - invited. "Quantum Hall ferromagnetism in II-VI based alloys J. Jaroszyński, T. Andrearczyk, G. Karczewski, J. Wróbel, T. Wojtowicz, E. Papis, E. Kamińska, A. Piotrowska, Dragana Popovic, and T. Dietl, 11-th Int. Conf. on II-VI Compounds, Niagara Falls, New York, September 22-26, 2003 (USA) in press - invited. I-47. Above-room-temperature ferromagnetism in GaSb/Mn digital alloys H. Luo, G.B. Kim, M. Cheon, X. Chen, S. Wang, B.D. McCombe, Y. Sasaki, X. Liu, T. Wojtowicz, J.K. Furdyna, G. Boishin and L.J. Whitman APS March Meeting 2003, March 3-7, 2003, Austin, Texas (USA) - Bull. of American Phys. Soc. Vol. 48. No. 1, 382 (2003) - abstract only - invited. I-48. Ferromagnetic GaSb/Mn and InAs/Mn Digital Alloys H. Luo, G.B. Kim, M. Cheon, X. Chen, S. Wang, B.D. McCombe, Y. Sasaki, X. Liu, T. Wojtowicz, J.K. Furdyna, G. Boishin and L.J. Whitman 11-th International Conference on Narrow Gap Semiconductors, NGS-11, June 16-20, 2003, Buffalo, New York (USA) - Physica E 20, 338 (2004) invited. I-49. Mechanisms limiting the Curie temperature in GaMnAs T. Wojtowicz, W.L. Lim, X. Liu, M. Dobrowolska, J. K. Furdyna, K. M. Yu and W. Walukiewicz APS March Meeting 2003, March 3-7, 2003, Austin, Texas (USA Bull. of American Phys. Soc. Vol. 48. No. 1, 584 (2003) - abstract only invited. I-50. Mechanisms limiting the Curie temperature in GaMnAs T. Wojtowicz, W.L. Lim, X. Liu, M. Dobrowolska, and J. K. Furdyna, K. M. Yu and W. Walukiewicz, I. Vurgaftman and J. R. Meyer International Conference and School on Semiconductor Spintronics and Quantum Information Technology, Spintech II, August 4-8, 2003, Brugge (Belgium) - abstract only invited. I-51. "Growth and properties of ferromagnetic In(1-x)Mn(x)Sb alloys", T. Wojtowicz, W. Lim, X. Liu, G. Cywinski, M. Kutrowski, L. V. Titova, K. Yee, M. Dobrowolska, J. K. Furdyna, K. M. Yu, W. Walukiewicz, G. B. Kim, M. Cheon, X. Chen, S. M. Wang, H. Luo, I. Vurgaftman, and J. R. Meyer, 11-th International Conference on Narrow Gap Semiconductors, NGS-11, June 16-20, 2003, Buffalo, New York (USA) - Physica E 20, 325 (2004) invited. 11
12 Przebiegu pracy naukowej 1. Przed uzyskaniem stopnia doktora habilitowanego Urodziłem się 9 czerwca 1955 r w Katowicach. Po ukończeniu w 1975 r Technikum Elektroniczno- Mechanicznego o specjalności Elektroniczne Maszyny Matematyczne i zdaniu egzaminów wstępnych, rozpocząłem studia wyższe na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego. Studia ukończyłem w 1980 r uzyskując dyplom z wyróżnieniem. Pracę magisterska pt: Magnetooptyczne badania półprzewodników z wąską przerwą energetyczną w dalekiej podczerwieni wykonywałem pod kierunkiem prof. dr hab. M. Grynberga. W ramach tej pracy uruchomiłem, nie stosowaną uprzednio w Polsce, technikę strip-line. W tym celu nie tylko zaprojektowałem uchwyt potrzebny do pomiarów w magnesie nadprzewodzącym, ale także przeprowadziłem obliczenia teoretyczne transmisji światłowodu, niezbędne do analizy wyników. Przy użyciu tej techniki przeprowadziłem następnie pomiary rezonansu cyklotronowego w PbSe [1]. Moja praca magisterska została wyróżniona nagrodą Polskiego Towarzystwa Fizycznego. Badania techniką strip-line były dalej kontynuowane w materiale półmagnetycznym Pb 1-x Mn x Te [2,3]. Jeszcze przed ukończeniem studiów, w grudniu 1979 r, z rekomendacji prof. Grynberga rozpocząłem pracę w Instytucie Fizyki PAN. Tam też, pracując na stanowisku asystenta oraz starszego asystenta, prowadziłem badania, które stały się następnie podstawą rozprawy doktorskiej. Badania te, zaproponowane przez mojego opiekuna naukowego Prof. dr hab. A. Mycielskiego, dotyczyły transportu elektrycznego w p-typu kryształach półprzewodnika półmagnetycznego Hg 1-x Mn x Te. Aby je przeprowadzić musiałem najpierw uruchomić trudną technikę pomiarów oporności i stałej Halla w próbkach o bardzo wysokim oporze, rzędu Ω. Zbudowałem w tym celu odpowiedni układ pomiarowy pozwalający na takie pomiary w przedziale temperatur od 300 K do 1.5 K i w polach magnetycznych do 7 T. Był to bodaj pierwszy w Instytucie skomputeryzowany układ pomiarowy, pozwalający na automatyczną akwizycję danych. W późniejszym okresie okazało się także celowe rozszerzenie pomiarów na obszar silnych pól magnetycznych do 20 T, które przeprowadziłem w Laboratorium Silnych Pól Magnetycznych w Grenoble, we współpracy z Prof. J. L. Robert. Część pomiarów dokonałem także w bardzo niskich temperaturach (do 20 mk) w chłodziarce rozcieńczalnikowej (po adaptacji układu pomiarowego dokonanej wspólnie z M. Sawickim ). Po roku pracy w IF, moja działalność naukowa przerwana została na okres dwunastu miesięcy, ze względu na pełnienie służby wojskowej (w latach 1981/1982). Pracę doktorską pt: Wpływ oddziaływania wymiennego na zjawiska transportu w Hg 1-x Mn x Te, której promotorem był Prof. dr hab. R.R. Gałązka, obroniłem w 1988 r. Doktorat mój został wyróżniony przez Radę Naukową IF PAN. Do najważniejszych wyników uzyskanych przeze mnie podczas wykonywania doktoratu należy: Wyznaczenie zależności od pola magnetycznego energii wiązania płytkich stanów akceptorowych w Hg 1-x Mn x Te (zjawisko wygotowywania nośników boil-off ) [4-9]. Zbadanie zjawiska gigantycznego ujemnego magnetooporu występującego w reżimie transportu hoppingowego oraz zaobserwowanie po raz pierwszy, indukowanej polem 12
13 magnetycznym, unikalnej zmiany znaku anizotropii funkcji falowej akceptorów w półprzewodnikach półmagnetycznych (w słabych polach funkcja falowa silnie puchnie w kierunku prostopadłym do kierunku pola, a następnie silnie się w tym kierunku kurczy) [10]. Odkrycie i zbadanie indukowanego polem magnetycznym przejścia od niemetalu do metalu w nowej klasie uniwersalności, wyznaczonej przez pełną polaryzacją spinową nośników (w tej dziedzinie współpracowałem z prof. dr hab. T. Dietlem). Taka pełna polaryzacja spinowa możliwa jest w półprzewodnikach półmagnetycznych dzięki, występującemu w tych materiałach, gigantycznemu rozszczepieniu spinowemu (m. inn. Ref [11]: T. Wojtowicz et al. Phys. Rev. Lett 56, 2419 (1986), [7,11-14]). W okresie wykonywania doktoratu oraz zaraz po jego zakończeniu, poza głównym nurtem zainteresowań, uczestniczyłem także w badaniach przewodnictwa Cd 1-x Mn x Se w obszarze słabej lokalizacji (m.inn Ref [15]: M. Sawicki et al. Phys. Rev. Lett 56, 508 (1986), [16,17]). W latach przebywałem na trzyletnim stażu naukowym na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Notre Dame w USA. Pracowałem tam jako post-doctoral research associate w grupie Prof. J. K. Furdyny. Zajmowałem się tam zagadnieniami, które można podzielić na cztery grupy: 13
14 Magnetooptyczne badania stanów akceptorowych w p-typu Hg 1-x Mn x Te w obszarze dalekiej podczerwieni. Było to rozszerzenie moich wcześniejszych badań prowadzonych metodami transportowymi. Zaobserwowano silnie zależną od pola magnetycznego i temperatury absorpcję nierezonansową. Absorpcja ta wykazywała także silną anizotropię, tj. zależała od tego czy pole elektryczne fali było prostopadłe czy równoległe do zewnętrznego pola magnetycznego. Zaproponowano interpretację tej absorpcji, jako związanej z absorpcją hoppingową [18]. Badania rezonansu cyklotronowego i plazmowo przesuniętego rezonansu cyklotronowego (PSCR) w cienkich warstwach α-sn hodowanych metodą MBE. Po raz pierwszy zaobserwowano PSCR dla częstości poniżej krawędzi plazmowej. Na podstawie przeprowadzonych eksperymentów, wyznaczono także po raz pierwszy z badań magnetooptycznych masę, element E p oraz oszacowano stałą dielektryczną α-sn [19]. Spektroskopia dalekiej podczerwieni supersieci HgTe/Hg 1-y Cd y Te. Na podstawie tych badań udało się opisać strukturę pasmową tych supersieci oraz wyznaczyć parametr nieciągłości pasma walencyjnego na granicy CdTe/HgTe. Zaobserwowano ciekawe zjawisko indukowania polem magnetycznym plazmy elektronowo-dziurowej [20-25]. Przegląd tych wyników przedstawiony był w referacie zaproszonym na Konferencji w Jaszowcu w 1991 r, Ref [26]: T. Wojtowicz et al. Acta Phys. Polon. A 80, 245 (1991). Badania domieszkowanych In oraz Ga kryształów litych Cd 1-x- Mn x Te 1-y Se y przy użyciu metod magnetooptycznych, transportowych i DLTS (Deep Level Tranisent Spectroscopy). Poszukiwano i znaleziono efekt trwałego fotoprzewodnictwa, lub ogólniej fotopamięci (FP) w tych materiałach. Zbadano mechanizm tego zjawiska i powiązano go z centrum o dużej relaksacji sieciowej [27-29]. Następnie efekt fotopamięci wykorzystano do zbadania, nieobserwowanego uprzednio, rezonansu spinowego elektronów związanych na donorach oraz zjawiska przewodnictwa hoppingowego [29,30]. Prace te zostały w większości włączone do habilitacji. Po powrocie do Polski kontynuowałem prace mające na celu zbadanie i wykorzystanie zjawiska fotopamięci w półprzewodnikach półmagnetycznych. W szczególności zaproponowałem i przeprowadziłem pomiary trwałej fotomagnetyzacji. Zjawisko to skorelowałem, poprzez jednoczesny pomiar przewodnictwa elektrycznego, z transformacją głębokich stanów w płytkie obsadzone stany donorowe. W tym celu dokonałem niezbędnej adaptacji układu magnetometru SQUID. Dokonałem w ten sposób pierwszego bezpośredniego pomiaru magnetyzacji związanych polaronów magnetycznych w półprzewodnikach półmagnetycznych (Ref [31]: T. Wojtowicz et al. Phys. Rev. Lett 70, 2317 (1993) oraz [29,32,33]). Wyniki te zgodne są z modelem ujemnej energii korelacji (negative- U) głębokiego centrum DX-podobnego w materiałach II-VI. Planowałem również rozszerzenie badań magnetyzacji polaronów na obszar silniejszych pól i temperatur millikelvinowych. Chciałem również wykorzystać zjawisko trwałego fotoprzewodnictwa do pomiarów przejścia niemetal-metal. Planów tych jednak już nie udało mi się zrealizować osobiście [34] ze względu na moje zaangażowanie w nowy, bardzo poważny projekt. W styczniu 1992 roku Prof. dr hab. R.R. Gałązka oraz Prof. dr hab. J. Kossut, ówczesny zastępca Dyrektora IF PAN do spraw naukowych, zwrócili się do mnie z pytaniem, czy nie podjąłbym się pokierować zespołem osób, których zadaniem byłoby uruchomienie w IF nowego laboratorium technologicznego. Podstawą Laboratorium miałoby być urządzenie do epitaksji z wiązek molekularnych MBE, którego zakup rozważano. 14
15 Zdając sobie sprawę z ważności uruchomienia nowoczesnej technologii MBE w Warszawie wyraziłem na to zgodę. Przedsięwzięcie to okazało się w warunkach polskich zadaniem bardzo poważnym. Oprócz przezwyciężania trudności obiektywnych, musieliśmy borykać się ze znacznymi ograniczeniami finansowymi (był to okres najbardziej trudny z punktu widzenia finansowania nauki w Polsce i zakup MBE został zrealizowany z bardzo ograniczonych środków własnych IF). Również ilość osób biorąca udział w pracach była istotnie mniejsza od oryginalnie planowanej. Nowe Laboratorium MBE uruchomiono w czerwcu 1993 r. W późniejszych latach dokonywaliśmy jeszcze zarówno modyfikacji Laboratorium, jak i jego rozbudowy, która trwa do dnia dzisiejszego. Wszystkimi pracami z tym związanymi kierowałem i kieruję obecnie. Od roku 1996 również formalnie, jako kierownik Zespołu Fizyki i Wzrostu Niskowymiarowych Kryształów Półprzewodnikowych. Samo utrzymanie Laboratorium w ruchu było również zadaniem poważnym, pochłaniającym sporą część mojego czasu. Oczywiście, wszystkie wyżej wymienione zadania były realizowane wysiłkiem zbiorowym. Dlatego chciałbym tu wymienić pozostałe osoby które brały w nich udział. Oprócz wymienionego już wcześniej inicjatora całego przedsięwzięcia - Prof. dr hab. Jacka Kossuta byli to: dr E. Janik (od kwietnia 1992 r), mgr. M. Kutrowski (od września 1992), mgr A. Zakrzewski (od października 1992), dr G. Karczewski (od lipca 1993 r), dr J. Jaroszyński (od listopada 1993 r) i mgr G. Cywiński (od marca 1995 r). Szczególnie istotną rolę w opracowywaniu samej technologii wzrostu, od momentu powrotu z USA, odgrywał dr Karczewski. Od chwili uruchomienia Laboratorium MBE moja działalność naukowa była ściśle związana z technologią i badaniami niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych. Zmienił się także jej charakter, w tym sensie, że stała się ona pracą bardziej zespołową niż poprzednio. Tematyka technologiczna, którą się zajmowałem, określona została w ogólnych ramach już z chwilą podjęcia decyzji o zakupie konkretnej wersji aparatury MBE. W wyniki dyskusji z Prof. J. Kossutem doszliśmy do wniosku, że należy uruchomić technologię wzrostu niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych z materiałów II-VI, wliczając w to półprzewodniki półmagnetyczne. System MBE EPI-620, kupiony w amerykańskiej firmie EPI, był systemem laboratoryjnym (ze względu na ograniczony budżet), pozwalającym na jednoczesne umieszczenie w komorze wzrostu tylko sześciu komórek efuzyjnych. Należało z tego powodu, już na początku zdecydować się na wąski typ związków, które będą hodowane. Nasz wybór padł na związki telluru. W początkowym okresie komórki wypełniliśmy pierwiastkami umożliwiającymi hodowanie struktur zbudowanych z kryształów binarnych CdTe, ZnTe i MnTe (tzn. CdTe, Cd, Te, Zn, Mn), oraz z ich dowolnych związków mieszanych. Jako domieszkę typu-n używaliśmy In. Ten ostatni wybór podyktowany był dwoma czynnikami. Po pierwsze chęcią jak najmniejszego zanieczyszczenia MBE (In charakteryzuje się niską prężnością par oraz i tak używany był do mocowania podłoży na uchwycie wzrostowym). Po drugie możliwością wykorzystania własności bistabilnych In do foto-domieszkowania struktur kwantowych. W późniejszym okresie komórkę CdTe zastąpiliśmy komórką wypełnioną Mg, co umożliwiło tworzenie dobrze dopasowanych sieciowo struktur zawierających składnik magnetyczny tylko w obszarze studni, albo takich, w których Mn rozłożony jest jednorodnie w całej strukturze. 15
16 Dodatkowo, domieszkowanie przy użyciu Indu zastąpiliśmy domieszkowaniem Jodem (z komórki wypełnionej ZnI 2 ) co pozwoliło na znaczne zwiększenie efektywności domieszkowania kryształów mieszanych Cd 1-x Mn x Te i Cd 1-y Mg y Te. Nasze prace badawcze poszły w trzech kierunkach: I. Badania standartowych typów struktur (np. cienkich warstw, prostokątnych studni kwantowych czy supersieci) zawierających jednak, jako element składowy, nowy materiał półprzewodnikowy. Do grupy takich materiałów, których technologię opracowaliśmy, zaliczyć należy nieistniejące w postaci kryształów litych związki kubiczne: MnTe [35-39] MgTe [40], Mg 1-x Mn x Te ( 0 x 1) [41,42], Cd 1-x Mn x Te ( 0.6 x 1 ) [43], Zn 1-x Mn x Te ( 0.6 x 1) oraz stopy cyfrowe MnTe/CdTe [44-47]. Nasze plany dotyczyły tutaj m. inn. zbadania bardzo głębokich studni kwantowych [48,49] (m. inn. polaronów magnetycznych w takich studniach [44,50-52]), badań magnetycznych wzbudzeń kolektywnych - magnonów - w warstwach [53-58], wyznaczenia magnetycznych diagramów fazowych nowych materiałów [59] oraz zbadania wpływu obniżania wymiarowości na fazę szkła spinowego [60-67]. Przegląd naszych wczesnych wyników w tej dziedzinie przedstawiony został w postaci referatu zaproszonego na Konferencji w Jaszowcu, w 1995 r (Ref [38]: T. Wojtowicz, G. Karczewski, J. Kossut, Acta. Phys. Polon. A 88, 631 (1995)). Patrz także referaty zaproszone z tej dziedziny: [68-74]. II. Badania struktur II-VI, szczególnie półmagnetycznych, domieszkowanych na typ n (zarówno w sposób standartowy jak i modulacyjny). Przyczyną naszego zainteresowania tym tematem była, m. inn., chęć zbadania, we współpracy z Prof. dr hab. T. Dietlem i jego zespołem, wpływu obniżania wymiarowości na zjawisko słabej lokalizacji, na kwantowe poprawki do przewodnictwa oraz na uniwersalne fluktuacje kwantowe przewodnictwa [75-78]. Oprócz tego naszym dalszym celem było zbadanie wpływu gigantycznego rozszczepienia spinowego na kwantowy efekt Halla i dlatego rozpoczęliśmy na początek badania efektu Halla w strukturach niemagnetycznych [79-81]. Metody transportowe wykorzystaliśmy również do badań własności magnetycznych [79,82,83]. Tematyka ta realizowana była pod względem technologicznym głównie przez dr Karczewskiego [84], a pod względem pomiarowym przez dr. J. Jaroszyńskiego (obaj z naszego zespołu). Zaproszony referat z tym tematem związany, przedstawiony był na Konferencji Jaszowiec 96 (Ref [85]: G. Karczewski and T. Wojtowicz, Acta. Phys. Polon. A 90, 635 (1996)) oraz na Konferencji Jaszowiec 99 przez dr. Jaroszyńskiego. Patrz także referaty zaproszone: [86-90]. III. Eksperymenty z zastosowaniem nowych rodzajów struktur, tak zaprojektowanych, aby umożliwić precyzyjne badania efektów fizycznych inaczej niedostępnych, lub niezmiernie trudnych do badań. W tej grupie wymienić należy pomiary struktur o profilowaniu wzdłuż albo w poprzek kierunku wzrostu. Profilowanie składu wzdłuż kierunku wzrostu umożliwiało wytwarzanie dowolnego kształtu potencjału wiążącego nośniki, wliczając w to kształt paraboliczny, półparaboliczny i trójkatny [91,92]. Oprócz potencjalnych zastosowań, struktury tego typu nadają się bardzo dobrze do wyznaczenia parametru nieciągłości pasm na granicach pomiędzy różnymi materiałami. Właśnie wyznaczenie tego parametru dla systemów CdTe/MnTe oraz CdTe/MgTe było jednym z naszych celów [91,93-96]. Struktury tego typu umożliwiają również specyficzną inżynierię rozszczepienia spinowego [92,96]. Charakteryzują się one także energią wiązania ekscytonów, zwiększoną więcej niż ma to miejsce w przypadku studni prostokątnych [92,97]. Profilowanie w kierunku prostopadłym do osi wzrostu pozwoliło 16
17 nam z kolei na otrzymanie struktur, w których jakiś określony parametr struktury zmieniał się w tym właśnie kierunku, w zadany ściśle sposób [96,98,99]. Parametrem tym mogła być: szerokość studni kwantowej, szerokość bariery oddzielającej studnie kwantowe czy wreszcie koncentracja dwuwymiarowego gazu elektronowego. Tak więc w jednym wzroście można było otrzymać niejako zestaw próbek nadający się do przeprowadzenia całej serii pomiarów w funkcji danego parametru. Oczywistą zaletą takiego zestawu próbek jest to, że skoro próbki zostały wyhodowane w jednym procesie technologicznym, to pozostałe ich charakterystyki, mogące rzutować na wynik badań, są praktycznie identyczne w całym zestawie. Struktury tego typu chcieliśmy zastosować m. inn. do bardzo precyzyjnych badań ewolucji widm optycznych studni kwantowych zachodzącej wskutek rosnącej koncentracji dwuwymiarowego gazu elektronowego. W szczególności chodziło o zbadanie kompleksów elektronowoekscytonowych (tzw. X - lub trion) [96,99,100] oraz kombinowanych rezonansów ekscytonowo-cyklotronowych [ ]. Przegląd wyników uzyskanych w tej dziedzinie opublikowano w postaci dwóch referatów zaproszonych: [92]:T. Wojtowicz, G. Karczewski, J. Kossut, Thin Solid Films 306, 271 (1996) i [96]: T. Wojtowicz, M. Kutrowski, G. Karczewski, J. Kossut, Acta. Phys. Polon. A 94, 199 (1998). Patrz także Ref. [ ]. Ten obszar badań, w części dotyczącej głównie półprzewodników półmagnetycznych, został włączony do mojej habilitacji. 17
18 2. Po uzyskaniu stopnia doktora habilitowanego * Od momentu złożeniu rozprawy habilitacyjnej, w maju 1999 r, głównym obiektem moich zainteresowań naukowych pozostały w dalszym ciągu niskowymiarowe struktury zbudowane z rozcieńczonych półprzewodników magnetycznych (RPM) zawierających Mn. Badania swoje, które początkowo dotyczyły wyłącznie związków A II B VI, rozszerzyłem po roku 2000 również na ferromagnetyczne półprzewodniki A III B V. Było to możliwe dzięki współpracy z grupą Prof. J. Furdyny z Notre Dame University w USA oraz grupą Prof. H. Ohno z Tohoku University w Sendai, w Japonii. Moje prace dotyczyły zarówno otrzymywania struktur qasi dwu-, jedno- i zero-wymiarowych (wliczając w to struktury modulacyjnie domieszkowane na typ p i n) jak i badania ich własności fizycznych. Perspektywicznym ukierunkowaniem tych prac jest zbadanie możliwości wykorzystania spinowego stopnia swobody do budowy nowego typu przyrządów półprzewodnikowych, mających stać się podstawą elektroniki przyszłości, tzw. spintroniki. Dla elektroniki spinowej istotne znaczenie ma duża wartość rozszczepienia spinowego nośników oraz możliwość precyzyjnego strojenia tego rozszczepienia przez czynniki zewnętrzne. Ponieważ powyższe własności wykazują rozcieńczone półprzewodniki magnetyczne (ze względu na istniejące w nich silne sprzężenie wymienne sp-d pomiędzy spinami ruchliwych elektronów pasmowych a zlokalizowanymi momentami spinowymi jonów paramagnetycznych), struktury kwantowe wykonane z tych materiałów nadają się bardzo dobrze do testowania prototypów nowych urządzeń elektroniki spinowej. Ostatnio przy użyciu tych materiałów wykazano możliwość wstrzykiwania całkowicie spinowo spolaryzowanych nośników z jednego obszaru struktury półprzewodnikowej do drugiego. Jest to zjawisko o podstawowym znaczeniu dla spintroniki. Swobodne nośniki w rozcieńczonych półprzewodnikach magnetycznych dostarczają również mechanizmu sprzężenia pomiędzy zlokalizowanymi spinami Mn, które prowadzić może do powstawania, zaobserwowanego ostatnio zarówno w związkach A III B V jak i A II B VI, zjawiska ferromagnetyzmu. To daje nadzieję na zbudowanie w przyszłości nowego typu przyrządów spintronicznych integrujący w sobie funkcje pamięci i przetwarzania danych. Największe jednak nadzieje, choć jednocześnie najbardziej odległe, wiązane są obecnie z zastosowaniem spinu w komputerach kwantowych. Tutaj, przykładowo, stan spinowy elektronu w kropce kwantowej może stać się, zgodnie z propozycją Lossa i DiVincenzo, podstawową jednostką informacji - kwantowym bitem (Q-bitem). I w tej dziedzinie również rozcieńczone półprzewodniki magnetyczne mogą znaleźć zastosowanie, jako że dają one nowe możliwości zarówno przygotowania stanu spinowego, jego adresowania jak i odczytu. W tym kontekście dotychczasowe ograniczenie w zastosowaniach RPM i związane z wymaganą dla nich niską temperaturą pracy, nawet gdyby nie udało się go przezwyciężyć, przestaje być aż tak istotne. Niewyobrażalne wręcz zwiększenie szybkości obliczeń dla pewnych problemów w komputerach kwantowych - w porównaniu z komputerami klasycznymi - może spowodować, że opłacało się bowiem będzie - dla uzyskania tak istotnego skrócenia czasu obliczeń - schładzać procesor nawet do temperatur subkelvinowych. * W poniższej części będę się odnosił jedynie do prac opublikowanych w latach Rozprawę habilitacyjna złożyłem w maju 1999 r a moje kolokwium habilitacyjne odbyło się w kwietniu 2000 r. 18
19 A. Badania struktur kwantowych rozcieńczonych półprzewodników magnetycznych A II -B VI Moje badania dotyczące związków A II -B VI do grudnia 2000 r w dużej mierze związane były z realizacją kierowanego przeze mnie zadania No. 8 w projekcie badawczym zamawianym PBZ zatytułowanego: Dwu-, jedno- i zero-wymiarowe półprzewodnikowe heterostruktury kwantowe z tellurków metali II grupy i rozcieńczonych półprzewodników magnetycznych w aspekcie zastosowań optoelektronicznych. Szereg prowadzonych w 2000 r badań było więc kontynuacją tych rozpoczętych w latach uprzednich. Podjęliśmy jednak w tym okresie również nowe tematy badawcze. Wśród nich za najciekawszy uważam badania w kierunku otrzymania i pomiarów własności fizycznych drutów i kropek kwantowych indukowanych w studni wykonanej z rozcieńczonego półprzewodnika magnetycznego przy pomocy silnie lokalnego pola magnetycznego, pochodzącego od nanomagnesu (tj. w strukturach hybrydowych - patrz poniżej). Podstawową bazą technologiczną moich badań było w dalszym ciągu laboratorium epitaksji z wiązek molekularnych (MBE) zespołu SL3.1 (którego jestem kierownikiem), gdzie posiadamy urządzenie MBE skonfigurowane do wzrostu związków typu CdTe, ZnTe, MgTe i MnTe (i wszystkich związków mieszanych zbudowanych na ich bazie). Możliwości wzrostu różnych typów struktur niskowymiarowych A II B VI zostały jednak istotnie poszerzone w roku 2000, poprzez zakup komórki do domieszkowania azotem na typ p (fundusze na ten cel zdobył Prof. Kossut w ramach grantu Fundacji na Rzecz Nauki ). Jest to komórka plazmowa, której zainstalowanie związane było z koniecznością istotnej przebudowy laboratorium MBE w zakresie chłodzenia wodą w obiegu zamkniętym oraz wykonaniem odpowiedniej instalacji ultra czystego azotu. Pracami tymi, jak również samym zakupem komórki, kierowałem do momentu wyjazdu do USA (w kwietniu 2001 r patrz dalej). Większość tych prac z kolei została zorganizowana albo wykonana przez mojego doktoranta, mgr. Grzegorza Cywińskiego. W 2001 r wykonano już w SL3.1 (bez mojego bezpośredniego udziału) szeregu udanych wzrostów warstw ZnTe i CdTe domieszkowanych azotem. W latach 1999/2000 w naszym zespole uruchomiliśmy także laboratorium do pomiarów optycznych. Własne laboratorium pozwalające na szybką charakteryzację hodowanych struktur okazało się nam bowiem niezbędne dla opracowania technologii struktur kwantowych jedno- i zero-wymiarowych (patrz dalej). W tym zakresie znowu gro prac wykonanych zostało pod moim kierunkiem i z moją pomocą przez mgr Cywińskiego. Budowa tego laboratorium (trwająca w sumie kilka lat) możliwa była dzięki środkom z Grantu Inwestycyjnego (Prof. J. Kossuta) oraz ze środków Zadania 8 Projektu Badawczego Zamawianego PBZ (którego byłem kierownikiem). Laboratorium umożliwia obecnie pomiary odbicia, transmisji, luminescencji, PLE, µ-pl oraz µ-ple w szerokim zakresie temperatur i pól magnetycznych. Jest ono wyposażone w niezbędne lasery oraz monochromator o dużej zdolności rozdzielczej (z CCD oraz PM a także z mikroskopem optycznym). Kriostat przepływowy do pomiarów µ-pl został zbudowany, ze względu na ograniczone środki finansowe, w Instytucie - w laboratorium SL-2 (przez dr W. Plesiewicza). Również kriostat helowy do zakupionej cewki nadprzewodzącej został wykonany w SL2. Wszystkie prace dotyczące rozbudowy laboratorium SL3.1 wymagały mojego dużego zaangażowania czasowego. 19
20 Prace badawcze z lat w dziedzinie półprzewodników A II -B VI można pogrupować w następujące grupy tematyczne (dla każdego tematu wymieniono jedynie część uzyskanych wyników): I. Otrzymywanie i badania warstw i struktur quasi-dwuwymiarowych Wykazano możliwości unikalnej inżynierii spinowej w strukturach rozcieńczonych półprzewodników magnetycznych [108,109]. Jest to ważne dla potrzeb elektroniki przyszłości spintroniki. Jednym z mechanizmów tej inżynierii jest modyfikowanie własności spinowych poprzez zmianę całki wymiany s-d (dotyczącej elektronów z pasma przewodnictwa w RPM) w warunkach kwantowego ograniczenia ruchu. Przeprowadzono badania studni CdTe/CdMnTe w obecności wysokiego ciśnienia i wyznaczono wpływ tego ciśnienia na oddziaływanie wymienne [ ]. Zademonstrowano możliwość zbudowania spektrometru fononów opartego na wykorzystaniu indukowanej fononami zmiany magnetyzacji warstwy CdMnTe. Zmiana magnetyzacji rejestrowana była przy pomocy cewki zbierającej [113]. Przeprowadzono badania fal spinowych w MnTe o strukturze blendy cynkowej z użyciem nieelastycznego rozpraszania neutronów [114,115]. II. Otrzymywanie i badania struktur niskowymiarowych zawierających dwuwymiarowy gaz elektronowy Dzięki zoptymalizowaniu modulacyjnego domieszkowania jodem uzyskano niemagnetyczne a także półmagnetyczne struktury kwantowe zawierające dwuwymiarowy gaz elektronowy (2DEG) o rekordowej w skali światowej ruchliwości (wśród tego typu materiałów II-VI). Pozwoliło to na przeprowadzenie szeregu unikalnych eksperymentów: Wykonano pomiary rezonansu cyklotronowego [116,117] oraz fotoluminescencji w obecności ultra silnych pól magnetycznych dla różnych współczynników wypełnienia pasma ν [ ]. Stwierdzono również silny wpływ efektów wielociałowych na własności optyczne struktur ze spolaryzowanym spinowo dwuwymiarowym gazem elektronowym [123,124]. Przeprowadzono pomiary magnetooporu [125,126] i badania kwantowego efektu Halla [ ] w systemie dwuwymiarowych elektronów o silnej polaryzacji spinowej. Ostatnio także zaobserwowano Quantum Hall Ferromagnetism w tego typu systemie [ ]. Zaobserwowano kolektywny charakter wzbudzeń spinowych w systemie spinów Mn(2+) sprzężonym z dwu-wymiarowym gazem elektronowym [134,135]. Dokonano pomiarów własności ujemnie naładowanych ekscytonów (trionów). Badano wpływ pola magnetycznego na procesy formowania i rekombinacji trionów i ekscytonów dla różnych wartości g-czynnika elektronów [ ]. Przeprowadzono bezpośrednie pomiary dynamiki trionów, wyznaczając ich czas formowania oraz radiacyjny czas życia [ ]. Dokonano badań procesów dynamicznej równowagi pomiędzy ekscytonami, trionami i elektronami [139,148]. Wyznaczono także czasy relaksacji spinowej trionów [146,149]. W badaniach trionów zaobserwowano również i zbadano bardzo ciekawe 20
21 zjawisko wpływu światła na koncentrację 2DEG a więc i na intensywność różnych przejść optycznych [150] (była to część doktoratu M. Kutrowskiego). Wykorzystując zmianę luminescencji indukowaną przez mikrofale (w eksperymencie optycznie detekowanego elektronowego rezonansu spinowego) wyznaczono indukowny mikrofalami czas odwrócenia spinu elektronu (electron spin-flip time) [151]. Wreszcie pokazano, że efekt Faradaya jest bardzo efektywną techniką do badań trinów [ ]. Zbadano szereg innych wzbudzeń elementarnych studni kwantowych związanych z obecnością dwuwymiarowego gazu elektronowego: kombinowane rezonanse cyklotronowo-ekcytonowe i trionowo-ekscytonowe [ ], a także plazmony [163] oraz wzbudzeń spinowych w spinowo spolaryzowanym gazie elektronowym [164]. Przeprowadzono pomiary optycznej anizotropii w płaszczyźnie dla półmagnetycznych studni parabolicznych i półparabolicznych z CdMnTe [165]. Przeprowadzono badania rozpraszania Ramana [166] oraz relaksacji spin-sieć w rozcieńczonych półprzewodnikach magnetycznych [ ], wpływu na tą relaksacje dwuwymiarowego gazu elektronowego [ ], a także relaksacji spinowej elektronów i dziur [173]. Zbadano także mechanizm transferu energii pomiędzy fotowzbudzonymi nośnikami a układem jonów magnetycznych w obecności 2DEG [174]. III. Otrzymywanie i badania struktur hybrydowych Zaproponowano unikalną metodę otrzymywania obiektów quasi jedno- i zero-wymiarowych (drutów i kropek kwantowych) z wykorzystaniem silnie lokalnego pola magnetycznego produkowanego przez nanomagnesy. Jest to możliwość specyficzna dla struktur wykonanych z rozcieńczonych półprzewodników magnetycznych. W strukturach takich bowiem lokalne pole magnetyczne prowadzi do lokalnego gigantycznego rozszczepienia spinowego, a tym samym do lokalnego minimum energetycznego dla stanów ekscytonowych. Proof of concept metody został dokonany z zastosowaniem warstw Fe oraz Co osadzanych metodą sputteringu na struktury kwantowe z uprzednio wytworzoną maską. Maski te wykonywane były w Laboratorium Prof. Dietla przy użyciu nanolitografii elektronowej [175,176]. Przeprowadzono pomiary mikroluminescencji pobudzanej zarówno optycznie [177,178] jak i elektronami (katodoluminescencja) [179] w strukturach hybrydowych o mikronowych rozmiarach magnesów. Badania te wchodzą w zakres doktoratu mgr Cywińskiego (którego jestem promotorem). IV. Otrzymywanie i badania obiektów quasi zero-wymiarowych Wykazano powstawanie quasi zero-wymiarowych ekscytonów w strukturach studni CdTe/CdMnTe i związanych z lokalizacją na fluktuacjach grubości studni [180]. Wyhodowano i zbadano kropki kwantowe CdTe w matrycy ZnTe, samopowstające ze względu na duże niedopasowanie sieciowe obu materiałów [176,181,182]. Zaobserwowano przestrzenną korelację pomiędzy położeniem kropek w warstwach oddzielonych od siebie cienkimi warstwami ZnTe [183,184]. B. Badania ferromagnetycznych struktur półprzewodników A III -B V 21
Życiorys naukowy. Tomasz Wojtowicz ur. 9 czerwca 1955 r w Katowicach żonaty (Grażyna) dwoje dzieci (Anna; Marcin) e-mail wojto@ifpan.edu.
Życiorys naukowy Dane personalne Tomasz Wojtowicz ur. 9 czerwca 1955 r w Katowicach żonaty (Grażyna) dwoje dzieci (Anna; Marcin) e-mail wojto@ifpan.edu.pl Miejsce stałego zatrudnienia i stanowisko Instytut
Bardziej szczegółowoCo to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski
Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ
Bardziej szczegółowoStudnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski
Studnia kwantowa Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Studnia kwantowa
Bardziej szczegółowopółprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski
Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 półprzewodniki
Bardziej szczegółowoEkscyton w morzu dziur
Ekscyton w morzu dziur P. Kossacki, P. Płochocka, W. Maślana, A. Golnik, C. Radzewicz and J.A. Gaj Institute of Experimental Physics, Warsaw University S. Tatarenko, J. Cibert Laboratoire de Spectrométrie
Bardziej szczegółowoMody sprzężone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych
Mody sprzężone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzężone w półprzewodnikach polarnych + E E pl η = st α = E E pl ξ = p B.B. Varga,, Phys. Rev. 137,, A1896 (1965) A. Mooradian and B. Wright,
Bardziej szczegółowoWytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych
Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja
Bardziej szczegółowoMody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych
Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzęŝone w półprzewodnikach polarnych + E E pl η = st α = E E pl ξ = p B.B. Varga, Phys. Rev. 137,, A1896 (1965) A. Mooradian and B. Wright,
Bardziej szczegółowoMody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych
Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Klasyczny przykład pośredniego oddziaływania pola magnetycznego na wzbudzenia fononowe Schemat: pole magnetyczne (siła Lorentza) nośniki (oddziaływanie
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoBadanie pól elektrycznych w azotkach metodami optycznymi
Badanie pól elektrycznych w azotkach metodami optycznymi Krzysztof Zieleniewski Pod opieką dr. Anety Drabińskiej Proseminarium Fizyki Ciała Stałego, 8 kwietnia 2010 O czym będzie? Dlaczego azotki? Dlaczego
Bardziej szczegółowoJak TO działa? Co to są półprzewodniki? TRENDY: Prawo Moore a. Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: *******
Co to są półprzewodniki? Jak TO działa? http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/ Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW 2 TRENDY: Prawo Moore a TRENDY:
Bardziej szczegółowoLIST OF PUBLICATIONS Tomasz Wojtowicz CHAPTERS IN BOOKS ORYGINAL PUBLICATIONS. Nature Materials: Nano Letters: Physical Review Letters:
January 24, 2009 LIST OF PUBLICATIONS Tomasz Wojtowicz CHAPTERS IN BOOKS 1. Fermi Level Effects on Mn Incorporation in III-Mn-V Feromagnetic Semiconductors, K. M. Yu, T. Wojtowicz, W. Walukiewicz, X. Liu,
Bardziej szczegółowoWzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski
Wzrost pseudomorficzny Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 naprężenie
Bardziej szczegółowoPrzejścia optyczne w strukturach niskowymiarowych
Współczynnik absorpcji w układzie dwuwymiarowym można opisać wyrażeniem: E E gdzie i oraz f są energiami stanu początkowego i końcowego elektronu, zapełnienie tych stanów opisane jest funkcją rozkładu
Bardziej szczegółowoPUBLIKACJE 2006 SL. 3.1
PUBLIKACJE 2006 SL. 3.1 1. ORYGINALNE PRACE OPUBLIKOWANE: 1.1 REFERATY ZAPROSZONE: 1. J. A. Gaj, J. Cibert, D. Ferrand, A. Golnik, M. Goryca, G. Karczewski, P. Kossacki, J. Kossut, K. Kowalik, O. Krebs,
Bardziej szczegółowoRecenzja pracy doktorskiej mgr Tomasza Świsłockiego pt. Wpływ oddziaływań dipolowych na własności spinorowego kondensatu rubidowego
Prof. dr hab. Jan Mostowski Instytut Fizyki PAN Warszawa Warszawa, 15 listopada 2010 r. Recenzja pracy doktorskiej mgr Tomasza Świsłockiego pt. Wpływ oddziaływań dipolowych na własności spinorowego kondensatu
Bardziej szczegółowoCentrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii
Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2010 XII 2011 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest
Bardziej szczegółowoNierównowagowe kondensaty polarytonów ekscytonowych z gigantycznym rozszczepieniem Zeemana w mikrownękach półprzewodnikowych
Nierównowagowe kondensaty polarytonów ekscytonowych z gigantycznym rozszczepieniem Zeemana w mikrownękach półprzewodnikowych B. Piętka, M. Król, R. Mirek, K. Lekenta, J. Szczytko J.-G. Rousset, M. Nawrocki,
Bardziej szczegółowoWprowadzenie do ekscytonów
Proces absorpcji można traktować jako tworzenie się, pod wpływem zewnętrznego pola elektrycznego, pary elektron-dziura, które mogą być opisane w przybliżeniu jednoelektronowym. Dokładniejszym podejściem
Bardziej szczegółowoCharakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk
Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego
Bardziej szczegółowoPlan. Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych. Kropki samorosnące. Kropki fluktuacje szerokości
Plan Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika 1. Techniki pomiarowe 2. Podstawowe wyniki 3. Struktura
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoRecenzja rozprawy doktorskiej mgr Małgorzaty Bukały
Warszawa, 25. kwietnia 2012 r. Prof. dr hab. Grzegorz Karczewski Instytut Fizyki Polska Akademia Nauk Al. Lotników 32/46 02-668 Warszawa Recenzja rozprawy doktorskiej mgr Małgorzaty Bukały zatytułowanej:
Bardziej szczegółowo2010 doktor nauk fizycznych, Wydział Matematyczno-Przyrodniczy, Uniwersytet Rzeszowski
CV dr Mariusz Bester WYKSZTAŁCENIE: 1997 licencjat fizyki, Wyższa Szkoła Pedagogiczna w Rzeszowie 1999 magister fizyki, Wyższa Szkoła Pedagogiczna w Rzeszowie 2010 doktor nauk fizycznych, Wydział Matematyczno-Przyrodniczy,
Bardziej szczegółowoPrzejścia promieniste
Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej
Bardziej szczegółowoKropki samorosnące. Optyka nanostruktur. Gęstość stanów. Kropki fluktuacje szerokości. Sebastian Maćkowski. InAs/GaAs QDs. Si/Ge QDs.
Kropki samorosnące Optyka nanostruktur InAs/GaAs QDs Si/Ge QDs Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon:
Bardziej szczegółowo2013 02 27 2 1. Jakie warstwy zostały wyhodowane w celu uzyskania 2DEG? (szkic?) 2. Gdzie było domieszkowanie? Dlaczego jako domieszek użyto w próbce atomy krzemu? 3. Jaki kształt miała próbka? 4. W jaki
Bardziej szczegółowoŁódź, 7 lipca 2018 r.
Łódź, 7 lipca 2018 r. prof. dr hab. inż. Michał Strzelecki Instytut Elektroniki Politechniki Łódzkiej ul. Wólczańska 211/215, 90-924 Łódź e-mail: michal.strzelecki@p.lodz.pl Recenzja dorobku naukowego
Bardziej szczegółowoII - EFEKTY KSZTAŁCENIA
II - EFEKTY KSZTAŁCENIA 1. Opis zakładanych efektów kształcenia Nazwa wydziału Nazwa studiów Określenie obszaru wiedzy, dziedziny nauki i dyscypliny naukowej Wydział Matematyczno-Fizyczny studia III stopnia
Bardziej szczegółowoAdres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25
Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków, ul. Reymonta 25 Tel.: (012) 295 28 08, pokój 207, fax: (012) 295 28 04 email: nmzakuls@imimpan.krakow.pl Miejsca
Bardziej szczegółowoAdres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków ul.reymonta 25
Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30-059 Kraków ul.reymonta 5 Tel: (01) 95 8 8, pokój 115, fax: (01) 95 8 04 e-mail: nmpawlow@imim-pan.krakow.pl Miejsca zatrudnienia
Bardziej szczegółowoMetody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej
Metody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej Monika Cecot, Witold Skowroński, Sławomir Ziętek, Tomasz Stobiecki Wisła, 13.09.2016 Plan prezentacji Spinowy efekt Halla
Bardziej szczegółowoFunkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach
Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B
Bardziej szczegółowoIII Pracownia Półprzewodnikowa
Pomiary czasowo-rozdzielcze nanostruktur azotkowych. Ćwiczenie będzie polegało na zmierzeniu czasowo-rozdzielonej fotoluminescencji przy użyciu kamery smugowej, a następnie na analizie otrzymanych danych.
Bardziej szczegółowoNowości w kształceniu studentów PWr na kierunkach Fizyka i Fizyka techniczna
Nowości w kształceniu studentów PWr na kierunkach Fizyka i Fizyka techniczna Autor: dr hab. inż. Włodzimierz Salejda, prof. nadzw., Współpraca: prof. dr hab. inż. Jan Misiewicz, prof. zw., prof. dr hab.
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoZaawansowana Pracownia IN
Pomiary czasowo-rozdzielcze nanostruktur azotkowych. Ćwiczenie będzie polegało na zmierzeniu czasowo-rozdzielonej fotoluminescencji przy użyciu kamery smugowej, a następnie na analizie otrzymanych danych.
Bardziej szczegółowoWniosek o przyznanie stypendium dla studenta za znaczące osiągnięcia NAUKOWE I SPORTOWE na rok akademicki 2019/2020
Wniosek o przyznanie stypendium dla studenta za znaczące osiągnięcia NAUKOWE I SPORTOWE na rok akademicki 2019/2020 CZĘŚĆ A DANE WNIOSKODAWCY Nazwa podmiotu (uczelni) Adres (uczelni) Adres elektronicznej
Bardziej szczegółowoWykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych
Wykład XIV: Właściwości optyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wiadomości wstępne: a) Załamanie
Bardziej szczegółowoRecenzja dorobku naukowego i rozprawy habilitacyjnej dr Winicjusza Drozdowskiego z Instytutu Fizyki Uniwersytetu Mikołaja Kopernika w Toruniu
Prof. dr hab. Jan Misiewicz Instytut Fizyki Politechniki Wrocławskiej Recenzja dorobku naukowego i rozprawy habilitacyjnej dr Winicjusza Drozdowskiego z Instytutu Fizyki Uniwersytetu Mikołaja Kopernika
Bardziej szczegółowoPodstawy Fizyki Półprzewodników
Podstawy Fizyki Półprzewodników Kazimierz Sierański www. If.pwr.wroc.pl/~sieranski konsultacje: poniedziałek godz. 15:00-17:00, pok. 310 A-1 WYMAGANIA WSTĘPNE W ZAKRESIE WIEDZY, UMIEJĘTNOŚCI I INNYCH KOMPETENCJI
Bardziej szczegółowoKrzysztof Jajuga Katedra Inwestycji Finansowych i Zarządzania Ryzykiem Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu NAUKI EKONOMICZNE - HABILITACJA
Krzysztof Jajuga Katedra Inwestycji Finansowych i Zarządzania Ryzykiem Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu NAUKI EKONOMICZNE - HABILITACJA UWAGA!!!! Przedstawiane poglądy są prywatnymi poglądami autora
Bardziej szczegółowoSpektroskopia modulacyjna
Spektroskopia modulacyjna pozwala na otrzymanie energii przejść optycznych w strukturze z bardzo dużą dokładnością. Charakteryzuje się również wysoką czułością, co pozwala na obserwację słabych przejść,
Bardziej szczegółowoAdres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25
Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków, ul. Reymonta 25 Tel.: (012) 295 28 70, pokój 104, fax: (012) 295 28 04, email: p.petrzak@imim.pl Miejsca zatrudnienia
Bardziej szczegółowoPoznań, 11 sierpnia 2014 r.
Kierownik Zakładu: prof. dr hab. Ryszard Czajka e-mail: ryszard.czajka@put.poznan.pl tel.: 61-665 3234, 61-665 3162 Wydział Fizyki Technicznej Instytut Fizyki, ul. Nieszawska 13 A, 60-965 POZNAŃ Zakład
Bardziej szczegółowoFIZYKA. Kierunek studiów Elektrotechnika Studia III stopnia
FIZYKA Kierunek studiów Elektrotechnika Studia III stopnia Przedmiot: Fizyka Rok: I Semestr: II Forma studiów: stacjonarne Rodzaj zajęć i liczba godzin w semestrze: Wykład 0 Ćwiczenia 0 Laboratorium 0
Bardziej szczegółowoKrajowe i międzynarodowe granty badawcze. Poznań, r.
Krajowe i międzynarodowe granty badawcze Poznań, 21.04.2017r. PLAN PREZENTACJI Krajowe źródła finansowania Granty Marii Skłodowskiej - Curie Inne zagraniczne źródła finansowania NCN FNP MNiSW inne KRAJOWE
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoWNIOSEK O PRZYZNANIE STYPENDIUM DOKTORANCKIEGO
Data wpływu wniosku do kierownika studiów doktoranckich Załącznik nr 8 do Regulaminu przyznawania stypendiów doktoranckich Jego Magnificencja Rektor UKSW Ks. prof. UKSW dr hab. Stanisław Dziekoński, WNIOSEK
Bardziej szczegółowoWłasności optyczne półprzewodników
Własności optyczne półprzewodników Andrzej Wysmołek Wykład przygotowany w oparciu o wykłady prowadzone na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawakiego przez prof. Mariana Grynberga oraz prof. Romana Stępniewskiego
Bardziej szczegółowoBadanie uporządkowania magnetycznego w ultracienkich warstwach kobaltu w pobliżu reorientacji spinowej.
Tel.: +48-85 7457229, Fax: +48-85 7457223 Zakład Fizyki Magnetyków Uniwersytet w Białymstoku Ul.Lipowa 41, 15-424 Białystok E-mail: vstef@uwb.edu.pl http://physics.uwb.edu.pl/zfm Praca magisterska Badanie
Bardziej szczegółowoLeonard Sosnowski
Admiralty Research Laboratory w Teddington, Anglia (1945-1947). Leonard Sosnowski J. Starkiewicz, L. Sosnowski, O. Simpson, Nature 158, 28 (1946). L. Sosnowski, J. Starkiewicz, O. Simpson, Nature 159,
Bardziej szczegółowoUCHWAŁA. Wniosek o wszczęcie przewodu doktorskiego
UCHWAŁA 30 czerwiec 2011 r. Uchwała określa minimalne wymagania do wszczęcia przewodu doktorskiego i przewodu habilitacyjnego jakimi powinny kierować się Komisje Rady Naukowej IPPT PAN przy ocenie składanych
Bardziej szczegółowoKatedra Chemii Analitycznej
Katedra Chemii Analitycznej Gdańsk, 13 kwietnia 2014 Katedra Chemii Analitycznej Wydział Chemiczny Politechnika Gdańska e-mail: piotr.konieczka@pg.gda.pl Ocena dorobku naukowego dr inż. Mariusza Ślachcińskiego
Bardziej szczegółowoIII Pracownia Półprzewodnikowa
Pomiary czasowo-rozdzielcze nanostruktur azotkowych. Ćwiczenie będzie polegało na zmierzeniu czasowo-rozdzielonej fotoluminescencji przy użyciu kamery smugowej, a następnie na analizie otrzymanych danych.
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 11. Detekcja światła. Fluorescencja. Eksperyment optyczny. Sebastian Maćkowski
Repeta z wykładu nr 11 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 CCD (urządzenie
Bardziej szczegółowoLIST OF PUBLICATIONS. Tomasz Wojtowicz CHAPTERS IN BOOKS
March 16, 2017 LIST OF PUBLICATIONS Tomasz Wojtowicz CHAPTERS IN BOOKS 1. Fermi Level Effects on Mn Incorporation in III-Mn-V Feromagnetic Semiconductors, K. M. Yu, T. Wojtowicz, W. Walukiewicz, X. Liu,
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoPOŁOŻENIE ATOMÓW Mn W GaAs: SPEKTROSKOPIA ABSORPCJI RENTGENOWSKIEJ
POŁOŻENIE ATOMÓW W GaAs: SPEKTROSKOPIA ABSORPCJI RENTGENOWSKIEJ I.N. Demchenko, K. Ławniczak-Jabłońska, R. Jakieła, J.Z. Domagała, M. Klepka, A. Wolska, E. Piskorska i J. Sadowski Instytut Fizyki Polskiej
Bardziej szczegółowoSprawa postępowania habilitacyjnego doktora Mirosława Zachwieji - powołanie 3 członków komisji habilitacyjnej
Temat osiągnięcia naukowego (jednotematyczny cykl 6 publikacji o tematyce z zakresu optycznej spektroskopii molekularnej): Precyzyjna rejestracja spektrometryczna wysokiej rozdzielczości oraz analiza widm
Bardziej szczegółowoWykład Ćwiczenia Laboratorium Projekt Seminarium Egzamin / zaliczenie na ocenę*
Zał. nr do ZW 33/01 WYDZIAŁ Podstawowych problemów Techniki / STUDIUM KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim Projektowanie Materiałów i Sturktur Nazwa w języku angielskim Design of Materials and Structures
Bardziej szczegółowoIII Pracownia Półprzewodnikowa
Pomiary czasowo-rozdzielcze nanostruktur azotkowych. Ćwiczenie będzie polegało na zmierzeniu czasowo-rozdzielonej fotoluminescencji przy użyciu kamery smugowej, a następnie na analizie otrzymanych danych.
Bardziej szczegółowoEpitaksja i spektroskopia nanostruktur półprzewodnikowych z jonami kobaltu
Uniwersytet Warszawski Wydział Fizyki Michał Papaj Nr albumu: 305718 Epitaksja i spektroskopia nanostruktur półprzewodnikowych z jonami kobaltu Praca licencjacka na kierunku FIZYKA w ramach studiów indywidualnych
Bardziej szczegółowoMetody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane. Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN
Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN Jak i czym scharakteryzować kryształ półprzewodnika Struktura dyfrakcja rentgenowska
Bardziej szczegółowoPrzebieg kariery zawodowej:
Przebieg kariery zawodowej: Uzyskane stopnie naukowe: 2010 tytuł naukowy profesora nauk fizycznych, 2000 doktora habilitowanego, specjalność: fizyka molekularna, Kinetyka fluktuacji uporządkowania membrany
Bardziej szczegółowoREGULAMIN postępowania konkursowego przy zatrudnianiu na stanowiska naukowe w Instytucie Genetyki i Hodowli Zwierząt PAN asystenta adiunkta
REGULAMIN postępowania konkursowego przy zatrudnianiu na stanowiska naukowe w Instytucie Genetyki i Hodowli Zwierząt PAN na podstawie art. 91 p. 5 Ustawy o polskiej Akademii Nauk z dnia 30 kwietnia 2010
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoMarcin Sikora. Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych
Prezentacja tematów na prace doktorskie, 28/5/2015 1 Marcin Sikora KFCS WFiIS & ACMiN Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych
Bardziej szczegółowoKraków, dn. 25 sierpnia 2017 r. dr hab. Przemysław Piekarz Instytut Fizyki Jądrowej Polskiej Akademii Nauk ul. Radzikowskiego Kraków
Kraków, dn. 25 sierpnia 2017 r. Instytut Fizyki Jądrowej Polskiej Akademii Nauk ul. Radzikowskiego 152 31-342 Kraków Recenzja pracy doktorskiej mgr Krzysztofa Bieniasza pt. "Spin and Orbital Polarons in
Bardziej szczegółowoDomieszki w półprzewodnikach
Domieszki w półprzewodnikach Niebieska optoelektronika Niebieski laser Nie można obecnie wyświetlić tego obrazu. Domieszkowanie m* O Neutralny donor w przybliżeniu masy efektywnej 2 2 0 2 * 2 * 13.6 *
Bardziej szczegółowoKrawędź absorpcji podstawowej
Obecność przerwy energetycznej między pasmami przewodnictwa i walencyjnym powoduje obserwację w eksperymencie absorpcyjnym krawędzi podstawowej. Dla padającego promieniowania oznacza to przejście z ośrodka
Bardziej szczegółowoRok akademicki: 2016/2017 Kod: NIM s Punkty ECTS: 5. Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: Stacjonarne
Nazwa modułu: Fizyka ciała stałego Rok akademicki: 2016/2017 Kod: NIM-1-306-s Punkty ECTS: 5 Wydział: Metali Nieżelaznych Kierunek: Inżynieria Materiałowa Specjalność: Poziom studiów: Studia I stopnia
Bardziej szczegółowoPL B1. UNIWERSYTET W BIAŁYMSTOKU, Białystok, PL BUP 23/14
PL 220183 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 220183 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 403760 (51) Int.Cl. G01N 1/42 (2006.01) G01N 1/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowoSamoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO
Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO M. Sawicki, S. Dobkowska, W. Stefanowicz, D. Sztenkiel, T. Dietl Instytut Fizyki PAN, Warszawa Pakiet zadaniowy: PZ2. Lider:
Bardziej szczegółowoUMO-2011/01/B/ST7/06234
Załącznik nr 7 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej
Bardziej szczegółowoWprowadzenie do struktur niskowymiarowych
Wprowadzenie do struktur niskowymiarowych W litym krysztale ruch elektronów i dziur nie jest ograniczony przestrzennie. Struktury niskowymiarowe pozwalają na ograniczenie (częściowe lub całkowite) ruchu
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE Nr 4 LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH. Badanie krawędzi absorpcji podstawowej w kryształach półprzewodników POLITECHNIKA ŁÓDZKA
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH ĆWICZENIE Nr 4 Badanie krawędzi absorpcji podstawowej w kryształach półprzewodników I. Cześć doświadczalna. 1. Uruchomić Spekol
Bardziej szczegółowoAutoreferat. 1. Imię i Nazwisko Posiadane dyplomy, stopnie naukowe... 2
Piotr Wojnar Instytut Fizyki, Polskiej Akademii Nauk Warszawa, 2016 Autoreferat Spis treści: 1. Imię i Nazwisko... 2 2. Posiadane dyplomy, stopnie naukowe... 2 3. Informacja o dotychczasowym zatrudnieniu
Bardziej szczegółowoPrzerwa energetyczna w germanie
Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania
Bardziej szczegółowoUniwersytet Warszawski Wydział Fizyki. Badanie efektu Faraday a w kryształach CdTe i CdMnTe
Uniwersytet Warszawski Wydział Fizyki Marcin Polkowski 251328 Badanie efektu Faraday a w kryształach CdTe i CdMnTe Pracownia Fizyczna dla Zaawansowanych ćwiczenie F8 w zakresie Fizyki Ciała Stałego Streszczenie
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoZał. nr 4 do ZW. Wykład Ćwiczenia Laboratorium Projekt Seminarium
WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim: OPTYKA NIELINIOWA Nazwa w języku angielskim: Nonlinear optics Kierunek studiów (jeśli dotyczy): Fizyka Techniczna Specjalność
Bardziej szczegółowoInformatyka kwantowa i jej fizyczne podstawy Rezonans spinowy, bramki dwu-kubitowe
Wykład 4 29 kwietnia 2015 Informatyka kwantowa i jej fizyczne podstawy Rezonans spinowy, bramki dwu-kubitowe Łukasz Cywiński lcyw@ifpan.edu.pl http://info.ifpan.edu.pl/~lcyw/ Dobra lektura: Michel Le Bellac
Bardziej szczegółowoNanostruktury i nanotechnologie
Nanostruktury i nanotechnologie Heterozłącza Efekty kwantowe Nanotechnologie Z. Postawa, "Fizyka powierzchni i nanostruktury" 1 Termin oddania referatów do 19 I 004 Zaliczenie: 1 I 004 Z. Postawa, "Fizyka
Bardziej szczegółowoII.6 Atomy w zewnętrznym polu magnetycznym
II.6 Atomy w zewnętrznym polu magnetycznym 1. Kwantowanie przestrzenne w zewnętrznym polu magnetycznym. Model wektorowy raz jeszcze 2. Zjawisko Zeemana Normalne zjawisko Zeemana i jego wyjaśnienie w modelu
Bardziej szczegółowoLIST OF PUBLICATIONS. Tomasz Wojtowicz CHAPTERS IN BOOKS
January 15, 2016 LIST OF PUBLICATIONS Tomasz Wojtowicz CHAPTERS IN BOOKS 1. Fermi Level Effects on Mn Incorporation in III-Mn-V Feromagnetic Semiconductors, K. M. Yu, T. Wojtowicz, W. Walukiewicz, X. Liu,
Bardziej szczegółowoRamowy Program Specjalizacji MODELOWANIE MATEMATYCZNE i KOMPUTEROWE PROCESÓW FIZYCZNYCH Studia Specjalistyczne (III etap)
Ramowy Program Specjalizacji MODELOWANIE MATEMATYCZNE i KOMPUTEROWE PROCESÓW FIZYCZNYCH Studia Specjalistyczne (III etap) Z uwagi na ogólno wydziałowy charakter specjalizacji i możliwość wykonywania prac
Bardziej szczegółowoWykaz dorobku habilitacyjnego nauki techniczne OBSZAR NAUK TECHNICZNYCH
Wykaz dorobku habilitacyjnego nauki techniczne OBSZAR NAUK TECHNICZNYCH Wykaz opublikowanych prac naukowych lub twórczych prac zawodowych oraz informacja o osiągnięciach dydaktycznych, współpracy naukowej
Bardziej szczegółowoZjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski
Plan referatu Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski 1. Podstawowe definicje ffl wektory: E, B, ffl nośniki ładunku: elektrony i dziury, ffl podział ciał stałych ze względu na własności elektryczne:
Bardziej szczegółowodr inż. Justyna Topolska Asystent Kontakt: pokój 24, tel. (12) / 6
Asystent Kontakt: pokój 24, tel. (12) 617 5233 email 1 / 6 CV Publikacje Dydaktyka Problematyka naukowa Dyscypliny naukowe: geochemia, mineralogia, ochrona środowiska Krystalochemia apatytów ołowiowych:
Bardziej szczegółowoProjekt SONATA BIS 4, Wydział Chemii UJ, Kraków
Zaproszenie do udziału w realizacji projektu NCN SONATA BIS (UMO-2014/14/E/ST5/00357) Nanoprzestrzenna inżynieria krystaliczna nowych rozgałęzionych magnetyków molekularnych Kierownik projektu: dr hab.
Bardziej szczegółowoSZCZEGÓŁOWE ZASADY OCENY WNIOSKÓW O PRZYZNANIE STYPENDIUM DLA NAJLEPSZYCH DOKTORANTÓW W INSTYTUCIE SOCJOLOGII. Przepisy ogólne
SZCZEGÓŁOWE ZASADY OCENY WNIOSKÓW O PRZYZNANIE STYPENDIUM DLA NAJLEPSZYCH DOKTORANTÓW W INSTYTUCIE SOCJOLOGII Przepisy ogólne 1 1. Stypendium dla najlepszych doktorantów, zwane dalej stypendium, może być
Bardziej szczegółowoInstytut Kultury Fizycznej
FORMULARZ DLA OGŁOSZENIODAWCÓW INSTYTUCJA: Uniwersytet Kazimierza Wielkiego, Wydział Kultury Fizycznej, Zdrowia i Turystyki, Instytut Kultury Fizycznej MIASTO: Bydgoszcz STANOWISKO: profesor zwyczajny
Bardziej szczegółowoCentrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii
Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres X 2008 XII 2009 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest
Bardziej szczegółowoWykład V Wiązanie kowalencyjne. Półprzewodniki
Wykład V Wiązanie kowalencyjne. Półprzewodniki Wiązanie kowalencyjne molekuła H 2 Tworzenie wiązania kowalencyjnego w molekule H 2 : elektron w jednym atomie przyciągany jest przez jądro drugiego. Wiązanie
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKI GDAŃSKIEJ
1 /11 Wstęp Andrzej AMBROZIAK dr inż. nauk technicznych Adiunkt na Wydziale Inżynierii Lądowej L i Środowiska POLITECHNIKI GDAŃSKIEJ 2 /11 WYKSZTAŁCENIE 2006 DOKTOR NAUK TECHNICZNYCH Politechnika Gdańska
Bardziej szczegółowo