Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego i szerokopasmowe

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego i szerokopasmowe"

Transkrypt

1 Wzacniacze tranzystorowe prąd stałeo i szerokopasowe Wrocław 009 kład Darlintona kład stosowany dy potrzebne dże wzocnienie prądowe (np. do W). B B B + β ' B B β + ( ) B β β β B B β ' β β ( β + ) ββ +

2 kład Darlintona r we r + β r be be B B ponieważ: β otrzyjey r be r be zate: β r we ϕ rbe β ' ponieważ: r r ( + r ) ce be r wy rce β βr otrzyjey: ce ce r wy r 3 r ce rce rce ce r β ce kład Darlintona ypowe kłady Darlintona ają órną częstotliwość raniczną rzęd kHz zastosowanie ich zate do:... B B B kład Darlintona jest też stosnkowo wolny aby przyspieszyć proces wyłączenia (zwiększyć szybkość swania nośników z bazy ) stosje się... jednak ziniejsza to...

3 kład Darlintona (Sziklai) kład Darlintona z przeciwstawnych tranzystorów. Gdy jest p-n-p to cały kład zachowje się jak kład p-n-p, wzacnia prąd ( W, W). B β ' β β B ' ' 6 0, V r we ϕ rbe β ' r wy r ce kład kaskody wprowadzenie W - efekt Millera i W i b B X c bc Y i c i WY i l G B B be f ce G ~ be c be be ce L i W i b B X Y i c i WY i l G B B be ce G ~ be c be X be Y ce L c we c + c + c be X be bc ( k ) f π c r we we G 3

4 kład kaskody wprowadzenie kład WB i W i e i WY i l G eb cb G ~ eb c be αi e c bc L B B r we r eb kład kaskody W WB scheat ideowy scheat ziennoprądowy pracje w konfiracji... pracje w konfiracji... ze sterowanie prądowy k obc wyeliinowany efekt Millera dla W c c + c + c k c + c we be X be ( ) ( ) bc be bc 4

5 kład kaskody W WB scheat ideowy scheat ziennoprądowy Przez oba tranzystory płynie w przybliżeni ten sa zate: ponadto: k a f r f r r wy we r be kład W WB + WY pracje w konfiracji... pracje w konfiracji... ze sterowanie napięciowy W - r wy r we oba tranzystory pracją przy ty say zate ają takie sae dlateo: r wy r we 5

6 kład W WB + Zate na występje połowa zienneo napięcia wejścioweo i otrzyjey: W WY G we be a wzocnienie napięciowe jest równe: k G - r we r be r wy kład W WB Wzacniacz w konfiracji W a dżo większą częstotliwość raniczną w porównani do kład W. Dlateo kład charakteryzje się bardzo dobryi właściwościai częstotliwościowyi (porównywalnie z kaskodą). Wzocnienie napięciowe zapewnia stopień WB. Lecz jest ono niejsze niż dla kaskody. Zaletą kład jest kopensacja zian teperatrowych napięcia B (oraniczony wpływ teperatry) tranzystorów co nie występje w kaskodzie. akie rozwiązanie kładowe jest stosowane w technice scalonej. 6

7 Wzacniacze prąd stałeo W.p.s. są to syetryczne wzacniacze dolnoprzepstowe o dwóch wejściach i jedny (wzacniacz operacyjny) lb dwóch (wzacniacz różnicowy) wyjściach, słżące do wzacniania synałów o określony paśie częstotliwości włączając w to synały wolnozienne i stałoprądowe. Do sprzęania kolejnych stopni oraz wejścia i wyjścia wzacniacza nie stosje się... Wzacniacze te zapewniają wzocnienie synałów żytecznych (różnicowych) oraz tłienie synałów niepożądanych (np. wejściowych sacyjnych). Na wej i wyj napięcie D 0. Synały niepożądane oą powstawać we wszystkich stopniach wzacniacza, jednak największe a znaczenie a dryft stopnia wejścioweo, który podlea największe wzocnieni. Z teo wzlęd stopnie te realizje się jako wz. różnicowe (an. eitter-copled pair). Wzacniacze prąd stałeo Wzacniacz operacyjny we we wy Wzacniacz z wyjście niesyetryczny we we wy Wzacniacz różnicowy we wy we we we wy wy wy Wzacniacz z wyjście syetryczny 7

8 Można zdefiniować dwa rodzaje synałów: - różnicowe wer we we wyr wy wy - sacyjne, zobrazowane na rys. wes wys + we we + wy wy Wzacniacz różnicowy 0.5wer we wy 0.5wyr wes 0.5wer we wy 0.5wyr wys ys.3. Sterowanie sacyjne wzacniacza różnicoweo 8

9 Zależności na WY wzacniacza różnicoweo przybierają postać: - napięcie wyjściowe różnicowe: + wyr wer S wes - napięcie wyjściowe sacyjne: + wys S wer SS wes Poszczeólne wzocnienia definijey następjąco: wzocnienie różnicowo różnicowe (powszechn. wzocnienie różnicowe): wyr przy wes 0 wer wzocnienie różnicowo sacyjne (powszechn. wzocnienie sacyjne): S wyr wes przy wzocnienie sacyjno różnicowe: wer 0 wys S przy wes 0 wer wzocnienie sacyjno sacyjne: SS wys wes przy wer 0. 9

10 Najważniejszyi są wzocnienia i S. Są to paraetry charakterystyczne wzacniacza różnicoweo. Na ich podstawie określa się dodatkowy paraetr współczynnik tłienia synał sacyjneo M (an. oon Mode ejection atio). Współczynnik ten jest iarą jakości wzacniacza różnicoweo. M S ranzystory bipolarne WY A W WY B + W - Podstawowa cecha w.r. jest zdolność wzacniania różnicy wartości synałów wej. (tzw. różnicowych), tłienia natoiast ich wspólnej części (tzw. wspólnych) ożliwe jest zate wzacnianie ałych syn. różnicowych na tle dżych syn. wspólnych. Sposoby sterowania: Wyjście kład:

11 Sterowanie + Jeśli W 0 W lb W W W WY A WY B W to tzn. WY oraz WYA WYB WY WY 0 S 0 A B Sterowanie wspólne Jeśli, np. > W W - to WY WY WY 0 0 A B Sterowanie różnicowe Sterowanie W WY A WY B + W - Podobnie jak dla sterownia sacyjneo, w.r. zachowje się w przypadk: - zian paraetrów tranzystora wywołanyi zjawiskai tericznyi; - ziany napięć zasilających; - wystąpienia zakłóceń; - wzacniania parzystych haronicznych napięć sterjących.

12 Paraetry wzacniacz syetryczny + ( r ) ce WY A WY B S 0 W W M S - rwer r be rbe rwes + β + ( ) r wy rce + r ce Stosowany np. dy: Paraetry wzacniacz niesyetryczny - wzacniany jest tylko jeden synał wej. (B drieo na potencjale asy); - wyjście tylko z jedneo z. S ( r ) ce M S

13 Prądowa charakterystyka przejściowa + WYA WYB W W - Prądowa charakterystyka przejściowa Prądy kolektorów tranzystorów są opisane zależnościai: α0 ( + ) ϕ + e wer α 0 ( + ) wer + e ϕ Napięcie wyjściowe różnicowe dane jest równanie: wyr wer ( + ) OBth ϕ α0 3

14 Napięciowa charakterystyka przejściowa Liniowość kład Dla teperatry: 300 ϕ 6V wzacniacz pracje liniowo dla napięć wejściowy z zakres: ( ϕ ) ( 5V V ) wer ϕ 5 Aby zwiększyć liniowość wprowadza się sprzężenie zwrotne dla synałów różnicowych zrealizowane na rezystorach e. 4

15 Poszerzenie zakres liniowej pracy kład + WYA WYB W W Dla wzacniacza z poszerzony zakrese liniowości zakres napięć wejściowych, dla których wzacniacz pracje liniowo wynosi: wer - [( ϕ ) ( ϕ + )] [( 5V ) ( V )] 5 + Dla kład ze sprzężenie zwrotny wzocnienie różnicowe wzacniacza wynosi: ( rce ) rce + Poszerzenie zakres liniowej pracy kład 5

16 Źródła prądowe stosowane we w.r. Zastosowanie źródeł prądowych: - zapewnienie przepływ stałeo prąd przez obciążenie źródła niezależnie od wartości obciążenia, - zapewnienie dżych wartości rezystancji dynaicznych przy ałych spadkach napięcia Źródła prądowe stosowane we w.r. Źródło z potencjoetryczny zasilanie bazy B WY const dopóki > sat WY B B WY źr d ( ) WY β r WY dyn rce + dwy + rbe + W szczeólności r WY przyjje wartości, dy << r be (aby nie wpływały na wartość r WY ): ) dy 0 to r WY r ce (rezystancji wyj. tranzystora), ) dy << r be (r WY rośnie liniowo ze wzroste ) β r WY rce + rce ( + ) rce + k ax r be 3) dy >> r be (r WY nie rośnie przy zwiększani, jest to zate ax r WY dla tr.bip.) r WY ce L WY ( ) βrce r + β + 6

17 Źródła prądowe stosowane we w.r. nne źródła źródło dla napięć dodatnich i jenych + Źródło dostarcza dodatnieo lb jeneo prąd o wartości proporcjonalnej do W. dy W 0 to a WY 0, 3 WY dy W > 0 to aleje, rośnie a WY < 0. W 3 L WY źr W - Źródła prądowe stosowane we w.r. Lstro prądowe + + W B W B L WY B β WY β β + W W - B W - B jeśli >> B, β>>, zate: B B B Q WY WY Q p.p. nie zależy od tep. ale od różnicy paraetrów iędzy a 7

18 Źródła prądowe stosowane we w.r. Lstro prądowe W W - B B L WY W - B + ezystancja statyczna: ezystancja dynaiczna: stat dyn Q Q Y Q B B B nachylenie ce dyn >> stat bo Y >> Q Y npn ~ (80-00) V pnp ~ (40-50) V Źródła prądowe stosowane we w.r. nne źródła źródło prądowe Wilsona L + Źródło o dżej dokładności i dżej rezystancji wyjściowej. WYW WY W W B 3 W -B B W - B B B W +B W kładzie ożliwe jest wytworzenie całkowitych wielokrotności lb łakowych części W przez równolełe dołączenie do lb odpowiedniej liczby tranzystorów (identycznych). B 8

19 Źródła prądowe stosowane we w.r. Zwiększenie wzocnienia różnicoweo wzacniacza i współczynnika M zastosowanieźródeł prądowych Zwiększenie zastąpienie rezystorów lstre prądowy obciążenie dynaiczne. Zastosowanie łównie technika scalona z powod trdności w realizacji dżych rezystancji w strktrze kładów scalonych. Z obciążenie dynaiczny zwiększenie + OB 3 4 WY S L + β 3 W W L M OB ( + β3 L ) - OB r + r L L ce4 ce4 r ce4 Y Q4 Zwiększenie M: - zwiększenie źródło prądowe zaiast - zniejszenie S zastosowanie źródła prądoweo zaiast. 9

20 Zwiększenie, zniejszenie S S OB ee WY dla dyn źr W W L S OB dyn dzie: dyn Y Q5 Q5 cc + ee zr B6 Analiza w fnkcji częstotliwości wzacnia napięcia stałe ale także napięcia zienne. Obydwa wzocnienia: różnicowe i sacyjne zależą od częstotliwości. 0

21 Analiza w fnkcji częstotliwości s [db] +0dB/dek f f [lo] r [db] -0dB/dek f f [lo] M [db] -0dB/dek -40dB/dek f [lo] Analiza w fnkcji częstotliwości f π we f π ( wy + ) r wy rb ' e rbb ' + rb ' e + rbb ' + we b' e + b' c( ( jω 0) ) wy pojeność widziana od strony zacisków rezystora (lb źródła/lstra prądoweo) znajdjąceo się we wzacniacz różnicowy. pojeności ontażowe r wy rezystancja rezystora (lb wyjścia źródła/lstra prądoweo) znajdjąceo się we wzacniacz różnicowy.

22 ranzystory polowe D D +DD D W WYA WYB W S + D SS SS -DD M SS r wer r wes r wy Drds + r D ds ranzystory polowe Zalety zastosowania tranzystorów nipolarnych: - liniowość wzacniacza weax ( 5)V dżo większa niż dla kład z tranzystorai bipolarnyi weax 5V. - dżo większa rezystancja wejściowa wzacniacza w porównani do rozwiązań z tranzystorai bipolarnyi Wada: - przy tych saych prądach polaryzacji wzacniacz zbdowany na tranzystorach polowych a dżo niejsze wzocnienie różnicowe ze wzlęd na ałą wartość.

23 ranzystory polowe MOSF W strktrach scalonych wykorzystje się bardzo często wzacniacze różnicowe zrealizowane kopleksowo z wykorzystanie tranzystorów typ MOS. ypowe rozwiązanie. ranzystory polowe MOSF Prąd źródła prądoweo zależy od napięcia (charakterystyka przejściowa tranzystora). Wzocnienie różnicowe: + ds ds3 ds + ds4 przy pełnej syetrii tranzystorów M 3 i M 4 wyrażenie praszcza się do postaci: ds + ds4 3

24 ranzystory polowe MOSF Wzocnienie sacyjne: S r ds3 + rds 5 Współczynnik M: M ( + r ) ds3 ds + ds3 ds4 ranzystory polowe MOSF ezystancje wejściowe wzacniacza: r wer r wes ezystancja wyjściowa wzacniacza: r wy ds + ds4 4

25 zastosowanie ranskondktancyjne kłady nożące k dzie : WY x x, y - napięcia wejściowe, k / - stała skalowania, - norjące napięcie odniesienia, zazwyczaj równe +0 V lb -0 V. y x y Operację nożenia ożna zrealizować w kładach elektronicznych w sposób bezpośredni np. poprzez zastosowanie sterowaneo podział prąd lb ziennej transkondktancji. Podstawowy blokie stosowany w różnych rozwiązaniach kładów nożenia bezpośrednieo jest wzacniacz różnicowy, w który wydajność źródła prądoweo ożna relować dodatkowy napięcie Y. ranskondktancyjne kłady nożące Dwćwiartkowy nożnik transkondktancyjny Napięcie sterjące X oże być dodatnie lb jene, natoiast napięcie Y (w ty rozwiązani) oże być tylko dodatnie. Stąd efekt nożenia oże wystąpić tylko w pierwszej i trzeciej ćwiartce (kład dwćwiartkowy lb dwkwadrantowy). 5

26 ranskondktancyjne kłady nożące Dwćwiartkowy nożnik transkondktancyjny otrzyjey: WY x x th ϕ ϕ ( + ) orzystając za zależności: Źródło prądowe wzacniacza a wydajność opisaną zależnością: ( y ) 0 y i + 0 WY x i0th ϕ x x x 0 y th 0 + ϕ óżnicowe napięcie wyjściowe wzacniacza: dla << ϕ x y ϕ ϕ ranskondktancyjne kłady nożące Dwćwiartkowy nożnik transkondktancyjny WY ( + ) x y ϕ ϕ x x 0 y th 0 + ϕ Pierwszy człon równania wyraża wzocnienie napięcia X, natoiast dri nożenie X Y. Gdy X 0 to i WY 0, natoiast dy Y 0 to w oólny przypadk WY 0. Oznacza to, że wyjście kład nożnika dwćwiartkoweo jest zrównoważone wzlęde synał X, a nie jest zrównoważone wzlęde synał Y ϕ Y X ' X 6

27 ranskondktancyjne kłady nożące Dwćwiartkowy nożnik transkondktancyjny WY ( + ) x y ϕ ϕ x x 0 y th 0 + ϕ WY 0 + ϕ y x ' x kład ten oże być zate traktowany jako wzacniacz synał różnicoweo X o ziennej transkondktacji, odlowanej przez synał Y. kład ten jest nazywany również odlatore pojedynczo zrównoważony (wzlęde X ) ranskondktancyjne kłady nożące zteroćwiartkowy nożnik transkondktancyjny odlator podwójnie zrównoważony oba synały sterjące X i Y ają syetryczne wejścia różnicowe. W odróżnieni od kład dwćwiartkoweo, napięcie wyjściowe WY jest równe zer, jeśli tylko którykolwiek z synałów ( X lb Y ) jest równy zer. 7

28 ranskondktancyjny kłady noŝący zasada działania ranskondktancyjny kłady noŝący zasada działania 8

29 ranskondktancyjny kłady noŝący zasada działania ranskondktancyjny kłady noŝący zasada działania 9

30 ranskondktancyjne kłady nożące zteroćwiartkowy nożnik transkondktancyjny Wyjściowy prąd różnicowy kład wynosi: x y x 0 ( i i ) th x y x x iwy i5th i6th ϕ ϕ ϕ ϕ ϕ 4ϕ przy napięciach wejściowych:, x y << ϕ Napięcie wyjściowe kład dane jest zależnością: i WY WY ranskondktancyjne kłady nożące Wadą ob prezentowanych nożników transkondktancyjnych jest bardzo ały zakres napięć wejściowych przy których kład noży poprawnie. Można ten zakres liniowej pracy powiększyć dwoa sposobai: - zastosowanie tzw. przetwornika Gilberta, - zastosowanie we wzacniaczach różnicowych dżych rezystancji eiterowych (powodje to znaczne zniejszenie nieliniowości kład, ale jednocześnie zniejsza nachylenie charakterystyk kład nożąceo). Bardzo często stosje się oba sposoby linearyzacji jednocześnie. 30

31 ranskondktancyjne kłady nożące Przetwornik Gilberta ranskondktancyjne kłady nożące Przetwornik Gilberta Para różnicowa jest sterowana napięcie na diodach D i D. Jeżeli złącza diod i złącza baza-eiter tranzystorów ają takie sae charakterystyki napięciowo prądowe to, przy zachowani warnków i A +i B const, i +i const, zachodzi proporcja: i i i i A B Diody są zazwyczaj sterowane prądai kolektorowyi oddzielnej pary różnicowej, która oże być zlinearyzowana poprzez zastosowanie rezystorów eiterowych, co powodje także linearyzację pracy pary różnicowej,. 3

32 ranskondktancyjne kłady nożące zteroćwiartkowy nożnik transkondktancyjny - zlinearyzowany ranskondktancyjne kłady nożące zteroćwiartkowy nożnik transkondktancyjny - zlinearyzowany Napięcia wejściowe są powiązane z prądai wejściowyi zależnościai: i x i x x WY i y óżnicowy prąd wyjściowy kład jest dany równanie: ixi Napięcie wyjściowe obliczay z zależności: k WY iwy x y 0x y dzie jest stałą nożenia, różną zwykle 0. V -. 0x y y 0 y y k x y 3

33 ranskondktancyjne kłady nożące zteroćwiartkowy nożnik transkondktancyjny - zlinearyzowany ypowe zlinearyzowane charakterystyki kład nożąceo i jeo sybol Zapaiętać o to jest kład Darlintona i Sziklai eo podstawowe własności, kład kaskody własności, kładd W-WB własności, : rodzaje wzocnień współczynnik M co daje zastosowanie obciążenia aktywneo, źródła prądoweo w eiterach, kład Gilberta, rezystorów w ob eiterach pary różnicowej kład transkondktancyjny dw i cztero-ćwiartkowy, nożący działanie, własności 33

Wykład 11 Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego i szerokopasmowe

Wykład 11 Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego i szerokopasmowe Wykład 11 Wzmacniacze tranzystorowe prąd stałeo i szerokopasmowe Wrocław 2013 kład Darlintona C kład stosowany dy potrzebne dże wzmocnienie prądowe (np. do WK). C B C1 T1 C2 B C E1 = B2 T2 E E ' C B1 C1

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego

Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego Wzmacniacze tanzystoo pądu stałego Wocław 03 kład Dalingtona (układ supe-β) C kład stosowany gdy potzebne duże wzmocnienie pądo (np. do W). C C C B T C B B T C C + β ' B B C β + ( ) C B C β β β B B β '

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie

Bardziej szczegółowo

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu 11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach

Bardziej szczegółowo

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ 1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej

Bardziej szczegółowo

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych Politechnika Wocławska Podstawo koniacje wzmacniaczy tanzystoowych Wocław 00 Politechnika Wocławska Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zastosowany element steowany: -- lampo -- tanzystoo Politechnika

Bardziej szczegółowo

Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA

Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA WFiIS LABORATORIM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych Podstawo koniacje wzmacniaczy tanzystoowych Wocław 05 Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zastosowany element steowany: -- lampo -- tanzystoo Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zakes częstotliwości wzmacnianych

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Wrocław 2015 Wprowadzenie jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). Wzmacniacz ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne.

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

A-3. Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych

A-3. Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych A-3. Wzmacniacze operacyjne w kładach liniowych I. Zakres ćwiczenia wyznaczenia charakterystyk amplitdowych i częstotliwościowych oraz parametrów czasowych:. wtórnika napięcia. wzmacniacza nieodwracającego

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze Politechnika Białostocka Temat i plan wykładu Wydział Elektryczny Wzmacniacze 1. Wprowadzenie 2. Klasyfikacja i podstawowe parametry 3. Wzmacniacz w układzie OE 4. Wtórnik emiterowy 5. Wzmacniacz róŝnicowy

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Liniowe układy scalone Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Wzmacniacze scalone Duża różnorodność Powtarzające się układy elementarne Układy elementarne zbliżone do odpowiedników dyskretnych, ale

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacze Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Zasilanie Z i I we I wy E s M we Wzmacniacz wy Z L Masa Wzmacniacze 2 Podział wzmacniaczy na klasy Klasa A ηmax

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny parametry i zastosowania Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego (klasyka: Fairchild ua702) 1965 Wzmacniacze

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12 PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOR BIPOLARNY

TRANZYSTOR BIPOLARNY Podstawy teoretyczne Materiały pomocnicze do ćwiczenia nr. 8 TANZYST PLANY 1.1. Tranzystor bipolarny. dowa, zasada działania. Tranzystor bipolarny jest przyrządem półprzewodnikowym o dwóch złączach p-n

Bardziej szczegółowo

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne e operacyjne Wrocław 2018 Wprowadzenie operacyjny jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne. N P E

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny zastosowania liniowe. Wrocław 2009

Wzmacniacz operacyjny zastosowania liniowe. Wrocław 2009 Wzmacniacz operacyjny zastosowania linio Wrocław 009 wzmocnienie różnico Pole wzmocnienia 3dB częstotliwość graniczna k D [db] -3dB 0dB/dek 0 db f ca f T Tłumienie sygnału wspólnego - OT ins M[ V / V ]

Bardziej szczegółowo

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ z 0 0-0-5 :56 PODSTAWY ELEKTONIKI I TECHNIKI CYFOWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie Badanie wzmacniaczy operacyjnych POLITECHNIKA KAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej Kierunek informatyka

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Temat i cel wykładu. Tranzystory POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

1. CEL ĆWICZENIA 2. WPROWADZENIE

1. CEL ĆWICZENIA 2. WPROWADZENIE . CEL ĆWCZENA Cele ćwiczenia jest poznanie właściwości stałoprądowych oraz ziennoprądowych (dla ałych aplitud i ałych częstotliwości synałów) tranzystora poloweo złączoweo JFET na przykładzie tranzystora

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach

Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach 1 Sygnały wejściowe/wyjściowe w sterowniku PLC Izolacja galwaniczna obwodów sterownika Zasilanie sterownika Elementy sygnalizacyjne Wejścia logiczne (dwustanowe)

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne

Tranzystory bipolarne Tranzystory bipolarne Tranzystor jest to element półprzewodnikowy, w zasadzie trójelektrodowy, umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych. Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy półprzewodnikowe

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 12 Pomiar wartości parametrów małosygnałowych h ije tranzystora

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Wiadomości podstawowe

Wiadomości podstawowe Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład... Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie

Bardziej szczegółowo

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy

Bardziej szczegółowo

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone

Liniowe układy scalone Liniowe układy scalone Układy wzmacniaczy operacyjnych z elementami nieliniowymi: prostownik liniowy, ograniczniki napięcia, diodowe generatory funkcyjne układy logarytmujące i alogarytmujące, układy mnożące

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/15

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/15 PL 223865 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223865 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 406254 (22) Data zgłoszenia: 26.11.2013 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Schemat ideowy wzmacniacza Współczynniki wzmocnienia: - napięciowy - k u =U wy /U we - prądowy - k i = I wy /I we - mocy - k p = P wy /P we >1 Wzmacniacz w układzie

Bardziej szczegółowo

Układy zasilania tranzystorów

Układy zasilania tranzystorów kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (

Bardziej szczegółowo

Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych

Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych Mgr inż. Łukasz Kirchner Lukasz.kirchner@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/lkirchner Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill kłady półprzewodnikowe.tietze,

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 4

Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Rys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia

Rys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia ĆWICZENIE 12 BADANIE STABILIZATORÓW NAPIĘCIA STAŁEGO 12.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasady działania, budowy oraz podstawowych właściwości różnych typów stabilizatorów półprzewodnikowych

Bardziej szczegółowo

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3

Bardziej szczegółowo

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy

Bardziej szczegółowo

(57)czterech tranzystorów bipolarnych i pierwszego PL B 1 HG3K 1 7 / 3 0 H 0 3 G 1 1 / 0 6. Fig.8. Fig.4 H03K 5 / 0 8

(57)czterech tranzystorów bipolarnych i pierwszego PL B 1 HG3K 1 7 / 3 0 H 0 3 G 1 1 / 0 6. Fig.8. Fig.4 H03K 5 / 0 8 RZECZPOSPOLITA (12) O PIS PA TEN TO W Y (19) PL (11) 156229 POLSKA (13) B 1 Urząd Patentowy R zeczypospolitej Polskiej (21)Numer zgłoszenia: 274137 (22) Data zgłoszenia: 09.08.1988 (51) IntCl5: H03K 5

Bardziej szczegółowo

Analogowy układ mnożący

Analogowy układ mnożący PUAV Wykład 12 Pomiar mocy: P = V I R I V 2 = IR Pomiar poboru mocy: V V 1 V 1 V 2 = VIR Odb. Pomiar kwadratu amplitudy sygnału (np. szumów): v n v n v n v n 2 Inne operacje nieliniowe na sygnałach Dzielenie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*. EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Odpowiedzi do zadań dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia (okręgowe) Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x,

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze liniowe 2

Wzmacniacze liniowe 2 Wzmacniacze Wzmacniacze liniowe 2 Wzmacniacz oznaczenia 3 Wzmacniacz - funkcja przenoszenia 4 Zasilanie wzmacniaczy 5 Podstawowe rodzaje wzmacniaczy Wzmacniacz napięciowy 6 Podstawowe rodzaje wzmacniaczy

Bardziej szczegółowo

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ

Bardziej szczegółowo

Scalony stabilizator napięcia typu 723

Scalony stabilizator napięcia typu 723 LABORATORIM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część II Zabezpieczenia przeciążeniowe stabilizatorów napięcia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. dzaje zabezpieczeń

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R

Bardziej szczegółowo

Własności i charakterystyki czwórników

Własności i charakterystyki czwórników Własności i charakterystyki czwórników nstytut Fizyki kademia Pomorska w Słupsku Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności i charakterystyk czwórników. Zagadnienia teoretyczne. Pojęcia podstawowe

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE MOCY. Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe.

WZMACNIACZE MOCY. Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe. WZMACACZE MCY Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe. Wymagania i klasyfikacja uzyskanie małej rezystancji wyjściowej aby dostarczyć

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD

TRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD TRAZYSTORY BPOLARE SMK WYKŁAD 9 a pdstw. W. Marciniak, WT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone 6. Zakresy pracy i układy włączania tranzystora bipolarnego Opis funkcjonalny zestaw równań wiążących

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz na tranzystorze J FET

Wzmacniacz na tranzystorze J FET Wzmacniacz na tranzystorze J FET Najprostszym wzmacniaczem sygnałów w. cz. jest tranzystorowy wzmacniacz oporowy. Można go zrealizować zarówno na tranzystorze bipolarnym jak i na polowym (JFET, MOSFET).

Bardziej szczegółowo

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH

Bardziej szczegółowo

Ć wiczenie 4 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH

Ć wiczenie 4 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH Ć wiczenie 4 9. Wiadoości ogólne BADANIE PROSOWNIKÓW NIESEROWANYCH Prostowniki są to urządzenia przetwarzające prąd przeienny na jednokierunkowy. Prostowniki stosowane są.in. do ładowania akuulatorów,

Bardziej szczegółowo

Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1.

Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1. Mieszacze Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1. Rysunek 1: Najprostszy mieszacz diodowy Elementem

Bardziej szczegółowo

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia

Bardziej szczegółowo

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET Instrukcja nr 5 Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.1 Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy jest

Bardziej szczegółowo