(57)czterech tranzystorów bipolarnych i pierwszego PL B 1 HG3K 1 7 / 3 0 H 0 3 G 1 1 / 0 6. Fig.8. Fig.4 H03K 5 / 0 8

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "(57)czterech tranzystorów bipolarnych i pierwszego PL B 1 HG3K 1 7 / 3 0 H 0 3 G 1 1 / 0 6. Fig.8. Fig.4 H03K 5 / 0 8"

Transkrypt

1 RZECZPOSPOLITA (12) O PIS PA TEN TO W Y (19) PL (11) POLSKA (13) B 1 Urząd Patentowy R zeczypospolitej Polskiej (21)Numer zgłoszenia: (22) Data zgłoszenia: (51) IntCl5: H03K 5 / 0 8 HG3K 1 7 / 3 0 H 0 3 G 1 1 / 0 6 (54) Dyskryminator okienkowy (73) U praw niony z patentu: V IG O - Spółka z o.o., Warszawa, PL (43) Zgłoszenie ogłoszon o: (72) T w órcy w ynalazku: BUF 0 4/9 0 Andrzej Chyliński, Warszawa, PL Zbigniew Januszewski, Warszawa, PL Edward Powiada, Warszawa, PL (45)O udzieleniu p aten tu ogłoszono: WUP 02/92 PL B 1 1. D yskrym inator okienkow y, utw orzony z (57)czterech tranzystorów bipolarnych i pierwszego rezystora, przy tym baza pierwszego tranzystora jest połączona ze źródłem napięcia odniesienia, a baza drugiego tranzystora jest połączona ze źródłem napięcia sygnału, znamienny tym, że tranzystory (T1, T3) pierwszy i trzeci tw orzą jedną parę o przewodnictwie NPN, zaś tranzystory (T2, T4) drugi i czwarty tworzą drugą parę o przew odnictwie PNP, przy czym em itery tranzystorów typu NPN (T1, T3) pierwszego i trzeciego są połączone z pierwszą końców ką pierwszego rezystora (R1), a emitery tranzystorów typu PN P (T2, T4) drugiego i czwartego są połączone z drugą końców ką pierwszego rezystora (R1), zaś kolektory tranzystorów typu PNP (T2, T4) drugiego i czw artego są połączone z ujemnym biegunem (-U) źródła napięcia zasilania i tw orzą pierw sze wyjście prądow e (W ypl), wyprowadzające sygnał prądow y ujemny (-Ip1), natom iast kolektory tranzystorów typu NPN (T1, T3) pierwszego i trzeciego są połączone z dodatnim biegunem ( + U) źródła napięcia zasilania i tw orzą drugie wyjście prądow e (Wyp2), wyprowadzające sygnał prądow y dodatni ( + Ip2). Fig.4 Fig.8

2 Dyskryminator okienkowy Zastrzeżenia patentowe 1. Dyskryminator okienkowy, utworzony z czterech tranzystorów bipolarnych i pierwszego rezystora, przy tym baza pierwszego tranzystora jest połączona ze źródłem napięcia odniesienia, a baza drugiego tranzystora jest połączona ze źródłem napięcia sygnału, znamienny tym, że tranzystory (T1, T3) pierwszy i trzeci tworzą jedną parę o przewodnictwie NPN, zaś tranzystory (T2, T4) drugi i czwarty tworzą drugą parę o przewodnictwie PNP, przy czym emitery tranzystorów typu NPN (T1, T3) pierwszego i trzeciego są połączone z pierwszą końcówką pierwszego rezystora (R1), a emitery tranzystorów typu PNP (T2, T4) drugiego i czwartego są połączone z drugą końcówką pierwszego rezystora (R1), zaś kolektory tranzystorów typu PNP (T2, T4) drugiego i czwartego są połączone z ujemnym biegunem (-U) źródła napięcia zasilania i tworzą pierwsze wyjście prądowe (Wyp1), wyprowadzające sygnał prądowy ujemny (-Ip1), natomiast kolektory tranzystorów typu NPN (T1, T3) pierwszego i trzeciego są połączone z dodatnim biegunem (4 -U) źródła napięcia zasilania i tworzą drugie wyjście prądowe (Wyp2), wyprowadzające sygnał prądowy dodatni ( + Ip2). 2. Dyskryminator według zastrz. 1, znamienny tym, że kolektory tranzystorów typu PNP (T2, T4) drugiego i czwartego są połączone z ujemnym biegunem (-U) źródła napięcia zasilania poprzez drugi rezystor (R2) i tworzą pierwsze wyjście napięciowe (Wyn1), wyprowadzające sygnał napięciowy ujemny (-Usn1). 3. Dyskryminator według zastrz. 1, znamienny tym, że kolektory tranzystorów typu NPN (T1, T3) pierwszego i trzeciego są połączone z dodatnim biegunem ( + U) źródła napięcia zasilania poprzez trzeci rezystor (R3) i tworzą drugie wyjście napięciowe (Wyn2), wyprowadzające sygnał napięciowy dodatni ( + Usn2). 4. Dyskryminator według zastrz. 1, znamienny tym, że kolektor tranzystorów typu PNP (T2, T4) drugiego i czwartego są połączone z ujemnym biegunem (-U) źródła napięcia zasilania poprzez drugi rezystor (R2) i tworzą pierwsze wyjście napięciowe (Wyn1), wyprowadzające sygnał napięciowy ujemny (-Usn1), natomiast kolektory tranzystorów typu NPN (T1, T3) pierwszego i trzeciego są połączone z dodatnim biegunem ( + U) źródła napięcia zasilania poprzez trzeci rezystor (R3) i tworzą drugie wyjście napięciowe (Wyn2), wyprowadzające sygnał napięciowy dodatni ( + Usn2). 5. Dyskryminator okienkowy, utworzony z czterech tranzystorów bipolarnych, przy tym baza pierwszego tranzystora jest połączona ze źródłem napięcia odniesienia, a baza drugiego tranzystora jest połączona ze źródłem napięcia sygnału, znamienny tym, że tranzystory (T1, T3) pierwszy i trzeci tworzą jedną parę o przewodnictwie NPN, zaś tranzystory (T2, T4) drugi i czwarty tworzą drugą parę o przewodnictwie PNP, przy czym emitery tranzystorów typu NPN (T1, T3) pierwszego i trzeciego są połączone z emiterami tranzystorów typu PNP (T2, T4) drugiego i czwartego, natomiast kolektory tranzystorów typu PNP (T2, T4) drugiego i czwartego są połączone z ujemnym biegunem (-U) źródła napięcia zasilania i tworzą pierwsze wyjście prądowe (W'upl), wyprowadzające sygnał prądowy ujemny (-I'p1), natom iast kolektory tranzystorów typu NPN (T1, T3) pierwszego i trzeciego są połączone z dodatnim biegunem ( + U) źródła napięcia zasilania i tworzą drugie wyjście prądowe (W'yp2), wyprowadzające sygnał prądowy dodatni ( + I'p2). 6. Dyskryminator według zastrz. 5, znamienny tym, że kolektory tranzystorów typu PNP (T2, T4) drugiego i czwartego są połączone z ujemnym biegunem (-U) źródła napięcia zasilania i tworzą pierwsze wyjście napięciowe (W'yn1), wyprowadzające sygnał napięciowy ujemny (-U'sn1). 7. Dyskryminator według zastrz. 5, znamienny tym, że kolektory tranzystorów typu NPN (T1, T3) pierwszego i trzeciego są połączone z dodatnim biegunem ( + U) źródła napięcia zasilania poprzez trzeci rezystor (R3) i tworzą drugie wyjście napięciowe (W'yn2), wyprowadzające sygnał napięciowy dodatni ( + U'sn2). 8. Dyskryminator według zastrz. 5, znamienny tym, że kolektory tranzystorów PNP (T2, T4) drugiego i czwartego są połączone z ujemnym biegunem (-U) źródła napięcia zasilania poprzez drugi rezystor (R2) i tworzą pierwsze wyjście napięciowe (W'ynl), wyprowadzające sygnał napięciowy ujemny (-U'sn1), natom iast kolektory tranzystorów typu NPN (T1, T3) pierwszego i trze--

3 ciego są połączone z dodatnim biegunem ( + U) źródła napięcia zasilania poprzez trzeci rezystor (R3) i tworzą drugie wyjście napięciowe (W'yn2), wyprowadzające sygnał napięciowy dodatni (+U 'sn2). * * * Przedmiotem wynalazku jest dyskryminator okienkowy, stosowany zwłaszcza w układach do wykrywania sygnałów alarmowych w czujnikach systemów alarmowych. Znane są rozwiązania układów progowych, wykrywających uszkodzenie kontrolowanej linii dozorowanej. Są one zazwyczaj zbudowane ze wzmacniaczy różnicowych i posiadają dużą stabilność progów. Są to jednak układy rozbudowane o dużej liczbie tranzystorów, a nadto powodują one znaczny przepływ prądu w każdym stanie linii dozorowanej. Wieloprogowy dyskryminator napięcia, utworzony w ten sposób, jest opisany w polskim opisie patentowym num er Znany jest również prostszy w budowie dyskryminator napięcia, składający się ze źródła napięć progowych, dwóch diod i dwóch tranzystorów. Baza jednego tranzystora jest połączona ze źródłem napięć progowych, a jego emiter jest połączony, poprzez diodę z wejściem dyskryminatora. Emiter drugiego tranzystora jest połączony ze źródłem napięć progowych, a jego baza jest dołączona, poprzez drugą diodę, do wejścia dyskryminatora. Kolektory obydwu tranzystorów są połączone z wyjściem dyskryminatora. Diody są dołączone do wyjścia dyskryminatora jedna katodą, a druga anodą. Dyskryminator ten ma szereg wad. Wskutek sumowania się napięcia baza-emiter tranzystora z napięciem przewodzenia diody, przyłączonej do tego tranzystora, występuje duży wpływ temperatury na wartości progowe kontrolowanej linii dozorowanej. Ponadto układ ten powoduje znaczny przepływ prądu właśnie w czasie sygnalizowania uszkodzenia. Znane rozwiązanie, bazujące na przerzutnikach, jest utworzone w oparciu o układy tranzystorów o jednakowym bądź przeciwnym typie przewodnictwa. D o układów z tranzystoram i o jednakowym typie przewodnictwa należy między innymi przerzutnik Schmitta. W przerzutniku tym tranzystory są połączone emiterami, dzięki czemu na wspólnym rezystorze emiterowym uzyskuje się dodatnie sprzężenie zwrotne. Do prawidłowej pracy przerzutnika są wymagane dwa napięcia zasilania. Jedno z tych napięć jest napięciem mierzonym i ulega ono zmianom. Drugie z tych napięć jest napięciem zasilania i w zasadzie jest stabilizowane, po to aby progi zadziałania przerzutnika były stałe. W tym układzie uzyskuje się pętlę histerezy o dowolnej wartości, lecz wymaga on dwóch napięć zasilających. W układzie z tranzystorami o odmiennym typie przewodnictwa stosuje się przerzutnik bistabilny. Dodatnie sprzężenie zwrotne jest zrealizowane poprzez sprzężenie kolektora tranzystora typu PNP z bazą tranzystora typu NPN za pomocą rezystora. W przerzutniku tego typu są wymagane również dwa napięcia zasilania. Jedno z tych napięć służy do zmiany stanu przerzutnika. W układzie tym nie udaje się uzyskać wąskiej pętli histerezy. Znany jest ponadto dyskryminator okienkowy zbudowany w oparciu o dwa komparatory napięcia z histerezą progu górnego i progu dolnego. Przykład takiego układu jest podany w książce Liniowe układy scalone i ich stosowanie, Z. Kulka, M. Nadachowski, WKiŁ, Warszawa Histerezę układu uzyskuje się poprzez dodatnie sprzężenie zwrotne, zrealizowane poprzez rezystory włączone pomiędzy wyjście komparatorów, a ich wejście nieodwracające. Na wejście nieodwracające jednego z kom paratorów oraz na wejście odwracające drugiego kom paratora jest podany sygnał wejściowy. W artość względnej strefy histerezy w tym układzie jest zależna od nastawionych progów dyskryminacji i maleje ona z ich wzrostem. Znany jest z polskiego opisu patentowego numer elektroniczny kom parator sygnałów alarmowych z nastaw ną strefą histerezy, w którym zastosowano sterowane źródło prądu, umieszczone w obwodzie sprzężenia zwrotnego wzmacniacza operacyjnego. Sterowane źródło prądu dostarcza, w zależności od stanu wyjścia wzmacniacza operacyjnego, określoną wartość prądu, niezależną od wartości napięcia na wyjściu tego wzmacniacza. W oparciu o dwa takie komparatory buduje się dyskryminator okienkowy, w którym rolę rezystorów dodatniego sprzężenia zwrotnego spełniają źródła prądowe. Znany jest z polskiego opisu patentowego numer dwuprogowy dyskrym inator napięcia, w którym baza jednego tranzystora typu PNP i emiter drugiego tranzystora typu PNP są dołączone do źródła napięć prądowych. Kolektor drugiego tranzystora i emiter pierwszego tranzystora są połączone ze sobą poprzez ogranicznik prądu. D o bazy drugiego tranzystora jest dołą--

4 czone źródło prądu polaryzacji. Ponadto baza drugiego tranzystora jest połączona z katodą jednej diody półprzewodnikowej, przy tym anoda tej diody jest połączona z wejściem dyskryminatora. Natom iast emiter pierwszego tranzystora jest połączony z anodą drugiej diody półprzewodnikowej, której katoda jest połączona również z wejściem dyskryminatora. W rozwiązaniu takim napięcie baza-emiter jest kompensowane napięciem diody przyłączonej do tranzystora, co stwarza stabilną pracę dyskryminatora w szerokim zakresie temperatur. Rozwiązanie to zapewnia nadto minimalny pobór prądu podczas zwarcia w kontrolowanej linii dozorowej. Znany jest z polskiego opisu patentowego numer układ progowy, w którym emiter pierwszego tranzystora typu PNP jest połączony z pierwszym zaciskiem źródła napięcia, a kolektor tego tranzystora jest połączony, poprzez pierwszy rezystor, z bazą drugiego tranzystora typu NPN, przy czym emiter pierwszego rezystora jest połączony ponadto z pierwszą końcówką drugiego rezystora i z pierwszą końcówką trzeciego rezystora. Baza pierwszego tranzystora jest połączona z drugą końcówką trzeciego rezystora i z katodą diody Zenera. Anoda diody Zenera jest połączona z drugą końcówką drugiego rezystora, z pierwszą końcówką czwartego rezystora i z pierwszą końcówką piątego rezystora, przy czym druga końcówka czwartego rezystora jest połączona z drugim zaciskiem źródła napięcia, z emiterem drugiego tranzystora i z pierwszą końcówką szóstego rezystora. Kolektor drugiego tranzystora jest połączony z drugą końcówką piątego rezystora, a baza tego tranzystora jest połączona z drugą końcówką szóstego rezystora. Układ progowy umożliwią osiągnięcie pętli histerezy o szerokości poniżej 0,2 V. W układzie tym napięcie wejściowe jest równocześnie napięciem zasilającym, co oznacza możliwość wykorzystania tylko jednego źródła napięcia. Progi przełączania zależą tylko od wartości zastosowanych elementów. Dyskryminator okienkowy, utworzony z czterech tranzystorów bipolarnych i pierwszego rezystora, przy tym baza pierwszego tranzystora typu NPN jest połączona ze źródłem napięcia odniesienia, a baza drugiego tranzystora typu PNP jest połączona ze źródłem napięcia sygnału, charakteryzuje się tym, że tranzystory bipolarne pierwszy i trzeci tworzą jedną parę o przewodnictwie NPN, zaś tranzystory bipolarne drugi i czwarty tworzą drugą parę o przewodnictwie PNP. Emitery tranzystorów typu NPN pierwszego i trzeciego są połączone z pierwszą końcówkę pierwszego rezystora, a emitery tranzystorów typu PNP drugiego i czwartego są połączone z drugą końcówką pierwszego rezystora. Kolektory tranzystorów typu PNP drugiego i czwartego są połączone z ujemnym biegunem źródła napięcia zasilania i tworzą pierwsze wyjście prądowe, wyprowadzające sygnał prądowy ujemny. Kolektory tranzystorów typu NPN pierwszego i trzeciego są połączone z dodatnim biegunem źródła napięcia zasilania i tworzą drugie wyjście prądowe, wyprowadzające sygnał prądowy dodatni. Odmianami podstawowego dyskryminatora okienkowego są przedstawione na fig. 3, fig. 2 i fig. 4 układy. Kolektory tranzystorów typu PNP drugiego i czwartego są połączone z ujemnym biegunem źródła napięcia zasilania, poprzez drugi rezystor, i tworzą pierwsze wyjście napięciowe, wyprowadzające sygnał napięciowy ujemny. Kolektory tranzystorów typu NPN pierwszego i trzeciego są połączone z dodatnim biegunem źródła napięcia zasilania, poprzez trzeci rezystor, i tworzą drugie wyjście napięciowe, wyprowadzające sygnał napięciowy dodatni. Kolektory tranzystorów typu PNP drugiego i czwartego są połączone z ujemnym biegunem źródła napięcia zasilania, poprzez drugi rezystor, i tworzą pierwsze wyjście napięciowe, wyprowadzające sygnał napięciowy ujemny, natomiast kolektory tranzystorów typu NPN pierwszego i trzeciego są połączone z dodatnim biegunem źródła napięcia zasilania, poprzez trzeci rezystor, i tworzą drugie wyjście napięciowe, wyprowadzające sygnał napięciowy dodatni. Alternatywny dyskryminator okienkowy, utworzony z czterech tranzystorów bipolarnych, przy tym baza pierwszego tranzystora typu NPN jest połączona ze źródłem napięcia odniesienia, a baza drugiego tranzystora typu PNP jest połączona ze źródłem napięcia sygnału, charakteryzuje się tym, że tranzystory bipolarne pierwszy i trzeci tworzą parę o przewodnictwie NPN, zaś tranzystory bipolarne drugi i czwarty tworzą parę o przewodnictwie PNP. Emitery tranzystorów typu NPN pierwszego i trzeciego są połączone z emiterami tranzystorów typu PNP drugiego i czwartego. Kolektory tranzystorów typu PNP drugiego i czwartego są połączone z ujemnym biegunem źródła napięcia zasilania i tworzą pierwsze wyjście prądowe, wyprowadzające sygnał prądowy ujemny.

5 Kolektory tranzystorów typu NPN pierwszego i trzeciego są połączone z dodatnim biegunem źródła napięcia zasilania i tworzą drugie wyjście prądowe, wyprowadzające sygnał prądowy dodatni. Odmianami alternatywnego dyskryminatora okienkowego są przedstawione na fig. 6, fig. 7 i fig. 8 układy. Kolektory tranzystorów typu NPN pierwszego i trzeciego są połączone z dodatnim biegunem źródła napięcia zasilania, poprzez trzeci rezystor, i tworzą drugie wyjście napięciowe, wyprowadzające sygnał napięciowy dodatni. Kolektory tranzystorów typu PNP drugiego i czwartego są połączone z ujemnym biegunem źródła napięcia zasilania i tworzą pierwsze wyjście napięciowe, wyprowadzające sygnał napięciowy ujemny. Kolektory tranzystorów typu PNP drugiego i czwartego są połączone z ujemnym biegunem źródła napięcia zasilania, poprzez drugi rezystor, i tworzą pierwsze wyjście napięciowe, wyprowadzające sygnał napięciowy ujemny, natomiast kolektory tranzystorów typu NPN pierwszego i trzeciego są połączone z dodatnim biegunem źródła napięcia zasilania, poprzez trzeci rezystor, i tworzą drugie wyjście napięciowe, wyprowadzające sygnał napięciowy dodatni. Dyskryminatory okienkowe według wynalazku mają tę zaletę, że w czasie czuwania, to jest gdy napięcie sygnału jest zawarte w przedziale zmian napięcia progów, nie pobierają prądu, oraz jako takie nie mają histerezy, gdy współpracują z układami, do których są przewidziane. Przedmiot wynalazku jest przedstawiony na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat ideowy podstawowego układu dyskryminatora okienkowego z dwoma wyjściami prądowymi, mającego w swojej konfiguracji rezystor ograniczający prąd, fig. 2 - ten sam układ dyskryminatora, ale z pierwszym wyjściem prądowym i z drugim wyjściem napięciowym, fig. 3 - ten sam układ dyskryminatora, ale z pierwszym wyjściem napięciowym i z drugim wyjściem prądowym, fig. 4 - ten sam układ dyskryminatora, ale z obydwoma wyjściami napięciowymi, fig. 5 - podstawowy układ alternatywnego dyskryminatora okienkowego z dwoma wyjściami prądowymi, nie mającego rezystora, fig. 6 - ten sam układ alternatywnego dyskryminatora, ale z pierwszym wyjściem prądowym i drugim wyjściem napięciowym, fig. 7 - ten sam układ alternatywnego dyskryminatora, ale z pierwszym wyjściem napięciowym i drugim wyjściem prądowym, a fig. 8 - ten sam układ alternatywnego dyskryminatora, ale z dwoma wyjściami napięciowymi. Podstawowy układ dyskryminatora okienkowego jest utworzony z czterech tranzystorów bipolarnych T1, T2, T3, T4 i pierwszego rezystora R1, połączonych następująco. Baza pierwszego tranzystora typu NPN T1 jest połączona ze źródłem napięcia odniesienia U odn i z bazą czwartego tranzystora typu PNP T4, przy czym źródło napięcia odniesienia U odn jest pierwszym napięciem wyjściowym na przykład czujnika alarmowego, nie przedstawionego na rysunku. Baza drugiego tranzystora typu PNP T2 jest połączona ze źródłem napięcia sygnału Us i z bazą trzeciego tranzystora typu NPN T3, przy czym źródło napięcia sygnału Us stanowi drugie napięcie wyjściowe czujnika alarmowego. Emiter pierwszego tranzystora T1 jest połączony z emiterem trzeciego tranzystora T3 i z pierwszą końcówką pierwszego rezystora R1, które to tranzystory T1, T3 tworzą pierwszą parę o typie przewodnictwa NPN. Emiter drugiego tranzystora T2 jest połączony z emiterem czwartego tranzystora T4 i z drugą końcówką pierwszego rezystora R1, przy czym tranzystory T2, T4, te tworzą drugą parę o typie przewodnictwa PNP. Kolektor drugiego tranzystora T2 jest połączony z kolektorem czwartego tranzystora T4 i stanowią łącznie pierwsze wyjście prądowe Wyp1 podstawowego układu dyskryminatora, wyprowadzające sygnał prądowy ujemny -Ip1. Kolektor pierwszego tranzystora T1. jest połączony z kolektorem trzeciego tranzystora T3 i stanowią łącznie drugie wyjście prądowe Wyp2 podstawowego układu dyskryminatora, wyprowadzające sygnał prądowy dodatni + Ip2. Pierwsze wyjście prądowe Wyp1 jest połączone z ujemnym biegunem -U źródła napięcia zasilania, a drugie wyjście prądowe Wyp2 jest połączone z dodatnim biegunem + U tego źródła. Pierwszy rezystor R1, włączony pomiędzy emitery pierwszej pary tranzystorów T1, T3 i emitery drugiej pary tranzystorów T2, T4, ogranicza prąd płynący przez dyskryminator okienkowy. Wartość rezystancji tego rezystora R1 może być równa zeru lub większa od zera, przy czym w pierwszym przypadku układ dyskryminatora okienkowego przybiera postać rozwiązania alternatywnego. Napięcie okienka jest równe podwojonej wartości napięcia baza- -emiter tranzystora bipolarnego. Napięcie odniesienia Uodn i napięcie sygnału Us mogą przyjmo--

6 wać dowolne wartości, leżące w przedziale od ujemnej wartości napięcia zasilania do dodatniej wartości napięcia zasilania. W zależności od sposobu podłączenia obciążenia do wyjść Wyp1, Wyp2 dyskryminatora okienkowego, można uzyskać z podstawowego układu tego dyskryminatora trzy dodatkowe układy, spełniające różne funkcje. W pierwszym przypadku, to jest gdy kolektory tranzystorów typu NPN T1, T3 są podłączone do dodatniego bieguna + U źródła napięcia zasilania poprzez trzeci rezystor R3, zaś kolektory tranzystorów typu PNP T2, T4 są podłączone do ujemnego bieguna -U źródła napięcia zasilania, uzyskuje się dyskrym inator okienkowy z pierwszym wyjściem prądowym Wyp1, wyprowadzającym sygnał prądowy ujemny -Ip1, oraz z drugim wyjściem napięciowym Wyn2, wyprowadzającym sygnał napięciowy dodatni + Usn2. W drugim przypadku, to jest gdy kolektory tranzystorów typu NPN T1, T3 są podłączone bezpośrednio do dodatniego bieguna + U źródła napięcia zasilania, a kolektory tranzystorów typu PNP T2, T4 są podłączone do ujemnego bieguna -U źródła napięcia zasilania poprzez drugi rezystor R2, uzyskuje się dyskrym inator okienkowy z pierwszym wyjściem napięciowym Wyn1, wyprowadzającym sygnał napięciowy ujemny -Usn1, oraz z drugim wyjściem prądowym Wyp2, wyprowadzającym sygnał prądowy dodatni + Ip2. W trzecim przypadku, to jest gdy kolektory tranzystorów typu PNP T2, T4 są podłączone do ujemnego bieguna -U źródła napięcia zasilania poprzez drugi rezystor R2, a kolektory tranzystorów typu NPN T1, T3 są podłączone do dodatniego bieguna + U źródła napięcia zasilania poprzez trzeci rezystor R3, uzyskuje się dyskryminator okienkowy z pierwszym wyjściem napięciowym Wyn1, wyprowadzającym sygnał napięciowy ujemny -Usn1, oraz z drugim wyjściem napięciowym Wyn2, wyprowadzającym sygnał napięciowy dodatni + Usn2. Podstawowy układ alternatywnego dyskryminatora okienkowego jest utworzony następująco. Baza pierwszego tranzystora typu NPN T1 jest połączona ze źródłem napięcia odniesienia U odn i z bazą czwartego tranzystora typu PNP T4. Baza drugiego tranzystora typu PNP T2 jest połączona ze źródłem napięcia sygnału Us i z bazą trzeciego tranzystora typu NPN T3. Emitery tranzystorów T1, T3 pierwszego i trzeciego są połączone z emiterami tranzystorów T2, T4 drugiego i czwartego. Kolektory tranzystorów T1, T3 pierwszego i trzeciego są połączone ze sobą i stanowią łącznie drugie wyjście prądowe W'yp2 wyprowadzające sygnał prądowy dodatni + I'p2. Kolektory tranzystorów T2, T4 drugiego i czwartego są połączone ze sobą i stanowią łącznie pierwsze wyjście prądowe W'ypl, wyprowadzające sygnał prądowy ujemny -I'p1. Pierwsze wyjście prądowe W'yp1 jest połączone z ujemnym biegunem -U źródła napięcia zasilania, a drugie wyjście prądowe W'yp2 jest połączone z dodatnim biegunem + U źródła napięcia zasilania. Napięcie okienka jest równe podwojonej wartości napięcia baza-emiter tranzystora bipolarnego. Napięcie odniesienia U odn i napięcie sygnału Us mogą przyjmować, podobnie jak to ma miejsce w przypadku podstawowego układu dyskryminatora okienkowego, dowolne wartości leżące w przedziale od ujemnej wartości napięcia zasilania do dodatniej wartości napięcia zasilania. W zależności od sposobu podłączenia obciążenia do wyjść prądowych W'yp1, W'yp2 alternatywnego dyskryminatora okienkowego można uzyskać z tego dyskryminatora trzy dodatkowe układy, spełniające różne funkcje. W pierwszym przypadku, to jest gdy kolektory tranzystorów T1, T3 pierwszego i trzeciego są podłączone do dodatniego bieguna + U źródła napięcia zasilania poprzez trzeci rezystor R3, zaś kolektory tranzystorów T2, T4 drugiego i czwartego są podłączone bezpośrednio do ujemnego bieguna -U źródła napięcia zasilania, uzyskuje się alternatywny dyskryminator okienkowy z pierwszym wyjściem prądowym W'ypl, wyprowadzającym sygnał prądowy ujemny -I'p1, oraz z drugim wyjściem napięciowym W'yp2, wyprowadzającym sygnał napięciowy dodatni +U 'sn2. W drugim przypadku, to jest gdy kolektory tranzystorów T l, T3 pierwszego i trzeciego są podłączone bezpośrednio do dodatniego bieguna + U źródła napięcia zasilania, a kolektory tranzystorów T2, T4 drugiego i czwartego są podłączone do ujemnego bieguna -U źródła napięcia zasilania poprzez drugi rezystor R2, uzyskuje się alternatywny dyskryminator okienkowy z pierwszym wyjściem napięciowym W'ypl, wyprowadzającym sygnał napięciowy ujemny -U'sn1, oraz z drugim wyjściem prądowym W'yp2, wyprowadzającym sygnał prądowy dodatni + I'p2.

7 W trzecim przypadku, to jest gdy kolektory tranzystorów T2, T4 drugiego i czwartego są podłączone do ujemnego bieguna -U źródła napięcia zasilania poprzez drugi rezystor R2, a kolektory tranzystorów T1, T3 pierwszego i trzeciego są podłączone do dodatniego bieguna + U źródła napięcia zasilania poprzez trzeci rezystor R3, uzyskuje się alternatywny dyskryminator okienkowy z pierwszym wyjściem napięciowym W'yn1 wyprowadzającymi sygnał napięciowy ujemny -U'sn1, oraz z drugim wyjściem napięciowym W'yn2 wyprowadzającym sygnał napięciowy dodatni +U'sn2. W przypadku obydwu podstawowych układów dyskryminatorów okienkowych, to znaczy o wyjściach prądowych Wyp1, Wyp2 oraz W 'ypl, W'yp2 obciążeniem tych dyskryminatorów jest impedancja wewnętrzna źródła napięcia zasilania, gdyż dyskryminatory te pracują na zwarcie tego źródła, co jest sygnalizowane jako uszkodzenie kontrolowanej linii dozorowanej w czujnikach systemów alarmowych. Jeżeli napięcie sygnału Us jest zawarte w przedziale zmian napięcia, określonym napięciem odniesienia U odn pomniejszonym o dwie wartości napięcia baza-emiter oraz napięciem odniesienia U odn powiększonym o dwie wartości napięcia baza-emiter tranzystorów bipolarnych, to przez układ dyskryminatora okienkowego praktycznie nie płynie prąd, oczywiście poza niewielkim prądem upływu tranzystorów T1, T2, T3 i T4.

8 Fig.5 Fig.6 Fig.7 Fig.8 Fig.1 Fig.2 Fig.3 Fig.4 Zakład Wydawnictw UP RP. Nakład 90 egz. Cena 5000 zł.

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 171947 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21)Numer zgłoszenia: 301401 (2)Data zgłoszenia: 08.12.1993 (5 1) IntCl6 H03F 3/72 H03K 5/04

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230966 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 423324 (51) Int.Cl. H02M 3/155 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 31.10.2017

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209493 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 382135 (51) Int.Cl. G01F 1/698 (2006.01) G01P 5/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

(13) B1 PL B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) fig. 1

(13) B1 PL B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) fig. 1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 176527 (13) B1 ( 2 1) Numer zgłoszenia: 308212 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 18.04.1995 Rzeczypospolitej Polskiej (51) IntCl6: G05B 11/12

Bardziej szczegółowo

(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig.

(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig. RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 161056 (13) B2 (21) Numer zgłoszenia: 283989 (51) IntCl5: H02M 3/315 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.02.1990 (54)Układ

Bardziej szczegółowo

OPIS PATENTOWY

OPIS PATENTOWY RZECZPOSPOLITA POLSKA OPIS PATENTOWY 154 561 w Patent dodatkowy mg do patentu n r ---- Int. Cl.5 G01R 21/06 Zgłoszono: 86 10 24 / p. 262052/ Pierwszeństwo--- URZĄD PATENTOWY Zgłoszenie ogłoszono: 88 07

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 26/16

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 26/16 PL 227999 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 227999 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 412711 (51) Int.Cl. H02M 3/07 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12 PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

PL B1. GRZENIK ROMUALD, Rybnik, PL MOŁOŃ ZYGMUNT, Gliwice, PL BUP 17/14. ROMUALD GRZENIK, Rybnik, PL ZYGMUNT MOŁOŃ, Gliwice, PL

PL B1. GRZENIK ROMUALD, Rybnik, PL MOŁOŃ ZYGMUNT, Gliwice, PL BUP 17/14. ROMUALD GRZENIK, Rybnik, PL ZYGMUNT MOŁOŃ, Gliwice, PL PL 223654 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223654 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 402767 (51) Int.Cl. G05F 1/10 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA WARSZAWSKA, Warszawa, PL BUP 04/11. KRZYSZTOF GOŁOFIT, Lublin, PL WUP 06/14

PL B1. POLITECHNIKA WARSZAWSKA, Warszawa, PL BUP 04/11. KRZYSZTOF GOŁOFIT, Lublin, PL WUP 06/14 PL 217071 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217071 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 388756 (51) Int.Cl. H03K 3/023 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat.

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat. PL 216395 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 216395 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 384627 (51) Int.Cl. G01N 27/00 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej

Bardziej szczegółowo

PL B1. Przekształtnik rezonansowy DC-DC o przełączanych kondensatorach o podwyższonej sprawności

PL B1. Przekształtnik rezonansowy DC-DC o przełączanych kondensatorach o podwyższonej sprawności PL 228000 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 228000 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 412712 (51) Int.Cl. H02M 3/07 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/15

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/15 PL 223865 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223865 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 406254 (22) Data zgłoszenia: 26.11.2013 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 07/10. ZDZISŁAW NAWROCKI, Wrocław, PL DANIEL DUSZA, Inowrocław, PL

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 07/10. ZDZISŁAW NAWROCKI, Wrocław, PL DANIEL DUSZA, Inowrocław, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 213448 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386136 (51) Int.Cl. H03H 11/16 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.09.2008

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230058 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 422007 (51) Int.Cl. H02M 3/155 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 24.06.2017

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 12/17. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 05/18

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 12/17. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 05/18 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 228977 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 419603 (51) Int.Cl. G01R 19/14 (2006.01) H02H 1/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

(54) RZECZPOSPOLITAPOLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H05B 41/29. (21) Numer zgłoszenia:

(54) RZECZPOSPOLITAPOLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H05B 41/29. (21) Numer zgłoszenia: RZECZPOSPOLITAPOLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 161916 (13) B2 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 286804 (22) Data zgłoszenia: 07.09.1990 (51) IntCl5: H05B 41/29 (54)

Bardziej szczegółowo

(13) B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA. (21) Numer zgłoszenia: (51) IntCl7 H02M 7/42

(13) B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA. (21) Numer zgłoszenia: (51) IntCl7 H02M 7/42 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 184340 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 323484 (22) Data zgłoszenia: 03.12.1997 (51) IntCl7 H02M 7/42 (54)

Bardziej szczegółowo

Układ stabilizacji natężenia prądu termoemisji elektronowej i napięcia przyspieszającego elektrony zwłaszcza dla wysokich energii elektronów

Układ stabilizacji natężenia prądu termoemisji elektronowej i napięcia przyspieszającego elektrony zwłaszcza dla wysokich energii elektronów PL 219991 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 219991 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 398424 (51) Int.Cl. G05F 1/56 (2006.01) H01J 49/26 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej

Bardziej szczegółowo

PL B1. C & T ELMECH SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Pruszcz Gdański, PL BUP 07/10

PL B1. C & T ELMECH SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Pruszcz Gdański, PL BUP 07/10 PL 215666 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 215666 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386085 (51) Int.Cl. H02M 7/48 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

PL B1. Sposób i układ kontroli napięć na szeregowo połączonych kondensatorach lub akumulatorach

PL B1. Sposób i układ kontroli napięć na szeregowo połączonych kondensatorach lub akumulatorach RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 232336 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 421777 (22) Data zgłoszenia: 02.06.2017 (51) Int.Cl. H02J 7/00 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

PL B1. Sposób podgrzewania żarników świetlówki przed zapłonem i układ zasilania świetlówki z podgrzewaniem żarników

PL B1. Sposób podgrzewania żarników świetlówki przed zapłonem i układ zasilania świetlówki z podgrzewaniem żarników RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 211844 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386656 (51) Int.Cl. H05B 41/14 (2006.01) H05B 41/295 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie

Bardziej szczegółowo

PL B1. Akademia Górniczo-Hutnicza im. St. Staszica,Kraków,PL BUP 19/03

PL B1. Akademia Górniczo-Hutnicza im. St. Staszica,Kraków,PL BUP 19/03 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 198698 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 352734 (51) Int.Cl. H05B 6/06 (2006.01) H02M 1/08 (2007.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data

Bardziej szczegółowo

PL B1. Sposób zabezpieczania termiczno-prądowego lampy LED oraz lampa LED z zabezpieczeniem termiczno-prądowym

PL B1. Sposób zabezpieczania termiczno-prądowego lampy LED oraz lampa LED z zabezpieczeniem termiczno-prądowym PL 213343 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 213343 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 391516 (51) Int.Cl. F21V 29/00 (2006.01) F21S 8/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/19. RYSZARD KOPKA, Opole, PL WIESŁAW TARCZYŃSKI, Opole, PL

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/19. RYSZARD KOPKA, Opole, PL WIESŁAW TARCZYŃSKI, Opole, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 232570 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 425810 (51) Int.Cl. H02J 15/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 04.06.2018

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (

Bardziej szczegółowo

(54) (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 PL B1 C23F 13/04 C23F 13/22 H02M 7/155

(54) (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 PL B1 C23F 13/04 C23F 13/22 H02M 7/155 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 169318 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 296640 (22) Data zgłoszenia: 16.11.1992 (51) IntCl6: H02M 7/155 C23F

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/12

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/12 PL 219586 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 219586 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 392996 (51) Int.Cl. H03F 1/30 (2006.01) H04R 3/06 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

PL B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1. (51) Int.Cl.5: G01R 27/02. (21) Numer zgłoszenia:

PL B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1. (51) Int.Cl.5: G01R 27/02. (21) Numer zgłoszenia: RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 158969 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 275661 (22) Data zgłoszenia: 04.11.1988 (51) Int.Cl.5: G01R 27/02

Bardziej szczegółowo

PL B1. Hajduczek Krzysztof,Opole,PL BUP 20/05. Budziński Sławomir, Jan Wierzchoń & Partnerzy

PL B1. Hajduczek Krzysztof,Opole,PL BUP 20/05. Budziński Sławomir, Jan Wierzchoń & Partnerzy RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 205208 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 366652 (51) Int.Cl. G06F 1/28 (2006.01) H02H 3/20 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 181834 (21) Numer zgłoszenia: 326385 (22) Data zgłoszenia: 30.10.1996 (86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego:

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 183623 (21) Numer zgłoszenia: 323116 (22) Data zgłoszenia: 12.11.1997 (13) B1 (51 ) IntCl7 G01R 27/18 (54)Sposób

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 173831 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 304562 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 03.08.1994 Rzeczypospolitej Polskiej (51) IntCl6: G01R 31/26 (54)

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) RZECZPO SPO LITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 172018 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21)Numer zgłoszenia 298251 (22) Data zgłoszenia: 23.03.1993 (51) Int.Cl.6 G01R 31/36 H02J

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1 Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu

Bardziej szczegółowo

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07. PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 171065 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 299277 (22) Data zgłoszenia: 11.06.1993 (51) IntCl6: G01R 35/02 (54)

Bardziej szczegółowo

H03K 3/86 (13) B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 RZECZPO SPO LITA POLSKA. (21) Numer zgłoszenia:

H03K 3/86 (13) B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 RZECZPO SPO LITA POLSKA. (21) Numer zgłoszenia: RZECZPO SPO LITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 173599 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 304553 (22) Data zgłoszenia: 04.08.1994 (51) IntCl6: H03K 3/86 (

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Komparatory napięcia i ich zastosowanie

Liniowe układy scalone. Komparatory napięcia i ich zastosowanie Liniowe układy scalone Komparatory napięcia i ich zastosowanie Komparator Zadaniem komparatora jest wytworzenie sygnału logicznego 0 lub 1 na wyjściu w zależności od znaku różnicy napięć wejściowych Jest

Bardziej szczegółowo

(57) mochodowych, utworzony z transformatora o regulowanej liczbie (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 PL B1 H02M 7/02 H02J 7/02

(57) mochodowych, utworzony z transformatora o regulowanej liczbie (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 PL B1 H02M 7/02 H02J 7/02 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 188210 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia 3 2 6146 (22) Data zgłoszenia. 05.05.1998 (13) B1 (5 1) IntCl7 H02J 7/02 H02M

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

PL B1. Sposób i układ tłumienia oscylacji filtra wejściowego w napędach z przekształtnikami impulsowymi lub falownikami napięcia

PL B1. Sposób i układ tłumienia oscylacji filtra wejściowego w napędach z przekształtnikami impulsowymi lub falownikami napięcia PL 215269 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 215269 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 385759 (51) Int.Cl. H02M 1/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

PL B1. Układ do przetwarzania interwału czasu na słowo cyfrowe metodą kompensacji wagowej

PL B1. Układ do przetwarzania interwału czasu na słowo cyfrowe metodą kompensacji wagowej PL 227455 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 227455 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 413964 (22) Data zgłoszenia: 14.09.2015 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

PL B1. Układ i sposób zabezpieczenia generatora z podwójnym uzwojeniem na fazę od zwarć międzyzwojowych w uzwojeniach stojana

PL B1. Układ i sposób zabezpieczenia generatora z podwójnym uzwojeniem na fazę od zwarć międzyzwojowych w uzwojeniach stojana RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 199508 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 353671 (51) Int.Cl. H02H 7/06 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 29.04.2002

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 17/17. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 03/18

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 17/17. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 03/18 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 228251 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 420600 (51) Int.Cl. H02H 3/32 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 20.02.2017

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

PL B1. Układ zabezpieczenia od zwarć doziemnych wysokooporowych w sieciach średniego napięcia. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL

PL B1. Układ zabezpieczenia od zwarć doziemnych wysokooporowych w sieciach średniego napięcia. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 211182 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 385971 (51) Int.Cl. H02H 7/26 (2006.01) H02H 3/16 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. RYSZARD KOPKA, Opole, PL WIESŁAW TARCZYŃSKI, Opole, PL

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. RYSZARD KOPKA, Opole, PL WIESŁAW TARCZYŃSKI, Opole, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230965 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 423164 (51) Int.Cl. H02J 7/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 16.10.2017

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu

Bardziej szczegółowo

PL 183356 B1 H03K 17/687 G05F 1/44. Fig. 1 (19) PL (11) 183356 (12) OPIS PATENTOWY (13) B1. Siemens Aktiengesellschaft, Monachium, DE

PL 183356 B1 H03K 17/687 G05F 1/44. Fig. 1 (19) PL (11) 183356 (12) OPIS PATENTOWY (13) B1. Siemens Aktiengesellschaft, Monachium, DE RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (21) Numer zgłoszenia: 320932 (22) Data zgłoszenia: 03.07.1997 (19) PL (11) 183356 (13) B1 (51 ) IntCl7 H02J 1/04 H03K

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy

Bardziej szczegółowo

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu 11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

(13) B1 A61Η 39/02 H03K 3/335. (54) Sposób i układ do stymulacji punktów akupunkturowych

(13) B1 A61Η 39/02 H03K 3/335. (54) Sposób i układ do stymulacji punktów akupunkturowych RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 168509 (13) B1 ( 2 1) Numer zgłoszenia: 296472 (22) Data zgłoszenia: 03.11.1992 (51) IntCl6: A61H 39/00 A61Η 39/02 H03K 3/335 (54) Sposób i układ

Bardziej szczegółowo

PL B BUP 14/16

PL B BUP 14/16 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 229798 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 410735 (51) Int.Cl. G01R 19/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 22.12.2014

Bardziej szczegółowo

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1. Zespół blach przyłączeniowych do tranzystorów HV-IGBT w przekształtniku energoelektronicznym wysokonapięciowym

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1. Zespół blach przyłączeniowych do tranzystorów HV-IGBT w przekształtniku energoelektronicznym wysokonapięciowym PL 66868 Y1 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 119621 (22) Data zgłoszenia: 29.12.2010 (19) PL (11) 66868 (13) Y1

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacz operacyjny opisywany jest jako wzmacniacz prądu stałego, czyli wzmacniacz o sprzężeniach bezpośrednich, który charakteryzuje się bardzo dużym wzmocnieniem, wejściem różnicowym (symetrycznym)

Bardziej szczegółowo

Komparatory napięcia. Wprowadzenie. Wprowadzenie. Definicja. Najważniejsze parametry komparatorów napięcia:

Komparatory napięcia. Wprowadzenie. Wprowadzenie. Definicja. Najważniejsze parametry komparatorów napięcia: Komparatory napięcia Definicja Komparatorem napięcia nazywamy szerokopasmowy wzmacniacz operacyjny, którego napięcie wyjścio przyjmuje jedynie dwie skrajne wartości: minimalną lub maksymalną, przy czym

Bardziej szczegółowo

PL B1. Układ do pośredniego przetwarzania chwilowej wielkości napięcia elektrycznego na słowo cyfrowe

PL B1. Układ do pośredniego przetwarzania chwilowej wielkości napięcia elektrycznego na słowo cyfrowe PL 227456 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 227456 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 413967 (22) Data zgłoszenia: 14.09.2015 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 188152 (21) Numer zgłoszenia: 327709 (22) Data zgłoszenia: 23.07.1998 (13) B1 (51) Int.Cl.7: F24D 19/10

Bardziej szczegółowo

(43)Zgłoszenie ogłoszono: BUP 24/98

(43)Zgłoszenie ogłoszono: BUP 24/98 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 182117 (13) B1 (2 1) Numer zgłoszenia: 319966 (51 ) IntCl7 G 11C 7/16 H02H 3/08 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 14.05.1997 H03M 1/80 Rzeczypospolitej

Bardziej szczegółowo

PL 196881 B1. Trójfazowy licznik indukcyjny do pomiaru nadwyżki energii biernej powyżej zadanego tg ϕ

PL 196881 B1. Trójfazowy licznik indukcyjny do pomiaru nadwyżki energii biernej powyżej zadanego tg ϕ RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 196881 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 340516 (51) Int.Cl. G01R 11/40 (2006.01) G01R 21/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

PL B1 PRZEDSIĘBIORSTWO BADAWCZO- -PRODUKCYJNE I USŁUGOWO-HANDLOWE MICON SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, KATOWICE, PL

PL B1 PRZEDSIĘBIORSTWO BADAWCZO- -PRODUKCYJNE I USŁUGOWO-HANDLOWE MICON SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, KATOWICE, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 205621 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 368490 (22) Data zgłoszenia: 14.06.2004 (51) Int.Cl. H04L 29/00 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

Ogólny schemat blokowy układu ze sprzężeniem zwrotnym

Ogólny schemat blokowy układu ze sprzężeniem zwrotnym 1. Definicja sprzężenia zwrotnego Sprzężenie zwrotne w układach elektronicznych polega na doprowadzeniu części sygnału wyjściowego z powrotem do wejścia. Częśd sygnału wyjściowego, zwana sygnałem zwrotnym,

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 10/16. JAROSŁAW GUZIŃSKI, Gdańsk, PL PATRYK STRANKOWSKI, Kościerzyna, PL

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 10/16. JAROSŁAW GUZIŃSKI, Gdańsk, PL PATRYK STRANKOWSKI, Kościerzyna, PL PL 226485 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 226485 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 409952 (51) Int.Cl. H02J 3/01 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. Wykonanie ćwiczenia 1. Zapoznać się ze schematem ideowym układu ze wzmacniaczem operacyjnym. 2. Zmontować wzmacniacz odwracający fazę o

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

(54) (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 (13) B1 H02J 3/12

(54) (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 (13) B1 H02J 3/12 (54) RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 181465 (21) Numer zgłoszenia: 324043 (22) Data zgłoszenia: 17.05.1996 (86) Data i numer zgłoszenia

Bardziej szczegółowo

PL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13

PL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13 PL 222455 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 222455 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 399143 (51) Int.Cl. H02M 5/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).

Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 114 PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 9. Elektroniczne elementy przełączające Elementami

Bardziej szczegółowo

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19)PL (11) (13) B1

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19)PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19)PL (11)175879 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 308877 (22) Data zgłoszenia: 02.06.1995 (51) IntCl6: H03D 7/00 G 01C

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki 2014 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 6 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów

Bardziej szczegółowo

Szerokopasmowy wzmacniacz wysokonapięciowy. Przedsiębiorstwo Aparatury Elektronicznej ''Radiotechnika'', Wrocław, PL (43) Z głoszenie ogłoszono:

Szerokopasmowy wzmacniacz wysokonapięciowy. Przedsiębiorstwo Aparatury Elektronicznej ''Radiotechnika'', Wrocław, PL (43) Z głoszenie ogłoszono: RZECZPOSPOLITA ( 12) OPIS PATENTOWY (19) PL(1) 157378 POLSKA (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 274433 Urząd Patentow y (2)Data zgłoszenia: 27.08.1988 R zeczypospolitej Polskiej (51) IntCl5: G01R 13/22 Szerokopasmowy

Bardziej szczegółowo

(57) (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 PL B1

(57) (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 PL B1 R Z E C Z P O S P O L I T A P O L S K A (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 158919 (13) B1 ( 2 1) N u m e r zgło szen ia: 278822 (51) IntCl3: H03F 3/387 U rz ą d P a te n to w y R z e c z y p o sp o lite

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

PL 205372 B1. Wyłącznik próżniowy z napędem elektromagnesowym i kompensatorem elektrodynamicznym INSTYTUT TECHNIK INNOWACYJNYCH EMAG, KATOWICE, PL

PL 205372 B1. Wyłącznik próżniowy z napędem elektromagnesowym i kompensatorem elektrodynamicznym INSTYTUT TECHNIK INNOWACYJNYCH EMAG, KATOWICE, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 205372 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 369982 (22) Data zgłoszenia: 09.09.2004 (51) Int.Cl. H01H 47/32 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Liniowe układy scalone Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Wzmacniacze scalone Duża różnorodność Powtarzające się układy elementarne Układy elementarne zbliżone do odpowiedników dyskretnych, ale

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (21) Numer zgłoszenia: 318714 (22) Data zgłoszenia: 28.02.1997 (11)183420 (13) B1 (51) IntCl7 H02K 33/00 H02K

Bardziej szczegółowo

Instrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.

Instrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6. Instrukcja nr 6 Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.1 Wzmacniacz operacyjny Wzmacniaczem operacyjnym nazywamy różnicowy

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika Instrukcje do doświadczeń Elektronika 1 Spis doświadczeń 1 Dioda podstawowy obwód elektryczny...7 2 Dioda badanie charakterystyki...8 3 Dioda jako prostownik...9 4 LED podstawowy obwód elektryczny...10

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Schemat ideowy wzmacniacza Współczynniki wzmocnienia: - napięciowy - k u =U wy /U we - prądowy - k i = I wy /I we - mocy - k p = P wy /P we >1 Wzmacniacz w układzie

Bardziej szczegółowo

PL B1. Układ falownika obniżająco-podwyższającego zwłaszcza przeznaczonego do jednostopniowego przekształcania energii

PL B1. Układ falownika obniżająco-podwyższającego zwłaszcza przeznaczonego do jednostopniowego przekształcania energii PL 215665 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 215665 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386084 (51) Int.Cl. H02M 7/48 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

PL B1. Sposób i układ sterowania przemiennika częstotliwości z falownikiem prądu zasilającego silnik indukcyjny

PL B1. Sposób i układ sterowania przemiennika częstotliwości z falownikiem prądu zasilającego silnik indukcyjny RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 199628 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 367654 (51) Int.Cl. H02P 27/04 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 04.05.2004

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2015 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 5 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów

Bardziej szczegółowo