Wykład 11 Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego i szerokopasmowe

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Wykład 11 Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego i szerokopasmowe"

Transkrypt

1 Wykład 11 Wzmacniacze tranzystorowe prąd stałeo i szerokopasmowe Wrocław 2013

2 kład Darlintona C kład stosowany dy potrzebne dże wzmocnienie prądowe (np. do WK). C B C1 T1 C2 B C E1 = B2 T2 E E ' C B1 C1 B1 C2 C1 1 B1 C2 2E B1 B '

3 kład Darlintona C C r we r r be1 1 be2 B C1 T1 E1 = B2 C2 T2 ponieważ: C2 2 C1 r we otrzymjemy T 2rbe 1 2 ' C 1 r be 2 r be 1 1 zatem: E ponieważ: r r wy r ce1 ce2 r ce2 r ce1 otrzymjemy: 1 2 m r be2 r ce2 2r ce1 2 r wy r ce rce2 rce2

4 kład Darlintona C1 C C C Typowe kłady Darlintona mają órną częstotliwość raniczną rzęd kHz zastosowanie ich zatem do:... B T1 E1 = B2 C2 T2 B E kład Darlintona jest też stosnkowo wolny aby przyspieszyć proces wyłączenia (zwiększyć szybkość swania nośników z bazy T2) stosje się... jednak zimniejsza to... E

5 kład Darlintona (Sziklai) E kład Darlintona z przeciwstawnych tranzystorów. Gdy T1 jest p-n-p to cały kład zachowje się jak kład p-n-p, T2 wzmacnia prąd (T1 WE, T2 WK). B T1 ' 1 2 T2 B ' E ' 0, 6 V C r we r be ' T 1 C r 1 2 wy r ce 2

6 kład kaskody wprowadzenie WE - efekt Millera i 1 WE i b B X c bc Y i c C i 2 WY i l G be f ce 2 1 B1 B2 E G ~ be c be m be ce C L E E i 1 WE i b B X Y i c C i 2 WY i l G be ce 2 1 B1 B2 E G ~ be c be C X m be C Y ce C L E E c we c C c c 1 k be X be bc f 1 2 c r we we G

7 kład kaskody wprowadzenie kład WB i 1 WE i e E C i 2 WY i l G 1 eb cb 2 E eb c be i e c bc C L E G ~ B B r we r eb 1 m

8 kład kaskody WE WB schemat ideowy schemat zmiennoprądowy T1 pracje w konfiracji... T2 pracje w konfiracji... ze sterowaniem prądowym k T1 m obc m 1 m 1 c we wyeliminowany efekt Millera dla WE c be C X c be c k c c 2 bc 1 be bc

9 kład kaskody WE WB schemat ideowy schemat zmiennoprądowy Przez oba tranzystory płynie w przybliżeni ten sam C zatem: k T1T2 m C a f r f T ponadto: r rwy C we r bet1

10 kład WK WB + CC C WY T1 pracje w konfiracji... T2 pracje w konfiracji... ze sterowaniem napięciowym WE E - CC r wyt1 r wet2 1 mt 1 1 mt 2 oba tranzystory pracją przy tym samym C zatem mają takie same m dlateo: r wyt1 r wet 2

11 kład WK WB C + CC Zatem na E T2 występje połowa zmienneo napięcia wejścioweo i otrzymjemy: WE WY G m C2 C2 we 2 be2 1 2 a wzmocnienie napięciowe jest równe: m E k 1 2 G m C - CC r we 2r be r wy C

12 kład WK WB Wzmacniacz w konfiracji WK ma dżo większą częstotliwość raniczną w porównani do kład WE. Dlateo kład charakteryzje się bardzo dobrymi właściwościami częstotliwościowymi (porównywalnie z kaskodą). Wzmocnienie napięciowe zapewnia stopień WB. Lecz jest ono mniejsze niż dla kaskody. Zaletą kład jest kompensacja zmian temperatrowych napięcia BE (oraniczony wpływ temperatry) tranzystorów co nie występje w kaskodzie. Takie rozwiązanie kładowe jest stosowane w technice scalonej.

13 Wzmacniacze prąd stałeo W.p.s. są to symetryczne wzmacniacze dolnoprzepstowe o dwóch wejściach i jednym (wzmacniacz operacyjny) lb dwóch (wzmacniacz różnicowy) wyjściach, słżące do wzmacniania synałów o określonym paśmie częstotliwości włączając w to synały wolnozmienne i stałoprądowe. Do sprzęania kolejnych stopni oraz wejścia i wyjścia wzmacniacza nie stosje się... Wzmacniacze te zapewniają wzmocnienie synałów żytecznych (różnicowych) oraz tłmienie synałów niepożądanych (np. wejściowych smacyjnych). Na wej i wyj napięcie DC = 0. Synały niepożądane moą powstawać we wszystkich stopniach wzmacniacza, jednak największe ma znaczenie ma dryft stopnia wejścioweo, który podlea największem wzmocnieni. Z teo wzlęd stopnie te realizje się jako wzm. różnicowe (an. emitter-copled pair).

14 Wzmacniacze prąd stałeo Wzmacniacz operacyjny we1 we2 wy Wzmacniacz z wyjściem niesymetrycznym we1 we2 wy Wzmacniacz różnicowy we1 wy1 we1 we2 we2 wy2 wy2 wy1 Wzmacniacz z wyjściem symetrycznym

15 Wzmacniacz różnicowy Można zdefiniować dwa rodzaje synałów: - różnicowe wer we1 we2 wyr wy1 wy2 - smacyjne, zobrazowane na rys. wes wys 2 we1 we2 wy1 wy2 2

16 Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy 0.5wer we1 wy1 0.5wyr wes 0.5wer we2 wy2 0.5wyr wys ys.3. Sterowanie smacyjne wzmacniacza różnicoweo

17 Wzmacniacz różnicowy Zależności na WY wzmacniacza różnicoweo przybierają postać: - napięcie wyjściowe różnicowe: wyr K wer K S wes - napięcie wyjściowe smacyjne: wys K S wer K SS wes

18 Wzmacniacz różnicowy Poszczeólne wzmocnienia definijemy następjąco: wzmocnienie różnicowo różnicowe (powszechn. wzmocnienie różnicowe): K K S wyr wer wyr wes przy wes wzmocnienie różnicowo smacyjne (powszechn. wzmocnienie smacyjne): przy wzmocnienie smacyjno różnicowe: wer 0 0 wys KS przy wes 0 wer wzmocnienie smacyjno smacyjne: K SS wys wes przy wer 0.

19 Wzmacniacz różnicowy Najważniejszymi są wzmocnienia K i K S. Są to parametry charakterystyczne wzmacniacza różnicoweo. Na ich podstawie określa się dodatkowy parametr współczynnik tłmienia synał smacyjneo CM (an. Common Mode ejection atio). Współczynnik ten jest miarą jakości wzmacniacza różnicoweo. CM K K S

20 Wzmacniacz różnicowy Tranzystory bipolarne C1 C 2 m1 m2 C1 C2 WY A WY B WE 1 T1 T2 C E m + CC WE 2 - CC Podstawowa cecha w.r. jest zdolność wzmacniania różnicy wartości synałów wej. (tzw. różnicowych), tłmienia natomiast ich wspólnej części (tzw. wspólnych) możliwe jest zatem wzmacnianie małych syn. różnicowych na tle dżych syn. wspólnych. Sposoby sterowania: Wyjście kład:

21 Wzmacniacz różnicowy Sterowanie WE 1 C1 WY A T1 E1 WY B T2 E2 C2 + CC WE 2 Jeśli WE 0 to tzn. 1 WE 2 E1 E2 WY WY A 1 2 WY lb oraz B Sterowanie wspólne WE1 WE2 WY A WY B 0 K 0 S E Jeśli, np. WE1 WE2 - CC to E1 C1 E2 C2 WY WY A C1 C2 WY B 0 K 0 Sterowanie różnicowe

22 Wzmacniacz różnicowy Sterowanie + CC C1 C2 Podobnie jak dla sterownia smacyjneo, w.r. zachowje się w przypadk: WE 1 T1 WY A E1 WY B T2 E2 WE 2 - zmian parametrów tranzystora wywołanymi zjawiskami termicznymi; - zmiany napięć zasilających; - wystąpienia zakłóceń; E - wzmacniania parzystych harmonicznych napięć sterjących. - CC

23 Wzmacniacz różnicowy Parametry wzmacniacz symetryczny C1 C2 + CC K m C r ce WE 1 T1 WY A E1 WY B T2 E2 E WE 2 K S 0 CM K K S - CC rwer 2r be rbe rwes 1 2 E r wy Crce r C ce C

24 Stosowany np. dy: Wzmacniacz różnicowy Parametry wzmacniacz niesymetryczny - wzmacniany jest tylko jeden synał wej. (B drieo T na potencjale masy); - wyjście tylko z jedneo z C. K K S 1 2 C 2 E m C r ce CM K K S m E

25 Wzmacniacz różnicowy Prądowa charakterystyka przejściowa + CC C1 C2 WY A WY B WE 1 T1 T2 WE 2 E1 E2 E - CC

26 Wzmacniacz różnicowy Prądowa charakterystyka przejściowa Prądy kolektorów tranzystorów są opisane zależnościami: C1 0 E1 1 e wer T E 2 C 2 0 E1 1 e wer T E2 Napięcie wyjściowe różnicowe dane jest równaniem: wyr wer E1 E OBC th T 0 2

27 Wzmacniacz różnicowy Napięciowa charakterystyka przejściowa

28 Wzmacniacz różnicowy Liniowość kład Dla temperatry: T 300K T 26mV wzmacniacz pracje liniowo dla napięć wejściowy z zakres: mV mv wer T T 52 Aby zwiększyć liniowość wprowadza się sprzężenie zwrotne dla synałów różnicowych zrealizowane na rezystorach e.

29 Wzmacniacz różnicowy Poszerzenie zakres liniowej pracy kład + CC C1 C2 WY A WY B WE 1 T1 E E EE T2 WE 2 Dla wzmacniacza z poszerzonym zakresem liniowości zakres napięć wejściowych, dla których wzmacniacz pracje liniowo wynosi: wer - CC mV mv 52 T E E T E E E E E E Dla kład ze sprzężeniem zwrotnym wzmocnienie różnicowe wzmacniacza wynosi: K m 1 C m r ce E C r E ce

30 Wzmacniacz różnicowy Poszerzenie zakres liniowej pracy kład

31 Źródła prądowe stosowane we w.r. Zastosowanie źródeł prądowych: - zapewnienie przepływ stałeo prąd przez obciążenie źródła niezależnie od wartości obciążenia, - zapewnienie dżych wartości rezystancji dynamicznych przy małych spadkach napięcia

32 Źródła prądowe stosowane we w.r. Źródło z potencjometrycznym zasilaniem bazy 1 B 2 L WY E E WY + E C WY = const dopóki CE > CEsat WY r WY źr dyn E E d d WY WY B E r ce BE rbe E W szczeólności r WY przyjmje wartości, dy 1 2 << r be (aby nie wpływały na wartość r WY ): 1) dy E = 0 to r WY = r ce (rezystancji wyj. tranzystora), E 2) dy E << r be (r WY rośnie liniowo ze wzrostem E ) r WY r ce 1 E rce1 me rce k max E r be 3) dy E >> r be (r WY nie rośnie przy zwiększani E, jest to zatem max r WY dla tr.bip.) r WY ce rce r 1

33 Źródła prądowe stosowane we w.r. nne źródła źródło dla napięć dodatnich i jemnych E + E E Źródło dostarcza dodatnieo lb jemneo prąd o wartości proporcjonalnej do WE. T1 dy WE = 0 to 1 = 2 a WY = 0, 3 1 WY dy WE > 0 to 1 maleje, 2 rośnie a WY < 0. WE 3 2 T2 L WY źr 2 WE E E - E E

34 Źródła prądowe stosowane we w.r. Lstro prądowe + E C 2 WE C B WE 2 B L WY E C BE C 2 C WY C 2 WE WE - 2 B WE - 2 B jeśli E C >> BE, >>2, zatem: B T 1 T 2 BE B CQ WY E C CEQ EC WYC EC 1 C p.p. T 2 nie zależy od temp. ale od różnicy parametrów między T 1 a T 2

35 Źródła prądowe stosowane we w.r. Lstro prądowe WE WE - 2 B 2 B L WY WE - 2 B + E C ezystancja statyczna: ezystancja dynamiczna: stat dyn CEQ CQ EY CQ B T 1 T 2 B C BE nachylenie ce dyn stat bo EY CEQ EY npn ~ (80-200) V pnp ~ (40-150) V CE

36 Źródła prądowe stosowane we w.r. nne źródła źródło prądowe Wilsona L + E C Źródło o dżej dokładności i dżej rezystancji wyjściowej. WY= WE WY = WE WE B T 3 WE - B 2 B WE + B WE - B B T 1 T 2 B W kładzie możliwe jest wytworzenie całkowitych wielokrotności lb łamkowych części WE przez równolełe dołączenie do T2 lb T1 odpowiedniej liczby tranzystorów (identycznych). BE

37 Źródła prądowe stosowane we w.r. Zwiększenie wzmocnienia różnicoweo wzmacniacza CM zastosowanie źródeł prądowych i współczynnika Zwiększenie K zastąpienie rezystorów C lstrem prądowym obciążenie dynamiczne. Zastosowanie łównie technika scalona z powod trdności w realizacji dżych rezystancji w strktrze kładów scalonych.

38 Wzmacniacz różnicowy Z obciążeniem dynamicznym zwiększenie K + CC K m OBC T3 T4 WY K S L EE 3 WE 1 T1 T2 WE 2 L CM m OBC EE ( 2 3 L ) EE - CC OBC Lr r L ce4 ce4 r ce4 EY CQ4 Zwiększenie CM: - zwiększenie K źródło prądowe zamiast C - zmniejszenie K S zastosowanie źródła prądoweo zamiast EE.

39 Wzmacniacz różnicowy Zwiększenie K, zmniejszenie K S T3 T4 + CC K S 2 OBC ee WY dla EE dyn źr WE 1 T1 T2 WE 2 L K S 2 OBC dyn T6 T5 - CC dzie: dyn EY CQ5 CQ5 cc ee zr BE 6

40 Wzmacniacz różnicowy Analiza w fnkcji częstotliwości Wzmacniacz różnicowy wzmacnia napięcia stałe ale także napięcia zmienne. Obydwa wzmocnienia: różnicowe i smacyjne zależą od częstotliwości.

41 Wzmacniacz różnicowy Analiza w fnkcji częstotliwości Ks [db] +20dB/dek f E f [lo] Kr [db] -20dB/dek f f [lo] CM [db] -20dB/dek -40dB/dek f [lo]

42 Wzmacniacz różnicowy Analiza w fnkcji częstotliwości f 1 2C we f E 1 2 C C wy m r wy r b' e r b' e r bb' r bb 2 ' 2 C C 1 K ( j 0) we b' e C b' c C wy pojemność widziana od strony zacisków rezystora (lb źródła/lstra prądoweo) EE znajdjąceo się we wzmacniacz różnicowym. C m pojemności montażowe r wy rezystancja rezystora EE (lb wyjścia źródła/lstra prądoweo) znajdjąceo się we wzmacniacz różnicowym.

43 Wzmacniacz różnicowy Tranzystory polowe D1 D2 + DD K m D WE 1 T1 WY A WY B T2 WE 2 K S m 1 2 D SS m SS - DD CM m SS r wer r wes r wy D rds r D ds

44 Wzmacniacz różnicowy Tranzystory polowe Zalety zastosowania tranzystorów nipolarnych: - liniowość wzmacniacza wemax = (25)V dżo większa niż dla kład z tranzystorami bipolarnymi wemax = 52mV. - dżo większa rezystancja wejściowa wzmacniacza w porównani do rozwiązań z tranzystorami bipolarnymi Wada: - przy tych samych prądach polaryzacji wzmacniacz zbdowany na tranzystorach polowych ma dżo mniejsze wzmocnienie różnicowe ze wzlęd na małą wartość m.

45 Wzmacniacz różnicowy Tranzystory polowe MOSFET W strktrach scalonych wykorzystje się bardzo często wzmacniacze różnicowe zrealizowane kompleksowo z wykorzystaniem tranzystorów typ MOS. Typowe rozwiązanie.

46 Wzmacniacz różnicowy Tranzystory polowe MOSFET Prąd źródła prądoweo zależy od napięcia (charakterystyka przejściowa tranzystora). Wzmocnienie różnicowe: K 1 2 m1 ds1 m 1 m3 m4 ds3 ds2 1 ds4 przy pełnej symetrii tranzystorów M 3 i M 4 wyrażenie praszcza się do postaci: K ds2 m1 ds4

47 Wzmacniacz różnicowy Tranzystory polowe MOSFET Wzmocnienie smacyjne: K S r m1 ds3 1 2m 1rds5 Współczynnik CM: CM 1 ds3 2 ds2 m1 r ds4 ds3

48 Wzmacniacz różnicowy Tranzystory polowe MOSFET ezystancje wejściowe wzmacniacza: r wer r wes ezystancja wyjściowa wzmacniacza: r wy ds2 1 ds4

49 Wzmacniacz różnicowy zastosowanie Transkondktancyjne kłady mnożące WY dzie : x, y - napięcia wejściowe, k m = 1/E - stała skalowania, E - normjące napięcie odniesienia, zazwyczaj równe +10 V lb -10 V. k m x y x E y Operację mnożenia można zrealizować w kładach elektronicznych w sposób bezpośredni np. poprzez zastosowanie sterowaneo podział prąd lb zmiennej transkondktancji. Podstawowym blokiem stosowanym w różnych rozwiązaniach kładów mnożenia bezpośrednieo jest wzmacniacz różnicowy, w którym wydajność źródła prądoweo można relować dodatkowym napięciem Y.

50 Transkondktancyjne kłady mnożące Dwćwiartkowy mnożnik transkondktancyjny Napięcie sterjące X może być dodatnie lb jemne, natomiast napięcie Y (w tym rozwiązani) może być tylko dodatnie. Stąd efekt mnożenia może wystąpić tylko w pierwszej i trzeciej ćwiartce (kład dwćwiartkowy lb dwkwadrantowy).

51 Transkondktancyjne kłady mnożące Dwćwiartkowy mnożnik transkondktancyjny otrzymjemy: WY Korzystając za zależności: th x x 2 2 T T Źródło prądowe wzmacniacza ma wydajność opisaną zależnością: i 0 y 0 m y WY x x x 0 my Cth 0C 2 T 2 T óżnicowe napięcie wyjściowe wzmacniacza: dla i 0 C th 2 T x 2 xy mc 2 T T

52 Transkondktancyjne kłady mnożące Dwćwiartkowy mnożnik transkondktancyjny Pierwszy człon równania wyraża wzmocnienie napięcia X, natomiast dri mnożenie X Y. Gdy X = 0 to i WY = 0, natomiast dy Y = 0 to w oólnym przypadk WY 0. Oznacza to, że wyjście kład mnożnika dwćwiartkoweo jest zrównoważone wzlędem synał X, a nie jest zrównoważone wzlędem synał Y.. T y x C m T x C T x C y m WY th X m C X T Y m C ' 0 2 2

53 Transkondktancyjne kłady mnożące Dwćwiartkowy mnożnik transkondktancyjny x m C x T y m C WY ' 0 2 kład ten może być zatem traktowany jako wzmacniacz synał różnicoweo X o zmiennej transkondktacji m, modlowanej przez synał Y. kład ten jest nazywany również modlatorem pojedynczo zrównoważonym (wzlędem X ) T y x C m T x C T x C y m WY th

54 Transkondktancyjne kłady mnożące Czteroćwiartkowy mnożnik transkondktancyjny modlator podwójnie zrównoważony oba synały sterjące X i Y mają symetryczne wejścia różnicowe. W odróżnieni od kład dwćwiartkoweo, napięcie wyjściowe WY jest równe zer, jeśli tylko którykolwiek z synałów ( X lb Y ) jest równy zer.

55 Transkondktancyjny kłady mnożący zasada działania

56 Transkondktancyjny kłady mnożący zasada działania

57 Transkondktancyjny kłady mnożący zasada działania

58 Transkondktancyjny kłady mnożący zasada działania

59 Transkondktancyjne kłady mnożące Czteroćwiartkowy mnożnik transkondktancyjny T x y, C WY WY i y x T T x T y T x T x T x WY th i i th i th i i Wyjściowy prąd różnicowy kład wynosi: przy napięciach wejściowych: Napięcie wyjściowe kład dane jest zależnością:

60 Transkondktancyjne kłady mnożące Wadą ob prezentowanych mnożników transkondktancyjnych jest bardzo mały zakres napięć wejściowych przy których kład mnoży poprawnie. Można ten zakres liniowej pracy powiększyć dwoma sposobami: - zastosowanie tzw. przetwornika Gilberta, - zastosowanie we wzmacniaczach różnicowych dżych rezystancji emiterowych (powodje to znaczne zmniejszenie nieliniowości kład, ale jednocześnie zmniejsza nachylenie charakterystyk kład mnożąceo). Bardzo często stosje się oba sposoby linearyzacji jednocześnie.

61 Transkondktancyjne kłady mnożące Przetwornik Gilberta

62 Transkondktancyjne kłady mnożące Przetwornik Gilberta Para różnicowa jest sterowana napięciem na diodach D 1 i D 2. Jeżeli złącza diod i złącza baza-emiter tranzystorów mają takie same charakterystyki napięciowo prądowe to, przy zachowani warnków i A +i B =const, i 1 +i 2 =const, zachodzi proporcja: i i 2 1 i i A B Diody są zazwyczaj sterowane prądami kolektorowymi oddzielnej pary różnicowej, która może być zlinearyzowana poprzez zastosowanie rezystorów emiterowych, co powodje także linearyzację pracy pary różnicowej T 1, T 2.

63 Transkondktancyjne kłady mnożące Czteroćwiartkowy mnożnik transkondktancyjny - zlinearyzowany

64 Transkondktancyjne kłady mnożące Czteroćwiartkowy mnożnik transkondktancyjny - zlinearyzowany Napięcia wejściowe są powiązane z prądami wejściowymi zależnościami: i x óżnicowy prąd wyjściowy kład jest dany równaniem: i x x WY i y ixi 2 Napięcie wyjściowe obliczamy z zależności: k WY 2 i WY C 2 C dzie jest stałą mnożenia, różną zwykle 0.1 V -1. m 01xy 01 x y 01 C y y y x y k m x y

65 Transkondktancyjne kłady mnożące Czteroćwiartkowy mnożnik transkondktancyjny - zlinearyzowany Typowe zlinearyzowane charakterystyki kład mnożąceo i jeo symbol

66 Zapamiętać Co to jest kład Darlintona i Sziklai eo podstawowe własności, kład kaskody własności, kładd WK-WB własności, Wzmacniacz różnicowy: rodzaje wzmocnień współczynnik CM co daje zastosowanie obciążenia aktywneo, źródła prądoweo w emiterach, kład Gilberta, rezystorów w ob emiterach pary różnicowej kład transkondktancyjny dw i cztero-ćwiartkowy, mnożący działanie, własności

Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego i szerokopasmowe

Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego i szerokopasmowe Wzacniacze tranzystorowe prąd stałeo i szerokopasowe Wrocław 009 kład Darlintona kład stosowany dy potrzebne dże wzocnienie prądowe (np. do W). B B B + β ' B B β + ( ) B β β β B B β ' β β ( β + ) ββ +

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego

Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego Wzmacniacze tanzystoo pądu stałego Wocław 03 kład Dalingtona (układ supe-β) C kład stosowany gdy potzebne duże wzmocnienie pądo (np. do W). C C C B T C B B T C C + β ' B B C β + ( ) C B C β β β B B β '

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze Politechnika Białostocka Temat i plan wykładu Wydział Elektryczny Wzmacniacze 1. Wprowadzenie 2. Klasyfikacja i podstawowe parametry 3. Wzmacniacz w układzie OE 4. Wtórnik emiterowy 5. Wzmacniacz róŝnicowy

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu 11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

Układy zasilania tranzystorów

Układy zasilania tranzystorów kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions

Bardziej szczegółowo

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Liniowe układy scalone Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Wzmacniacze scalone Duża różnorodność Powtarzające się układy elementarne Układy elementarne zbliżone do odpowiedników dyskretnych, ale

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

A-3. Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych

A-3. Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych A-3. Wzmacniacze operacyjne w kładach liniowych I. Zakres ćwiczenia wyznaczenia charakterystyk amplitdowych i częstotliwościowych oraz parametrów czasowych:. wtórnika napięcia. wzmacniacza nieodwracającego

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące

Liniowe układy scalone. Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące Liniowe układy scalone Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące Wzmacniacze o wejściu symetrycznym Do wzmacniania małych sygnałów z różnych czujników, występujących na tle dużej składowej sumacyjnej (tłumionej

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz tranzystorowy

Wzmacniacz tranzystorowy Wzmacniacz tranzystorowy. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości jednostopniowego, tranzystorowego wzmacniacza napięcia. Wyniki pomiarów parametrów samego tranzystora jak i całego układu

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny zastosowania liniowe. Wrocław 2009

Wzmacniacz operacyjny zastosowania liniowe. Wrocław 2009 Wzmacniacz operacyjny zastosowania linio Wrocław 009 wzmocnienie różnico Pole wzmocnienia 3dB częstotliwość graniczna k D [db] -3dB 0dB/dek 0 db f ca f T Tłumienie sygnału wspólnego - OT ins M[ V / V ]

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Zastosowania nielinio wzmacniaczy operacyjnych Wrocław 2009 kłady logarytmjące kład logarytmjący powinien dawać proporcjonalne do logarytm. = k D log = k E ln gdzie: k D, k E stałe skalowania, k D = k

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone

Liniowe układy scalone Liniowe układy scalone Układy wzmacniaczy operacyjnych z elementami nieliniowymi: prostownik liniowy, ograniczniki napięcia, diodowe generatory funkcyjne układy logarytmujące i alogarytmujące, układy mnożące

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych cz. 3 podstawowe układy nieliniowe

Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych cz. 3 podstawowe układy nieliniowe Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych cz. 3 podstawowe układy nieliniowe Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ z 0 0-0-5 :56 PODSTAWY ELEKTONIKI I TECHNIKI CYFOWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie Badanie wzmacniaczy operacyjnych POLITECHNIKA KAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej Kierunek informatyka

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Zastosowania nielinio wzmacniaczy operacyjnych Wrocław 009 kład logarytmjący powinien dawać proporcjonalne do logarytm. = kd log = k E ln gdzie: k D, k E stałe skalowania, k D = k E ln0 napięcie normjące,

Bardziej szczegółowo

Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA

Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA WFiIS LABORATORIM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Temat i cel wykładu. Tranzystory POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12 PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 4

Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny parametry i zastosowania Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego (klasyka: Fairchild ua702) 1965 Wzmacniacze

Bardziej szczegółowo

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne e operacyjne Wrocław 2018 Wprowadzenie operacyjny jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne. N P E

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami wartości parametrów stabilizatorów parametrycznych

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE MOCY. Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe.

WZMACNIACZE MOCY. Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe. WZMACACZE MCY Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe. Wymagania i klasyfikacja uzyskanie małej rezystancji wyjściowej aby dostarczyć

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Wrocław 2015 Wprowadzenie jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). Wzmacniacz ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne.

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

Wiadomości podstawowe

Wiadomości podstawowe Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ 1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone

Liniowe układy scalone Liniowe układy scalone Wykład 3 Układy pracy wzmacniaczy operacyjnych - całkujące i różniczkujące Cechy układu całkującego Zamienia napięcie prostokątne na trójkątne lub piłokształtne (stała czasowa układu)

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOR BIPOLARNY

TRANZYSTOR BIPOLARNY Podstawy teoretyczne Materiały pomocnicze do ćwiczenia nr. 8 TANZYST PLANY 1.1. Tranzystor bipolarny. dowa, zasada działania. Tranzystor bipolarny jest przyrządem półprzewodnikowym o dwóch złączach p-n

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Schemat ideowy wzmacniacza Współczynniki wzmocnienia: - napięciowy - k u =U wy /U we - prądowy - k i = I wy /I we - mocy - k p = P wy /P we >1 Wzmacniacz w układzie

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY. Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych. Rodzaj wzmacniacza Rezystancja wejściowa Rezystancja wyjściowa

WZMACNIACZ OPERACYJNY. Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych. Rodzaj wzmacniacza Rezystancja wejściowa Rezystancja wyjściowa WZMACNIACZ OPEACYJNY kłady aktywne ze wzmacniaczami operacyjnymi... Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych odzaj wzmacniacza ezystancja wejściowa ezystancja wyjściowa Bipolarny FET MOS-FET Idealny

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki

Bardziej szczegółowo

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET Instrukcja nr 5 Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.1 Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy jest

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

Układy akwizycji danych. Komparatory napięcia Przykłady układów

Układy akwizycji danych. Komparatory napięcia Przykłady układów Układy akwizycji danych Komparatory napięcia Przykłady układów Komparatory napięcia 2 Po co komparator napięcia? 3 Po co komparator napięcia? Układy pomiarowe, automatyki 3 Po co komparator napięcia? Układy

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,

Bardziej szczegółowo

Badanie tranzystora bipolarnego

Badanie tranzystora bipolarnego Spis ćwiczeń: Badanie tranzystora bipolarnego Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego 2. Wyznaczanie rezystancji wejściowej 3. Rysowanie charakterystyk

Bardziej szczegółowo

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Laboratorium układów elektronicznych. Analogowe układy funkcyjne. Ćwiczenie numer 5. Zagadnienia do przygotowania. Literatura

Laboratorium układów elektronicznych. Analogowe układy funkcyjne. Ćwiczenie numer 5. Zagadnienia do przygotowania. Literatura Ćwiczenie numer 5 Analogowe układy funkcyjne Zagadnienia do przygotowania Układ logarytmujący i delogarytmujący z diodą w układzie sprzężenia zwrotnego Układ logarytmujący i delogarytmujący z kompensacją

Bardziej szczegółowo

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych Politechnika Wocławska Podstawo koniacje wzmacniaczy tanzystoowych Wocław 00 Politechnika Wocławska Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zastosowany element steowany: -- lampo -- tanzystoo Politechnika

Bardziej szczegółowo

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacze Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Zasilanie Z i I we I wy E s M we Wzmacniacz wy Z L Masa Wzmacniacze 2 Podział wzmacniaczy na klasy Klasa A ηmax

Bardziej szczegółowo

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*. EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Odpowiedzi do zadań dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia (okręgowe) Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x,

Bardziej szczegółowo

Akustyczne wzmacniacze mocy

Akustyczne wzmacniacze mocy Akustyczne wzmacniacze mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową, sposobem projektowania oraz parametrami wzmacniaczy mocy klasy AB zbudowanych z użyciem scalonych wzmacniaczy

Bardziej szczegółowo

Programy CAD w praktyce inŝynierskiej

Programy CAD w praktyce inŝynierskiej Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechniki Łódzkiej Programy CAD w praktyce inŝynierskiej dr inż. Piotr Pietrzak pietrzak@dmcs dmcs.p..p.lodz.pl pok. 54, tel. 63 6 0 www.dmcs dmcs.pl

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii

Bardziej szczegółowo

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych. Komparatory.

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych. Komparatory. Zastosowania nielinio wzmacniaczy operacyjnych. Komparatory. Wrocław 009 kłady logarytmjące kład logarytmjący powinien dawać proporcjonalne do logarytm. k D log k E ln gdzie: k D, k E stałe skalowania,

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych

Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych Mgr inż. Łukasz Kirchner Lukasz.kirchner@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/lkirchner Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill kłady półprzewodnikowe.tietze,

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

Przetworniki C/A. Ryszard J. Barczyński, 2016 Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Przetworniki C/A. Ryszard J. Barczyński, 2016 Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Przetworniki C/A Ryszard J. Barczyński, 2016 Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Przetwarzanie C/A i A/C Większość rzeczywistych sygnałów to sygnały analogowe. By je przetwarzać w dzisiejszych

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE RÓŻNICOWE

WZMACNIACZE RÓŻNICOWE WZMACNIACZE RÓŻNICOWE 1. WSTĘP Wzmacniacz różnicowy działa na zasadzie układu mostkowego składającego się z dwóch tranzystorów. Układ taki już od dawna znany był w technice pomiarowej. Z chwilą pojawienia

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.

Bardziej szczegółowo