Półprzewodniki typu n, p, złącze p-n - diody
|
|
- Amalia Smolińska
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Półprzewodniki typu n, p, złącze p-n - diody Wrocław 2016 Ciało stałe Ciało, którego cząstki (atomy, jony) tworzą trwały układ przestrzenny (sieć krystaliczną) w danych warunkach (tzw. normalnych). Ruchy cząstek są ograniczone prawie wyłącznie do drgań wokół ich położeń równowagi (elektrony walencyjne słabsze wiązania z jądrem atomu ze względu na drgania cieplne oraz siły wzajemnego oddziaływania) 1
2 Energetyczny model pasmowy E.m.p. przedstawia strukturę energetyczną c.s. i służy do opisu właściwości elektronu w przestrzeni sieci krystalicznej tego ciała. Na podstawie modelu wyjaśnia się istotę przewodnictwa. Model energetyczny: a) atomu: E P energia w stanie podstawowym (walencyjnym), E W energia w stanie wzbudzonym, E pasmo zabronione (przerwa energetyczna) określa wartość energii potrzebną do uwolnienia elektronu b) ciała stałego Energetyczny model pasmowy Model energetyczny: - atomy (elektrony) znajdują się w określonych stanach energetycznych - dozwolone stany (poziomy) energetyczne oddzielone są strefami zabronionymi (przerwami energetycznymi) - atom (elektron) może zmienić swoją energię tylko skokowo - wiąże się to z pobraniem/oddaniem przez atom energii określonej przerwą energetyczną 2
3 Energetyczny model pasmowy - Oba pasma: podstawowe i przewodnictwa obsadzone są przez elektrony walencyjne. - Pozostałe elektrony są silnie związane z atomem i całkowicie wypełniają powłoki (orbity). - Odłączenie ich od atomu powoduje jego zniszczenie!!!!! - Wzajemne położenie pasm: podstawowego i przewodnictwa oraz liczba elektronów walencyjnych decydują o właściwościach elektrycznych ciała stałego. Dielektryki Ze względu na właściwości elektryczne, ciała stałe dzieli się na: izolatory (dielektryki) -duża rezystywność Ωm Ωm, -brak elektronów swobodnych (walencyjnych), -pasmo podstawowe całkowicie obsadzone przez elektrony -elektrony nie występują w paśmie przewodnictwa -duża szerokość pasma zabronionego 10eV -nie możność przejścia elektronu w stan przewodnictwa, -pod wpływem wysokiego U, dielektryk ulega przebiciu i zniszczeniu 3
4 Przewodniki przewodniki -mała rezystywność 10-9 Ωm 10-6 Ωm, -brak pasma zabronionego pasma podst.i przew.zachodzą na siebie -w paśmie przewodnictwa znajduje się bardzo dużo elektronów swobodnych -przyłożenie niewielkiego napięcia powoduje przepływ prądu -wzrost temperatury powoduje wzrost rezystancji Najlepszymi przewodnikami są metale ciała stałe o budowie krystalicznej zawierające elektrony swobodne. Półprzewodniki półprzewodniki -rezystywność 10 4 Ωm 10 8 Ωm, -przerwa energetyczna ev -w temp. pokojowej występują elektrony w paśmie przewodnictwa - wraz ze wzrostem temperatury rezystancja półprzewodnika maleje - działając na półprzewodnik: ciepłem, promieniowaniem, polem elektrycznym lub magnetycznym łatwo jest przenieść elektron z pasma podstawowego do pasma przewodnictwa 4
5 Rezystywność materiałów Dziury i elektrony Atom krzemu (Si) ma 14 elektronów (1 orbita 2el., 2 orbita 8el., 3 orbita 4el.). E. z ostatniej orbity, decydujące o właściwościach chemicznych i elektry., nazywane są elektronami walencyjnymi. Niewzbudzony atom jest obojętny elektrycznie, ale pod wpływem energii zewnętrznej (ciepło, prom.świetlne) e. mogą zostać oderwane, jonizując atom. Energia jonizacji (aktywacji) tym większa im e. bliżej jądra. 5
6 Dziury i elektrony Wyrwany z wiązania e. może poruszać się w krysztale (nie jest związany z żadnym jądrem) e. swobodne. Każdy wyrwany e. pozostawia dodatnio naładowany jon dziurę. Utworzony w ten sposób ładunek może poruszać się od atomu do atomu brakujący e. może być uzupełniany z sąsiedniego atomu gdzie z kolei powstaje jon dodatni (dziura). W krysztale przemieszcza się dziura! (dodatni ładunek). Dziury i elektrony Przejście pomiędzy poziomami - generacja i rekombinacja; pary dziura elektron. Prąd w półprzewodniku: - elektronowy w paśmie przewodnictwa w kierunku elektrody dodatniej - dziurowy w paśmie podstawowym w kierunku elektrody ujemnej 6
7 Półprzewodniki samoistne półprzew - samoistny.swf Samoistne niedomieszkowane (koncentracja elektronów = koncentracji dziur). IV grupa układu okresowego: - węgiel - krzem - german - antymonek galu (GaSb) - arsenek galu (GaAs) - itd. Półprzewodniki domieszkowane Obecność zanieczyszczeń w krysztale bądź innych zakłóceń struktury krystalicznej wiąże się z wystąpieniem dodatkowych poziomów energetycznych wewnątrz pasma zabronionego. Poziomów donorowych w pobliżu pasma przewodnictwa, Poziomów akceptorowych w pobliżu pasma walencyjnego. 7
8 Półprzewodniki domieszkowane Wprowadzenie domieszki zakłócenie atomowe sieci krystalicznej zwiększenie konduktywności. Podstawowe pierwiastki gr. IV: german i krzem domieszkuje się pierwiastkami z - gr. III: B borem, Al glinem, Ga galem, In - indem - gr. V: P fosforem, As arsenem, Sb antymonem, Bi - bizmutem Półprzewodniki półprzew - n.swf Rodzaje domieszek: - donorowa (pierwiastkiem pięciowartościowym) typ n półprzewodnika (nadmiarowy przewaga elektronów ładunek - ) 8
9 Półprzewodniki półprzew - p.swf Rodzaje domieszek: - akceptorowa (pierwiastkiem trójwartościowym) typ p półprzewodnika (niedomiarowy dziurowy nośniki +) Półprzewodniki Zależność przewodnictwa półprzewodników domieszkowanych od temperatury 9
10 Półprzewodniki Termistory NTC Termistory NTC (Negative Temperature Coefficient) Wraz ze wzrostem temperatury maleje ich rezystancja Półprzewodniki Termistory NTC - zastosowanie 10
11 Półprzewodniki Termistory NTC - zastosowanie Półprzewodniki Termistory PTC Termistory PTC (Positive Temperature Coefficient) Wraz ze wzrostem temperatury rośnie ich rezystancja 11
12 Półprzewodniki Termistory PTC - zastosowanie Np. w sterowaniu diodami LED dużej mocy, systemach samochodowych np. w układach kontroli świateł stopu. Zbyt wysoka temperatury pracy diody LED powoduje skrócenie jej czasu eksploatacji. By ograniczyć jej temperaturę pracy stosuje się rezystory stałe. Takie jednak rozwiązanie nie pozwala na maksymalne wykorzystanie maksymalnej jasności świecenia diody LED. Zastosowanie termistora PTC pozwala na zwiększenie jasności świecenia gdy dioda jest jeszcze zimna, a gdy jej temperatura rośnie, termistor PTC zaczyna ograniczać prąd płynący przez diodę. Powoduje to, że dioda pracuje w dopuszczalnym zakresie prądów dla danej temperatur Półprzewodniki Termistory - zastosowanie Układy pomiarowe Stabilizatory temperatury Układy zabezpieczające obwody elektroniczne Stabilizacja punktu pracy układów elektronicznych Układy opóźniające Układy startowe silników Odmagnesowania kineskopów Liniowość i precyzja półprzewodnikowych mierników temperatury jest słaba. Zaletą natomiast jest za to ich duża czułość. 12
13 Półprzewodniki Warystory Warystor (ang. VDR - Voltage Dependent Resistor) to rezystor, którego wartość rezystancji zmniejsza się silnie wraz ze wzrostem napięcia. Warystory produkuje się obecnie najczęściej z granulowanego tlenku cynku, domieszkowanego różnymi pierwiastkami jak Bi, Mn, Sb, Si, itd., uformowanego w pastylkę. Półprzewodniki Warystory A stała materiałowa, β współczynnik nieliniowości. Stałe A i β zależą od rodzaju materiału półprzewodnikowego, technologii wykonania i rodzaju warystora. 13
14 Półprzewodniki Warystory Warystory wykonuje się z masy złożonej z proszku węglika krzemu SiC (karborundu) i ceramicznego spoiwa - o kształcie walcowym (typu WN) - o kształcie dyskowym (typu WD). Zastosowanie - zabezpieczanie urządzeń przed przepięciami, - ochronniki przepięciowe i wysokonapięciowe (w telewizorach), - ochrona linii wysokiego napięcia, - zabezpieczenie telefonów, modemów i innych urządzeń podłączonych do linii telefonicznej, - odgromniki oraz zabezpieczenie transformatorów. Złącze p-n W obszarze P, wskutek obecności domieszek akceptorowych, koncentracja dziur jest większa od koncentracji elektronów (dziury nośnikami większościowymi). W N odwrotnie (większościowe elektrony). Poza warstwą graniczną istnieje stan równowagi między ładunkami domieszek a elektronami i dziurami. Na styku obszarów P i N wskutek dużej różnicy koncentracji ruchomych nośników ładunku następuje dyfuzja nośników większościowych: dziur z P do N, elektronów z N do P. Po przejściu ładunków następuje rekombinacja. Powstaje warstwa zaporowa. 14
15 Złącze p-n Polaryzacja złacze p-n.swf Polaryzacja w kierunku przewodzenia (a) U jest przeciwne do U D zatem bariera potencjałów maleje o wartość U, zmniejsza się również szerokość warstwy zaporowej (zaczyna się przechodzenie elektronów z N do P i dziur z P do N). Polaryzacja w kierunku zaporowym (b) wskutek zgodności U z U D bariera potencjałów zwiększa się o U a warstwa zaporowa rozszerza się. Przez złącze płynie niewielki prąd nośników mniejszościowych (wsteczny). I D Złącze p-n Charakterystyka U + D U D = I g exp 1 IS exp 1 2ϕT ϕt I g prąd generacyjno-rekombinacyjny (składowa I R ) I S prąd nasycenia (składowa I R ) φ T potencjał termiczny elektronów =kt/e=26mv dla T=300K 15
16 Dioda półprzewodnikowa U D I D D I D U D = I S exp 1 nϕt I S efektywny prąd nasycenia ( A) n współczynnik niedoskonałości (1 2) Dioda półprzewodnikowa Model R U D R S R U rezystancja upływu (rzędu MΩ) istotna w kierunku zaporowym R S rezystancja szeregowa (ułamki Ω) istotna w kierunku przewodzenia 16
17 Dioda półprzewodnikowa Model dynamiczny R U D C 0 R S Przy szybkich zmianach sygnału wymuszającego istotne są pojemności złącza C 0 pojemność obudowy, C d pojemność dyfuzyjna, (stan przewodzenia), C j pojemność złączowa (stan zaporowy) C j C d Dla ωτ t <<1 C d = I Dτ t nϕ T τ t czas przejścia (życia nośników mniejszościowych) n - wsp. niedoskonałości Dioda półprzewodnikowa Parametry katalogowe I F - prąd przewodzenia F forward - przewodzenia AV(M)- average -średni (maksymalny) RMS real mean square skuteczny SM surge maximum - impulsowy maksymalny (niepowtawrzalny) U F - napięcie przewodzenia I R prąd wsteczny R(M) reverse (maximum) - wsteczny (maksymalny) U R napięcie wsteczne RRM repetitive reverse maximum SM surge maximum - impulsowy maksymalny (niepowtawrzalny) 17
18 Dioda półprzewodnikowa Parametry katalogowe Symbol U RRM [V] I R [ua] U F [V] I F [A] U FM [V] I FSM [A] t rr [ns] C[pF] U RRM zastosowanie 1N Dioda prostownicza 1A 1N Dioda prostownicza 1A 1000V BA /4V Szybka prostownicza 1N n A/1us Szybka przełączana 1N m ? 40 Prostownicza Shottky BAT Shottky SDT06S60 Silicon-carbide Szybka, wysokonapięciowa, mocy; Shottky DSEP12-12A ? Szybka, wysokonapięciowa, mocy Dioda półprzewodnikowa Recovery time t rr (czas wyłączania) I D U D E D R U~I D 18
19 Dioda półprzewodnikowa Budowa Dioda prostownicza 19
20 Dioda prostownicza Cechy charakterystyczne: - duża powierzchnia warstw zaporowych - niewielkie częstotliwości pracy (głównie 50 lub 100Hz) - szeroki zakres mocy dopuszczalnych - stosowane głównie w układach zasilających do prostowania prądów przemiennych Parametry: I 0 max średni prąd przewodzenia (prąd znamionowy w kierunku przewodzenia) U RRM szczytowe napięcie wsteczne diody Dioda prostownicza 20
21 Dioda prostownicza Dioda prostownicza Przy polaryzacji diody napięciem gwałtownie zmieniającym znak daje o sobie znać wada złącza p-n, polegająca na tym, że po przejściu ze stanu przewodzenia do zaporowego potrzebny jest określony czas na usunięcie nośników z obszaru złącza (ang. reverse recovery time, trr) I D U D E D R U~I D 21
22 Dioda impulsowa (przełączana) Diody przeznaczone do pracy w układach impulsowych muszą charakteryzować się małym czasem włączania i wyłączenia. Zmniejszenie czasu trr można osiągnąć na przykład poprzez: odpowiednią geometrię złącza (krótka droga nośników), wprowadzenie gradientu domieszek w obszarze złącza, wprowadzenie centrów rekombinacji (dodatkowych defektów), zastosowanie złącza metal półprzewodnik Dioda impulsowa (przełączana) Dioda Schottky ego Dioda zbudowana jako złącze półprzewodnika typu n z metalem Dioda charakteryzująca się bardzo szybką zmianą warunków polaryzacji. Najważniejszy parametr t rr. Nazywany czasem ustalania ch-yki wstecznej. Im większy I F tym większy ładunek zgromadzony w złączu PN i dłuższy czas t rr. Skrócenie czasu przez zwiększenie prądu rozładowania I R szybciej usuwany ładunek ze złącza. Istotna także pojemność C przy napięciu wstecznym U RRM. Im mniejsza C tym większa szybkość przełączania. 22
23 Dioda stabilizacyjna Stabilistor lub dioda Zenera umożliwia stabilizację napięcia prądu stałego. Dioda stabilizacyjna Najprostszy stabilizator parametryczny 23
24 Dioda stabilizacyjna Układ ograniczający napięcie Dioda stabilizacyjna Parametry Napięcie Zenera (3V3 30V; 200V 240V) Prąd minimalny (3 5 ma) Moc (1 10W) Rezystancja dynamiczna (10 300Ω) Minimalna dla U z =7V5 Współczynnik temperaturowy (-5 +15%/K) Zerowy dla U Z 5V1 24
25 Dioda stabilizacyjna Parametry Dioda pojemnościowa Zastosowania, w których wykorzystuje się zjawisko zmian pojemności warstwy zaporowej złącza PN pod wpływem napięcia polaryzacji. C j ( U D = 0) C j = m U 1 D V j Warikap (VARIable CAPacitance) dioda o zmiennej pojemności do przestrajania obwodów rezonansowych (BB113,109,105) Waraktor (VARiable reactor) dioda o zmiennej reaktancji element nieliniowy stosowany w mikrofalach 25
26 Dioda tunelowa Dioda o cienkiej (ok.10nm) warstwie zaporowej uzyskiwanej wskutek silnego domieszkowania złącza PN możliwe są tunelowe przejścia nośników między pasmami walencyjnym i przewodnictwa. Podstawowe zastosowanie generatory i wzmacniacze mikrofalowe (300MHz kilkaset GHz) 26
Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - diody
Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - diody Wrocław 2010 Ciało stałe Ciało, którego cząstki (atomy, jony) tworzą trwały układ przestrzenny (sieć krystaliczną) w danych warunkach (tzw. normalnych).
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoRyszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe. Model diody półprzewodnikowej Shockley a. Dioda półprzewodnikowa U D >0 model podstawowy
iody półprzewodnikowe Model diody półprzewodnikowej Shockley a U U + U gr0 exp 1 0 exp 1 2ϕT ϕt gr0 prąd generacyjno-rekombinacyjny 0 prąd nasycenia φ T potencjał termiczny elektronów kt/e26mv dla T300K
Bardziej szczegółowo2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.
2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN
Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wprowadzenie Budowa atomu: a) model starożytny b) model J.J. Thompsona c) model E. Rutherforda
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoWARYSTORY, TERMISTORY, DIODY.
WARYSTORY, TERMISTORY, DIODY. 1. Warystory. Warystor jest rezystorem, którego wartośd rezystancji zmniejsza się silnie wraz ze wzrostem napięcia. Warystory produkuje się obecnie najczęściej z granulowanego
Bardziej szczegółowoZłącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowoStruktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 4: Diody półprzewodnikowe
Elementy elektroniczne Wykłady 4: Diody półprzewodnikowe Część pierwsza Diody - wprowadzenie Diody półprzewodnikowe - wprowadzenie Podstawowe równanie: AK R exp 1 mt proszczenia w zakresie przewodzenia
Bardziej szczegółowoInstytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka
Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.
WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoMiłosz Andrzejewski IE
Miłosz Andrzejewski IE Diody Diody przepuszczają prąd tylko w jednym kierunku; służą do prostowania. W tym celu używa się ich w: prostownikach wchodzących w skład zasilaczy. Ogólnie rozpowszechnione są
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoEL08s_w03: Diody półprzewodnikowe
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez
Bardziej szczegółowoW1. Właściwości elektryczne ciał stałych
W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza)
Instrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza) Laboratorium Elektroenergetyki 1 1. Cel i program ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: zapoznanie się z budową diody półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe. Stabilizator - dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) Logiczna bramka NAND. w.7, p.1
Układy nieliniowe Układy nieliniowe odgrywają istotną rolę w nowoczesnej elektronice, np.: generatory sygnałów, stabilizatory, odbiorniki i nadajniki w telekomunikacji, zasialcze impulsowe stałego napięcia
Bardziej szczegółowoMATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE
MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE Półprzewodniki obejmują obszerną grupę materiałów, które ze względu na przewodnictwo elektryczne zajmują pośrednie miejsce pomiędzy metalami a izolatorami. Półprzewodniki stanowią
Bardziej szczegółowoRys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)
Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowo4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.
4. Diody 1 DIODY PROSTOWNICE Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. jawisko prostowania: przepuszczanie przez diodę prądu w jednym kierunku, wtedy gdy chwilowa polaryzacja diody jest
Bardziej szczegółowo1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza
Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe cz II
Diody półprzewodnikowe cz II pojemnościowe Zenera tunelowe PIN Schottky'ego Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe
Przyrządy półprzewodnikowe Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T Metal
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika
Nazwisko... Data... Nr na liście... Imię... Wydział... Dzień tyg.... Godzina... Ćwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika Tabela I. Metal Nazwa próbki:
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoPrzewodniki, półprzewodniki i izolatory
Przewodniki, półprzewodniki i izolatory Według współczesnego poglądu na budowę materii zawiera ona w stanie normalnym albo inaczej - obojętnym, równe ilości elektryczności dodatniej i ujemnej. JeŜeli takie
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK
Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika
Bardziej szczegółowoSERIA IV ĆWICZENIE 4_3. Temat ćwiczenia: Badanie termistorów i warystorów. Wiadomości do powtórzenia:
SERIA IV ĆWICZENIE 4_3 Temat ćwiczenia: Badanie termistorów i warystorów. Wiadomości do powtórzenia: 1. Rodzaje, budowa, symbole, zasada działania i zastosowanie termistorów i warystorów. 2. Charakterystyka
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 6 WYBRANE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wprowadzenie
Ćwiczenie 6 WYRANE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE 1. el ćwiczenia Większość z dostępnych na rynku urządzeń elektronicznych wymaga zasilania napięciem i prądem stałym. Jak wiadomo, napięcie i prąd w gniazdkach
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoPÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową.
PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową. 1 Półprzewodniki Półprzewodniki to ciała stałe nieorganiczne lub organiczne o przewodnictwie
Bardziej szczegółowoRóżne dziwne przewodniki
Różne dziwne przewodniki czyli trzy po trzy o mechanizmach przewodzenia prądu elektrycznego Przewodniki elektronowe Metale Metale (zwane również przewodnikami) charakteryzują się tym, że elektrony ich
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe. Stabilizator dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) w.9, p.1
Układy nieliniowe Układy nieliniowe odgrywają istotną rolę w nowoczesnej elektronice, np.: generatory sygnałów, stabilizatory, odbiorniki i nadajniki w telekomunikacji, zasialcze impulsowe stałego napięcia
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna
Półprzewodniki samoistne Struktura krystaliczna Si a5.43 A GaAs a5.63 A ajczęściej: struktura diamentu i blendy cynkowej (ZnS) 1 Wiązania chemiczne Wiązania kowalencyjne i kowalencyjno-jonowe 0K wszystkie
Bardziej szczegółowoZłącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoDIODY SMK WYK. 7 W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, W-wa 1987
DIODY SMK WYK. 7 W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, W-wa 1987 DIODY IMPULSOWE - diody przeznaczone do zastosowań w układach impulsowych, w których najczęściej spełniają one
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 241. Wyznaczanie ładunku elektronu na podstawie charakterystyki złącza p-n (diody półprzewodnikowej) .. Ω.
Nazwisko... Data... Nr na liście... Imię... Wydział... Dzień tyg.... Godzina... Ćwiczenie 241 Wyznaczanie ładunku elektronu na podstawie charakterystyki złącza p-n (diody półprzewodnikowej) Opór opornika
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoBADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie
Bardziej szczegółowoWYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.
Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.1/10 ĆWICZENIE 1 WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.CEL ĆWICZENIA: Zapoznanie się z podstawowymi
Bardziej szczegółowoI. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA
1 I. DIODA LKTROLUMINSCNCYJNA Cel ćwiczenia : Pomiar charakterystyk elektrycznych diod elektroluminescencyjnych. Zagadnienia: misja spontaniczna, złącze p-n, zasada działania diody elektroluminescencyjnej
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe. Stabilizator dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) w.9, p.1
Układy nieliniowe Układy nieliniowe odgrywają istotną rolę w nowoczesnej elektronice, np.: generatory sygnałów, stabilizatory, odbiorniki i nadajniki w telekomunikacji, zasialcze impulsowe stałego napięcia
Bardziej szczegółowoWykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
Bardziej szczegółowoEFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE
ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoTEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH
TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH Skolektywizowane elektrony w metalu Weźmy pod uwagę pewną ilość atomów jakiegoś metalu, np. sodu. Pojedynczy atom sodu zawiera 11 elektronów o konfiguracji 1s 2 2s 2 2p 6 3s
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ
Bardziej szczegółowoDiody prostownicze. częstotliwo. ową 50 Hz) przy znacznych lub zgoła a duŝych mocach wydzielanych w obciąŝ
Diody 1 Diody prostownicze Ogólna charakterystyka Diodami prostowniczymi nazywa się diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. W domyśle rozumie się prostowanie prądu o małej częstotliwo stotliwości
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowo1. PÓŁPRZEWODNIKI 1.1. PODSTAWOWE WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW
1. PÓŁPRZEWODNIKI 1.1. PODSTAWOWE WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW Najprostsza definicja półprzewodników brzmi: "Półprzewodniki są materiałami, których rezystywność 1 jest większa niż rezystywność przewodników
Bardziej szczegółowoBadanie półprzewodnikowych elementów bezzłączowych
Instrukcja do ćwiczenia: Badanie półprzewodnikowych elementów bezzłączowych (wersja robocza) Laboratorium Elektroenergetyki 1 1. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: Poznanie podstawowych właściwości i
Bardziej szczegółowoPOMIAR ZALEŻNOŚCI OPORU METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY
ĆWICZENIE 44 POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORU METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY Cel ćwiczenia: Pomiar zależności oporu elektrycznego (rezystancji) metalu i półprzewodnika od temperatury oraz wyznaczenie temperaturowego
Bardziej szczegółowoWybrane elementy elektroniczne. Rezystory NTC. Rezystory NTC
Wybrane elementy elektroniczne Rezystory NTC Czujniki temperatury Rezystancja nominalna 20Ω 40MΩ (typ 2kΩ 40kΩ) Współczynnik temperaturowy -2-5% [%/K] Max temperatura pracy 120 200 (350) [ºC] Współczynnik
Bardziej szczegółowoPodstawy krystalografii
Podstawy krystalografii Kryształy Pojęcie kryształu znane było już w starożytności. Nazywano tak ciała o regularnych kształtach i gładkich ścianach. Już wtedy podejrzewano, że te cechy związane są ze szczególną
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoCzym jest prąd elektryczny
Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,
Bardziej szczegółowoPrzerwa energetyczna w germanie
Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Bardziej szczegółowoSkończona studnia potencjału
Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach
Bardziej szczegółowona dnie (lub w szczycie) pasma pasmo jest paraboliczne, ale masa wyznaczona z krzywizny niekoniecznie = m 0
Koncepcja masy efektywnej swobodne elektrony k 1 1 E( k) E( k) =, = m m k krzywizna E(k) określa masę cząstek elektrony prawie swobodne - na dnie pasma masa jest dodatnia, ale niekoniecznie = masie swobodnego
Bardziej szczegółowo!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Bardziej szczegółowoWykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoelektryczne ciał stałych
Wykład 23: Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ 08.06.2017 1 2 Własności elektryczne
Bardziej szczegółowoELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA
NWERSYTET TECHNOLOGCZNO-PRZYRODNCZY W BYDGOSZCZY WYDZAŁ NŻYNER MECHANCZNEJ NSTYTT EKSPLOATACJ MASZYN TRANSPORT ZAKŁAD STEROWANA ELEKTROTECHNKA ELEKTRONKA ĆWCZENE: E7 BADANE DODY PROSTOWNCZEJ DODY ZENERA
Bardziej szczegółowoBase. Paul Sherz Practical Electronic for Inventors McGraw-Hill 2000
Złącze p-n Base Paul Sherz Practical Electronic for Inventors McGraw-Hill 2000 Dyfuzja aż do stanu równowagi 6n+3p+6D Dipol ładunku elektrycznego 6p+3n+6A Pole elektryczne Nadmiarowe nośniki mniejszościowe
Bardziej szczegółowoDiody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.
Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,
Bardziej szczegółowoPrawo Ohma. qnv. E ρ U I R U>0V. v u E +
Prawo Ohma U>0V J v u J qnv u - E + J qne d J gęstość prądu [A/cm 2 ] n koncentracja elektronów [cm -3 ] ρ rezystywność [Ωcm] σ - przewodność [S/cm] E natężenie pola elektrycznego [V/cm] I prąd [A] R rezystancja
Bardziej szczegółowo