INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY

INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2007-2013, Priorytet 1 Badania i Rozwój Nowoczesnych Technologii, Działanie 1.3 Wsparcie Projektów B+R na rzecz przedsiębiorców realizowanych przez jednostki naukowe Poddziałanie 1.3.1 Projekty rozwojowe tytuł projektu: Technologia doświadczalna wbudowywania elementów rezystywnych i pojemnościowych wewnątrz płytki drukowanej POIG.01.03.01-00-031/08 Zadanie 5: Badania materiału nowej generacji - kompozytu warstwy rezystywnej i warstwy pojemnościowej Warszawa, 30 czerwca 2011

Spis Treści 1. Wprowadzenie... 2 2. Opracowanie koncepcji konstrukcji rezystorów cienkowarstwowych i kondensatorów na podstawie dotychczasowych doświadczeń (Poddziałanie 5.1)... 3 3. Próby doświadczalne formowania rezystorów i kondensatorów w ramach jednego procesu (poddziałanie 5.2)... 8 4. Wpływ operacji technologicznych na wielkość zmian wartości charakterystycznych (poddziałanie 5.3) 13 5. Literatura... 14

1. Wprowadzenie Celem badań prowadzonych w niniejszym zadaniu było opracowanie podstaw technologicznych i przeprowadzenie prób doświadczalnych operacji formowania wbudowanych elementów rezystywnych i pojemnościowych w warunkach, w których operacje te stanowią kolejne etapy jednego procesu technologicznego obróbki samonośnego rdzenia zbudowanego z cienkiej warstwy pojemnościowej i bardzo cienkiej warstwy rezystywnej. Opracowana zostanie koncepcja konstrukcji elementów wbudowanych oraz sposób prowadzenia procesu technologicznego obróbki samonośnego rdzenia. Zestawienie wszystkich uzyskanych wyników oraz ich szczegółowe omówienie znajduje się w sprawozdaniu z tego zadania. Przyjęto następujące założenia: a) Formowanie elementów rezystywnych i pojemnościowych będzie prowadzone na nowym unikalnym materiale stanowiącym kombinację dwóch wyrobów: cienkowarstwowego materiału rezystywnego OhmegaPly i materiału pojemnościowego FaradFlex. Nowy materiał jest kompozytem R/C składającym się z cienkiej warstwy pojemnościowej FaradFlex o grubości 24 µm, zamkniętej między dwoma foliami miedzianymi, z których jedna ma nałożoną warstwę rezystywną NiP od strony kontaktu z warstwą pojemnościową; b) Wielkość i kształt formowanych elementów rezystywnych i pojemnościowych zostaną dobrane na podstawie doświadczeń technologicznych i wytycznych konstrukcyjnych przedstawionych w sprawozdaniach z realizacji badań nad technologiami formowania i wbudowywania cienkowarstwowych rezystorów (patrz Zadanie 1) i kondensatorów (patrz Zadanie 4); c) Płytki testowe w postaci płytek drukowanych wielowarstwowych z rdzeniem zawierającym elementy pojemnościowe i rezystywne będą realizowane w procesie nabudowywania dwustronnego materiału RCC; d) Materiały technologiczne służące do obróbki warstwy rezystywnej i warstwy pojemnościowej będą takie same jak materiały stosowane w oddzielnych technologiach obróbki materiału rezystywnego OhmegaPly i materiału pojemnościowego FaradFlex BC24; e) Próby doświadczalne, w części dotyczącej trawienia warstwy rezystywnej, będą prowadzone w warunkach laboratoryjnych. Próby trawienia miedzi w celu formowania okładek kondensatorów i mozaiki ścieżek miedzi jak również proces prasowania płytek wielowarstwowych, będą prowadzone na urządzeniach produkcyjnych będących na wyposażeniu Zakładu C1 - Centrum Innowacji Technologii Płytek Drukowanych Instytutu Telei Radiotechnicznego. Ocena jakości wytworzonych wbudowanych elementów planarnych będzie prowadzona w oparciu o: kontrolę mikroskopową topografii rezystorów, pomiary rezystancji elektrycznej rezystorów, 2

2. Opracowanie koncepcji konstrukcji rezystorów cienkowarstwowych i kondensatorów na podstawie dotychczasowych doświadczeń (Poddziałanie 5.1) Rozwój technologii wbudowywania elementów pasywnych wewnątrz wielowarstwowej płytki drukowanej był odpowiedzią na zapotrzebowanie producentów urządzeń elektronicznych związane z koniecznością zaoszczędzenia powierzchni na płytce dla podzespołów czynnych i i/lub zmniejszenia wymiarów płytki, zwiększenia jej funkcjonalności, obniżenia kosztów, poprawy osiągów i nieuszkadzalnosci urządzeń. Problemy te były dyskutowane uprzednio, przy realizacji dotychczasowych zadań. W prezentowanej pracy przedstawiono badania materiału, którego zastosowanie pozwala na nowe spojrzenie na technologię wbudowywania elementów biernych lub rozszerzenie jej wykorzystania. Obecnie w wielowarstwowych płytkach drukowanych materiały pojemnościowe są wykorzystywane jako materiał rozdzielający płaszczyzny zasilania/uziemienia, a materiały rezystywne są wbudowywane w warstwy sygnałowe lub płaszczyzny zasilania nie będące częścią rdzeni pojemnościowych. W konsekwencji w konstrukcję płytki wprowadza się wiele rdzeni o różnym przeznaczeniu, co podnosi koszt wyrobu. Nowy materiał zawiera na tym samym podłożu zarówno materiał pojemnościowy o bardzo małej grubości i wyższej wartości stałej dielktrycznej D k jak i bardzo cienką warstwę rezystywną. W aplikacjach konstruowanych z udziałem nowego materiału szczególną uwagę przykłada się do warstwy pojemnościowej. Aby zwiększyć prędkość działania i funkcjonalność systemów elektronicznych projektanci zespołów wzajemnych połączeń kładą szczególny nacisk na dostarczenie wystarczającej pojemności w obrębie płytki obwodu drukowanego lub obudowy struktury półprzewodnikowej. Zwraca się także uwagę na zmniejszenie impedancji, zakłóceń zasilania i interferencji magnetycznej. Drogą, która prowadzi do tego celu, jest wbudowanie warstwy pojemnościowej wewnątrz płytki drukowanej lub obudowy struktury półprzewodnikowej. Umieszczenie warstwy pojemnościowej wewnątrz płytki drukowanej zmniejsza całkowitą impedancję systemu rozdziału mocy, a wprowadzenie części kondensatorów wewnątrz płytki uwalnia powierzchnię zewnętrzną dla podzespołów czynnych. Zmniejszona induktancja jest czynnikiem kluczowym pozwalającym na zmniejszenie impedancji w miarę jak wrasta częstotliwość systemu. Dotychczas standardowym materiałem stosowanym na wbudowane warstwy pojemnościowe jest żywica epoksydowa wzmacniana włóknem szklanym. Ten rodzaj materiału przyczynił się do zwiększenia osiągów elektrycznych wielu systemów. Trend w kierunku zwiększenia szybkości przełączania narzucił konieczność wprowadzenia płaszczyzn zasilania/uziemienia o jeszcze mniejszej impedancji. W tym celu zostały opracowane materiały z grupy FaradFlex. Stanowią one pierwsze opatentowane podłoże na bazie warstwy polimerowej, które dostarcza wyższych wartości pojemności i bardzo cienką warstwę dielektryka, pozwalających na znacząco niższą impedancję rozdziału mocy i tłumienie pików rezonansowych. Według danych producentów [1] wprowadzenie nowego kompozytu na rynek pozwala na uzyskanie następujących korzyści: 3

wyrób w postaci kompozytu będącego bardzo cienkim laminatem, rezystancja i pojemność umieszczone w jednym rdzeniu, konstrukcja wyrobu przydatna zwłaszcza dla projektów o dużej gęstości upakowania, możliwość realizowania sieci rezystorów i kondensatorów wewnątrz wielowarstwowej płytki drukowanej, poprawa integralności sygnału przez lepsze dopasowanie impedancji, poprawa sygnału w warunkach zakłóceń, standardowy proces subtraktywny wytwarzania płytki drukowanej, lepsza efektywność kosztowa w porównaniu z wbudowywaniem oddzielnych rdzeni z warstwą rezystywną i z warstwą pojemnościową. Budowa kompozytu i jego charakterystyka Kompozyt warstwy rezystywnej i pojemnościowej jest zbudowany z dwóch arkuszy folli miedzianej, między którymi znajduje się cienka warstwa dielektryka. Na jedną z tych folii naniesiono uprzednio cienką warstwę rezystywną NIP. Warstwa ta stanowi materiał do formowania rezystorów. Na arkusz miedzi od strony warstwy rezystywnej naprasowuje się warstwę dielektryka. Dielektryk stanowi mieszaninę termoutwardzalnej żywicy epoksydowej i różnych żywic termoplastycznych. Budowę kompozytu przedstawiono na rys.2.1 [1]. Folia Cu stanowiąca okładkę kondensatora zbudowanego z dielektryka FaradFlex Warstwa rezystywna OhmegaPly zbudowana z materiału NiP Warstwa dielektryczna FaradFlex stanowiąca rdzeń kondensatora Rys. 2.1. Budowa kompozytu R/C Na rynku praktycznie znany i wykorzystywany jest jeden produkt handlowy, który powstał w wyniku kooperacji firmy Ohmega Technologies, Inc. i firmy Oak Mitsui Technologies. Nowy wyrób stanowi kombinację dwóch znanych materiałów: cienkowarstwowego materiału rezystywnego OhmegaPly i materiału pojemnościowego FaradFlex. Nowy, opatentowany wyrób umożliwia projektantom umieszczanie na jednym rdzeniu, wewnątrz wielowarstwowej płytki drukowanej, zarówno wbudowanych rezystorów jak i płaszczyzn o rozdzielonej pojemności. Nowy wyrób handlowy sprzedawany jest pod nazwą Ohmega-Ply /FaradFlex. Jest on zbudowany z materiału Ohmega-Ply RCM (thin-film resistive-conductive material) sprasowanego z dielektrykiem FaradFlex BC24M. Obecnie na rynku nowy wyrób dostępny jest w rezystancjach: 10, 25, 50, 100 i 250 Ω/kwadrat. 4

Operacje formowania elementów rezystywnych i pojemnościowych na tym samym rdzeniu Proces formowania elementów rezystywnych i pojemnościowych jest procesem wieloetapowym i trudnym, w którym wymagana jest duża dokładność wykonania na każdym etapie procesu technologicznego. Na rys. 2.2 przedstawiono schemat ideowy kolejnych operacji obróbki kompozytu R/C pozwalających na formowanie elementów pojemnościowych i rezystywnych na jednym rdzeniu i w jednym procesie [9]. Technologie, które stanowiły przedmiot badań omówionych w prezentowanym projekcie jako Zadanie 1 Opracowanie podstaw technologicznych i konstrukcyjnych wbudowanych rezystorów cienkowarstwowych i Zadanie 4 Opracowanie podstaw technologicznych i konstrukcyjnych wbudowanych kondensatorów cienkowarstwowych dotyczyły formowania elementów pojemnościowych i elementów rezystywnych na oddzielnych rdzeniach i w oddzielnych procesach. W prezentowanych badaniach stosowany jest proces wielostopniowego trawienia folii Cu i warstwy rezystywnej w celu uformowania mozaiki rezystorów i elektrod kondensatorów na jednym rdzeniu. Wszystkie materiały fotochemiczne oraz roztwory stosowane w kolejnych operacjach trawienia miedzi oraz warstwy rezystywnej NiP niniejszego zadania są takie same jak w technologii formowania rezystorów i kondensatorów cienkowarstwowych. Elektrody elementu pojemnościowego formuje się usuwając niepotrzebną miedź i materiał rezystywny w trakcie pierwszej operacji trawienia miedzi i operacji trawienia materiału rezystywnego. W celu uformowania elementu rezystywnego niezbędne jest przeprowadzenie drugiej operacji trawienia miedzi, w której następuje selektywne usunięcie miedzi bez naruszenia warstwy rezystywnej. Według oceny producenta, w przypadku zarówno materiałów z wypełniaczem jak i bez wypełniacza, dielektryk jest wystarczająco mocny, aby można było można było prowadzić trawienie po obu stronach laminatu jednocześnie. Dla materiału z dużą ilością wypełniacza wymagana jest obróbka sekwencyjna. Oznacza to trawienie miedzi tylko z jednej strony w celu uformowania dolnej płaszczyzny kondensatora, a następnie laminowanie tej strony za pomocą preimpregnatu, który podtrzymuje cienki materiał pojemnościowy w trakcie trawienia górnej warstwy miedzi i warstwy rezystywnej. 5

Materiał OhmegaPly/FaradFlex BC24 Grubość dielektryka: 24 µm Grubość folii miedzianej: 35 µm Etap 1 Nakładanie fotorezystu na obie strony laminatu Pierwszy proces naświetlania od strony folii miedzianej z warstwą rezystywną Etap 2 Etap 3 Pierwszy proces trawienia miedzi Usunięcie niepotrzebnej miedzi w celu dostępu do warstwy rezystywnej stosując standardowy roztwór trawiący Usunięcie fotorezystu z obu stron laminatu Proces trawienia materiału rezystywnego Usunięcie niechcianego materiału rezystywnego stosując roztwór siarczanu miedzi Nakładanie fotorezystu na obie strony laminatu. Drugi proces naświetlania Etap 4 Etap 5 Drugi proces trawienia miedzi Usunięcie niechcianej miedzi z powierzchni projektowanego rezystora i z dolnej strony laminatu stosując selektywny alkaliczny środek trawiący Rezystor Elektroda Kondensator Etap 6 Elektroda Usunięcie fotorezystu Rdzeń z warstwą pojemnościową i rezystywną gotowy do operacji nakładania tlenków na powierzchni miedzi i procesu prasowania Rys. 2.2. Schemat ideowy kolejnych operacji procesu formowania samonośnego rdzenia z elementami rezystywnymi i elementami pojemnościowymi Po zakończeniu procesu formowania elementów pojemnościowych i rezystywnych następuje proces naprasowania dodatkowych warstw wewnętrznych i warstw zewnętrznych płytki drukowanej. Proces prasowania poprzedzony jest operacją nakładania tlenków miedzi. 6

Uwagi dotyczące materiałów i procesów technologicznych Realizując zadania 4 i 5 uzyskano znaczące doświadczenie w procesach obróbki, a zwłaszcza w procesach trawienia, kompozytów rezystywnych i pojemnościowych. Podstawowym problemem, który wystąpił zwłaszcza w obróbce kompozytów zawierających wyłącznie warstwę pojemnościową, jest fakt, że są to materiały bardzo cienkie. W prezentowanym zadaniu 5 stosowany kompozyt R/C BC24 jest także materiałem bardzo cienkim (folia Cu 35 µm x2 + dielektryk o grubości 24 µm umieszczony miedzy foliami Cu). Badany samonośny kompozyt pojemnościowy (zadanie 4) był także bardzo cienki, ale procesy mokre stosowane do formowania okładek kondensatorów były stosunkowo proste. W konsekwencji zastosowane ramy do mocowania cienkiego laminatu w celu przepuszczenia go przez standardowe urządzenie trawiące okazały się rozwiązaniem możliwym do przyjęcia dla przyjętego zakresu badań. W przypadku kompozytu R/C skala trudności formowania elementów rezystywnych i pojemnościowych na jednym rdzeniu i w jednym procesie jest znacznie większa, ze względu na kilka różnych operacji trawienia i znaczące miejscowe zmiany w grubości wytrawionego laminatu (możliwość zaginania lub łamania warstwy dielektryka). Niektórzy producenci płytek drukowanych są wyposażeni w urządzenia specjalnie przystowane do obróbki laminatów bardzo cienkich. Na rysunku 2.6 przedstawiono różnice w rozmieszczeniu dysz natryskowych i konstrukcji podajników automatycznych urządzeń trawiących do płytek standardowych i do płytek ultra cienkich. Trawienie laminatów standardowych Trawienie laminatów ultra cienkich Rys. 2.3 Rozwiązania konstrukcji podajników urządzeń trawiących w zależności od ich przeznaczenia. Należy zwrócić uwagę na fakt, że określenie ultra cienki nie jest jednoznaczne. Zaliczają się do nich kompozyty z dielektrykiem o grubości od 25µm do 50 µm (np. FaradFlex BC24) i małej stałej dielektrycznej; można je obrabiać na urządzeniach pozwalających na manipulowanie laminatami o podobnej grubości. Zwykle są to materiały samonośne, co oznacza, że materiał jest wystarczająco mechanicznie mocny do przechodzenia samodzielnie przez kolejne etapy obróbki. Do materiałów ultracienkich zalicza się także materiały z dielektrykiem o grubości <25 µm i dużej stałej 7

dielektrycznej np. FaradFlex BC 12 TM lub BC 16T. Zwykle nie są to materiały samonośne i wymagają specjalnych metod obróbki w procesie produkcji płytki drukowanej. Podejmując się wdrożenia wbudowywania elementów biernych wewnątrz płytki drukowanej producent powinien dysponować pracownikami o dużym doświadczeniu w manipulowaniu bardzo cienkimi materiałami. 3. Próby doświadczalne formowania rezystorów i kondensatorów w ramach jednego procesu (poddziałanie 5.2) Opracowanie płytek testowych Do badań opracowano płytkę testową zawierającą układ obwodu drukowanego złożony z kondensatora i rezystora tworzące filtr dolnoprzepustowy. Zaprojektowano pięć filtrów na częstotliwości: 0,5 MHz, 1 MHz, 5 MHz, 10 MHz, 50 MHz. Formatkę technologiczną z zaprojektowanymi filtrami przedstawiono na rysunku 3.1. 8

Rys. 3.1. Topografia formatki technologicznej płytki testowej oznaczonej kodem ID88. Użyty do badań kompozyt FaradFlex/Ohmega składał się z cienkiej warstwy pojemnościowej BC24M o grubości 24 µm, zamkniętej między dwoma foliami miedzianymi, z których jedna ma nałożoną warstwę rezystywną NiP od strony kontaktu z warstwą pojemnościową o rezystancji powierzchniowej 25 Ω/kwadrat. Grubość miedzi wynosiła 38 µm. Na rysunku 2 przedstawiono budowę użytego do badań kompozytu FaradFlex/Ohmega. 9

Warstwa Cu Warstwa NiP Warstwa dielektryka Warstwa Cu Rys. 3.2. Budowa kompozytu FaradFlex/Ohmega. Wszystkie zaprojektowane rezystory miały szerokość 0,5 mm. Wykonano dwie wersje rezystorów. Jedna posiadała długość definiującą rezystancję rezystora, bez uwzględniania poprawek, a wynikającą bezpośrednio z obliczeń wymiarów geometrycznych i rezystancji powierzchniowej (tabela 1), długość drugiej była zredukowana o 15% w celu kompensacji zmian rezystancji w poszczególnych operacja technologicznych. Pojemność warstwy pojemnościowej wynosiła 170 pf/cm 2. W tabeli 1 przedstawiono podstawowe dane konstrukcyjne filtrów. Tabela 3.1. Parametry zaprojektowanych filtrów. Lp. R [kω] R długość [mm] C [pf] C wymiary [mm] f graniczna [Hz] 1. 1,000 20,00 318,31 13,68x13,68 500 000,244 2. 0,330 6,60 482,29 16,84x16,84 999 996,089 3. 0,150 3,00 212,21 11,17x11,17 4 999 923,897 4. 0,082 1,64 194,09 10,69x10,69 10 000 080,270 5. 0,056 1,12 56,84 5,78x5,78 50 000 966,851 Na rysunku 3.3 przedstawiono pojedyncza płytkę testową z zaprojektowanymi filtrami. Rys. 3.3. Topografia płytki testowej wykonanej z materiału R/C 10

Proces technologiczny Technologia wykonania płytek testowych, przedstawiona na rysunku 2.2 została zmodyfikowana. Modyfikacja wynikała z powodu występującego zagrożenia uszkodzenia warstwy materiału rezystywnego NiP. W celu zabezpieczenia tej warstwy przed uszkodzeniem pierwszym etapie wykonywano trawienie jednej warstwy okładek kondensatorów po przeciwnej stronie położenia warstwy NiP. Dzięki takiemu rozwiązaniu materiał FaradFlex/Ohmega nadal pozostawał materiałem samonośnym (nietrawiona warstwa miedzi nadaje kompozytowi odpowiednią sztywność) i dodatkowo cienka warstwa rezystywna nadal znajdowała się pod grubą zabezpieczającą warstwą miedzi. Po wytrawieniu pierwszej strony okładek wykonano naprasowanie kompozytu FaradFlex/Ohmega na sztywny, jednostronnie pokryty miedzią rdzeń FR4 przy pomocy łączącego te dwa materiały preimpregnatu 106. Po tej operacji wykonano trawienie okładek kondensatorów, mozaikę połączeń i pierwszy etap trawienia rezystorów (trawienie definiujące szerokość rezystorów) na drugiej stronie materiału FaradFlex/Ohmega. Na tym etapie wytrawiono również mozaikę po przeciwległej stronie na doprasowanym materiale FR4. Po zdefiniowaniu szerokości rezystorów usuwano zbędną warstwę rezystywną NiP. Następnie nakładano fotopolimer, po wywołaniu, którego dokonywano kolejne trawienie miedzi definiujące długość rezystorów. Po tych operacjach uzyskano elementy pojemnościowe i rezystywne, które w wbudowywano do wnętrza płytki drukowanej w procesie laminowania. Dzięki przedstawionej technologii, która schematycznie pokazana jest na rysunku 3.4 unika się narażeń cienkiej warstwy rezystywnej na przypadkowe, ewentualne uszkodzenia w wyniku zginania po wytrawieniu okładek kondensatorów. Ponadto również sam materiał FaradFlex/Ohmega jest mniej narażony na zniszczenia (zgięcia, rozerwania), które mogłyby powstać w wyniku nieodpowiedniego obchodzenia się z nim, bądź w przypadku uszkodzenia powstałego podczas transportu w urządzeniach technologicznych. 11

1. Przygotowanie materiału 7. Trawienie warstwy NiP 2. Nakładanie fotopolimeru 8. Nakładanie fotopolimeru 3. Pierwsze trawienie miedzi 9. Trzecie trawienie miedzi 4. Prasowanie kompozytu FaradFlex/Ohmega ze sztywnym laminatem 10. Rezystory i kondensatory wytworzone z kompozytu FaradFlex/Ohmega kondensator 5. Nakładanie fotopolimeru rezystor 6. Drugie trawienie miedzi Prasowanie (wbudowywanie do wnętrza płytki drukowanej elementów biernych) fotopolimer Cu NiP dielektryk Cu preimpregnat 106 FR4 fotopolimer Rys. 3.4. Schemat procesu wytwarzania rezystorów i kondensatorów z materiału FaradFlex/Ohmega. 12

4. Wpływ operacji technologicznych na wielkość zmian wartości charakterystycznych (poddziałanie 5.3) Stosując przedstawioną schematyczni powyżej technologię wykonano płytki testowe z filtrami dolnoprzepustowymi zaprezentowanymi na rysunku 3.3 Na każdej z płytek testowych wykonano pomiary pojemności kondensatorów i rezystancji wytworzonych rezystorów cienkowarstwowych. Pomiar rezystancji rezystorów cienkowarstwowych Pomiar wartości rezystancji rezystorów przeprowadzono metodą czteropunktową z wykorzystaniem precyzyjnego multimetru cyfrowego firmy Agilent serii 34401A zapewniającego dokładność pomiaru na poziomie ±0,01Ω. Pomiar wykonano po każdym z trzech głównych etapów wytwarzania (po trawieniu miedzi, nakładaniu tlenków oraz prasowaniu Pomiar pojemności kondensatorów Pomiar wartości pojemności kondensatorów przeprowadzono za pomocą precyzyjnego mostka RLC firmy HAMEG typ HM8118, który wyposażono w odpowiednie kable koncentryczne zestawione w konfiguracji trzech terminali 3T. Tego typu rozwiązanie powoduje ograniczenie wpływu pasożytniczych pojemności na wynik pomiaru. Pomiar pojemności wykonano jedynie po procesie prasowania. Nie wykonano natomiast pomiaru pojemności kondensatorów po nakładaniu tlenków, ponieważ nie było to możliwe ze względów technologicznych. Zalaminowanie jednej okładki podczas pierwszego procesu prasowania uniemożliwiło pomiar pojemności kondensatorów. Wykonanie otworów pomiarowych na odpowiednią głębokość zarówno laserowo jak i mechanicznie spowodowałoby zmiany w strukturze materiału, bądź uszkodzenie mechaniczne okładki wykonanej w miedzi. Podsumowanie W zadaniu wykonano próby doświadczalne formowania rezystorów i kondensatorów w ramach jednego procesu. Przeprowadzono proces technologiczny wykonywania rezystorów i kondensatorów z kompozytu FaradFlex/Ohmega pozwalający na dokładne odwzorowanie elementów biernych i jednocześnie minimalizujący ryzyko uszkodzenia cienkiego laminatu i położonej na nim warstwy rezystywnej. Do badań zaprojektowano prosty układ rezystora z kondensatorem tworzący filtr dolnoprzepustowy. W sumie zostało zaprojektowane pięć filtrów na jednej na płytce, natomiast na formatce technologicznej umieszczono dwadzieścia pojedynczych płytek. Podczas badań doświadczalnych ustalono że zaproponowany proces technologiczny i sposób dokładnego pozycjonowania warstw jest odpowiedni do wytwarzania płytek z elementami wbudowanymi wytwarzanymi z kompozytu dwufunkcyjnego FaradFlex/Ohmega. 13

5. Literatura 1. Omega/FaradFlex. Embedded Resistance-Capacitance Technology. Materiały firm Ohmega Techmologies, Inc. i OAK MITSUI Technologies, 2. FaradFlex. When enhanced performance is required. Materiały firmy OAK-MITSUI Technologies 3. Materiały firmy Ohmega Technologies, Inc www.ohmega.com/ohmply.html 4. John Andresakis i inni, Substrate with Combined Embedded Capacitance and Resistance for Better Electrical Performance and Higher Integration Oak-Mitsui Technologies, Ohmega Technologies Inc. 5. Ohmega_Processing_Version_1.9, Materiały firmy Omega Technologies Inc. www.ohmega.com. Version 1.9. 6. Ohmega Technologies and Oak-Mitsui Technologies Introduce New Embedded Passive Product, Circuit Tree, February 22, 2005 7. Omega/FaradFlex Specifications and Properties for 1R25/BC24. Materiały firmowe 8. John Andresakis, Embedded Capacitors, VP of Strategic Technology, OAK-MITSUI Technologies, November 2005 9. John Adresakis, Pranabes Pramanik OAK-MITSUI Technologies i Dan Bradler, Dong Nong Omega Technologies, Inc., Novel Substrate with Combined Capacitance and Resistance for Better Electrical Performance and Higher Integration, February 2006 14