Parametry układów cyfrowych

Podobne dokumenty
Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk

Technika Cyfrowa 2 wykład 4: FPGA odsłona druga technologie i rodziny układów logicznych

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)

LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych

Podstawowe bramki logiczne

Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Cyfrowe układy kombinacyjne. 5 grudnia 2013 Wojciech Kucewicz 2

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

Projekt Układów Logicznych

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

FTF-S1XG-S31L-010D. Moduł SFP+ 10GBase-LR/LW, jednomodowy, 10km, DDMI. Referencja: FTF-S1XG-S31L-010D

Ćwiczenie nr 9 Układy scalone CMOS

Badanie właściwości multipleksera analogowego

Wejścia logiczne w regulatorach, sterownikach przemysłowych

3. Funktory CMOS cz.1

Ćw. 8 Bramki logiczne

PRZERZUTNIKI: 1. Należą do grupy bloków sekwencyjnych, 2. podstawowe układy pamiętające

Bramki logiczne V MAX V MIN

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Tranzystor jako element cyfrowy

BRAMKI. Konspekt do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu TECHNIKA CYFROWA

Zjawiska w niej występujące, jeśli jest ona linią długą: Definicje współczynników odbicia na początku i końcu linii długiej.

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:

Synteza układów kombinacyjnych

LABORATORIUM z przedmiotu ALGORYTMY I PROJEKTOWANIE UKŁADÓW VLSI

1 Kombinacyjne układy logiczne

Cyfrowe układy scalone

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

LABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI Badanie Bramki X-OR

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

Systemy cyfrowe z podstawami elektroniki i miernictwa Wyższa Szkoła Zarządzania i Bankowości w Krakowie Informatyka II rok studia

Zaprojektowanie i zbadanie dyskryminatora amplitudy impulsów i generatora impulsów prostokątnych (inaczej multiwibrator astabilny).

Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74HC00, 74HCT00, 7403, 74132

Funkcje logiczne X = A B AND. K.M.Gawrylczyk /55

Układy akwizycji danych. Komparatory napięcia Przykłady układów

Układy cyfrowe. Najczęściej układy cyfrowe służą do przetwarzania sygnałów o dwóch poziomach napięć:

Technika cyfrowa Inżynieria dyskretna cz. 2

Układ scalony w praktyce. Układem scalonym nazywamy zamykany jest w małej obudowie Do pracy potrzebują one najczęściej tylko 3 wyprowadzeń.

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki

Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2

P-1a. Dyskryminator progowy z histerezą

ELEKTRONIKA WYPOSAŻENIE LABORATORIUM DYDAKTYCZNEGO POMOC DYDAKTYCZNA DLA STUDENTÓW WYDZIAŁU ELEKTRYCZNEGO SERIA: PODSTAWY ELEKTRONIKI

Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia

LABORATORIUM ELEKTRONIKI I TEORII OBWODÓW

Elementy cyfrowe i układy logiczne

Tranzystory w pracy impulsowej

1. Funktory TTL cz.1

1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice?

ATX 2005 POWER SUPPLY PWM SUPERVISOR

LABORATORIUM PROJEKTOWANIA UKŁADÓW VLSI

Generatory impulsowe przerzutniki

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

Układy TTL i CMOS. Trochę logiki

ELEKTRONIKA WYPOSAŻENIE LABORATORIUM DYDAKTYCZNEGO POMOC DYDAKTYCZNA DLA STUDENTÓW WYDZIAŁU ELEKTRYCZNEGO SERIA: PODSTAWY ELEKTRONIKI

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

Technika Cyfrowa. dr inż. Marek Izdebski Kontakt: Instytut Fizyki PŁ, ul. Wólczańska 219, pok. 111, tel ,

4. Dane techniczne 4.1. Pomiar częstotliwości Zakres pomiaru Czas pomiaru/otwarcia bramki/

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

dwójkę liczącą Licznikiem Podział liczników:

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Wzmacniacz operacyjny

Cyfrowe Elementy Automatyki. Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Komputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Porty wejścia/wyjścia w układach mikroprocesorowych i w mikrokontrolerach

Liniowe układy scalone. Komparatory napięcia i ich zastosowanie

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Liniowe układy scalone. Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych

Komparatory napięcia. Wprowadzenie. Wprowadzenie. Definicja. Najważniejsze parametry komparatorów napięcia:

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:

Zapoznanie z przyrządami stanowiska laboratoryjnego. 1. Zapoznanie się z oscyloskopem HAMEG-303.

Politechnika Białostocka

Podstawowe układy cyfrowe

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Bramki logiczne. (spadek napięcia na diodzie D oraz złączu BE tranzystora R 2

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO

Podstawy Automatyki. Wykład 7 - obiekty regulacji. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

P ob 2. UCY 74S416N UCY 74S426N 4-bitowy nadajni k/odbiornik szyny danych. ib UIN "]lh. 11 DSEN 13 do 3. I! Dl 3. 3 di 2

Różnicowe układy cyfrowe CMOS

Technika Cyfrowa. Badanie pamięci

Generatory impulsowe przerzutniki

MCAR Robot mobilny z procesorem AVR Atmega32

Moduł wejść/wyjść VersaPoint

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

Komputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS

Podstawy techniki cyfrowej cz.2 zima Rafał Walkowiak

Analogowy sterownik silnika krokowego oparty na układzie avt 1314

Metoda zaburz-obserwuj oraz metoda wspinania

Transkrypt:

Sławomir Kulesza Technika cyfrowa Parametry układów cyfrowych Wykład dla studentów III roku Informatyki Wersja 3.1, 25/10/2012

Rodziny bramek logicznych

Tranzystory bipolarne

Tranzystory unipolarne

Porównanie cech rodzin układów

Porównanie parametrów układów

Parametry układów cyfrowych Aby porównywać układy z różnych rodzin logicznych, należy zdefiniować wspólne dla nich parametry, do których należą: poziomy napięć logicznych, margines szumów, obciążalność wyjść, straty mocy, czas propagacji, zgodność łączeniowa.

Parametry statyczne układów logicznych

Parametry dynamiczne układów logicznych

Poziomy logiczne napięć Pracę układów logicznych łatwo wyjaśnić w oparciu o poziomy generowanych przez nie poziomów napięć wyrażonych w woltach, niekoniecznie oznacza to jednak jednoznaczny opis wartościami logicznymi 0 oraz 1. Układy logiczne binarne są tak zaprojektowane, aby w stanie stacjonarnym generować tylko jeden z dwóch możliwych poziomów napięć: wysoki (H) lub niski (L). Istnieje zatem odwzorowanie łączące stany logiczne 0 oraz 1 z poziomami napięcia H oraz L. Rodzaj odwzorowania definiuje logikę układu: - logika dodatnia: 0 L, 1 H, - logika ujemna: 0 H, 1 L (rzadko spotykana)

Poziomy logiczne napięć CMOS (HC, AC) CMOS (HCT, ACT) 5v VOH 4.4 v VIH 3.5 v VIL VOL TTL (S, LS, AL, ALS, F) 5v 5v VOH 2.4 v VOH 2.4 v VIH 2.0 v VIH 2.0 v VIL VOL 0.8 v 0.4 v 0v VIL VOL 0.8 v 0.4 v 0v 1.5 v 0.5 v 0v

Margines zakłóceń Margines zakłóceń to maksymalna wartość napięcia zakłócającego (szumu), które dodane do sygnału wejściowego nie spowoduje przekroczenia dopuszczalnych parametrów napięcia wyjściowego układu. Margines zakłóceń wyznaczamy dla najbardziej niekorzystnych warunków pracy układu.

Margines zakłóceń Na skutek zmian warunków pracy, charakterystyki przełączeniowe układów wykazują dryft, stąd wyznaczenie marginesów zakłóceń obarczone jest pewnym błędem: Output Voltage, VO 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 Input Voltage, VI 3.0 3.5 4.0

Margines zakłóceń VCC (5.0) VCC (5.0) H VOH (2.4) H High Noise margin VIH (2.0) VIL (0.8) Low Noise margin VOL (0.4) L L GND (0) GND (0) Output Voltage range Input Voltage range

Margines zakłóceń Odporność układu na zakłócenia zależy nie tylko od amplitudy impulsu, ale też czasu jego trwania. Zakłócenia krótsze niż czas propagacji to zakłócenia dynamiczne, dłuższe zaś to zakłócenia statyczne. Układy posiadają szerszy margines zakłóceń dynamicznych niż statycznych.

Czas narastania/opadania sygnału Ponieważ skokowa zmiana sygnału nie dokonuje się natychmiast, aby wyznaczyć czas propagacji bramki należy najpierw zdefiniować czas narastania i opadania sygnału czas, jaki upływa, zanim wartość sygnału zmieni się między 10% a 90 % jego wartości maksymalnej.

Czas propagacji 1 t p= ( t plh + t phl ) 2

Obciążalność bramek Obciążalność określa liczbę wejść bramek, które mogą zostać wysterowane przez pojedyncze wyjście danej bramki bez przekraczania dopuszczalnych wartości prądów i napięć. Oznaczenia: IILMax maks. natężenie prądu wypływającego z wejścia bramki w stanie niskim. IIHMax maks. natężenie prądu wpływającego do wejścia bramki w stanie wysokim. IOLMax maks. natężenie prądu wpływającego do wyjścia bramki w stanie niskim. IOHMax maks. natężenie prądu wypływającego z wyjścia bramki w stanie wysokim.

Obciążalność bramek ( ) I OL IOH N=min, IIL I IH

Moc strat Każdy układ jest dołączony do napięcia zasilającego VCC i w trakcie swojej pracy pobiera pewien prąd. W zależności od stanu bramki wyróżniamy: - ICCL prąd pobierany ze źródła w stanie niskim, - ICCH prąd pobierany ze źródła w stanie wysokim, - ICCT prąd pobierany ze źródła w stanie przejściowym. Gdy ICCT << (ICCH, ICCL), wówczas: I CCL + I CCH PS=V CC 2 Gdy ICCT >> (ICCH, ICCL), wówczas: PS=V CC ICCT F(f )

Moc strat Moc strat jest parametrem istotnym zwłaszcza w odniesieniu do urządzeń mobilnych: - ponieważ pojemność każdej baterii jest ograniczona, moc strat określa czas życia baterii, - ponieważ moc strat jest proporcjonalna do mocy wydzielanej w układzie w postaci ciepła wyższa temperatura pracy powoduje zwiększenie poboru energii i zmianę warunków pracy.

Moc strat

Współczynnik dobroci Zwiększenie szybkości pracy układu wiąże się zwykle ze wzrostem mocy traconej w układzie, przy czym iloczyn czasu propagacji i strat mocy jest dla danej rodziny układów wielkością stałą, zwaną współczynnikiem dobroci D: D=t p PS [J ]

Współczynnik dobroci