Elementy cyfrowe i układy logiczne
|
|
- Miłosz Rudnicki
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Elementy cyfrowe i układy logiczne Wykład 4 Legenda Podział układów logicznych Układy cyfrowe, układy scalone Synteza logiczna Układy TTL, CMOS 2 1
2 Podział układów Układy logiczne kombinacyjne sekwencyjne n. Układ kombinacyjny. m? 3 Hierarchia projektowa bloki Symbol układu Źródło: Podstawy projektowania układów logicznych i komputerów 4 2
3 Hierarchia - diagram bloki elementarne (ang. primitive blocks) Źródło: Podstawy projektowania układów logicznych i komputerów A to też? 5 Projektowanie metoda zstępująca (ang. top down) Funkcja układu określona za pomocą tekstu lub języka opisu sprzętu (HDL) synteza ręczna Informacja o ograniczeniach związanych z kosztami, szybkością pracy, możliwością ponownego wykorzystania bloków Podział na bloki synteza automatyczna Projekt logiczny 6 3
4 Synteza ręczna Kombinacyjny układ logiczny otrzymujemy łącząc bramki (elementarne układy logiczne). Synteza układu kombinacyjnego może być podzielona na następujące etapy: Określenie funkcji logicznej rozpatrywanego problemu Minimalizacja funkcji logicznej Sporządzenie schematu układu logicznego realizującego zminimalizowaną funkcję logiczną Weryfikacja schematu układu logicznego 7 Projektowanie wspomagane komputerowo (CAD computer-aided design) Narzędzia do graficznego wprowadzania schematów (ang. schematic capture) Biblioteki symboli graficznych bloków elementarnych i funkcjonalnych Modele umożliwiające zweryfikowanie działania i zależności czasowych poszczególnych bloków Symulator logiczny Programy do syntezy logicznej Optymalizacja projektów generowanych automatycznie na podstawie specyfikacji w HDL 8 4
5 Synteza logiczna Opis układu w języku HDL Translacja Ograniczenia projektowe: elektronika, szybkość pracy i powierzchnia układu Biblioteka technologii Reprezentacja pośrednia połączenia bramek i elementów bloki logiczne i ich połączenia Optymalizacja wstępna ustalenie wspólnych fragmentów opisu logicznego Optymalizacja właściwa Lista połączeń (ang. netlist) Źródło: na podstawie Podstawy projektowania układów logicznych i komputerów Wybór technologii realizacji zastępowanie AND, OR, NOT bramkami z danej technologii 9 Układ cyfrowy Układ cyfrowy układ skonstruowany z układów scalonych 10 5
6 Układ scalony Układ scalony (ang. intergrated circuit, chip) (potocznie: kość, kostka) kawałek krzemowej płytki półprzewodnikowej, zminiaturyzowany układ elektroniczny zawierający w swym wnętrzu od kilku do setek milionów podstawowych elementów elektronicznych, takich jak tranzystory, diody, rezystory, kondensatory. Zwykle zamknięty w hermetycznej obudowie szklanej, metalowej, ceramicznej lub wykonanej z tworzywa sztucznego, a połączenia zewnętrzne są wyprowadzona poza obudowę. 11 Układ i struktura Półprzewodnikowy układ scalony układ scalony, którego elementy są wykonane w objętości i na powierzchni podłoża krzemowego. Struktura półprzewodnikowa tranzystor, dioda lub półprzewodnikowy układ scalony bez obudowy. 12 6
7 Podział układów scalonych Ze względu na sposób wykonania rozróżnia się układy: monolityczne, w których wszystkie elementy wykonane są w monokrystalicznej strukturze półprzewodnika hybrydowe - na płytki wykonane z izolatora nanoszone są warstwy przewodnika oraz materiału rezystywnego, które następnie są wytrawiane, tworząc układ połączeń elektrycznych oraz rezystory. Do tak utworzonych połączeń dołącza się indywidualne, miniaturowe elementy elektroniczne (w tym układy monolityczne). Ze względu na grubość warstw rozróżnia się układy: cienkowarstwowe (warstwy ok. 2 mikrometrów) grubowarstwowe (warstwy od 5 do 50 mikrometrów) 13 Podział układów scalonych Większość stosowanych obecnie układów scalonych jest wykonana w technologii monolitycznej. 14 7
8 Podział układów scalonych W układach monolitycznych praktycznie wszystkie elementy wykonuje się jako tranzystory, odpowiednio tylko przyłączając ich końcówki, dlatego też często mówi się o gęstości upakowania tranzystorów na mm 2. W dominującej obecnie technologii wytwarzania monolitycznych układów scalonych (technologia CMOS) często używanym wskaźnikiem technicznego zawansowania procesu oraz gęstości upakowania elementów układów scalonych jest minimalna długość bramki tranzystora wyrażona w mikrometrach lub nanometrach. Im mniejsza jest "liczba technologii, tym upakowanie tranzystorów oraz ich szybkość działania jest większe. W najnowszych technologiach, w których m.in. produkowane są procesory firm Intel i AMD, minimalna długość bramki wynosi 45nm. 15 Podział ze względu na stopień scalenia małej skali integracji (SSI small scale of integration) liczba bramek jest zwykle mniejsza od 10 i ograniczona liczbą dostępnych zacisków zewnętrznych średniej skali integracji (MSI medium scale of integr.) około bramek w jednej obudowie dużej skali integracji (LSI large scale of integration) od 100 do kilku tysięcy bramek; małe procesory, małe pamięci, moduły programowalne wielkiej skali integracji (VLSI very large scale of int.) od kilku tysięcy do dziesiątek milionów bramek; mikroprocesory, cyfrowe procesory sygnałowe ultrawielkiej skali integracji (ULSI ultra large scale of integration) 16 8
9 Technologie wytwarzania TTL (Transistor-Transistor Logic) oznacza technologię, w której do budowy pojedynczego obwodu logicznego stosuje się wiele tranzystorów scalonych w jeden układ. Większość układów TTL ma czternasto- lub szesnastonóżkową obudowę typu DIL. CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) stosuje się dwa komplementarne tranzystory polowe MOS; tylko jeden z nich może być w stanie przewodzenia. 17 Klasy układów cyfrowych TTL (Transistor Transistor - Logic) układy TTL, ECL (Emiter Coupled Logic) układy o sprzężeniu emiterowym, MOS (Metal Oxide - Semiconductor) układy MOS, CMOS (Complementary MOS) układy komplementarne MOS, BiCMOS (Bipolar CMOS) układy,,mieszane, bipolarne CMOS, I2L (Integrated Injection Logic) układy iniekcyjne, CTD (Charge Transfer Device) układy o sprzężeniu ładunkowym, GaAs MESFET układy GaAs. 18 9
10 Czas życia różnych technologii Układy TTL ustępują miejsca nowszym technologiom CMOS i BiCMOS, zwłaszcza niskonapięciowym (LV Low Voltage) 19 Parametry Obciążalność wejściowa bramki określa liczbę dostępnych wejść bramki, często ograniczona do nie więcej niż 4 lub 5 Obciążalność wyjściowa bramki określa liczbę wejść bramki, które można dołączyć do wyjścia danej bramki Margines zakłóceń Maksymalne zewnętrzne napięcie, które nie spowoduje niepożądanych zmian na wyjściu układu Opóźnienie propagacji czas przeniesienia sygnału wejściowego na wyjście układu Moc rozpraszania określana przez moc pobieraną zeźródła i traconą przez bramkę 20 10
11 Obciążalność wejściowa 21 Obciążalność wyjściowa Każde wejście bramki sterowanej stanowi obciążenie wyjścia bramki sterującej, mierzone w standardowych jednostkach Przykład: Obliczyć obciążenie 4-wejściowej bramki NAND jeżeli jej wyjście jest połączone z następującymi wejściami bramek: 4-wejściowy NOR 0,8 standardowego obciążenia 3-wejściowy NAND 1,0 standardowego obciążenia inwerter 1,0 standardowego obciążenia t pd = 0,07 + 0,021 * SL [ns] Suma standardowych obciążeń sterowanych przez bramkę t pd = 0,07 + 0,021 * (0,80+1,00+1,00) = 129 ns 22 11
12 Opóźnienie propagacji czas propagacji sygnału do stanu niskiego na wyjściu czas propagacji sygnału (opóźnienie) Źródło: na podstawie Podstawy projektowania układów logicznych i komputerów czas propagacji sygnału do stanu wysokiego na wyjściu 23 Modele opóźnień Opóźnienie transportowe (ang. transport delay TD) zmiana sygnału wyjściowego stanowiąca odpowiedź na zmianę sygnału wejściowego pojawia się po określonym opóźnieniu propagacji. Opóźnienie inercyjne (ang. inertial delay ID) podobne do TD, z wyjątkiem sytuacji, gdy zmiana wejścia powodowałaby konieczność zmiany stanu na wyjściu dwukrotnie w przedziale czasu mniejszym niż tzw. czas pochłaniania (ang. rejection time), wówczas pierwsza z tych zmian nigdy nie wystąpi na wyjściu
13 Modele opóźnień Opóźnienie propagacji Czas pochłaniania Źródło: Podstawy projektowania układów logicznych i komputerów 25 Układy TTL Układy TTL (Transistor-Transistor Logic) zbudowane z bipolarnych tranzystorów, są zasilane napięciem stałym 5 V. Sygnał TTL jest niski (logiczne "0"), gdy potencjał ma wartość od 0 V do 0,8 V w odniesieniu do masy, wysoki (logiczna "1") przy wartości potencjału między 2 a 5 V. Większość współcześnie produkowanych układów TTL jest oparta na diodach Schottky'ego, a nie na tranzystorach i powinna być raczej zaliczana do DTL (Diode-Transistor Logic)
14 Odmiany układów TTL L (Low power) wersja o małym poborze mocy, ale wolniejsza od standardowej; nigdy nie zyskała popularności, gdyż została niemal natychmiast zastąpiona układami CMOS serii H (High speed) wersja szybsza od standardowej, ale o większym poborze mocy niż standardowa. Większą szybkość uzyskano przez zastosowanie 2x mniejszych rezystorów, co spowodowało szybsze przełączanie tranzystorów. S (Schottky) odmiana szybka, której tranzystory zawierają dodatkową diodę Schottky ego włączoną równolegle do złącza kolektor-baza i zabezpieczającą tranzystor przed nasyceniem, co powoduje dużo szybsze przechodzenie tranzystora ze stanu przewodzenia do zatkania. 27 Odmiany układów TTL AS (Advanced Schottky) ulepszona seria S, charakteryzuje się jeszcze większą szybkością działania. LS (Low power Schottky) wersja S o znacznie niższym poborze prądu, zbliżonym do standardowej bramki; główna seria układów TTL, stosowana w większości zastosowań. ALS (Advanced Low power Schottky) unowocześniona seria LS, z mniejszym poborem mocy. F (Fast) nowoczesna, najszybsza seria TTL
15 Częstotliwości graniczne układów cyfrowych S bardzo szybka (Schottky) LS- małej mocy, bardzo szybka (Low power Schottky) F bardzo bardzo szybka (Fast) AS ulepszona, bardzo szybka (Advanced Schottky) ALS- ulepszona małej mocy, bardzo szybka (Advanced Low power Schottky) 29 Odmiany układów Układy w technologii CMOS produkowane są zgodnie końcówkowo z TTL, o takich samych oznaczeniach, wyróżniane literami C, AC, HCT, HC itp., np.: 74HC00. Dodatkowo układy CMOS HCT mają takie same poziomy stanów logicznych jak TTL, przez co można je łączyć ze sobą. Układy TTL mają większy pobór prądu niż układy wykonane w technologii CMOS Układy TTL są szybsze od układów CMOS 30 15
16 Oznaczenia układów CMOS Przykład: HCA712S34 Pierwsza litera oznaczenia określa sposób wykonania według następujących reguł: U - układ półprzewodnikowy, monolityczny, bipolarny, H - układ hybrydowy, M - układ półprzewodnikowy, monolityczny, unipolarny. Druga litera oznaczenia określa rodzaj ogólnej funkcji układu scalonego: C - układy cyfrowe, L - układy analogowe, R - inne układy scalone. 31 Oznaczenia układów scalonych Trzecia litera określa przeznaczenie układu scalonego: A - do zastosowań specjalnych, Y - do zastosowań profesjonalnych, T - do zastosowań profesjonalnych o podwyższonej niezawodności, Q - do zastosowań specjalnych o podwyższonej niezawodności, X - prototypowe, doświadczalne lub na zamówienia. brak litery do zastosowań w sprzęcie powszechnego użytku
17 Oznaczenia układów scalonych Pierwsza cyfra określa zakres dopuszczalnej temperatury otoczenia podczas pracy w C: 4 - od -55 do od -35 do od -40 do od 0 do od -25 do Oznaczenia układów scalonych Druga, trzecia, czwarta lub piąta cyfra stanowią liczbę porządkową określającą dany typ układu. Po drugiej cyfrze w oznaczeniach monolitycznych cyfrowych układów scalonych mogą być wprowadzone litery określające serię układu: H - seria szybka, S - seria bardzo szybka, brak litery - seria standardowa 34 17
18 Zakłócenia w systemie cyfrowym Zakłóceniami nazywamy niepożądane sygnały elektryczne występujące na połączeniach w systemie. Powstają na wskutek przełączania bramek, a przenoszone są poprzez promieniowanie elektromagnetyczne albo przez związane z przełączaniem fluktuacje napięcia zasilającego. Źródło zakłóceń może być poza systemem. Układy cyfrowe muszą być niewrażliwe na zakłócenia o pewnym poziomie i powinny pracować poprawnie przy ich występowaniu. Margines zakłóceń jest wartością zakłóceń, które nie powodują błędnej pracy elementów systemu. Jest to dopuszczalna wartość napięcia zakłóceń, wyznaczona z różnicy odpowiednich gwarantowanych wartości napięć wyjściowych bramki i akceptowanych dla danych stanów logicznych wartości stanów wejściowych. 35 Źródła zakłóceń napięcia zasilającego, uziemieniowe, przesłuchowe w liniach transmisyjnych, odbiciowe w liniach transmisyjnych, zewnętrzne
19 Marginesy zakłóceń Marginesy zakłóceń wskazują, jaki poziom zakłóceń nie spowoduje błędnego odczytu sygnału wejściowego w najgorszym przypadku. U LI max -U LO max - margines zakłóceń stanu niskiego U HO min -U HI min - margines zakłóceń stanu wysokiego CMOS U DD = + 5 V U LO U LI U HO U HI stany wyjściowe stany wejściowe 37 Napięcia progowe i odporność na zakłócenia 38 19
20 Poziomy napięć układów TTL Wartości gwarantowane poziomów napięć logicznych na wejściu i wyjściu układów TTL, UT próg przełączania bramki 39 Charakterystyki przejściowe bramek TTL 40 20
21 Parametry układów CMOS i TTL 41 Zakresy typowych napięć rodziny CMOS 42 21
22 Podstawowe układy TTL : 4x 2-wejściowe bramki NAND 44 22
23 7402: 4x 2-wejściowe bramki NOR : 6 x inwerter 46 23
24 7408: 4x 2-wejściowe bramki AND : 3x 3-wejściowe bramki NAND 48 24
25 7411: 3x 3-wejściowe bramki AND : 1x 8-wejściowa bramka NAND 50 25
26 Koniec Dziękuję za uwagę 51 26
Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk
Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk przejściowych użytych tranzystorów. NOR CMOS Skale integracji
Bardziej szczegółowoTechnika Cyfrowa 2 wykład 4: FPGA odsłona druga technologie i rodziny układów logicznych
Technika Cyfrowa 2 wykład 4: FPGA odsłona druga technologie i rodziny układów logicznych Dr inż. Jacek Mazurkiewicz Katedra Informatyki Technicznej e-mail: Jacek.Mazurkiewicz@pwr.edu.pl Elementy poważniejsze
Bardziej szczegółowoUkłady scalone. wstęp układy hybrydowe
Układy scalone wstęp układy hybrydowe Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoPodstawowe bramki logiczne
Temat i plan wykładu Podstawowe bramki logiczne 1. Elementarne funkcje logiczne, symbole 2. Struktura bramek bipolarnych, CMOS i BiCMOS 3. Parametry bramek 4. Rodziny układów cyfrowych 5. Elastyczność
Bardziej szczegółowoTranzystor jako element cyfrowy
Temat i plan wykładu Tranzystor jako element cyfrowy 1. Wprowadzenie 2. Tranzystor jako łącznik 3. Inwerter tranzystorowy 4. Charakterystyka przejściowa 5. Odporność na zakłócenia 6. Definicja czasów przełączania
Bardziej szczegółowoCyfrowe układy scalone
Cyfrowe układy scalone Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków
Bardziej szczegółowoCyfrowe układy scalone
Cyfrowe układy scalone Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Cyfrowe układy scalone Układy cyfrowe
Bardziej szczegółowoSprawdzenie poprawności podstawowych bramek logicznych: NOT, NAND, NOR
Laboratorium Podstaw Techniki Cyfrowej dr Marek Siłuszyk mgr Arkadiusz Wysokiński Ćwiczenie 01 PTC Sprawdzenie poprawności podstawowych bramek logicznych: NOT, NAND, NOR opr. tech. Mirosław Maś Uniwersytet
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
Bardziej szczegółowoCyfrowe układy scalone
Ryszard J. Barczyński, 2 25 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy cyfrowe stosowane są do przetwarzania informacji zakodowanej
Bardziej szczegółowoUkłady cyfrowe. Najczęściej układy cyfrowe służą do przetwarzania sygnałów o dwóch poziomach napięć:
Układy cyfrowe W układach cyfrowych sygnały napięciowe (lub prądowe) przyjmują tylko określoną liczbę poziomów, którym przyporządkowywane są wartości liczbowe. Najczęściej układy cyfrowe służą do przetwarzania
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4
Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie
Bardziej szczegółowoZwykle układ scalony jest zamknięty w hermetycznej obudowie metalowej, ceramicznej lub wykonanej z tworzywa sztucznego.
Techniki wykonania cyfrowych układów scalonych Cyfrowe układy scalone dzielimy ze względu na liczbę bramek elementarnych tworzących dany układ na: małej skali integracji SSI do 10 bramek, średniej skali
Bardziej szczegółowoFunkcje logiczne X = A B AND. K.M.Gawrylczyk /55
Układy cyfrowe Funkcje logiczne AND A B X = A B... 2/55 Funkcje logiczne OR A B X = A + B NOT A A... 3/55 Twierdzenia algebry Boole a A + B = B + A A B = B A A + B + C = A + (B+C( B+C) ) = (A+B( A+B) )
Bardziej szczegółowoUkłady scalone. wstęp
Układy scalone wstęp Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy scalone Układ scalony (ang. intergrated
Bardziej szczegółowoProjekt Układów Logicznych
Politechnika Opolska Wydział Elektrotechniki i Automatyki Kierunek: Informatyka Opole, dn. 21 maja 2005 Projekt Układów Logicznych Temat: Bramki logiczne CMOS Autor: Dawid Najgiebauer Informatyka, sem.
Bardziej szczegółowoPodstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2
Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2 Elementarne prawa Trzy elementarne prawa 2 Prawo Ohma Stosunek natężenia prądu płynącego przez przewodnik do napięcia pomiędzy jego końcami jest stały R U I 3 Prawo
Bardziej szczegółowoElementy cyfrowe i układy logiczne
Elementy cyfrowe i układy logiczne Wykład 5 Legenda Procedura projektowania Podział układów VLSI 2 1 Procedura projektowania Specyfikacja Napisz, jeśli jeszcze nie istnieje, specyfikację układu. Opracowanie
Bardziej szczegółowoWSTĘP. Budowa bramki NAND TTL, ch-ka przełączania, schemat wewnętrzny, działanie 2
WSTĘP O liczbie elementów użytych do budowy jakiegoś urządzenia elektronicznego, a więc i o możliwości obniżenia jego ceny, decyduje dzisiaj liczba zastosowanych w nim układów scalonych. Najstarszą rodziną
Bardziej szczegółowoBadanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania
Bardziej szczegółowoTechnika Cyfrowa. dr inż. Marek Izdebski Kontakt: Instytut Fizyki PŁ, ul. Wólczańska 219, pok. 111, tel ,
Technika Cyfrowa dr inż. Marek Izdebski Kontakt: Instytut Fizyki PŁ, ul. Wólczańska 29, pok., tel. 42 633667, e-mail: izdebski@p.lodz.pl Strona internetowa (materiały do wykładu i lab.): fizyka.p.lodz.pl/pl/dla-studentow/tc/
Bardziej szczegółowoUkłady TTL i CMOS. Trochę logiki
Układy TTL i CMOS O liczbie elementów użytych do budowy jakiegoś urządzenia elektronicznego, a więc i o możliwości obniżenia jego ceny, decyduje dzisiaj liczba zastosowanych w nim układów scalonych. Najstarszą
Bardziej szczegółowoUTK Mirosław Rucioski
Temat 11: Elektryczna implementacja systemu binarnego. UTK Mirosław Rucioski Cela kształcenia: Zna symbole graficzne i działania logiczne bramek: Bramka OR; Bramka AND; Bramka NOT - inwerter Bramki; NAND
Bardziej szczegółowoElektronika cyfrowa i mikroprocesory. Dr inż. Aleksander Cianciara
Elektronika cyfrowa i mikroprocesory Dr inż. Aleksander Cianciara Sprawy organizacyjne Warunki zaliczenia Lista obecności Kolokwium końcowe Ocena końcowa Konsultacje Poniedziałek 6:-7: Kontakt Budynek
Bardziej szczegółowoCyfrowe Elementy Automatyki. Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem
Cyfrowe Elementy Automatyki Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem Układy cyfrowe W układach cyfrowych sygnały napięciowe (lub prądowe) przyjmują tylko określoną liczbę poziomów,
Bardziej szczegółowoKomputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 27 Komputerowa symulacja
Bardziej szczegółowoKrótkie przypomnienie
Krótkie przypomnienie x i ={,} y i ={,} w., p. Bramki logiczne czas propagacji Odpowiedź na wyjściu bramki następuje po pewnym, charakterystycznym dla danego układu czasie od momentu zmiany sygnałów wejściowych.
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoParametry układów cyfrowych
Sławomir Kulesza Technika cyfrowa Parametry układów cyfrowych Wykład dla studentów III roku Informatyki Wersja 3.1, 25/10/2012 Rodziny bramek logicznych Tranzystory bipolarne Tranzystory unipolarne Porównanie
Bardziej szczegółowoCyfrowe układy scalone c.d. funkcje
Cyfrowe układy scalone c.d. funkcje Ryszard J. Barczyński, 206 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Kombinacyjne układy cyfrowe
Bardziej szczegółowoKomputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 27 Komputerowa symulacja
Bardziej szczegółowoSWB - Wprowadzenie, funkcje boolowskie i bramki logiczne - wykład 1 asz 1. Plan wykładu
SWB - Wprowadzenie, funkcje boolowskie i bramki logiczne - wykład 1 asz 1 Plan wykładu 1. Wprowadzenie, funkcje boolowskie i bramki logiczne, 2. Minimalizacja funkcji boolowskich, 3. Kombinacyjne bloki
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 BADANIE WŁAŚCIWOŚCI UKŁADÓW CYFROWYCH CMOS I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoZapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.
adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoSynteza układów kombinacyjnych
Sławomir Kulesza Technika cyfrowa Synteza układów kombinacyjnych Wykład dla studentów III roku Informatyki Wersja 4.0, 23/10/2014 Bramki logiczne Bramki logiczne to podstawowe elementy logiczne realizujące
Bardziej szczegółowoPolitechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017
Poliechnika Wrocławska Klucze analogowe Wrocław 2017 Poliechnika Wrocławska Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji układów impulsowych oraz cyfrowych jes wykorzysanie wielkosygnałowej pacy elemenów akywnych,
Bardziej szczegółowoElektryczna implementacja systemu binarnego.
Elektryczna implementacja systemu binarnego. Cela kształcenia: Zna symbole graficzne i działania logiczne bramek: Bramka OR; Bramka AND; Bramka NOT - inwerter Bramki; NAND i NOR; Bramka XOR - ExclusixeOR.
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe tranzystor bipolarny (n p n, p n p)
Układy nieliniowe tranzystor bipolarny (n p n, p n p) Złącze emiterowe: polaryzacja przewodzenia IB B E Złącze kolektorowe: polaryzacja zaporowa C IE IC IE IB1 IB2 rekombinacja Silne domieszkowanie emitera:
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)
INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 74).Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z charakterystykami statycznymi i parametrami statycznymi bramki standardowej NAND
Bardziej szczegółowoBADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO
Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz
Bardziej szczegółowoTemat: Pamięci. Programowalne struktury logiczne.
Temat: Pamięci. Programowalne struktury logiczne. 1. Pamięci są układami służącymi do przechowywania informacji w postaci ciągu słów bitowych. Wykonuje się jako układy o bardzo dużym stopniu scalenia w
Bardziej szczegółowoLogiczne układy bistabilne przerzutniki.
Przerzutniki spełniają rolę elementów pamięciowych: -przy pewnej kombinacji stanów na pewnych wejściach, niezależnie od stanów innych wejść, stany wyjściowe oraz nie ulegają zmianie; -przy innej określonej
Bardziej szczegółowoĆw. 8 Bramki logiczne
Ćw. 8 Bramki logiczne 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi, poznanie ich rodzajów oraz najwaŝniejszych parametrów opisujących ich własności elektryczne.
Bardziej szczegółowoBADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA
BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 9 Układy scalone CMOS
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, Ryszard Korbutowicz, Iwona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Zdzisław Synowiec,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia
Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 23 Poznanie symboli własności. Zmierzenie parametrów podstawowych bramek logicznych TTL i CMOS. Czytanie schematów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoPROJEKTOWANIE UKŁADÓW VLSI
prof. dr hab. inż. Andrzej Kos Tel. 34.35, email: kos@uci.agh.edu.pl Pawilon C3, pokój 505 PROJEKTOWANIE UKŁADÓW VLSI Forma zaliczenia: egzamin Układy VLSI wczoraj i dzisiaj Pierwszy układ scalony -
Bardziej szczegółowoPorty wejścia/wyjścia w układach mikroprocesorowych i w mikrokontrolerach
Porty wejścia/wyjścia w układach mikroprocesorowych i w mikrokontrolerach Semestr zimowy 2012/2013, E-3, WIEiK-PK 1 Porty wejścia-wyjścia Input/Output ports Podstawowy układ peryferyjny port wejścia-wyjścia
Bardziej szczegółowoTemat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowoBRAMKI. Konspekt do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu TECHNIKA CYFROWA
BRAMKI Konspekt do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu TECHNIKA CYFROWA SPIS TREŚCI 1. SYMBOLE PODSTAWOWYCH BRAMEK, ICH TABELE PRAWDY ORAZ WŁASNOŚCI... 4 1.1. Opis podstawowych własności bramek logicznych...4
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoRozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoUkłady cyfrowe. Przedmiot: Urządzenia techniki komputerowej Nauczyciel: Mirosław Ruciński
Układy cyfrowe Przedmiot: Urządzenia techniki komputerowej Nauczyciel: Mirosław Ruciński Temat: Bramki logiczne i ich tablice prawdy. Cela kształcenia: Zna symbole graficzne i działania logiczne bramek:
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z techniką połączenia za pośrednictwem interfejsu. Zbudowanie
Bardziej szczegółowoCyfrowe układy kombinacyjne. 5 grudnia 2013 Wojciech Kucewicz 2
Cyfrowe układy kombinacyjne 5 grudnia 2013 Wojciech Kucewicz 2 Cyfrowe układy kombinacyjne X1 X2 X3 Xn Y1 Y2 Y3 Yn Układy kombinacyjne charakteryzuje funkcja, która każdemu stanowi wejściowemu X i X jednoznacznie
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 7 BADANIE WŁAŚCIWOŚCI UKŁADÓW CYFROWYCH TTL I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowo2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.
1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego
Bardziej szczegółowoBramki logiczne. (spadek napięcia na diodzie D oraz złączu BE tranzystora R 2
Bramki logiczne Układy logiczne opisywane przez algebrę Boole a mogą być praktycznie realizowane z wykorzystaniem cyfrowych bramek logicznych, dostępnych w postaci układów scalonych. W układach tych zmienne
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 171947 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21)Numer zgłoszenia: 301401 (2)Data zgłoszenia: 08.12.1993 (5 1) IntCl6 H03F 3/72 H03K 5/04
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12
PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoTechnologia wytwarzania układów scalonych (US) WYK. 17 SMK
Technologia wytwarzania układów scalonych (US) WYK. 17 SMK Na podstawie: W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, 1987 1. Historia US J. Kilby, Texas Instruments, 1958 przerzutnik
Bardziej szczegółowoBramki logiczne Podstawowe składniki wszystkich układów logicznych
Układy logiczne Bramki logiczne A B A B AND NAND A B A B OR NOR A NOT A B A B XOR NXOR A NOT A B AND NAND A B OR NOR A B XOR NXOR Podstawowe składniki wszystkich układów logicznych 2 Podstawowe tożsamości
Bardziej szczegółowo1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:
1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: A. 10 V B. 5,7 V C. -5,7 V D. 2,5 V 2. Zasilacz dołączony jest do akumulatora 12 V i pobiera z niego prąd o natężeniu
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoPRZERZUTNIKI: 1. Należą do grupy bloków sekwencyjnych, 2. podstawowe układy pamiętające
PRZERZUTNIKI: 1. Należą do grupy bloków sekwencyjnych, 2. podstawowe układy pamiętające Zapamiętywanie wartości wybranych zmiennych binarnych, jak również sekwencji tych wartości odbywa się w układach
Bardziej szczegółowoWzmacniacz operacyjny
parametry i zastosowania Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego (klasyka: Fairchild ua702) 1965 Wzmacniacze
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego
Liniowe układy scalone Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Wzmacniacze scalone Duża różnorodność Powtarzające się układy elementarne Układy elementarne zbliżone do odpowiedników dyskretnych, ale
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI. Komputerowe pomiary parametrów bramki NAND TTL
ZESPÓŁ LBORTORIÓW TELEMTYKI TRNSPORTU ZKŁD TELEKOMUNIKJI W TRNSPORIE WYDZIŁ TRNSPORTU POLITEHNIKI WRSZWSKIEJ LBORTORIUM PODSTW ELEKTRONIKI INSTRUKJ DO ĆWIZENI NR Komputerowe pomiary parametrów bramki NND
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0
LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..
Bardziej szczegółowoUKŁADY CYFROWE. Układ kombinacyjny
UKŁADY CYFROWE Układ kombinacyjny Układów kombinacyjnych są bramki. Jedną z cech układów kombinacyjnych jest możliwość przedstawienia ich działania (opisu) w postaci tabeli prawdy. Tabela prawdy podaje
Bardziej szczegółowoSystemy Wbudowane. Arduino dołączanie urządzeń Wersja Arduino więcej portów I/O. Układy serii 74. Układy serii 74xx a seria 40xx
Arduino więcej portów I/O Systemy Wbudowane Arduino dołączanie urządzeń Wersja 08 mgr inż. Marek Wilkus Wydział Inżynierii Metali i Informatyki Przemysłowej AGH Kraków Użycie pinów analogowych Liczniki
Bardziej szczegółowoGdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...
Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI. Komputerowe pomiary parametrów bramki NAND TTL
ZESPÓŁ LBORTORIÓW TELEMTYKI TRNSPORTU ZKŁD TELEKOMUNIKJI W TRNSPORIE WYDZIŁ TRNSPORTU POLITEHNIKI WRSZWSKIEJ LBORTORIUM PODSTW ELEKTRONIKI INSTRUKJ DO ĆWIZENI NR Komputerowe pomiary parametrów bramki NND
Bardziej szczegółowoInstrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET
Instrukcja nr 5 Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.1 Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy jest
Bardziej szczegółowoTemat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej
Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej W układach elektronicznych występują: Rezystory Rezystor potocznie nazywany opornikiem jest jednym z najczęściej spotykanych
Bardziej szczegółowoBramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132.
Bramki logiczne 1. Czas trwania: 3h 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. 3. Wymagana znajomość pojęć stany logiczne Hi, Lo, stan
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 TRANZYSTORY JAKO ELEMENTY DWUSTANOWE BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoUKŁAD SCALONY. Cyfrowe układy można podzielić ze względu na różne kryteria, na przykład sposób przetwarzania informacji, technologię wykonania.
UKŁDAY CYFROWE Układy cyfrowe są w praktyce realizowane różnymi technikami. W prostych urządzeniach automatyki powszechnie stosowane są układy elektryczne, wykorzystujące przekaźniki jako podstawowe elementy
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoP-1a. Dyskryminator progowy z histerezą
wersja 03 2017 1. Zakres i cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zaprojektowanie dyskryminatora progowego z histerezą wykorzystując komparatora napięcia A710, a następnie zmontowanie i przebadanie funkcjonalne
Bardziej szczegółowo1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice?
1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice? 3. Scharakteryzuj sygnał analogowy i sygnał cyfrowy. Określ istotne różnice
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO
LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.
Bardziej szczegółowoE104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów
E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy cyfrowe
ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 4 Podstawowe układy cyfrowe Grupa 6 Prowadzący: Roman Płaneta Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi,
Bardziej szczegółowo