1 Kombinacyjne układy logiczne

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "1 Kombinacyjne układy logiczne"

Transkrypt

1 1 Kombinacyjne układy logiczne Układy elektroniczne przetwarzające informacje zgodnie z wymogami logiki kombinacyjnej 1 są układami,w których odpowiedź y dostępna na wyjściu jest uzależniona tylko i wyłącznie od aktualnie dostępnej kombinacji stanów wejściowych a, b, c... y = F (a, b, c,...) (1) gdzie F () jest logiczną funkcją przełączającą, na podstawie której definiuje się wartość sygnału wyjściowego. Tematem bieżących ćwiczeń jest badanie właściwości elektrycznych i funkcjonalnych prostych układów kombinacyjnych zawierających statyczne bramki logiczne w realizacji TTL 2. Ćwiczenia mają za zadanie przygotować studenta do posługiwania się dokumentacją techniczną układów scalonych jak również przedstawić mu podstawy obsługi cyfrowego analizatora stanów logicznych. 1.1 Bramki logiczne Wyrażenie opisujące zależność kombinacyjną może zostać zdekomponowane do postaci ciągu elementarnych działań logicznych operujących na zmiennych niezależnych wyrażenia. Do działań tych zaliczamy: sumę logiczną, iloczyn logiczny oraz negację, co pozwala stworzyć tzw. zbiór funkcjonalnie pełny, na podstawie którego można stworzyć dowolny układ logiczny spełniający prawa algebry Boole a. W realizacjach sprzętowych rolę elementarnych bloków pełnią pełnią bramki logiczne. Na rys. 1 zaprezentowano symbole podstawowych bramek logiki kombinacyjnej. Uzupełnieniem opisu działania poszczególnych bramek są tabele prawdziwości (ang. truth tables) jednoznacznie przypisujące stan logiczny panujący na wyjściu bramki do wszystkich możliwych kombinacji logicznych stanów wejściowych. Z punktu widzenia realizacji technicznej o wiele prościej jest uzyskać bramki dające negację elementarnych operacji sumowania i iloczynu. Stąd uzupełnieniem dla zestawu bramek AN D,OR są bramki negujące N AN D oraz NOR: Można dowieść, iż bramki N AN D oraz N OR są również bramkami funkcjonalnie pełnymi, które pozwalają na zrealizowanie dowolnie złożonego układu kombinacyjnego. W dalszych rozważaniach ograniczymy się do badania układów kombinacyjnych realizowanych wyłącznie z bramek NAND oraz NOR. 1.2 Kodowanie poziomów logicznych W sprzętowych realizacjach systemów cyfrowych zachodzi konieczność zaprezentowania dyskretnych stanów logicznych 1 oraz 0 przy pomocy napięć lub prądów osiągalnych w poszczególnych gałęziach obwodów. W większości zastosowań stosuje się kodowanie napięciowe polegające na przyporządkowaniu wyróżnionym stanom logicznych wartości napięć mieszczących się określonych przedziałach. Sposób przyporządkowania jest standaryzowany. Proces standaryzacji został powiązany z wprowadzeniem na rynek rodzin układów scalonych realizujących podstawowe operacje logiczne. Na rys. 3 zaprezentowano przedziały napięć odpowiadające poszczególnym poziomom logicznym w różnych standardach kodowania. Przy opisie standardu kodowania należy zwrócić szczególną uwagę na prawidłową interpretację dwóch kluczowych parametrów: VIL (ang. Voltage Input Low) oznacza najwyższą wartość napięcia wejściowego, które zostanie zinterpretowane jako poziom logicznnego 0. VIH (ang. Voltage Input High) oznacza najniższą wartość napięcia wejściowego, które zostanie zinterpretowane jako poziom logicznej 1 1 należy wyraźnie rozróżnić pojęcie logiki kombinacyjnej od logiki kombinatorycznej. 2 TTL - ang. transistor-transistor logic technologia produkcji układów kombinacyjnych z wykorzystaniem tranzystorów bipolarnych w odróżnieniu od technologii CMOS, w której bramki statyczne są realizowane przez łączenie tranzystorów nmos oraz pmos Piotr Katarzyński c 2011r. 1

2 Rysunek 1: Zestaw bramek realizujących podstawowe operacje logiczne 1.3 Układy logiki kombinacyjnej w realizacji TTL Układy TTL 3 są historycznie najstarsze spośród masowo stosowanych podzespołów logiki kombinacyjnej. Działanie poszczególnych bramek logicznych jest w tej rodzinie zrealizowane poprzez wzajemne łącznie tranzystorów bipolarnych i rezystorów. Podstawą działania komórek logicznych w tej realizacji stało się opracowanie tranzystorów bipolarnych o wielu bramkach. Standard T T L został opracowany w 1961 roku i był to pierwszy standard realizacji układów cyfrowych, w którym wyprodukowano większe ilości komputerów osobistych. Układy TTL wymagają do zasilania napięcia o wartości 5V. Poziom napięcia odpowiadający logicznemu 0 mieści się w przedziale < 0.0; 0.8 > V. Poziom napięcia odpowiadający logicznej 1 mieści się w przedziale < 2.2; 5.0 > V. Szczegółowe informacje techniczne na temat poszczególnych układów scalonych znajdują się w notach katalogowych dołączonych do niniejszego opracowania. 1.4 Zestaw laboratoryjny W ćwiczeniach zostanie wykorzystana dedykowana płyta laboratoryjna, której zdjęcie zamieszczono na rys. 4. Zasilanie płyty odbywa się za pośrednictwem zasilacza laboratoryjnego lub wtyczkowego o napięciu stałym powyżej +6V. Obecność zasilania w obwodach płyty jest wskazywana zaświeceniem zielonej diody P W R umieszczonej w prawym, górnym narożu. Na płycie zgromadzono następujące bloki funkcyjne: Układy scalone logiki TTL. Do układów scalonych podłączonym napięciem podłączono fabrycznie napięcia zasilające oraz pojemności odsprzęgające. Pozostałe wyprowadzenia układów podłączono do złącz 3 ang. Transistor-Transistor-Logic Piotr Katarzyński c 2011r. 2

3 Rysunek 2: Bramki negujące Rysunek 3: Poziomy napięć wyrażające wartości logiczne w różnych standardach kodowania. pozwalających na prowadzenie badań. Do dyspozycji użytkownika są układy z bramkami NOT oraz dwuwejściowymi AND oraz OR Przyciski oznaczone jako A,B,C. Pozwalają na zadawanie określonych poziomów logicznych na wyprowadzeniach złącza BTNS. Stan przycisku jest monitorowany zieloną diodą. Jej zapalenie odpowiada stanowi 1 a wygaszenie: 0 Diody oznaczone 4..0 pozwalają na monitorowanie poziomów logicznych w wybranych miejscach płyty. Wejścia dla diod zgromadzono w złączu oznaczonym LED. Układ do badania charakterystyki przejściowej z wykorzystaniem generatora unipolarnego przebiegu trójkątnego podłączanego do wejścia GEN oraz oscyloskopu OSC(X) oraz OSC(Y) Złącza masy oznaczonego GND. Złącza zasilania +5V oznaczonego +5V, które może posłużyć do wymuszania stanu wysokiego 1 w wybranych eksperymentach. Piotr Katarzyński c 2011r. 3

4 1 KOMBINACYJNE UKŁADY LOGICZNE Rysunek 4: Płyta ćwiczeniowa używana w eksperymentach. 1.5 Badanie charakterystyki przejściowej inwertera Bramka negująca (NOT) zwana również inwerterem logicznym zawiera jeno wejście oraz jedno wyjście. To predysponuje ten typ bramki do wyznaczenia parametrów napięciowych skojarzonych z kodowaniem poziomów logicznych. Z tego względu wprowadza się następujące umowne parametry napięciowe: VIL Voltage Input Low: największe napięcie wejściowe rozpoznawane jako poziom niski. VIH Voltage Input High: najmniejsze napięcie wejściowe rozpoznawane jako poziom wysoki. VOL Voltage Output Low: największe napięcie wyjściowe uznawane jako poziom niski. VOH Voltage Output High: najmniejsze napięcie wyjściowe rozpoznawane jako poziom wysoki. Powyższe parametry można określić przez zbadanie zależności między napięciami: wejściowym i wyjściowym dla bramki Przebieg ćwiczenia 1. Przygotuj układ pomiarowy według schematu z rys. 5. Wykorzystaj płytę ćwiczeniową. Podłącz płytę do źródła napięcia stałego o napięciu z zakresu 6..12V 2. Ustaw zwory na płytce w położenie lewe. Spowoduje to dołączenie do złącza OSC(Y) wyjścia pojedynczego inwertera. 3. Do wejścia oznaczonego GEN podłącz sygnał z generatora przebiegów trójkątnych lub sinusoidalnych. 4. Do węzła oznaczonego OSC(x) połącz kanał X oscyloskopu (CH1) 5. Do węzła oznaczonego OSC(y) połącz kanał Y oscyloskopu (CH2) 6. Przedstaw układ połączeń do weryfikacji przez prowadzącego 7. Uruchom generator i oscyloskop. c Piotr Katarzyński 2011r. 4

5 Rysunek 5: Schemat ideowy układu do badań charakterystyki przejściowej bramki NOT 8. Naciśnij przycisk CH1 oscyloskopu i z menu ekranowego ustaw sprzężenie kanału (coupling) na stałoprądowe DC 9. Podobnie ustaw sprzężenie dla kanału CH2 10. Przy pomocy opcji Measure ustaw pomiar wartości międzyszczytowej sygnału Vpp dla kanału CH1 11. Ustaw przebieg trójkątny bądź sinusoidalny. Ustaw wartość międzyszczytową przebiegu na około 5V 12. Przy pomocy kursorów oscyloskopu odczytaj wartości napięć przebiegu z generatora, dla których zachodzi przełączanie wyjścia bramki NOT pomiędzy stanami 0 oraz 1 będą to parametry V IL oraz V IH W razie potrzeby dokonaj odpowiedniego wyskalowania wykresu w osi czasu dla powiększenia szczegółów obserwowanego przebiegu. Przykładowy odczyt napięcia przełączenia z użyciem kursora zaprezentowano na rys Przy pomocy kursorów oscyloskopu odczytaj ustaloną wartość napięcia dla stanu 1 na wyjściu. Oblicz wartości parametrów V OL oraz V OH jako odpowiednio 10% oraz 90% tej wartości. 14. W sprawozdaniu zamieść stosowne oscylogramy ukazujące moment pomiaru ora wartości wyznaczonych napięć V IH, V IL, V OH, V OL Piotr Katarzyński c 2011r. 5

6 1 KOMBINACYJNE UKŁADY LOGICZNE Rysunek 6: Kursor oscyloskopu przy wyznaczeniu napięcia przełączenia inwertera. (1) wyznacza położenie kursora dające punkt na krzywej napięcia wejściowego (2), dla którego zachodzi przełączenie inwertera opisanego przebiegiem (4). Pole (3) pozwala na odczytanie napięcia progowego na poziomie 2.4V 1.6 Badanie charakterystyki dynamicznej inwertera Podstawowym parametrem użytecznym dla bramek logicznych jest ich prędkość działania. Każdy system przetwarzający dane binarne jest na tyle wydajny, jak szybko działa jego najwolniejszy element składowy. Stąd na współcześnie produkowane bramki logiczne nakładane są silne rygory związane z prędkością przełączania się, aby nadążyć za zmianami wejściowego pobudzenia kombinacyjnego. W bieżącym ćwiczeniu zbadamy wpływ szybkości przełączania sygnału wejściowego dla inwertera na szybkość jego reakcji Przebieg ćwiczenia Czynności przygotowawcze dla tego ćwiczenia są takie same jak w ćwiczeniu związanym z wyznaczaniem charakterystyki przejściowej. 1. Przygotuj układ pomiarowy według schematu z rys. 5. Wykorzystaj płytę ćwiczeniową. Podłącz płytę do źródła napięcia stałego o napięciu z zakresu 6..12V 2. Do złącza GEN podłącz wyjście generatora przebiegu prostokątnego TTL. 3. Przełącz zworki na płycie w położenie prawe spowoduje to przekazanie sygnału z generatora na łańcuch 6-u szeregowo połączonych bramek N OT 4. Do złącz oznaczonych OSC(x) oraz OSC(y) podłącz odpowiednio kanał X oraz Y oscyloskopu. 5. Stopniowo zwiększaj częstotliwość pracy generatora i obserwuj reakcję układu (kanał Y) na pobudzenie (kanał X) 6. Ustaw częstotliwość generatora spośród przedziału 1..10M Hz Wyboru częstotliwości dokonuje prowadzący zajęcia. 7. Przy pomocy narzędzi Cursors wyznacz czasy związane z przechodzeniem ciągu bramek ze stanu 0 1 oraz 1 0. Przykładowy oscylogram dla częstotliwości 3MHz prezentuje rys. 7. Oscylogram z eksperymentu ukazujący moment pomiaru oraz szacowane wartości czasów przejść (tranzycji) zamieść w sprawozdaniu. 8. Powtórz eksperyment dla pojedynczego inwertera w łańcuchu (przełącz obydwie zworki w położenie lewe) c Piotr Katarzyński 2011r. 6

7 1 KOMBINACYJNE UKŁADY LOGICZNE 9. Jak liczba bramek w łańcuchu (ścieżce logicznej) wpływa na czas przechodzenia (propagacji) informacji cyfrowej przez ścieżkę? Rysunek 7: Oscylogram z badania czasu przejścia dla częstotliwości pobudzenia 3MHz w łańcuchu 6-u inwerterów. Przebieg żółty obrazuje sygnał ze złącza OSC(x). Przebieg niebieski OSC(y). Pionowe kursory pokazują okres przejścia ze stanu 0 na 1 wynoszący w tym przypadku 156ns. 1.7 Analiza układów kombinacyjnych Elektryczne parametry opisujące bramki precyzują fizyczną stronę ich natury. Drugą stroną jest strona użytkowa, która objawia się w możliwości przetwarzania przez bramkę (lub układ bramek) określonych pobudzeń binarnych. Chcąc badać tą naturę konieczne jest zapewnienie sobie możliwość wizualizacji aktualnych poziomów logicznych w poszczególnych węzłach struktury bramkowej. Do tego celu służą rozmaite analizatory. Obecnie przećwiczymy zastosowanie cyfrowego analizatora stanów logicznych Przebieg ćwiczenia 1. Zapoznaj się z notami katalogowymi układów: 74HC04 (bramki NOT) 74HC08 (bramki AND) oraz 74HC32 (bramki OR). Szczególną uwagę zwróć na ułożenie wejść i wyjść bramek w układzie scalonym 2. Korzystając z płyty ćwiczeniowej zbuduj układ zaprezentowany na schemacie 8. Zapewnij wizualizację stanów wyjściowych bramek na diodach LED. 3. Podłącz kolejne kanały głowicy analizatora stanów logicznych do linii wejściowych (przyciski A oraz B) a także wyjściowych dla bramek NOT, AND, OR 4. Uruchom oscyloskop oraz podłącz zasilanie do płyty. 5. W oscyloskopie wybierz opcję LA. 6. Dobierz pokrętłem < scale > skalowanie podstawy czasu analizy na 1s 7. Pokrętłem < position > ustaw znacznik początku analizy na lewą krawędź ekranu. 8. Wciskając przyciski A oraz B zaobserwuj zmiany rejestrowanych poziomów logicznych na poszczególnych kanałach analizatora 9. Wykonaj zrzut z ekranu analizatora ukazujący działanie inwertera i bramek dwuwejściowych AN D, OR na wszystkie możliwe kombinacje pobudzeń zadawanych przyciskami. Przykładową rejestrację takiego stanu prezentuje rys. 9 c Piotr Katarzyński 2011r. 7

8 1 KOMBINACYJNE UKŁADY LOGICZNE Rysunek 8: Połączenia na płycie ćwiczeniowej oraz sposób dołączenia analizatora stanów logicznych dla badania przetwarzania informacji przez podstawowe bramki logiczne. Rysunek 9: Analizator stanów logicznych podczas badania bramek. Znacznik czasu analizy (T) należy dosunąć do lewej krawędzi ekranu. 1.8 Sprawozdanie W sprawozdaniu należy zamieścić: 1. Oscylogramy z momentu pomiaru oraz wyniki pomiarów parametrów napięciowych inwertera 2. Oscylogramy z momentu pomiaru czasów propagacji 0 1 oraz 1 0 dla łańcucha inwerterów oraz pojedynczego inwertera. 3. Zrzut z ekranu analizatora stanów logicznych c Piotr Katarzyński 2011r. 8

9 Wszystkie zdjęcia/zrzuty ekranowe należy odpowiednio opisać. W szczególności należy oznaczyć przebieg i miejsce jego zarejestrowania w obwodzie. Dla analizatora stanów logicznych należy podpisać kanały D0..D15 użyte w pomiarach. Na podstawie analizy zrzutu należy rozpoznać i opisać operacje wykonywane na danych wejściowych przez poszczególne bramki. Piotr Katarzyński c 2011r. 9

Ćw. 8 Bramki logiczne

Ćw. 8 Bramki logiczne Ćw. 8 Bramki logiczne 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi, poznanie ich rodzajów oraz najwaŝniejszych parametrów opisujących ich własności elektryczne.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego adanie parametrów statycznych i dynamicznych ramek Logicznych Opracował: mgr inż. ndrzej iedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Parametry statyczne bramek logicznych

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 23 Poznanie symboli własności. Zmierzenie parametrów podstawowych bramek logicznych TTL i CMOS. Czytanie schematów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS 1 Tranzystor MOS Podczas bierzącego ćwiczenia omówiony zostanie sposób działania tranzystora polowego nmos, zbadane zostaną podstawowe charakterystyki tranzystora, oraz szybkość jego działania. Przed przystąpieniem

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych

LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Katedra Inżynierii Systemów, Sygnałów i Elektroniki LABORATORIUM Technika Cyfrowa Badanie Bramek Logicznych Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka 1 BADANIE FUNKCJI LOGICZNYCH 1.1 Korzystając

Bardziej szczegółowo

1 Badanie aplikacji timera 555

1 Badanie aplikacji timera 555 1 Badanie aplikacji timera 555 Celem ćwiczenia jest zapoznanie studenta z podstawowymi aplikacjami układu 555 oraz jego działaniem i właściwościami. Do badania wybrane zostały trzy podstawowe aplikacje

Bardziej szczegółowo

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY

WZMACNIACZ OPERACYJNY 1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego

Bardziej szczegółowo

1 Układy wzmacniaczy operacyjnych

1 Układy wzmacniaczy operacyjnych 1 Układy wzmacniaczy operacyjnych Wzmacniacz operacyjny jest elementarnym układem przetwarzającym sygnały analogowe. Stanowi blok funkcjonalny powszechnie stosowany w układach wstępnego przetwarzania i

Bardziej szczegółowo

Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74HC00, 74HCT00, 7403, 74132

Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74HC00, 74HCT00, 7403, 74132 Skład zespołu: 1. 2. 3. 4. KTEDR ELEKTRONIKI G Wydział EIiE LBORTORIUM TECNIKI CYFROWEJ Data wykonania: Suma punktów: Grupa Ocena 1 Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74C00, 74CT00, 7403, 74132 I. Konspekt

Bardziej szczegółowo

Badanie właściwości multipleksera analogowego

Badanie właściwości multipleksera analogowego Ćwiczenie 3 Badanie właściwości multipleksera analogowego Program ćwiczenia 1. Sprawdzenie poprawności działania multipleksera 2. Badanie wpływu częstotliwości przełączania kanałów na pracę multipleksera

Bardziej szczegółowo

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132.

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. Bramki logiczne 1. Czas trwania: 3h 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. 3. Wymagana znajomość pojęć stany logiczne Hi, Lo, stan

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0 LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..

Bardziej szczegółowo

Sprzęt i architektura komputerów

Sprzęt i architektura komputerów Krzysztof Makles Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat: Elementy i układy półprzewodnikowe Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Zakład Systemów i Sieci Komputerowych SPIS TREŚCI

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PROJEKTOWANIA UKŁADÓW VLSI

LABORATORIUM PROJEKTOWANIA UKŁADÓW VLSI Wydział EAIiE LABORATORIUM PROJEKTOWANIA UKŁADÓW VLSI Temat projektu OŚMIOWEJŚCIOWA KOMÓRKA UKŁADU PAL Z ZASTOSOWANIEM NA PRZYKŁADZIE MULTIPLEKSERA Autorzy Tomasz Radziszewski Zdzisław Rapacz Rok akademicki

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów tranzystorów MOS oraz

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2014 r. Wzmacniacze operacyjne Ćwiczenie 4 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i wybranymi zastosowaniami wzmacniaczy

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasad działania, budowy i właściwości podstawowych funktorów logicznych wykonywanych w jednej z najbardziej rozpowszechnionych

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Podstawowe układy cyfrowe

Podstawowe układy cyfrowe ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 4 Podstawowe układy cyfrowe Grupa 6 Prowadzący: Roman Płaneta Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi,

Bardziej szczegółowo

Parametry układów cyfrowych

Parametry układów cyfrowych Sławomir Kulesza Technika cyfrowa Parametry układów cyfrowych Wykład dla studentów III roku Informatyki Wersja 3.1, 25/10/2012 Rodziny bramek logicznych Tranzystory bipolarne Tranzystory unipolarne Porównanie

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w

Bardziej szczegółowo

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016)

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016) Laboratorium elektroniki Ćwiczenie E14IS Elementy logiczne Wersja 1.0 (29 lutego 2016) Spis treści: 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Zagrożenia... 3 3. Wprowadzenie... 3 4. Dostępna aparatura... 5 4.1. Moduł doświadczalny...

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki 2014 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 6 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2015 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 5 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów

Bardziej szczegółowo

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów przełączających. Cel ćwiczenia : Poznanie właściwości elektrycznych tranzystorów bipolarnych

Bardziej szczegółowo

Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC

Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC Instytut Fizyki ul. Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 6 Pracownia Elektroniki. Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC........ (Oprac. dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia:

Bardziej szczegółowo

Przetwarzanie A/C i C/A

Przetwarzanie A/C i C/A Przetwarzanie A/C i C/A Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego opracował: Łukasz Buczek 05.2015 Rev. 204.2018 (KS) 1 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z przetwornikami: analogowo-cyfrowym

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE

TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z techniką połączenia za pośrednictwem interfejsu. Zbudowanie

Bardziej szczegółowo

BADANIE ELEMENTÓW RLC

BADANIE ELEMENTÓW RLC KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE BADANIE ELEMENTÓW RLC REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z systemem laboratoryjnym NI ELVIS II, - zapoznanie się z podstawowymi

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie przerzutników - ćwiczenie 3

Statyczne badanie przerzutników - ćwiczenie 3 Statyczne badanie przerzutników - ćwiczenie 3. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami przerzutników w wersji TTL realizowanymi przy wykorzystaniu bramek logicznych NAND oraz NO. 2. Wykaz

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Wzmacniacze operacyjne-część sprzętowa

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Wzmacniacze operacyjne-część sprzętowa AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Wzmacniacze operacyjne-część sprzętowa Ćwiczenie 5a 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zamodelowanie trzech układów aplikacyjnych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 Program Electronics Workbench

Ćwiczenie 1 Program Electronics Workbench Systemy teleinformatyczne Ćwiczenie Program Electronics Workbench Symulacja układów logicznych Program Electronics Workbench służy do symulacji działania prostych i bardziej złożonych układów elektrycznych

Bardziej szczegółowo

1. Nadajnik światłowodowy

1. Nadajnik światłowodowy 1. Nadajnik światłowodowy Nadajnik światłowodowy jest jednym z bloków światłowodowego systemu transmisyjnego. Przetwarza sygnał elektryczny na sygnał optyczny. Jakość transmisji w dużej mierze zależy od

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400) INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 74).Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z charakterystykami statycznymi i parametrami statycznymi bramki standardowej NAND

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 1/10 2/10 PODSTAWOWE WIADOMOŚCI W trakcie zajęć wykorzystywane będą następujące urządzenia: oscyloskop, generator, zasilacz, multimetr. Instrukcje

Bardziej szczegółowo

Przetworniki AC i CA

Przetworniki AC i CA KATEDRA INFORMATYKI Wydział EAIiE AGH Laboratorium Techniki Mikroprocesorowej Ćwiczenie 4 Przetworniki AC i CA Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie budowy i zasady działania wybranych rodzajów przetworników

Bardziej szczegółowo

Przetwarzanie AC i CA

Przetwarzanie AC i CA 1 Elektroniki Elektroniki Elektroniki Elektroniki Elektroniki Katedr Przetwarzanie AC i CA Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego opracował: Łukasz Buczek 05.2015 1. Cel ćwiczenia 2 Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE RE. 0.4 1. CEL ĆWICZENIA Wyznaczenie podstawowych parametrów tranzystora unipolarnego takich jak: o napięcie progowe, o transkonduktancja,

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Sprawdzenie poprawności podstawowych bramek logicznych: NOT, NAND, NOR

Sprawdzenie poprawności podstawowych bramek logicznych: NOT, NAND, NOR Laboratorium Podstaw Techniki Cyfrowej dr Marek Siłuszyk mgr Arkadiusz Wysokiński Ćwiczenie 01 PTC Sprawdzenie poprawności podstawowych bramek logicznych: NOT, NAND, NOR opr. tech. Mirosław Maś Uniwersytet

Bardziej szczegółowo

Statyczne i dynamiczne badanie przerzutników - ćwiczenie 2

Statyczne i dynamiczne badanie przerzutników - ćwiczenie 2 tatyczne i dynamiczne badanie przerzutników - ćwiczenie 2. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami przerzutników w wersji TTL realizowanymi przy wykorzystaniu bramek logicznych NAND oraz

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 26. Temat: Układ z bramkami NAND i bramki AOI..

Ćwiczenie 26. Temat: Układ z bramkami NAND i bramki AOI.. Temat: Układ z bramkami NAND i bramki AOI.. Ćwiczenie 26 Cel ćwiczenia Zapoznanie się ze sposobami konstruowania z bramek NAND różnych bramek logicznych. Konstruowanie bramek NOT, AND i OR z bramek NAND.

Bardziej szczegółowo

3. Funktory CMOS cz.1

3. Funktory CMOS cz.1 3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście

Bardziej szczegółowo

Systemy cyfrowe z podstawami elektroniki i miernictwa Wyższa Szkoła Zarządzania i Bankowości w Krakowie Informatyka II rok studia

Systemy cyfrowe z podstawami elektroniki i miernictwa Wyższa Szkoła Zarządzania i Bankowości w Krakowie Informatyka II rok studia Systemy cyfrowe z podstawami elektroniki i miernictwa Wyższa Szkoła Zarządzania i Bankowości w Krakowie Informatyka II rok studia Ćwiczenie nr 2: Bramka NAND. l. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie

Bardziej szczegółowo

Rys. 2. Symbole dodatkowych bramek logicznych i ich tablice stanów.

Rys. 2. Symbole dodatkowych bramek logicznych i ich tablice stanów. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z funktorami realizującymi podstawowe funkcje logiczne poprzez zaprojektowanie, wykonanie i przetestowanie kombinacyjnego układu logicznego realizującego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe Ćwiczenie - 9 Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Przebieg ćwiczenia 2 2.1 Wyznaczanie charakterystyki przejściowej U wy = f(u we ) dla ogranicznika napięcia

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 5 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego - Zasada

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie z przyrządami stanowiska laboratoryjnego. 1. Zapoznanie się z oscyloskopem HAMEG-303.

Zapoznanie z przyrządami stanowiska laboratoryjnego. 1. Zapoznanie się z oscyloskopem HAMEG-303. Zapoznanie z przyrządami stanowiska laboratoryjnego. 1. Zapoznanie się z oscyloskopem HAMEG-303. Dołączyć oscyloskop do generatora funkcyjnego będącego częścią systemu MS-9140 firmy HAMEG. Kanał Yl dołączyć

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych

Ćwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych Ćwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych własności członów liniowych

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Pętla fazowa

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Pętla fazowa AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Pętla fazowa Ćwiczenie 6 2015 r. 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem pętli fazowej. 2. Konspekt

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 1.2 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1. Sprawdzanie podstawowych praw w obwodach elektrycznych przy wymuszeniu stałym

Ćwiczenie 1. Sprawdzanie podstawowych praw w obwodach elektrycznych przy wymuszeniu stałym Ćwiczenie 1 Sprawdzanie podstawowych praw w obwodach elektrycznych przy wymuszeniu stałym Wprowadzenie Celem ćwiczenia jest sprawdzenie podstawowych praw elektrotechniki w obwodach prądu stałego. Badaniu

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych KLUCZ TRANZYSTOROWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia jest badanie elementarnych układów przełączających (kluczy). Przeprowadza się pomiary i obserwacje przebiegów czasowych w układach podstawowych: tranzystorowym

Bardziej szczegółowo

Układy TTL i CMOS. Trochę logiki

Układy TTL i CMOS. Trochę logiki Układy TTL i CMOS O liczbie elementów użytych do budowy jakiegoś urządzenia elektronicznego, a więc i o możliwości obniżenia jego ceny, decyduje dzisiaj liczba zastosowanych w nim układów scalonych. Najstarszą

Bardziej szczegółowo

Synteza częstotliwości z pętlą PLL

Synteza częstotliwości z pętlą PLL Synteza częstotliwości z pętlą PLL. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zasadą działania pętli synchronizacji fazowej (PLL Phase Locked Loop). Ćwiczenie polega na zaprojektowaniu, uruchomieniu

Bardziej szczegółowo

Zworka amp. C 1 470uF. C2 100pF. Masa. R pom Rysunek 1. Schemat połączenia diod LED. Rysunek 2. Widok płytki drukowanej z diodami LED.

Zworka amp. C 1 470uF. C2 100pF. Masa. R pom Rysunek 1. Schemat połączenia diod LED. Rysunek 2. Widok płytki drukowanej z diodami LED. Ćwiczenie. Parametry dynamiczne detektorów i diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi parametrami dynamicznymi diod LED oraz detektorów. Poznanie możliwych do uzyskania

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R

Bardziej szczegółowo

UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) 1. OPIS TECHNICZNY UKŁADÓW BADANYCH

UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) 1. OPIS TECHNICZNY UKŁADÓW BADANYCH UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) WSTĘP Układy z pętlą sprzężenia fazowego (ang. phase-locked loop, skrót PLL) tworzą dynamicznie rozwijającą się klasę układów, stosowanych głównie

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Logiczne układy bistabilne przerzutniki.

Logiczne układy bistabilne przerzutniki. Przerzutniki spełniają rolę elementów pamięciowych: -przy pewnej kombinacji stanów na pewnych wejściach, niezależnie od stanów innych wejść, stany wyjściowe oraz nie ulegają zmianie; -przy innej określonej

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

Ćw. III. Dioda Zenera

Ćw. III. Dioda Zenera Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 17 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego -

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym 1. Cel ćwiczenia Generatory kwarcowe Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zagadnieniami dotyczącymi generacji przebiegów sinusoidalnych w podstawowych strukturach generatorów kwarcowych. Ponadto ćwiczenie

Bardziej szczegółowo

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę. WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3: Pomiar parametrów przebiegów sinusoidalnych, prostokątnych i trójkątnych. REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 3: Pomiar parametrów przebiegów sinusoidalnych, prostokątnych i trójkątnych. REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 3: Pomiar parametrów przebiegów sinusoidalnych, prostokątnych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie ZINTEGROWANE SYSTEMY CYFROWE. Pakiet edukacyjny DefSim Personal. Analiza prądowa IDDQ

Ćwiczenie ZINTEGROWANE SYSTEMY CYFROWE. Pakiet edukacyjny DefSim Personal. Analiza prądowa IDDQ Ćwiczenie 2 ZINTEGROWANE SYSTEMY CYFROWE Pakiet edukacyjny DefSim Personal Analiza prądowa IDDQ K A T E D R A M I K R O E L E K T R O N I K I I T E C H N I K I N F O R M A T Y C Z N Y C H Politechnika

Bardziej szczegółowo

PRZED PRZYSTĄPIENIEM DO ZAJĘĆ PROSZĘ O BARDZO DOKŁADNE

PRZED PRZYSTĄPIENIEM DO ZAJĘĆ PROSZĘ O BARDZO DOKŁADNE ĆWICZENIE 1) UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE OPARTE NA ELEMENTACH STYKOWYCH PRZED PRZYSTĄPIENIEM DO ZAJĘĆ PROSZĘ O BARDZO DOKŁADNE ZAPOZNANIE SIĘ Z TREŚCIĄ INSTRUKCJI CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest poznanie:

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych

Bardziej szczegółowo

U 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF

U 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF Dynamiczne badanie przerzutników - Ćwiczenie 3. el ćwiczenia Zapoznanie się z budową i działaniem przerzutnika astabilnego (multiwibratora) wykonanego w technice TTL oraz zapoznanie się z działaniem przerzutnika

Bardziej szczegółowo

Cyfrowe Elementy Automatyki. Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem

Cyfrowe Elementy Automatyki. Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem Cyfrowe Elementy Automatyki Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem Układy cyfrowe W układach cyfrowych sygnały napięciowe (lub prądowe) przyjmują tylko określoną liczbę poziomów,

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów PNFET Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych oraz parametrów tranzystorów PNFET.

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania. adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..

Bardziej szczegółowo

Światłowodowy kanał transmisyjny w paśmie podstawowym

Światłowodowy kanał transmisyjny w paśmie podstawowym kanał transmisyjny w paśmie podstawowym Układ do transmisji binarnej w paśmie podstawowym jest przedstawiony na rys.1. Medium transmisyjne stanowi światłowód gradientowy o długości 3 km. Źródłem światła

Bardziej szczegółowo

1 Ćwiczenia wprowadzające

1 Ćwiczenia wprowadzające 1 W celu prawidłowego wykonania ćwiczeń w tym punkcie należy posiłkować się wiadomościami umieszczonymi w instrukcji punkty 1.1.1. - 1.1.4. oraz 1.2.2. 1.1 Rezystory W tym ćwiczeniu należy odczytać wartość

Bardziej szczegółowo

Ćwicz. 4 Elementy wykonawcze EWA/PP

Ćwicz. 4 Elementy wykonawcze EWA/PP 1. Wprowadzenie Temat ćwiczenia: Przekaźniki półprzewodnikowe Istnieje kilka rodzajów przekaźników półprzewodnikowych. Zazwyczaj są one sterowane optoelektrycznie z pełną izolacja galwaniczną napięcia

Bardziej szczegółowo