Tranzystory typu Be 237, Be 23B, Be 239

UKD 621.382.3 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA Tranzystory typu Be 237 Be 23B Be 239.. BNB7 337530/07 Grupa kataogowa 1923. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegó Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta łowe wymagania dotyczące tranzystorów NPN małej CE 35. mocy małej częstotiwości wykonanych technoogią epitaksjanopanarną typu BC 237 BC 238 BC 239 Tabit:a. Oznaczenie typu (podtypu) kodem W obudowie pastykowej do zastosowań powszechnego wymagających zastosowa użytku oraz w urządzeniach nia eementów wysokiej i bardzo wysokiej jakości. Tranzystory przeznaczone są do pracy w stopniach wejściowych i sterujących wzmacniaczy małej częstotiwości. Tranzystory BC 239 przeznaczone są głównie do zastosowań w stopniach wejściowych o niskim poziomie szumów. Tranzystory BC 237 BC 238 BC 239 mogą być stosowane jako pary kompementarne z tranzystorami typu BC 307 BC 308 BC 309. Kategoria kimatyczna da tranzystorów: standardowej jakości (poziom ' jakości ) 40/125/04 wysokiej jakości (poziom jakości ) 40/125121 bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) 40/125/56. 2. Przykład oznaczenia a) tranzystora standardowej jakości: TRANZYSTOR BC 237 A BN!'i'Y337530/07 b) tranzystora wysokiej jakości: TRANZYSTOR BC 237 A/3 BN87/337530/07 c) tranzystora bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR BC 237 A/4 BN87r337530/07 3. Cechowanie tranzystorów powinno zawierać następujące dane: a) oznaczeni typu (podtypu) kodem wg tab!. b) oznakowanie dodatkowe da tranzystorów wysokiej i bardzo wysokiej jakości. Tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrą 3 a tranzystory bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu. 4. Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń tranzystora wg rysunku i tab!. 2. '. Typ tranzystora BC 237 BC 237A BC 237B BC 238 BC 238A BC 238B BC 238C BC 239 BC 239B BC 239C n AA 2 A.. c:::. Kod 237 237A 237B 238 238A 238B 238C 239 239B 239C 'V/konanie f1 W/konanie 11 f1 BM 87/3315301071 dopuszcza się śad (ubytek tworzywa) po wypychaczu na powierzchni korpusu obudowy 2 dopuszcza się ubytki na krawędziach wyprowadzeń h :;:;; 005. Zgłoszona przez Zakłady Przemysłu Eektronicznego KAZEL Ustanowiona przez Dyrektora NaukowoProdukcyjnego Centrum Półprzewodników dnia 21 istopada 1987 r. jako norma obowiązująca od dnia 1 ipca 1988 r. (Dz. Norm. i Miar nr 4/1988 poz. 10) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE.. ALFA" 1988. Druk. Wyd. Norm. Wwa. Ark. wyd. 100 Nakł. 2400 + 40 Zam. 621/88 Cena zł. 64 00

2 BN87/ 337530/ 07 Tabica 2. Wymiary obudowy CE 35 Sym np Wymiary mm Symbo Wymiary mm wymia ru Kąt o... wymaru mn nom max mn nom max nom A 45 52 125 145 b OJ5 055 M 36 42 b 04 E 34 36 0D 45 52 k 12 15 d 14 177 n 2 ) 26 3 e' ) 20 30 a 20 0 ') Wymia r kontr.\?owa ny w o di' g ośc i 2 mm od pł as zczyz n y podstawy obudowy.. 2) Dotyc zy oceny ut ownośc i. 5. Badania w grupie A B C i D wg BN801 337530100 p. 5.1. 6. Wymagania szczegółowe do badań grupy A B CiD a) badania podgrupy A sprawdzenie wymia rów: A 0D. wg rysunku i tab!. 2 b) badania podgrupy A2 A3 A4 i C2 wg tab!. 3 c) badania grupy B C i D wg tab!. 4 d) parametry eektryczne sprawdzane w czase po badaniach grupy B C i D wg tab!. 5. 7. Pozostałe postanowienia wg BN80/337530100. Tabica 3. Parametry eektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A2 A3 A4 C2 1 P pd " ł r" nadań Rodzaj bada nii Kontroo Metoda pomiaru Je W a rt oś ci graniczne wa ny pa wg PN74/ dno Warunki pomiaru BC 237 BC 238 BC 239 ra metr T0 1504 stka! miary mn max mn max mn max 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 A2 Sp"" wd 7. ni e e80 a rk. 05 Ue. = 45 V 15 pods t" w wych h= O na UeB = 20 V 15 15 h =O pmłc trów d'kt.ycznych U( BR) cm a rk. 03 e = 2 ma V 45 20 20 B = O U(8Rł EBO a rk. 04 fe = J. A V 6 5 5 e = O h21e' ) a rk. O c=2 ma 110 480 110 850 200 850 A 110 240 110 240! B 200 480 200 480 200 480 C 400 850 400 850 e = 10 J.A A : j B 40 40 40 C 100 100 F ark. 46 e = 02 ma 10 10 4 fi= khz tj.f = 200 Hz e = 0 2 ma 4 f = 30 Hz+15 khz A3 Spra wdzenie UBE a rk. O e = 2 ma V 055 07 055 07 055 07 ('2 dr u. () rzęd nyc h parametrów U CE j a a rk. 02 e = 10 ma V 025 025 025. = 05 ma eek tryc znych U SE sa ark. 02 e = 10 ma. = 05 ma V 08 08 08 fr a rk. 24 f e = 10 ma UeE = 5 V MHz 150 150 150 f= 100 MHz e CBO ark. 22 UeB = 10 V pf 45 45 45 f= MHz db

cd. tab!. 3 Podgrupa badań Rodzaj badania BN87/337530/ 07 3 Kontroo Metoda pomiaru Je Wartości graniczne wany pa wg PN74/ dno Warunki pomiaru BC 237 BC 238 BC 239 rametr T01504 stka miary mm max mm max mn max 2 3 4 5 6 7 8 9 /O 12 A4 Sprawdzenie C80 ark. 05 U C8 = 40 V A 5 parametrów h=o. eektrycznych W 10mb = 125 C (poziom i V) UC8 = 20 V 5 5 h=o ') Seekcja na kasy wzmocnienia A B C tyko na życzenie odbiorcy. Tabica 4. Wymagania szczceółowe do badań grupy B C D.. Lp. Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe 2 3 4. B C Sprawdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowa próba Ub: metoda 2 25 N cyk próba Ua: 5 N d ze ń Sprawdzenie szcze n ości próba Q wodny roztwór a'enou 2 B2 C3 Sprawdzenie utowności wyprowadzeń ocena ut owności nie obejmuje czół wyprowadzeń (po wycięciu beki) oraz bocznej powierzchni nu wymiarze n (po WycięCU mostków) 3 B3. C9 Sprawdzenie wytrzymałości na spadki swobodne po ł oże nie tranzystora w czasie spadania: wyprowadzeni ami do góry 4 B4 C4 Sprawdzenie wytrzymał ośc i na udary wieokrotne mocowanie zu o budowę 5 B5 C5 Sprawdzenie wytrzymałości na nagł e zmiany tempera T A = 55 C; T 8 = 155 C (poziom jako tury śc i V) 6 B6. C6 Sprawdzenie odporn ośc i na narażenia eektryczne układ OB w U e PN 78/T0 151 5 tab!. 5; obciążenie: d a BC 237: U C8 = 30 V fe = 10 ma da BC 238 i da BC 239: UC8 = 15Vh=20mA 7 C3 Sprawdzenie masy wyrobu O 20 :Q 25 g / 8 C4 Sprawdzenie wytrzymałości.. na przyspeszen3 s t a ł e kierunek probieczy: obydwa kierunki wzdłuż osi wyprowadzeń mocowae na obudowę Sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o stijłej często moc owa 111 e za obudowę tiw ości (da poziomu ) Sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o zmiennej częstotiwości (da poziomu V) 9 C5 Sprawdzenie wytrzymałości na ciepło utowania temperatura kąpiei 350 C /O C7 Sprawdzenie wyt rzymałości na zimno ; (sg min = 55 C (poziom jakości V) " C8 Sprawdzenie wytrzymałości na suche gorąco (poziom ja kości V) sg mix 155 C 12 CO Sprawdzenie wymiarów wg rysunku i tab!. 2 13 D Sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmosfe temperatura narażenia 25 C (poziom jako ryczne ści V) 14 02 Sprawdzenie wytrzymałości na rozpuszczaniki a koho izopropyowy ub aceton; A i 0 D wg rysunku i tab!. 2 15 03 Sprawdzenie paności paność zewnętrzna 16 04') Sprawdzenie wytrzymałości na peśń brak porostu peśni (poziom jakośc i V) 17 05 Sprawdzenie wytrzyma ł ości na mgę soną poożenie tranzystora dowone (poziom jakości i V) ) Badanie stosuje S i ę przy zamówieniu wyrobów w w)konaniu tropikanym ub da kimatu morskiego.

4 BN87/337530/07 Tabica 5. Parametry eektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B e i D OZaczc Jed Wartości graniczne Mt'toda pomiaru nic paraw[! PN74/T01504 Podgrupa badań BC 237 BC 238 BC 239 Warunki nostmetru pomiaru ka miary mm max mm max mm max 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ark. 05 UCB = 45 V B C 20 na h = O B3 B4 B5 C2 C4 C5 D 15 U CB = 20 V B C 20 20 na h=o B3 B4 B5 C2 C4 e5 D 15 15 CBO U CB = 45 V B6 C6 C8 na 100 h=o C2 1 ) A 5 UCB = 20 V B6 C6 C8 na 100 100 h= O C2 1 ) 5 5 h21 E ark. O Je = 2 ma B B3 B4 B5 C C2 C4 110 480 110 850 200 850 C5 C7 A 110 240 110 240 B ; 200 480 20() 480 200 480 e 400 850 400. 850 86 C6 C8 90 580 90 1020 160 1020 A 90 290 90 290 B 160 580 160 580 160 580 C 320 1020 320 1020 C2 2 ) 45 45 80 A 45 45 B 80 80 80 C 160 160 ' ) W ciasit.: badania odporności ' J W ":.asu: badania odporności na suche gorąco. na zimno. KONEC NFORMACJE DODATKOWE. nstytucja oprdcowująca normę NaukowoProdukcyjne Cenru' 1'(1!'rz wodnió\v. Zakłady Przemysłu Eektronicznego KAZEL w h:.':./i'. 2. \<Jrmy związane 1!'. 7V O504 / ()! Tra.ystory. Pomiar h21e i napięca UBE!'N74/ T01504/ 02 Tranzystory. Pomiar napięć nasycenia UCEa.! UO/:"'t 1't\74/ T01504/ 03 Tranzystory. Pomiar napięć U1BR) CES U 1BR) CER U 1BR) CEX '."' 74/T {)1504/ 04 Tranzystory. Pomiar napięć U 1HH ) f80 przebicia U1BR) CEO przebicia U1BR) CBO " 1>; 7VTO 504/ 05 Tranzystory. Pomiar prądów wstecznych CBo i J:.HO ' 74/ TO 1504/ 22 Tranzystory. Pomiar pojemności ':' 74/ T0 1504/24 Tranzystory. Pomiar modułu C CBO i Cuo h 2.1 w zakresie '.\ cz. i czstotiwości fr '" ': /T 01515 Eementy półprzewodnikowe. Ogóne wymaganw ; ""b ia BN76/T01504/46 Tranzystory. Pomiar parametrów szumów BN80/337530/00 Eementy półprzewodnikowe. Tranzystory małej mocy małej częstotiwości. Wymagania i badania 3. Symbo wyrobu wg KTM BC 237 1156211301002 BC 237 A 11562113010 15 BC 237B 1156211301028 BC 238 1156211302003 BC 238A 1156211302016 BC 238B 1156211302029 BC 238C 1156211302031 BC 239 1156211303004 BC 239B 1156211303017 BC 239C 1156211303020 4. Wartości dopuszczane wg rys. i tab.. 5. Dane charakterystyczne wg rys. 12;(5 i tab. 12.

nformacje dodatkowe do BN87/ 337530/ 07 5 P tot mw 300 200 100 40 25 O ['\ BC 237 BC 238 Be 239 " :;..o " " i'. Rys. SN 87 / 3375 30/07111 Je Je Jez /' 1/ rt f/. "... Rys. 12 VeE.. Bi e7331530/oer21 Obj aś n ie ni e do rys. 12: N a pi ęc i e koankowe UCEG... Wartość na pi ę cia koektoremiter wyznaczona przez ok reś o n ą wartość prądu koe kto ra e na takiej charakterystyce wyjśc i owej tra nzystora e = = f (UCE) przy. = const która przechodzi p rzez punkt: f e2 = k e (np. k = 11 ) UCE o k reś o n e np. U ee = V fe ma 8 6 1/... i"'" f4j 8C237 115 rombl.n Lł' 1 25 20 15 Tabica. Wa rtości dopuszczane Ozna J edno Wa r tości Lp. czeme Nazwa parametru stka dopuszczane para miary BC BC BC met ru 237 238 239 Ucoo N apięc i e koek V 45 20 20 torbaza 2 UCES Napi ęc i e koek V 45 20 20 toremiter przy U BE = O 3 UCEO Napięc i e koek V 45 20 20 to rem iter 4 UEBO Nap ięcie emiter V 6 5 5 baza 5 c Prąd koek tora ma. 100 6 em Prąd szczytowy ma 200 koektora 7 o Prąd bazy ma 50 8 Pot C a łk o w i t a moc mw 300 wej ściowa (s t ał a ub średn ia) na wszystkich e k.. trodach tamb2 5 C 20 c ma 12 8 O '/ '" Rys. 13 " 19 1&11 1 1/ hz/e NORf1 8 10 6!ił 18" 81/3315'30/01 'O :g 1 12 " " ' 20 'u V Rys. 14 18H871337!3D/07 1 41 9 j Temperatura oc 150 złą cza 10 tstg Temperatura oc.550 155 przechowywama o 11 amb Temperatura oc 400 125 otoczenia w czasie pracy 181187/3375 30107 Rys. 15

nformacje dod a tkowe do BN87/ 337530/ 07 O /14h.:/.:!\. Lp. i\o / \\;.1 pij 'a mt..: ru rw ra h:tru po miaru..\ 4 5 6 7 8 9 10 12 13 14 COt) 'r/ d cr.. 'wy k() UCH = 45 V 02 15 k kt"." h = O n A Ucs = 20 V 0.2 15 02 15 fe = O 2 U ( HR) CE..'U Napi<; ci' prz' h i fe = 2 ma V 45 20 20 c ia k "kk to. / s = O 'nikr 3 U(SR ESO Nup i c i p. zbi fe =!A V 6 5 5 Cia emitnhaw. = O 4 U CEs/ Napic;ci nas y c = 10 ma V 009 025 009 0.25 009 025 C' J1J ko ekto r s = 05 ma m i k. e = 100 m A) V 02 06 02 06 /. = 5 ma 5 V BE SU Napięc i e nasy e = 10 ma V 07 083 07 083 07 083 C'! '1 haza em i. = 05 ma tn c= 100 m A ) V 0.9 105 09 105. = 5 m A! fi U!) Napięci e ko an ei = 10 m A V 03 06 03 06 03 06 ko wc Uc< = V 1C2 = ma 7 Ust.' Napięc i ' baw e = 01 m A V 055 055 055 t..' 11 c r c= 2 ma V 055 062 07 0.55 062 07 055 062 07 e = 100 m A ) V 083 083 8 h 2 E» Sta tyczny e = 10!A A 90 90 współc zy nnik B 40 150 40 150 40 150 wzmocnie nia p rą d o we go C 100 270 100 270 w uka d zie Tabica (2. Dane charakterystyczne Jedno Wa rt ości parametrów Warunki s tka Be 237 Be 238 Be 239 mia ry mm typ max m m typ max mm typ max fe = 2 m A 110 480 10 850 200 850 em tera A 110 180 240 110 180 240 ws pó nego B 200 290 480 200 290 480 200 290 480 C 400 520 850 400 520 850 f c = 100 m A) A 120 120 B 200 200 C 380 9 h } ) Ma osyg na o wa c = 2 ma 16 8.5. 16 15 3.2 15 zwarciowa m pedancja f = wej khz kn 16 30 45 30 A 16 45 ś c i owa w uka B 32 60 85 32 60 85 32 60 85 d zie wspónego C 60 90.. 60 90 15.. e m ite ra 15 10 12" ) M aosygnaowy f c = 2 m A A 15 15 i rozwa rcowy x 10' B 20 20 20 w s półczy n ni k f= khz wstecznego C 30 30 p rzenoszenia n a pi ęcowe go wspó nego emitera

nformacje doda tkowe do BN87/3375JO/ 07 7 cd. tab!. 12 Lp. Oznaczenie parametru Na zwa parametru Warunki pomiaru J edno War t oś ci parametrów stka BC 237 BC..0138 BC 239 miary mm typ max mm typ max mm typ max h2e') Mał osyg nał owy f e = 2 ma 125 500 125 900 240 900 zwa rcowy A 125 200 260 125 200 260 w s pó łczy n nik f= khz przenoszema B 240 380 500 240 380 500 240 380 500 p rą dowego w ukł a d z i e wspónego emitera " C 450 600 900 450 600 900 12 hn) Mał osyg n ałowa f e = 2 ma 60 110 110 rozwa rcowa admifancja wyj A 18 30 18 30 f = khz S śc iowa w ukł a B 30 60 30 60 30 60 dzie wspónego emitera 13 F Współc zy nnik c = 02 ma 3 10 szumów f= khz t1f = 200 H z C 60 110 60 110 3 10 2 4 db f e = 02 m A 2 4 f = 30 Hz 7 15 khz. 14 f T C zę s to ti wość f c = 10 ma MHz 150 300 150 300 150 300 gra mczna f = 100 MHz 15 CCHO Poj e mn ość złą UCH = OV pf 25 45 25 45 25 45 cza koektora h=o f = MHz 16 CCHO Poje m ność złą UCH = 05 V p F 8 8 8 cza emitera f e = O f= MHz ' ) Pomiar impusowy t p 300 S. 6 2%. 2) Okre ś en ie wg rys. 12. ) Seekcja na k asy A B C ty ko na ż ycze nie odbiorcy.