4. Źródła i klucze. W tej części wykładu: Źródła idealne niezaleŝne Źródła idealne sterowane z zaleŝnością liniową Klucze sterowane

Podobne dokumenty
Źródła idealne niezaleŝne Źródła idealne sterowane z zaleŝnością liniową Klucze sterowane

Niezależne i sterowane źródła napięciowe i prądowe

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

INSTRUKCJA LABORATORIUM TECHNIK INFORMACYJNYCH

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM

Tranzystory w pracy impulsowej

5. Funkcje w standardzie SPICE i w programie Probe. Parametry globalne. Funkcje wbudowane w programie PSPICE pakietu MicroSim

Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki. Opracował: Mgr inż. Marek Staude

R 1 = 20 V J = 4,0 A R 1 = 5,0 Ω R 2 = 3,0 Ω X L = 6,0 Ω X C = 2,5 Ω. Rys. 1.

Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE

Laboratorium Elektroniczna aparatura Medyczna

Modelowanie diod półprzewodnikowych

Wykaz symboli, oznaczeń i skrótów

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

Przetwarzanie energii elektrycznej w fotowoltaice. Ćwiczenie 12 Metody sterowania falowników

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) 1. OPIS TECHNICZNY UKŁADÓW BADANYCH

Wzmacniacze operacyjne

3. Podstawowe analizy zastosowanie i uruchamianie

3. Podstawowe analizy zastosowanie i uruchamianie. OP analiza punktu pracy. Wyniki wyznaczania punktu pracy. Rodzaje podstawowych analiz przypomnienie

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził:

Wzmacniacze operacyjne

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

Wzmacniacze operacyjne

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

1. Opis płyty czołowej multimetru METEX MS Uniwersalne zestawy laboratoryjne typu MS-9140, MS-9150, MS-9160 firmy METEX

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

Rys. 1. Wzmacniacz odwracający

Kompensator PID. 1 sω z 1 ω. G cm. aby nie zmienić częstotliwości odcięcia f L. =G c0. s =G cm. G c. f c. /10=500 Hz aby nie zmniejszyć zapasu fazy

Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki. Opracował: Mgr inż. Marek Staude

7 Dodatek II Ogólna teoria prądu przemiennego

Ćw. 8 Bramki logiczne

POMIAR NAPIĘCIA STAŁEGO PRZYRZĄDAMI ANALOGOWYMI I CYFROWYMI. Cel ćwiczenia. Program ćwiczenia

TRANZYSTORY BIPOLARNE

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE

1. Wstęp teoretyczny.

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Wstęp. Doświadczenia. 1 Pomiar oporności z użyciem omomierza multimetru

Ćwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1

WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.

L7 - Program PCNAP. 1. Opis programu. 2. Przykład analizy TR. 3. Przykład analizy AC

Plan semestru wykład. Literatura - podstawowa. Komputerowe Projektowanie Układów Elektronicznych. 16 godzin wykładu. Materiały wykładowe dla kursu 16h

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne

Układy akwizycji danych. Komparatory napięcia Przykłady układów

INDEKS. deklaracja... 7,117 model model materiału rdzenia Charakterystyki statyczne Czynnik urojony...103

Prawa Kirchhoffa. I k =0. u k =0. Suma algebraiczna natężeń prądów dopływających(+) do danego węzła i odpływających(-) z danego węzła jest równa 0.

Dioda półprzewodnikowa

12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych

Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie

SILNIK INDUKCYJNY STEROWANY Z WEKTOROWEGO FALOWNIKA NAPIĘCIA

Analiza ustalonego punktu pracy dla układu zamkniętego

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

DANE: wartość skuteczna międzyprzewodowego napięcia zasilającego E S = 230 V; rezystancja odbiornika R d = 2,7 Ω; indukcyjność odbiornika.

Liniowe układy scalone. Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych

A3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Przyrządy i układy mocy studia niestacjonarne, sem. 4 lato 2018/19. dr inż. Łukasz Starzak

Projekt z Układów Elektronicznych 1

Temat ćwiczenia: Przekaźniki półprzewodnikowe

Laboratorium Elementów Elektronicznych. Sprawozdanie nr Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych.

WZMACNIACZ OPERACYJNY. Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych. Rodzaj wzmacniacza Rezystancja wejściowa Rezystancja wyjściowa

Scalony analogowy sterownik przekształtników impulsowych MCP1630

Dodatek B Deklaracje elementów.

Celem dwiczenia jest poznanie budowy i właściwości czwórników liniowych, a mianowicie : układu różniczkującego i całkującego.

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET

Komputerowe Projektowanie Układów Elektronicznych

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Systemy i architektura komputerów

Rys. 1. Przebieg napięcia u D na diodzie D

Badanie diod półprzewodnikowych

WZMACNIACZ OPERACYJNY

Wejścia logiczne w regulatorach, sterownikach przemysłowych

Przegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW

Wielkości opisujące sygnały okresowe. Sygnał sinusoidalny. Metoda symboliczna (dla obwodów AC) - wprowadzenie. prąd elektryczny

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

1. Obwody prądu stałego

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćw. 8: POMIARY Z WYKORZYSTANIE OSCYLOSKOPU Ocena: Podpis prowadzącego: Uwagi:

BADANIA SYMULACYJNE STABILIZATORA PRĄDU

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

Moduł wejść/wyjść VersaPoint

Przyjazna instrukcja obsługi generatora funkcyjnego Agilent 33220A

A-3. Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych

Przetwarzania energii elektrycznej w fotowoltaice. Modelowanie autonomicznych systemów fotowoltaicznych przy użyciu oprogramowania PSpice

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WSTĘP DO SPICE. Uruchomienie programu SPICE w trybie tekstowym

Układy elektroniczne II. Modulatory i detektory

Transkrypt:

4. Źródła i klucze W tej części wykładu: Źródła idealne niezaleŝne Źródła idealne sterowane z zaleŝnością liniową Klucze sterowane 53 Źródła idealne niezaleŝne Źródło idealne to źródło nieskończenie wydajne i stabilne, o zerowej (napięciowe) lub nieskończenie duŝej (prądowe) rezystancji Źródło niezaleŝne to źródło, którego wartość nie zaleŝy od innych wielkości w obwodzie Opis niezaleŝnego źródła napięcia i prądu (przypomnienie) Voznaczenie plus minus [definicja] Ioznaczenie plus minus [definicja] MoŜe występować do 3 definicji po jednej dla analiz DC, AC i TRAN K2 552 VWE VWE K2 K1 definicja IO 55 552 definicja IO K1 55 54 Źródła stałe Źródło zerowe Brak definicji Zastosowanie: pomiar prądu w gałęzi, w której nie ma innych elementów Zerowa wartość odnosi się do wszystkich analiz (DC, AC, TRAN) VWE K2 K1 DC składowa stała lub źródło stałe definicja := DC wartość Definicja DC jest uwzględniana w analizie DC a takŝe w analizie TRAN jeŝeli nie występuje Ŝadna z definicji: EXP, PWL, PULSE, SIN, SFFM VWE K2 K1 DC 5 55 1

Definicja dla analizy AC AC składowa przemienna definicja := amplituda [faza] Definiuje źródło sinusoidalnie zmienne o podanej amplitudzie i fazie (w stopniach) Definicja AC jest uwzględniana wyłącznie w analizie AC Dlatego nie podaje się częstotliwości bowiem w analizie AC jest ona zmienna Amplituda i faza źródła będzie stała dla wszystkich częstotliwości Domyślna faza wynosi 0 IO 55 552 AC 2mA 90deg Definicje omawiane dalej są uwzględniane wyłącznie w analizie TRAN 56 SIN źródło sinusoidalne definicja := SIN (IOFF IAMPL FREQ TD DF PHASE) IOFF składowa stała (ang. offset) IAMPL amplituda (amplitude) FREQ częstotliwość (frequency) Obowiązkowe są 2 pierwsze parametry Domyślna częstotliwość to odwrotność czasu_końcowego z instrukcji TRAN (czyli widoczny będzie jeden okres sinusoidy) Pozostałe parametry wynoszą domyślnie 0 TD opóźnienie (delay time); przed upływem tego czasu źródło ma wartość stałą DF współczynnik tłumienia (damping factor) odwrotność stałej czasowej przebiegu wykładniczego; sinusoida jest mnoŝona przez EXP( TIME DF) Definicja SIN nie ma nic wspólnego z analizą AC 57 SIN źródło sinusoidalne IAMPL IOFF 1/FREQ 270 VWE K2 K1 SIN (1V 3V 50Hz) VWE K2 K1 SIN (1V 3V 50Hz 0 0 270deg) e t/τ ; τ=1/df TD VWE K2 K1 SIN (1V 3V 50Hz 20ms) VWE K2 K1 SIN (1V 3V 50Hz 0 10) 58 2

SFFM sinusoida z modulacją częstotliwości Ang. Single-Frequency Frequency-Modulated definicja := SFFM (IOFF IAMPL FC MOD FM) IOFF składowa stała (ang. offset) IAMPL amplituda (amplitude) FC częstotliwość nośna (carrier frequency) MOD głębokość modulacji (modulation index) FM częstotliwość modulacji (modulation frequency) ( ( )) IOFF+ IAMPL sin2π FC t+ MOD sin2π FM t IO 55 552 SFFM (20mA 1mA + 10kHz 4 1kHz) 59 EXP przebieg wykładniczy Ang. Exponential definicja := EXP (I1 I2 TD1 TC1 TD2 TC2) I1 wartość początkowa I2 wartość szczytowa TD czasy opóźnień (ang. delay time) TC stałe czasowe (time constant) TD1) TC1 ( t TD2) TC2 ( ) ( ) ( I2 I1) ( 1 e ) ( t I1+ I2 I1 1 e 2. składnik od chwili TD1, 3. składnik od chwili TD2 IO 55 552 EXP (1V 5V + 10ms 5ms 40ms 15ms) TD1 TD2 τ=tc1 I2 τ=tc2 I1 60 PULSE impulsy trapezoidalne Ang. Pulse impuls definicja := PULSE (I1 I2 TD TR TF PW PER) I1, I2 poziom początkowy, poziom impulsu TD opóźnienie (ang. delay time) TR, TF czas narastania (rise time), czas opadania (fall time) PW czas trwania impulsu (pulse width) PER okres powtarzania (period) Uwagi do parametrów określenia czas narastania i czas opadania są umowne; precyzyjnie: czas zmiany z I1 na I2 i czas zmiany z I2 na I1 jeŝeli I2 < I1, to TR będzie faktycznie czasem opadania, a TF narastania domyślnie PER=czas_końcowy z instrukcji TRAN (PER=0 lub nie podane) jeŝeli nie podamy PER, to otrzymamy pojedynczy impuls (nie okresowy) domyślnie PW=czas_końcowy (PW=0 lub nie podane) jeŝeli nie podamy PER ani PW, to otrzymamy pojedynczy skok z I1 na I2 aby otrzymać trójkąt lub piłę (brak trwania impulsu), PW nie moŝe być zerowe; rozwiązanie: bardzo mała wartość, np. PER/100, PER/1000 domyślnie TR,TF=krok_danych_wyjściowych z instrukcji TRAN dla nieskończenie stromego zbocza podać bardzo małą wartość 61 3

PULSE impulsy trapezoidalne TR PW TF prostokąt o wsp. wypełnienia D TD=TF=PER/1000 0; PW=PER D I2 TD I1 PER PULSE (-3V 9V 20ms 5ms 20ms 15ms 50ms) PULSE (-3V 9V 0ms 0.04ms 0.04ms 15ms 40ms) trójkąt PW=PER/1000 0; TD+TF=PER PW PER pojedynczy skok PW=PER=czas_końcowy=100ms PULSE (-3V 9V 0ms 20ms 9.97ms 0.03ms 30ms) PULSE (-3V 9V 20ms 10ms) 62 PWL linia łamana Ang. Piece-Wise Linear odcinkowo liniowe definicja := PWL [mnoŝnik_czasu] [mnoŝnik_wartości] (T1,I1) (T2,I2) (Tn,In) T1, T2, wartości czasu w kolejnych wierzchołkach łamanej; muszą to być liczby jeŝeli czas poprzedza znak +, to jest on liczony od poprzedniego punktu I1, I2, wartości prądu/napięcia w kolejnych wierzchołkach; mogą to być liczby lub wzory w nawiasach klamrowych mnoŝnik_czasu współczynnik, przez który przeskalowane zostaną wartości T1 Tn mnoŝnik_wartości współczynnik, przez który przeskalowane zostaną wartości I1 In Powtarzanie fragmentów przebiegów powtórzenie n-krotne REPEAT FOR n współrzędne_punktów ENDREPEAT przebieg okresowy (powtarzany do końca symulacji) REPEAT FOREVER współrzędne_punktów ENDREPEAT wewnątrz pętli REPEAT czasy są liczone od początku pętli, a nie od początku symulacji 63 PWL linia łamana VWE K2 K1 PWL (0,0) (5m,0) (15m,6) (35m,6) (40m,3) VWE K2 K1 PWL (0,0) (+5m,0)(+10m,6)(+20m,6)(+5m,3) VWE K2 K1 PWL (0ms,0V) (5ms,0V) + REPEAT FOREVER + (10ms,6V) (30ms,6V) (35ms,3V) (40ms,3V) + ENDREPEAT VWE K2 K1 PWL + (0,3) (10m,3) + REPEAT FOR 6 + (0.01m,6) (2.5m,6) (2.51m,3) (5m,3) + ENDREPEAT + (+20m,3) (+10m,0) 64 4

Przykład 4.1 a R7 VF23 R5 65 Przykład 4.1 b 53 V22 3 66 Przykład 4.1 c VGG VGG 0 67 5

Przykład 4.1 d 24A Wszystkie czasy narastania i opadania wynoszą 2,5 µs IT2 24B 68 Przykład 4.1 e 24A IT2 24B 69 Przykład 4.1 f L VMAINS N Przebieg ma się zacząć od maksimum. 70 6

Źródła idealne sterowane z zaleŝnością liniową Źródło sterowane to źródło, którego wartość zaleŝy od przebiegu napięcia lub prądu w innym punkcie obwodu Źródła definiuje się odmiennie w zaleŝności od sposobu sterowania: źródła sterowane napięciem (róŝnica potencjałów dwóch węzłów) E, G źródła sterowane prądem (prąd niezaleŝnego źródła napięcia moŝe być zerowe) F, H w symulatorze PSPICE dodatkowo specjalne definicje źródeł sterowanych napięciem napięcie wyjściowe niekoniecznie zaleŝne od róŝnicy dwóch potencjałów (to zagadnienie będzie omówione później) W tym miejscu omówiony zostanie najprostszy przypadek sterowania liniowa zaleŝność przebiegu źródła od przebiegu sterującego 71 Źródła sterowane napięciem Sygnał sterujący: napięcie między dowolnymi dwoma węzłami Źródło napięcia sterowane napięciem Eoznaczenie plus minus plus_sterowania + minus_sterowania wzmocnienie_napięciowe V(plus,minus) = wzmocnienie_napięciowe V(plus_sterowania,minus_sterowania) SP ZP V(SP,SM) V(EST) EST V(EST) = 500000 V/V V(SP,SM) SM ZM EST ZP ZM SP SM 500E3 72 Źródła sterowane napięciem Źródło prądu sterowane napięciem Goznaczenie plus minus plus_sterowania + minus_sterowania transkonduktancja I(Goznaczenie) = transkonduktancja V(plus_sterowania,minus_sterowania) Uwaga na strzałkowanie napięcia i prądu źródła SP ZM I(GST) V(SP,SM) GST I(GST) = 4,8 10 3 A/V V(SP,SM) SM ZP GST 73 7

Źródła sterowane prądem Sygnał sterujący: prąd dowolnego niezaleŝnego źródła napięcia Źródło prądu sterowane prądem Foznaczenie plus minus nazwa_źródła_sterującego + wzmocnienie_prądowe I(Foznaczenie) = wzmocnienie_prądowe I(nazwa_źródła_sterującego) 26 I(VS2) 13 I(FST) V(VS2) = 120 V I(FST) = 8,72 A/mA I(VS2) 25 VS2 2 FST VS2 26 25 DC 120 FST 2 13 VS2 8.72k 74 Źródła sterowane prądem Źródło prądu sterowane napięciem Hoznaczenie plus minus nazwa_źródła_sterującego + transrezystancja V(plus,minus) = transrezystancja I(nazwa_źródła_sterującego) Uwaga na strzałkowanie napięcia i prądu źródła JeŜeli potrzebne jest sterowanie prądem gałęzi, w której nie ma niezaleŝnego źródła prądowego, naleŝy włączyć w nią w szereg zerowe źródło napięcia L3 240µ 44 S8 I(L3) V(HS89) 3 S9 HS89 V(HS89) = 1 V/A I(L3) 44A L3 240µ 44 I(VIL3) VIL3 I(L3) V(HS89) S8 HS89 L3 44 3 240uH HS89 3 S9 75 Przykład 4.2 Przedstawić tranzystor bipolarny jako wzmacniacz prądowy o wzmocnieniu równym 148 C B E 76 8

Klucze sterowane Klucz sterowany to opornik o rezystancji zaleŝnej od bieŝącej wartości sygnału sterującego Klucz sterowany napięciem Soznaczenie plus minus plus_sterowania + minus_sterowania nazwa_modelu.model nazwa_modelu VSWITCH ROFF=ROFF + RON=RON VOFF=VOFF VON=VON ROFF rezystancja klucza otwartego (załączonego) RON rezystancja klucza zamkniętego (wyłączonego) VOFF próg otwarcia VON próg zamknięcia Uwagi do parametrów modelu Domyślnie ROFF = 1 MΩ, RON = 1 Ω, VOFF = 0 V, VON = 1 V Wartości parametrów mogą być dowolne, jednak zwykle przyjmuje się naturalne zaleŝności: ROFF > RON, VON > VOFF Wymaganie ze względu na zbieŝność obliczeń: ROFF/RON 10 12 77 Klucze sterowane Klucz sterowany napięciem (c.d.) Działanie (przy załoŝeniu VON > VOFF) Napięcie sterujące US= V(plus_sterowania,minus_sterowania) US VOFF VOFF US VON US VON.MODEL KLUCZN VSWITCH + RON=100M ROFF=1MEG + VON=8V VOFF=6V Rezystancja klucza ROFF wygładzona funkcja przejściowa RON 78 Klucze sterowane Klucz sterowany prądem Sygnałem sterującym jest prąd niezaleŝnego źródła napięcia (patrz źródła sterowane F, H) Woznaczenie plus minus nazwa_źródła_sterującego + nazwa_modelu.model nazwa_modelu ISWITCH ROFF=ROFF + RON=RON IOFF=IOFF ION=ION Definicja parametrów i działanie analogiczne do klucza sterowanego napięciem Przykładowe zastosowania kluczy sterowanych uproszczenie (przyspieszenie) symulacji układów, w których klucze tranzystorowe są przełączane wiele razy w ciągu jednej symulacji klucz jest prostym modelem tranzystora badanie reakcji układu na zmianę warunków pracy np. spadek obciąŝenia klucz pozwala w pewnym momencie włączyć w obwód dodatkowy rezystor (moment włączenia określamy przez odpowiednią definicję sygnału sterującego źródłem) 79 9

Przykład 4.3 Opisać podany obwód w formacie SPICE Parametry: rezystancja klucza otwartego 500 kω rezystancja klucza zamkniętego 0,5 Ω RT = 50 Ω VZ = 24 V (DC) Dodać do obwodu źródło sterujące i tak je zdefiniować oraz określić brakujące parametry klucza, aby: w chwili t = 4 s przez rezystor RT zaczął płynąć prąd w chwili t = 12 s prąd przestał płynąć od chwili t = 22 s przepływ prądu powtórzył się SKLUCZ jeszcze 8-krotnie (źródło sterujące wstawia się zwykle osobno RT od obwodu podstawowego, dodając w tym celu osobny węzeł lub węzły) VZ 80 Projekt 2 VDC KTR=0,99 D1 1N4004 D2 1N4004 L 1 VMAINS LP 200µ LS C1 1µ RLOAD 1k N 2 D3 1N4004 D4 1N4004 81 10