Skład osobowy ZAKŁAD FIZYKI ATOMOWEJ Prof. dr hab. Marek Pajek kierownik zakładu, dr Dariusz Bana, mgr Marcin Czarnota, mgr Aldona Kubala-Kuku, mgr Jakub Szlachetko, mgr Marek Detka, mgr in. Ewa Kacak Tematyka badawcza Działalno naukowa zakładu dotyczy fizyki zderze atomowych. Eksperymentalnie badana jest dynamika procesu jonizacji wewn trznych powłok atomowych, w tym jonizacji wielokrotnej, w zderzeniach ci kich jonów o energiach 0.1-10 MeV/n z atomami. Obserwowane jest wzbudzane promieniowanie rentgenowskie serii K-, L i M z wykorzystaniem metod spektroskopii rentgenowskiej (detektory półprzewodnikowe oraz spektrometry krystaliczne). Eksperymenty takie s wykonywane na wi zkach ró nych akceleratorów, głównie we współpracy z Uniwersytetem w Erlangen w Niemczech (tandem), Instytutem Paula Scherrera (PSI) w Szwajcarii (cyklotron Philipsa) oraz rodowiskowym Laboratorium Ci kich Jonów Uniwersytetu Warszawskiego (cyklotron U200). Drug tematyk badawcz z zakresu zderze atomowych jest badanie procesów rekombinacji jonów atomowych w wysokich stanach ładunkowych. Badanymi procesami s tu: rekombinacja radiacyjna (RR), rekombinacja dwuelektronowa (DR), rekombinacja trójciałowa (TBR). Eksperymenty rekombinacyjne s prowadzone we współpracy z Laboratorium Manne Siegbahna Uniwersytetu w Sztokholmie przy wykorzystaniu pier cienia akumulacyjnego CRYRING oraz pier cienia ESR w GSI, w Darmstadt. Badania dotycz ce rezonansowego rozpraszania ramanowskiego promieniowania rentgenowskiego s prowadzone przy wykorzystaniu Europejskiego ródła Promieniowania Synchrotronowego (ESRF) w Grenoble. Zakład współpracuje z nast puj cymi o rodkami: Instytut Problemów J drowych w wierku rodowiskowe Laboratorium Ci kich Jonów Uniwersytetu Warszawskiego w Warszawie wi tokrzyskie Centrum Onkologii w Kielcach Uniwersytet w Erlangen, Niemcy Instytut Ci kich Jonów (GSI), Darmstadt, Niemcy Uniwersytet w Sztokholmie, Szwecja Laboratorium Manne Siegbahna, Sztokholm, Szwecja Uniwersytet we Fribourgu i Uniwersytet w Basel, Szwajcaria Instytut Paula Scherrera (PSI) w Villigen, Szwajcaria Uniwersytet Kansai Gaidai, Osaka, Japonia Europejskie ródło Promieniowania Synchrotronowego (ESRF), Grenoble, Francja 5
Badanie rezonansowego rozpraszania Ramana promieniowania synchrotronowego J. Szlachetko, A.Kubala-Kuku, M. Pajek, R. Barrett 1, M. Berset 2, J.-Cl. Dousse 2, K. Fennane 2, J. Hoszowska 1 i M. Szlachetko 2 Zastosowanie metody rentgenowskiej analizy fluorescencyjnej z całkowitym odbiciem wi zki padaj cej (TXRF) w poł czeniu ze ródłem synchrotronowym promieniowania rentgenowskiego stwarza nowe mo liwo ci pomiarów bardzo małych koncentracji pierwiastków lekkich np. aluminium (Al), stanowi cych zanieczyszczenie materiałów półprzewodnikowych. Granica wykrywalno ci pierwiastków ograniczona jest jednak przez obecno promieniowania rezonansowego rozpraszania Ramana (RRS). Tak wi c w tego typu pomiarach istotna jest dokładna znajomo kształtu widma zdeterminowanego głównie przez rozpraszanie Ramana. W ramach prowadzonych bada analizowano rezonansowe rozpraszanie Ramana promieniowania synchrotronowego w ciele stałym (Si, Al, SiO 2 i Al 2 O 3 ). Eksperyment został przeprowadzony w European Synchrotron Radiation Facility (ESRF) w Grenoble (Francja), na wi zce fotonów ID21, przeznaczonym do spektroskopii rentgenowskiej z wysok zdolno ci rozdzielcz. Widma promieniowania rejestrowano przy wykorzystaniu spektrometru krystalicznego typu von Hamos o wysokiej zdolno ci rozdzielczej (~ev), co umo liwiło okre lenie dokładnego kształtu widm rozpraszania ramanowskiego oraz wyznaczenie stosunku intensywno ci tego promieniowania do intensywno ci linii fluorescencyjnej Kα. Pomiary przeprowadzono dla ró nych energii promieniowania synchrotronowego (od 1400 ev do 1900 ev), o nat eniu 10 12 10 13 fotonów/s z energetyczn zdolno ci rozdzielcz wi zki ~6eV w obszarze poni ej kraw dzi absorpcji powłoki K. Na podstawie zarejestrowanych widm wyznaczono przekroje czynne na Rys.1 Zdj cie spektrometru krystaliczny typu von Hamos zainstalowanego w układzie ID21 ESRF. 0 1680 1690 1700 1710 1720 1730 1740 rezonansowe rozpraszanie Ramana promieniowania synchrotronowego. Zaobserwowano istotne ró nice w kształcie widm promieniowania rozpraszania Ramana mi dzy metalem (Al) i półprzewodnikiem (Si), jak równie mi dzy ich tlenkami. Rezultatem bada b dzie mo liwo obni enia progu wykrywalno ci zanieczyszczenia Al w materiałach półprzewodnikowych. Counts / 8000 sec Counts / 8000 sec 10000 8000 6000 4000 40000 3500 3000 2500 1500 1000 500 RRS structure Si, E Kedge =1840 ev =1836 ev =1831 ev =1821 ev =1810 ev =1791 ev RRS structure SiO 2, E Kedge =1848 ev =1841 ev =1836 ev =1826 ev =1816 ev Energy [ev] Kα line Kα line Rys. 2 Widma promieniowania rozpraszania Ramana mierzone dla krzemu (Si) oraz tlenku krzemu (SiO 2 ) dla ró nych energii 1 European Synchrotron Radiation Facility (ESRF), Grenoble, Francja 2 Department of Physics, University of Fribourg, Fribourg, Szwajcaria 6
Wpływ efektów relatywistycznych na szeroko rozkładu energii dwufotonowego przej cia 2 1 S 0 1 1 S 0 w helopodobnym uranie D. Bana, Th. Stöhlker 1, A. Gumberidze 1, A. Orsic-Muthig 1, U. Spillmann 1, S. Tachenow 1, D. Sierpowski 2 i A. Warczak 2 Równoczesna emisja dwóch fotonów w skutek przej elektrycznych dipolowych (E1) jest dominuj cym mechanizmem rozpadu stanu 2 1 S 0 w He-podobnych jonach. Proces ten jest wynikiem oddziaływania pomi dzy atomem a polem elektromagnetycznym i mo e by opisany nast puj co: 1s2s 1 S 0 1s 2 1 S 0 + ω 1 + ω 2, gdzie ω 1 oraz ω 2 s energiami fotonów emitowanych w przej ciu. Suma energii tych fotonów jest zawsze równa ró nicy energii pomi dzy stanem pocz tkowym i ko cowym elektronu bior cego udział w przej ciu: ω 1 + ω 2 = E I - E F Istotnym jest fakt, e ka dy z fotonów jest emitowany z ci głym rozkładem energii, którego maksimum znajduje si w połowie energii przej cia. Szeroko tego rozkładu (FWHM) wzrasta z liczb atomow od Z = 2 do 20, po czym stopniowo maleje. Zmiany kształtu (szeroko ci) rozkładu energii emitowanych fotonów s rezultatem, po pierwsze, oddziaływania coulombowskiego elektron-elektron, które zmniejsza szeroko rozkładu dla Z < 20 oraz, po drugie, efektów relatywistycznych, które z kolei zmniejszaj jego szeroko dla Z >20 (patrz rysunek). Ten wyra ny wpływ oddziaływania elektron-elektron dla małych Z oraz efektów relatywistycznych dla du ych Z pozwala na jednoznaczny eksperymentalny test przewidywa teoretycznych opisuj cych He-podobne jony. Pierwszy eksperyment umo liwiaj cy dokładny pomiar rozkładu energii fotonów dla du ych Z został przeprowadzony w zeszłym roku dla He-podobnych jonów uranu gromadzonych i chłodzonych w pier cieniu akumulacyjnym ESR w GSI Darmstadt. W eksperymencie tym zastosowano całkowicie now technik pomiaru przej dwufotonowych w której He-podobne jony uranu, wzbudzone do stanu 2s, były wytwarzane poprzez selektywn jonizacj powłoki K w Lipodobnych jonach. Technika ta pozwoliła na bardzo wydajny oraz wolny od tła pomiar przej dwufotonowych w He-podobnym uranie, a tym samym pierwszy test przewidywa teoretycznych dla wysokich Z. Zmierzona w eksperymencie zredukowana szeroko rozkładu dwufotonowego przej cia 2 1 S 0 1 1 S 0 w He-podobnym uranie okazała si zgodna z obliczeniami relatywistycznymi, potwierdzaj c tym samym przewidziane teoretycznie zmniejszanie si szeroko ci tego rozkładu na skutek efektów relatywistycznych. Reduced FWHM 0,85 0,80 0,75 0,70 nonrelativistic [1] relativistic [2] experiment 0 20 40 60 80 100 Atomic number (Z) 1 Gesellschaft für Schwerionenforschung (GSI), Darmstadt, Niemcy 2 Instytut Fizyki im. M. Smoluchowskiego, Uniwersytet Jagiello ski, Kraków 7
Radiacyjna rekombinacja jonów uranu U 92+ z elektronami swobodnymi M. Pajek, D. Bana, M. Czarnota, J. Szlachetko, Th. Stöhlker 1, A. Gumberidze 1, A. Orsic-Muthig 1, U. Spillmann 1, R. Reusch 1, S. Tachenow 1, D. Sierpowski 2 i A. Warczak 2 Przeprowadzone dot d eksperymenty, w których badano proces rekombinacji jonów z elektronami pokazały, e zmierzone współczynniki rekombinacji radiacyjnej zgadzaj si z przewidywaniami teoretycznymi tylko dla energii wzgl dnych wy szych ni temperatura poprzeczna wi zki elektronów kt, natomiast dla energii poni ej temperatury podłu nej kt obserwowany jest istotny wzrost tych współczynników w stosunku do przewidywa teoretycznych. Jest to tzw. efekt wzmocnienia - zaobserwowany po raz pierwszy eksperymencie z g st tarcz elektronow w GSI i potwierdzony w wielu pier cieniach akumulacyjnych dla ró nych jonów, a do całkowicie obdartego uranu U 92+. 4000 W wi kszo ci tych eksperymentów jony, które wychwyciły elektron wskutek radiacyjnej rekombinacji były separowane od zgromadzonej w pier cieniu wi zki za pomoc magnesu dipolowego umieszczonego zaraz za stref oddziaływania jonów z elektronami i mierzone za pomoc detektora cz stek. Taka technika, je li zostanie zastosowana do zerowych energii wzgl dnych, pozwala jedynie na pomiar jonów, które wychwyciły elektron w wyniku radiacyjnej rekombinacji, nie umo liwia natomiast identyfikacji stanu, do którego ten elektron został wychwycony. W 2004 roku został przeprowadzony pierwszy eksperyment dla energii wzgl dnych 0-1000 mev, w którym mo liwa była jednoznaczna identyfikacja stanów elektronowych rekombinuj cych jonów poprzez pomiar promieniowania rentgenowskiego emitowanego w procesie bezpo redniej radiacyjnej rekombinacji lub dalszej deekscytacji stanów wzbudzonych. W eksperymencie tym badano rekombinacj radiacyjn całkowicie zjonizowanych jonów uranu o energii 23 MeV/u, gromadzonych w pier cieniu akumulacyjnym ESR (GSI Darmstadt) i chłodzonych w chłodnicy elektronowej, która jednocze nie słu yła za tarcz elektronow. W eksperymencie mierzono jednocze nie fotony promieniowania rentgenowskiego b d ce skutkiem bezpo redniej rekombinacji do niskich stanów elektronowych (n = 1,2) tzn. K-RR oraz L-RR oraz linie serii mana i Balmera, które s rezultatem kaskadowej deekscytacji nast puj cej po wychwycie elektronów do wysokich stanów elektronowych (patrz rys.). Z intensywno ci linii K-RR i L-RR wyznaczono współczynniki rekombinacji do stanów 1s 1/2, 2s 1/2, 2p 1/2, 2p 3/2, natomiast intensywno ci linii mana i Balmera okazały si bardzo dobrym narz dziem do badania procesu rekombinacji dla wysokich stanów rydbergowskich. Eksperyment ten umo liwił wi c, po raz pierwszy, badanie efektu wzmocnienia rekombinacji jonów dla szerokiego zakresu stanów elektronowych i energii wzgl dnych, daj c tym samym unikaln mo liwo lepszego zrozumienia procesu radiacyjnej rekombinacji jonów z elektronami. Counts 3500 3000 2500 1500 1000 500 e+u 92+ Balmer L-RR U 91+ +hv man 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 Energy (kev) 1 K-RR Widmo promieniowania rentgenowskiego zmierzone dla zerowej energii wzgl dnej przez detektor umieszczony pod k tem 0 0 2 1 Gesellschaft für Schwerionenforschung (GSI), Darmstadt, Niemcy 2 Instytut Fizyki, Uniwersytet Jagiello ski, Kraków 8
Wielokrotna jonizacja powłok L i M pierwiastków o rednim Z w zderzeniach z jonami tlenu M. Czarnota, D. Bana, M. Pajek, J.-Cl. Dousse 1, M. Breset 1, Y.-P. Maillard 1, O. Mauron 1, P. A. Raboud 1, D, Chmielewska 2, Z. Sujkowski 2, J. Rzadkiewicz 2, M. Polasik 3, K. Słabkowska 3 i J. Hoszowska 4 Promieniowanie rentgenowskie emitowane przez wielokrotnie zjonizowane atomy zawiera w sobie informacje o strukturze elektronowej atomu w chwili emisji tego promieniowania. Szczegóły tej struktury mog by analizowane dzi ki wykorzystaniu dyfrakcyjnej spektroskopii rentgenowskiej. Opisywany eksperyment został przeprowadzony w Instytucie Paula Scherrera (PSI) w Villigen w Szwajcarii. U ywaj c wi zek jonów tlenu o energii 279 MeV oraz neonu o energii 178 MeV zmierzono widma linii Lα 1,2 (L 3 M 4,5 ) oraz Lβ 1 (L 2 M 4 ) dla Zr, Mo oraz Pd. Do pomiarów wykorzystano krystaliczny spektrometr typu von Hamosa o zdolno ci rozdzielczej 0,6 ev w mierzonym zakresie energii. W celu oszacowania prawdopodobie stw wielokrotnej jonizacji wykorzystano dost pne obliczenia MCDF dla Zr, Mo i Pd. U yto konfiguracji o maksymalnie trzech dziurach w powłoce M i jednej dziurze w powłoce L. Dla otrzymanych wzgl dnych intensywno ci poszczególnych linii sprawdzono, czy podlegaj one rozkładowi dwumianowemu: P Ni i ki Ni ki ( k ) p ( p ) i N = i i k 1, i gdzie: p i prawdopodobie stwo jonizacji powłoki N, k i ilo dziur w powłoce N. Otrzymane dla powłok L i M prawdopodobie stwa wielokrotnej jonizacji wyniosły 5-8% dla powłoki L oraz 7-9% dla powłoki M. Stwierdzono, e otrzymane eksperymentalnie wzgl dne stosunki intensywno ci poszczególnych linii nie s zgodne z rozkładem dwumianowym. Otrzymane wyniki porównano równie z warto ciami obliczonymi na podstawie modelu geometrycznego, które dały warto ci prawdopodobie stw jonizacji dla powłoki L 10%, a dla powłoki M 5%. Poniewa do oblicze nie wł czono bardziej skomplikowanych konfiguracji, dla których nie były dost pne obliczenia MCDF, otrzymane wyniki nale y traktowa jako szacunkowe wyniki wst pne, obarczonych bł dem ok. 25%. W celu wyznaczenia dokładnych warto ci prawdopodobie stw jonizacji powłok L i M dla mierzonych atomów o rednim Z, do dalszej analizy zostan u yte obliczenia MCDF dla bardziej zło onych konfiguracji (M -m N -n ) dziur w powłokach elektronowych. Counts 50000 40000 30000 0 Lα 1,2 M-shell satellites 279 MeV-O 6+ Pd L-shell hypersatellites 2,84 2,88 2,92 2,96 Energy [kev] MCDF calculations: convoluted diagram line (L 3 M 4,5 ) M -1 M -2 M -3 L -1 L -1 M -1 Linia Lα 1,2 palladu ze struktur satelitarn powłoki M i hipersatelitarn powłoki L wraz ze strukturami uzyskanymi na podstawie oblicze MCDF. 1 Physics Department, University of Fribourg, Fribourg, Szwjacaria 2 Instytut Problemów J drowych im. A. Soltana, wierk-owtock 3 Wydział Chemii, Uniwersytet Mikołaja Kopernika, Toru 4 European Synchrotron Radiation Facility (ESRF), Grenoble, Francja 9