Optymalizacja warunków otrzymywania kropek kwantowych metod SILAR

Transkrypt

1 MATERIA Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 66, 1, (2014), Optymalizacja warunków otrzymywania kropek kwantowych metod SILAR ANITA TRENCZEK-ZAJ C 1 *, AGNIESZKA CZ 1, MAGDALENA ZI BKA 2, MARTA RADECKA 1 1 AGH Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydzia In ynierii Materia owej i Ceramiki, KCN, al. A. Mickiewicza 30, Kraków 2 AGH Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydzia In ynierii Materia owej i Ceramiki, KCiMO, al. A. Mickiewicza 30, Kraków * anita.trenczek-zajac@agh.edu.pl Streszczenie W celu otrzymania kropek kwantowych PbS i CdS zastosowano metod adsorpcji kolejnych warstw jonów i reakcji (SILAR) z wykorzystaniem roztworów siarczku sodu, azotanu(v) o owiu(ii) i siarczanu(vi) kadmu na bazie wody destylowanej lub metanolu. Zastosowano st enia z zakresu 0,001-0,1 M oraz liczb cykli osadzania zmieniaj c si w granicach Obecno poszczególnych pierwiastków w otrzymanych strukturach potwierdzona zosta a analiz widma EDS. Na podstawie wyników XRD stwierdzono, e zarówno PbS jak i CdS krystalizuj w uk adzie regularnym. Analiza zdj otrzymanych metod SEM pozwoli a na okre lenie zale no ci pomi dzy parametrami procesu SILAR, takimi jak st enie roztworów prekursorów, liczba cykli osadzania i rodzaj rozpuszczalnika, a rozmiarem nanostruktur PbS i CdS. W przypadku obu siarczków, zastosowanie roztworów wodnych prekursorów o st eniu nie przekraczaj cym 0,01 M stwarza warunki do krystalizacji pojedynczych kropek kwantowych, których rozmiar ro nie wraz ze wzrostem st enia. Analogiczne zale no ci obserwowane s w przypadku zwi kszania liczby cykli, bez wzgl du na rodzaj rozpuszczalnika. Stosowanie roztworów wodnych o wi kszym st eniu ( 0,1 M) prowadzi do cz ciowej aglomeracji. Zmiana rozpuszczalnika na metanol pozwala na zmniejszenie rozmiaru nanostruktur. S owa kluczowe: SILAR, kropka kwantowa, CdS, PbS OPTIMIZATION OF THE CONDITIONS FOR RECEIVING QUANTUM DOTS BY THE SILAR ROUTE In order to deposit quantum dots of PbS and CdS successive ionic layer adsorption and reaction, SILAR route was employed. Waterand methanol-based solutions of sodium sul de, lead(ii) nitrate and cadmium sulfate were used. A concentration of solutions varied from M and a number of cycles changed from The EDS analysis con rmed the presence of sulphur and lead or cadmium in the obtained structures. Based on the XRD results it was found that both PbS and CdS crystallized in the cubic structure. SEM images allowed us to determine the relationship between size of deposited QDs and SILAR parameters such as the solution concentration, the number of cycles and the solvent type. In the case of both sulphides, deposition from the water-based solutions of concentrations up to 0.01 M creates the conditions suitable for crystallization of individual QDs. Along with the increase in the solution concentration the size of QDs increases. Similar effects are observed in case of the increase in the number of cycles regardless of the solvent type. The usage of more concentrated solutions ( 0.1 M) leads to partial agglomeration. Changing the solvent to methanol leads to smaller nanostructures. Keywords: SILAR, Quantum dot, CdS, PbS 1. Wst p Kropki kwantowe (QDs), zwane równie strukturami zerowymiarowymi, to pó przewodnikowe nanocz stki, zwykle o rozmiarach mniejszych ni 10 nm, które wykazuj tzw. ograniczenie kwantowe (ang. quantum con nement) i kwantowy efekt rozmiarowy (ang. quantum size effect). Mo liwo sterowania rozmiarem kropek kwantowych w procesie ich otrzymywania oraz unikalne w a ciwo ci otwieraj przed nimi szeroki wachlarz zastosowa od diagnostyki medycznej, poprzez absorbery UV czy diody LED, po wykorzystanie w ogniwach s onecznych i fotoelektrochemicznych PEC (ang. photo-electrochemical cell). Dodatkow zalet, wynikaj c z kwantowego efektu rozmiarowego, jest mo liwo zmiany widma absorpcji kropek kwantowych poprzez kontrol ich rozmiaru. Jednym z interesuj cych zastosowa QDs jest ich wykorzystanie jako sensybilizatory pó przewodników szerokopasmowych takich jak TiO 2, SnO 2 czy ZnO, stosowanych m.in. w fotokatalizie i ogniwach fotoelektrochemicznych. Pó przewodniki w skopasmowe, np.: CdS, PbS, Ag 2 O, zapewniaj dodatkow absorpcj promieniowania w zakresie wiat a widzialnego, a co za tym idzie, zwi kszon wydajno procesów fotoelektrochemicznych. Proces sensybilizacji mo e by realizowany na dwa sposoby. Pierwszy z nich opiera si na syntezie nieorganicznych zwi zków QDs z organicznych prekursorów i substancji maskuj cych. Kluczowymi parametrami w tym procesie z punktu 49

2 A. TRENCZEK-ZAJ C, A. CZ, M. ZI BKA, M. RADECKA widzenia rozmiaru otrzymanych struktur s : temperatura, w której prowadzona jest synteza oraz st enie rodków maskuj cych. Otrzymane w ten sposób w roztworze koloidalnym QDs osadzane s na powierzchni pó przewodnika metod adsorpcji bezpo redniej lub poprzez czniki chemiczne. Tak uzyskane QDs s monodyspersyjne, jednak e stopie pokrycia przez nie powierzchni jest niewielki [1]. Inna droga preparatyki to bezpo rednia synteza QDs na powierzchni pod o a z k pieli chemicznej CBD (ang. chemical bath deposition) lub metod adsorpcji kolejnych warstw jonów i reakcji SILAR (ang. successive ionic layer adsorption and reaction). Przyjmuje si, e synteza bezpo rednia nie pozwala na kontrol rozmiaru, a otrzymane QDs s polidyspersyjne. Niew tpliwymi zaletami s jednak wysoki stopie pokrycia powierzchni, jak i prostota metody [1-3]. Celem niniejszej pracy by a optymalizacja warunków otrzymywania zerowymiarowych struktur siarczku o owiu(ii) oraz siarczku kadmu osadzanych na powierzchni tytanu. Podj to równie prób uzyskania równomiernego rozmieszczenia QDs oraz kontroli rozmiaru otrzymywanych struktur. 2. Preparatyka Siarczki kadmu (CdS) oraz o owiu (PbS) nanoszono na pod o e tytanowe o grubo ci 0,127 mm (Sigma Aldrich, 99,7%) metod SILAR, polegaj c na cyklicznym osadzaniu kationu (Cd 2+ /Pb 2+ ) i anionu (S 2- ) z odr bnych roztworów. Zmiennymi parametrami procesu by y: rodzaj zastosowanego rozpuszczalnika woda destylowana lub metanol (cz.d.a., 99,8%), st enie roztworów (0,001-0,1 M) oraz ilo cykli osadzania (5-15). W przypadku siarczku kadmu zastosowano roztwory otrzymane przez rozpuszczenie uwodnionego siarczanu(vi) kadmu (CdSO 4 8/3H 2 O, cz.d.a., ACROS) oraz uwodnionego siarczku sodu (Na 2 S 9H 2 O, cz.d.a., POCH) w wodzie destylowanej lub metanolu. W procesie otrzymywania siarczku o owiu ród em jonów o owiu(ii) by y wodne i metanolowe roztwory azotanu(v) o owiu(ii) (Pb(NO 3 ) 2, 99+%, ACROS), za prekursorem jonów siarczkowych, podobnie jak w przypadku CdS, roztwory siarczku sodu. G ównym czynnikiem limituj cym st enie roztworów, wykorzystanych w procesie SILAR, by a rozpuszczalno prekursorów (CdSO 4, Pb(NO 3 ) 2 oraz Na 2 S) w zastosowanych rozpuszczalnikach. W przypadku roztworów wodnych osadzanie prowadzono z roztworów soli o st eniach 0,001 M, 0,01 M oraz 0,1 M. Z uwagi na zdecydowanie ni sz rozpuszczalno prekursorów w metanolu, zw aszcza siarczanu(vi) kadmu oraz siarczku sodu, w przypadku tego rozpuszczalnika wykorzystano jedynie roztwory o st eniach 0,001 M oraz 0,01 M. Przygotowanie pod o a tytanowego polega o na odt uszczeniu folii tytanowej. Proces oczyszczenia przy pomocy p uczki ultrad wi kowej prowadzono 4 etapowo: w wodzie z detergentem, wodzie, wodzie destylowanej i acetonie; czas trwania ka dego z etapów wynosi 15 minut. Ka dy cykl osadzania sk ada si z czterech etapów. Pierwszy z nich polega na zanurzeniu pod o a tytanowego na 60 s w roztworze b d cym prekursorem kationów (CdSO 4 lub Pb(NO 3 ) 2 ). Powodowa o to adsorpcj jonów kadmu lub o owiu na powierzchni tytanu. Usuni cia s abo zwi zanych z powierzchni jonów dokonywano w trakcie drugiego etapu osadzania zanurzanie w rozpuszczalniku (odpowiednio wodzie destylowanej lub metanolu). W toku przeprowadzonych do wiadcze ustalono, e zanurzenie w rozpuszczalniku na 60 sekund pod o a z zaadsorbowanymi na jego powierzchni jonami Cd 2+ oraz Pb 2+ prowadzi m.in. do aglomeracji, krystalizuj cych nalnie na pod o u, siarczków. Dlatego te ten etap osadzania zosta zmody kowany przez 15 s pod o e przemywano rozpuszczalnikiem, a przez kolejne 45 s pod- o e by o w rozpuszczalniku zanurzone. Kolejnym etapem by o umieszczenie pod o a w wodnych lub metanolowych roztworach siarczku sodu, podczas którego nast powa a adsorpcja jonów S 2- oraz reakcja pomi dzy jonami siarczkowymi a wcze niej zaadsorbowanymi kationami (Cd 2+ lub Pb 2+ ). Jeden cykl osadzania ko czy o ponowne zanurzenie w czystym rozpuszczalniku zgodnie z procedur przedstawion powy ej. 3. Metody badawcze W badaniach budowy powierzchni materia ów, zw aszcza w skali nanometrycznej, szczególn rol odgrywa metoda skaningowej mikroskopii elektronowej (SEM). Do analizy Rys. 1. Zdj cia SEM powierzchni oraz wyniki analizy EDS materia ów otrzymanych w wyniku osadzania siarczku o owiu(ii) (a) i siarczku kadmu (b) metod SILAR na pod o u tytanowym Fig. 1. SEM images and EDS spectra of the surface of materials obtained in the process of PbS (a) and CdS (b) deposition on titanium substrate by means of the SILAR routine. 50 MATERIA Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 66, 1, (2014)

3 OPTYMALIZACJA WARUNKÓW OTRZYMYWANIA KROPEK KWANTOWYCH METOD SILAR powierzchni tytanu pokrytego nanocz stkami siarczku kadmu CdS lub o owiu PbS zastosowano mikroskop Nova NanoSEM 200 (FEI & Oxford Instruments). Pozwoli o to na wyznaczenie zale no ci pomi dzy rozk adem QDs i ich rozmiarem a parametrami procesu SILAR. W celu okre lenia sk adu chemicznego, pozwalaj cego na potwierdzenie obecno ci poszczególnych pierwiastków (w zale no ci od próbki siarki i kadmu lub o owiu), wykonano pomiar metod dyspersji energii promieniowania rentgenowskiego EDS. Struktura krystalogra czna siarczków osadzanych na pod o- u Ti zosta a wyznaczona metod dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego przy u yciu dyfraktometru Philips X Pert Pro Panalytical z promieniowaniem CuK 1 ( =1,5406 Å). Identy kacja fazowa wykonana zosta a przy pomocy programu X Pert HighScore Plus oraz bazy danych PDF. 4. Wyniki Przyk adowy wynik osadzania kropek kwantowych siarczku o owiu(ii) i siarczku kadmu przedstawiono na Rys. 1a i 1b. Typowe widmo EDS uzyskane dla pod o a tytanowego po procesie SILAR (Rys. 1a) jednoznacznie wskazuje na obecno zarówno siarki, jak i o owiu, obok dominuj cego piku tytanowego, pochodz cego od pod o a. Widoczny jest równie pik tlenowy, pochodz cy równie od pod o a tytanowego. Podobna analiza zosta a przeprowadzona w przypadku procesu osadzania QDs z roztworów siarczanu(vi) kadmu oraz siarczku sodu (Rys. 1b). W tym przypadku, w widmie EDS obok pików charakterystycznych dla tytanu, widoczne s równie piki wiadcz ce o obecno ci kadmu i siarki. Analiza XRD pod o a tytanowego, stosowanego w procesie osadzania QDs (Rys. 2), wskazuje, e g ównym sk adnikiem jest metaliczny tytan. Analiza fazowa wykaza a ponadto obecno niewielkich ilo ci TiO, Ti 6 O oraz tlenku tytanu(iv) (TiO 2 ) w formie anatazu i rutylu. Spowodowane jest to powierzchniowym utlenianiem tytanu, co jest wynikiem du ego powinowactwa chemicznego tytanu do tlenu. Na Rys. 2 porównano równie dyfraktogramy uzyskane dla pod o a tytanowego przed i po osadzeniu QDs. Rentgenogram przedstawiony na Rys. 2a uzyskano dla siarczku o owiu(ii), osadzanego w 15 cyklach SILAR z roztworu o st - eniu 0,1 M na bazie wody. Na podstawie przeprowadzonej analizy stwierdzono, e PbS krystalizuje w uk adzie regularnym, w strukturze galeny [4], co pozostaje w zgodno ci z danymi literaturowymi [5 i 6]. rednia wielko krystalitów PbS wynosi ok. 17 nm. Dyfraktogram siarczku kadmu otrzymanego w wyniku osadzania w 10 cyklach SILAR z roztworu o st eniu 0,001 M na bazie wody przedstawiono na Rys. 2b. Wyznaczenie sk adu fazowego CdS mo liwe jest dzi ki analizie rentgenogramu w zakresie o, w którym to obecne s trzy re eksy o najwi kszej intensywno ci pochodz ce od fazy heksagonalnej (100), (002), (101) [7] oraz najintensywniejszy re eks (111), pochodz cy od fazy regularnej [8]. W zakresie tym, na przedstawionym rentgenogramie widoczne jest szerokie pasmo o niewielkiej intensywno ci. Porównanie intensywno ci re eksów, pochodz cych od obu faz z kszta tem wspomnianego pasma, pozwala wnioskowa, e CdS krystalizuje w strukturze hawleitu [8], w uk adzie regularnym [9]. a) b) Rys. 2. Dyfraktogramy pod o a tytanowego przed i po osadzaniu PbS (a) i CdS (b) metod SILAR; wielko krystalitów: PbS ok. 17 nm, CdS ok. 2 nm. Fig. 2. X-ray diffraction patterns of titanium substrate before and after deposition of PbS (a) and CdS (b) by means of the SILAR routine; crystallite size: PbS ~17 nm, CdS ~2 nm. Zdj cia SEM powierzchni niepokrytego tytanu oraz zerowymiarowe struktury siarczku o owiu(ii), otrzymane na Ti przy ró nej liczbie cykli osadzania, przedstawiono na Rys. 3. Na zdj ciu Rys. 3a pokazano wyj ciow powierzchni tytanu, na którym osadzano siarczki. Nale y zaznaczy, e makro- -defekty widoczne na obrazach SEM, tak samej powierzchni tytanu jak i tytanu po osadzaniu QDs, nie s efektem przygotowania pod o a, lecz wynikaj z metody otrzymywania folii tytanowej, zastosowanej przez producenta. Obrazy SEM nanocz stek uzyskane w przypadku u ycia roztworów o st eniu 0,001 M na bazie metanolu dla 10 (Rys. 3b) i 15 (Rys. 3c) cykli SILAR oraz w przypadku 0,1 M roztworów wodnych dla 5 (Rys. 3d), 10 (e) i 15 (f) cykli zaprezentowano równie na Rys. 3. W przypadku roztworów wodnych (Rys. 3d-3f) wzrost liczby cykli osadzania prowadzi do kilkukrotnego zwi kszenia rozmiaru QDs, od ok. 3-4 nm dla 5 cykli SILAR (Rys. 3d) do ok nm dla 15 cykli (Rys. 3f). Istotne jest równie, e wzrost liczby cykli osadzania nie prowadzi do powstania nowych centrów krystalizacji siarczku o owiu(ii), a jedynie do rozrostu istniej cych ju QDs. Analogiczne zale no ci obserwowane s przy otrzymywaniu kropek kwantowych MATERIA Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 66, 1, (2014) 51

4 A. TRENCZEK-ZAJ C, A. CZ, M. ZI BKA, M. RADECKA Rys. 3. Zdj cia SEM powierzchni tytanu przed (a) oraz po osadzaniu kropek kwantowych PbS przy ró nej liczbie cykli z roztworu metanolowego o st eniu 0,001 M: b) 10 cykli, c) 15 cykli) oraz 0,1 M roztworu wodnego: d) 5 cykli, e) 10 cykli i f) 15 cykli. Fig. 3. SEM images of the titanium surface before (a) and after deposition of QDs-PbS at different number of SILAR cycles from M methanol solution: b) 10 cycles, c) 15 cycles, and 0.01 M water solution: d) 5 cycles, e) 10 cycles, f) 15 cycles. PbS z roztworów wodnych o mniejszych st eniach (0,01 M oraz 0,001 M). W przypadku otrzymywania PbS z roztworów, gdzie rozpuszczalnikiem by metanol wyst puje podobny trend wzrost liczby cykli osadzania prowadzi do wzrostu rozmiaru QDs. Warto jednak zauwa y, e wp yw tego parametru na rozmiar kropek kwantowych jest zdecydowanie mniejszy ni w przypadku roztworów wodnych. Nale y równie zaznaczy, e oszacowany rozmiar kropek kwantowych, osadzanych z roztworów metanolowych o st eniu 0,001 M w 5 cyklach, wynosi poni ej 1 nm, co ze wzgl du na zdolno rozdzielcz stosowanej aparatury uniemo liwia precyzyjne wyznaczenie wielko ci nanostruktur. Z przedstawionego na Rys. 3. zestawienia wyra nie wynika, e istnieje zale no pomi dzy wielko ci uzyskanych nanostruktur PbS a warunkami procesu. Obserwuje si zmiany rozmiaru QDs od ok. 2 nm dla 10 cykli osadzania z roztworów o st eniu 0,001 M na bazie metanolu (Rys. 3b) do ok. 22 nm dla 15 cykli osadzania z wodnych roztworów o st eniu 0,1 M (Rys. 3f). Oznacza to, e istnieje mo liwo sterowania rozmiarem nanostruktur poprzez zmian warunków ich osadzania st enia, liczby cykli czy rodzaju rozpuszczalnika. W literaturze nie stwierdzono takiej zale no- ci, a Ruhle S. i wsp. [1] sugeruj nawet jej brak w przypadku stosowania metody SILAR. Wp yw st enia wodnych roztworów na rozmiar oraz rozmieszczenie QDs otrzymanych w wyniku osadzaniu siarczku o owiu(ii) metod SILAR przedstawiono na Rys. 4. Widoczny jest wyra ny wzrost rozmiaru uzyskanych nanostruktur PbS wraz ze zwi kszeniem st enia roztworu - od 1-2 nm dla roztworu 0,001 M do 6-8 nm dla roztworu o st eniu 0,1 M. Otrzymane materia y charakteryzuj si równomiernym rozmieszczeniem QDs. Nale y jednak zaznaczy, e zastoso- Rys. 4. Zdj cia SEM powierzchni tytanu pokrytego kropkami kwantowymi PbS osadzanymi w 10 cyklach z roztworów wodnych o wskazanym st eniu. Fig. 4. SEM images of the titanium surface covered with QDs-PbS at 10 cycles as a result of deposition from water solutions of indicated concentration. 52 MATERIA Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 66, 1, (2014)

5 OPTYMALIZACJA WARUNKÓW OTRZYMYWANIA KROPEK KWANTOWYCH METOD SILAR Rys. 5. Zdj cia SEM powierzchni tytanu pokrytego kropkami kwantowymi PbS osadzanymi w 15 cyklach z roztworów metanolowych o wskazanym st eniu. Fig. 5. SEM images of the titanium surface covered with QDs-PbS at 15 cycles as a result of deposition from methanol solutions of indicated concentration. Rys. 6. Obrazy SEM powierzchni tytanu pokrytego kropkami kwantowymi CdS osadzanych w 10 cyklach z roztworów wodnych o wskazanym st eniu. Fig. 6. SEM images of the titanium surface covered with QDs-CdS at 10 cycles as a result of deposition from water solutions of indicated concentration. wanie roztworów o stosunkowo wysokim st eniu ( 0,1 M) prowadzi do aglomeracji QDs, widocznej zw aszcza przy du ej liczbie cykli osadzania. Dziesi ciokrotne zmniejszenie st enia roztworów wodnych, wykorzystanych w metodzie SILAR, pozwoli o na wyeliminowanie tego niepo danego zjawiska. W przypadku roztworów metanolowych optymalne, zarówno ze wzgl du na rozmieszczanie jak i na rozmiar otrzymanych nanostruktur, wydaje si by st enie 0,01 M. Zmniejszenie st enia roztworów prowadzi do niewielkiego wzrostu rozmiaru uzyskanych kropek kwantowych, niemniej jednak s one równomiernie roz o one na tytanowej powierzchni, co dobrze ilustruj zdj cia SEM (Rys. 5). Analogiczne zale no ci pomi dzy warunkami osadzania metod SILAR a wielko ci i rozmieszczeniem QDs zaobserwowano w przypadku siarczku kadmu. Na Rys. 6 przedstawiono obrazy SEM powierzchni tytanu pokrytej CdS, osadzanym z wodnych roztworów prekursorów. Na zdj ciach porównano wyniki uzyskane dla 10 cykli osadzania SILAR z roztworów o st eniach 0,001 M, 0,01 M i 0,1 M. Zauwa y mo na, e wraz ze wzrostem st enia roztworów rozmiar nanostruktur CdS ro nie od ok. 3 nm do ok. 14 nm. Rys. 7. Obrazy SEM powierzchni tytanu pokrytego kropkami kwantowymi CdS osadzanych z roztworu metanolowego o st eniu 0,01 M przy wskazanej liczbie cykli. Fig. 5. SEM images of the titanium surface covered with QDs-CdS during deposition from 0.01 M methanol solution at the indicated number of cycles. MATERIA Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 66, 1, (2014) 53

6 A. TRENCZEK-ZAJ C, A. CZ, M. ZI BKA, M. RADECKA W przypadku roztworu o najwy szym zastosowanym st eniu wynosz cym 0,1 M widoczna jest równie aglomeracja nanocz stek CdS. W przypadku osadzania QDs z roztworów na bazie metanolu wzrost rozmiaru struktur towarzysz cy wzrostowi st enia roztworów jest nieznaczny. Na Rys. 7 zaprezentowano wp yw liczby cykli osadzania metod SILAR, która wynosi a odpowiednio 5, 10 i 15, na rozmiar osadzanych struktur CdS z roztworu metanolowego o st eniu 0,01 M. Praktycznie nie obserwuje si zale no ci pomi dzy liczb cykli a wielko ci QDs, która utrzymuje si na poziomie ok. 3 nm, w przeciwie stwie do roztworów na bazie wody, gdzie wzrost liczby cykli prowadzi do wzrostu rozmiaru nanostruktur. W przypadku CdS odpowiedni dobór warunków procesu SILAR pozwala równie otrzyma nanostruktury o szerokim spektrum rozmiarów: od ok. 2 nm w przypadku 5 cykli osadzania z roztworu o st eniu 0,001 M na bazie metanolu do ok. 25 nm w przypadku 15 cykli osadzania z wodnego roztworu o st eniu 0,1 M. Ciekawie wypada równie analiza otrzymanych struktur z punktu widzenia rozpuszczalnika stosowanego do sporz dzenia roztworów. Tak w przypadku wody jak i metanolu, podobne trendy obserwowane s zw aszcza w zakresie wp ywu liczby cykli osadzania na rozmiar QDs. Jednak mody kacja warunków otrzymywania kropek kwantowych, tak siarczku kadmu jak i siarczku o owiu(ii), z roztworów metanolowych nie powoduje tak znacz cych zmian w wielko ci otrzymanych struktur jak w przypadku roztworów wodnych. W przypadku roztworów metanolowych nie wyst puje równie aglomeracja obserwowana dla wy szych st e roztworów wodnych. Wp yw rozpuszczalnika mo e wynika z ró nicy wielko ci zycznych charakteryzuj cych oba te rozpuszczalniki. Lepko wody wynosi 8, Pa s, a metanolu 5, Pa s, natomiast napi cie powierzchniowe odpowiednio 71,98 g/s 2 i 22,62 g/s 2 [10-11]. Oba parametry wykazuj warto ci ni sze w przypadku metanolu, co mo e u atwia osadzanie pojedynczych nanostruktur. Rozmiar osadzanych QDs w przypadku PbS jest mniejszy ni CdS, co zwi zane jest z ró nic pomi dzy warto ciami iloczynu rozpuszczalno ci obu tych zwi zków: 1, dla PbS i 2, dla CdS [12]. 5. Wnioski W wyniku zastosowania metody adsorpcji kolejnych warstw jonów i reakcji (SILAR) otrzymano kropki kwantowe siarczku o owiu(ii) PbS i siarczku kadmu CdS, których obecno zosta a potwierdzona za pomoc analizy widma EDS, jak równie wyników otrzymanych metod XRD. Stwierdzono, e zarówno PbS, jak i CdS krystalizuj w uk adzie regularnym. Odpowiedni dobór warunków prowadzenia osadzania QDs w procesie SILAR dobór st enia roztworów prekursorów, liczby cykli oraz rodzaju rozpuszczalnika umo liwia uzyskanie nanostruktur PbS i CdS o po danych rozmiarach. Zastosowanie skrajnych warunków osadzania pozwala na otrzymywanie nanostruktur siarczku o owiu(ii) o rozmiarach od 2 nm w przypadku roztworów o st eniu 0,001 M na bazie metanolu i 10 cykli a do 22 nm dla 15 cykli osadzania z wodnych roztworów o st eniu 0,1 M. W przypadku siarczku kadmu rozmiar struktur zmienia si od 2 nm dla 5 cykli roztwory metanolowe o st eniu 0,001 M, do ok. 25 nm dla 15 cykli osadzania z wodnych roztworów o st eniu 0,1 M. Osadzanie QDs metod SILAR z roztworów wodnych, zarówno w przypadku PbS jak i dla CdS, pozwala zauwa y, e wraz ze wzrostem liczby cykli niezale nie od zastosowanego st enia obserwowany jest wzrost ich rozmiaru. Zale no ta nie jest ju jednak tak silna w przypadku roztworów na bazie metanolu. Wzrost st enia powoduje rozrost nanostruktur w przypadku obu siarczków i obu rozpuszczalników, jednak e osadzanie z roztworów wodnych o du ych st eniach prowadzi równie do cz ciowej aglomeracji QDs. Ze wzgl du na ni sze warto ci lepko ci i napi cia powierzchniowego metanolu zastosowanie roztworów na jego bazie pozwala na otrzymanie QDs o mniejszych rozmiarach. Z kolei ni sza warto iloczynu rozpuszczalno ci PbS sprawia, e osadzane kropki kwantowe tego zwi zku s mniejsze ni otrzymane w tych samych warunkach kropki CdS. Podzi kowania Badania prowadzone by y w ramach projektu s nansowanego ze rodków Narodowego Centrum Nauki przyznanych na podstawie decyzji numer DEC-2011/01/D/ST5/ Literatura [1] Ruhle, S., Shalom, M., Zaban, A.: Quantum-dot-sensitized solar cells, Eur. J. Chem. Phys. Phys. Chem., 11, (2010), [2] Baker, D. R., Kamat, P. V.: Photosensitization of TiO 2 nanostructures with CdS quantum dots: particulate versus tubular support architectures, Adv. Func. Mater., 19, (2009), [3] Eres, G., Rouleau, C. M., Yoon, M., Puretzky, A. A., Jackson, J. J., Geohegan, D.B.: Model for self-assembly of carbon nanotubes from acetylene based on real-time studies of vertically aligned growth kinetics, J. Phys. Chem. C, 113, (2009), [4] ICDD: , PDF. [5] Chengcheng Liu, Zhifeng Liu, Yabin Li, Jing Ya, Lei E, Li An: CdS/PbS co-sensitized ZnO nanorods and its photovoltaic properties, Appl. Surf. Sci., 257, (2011), [6] Cai, F-G., Yang, F., Xi, J.-F., Jia, Y.-F., Cheng, C.-H., Zhao, Y.: Ultrasound effect: Preparation of PbS/TiO 2 heterostructure nanotube arrays through successive ionic layer adsorption and the reaction method, Mater. Lett., 107, (2013), [7] ICDD: , PDF. [8] ICDD: , PDF. [9] Aziziankalandaragh, Y., Muradova, M. B., Mammedova, R. K., Khodayari, A.: Growth process and investigation of some physical properties of CdS nanocrystals formed in polymer matrix by successive ionic layeradsorption and reaction (SI- LAR) method, J. Cryst. Growth, 305, (2007), [10] Adamson, A. W., Gast, A. P.: Physical chemistry of surfaces, Wyd. Wiley, (1997). [11] Atkins, P. W.: Chemia zyczna, Wyd. PWN, (2001). [12] Atkins, P. W., Beran, J. A.: General chemistry, Wyd. ACS, (1992). Otrzymano 21 wrze nia 2013, zaakceptowano 23 stycznia MATERIA Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 66, 1, (2014)