Potencjał technologii Smart Wire i HJT oraz ich aplikacja w Polsce oraz na rynkach zagranicznych

Wielkość: px

Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Potencjał technologii Smart Wire i HJT oraz ich aplikacja w Polsce oraz na rynkach zagranicznych"

Gabriela Makowska
7 lat temu
Przeglądów:

1 Potencjał technologii Smart Wire i HJT oraz ich aplikacja w Polsce oraz na rynkach zagranicznych Marek Sobieniecki, Meyer Burger Świdnica

2 Spis treści Globalny rynek energii i fotowoltaika Sytuacja w przemyśle fotowoltaicznym LCOE nowy standard oceny opłacalności energii słonecznej Technologie Meyer Burger Heterojunction Cell Technology Smart Wire Connection Technology Idealne połączenie 2

3 Globalny rynek energii i fotowoltaika

4 Globalny podział konsumpcji energii 2013 Gosp. Domowe 26% Usługi Gosp. domowe Rolnictwo Rolnictwo 4% Ustugi 10% Transport Transport 32% Ponad 50 % konsumowanej na świecie energii zaspokaja PRĄD ELEKTRYCZNY Przemysł Przemyst 28% Zródło: British Petroleum 4

5 Globalny podział konsumpcji energii 2013 Rolnictwo Usługi Jądrowa 4% OZE 9% W 2013 r. po raz pierwszy w historii podłączono na świecie więcej mocy wytwórczych w technologii PV niż w technologii wiatrowej lub w wodnej Ropa 30% Gosp. domowe Transport Węgiel 33% Fotowoltaika to najprostsze w masowej implementacji źródło OZE na świecie Przemysł Gaz 24% Zródło: British Petroleum 5

6 Zmiana na rynku energetycznym Parytet sieci jest już faktem w wielu krajach świata «$/watt» Sweden LCOE USA Mexico Spain Germany Italy Turkey Greece India China «$/kwh» Japan Philippines Malaysia Peru Brazil Chile South Africa Australia 6

7 Długofalowy wzrost udziału energii słonecznej w miksie energetycznym świata 16% udział Do 2050 energia słoneczna osiągnie 16% udziału w bilansie energetycznym świata Source: IEA International Energy Agency; 2014 Zainstalowane moce wytwórcze w PV wg. regionów w 2030 i 2050 (GW) Year USA Other OECD America s EU Other OECD China India Africa Middle East Other Asia Easter n Europe Non- OECD Americas World Source: IEA Technology Roadmap Solar Photovoltaic Energy edition 2014, «450 scenario» 7

8 Sytuacja w przemyśle fotowoltaicznym

9 Przyszłość rynku PV w skali globalnej ERA MW Dziś LCOE < 70 USD/MWh Rok 2020 rynek sterowany subwencjami rządowymi 1200% wzrostu rynku zbytu w ciągu 5 lat przy średniej cenie 2,5 USD/ Wp Korekta rynku globalna nadprodukcja gwałtowny spadek cen fala bankructw i przejęć w całym sektorze PV ERA GW LCOE dla PV spadnie poniżej 60 USD/MWh PV osiągnie parytet z siecią w większości krajów na świecie koniec rynku sterowanego dopłatami Rok 2013 Stabilizacja rynków zbytu

10 Udział różnych technologii w globalnym rynku PV Technologie oparte na krzemie krystalicznym to nadal ponad 90% globalnego rynku PV CIS/ a-si Glass/ CIGS, 2 Glass, 2 All Others, 1 CdTe (First Solar), 4 C-sin-type, 6 C-sip-type Mono Advanced, 10 C-sip-type Multi Standard, 35 C-sip-type Mono Standard, 14 Źródło: SolarBuzz / EPIA C-sip-type Multi Advanced, 27 10

11 Dynamika cen technologii PV 11

12 Dynamika cen technologii PV 12

13 LCOE nowy standard oceny opłacalności energii słonecznej

14 LCOE = nowy standard oceny opłacalności technologii PV Dotychczasowy standard KOSZT / WP Nowy standard KOSZT / KWH całkowite koszty instalacji moc nominalna instalacji całkowite koszty instalacji zarówno te początkowe jak i późniejsze w okresie jej życia ilość energii wyprodukowanej przez instalację przez cały okres jej życia 14

15 LCOE energii elektrycznej wg. Instytutu Fraunhofer (rok 2013) 2013 r. LCOE dla PV w Niemczech 0,08-0, r. LCOE dla PV w Niemczech 0,05-0,09 Źródło: Fraunhofer Insitute

16 Technologie Meyer Burger

17 Historia 17

18 Pozycja grupy Meyer Burger na globalnym rynku technologii PV 18

19 Technologie Smart Wire i HJT w łańcuchu wartości dla sektora PV KRZEM KRYSTALICZY BLOK KRZEMOWY PŁYTKA KRZEMOWA OGNIWO FOTOWOLTAIC ZNE PANEL PV Płytki krzemowe Technologia Diamond Wire Ogniwa fotowoltaiczne Technologia HJT Moduły fotowoltaiczne Technologia SmartWire 19

20 Technologie Krzemu Krystalicznego Ingot Wafer Cell Module PV System HJT / SWCT Mod. eff % N-type c- Si P-type c- Si Diamond wire wafering N-type c- Si Wafer P-type c- Si Wafer HJT Cell process 21-23% iperc Cell process 20.5% HJT / iperc SWCT HJT / iperc 5BB SWCT 5BB Soft touch soldering HJT / iperc SWCT HJT / iperc 5BB iperc / SWCT Mod. eff % HJT / 5BB Mod. eff % iperc / 5BB Mod. eff % iperc / 3BB Mod. eff % Standard Cell process (Camini / Calypso) 19% Mono 3BB 20.5% Mono 2/3BB 17-19% 2/3BB Soft touch soldering Stand. Mono 2/3BB Mod. eff % Stand. Multi 2/3BB Mod. eff % P-type mc-si 20 Slurry wafering P-type mc-si Wafer Multi 2BB 19% Multi 2/3BB %

21 Technologie Krzemu Krystalicznego Ingot Wafer Cell Module PV System HJT / SWCT Mod. eff % N-type c- Si P-type c- Si Diamond wire wafering N-type c- Si Wafer P-type c- Si Wafer HJT Cell process 21-23% iperc Cell process 20.5% HJT / iperc SWCT HJT / iperc 5BB SWCT 5BB Soft touch soldering HJT / iperc SWCT HJT / iperc 5BB iperc / SWCT Mod. eff % HJT / 5BB Mod. eff % iperc / 5BB Mod. eff % iperc / 3BB Mod. eff % Standard Cell process (Camini / Calypso) 19% Mono 3BB 20.5% Mono 2/3BB 17-19% 2/3BB Soft touch soldering Stand. Mono 2/3BB Mod. eff % Stand. Multi 2/3BB Mod. eff % P-type mc-si 21 Slurry wafering P-type mc-si Wafer Multi 2BB 19% Multi 2/3BB %

22 Heterojunction Cell Technology

23 Technologia HJT Innowacyjne ogniwo i panel nowej generacji 23

24 Technologia HJT Innowacyjne ogniwo i panel nowej generacji 24

25 Technologia HJT Innowacyjne ogniwo i panel nowej generacji 25

26 Technologia HJT Innowacyjne ogniwo i panel nowej generacji Standard process PERC process HJT process Texture Doping / Diffusion Texture Doping / Diffusion Texture a-si Front/ Rear Side Prostszy, krótszy i bardziej wydajny proces Edge Isolation PSG Etch AR Coating Print Rear Side Edge Isolation PSG Etch ARC Backside passivation TCO / Metal Rear Contact Print Front Side Curing Print Front Side Laser opening Test & Sort Firing Print Rear Side Test & Sort Print Front Side Firing Test & Sort 26 CZ :19,0% MC: 17,5-18,0% CZ p-type: 20,0% MC: 18,5% CZ n-type: 22~24%,

27 Smart Wire Connection Technology

28 Technologia SmartWire Nowa definicja fotowoltaicznej matrycy elektrycznej 28

29 Technologia SmartWire Gęstość sieci połączeń elektrycznych Rezystancja elektryczna 29

30 Technologia SmartWire 110 Connecting points 165 Connecting points 80 mm 50 mm 275 Connecting points 26mm over 2000 Connecting points + 1% power Grid 2mm 30

31 Technologia SmartWire Gęstość sieci połączeń elektrycznych Rezystancja elektryczna Absorbcja światła przez matrycę ogniw Wydajność systemu 31

32 Technologia SmartWire 110 Connecting points 165 Connecting points 80 mm 50 mm 275 Connecting points 26mm over 2000 Connecting points + 1% power Grid 2mm 32

33 Technologia SmartWire 110 Connecting points 165 Connecting points 80 mm 50 mm 275 Connecting points 26mm over 2000 Connecting points + 1% power Grid 2mm 33

34 Technologia SmartWire Gęstość sieci połączeń elektrycznych Rezystancja elektryczna Etapy procesu produkcji Wpływ procesu na jakość produktu Absorbcja światła przez matrycę ogniw Wydajność systemu 34

35 Technologia SmartWire 110 Connecting points 165 Connecting points 80 mm 50 mm 275 Connecting points 26mm over 2000 Connecting points + 1% power Grid 2mm 35

36 Technologia SmartWire Gęstość sieci połączeń elektrycznych Rezystancja elektryczna Etapy procesu produkcji Wpływ procesu na jakość produktu Absorbcja światła przez matrycę ogniw Wydajność systemu Wpływ procesu elektryfikacji matrycy na żywotność produktu 36

37 Technologia SmartWire 110 Connecting points 165 Connecting points 80 mm 50 mm 275 Connecting points 26mm over 2000 Connecting points + 1% power Grid 2mm 37

38 Technologia SmartWire Gęstość sieci połączeń elektrycznych Rezystancja elektryczna Etapy procesu produkcji Wpływ procesu na jakość produktu Absorbcja światła przez matrycę ogniw Wydajność systemu Wpływ procesu elektryfikacji matrycy na żywotność produktu 38

39 Technologia SmartWire 39

40 Technologia SmartWire Testy elektroluminescencyjne Busbar Technology SWCT Technology Image from: ISFH Inactive cell area due to crack Full cell area is active after crack 40

41 SWCT + HJT = Idealne połączenie

42 Panel fotowoltaiczny w technologii HJT + SWCT! Moc nominalna 327 Wp z 1,6 m2 powierzchni! Nawet do 15% więcej kwh z zainstalowanego kwp! Prostszy i krótszy proces produkcji = niższe koszty! W panelach HJT nie występuje degradacja typu PID i LID! O 40% lepszy wskaźnik zależności termalnej

43 Panel fotowoltaiczny w technologii HJT + SWCT! Moc nominalna 327 Wp z 1,6 m2 powierzchni! Nawet do 15% więcej kwh z zainstalowanego kwp! Prostszy i krótszy proces produkcji = niższe koszty! W panelach HJT nie występuje degradacja typu PID i LID! O 40% lepszy wskaźnik zależności termalnej

44 Panel fotowoltaiczny w technologii HJT + SWCT! Moc nominalna 327 Wp z 1,6 m2 powierzchni! Nawet do 15% więcej kwh z zainstalowanego kwp! Prostszy i krótszy proces produkcji = niższe koszty! W panelach HJT nie występuje degradacja typu PID i LID! O 40% lepszy wskaźnik zależności termalnej

45 SmartWire w połączeniu z technologią ogniw BiFacial szkło solarne folia TPO ogniwa typu bifacial folia TPO szkło solarne 45

46 SmartWire w połączeniu z technologią ogniw BiFacial! Dodatkowy uzysk prądu 10-25%! Wyjątkowa wytrzymałość mechaniczna! Zwiększona żywotność! Unikatowe możliwości instalacji! Idealny dla ekstremalnych warunków! PID free i LID free! Atrakcyjny design 46

47 HJT i SWCT na mapie technologicznej świata HJT + SWCT Źródło: Fraunhofer Institute 47

48 HJT i SWCT na mapie technologicznej świata HJT SWCT + SWCT + HJT Źródło: Fraunhofer Institute 48

49 Estetyka technologii SmartWire 49

50 Aplikacja technologii SmartWire 50

51 High-end solutions for high-tech industries

Podobne dokumenty

POŁĄCZEŃ SMARTWIRE Z OGNIWAMI HJT PRZYSZŁOŚCIĄ W BRANŻY FOTOWOLTAICZNEJ. (Alicja Jankowska, UTP Bydgoszcz) sierpień 2019

MODUŁY W TECHNOLOGII POŁĄCZEŃ SMARTWIRE Z OGNIWAMI HJT PRZYSZŁOŚCIĄ W BRANŻY FOTOWOLTAICZNEJ (Alicja Jankowska, UTP Bydgoszcz) sierpień 2019 Energetyka słoneczna notująca gwałtowny wzrost popularności