1. Projekty badawcze realizowane w 2013 r.

Transkrypt

1 ZAKŁAD FOTONIKI Kierwnik: prf. dr hab. Maciej BUGAJSKI tel. (22) , fax (22) Zespół: prf. dr hab. inż. Bhdan Mrziewicz, dr hab. Janusz Kaniewski, prf. nadzw. w ITE, dr hab. Kamil Ksiel, prf. nadzw. w ITE, dr hab. Jan Muszalski, prf. nadzw. w ITE, dr hab. Kazimierz Regiński, prf. nadzw. w ITE, dr inż. Agata Jasik, dr Ewa Papis-Plakwska, dr inż. Drta Pierścińska, dr inż. Kamil Pierściński, dr Maciej Sakwicz, dr Iwna Sankwska, dr inż. Anna Szerling, dr inż. Michał Szymański, dr Artur Trajnerwicz, dr inż. Anna Wójcik-Jedlińska, mgr inż. Anna Filipwska, mgr inż. Artur Brda, mgr inż. Krzysztf Czuba mgr inż. Pitr Gutwski, mgr Krzysztf Hejduk, mgr inż. Jarsław Jureńczyk, mgr inż. Pitr Karbwnik, mgr inż. Justyna Kubacka-Traczyk, mgr inż. Ewa Maciejewska, mgr inż. Leszek Ornch, mgr inż. Emilia Pruszyńska-Karbwnik, mgr inż. Dminika Urbańczyk, Małgrzata Nalewajk, Tmasz Supryn 1. Prjekty badawcze realizwane w 2013 r. W 2013 r. w Zakładzie Ftniki realizwan następujące prjekty: Statutwe prjekty badawcze Prjekt A. Nanftnika pdczerwieni badania nad strukturami d generacji i detekcji prmieniwania (kierwnik prjektu: prf. dr hab. Maciej Bugajski) Zadanie A1. Badania nad epitaksją struktur peridycznych na ptrzeby laserów VECSEL i mdulatrów prmieniwania Zadanie A2. Technlgia epitaksji struktur laserów kaskadwych z GaAs/ /AlGaAs Zadanie A3. Badania nad epitaksją struktur laserów kaskadwych z InAlAs/ /InGaAs/InP Zadanie A4. Zastswanie spektrskpii rentgenwskiej d badania naprężeń w strukturach supersieciwych InAs/GaSb i strukturach laserów kaskadwych Zadanie A5. Rzwój technik spektrskpii w pdczerwieni Zadanie A6. Badania nad generacją prmieniwania w laserach VECSEL

2 2 Sprawzdanie z działalnści ITE w 2013 r. Zadanie A7. Symulacja numeryczna laserów półprzewdnikwych i detektrów prmieniwania pdczerwneg Zadanie A8. Badania nad technlgią wytwarzania laserów kaskadwych z InAlAs/InGaAs/InP Zadanie A9. Pasywacja siarczkwa struktur antymnkwych Inne prjekty Opracwanie laserów kaskadwych d zastswań w układach wykrywania śladwych ilści substancji gazwych (nr zlecenia /MIRSENS, nr O R ) Thermal Optimizatin f the Quantum Cascade Lasers by Cmplementary Applicatin f Experimental Thermmetric Techniques (nr zlecenia /POMOST/) Opracwanie technlgii epitaksji struktur laserów kaskadwych na pasm 2 6 THz (nr zlecenia , decyzja nr 5028/B/T02/2011/40) Opracwanie i wyknanie lasera impulsweg Yb:KYW z półprzewdnikwym lustrem SDCM (nr zlecenia , decyzja nr 0876/R/T02/2010/10) Detektry średniej pdczerwieni na bazie supersieci II rdzaju ze związków półprzewdnikwych InAs/GaSb (nr zlecenia , decyzja nr 01/2011/ /PB-ITE/1) Emitery i detektry pdczerwieni nwej generacji d zastswań w urządzeniach d detekcji śladwych ilści zanieczyszczeń gazwych (nr zlecenia , nr umwy PBS1/B3/2/2012) Jednmdwe lasery kaskadwe d zastswań w spektrskpii mlekularnej (nr zlecenia , nr umwy LIDER/36/70/L-3/11/NCBR/2012) Badania nad układami metal-półprzewdnik raz ich zastswaniem w inżynierii falwdów plazmnwych dla laserów kaskadwych emitujących prmieniwanie z terahercweg zakresu częsttliwści TERAMY (nr zlecenia , nr umwy UMO-2011/03/D/ST7/03146) Badanie prcesów termicznych w didach laserwych na aztku galu przy wykrzystaniu spektrskpii terdbiciwej. TR-GAN (nr zlecenia , nr umwy UMO-2011/03/D/ST7/03093) Symulacja, pmiar i kntrla rzkładu prmieniwania w plu dalekim ze źródła THz (nr zlecenia , nr umwy UMO-2012/07/D/ST7/02568) Mdyfikacja właściwści kwantwych laserów kaskadwych za pmcą technlgii trawienia zgniskwaną wiązką jnwą FIP (nr zlecenia , nr umwy PBS2/A3/15/2013) Usługi naukw-badawcze Wyknanie diafragm na pdłżach szafirwych (nr zlecenia ) Wyknanie struktur supersieci InAs/GaSb (nr zlecenia )

3 Zakład Ftniki 3 2. Najważniejsze siągnięcia naukw-badawcze Przedmitem badań były ftniczne struktury niskwymiarwe ze związków półprzewdnikwych III-V wytwarzane metdą MBE. D najbardziej wartściwych wyników uzyskanych w 2013 r. należą: Opracwanie technlgii epitaksji struktur laserów kaskadwych na pdłżach z InP. Prwadzne prace, bejmujące epitaksję i zaawanswaną charakteryzację struktur za pmcą wyskrzdzielczej dyfrakcji rentgenwskiej (HR XRD) raz prcessing, zawcwały wytwrzeniem pierwszych teg typu laserów pracujących w temperaturze pkjwej. Opracwanie technlgii sadzania warstw zwierciadeł Bragga (DBR) d zastswań w laserach emisji pwierzchniwej raz wyknanie półprzewdnikwych luster z kntrlwaną dyspersją dla ptrzeb laserów femtsekundwych pracujących na krysztale aktywnym Yb:KYW. W tym przypadku wyzwaniem technlgicznym była kntrla grubści sadzanych warstw i ich składu chemiczneg raz kntrla naprężeń. 3. Statutwy prjekt badawczy Nanftnika pdczerwieni badania nad strukturami d generacji i detekcji prmieniwania Zadanie A1. Badania nad epitaksją struktur peridycznych na ptrzeby laserów VECSEL i mdulatrów prmieniwania Wyknan heterstruktury laserów VECSEL dla ptrzeb badań nad generacją prmieniwania raz struktury luster z kntrlwaną dyspersją stswane w laserach femtsekundwych. W wyniku analizy wpływu spektralnej zmiany fazy zwierciadła Bragga i przeprwadzenia prcesów epitaksji w spsób ciągły wykazan, że mżliwe jest wyknanie heterstruktur z dkładnścią wynszącą 0,5%. Pzwlił t na wyknanie zwierciadła dyspersji pniżej 2500 fs 2 i współ ther = 5 nm 94 GDD ther = fs 2 exp = 6 nm GDD exp = fs długść fali [nm] czynniku dbicia bliskim jednści. Charakterystyki teg zwierciadła przedstawine są na rys. 1. Na bazie półprzewdnikwych struktur luster z kntrlwaną dyspersją zbudwan impulswy laser Yb:KYW. Duża ujemna wartść GDD pzwliła wyeliminwać wszystkie pzstałe elementy dyspersyjne. GDD [fs 2 ] with SiNx cating R ther = 99.8% = 0.5 % R exp = 98.6% R [%] Rys. 1. Współczynnik dbicia i dyspersja lustra z kntrlwaną dyspersją

4 4 Sprawzdanie z działalnści ITE w 2013 r. Zadanie A2. Technlgia epitaksji struktur laserów kaskadwych z GaAs/AlGaAs Określn właściwści termiczne kaskadwych struktur epitaksjalnych GaAs/ /AlGaAs wyknanych w Labratrium Epitaksji Struktur. Zagadnienia transprtu ciepła mają bardz isttne znaczenie w technlgii wytwarzania laserów. Zastswan specjalnie pracwaną metdę badawczą partą na przestrzennie rzdzielczych pmiarach ftluminescencji i zbudwanym w tym celu układzie pmiarwym. Stsując tę metdę szacwan przewdnść cieplną bszarów aktywnych dla wyknanych struktur laserów kaskadwych GaAs/AlGaAs, która wynsi k. 0,05 W/cm K. Zadanie A3. Badania nad epitaksją struktur laserów kaskadwych z InAlAs/InGaAs/InP Optymalizacja sadzanych techniką epitaksji z wiązek mlekularnych warstw InGaAs i InAlAs dpaswanych sieciw d pdłża InP zstała przeprwadzna w parciu wyknaną serię struktur testwych. Charakteryzacja wyskrzdzielczą dyfrakcją rentgenwską (XRD), pmiar mikrskpem sił atmwych raz pmiar luminescencji pzwliły na kreślenie jakści struktur. Przykładwe dyfraktgramy struktur InGaAs i InAlAs zptymalizwanych ze względu na dpaswanie sieciwe warstwy d pdłża z InP przedstawine są na rys. 2. a) b) Rys. 2. Dyfraktgram warstwy InGaAs (a) i InAlAs (b) dpaswanej stałej sieci d pdłża z InP Obserwwane brazy, uzyskane metdą mikrskpu sił atmwych (AFM), wskazują na taraswy mechanizm wzrstu. Jest n lepiej widczny w przypadku próbek InGaAs niż InAlAs (rys. 3).

5 Zakład Ftniki 5 a) b) c) d) Rys. 3. Prównanie mrflgii pwierzchni InGaAs (a, c) z pwierzchnią uzyskaną dla InAlAs (b, d) dla wybranych prcesów Zadanie A4. Zastswanie spektrskpii rentgenwskiej d badania naprężeń w strukturach supersieciwych InAs/GaSb i strukturach laserów kaskadwych Supersieci drugieg rdzaju z InAs/GaSb raz struktury kwantwych laserów kaskadwych (QCL Quantum Cascade Lasers) były badane w celu ptymalizacji parametrów prcesu epitaksji metdą MBE. Otrzymane struktury charakteryzwan przy zastswaniu wyskrzdzielczej dyfraktmetrii rentgenwskiej. Na pdstawie analizy zmierznych prfili 2θ/ω mżliwe był kreślenie pzimu naprężenia struktury raz dtwrzenie rzeczywistej budwy badanej próbki. W wyniku zptymalizwaneg prcesu technlgiczneg trzyman strukturę bszaru aktywneg kwantweg lasera kaskadweg niedpaswaniu sieciwym wynszącym 396 ppm. Zadanie A5. Rzwój technik spektrskpii w pdczerwieni Obiektem badań były głównie lasery kwantwe. Przykładwe widma laserów kaskadwych przedstawin na rys. 4. Widma zmierzn za pmcą spektrmetru

6 6 Sprawzdanie z działalnści ITE w 2013 r. FTIR. W pmiarach wykrzystywan dedykwany zasilacz wyknany we współpracy z firmą Vig. a) b) 2,0 laser 249 1kHz, 70ns 21,5V 0,10 0,05-35 C 0,00-25 C -0,05-15 C E m is si n in te n s ity (a rb. u.) E m is s i n inte n s ity (a rb. u.) 0,15 laser 245 1kHz, 70ns 21,5V -35 C 1,5-30 C -25 C 1,0-20 C -15 C -10 C 0,5-5 C 0C -0,10 9,5 9,6 9,7 9,8 9,9 10,0 0,0 9,65 9,70 9,75 9,80 9,85 9,90 Wavelength ( m) Wavelength ( m) Rys. 4. Widma emisji prmieniwania dla dwóch różnych laserów QCL (249 i 245) w zależnści d temperatury lasera Zadanie A6. Badania nad generacją prmieniwania w laserach VECSEL Badania prwadzne nad laserami VECSEL (Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser) pzwliły zweryfikwać pprawnść zaprjektwania struktury epitaksjalnej, ustalić najlepsze parametry pszczególnych prcesów technlgicznych raz pprawić gemetrię zewnętrzneg reznatra. Uzyskan isttny wzrst mcy laserwania (d 4,1 W) raz pprawę gemetrii wiązki laserwej (M2~1). Isttnym sukcesem był pracwanie i wyknanie nweg typu lasera pracująceg na dwóch różnych długściach fali (967 nm lub 1017 nm), przełączaneg dzięki zmianie warunków pbudzenia. Charakterystyki teg typu laserów są przedstawine na rys. 5. a) b) Rys. 5 a) Charakterystyki mcy wyjściwej dla różnych temperatur chłdnicy, b) linie spektralne, na których działa laser.

7 Zakład Ftniki 7 Zadanie A7. Symulacja numeryczna laserów półprzewdnikwych i detektrów prmieniwania pdczerwneg Prace kncentrwały się na wykrzystaniu śrdwiska symulacyjneg APSYS firmy Crsslight raz prgramwania firmy Silvac d symulacji numerycznej struktury ftdidy lawinwej knstrukcji SAGCM (Separated Absrber Grading Charge & Multiplicatin). Otrzyman szereg charakterystyk wynikwych, które pzwliły na ptymalizację przyrządu. Symulwaną strukturę przedstawin w tab. 1, a uzyskane wyniki na rys Tabela 1. Schemat analizwanej struktury ftdidy lawinwej InGaAs/InAlAs/InP knstrukcji SAGCM Warstwa Materiał Typ przewdnictwa Kncentracja dmieszki (cm 3 ) Grubść (nm) Pdkntaktwa In 0,53 Ga 0,47 As p Bariera In 0,52 Al 0,48 As p Absrpcyjna In 0,53 Ga 0,47 As p 2, In 0,53 Ga 0,47 As p In 0,53 Ga 0,47 As p Przejściwa In 0,53 0,52 Ga 0,47 0 Al 0 0,48 As i Rzdzielająca In 0,52 Al 0,48 As i Ładunku In 0,52 Al 0,48 As p Pwielająca In 0,52 Al 0,48 As i Bufrwa In 0,52 Al 0,48 As n Pdłże/sczewka InP półizlacyjne 1, Rys. 6. Mdel pasmwy przyrządu w stanie równwagi termdynamicznej Rys. 7. Mdel pasmwy przyrządu dla plaryzacji napięciem wstecznym w klicy napięcia przebicia

8 8 Sprawzdanie z działalnści ITE w 2013 r. Rys. 8. Rdzina charakterystyk I-V dla różnych kncentracji dmieszki w warstwie ładunku Rys. 9. Rdzina charakterystyk I-V dla różnych kncentracji dmieszki w warstwie bufra Zadanie A8. Badania nad technlgią wytwarzania laserów kaskadwych z InAlAs/InGaAs/InP W ramach badań nad technlgią wytwarzania laserów kaskadwych w systemie materiałwym InAlAs/InGaAs/InP przeprwadzn wstępne prcesy plazmweg trawienia reaktywneg (ICP RIE Inductively Cupled Plasma Reactie In Etching, ICP) materiałów InAlAs, InGaAs raz InP celem zastąpienia w prcesie wytwarzania przyrządów trawienia chemiczneg w rztwrach trawieniem plazmwym. Przeprwadzn także prcesy mające na celu zptymalizwanie prcesu sadzania warstw dielektrycznych na strukturach epitaksjalnych. Zdjęcia SEM trzymanych prfili wytrawinych wzrów przedstawin na rys. 10. a) b) c) Rys. 10. Prfile wytrawinych wzrów w warunkach prcesu z tab. 1 dla InP (a), 1 μm InAlAs (b) i warstwie 900 nm InGaAs/ 300 nm InAlAs (c) na pdłżu InP ze wzrem kreślnym przez warstwę SiO2 Zadanie A9. Pasywacja siarczkwa struktur antymnkwych Przeprwadzn badania siarkwania pwierzchni (100) GaSb i supersieci II rdzaju InAs/GaSb przy użyciu rganiczneg i nierganiczneg źródła siarki. Pkazan, że rganiczny związek heksadekantil (HDT), w przeciwieństwie d nierganiczneg (NH4)2S, nie trawi związków antymnkwych i nie twrzy cząs-

9 Zakład Ftniki 9 teczek siarki na pwierzchni półprzewdnika (rys. 11). Stwierdzn własnści dielektryczne warstw tilwych. Dzięki temu warstwy te są dpwiednimi systemami d pasywacji struktur antymnkwych, w szczególnści supersieci II rdzaju InAs/GaSb. a) b) Rys. 11. Obraz AFM pwierzchni supersieci InAs/GaSb: a) przed pasywacją; b) p pasywacji w 21% (NH 4 ) 2 S 4. Współpraca międzynardwa W 2013 r. Zakład współpracwał z następującymi śrdkami zagranicznymi: Tyndall Natinal Institute, Crk, Irlandia; Écle Plytechnique Fédérale de Lausanne, Szwajcaria; University f Nttingham, Nttingham, Wielka Brytania; Fraunhfer Institut für Angewandte Festkörperphysik, Freiburg, Niemcy; Max-Brn Institut, Berlin, Niemcy. 5. Nagrdy i wyróżnienia Prf. dr hab. Maciej Bugajski trzymał Nagrdę Ministra Nauki i Szklnictwa Wyższeg za wybitne siągnięcia w dziedzinie badań na rzecz gspdarki.

10 10 Sprawzdanie z działalnści ITE w 2013 r. Publikacje 2013 [P1] BUGAJSKI M., GUTOWSKI P., KARBOWNIK P., KOLEK A., HAŁDAŚ G., PIERŚCIŃSKI K., PIERŚCIŃSKA D., KUBACKA-TRACZYK J., SANKOWSKA I., TRAJNEROWICZ A., KOSIEL K., SZERLING A., GRZONKA J., KURZYDŁOWSKI K., SLIGHT T., MEREDITH W.: Mid-IR Quantum Cascade Lasers: Device Technlgy and Nn-Equilibrium Green s Functin Mdeling f Electr-Optical Characteristics. Phys. Stat. Sl. B (złż. d red.). [P2] BUGAJSKI M., PIERŚCIŃSKI K., PIERŚCIŃSKA D., SZERLING A., KOSIEL K.: Multimde Instabilities in Mid-Infrared Quantum Cascade Lasers. Phtn. Lett. f Pland 2013 vl. 5 nr 3 s [P3] CZUBA K., JUREŃCZYK J., KANIEWSKI J.: Optimizatin f InGaAs/InAlAs/InP Avalanche Phtdide. Phys. Stat. Sl. A (złż. d red.). [P4] CZUBA K., JUREŃCZYK J., KANIEWSKI J.: Cmprehensive Analysis f Nvel Near Infrared Avalanche Phtdide Structure. J. Appl. Remte Sens. (złż. d red.). [P5] JASIK A., DEMS M., WNUK P., WASYLCZYK P., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., REGIŃSKI K., ZINKIEWICZ Ł., HEJDUK K.: Design and Fabricatin f Highly Dispersive Semicnductr Duble-Chirped Mirrrs. Appl. Phys. B (złż. d red.). [P6] JASIK A., MUSZALSKI J., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., KUBACKA-TRACZYK J., WASIAK M., SOKÓŁ A., SANKOWSKA I.: DW VECSEL Structure Design and MBE Fabricatin. Phtn. Lett. f Pland 2013 vl. 5 nr 3 s [P7] JASIK A., WASYLCZYK P., DEMS M., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., REGIŃSKI K., ZINKIEWICZ Ł., HEJDUK K.: Passively Mde-Lcked, Self-Starting Femtsecnd Yb:KYW Laser with a Single Highly Dispersive Semicnductr Duble-Chirped Mirrr fr Dispersin Cmpensatin. Laser Phys. Lett vl. 10 s [P8] JASIK A., WASYLCZYK P., WNUK P., DEMS M., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., REGIŃSKI K., ZINKIEWICZ Ł., HEJDUK K.: Tunable Semicnductr Duble-Chirped Mirrr with High Negative Dispersin. IEEE Phtn. Technl. Lett. (złż. d red.). [P9] JUNG W., JASIK A., GOŁASZEWSKA-MALEC K., MACIEJEWSKA E.: Determinatin f Carrier Cncentratin in VECSEL Lasers. Electrn Technlgy Cnf. 2013, w serii: Prc. f SPIE 2013 t s F-1-7. [P10] JUNG W., JASIK A., GOŁASZEWSKA-MALEC K., MACIEJEWSKA E.: Wyznaczanie kncentracji nśników w laserach VECSEL. Mat. knf. XI Knf. Nauk. "Technlgia Elektrnwa". Ryn, , s [P11] JUREŃCZYK J., ŻAK D., KANIEWSKI J.: Influence f Charge Regin n the Operatin f InGaAs/InAlAs/InP Avalanche Phtdides. Opt. Appl vl. XLIII nr 1 s [P12] KARBOWNIK P., SZERLING A., BUGAJSKI M.: Mdelwanie właściwści ptycznych laserów kaskadwych z rzłżnym sprzężeniem zwrtnym. Mat. knf. XII Kraj. Knf. Elektrniki. Darłówk Wschdnie, , s [P13] LIPIŃSKI M., PIOTROWSKI T., RATAJCZAK J., HEJDUK K., BIERSKA-PIECH B., JARZĄBEK B.: Badania nanstruktur krzemwych w zastswaniu d ftwltaiki. Elektrnika 2013 vl. LIV nr 5 s [P14] LIPIŃSKI M., PIOTROWSKI T., RATAJCZAK J., HEJDUK K., BIERSKA-PIECH B., JARZĄBEK B.: Badania nanstruktur krzemwych w zastswaniu d ftwltaiki. Mat. knf. XII Kraj. Knf. Elektrniki. Darłówk Wschdnie, , s [P15] MACHOWSKA-PODSIADŁO E., BUGAJSKI M.: Three-Band Kane Mdel with Biaxial Strain fr InAs/GaSb Superlattices. J. f Physics D: Appl. Phys. (złż. d red.).

11 Zakład Ftniki 11 [P16] MROZIEWICZ B.: Kwantwe lasery kaskadwe d celów spektrskpii mlekularnej zagadnienia wybrane. Elektrnika 2013 vl. LIV nr 11 s [P17] MUSZALSKI J., BRODA A. A., JASIK A., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., TRAJNEROWICZ A., KUBACKA- -TRACZYK J., SANKOWSKA I.: VECSEL Emitting at 976 nm fr Secnd Harmnic Generatin t the Blue. Laser Technlgy 2012: Prgress in Lasers [in] Prc. f SPIE 2013 t s. 8720A-1-7. [P18] PAPIS-POLAKOWSKA E., KANIEWSKI J., SZADE J., RZODKIEWICZ W., JASIK A., JUREŃCZYK J., ORMAN Z., WAWRO A.: Passivatin Studies f GaSb-Based Superlattice Structures. Thin Slid Films (złż. d red.). [P19] PAPIS-POLAKOWSKA E., LEONHARDT E., KANIEWSKI J.: Characterisatin f (100) GaSb Passivated Surface Using Next Generatin 3D Digital Micrspy. Acta Phys. Pl. A (złż. d red.). [P20] PAPIS-POLAKOWSKA E., WHITE R. G., DEEKS CH., MANNSBERGER M., KRAJEWSKA A., STRUPIŃSKI W., PŁOCIŃSKI T., JANKOWSKA O.: X-Ray Phtelectrn Spectrscpy Methdlgy and Applicatin. Acta Phys. Pl. A (złż. d red.). [P21] SZERLING A., KOSIEL K., KARBOWNIK P., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., PŁUSKA M.: Influence f Mesa-Fabricatin-Dependent Waveguide-Sidewall Rughness n Threshld Current and Slpe Efficiency f AlGaAs/GaAs Mid-Infrared Quantum-Cascade Lasers. Detectin f Explsives a. CBRN (Using Terahertz) (złż. d red.). [P22] SZERLING A., MACIEJEWSKA E., TRAJNEROWICZ A., KARBOWNIK P., KOSIEL K., HEJDUK K., WZOREK M.: Technlgia wytwarzania siatek Bragga d jednmdwych laserów kaskadwych. Mat. knf. XII Kraj. Knf. Elektrniki. Darłówk Wschdnie, , s [P23] ŻAK D., JUREŃCZYK J., KANIEWSKI J.: Zener Phenmena in InGaAs/InAlAs/InP Avalanche Phtdides. J. f Electric. Eng. (złż. d red.). Prezentacje 2013 [K1] BRODA A., MUSZALSKI J., GUTOWSKI P., SANKOWSKA I., KUBACKA-TRACZYK J., JASIK A., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., TRAJNEROWICZ A., GOŁASZEWSKA-MALEC K.: Switchable, Tw Wavelength Emitting VECSEL. V Wrkshp n Physics a. Technlgy f Semicnductr Lasers Lasers. Kraków, (ref.). [K2] BRODA, MUSZALSKI J., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., JASIK A., GUTOWSKI P., KUBACKA-TRACZYK J., SANKOWSKA I., TRAJNEROWICZ A.: Półprzewdnikwy laser dyskwy. XI Knf. Nauk. "Technlgia Elektrnwa". Ryn, (plakat). [K3] BUGAJSKI M., GUTOWSKI P., SAKOWICZ M., SZYMAŃSKI M., KARBOWNIK P., SZERLING A., KOSIEL K.: Kwantwe lasery kaskadwe d zastswań w spektrskpii mlekularnej. XI Knf. Nauk. "Technlgia Elektrnwa". Ryn, (ref.). [K4] BUGAJSKI M., PIERŚCIŃSKI K., SAKOWICZ M., KARBOWNIK P., KOLEK A., HAŁDAŚ G., SLIGHT T., MEREDITH W.: Strain Cmpensated 4.7 m AlInAs/InGaAs/InP QCLs Nn-Equilibrium Green s Functin Mdeling f Electr-Optical Characteristics. V Wrkshp n Physics a. Technlgy f Semicnductr Lasers. Kraków, (ref.). [K5] CZUBA K., JUREŃCZYK J., KANIEWSKI J.: Optymalizacja charakterystyk ftdidy lawinwej InGaAs/InAlAs/InP. XII Kraj. Knf. Elektrniki. Darłówk Wschdnie, (ref.). [K6] CZUBA K., JUREŃCZYK J., KANIEWSKI J.: Numerical Calculatins f SAGCM InGaAs/ /InAlAs/InP Avalanche Phtdide with Mnlithic Refractive Optics. 1st An. Cnf. f COST Actin MP1204 & Int. Cnf. n Semicnductr Mid-IR Materials a. Optics. Warszawa, (plakat).

12 12 Sprawzdanie z działalnści ITE w 2013 r. [K7] GUTOWSKI P., SZYMAŃSKI M., SANKOWSKA I., KUBACKA-TRACZYK J., REGIŃSKI K., JASIK A., KOSIEL K., BUGAJSKI M.: InP-Based Lattice-Matched Quantum-Cascade Laser Structures: Waveguide Design, Mdal Structure Calculatins and Grwth Issues. Schl f Phtnics Crtna, Włchy, (plakat). [K8] HAŁDAŚ G., KOLEK A., BUGAJSKI M., TRALLE I.: Nnequilibrium Green s Functin Mdel f Mid-Infrared Quantum Cascade Laser. Symp. n Nanstructured Materials. Rzeszów, (plakat). [K9] JASIK A., KANIEWSKI J., SANKOWSKA I., REGIŃSKI K., PIERŚCIŃSKA D., KUBACKA-TRACZYK J., PIERŚCIŃSKI K.: Precise Cntrl f Strain by Interface Frmatin in Type-II in InAs/GaSb Superlattices. Cllabrative Cnf. n Crystal Grwth. Cancun, Meksyk, (ref. zapr.). [K10] JASIK A., WASYLCZYK P., DEMS M., WNUK P., SANKOWSKA I., ZINKIEWICZ Ł., WÓJCIK- -JEDLIŃSKA A., KUBACKA-TRACZYK J., HEJDUK K., REGIŃSKI K.: Technlgia MBE wyskdyspersyjnych zwierciadeł półprzewdnikwych. XI Knf. Nauk. "Technlgia Elektrnwa. Ryn, (ref.). [K11] JASIK A., WASYLCZYK P., DEMS M., WNUK P., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., HEJDUK K., REGIŃSKI K., ZINKIEWICZ Ł., KUBACKA-TRACZYK J., SANKOWSKA I.: MBE Grwth f High-Dispersive Mirrrs fr Sub-Picsecnd Lasers. Cllabrative Cnf. n Crystal Grwth. Cancun, Meksyk, (ref. zapr.). [K12] JUNG W., JASIK A., GOŁASZEWSKA-MALEC K., MACIEJEWSKA E.: Wyznaczanie kncentracji nśników w laserach VECSEL. XI Knf. Nauk. "Technlgia Elektrnwa". Ryn, (plakat). [K13] KARBOWNIK P., SZERLING A., BUGAJSKI M.: Numerical Analysis f Mid-IR Quantum Cascade Laser Optical Prperties. V Wrkshp n Physics a. Technlgy f Semicnductr Lasers. Kraków, (plakat). [K14] KARBOWNIK P., SZERLING A., BUGAJSKI M.: Mdelwanie właściwści ptycznych laserów kaskadwych z rzłżnym sprzężeniem zwrtnym. XII Kraj. Knf. Elektrniki. Darłówk Wschdnie, (plakat). [K15] KARBOWNIK P., SZERLING A., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., TRAJNEROWICZ A., KOSIEL K., GRONOWSKA I., BUGAJSKI M.: Die-Bnding fr QCL Fabricatin Technlgy. Schl f Phtnics Crtna, Włchy, (plakat). [K16] KOSIEL K., SZERLING A., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., SANKOWSKA I., KUBACKA-TRACZYK J., SAKOWICZ M., PŁUSKA M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., JAKIEŁA R., JUREŃCZYK J.: Epitaxy f AlGaAs/GaAs Structures fr THz Quantum-Cascade Lasers. V Wrkshp n Physics a. Technlgy f Semicnductr Lasers. Kraków, (plakat). [K17] KUBACKA-TRACZYK J., SANKOWSKA I., SEECK O. H., BUGAJSKI M., KOSIEL K.: High- Reslutin X-Ray Characterizatin f MID-IR Al 0.45 Ga 0.55 As/GaAs QCL Structure. 15th Int. Cnf. n Defects Recgnitin, Imaging a. Physics in Semicnductrs. Warszawa, (plakat). [K18] MUSZALSKI J., BRODA A., JASIK A., GUTOWSKI P., SANKOWSKA I., KUBACKA-TRACZYK J., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., TRAJNEROWICZ A., GOŁASZEWSKA-MALEC K.: MBE Grwth f VECSEL Heterstructures: The Challlenge f Cntrl f the Layer Thickness and the Strain Relaxatin. V Wrkshp n Physics a. Technlgy f Semicnductr Lasers. Kraków, (plakat). [K19] MUSZALSKI J., BRODA A., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., GUTOWSKI P., JASIK A., TRAJNEROWICZ A., SANKOWSKA I., KUBACKA-TRACZYK J., GOŁASZEWSKA-MALEC K.: Current State f the VECSEL Develpment in ITE. 1st An. Cnf. f COST Actin MP1204 & Int. Cnf. n Semicnductr Mid-IR Materials a. Optics. Warszawa, (ref.).

13 Zakład Ftniki 13 [K20] MUSZALSKI J., JASIK A., BRODA A., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., SANKOWSKA I., KUBACKA- TRACZYK J., GUTOWSKI P., TRAJNEROWICZ A.: Półprzewdnikwy laser dyskwy epitaksja dla ftniki. V Kngres Plskieg Twarzystwa Próżniweg. Kraków, (ref. zapr.). [K21] MUZIOŁ G., TURSKI H., SIEKACZ M., SAWICKA M., WOLNY P., PRUSZYŃSKA-KARBOWNIK E., REGIŃSKI K., MROZIEWICZ B., PERLIN P., SKIERBISZEWSKI C.: Far Field Pattern f AlGaN Cladding Free Blue Laser Dides Grwn by PAMBE. 17th Int. Cnf. n Crystal Grwth and Epitaxy. Warszawa, (plakat). [K22] MUZIOŁ G., TURSKI H., SIEKACZ M., SAWICKA M., WOLNY P., PRUSZYŃSKA-KARBOWNIK E., REGIŃSKI K., MROZIEWICZ B., PERLIN P., SKIERBISZEWSKI C.: Far Field Pattern f AlGaN Cladding Free Blue Laser Dides Grwn by PAMBE. V Wrkshp n Physics a. Technlgy f Semicnductr Lasers. Kraków, (km.). [K23] PAPIS-POLAKOWSKA E., KANIEWSKI J.: Characterisatin f (100) GaSb Passivated Surface Using Next Generatin 3D Digital Micrspy. 15th Int. Cnf. n Defects Recgnitin, Imaging a. Physics in Semicnductrs. Warszawa, (ref.). [K24] PAPIS-POLAKOWSKA E., KANIEWSKI J., JASIK A., JUREŃCZYK J., RZODKIEWICZ W., WZOREK M., SZADE J., WAWRO A., ORMAN Z.: Wybrane aspekty technlgii wytwarzania detektrów pdczerwieni na bazie supersieci II rdzaju InAs/GaSb. XII Kraj. Knf. Elektrniki. Darłówk Wschdnie, (ref.). [K25] PAPIS-POLAKOWSKA E., KANIEWSKI J., JASIK A., SZADE J., RZODKIEWICZ W., WZOREK M., JUREŃCZYK J., WAWRO A., FENNER M. F.: Interface Prperties f Type-II InAs/GaSb Superlattice Structures. Third Sci. Symp. fr Nanmeasurement Research NANOMEASURE Warszawa, (plakat). [K26] PAPIS-POLAKOWSKA E., RADKOWSKI B., LESKO S., KANIEWSKI J.: Peak Frce Tapping Technique fr Characterizatin f Thin Organic Passivating Layers. 15th Int. Cnf. n Defects Recgnitin, Imaging a. Physics in Semicnductrs. Warszawa, (ref.). [K27] PAPIS-POLAKOWSKA E., WHITE R. G., DEEKS CH., MANNSBERGER M., KRAJEWSKA A., STRUPIŃSKI W., PŁOCIŃSKI T., JANKOWSKA O.: X-Ray Phtelectrn Spectrscpy Methdlgy and Applicatin. 15th Int. Cnf. n Defects Recgnitin, Imaging a. Physics in Semicnductrs. Warszawa, (ref.). [K28] PIERŚCIŃSKA D., PIERŚCIŃSKI K., BUGAJSKI M.: Thermal Characteristics and Pwer Rll-Over f GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers. V Wrkshp n Physics a. Technlgy f Semicnductr Lasers. Kraków, (plakat). [K29] PIERŚCIŃSKI K., PIERŚCIŃSKA D., BUGAJSKI M.: Evaluatin f Perfrmance f Mid-IR Quantum Cascade Lasers by Means f TR Imaging. 15th Int. Cnf. n Defects Recgnitin, Imaging a. Physics in Semicnductrs. Warszawa, (ref.). [K30] PIERŚCIŃSKA D., PIERŚCIŃSKI K., BUGAJSKI M.: CCD Thermreflectance fr Thermal Characterizatin f Optelectrnic Devices. 15th Int. Cnf. n Defects Recgnitin, Imaging a. Physics in Semicnductrs. Warszawa, (plakat). [K31] PIERŚCIŃSKI K., SIRBU A., CALIMAN A., MEREUTA A., YAKOVLEV V., SURUCEANU G., KAPON E.: Wafer Fused VECSELs Emitting in 1.3 m and 1.5 m Range. V Wrkshp n Physics a. Technlgy f Semicnductr Lasers. Kraków, (plakat). [K32] PRUSZYŃSKA-KARBOWNIK E., KOWALCZYK L., REGIŃSKI K., KARBOWNIK P., KOSIEL K., MROZIEWICZ B.: Quantum Cascade Laser Beam Quality Measurements Using a Gnimetric System. Int. Cnf. n THz and Mid Infrared Radiatin and Applicatins t Cancer Detectin Using

14 14 Sprawzdanie z działalnści ITE w 2013 r. Laser Imaging jintly with the Wrkgrup Meet. f COST ACTIONs MP1204 a. BM1205. Sheffield, Wielka Brytania, (plakat). [K33] PRUSZYŃSKA-KARBOWNIK E., REGIŃSKI K., MROZIEWICZ B., KOSIEL K., KARBOWNIK P.: Analysis f Mde Hpping in a Quantum Cascade Laser thrugh the Study f Far-Field. 1st An. Cnf. f COST Actin MP1204 & Int. Cnf. n Semicnductr Mid-IR Materials a. Optics. Warszawa, (plakat). [K34] SANKOWSKA I., KUBACKA-TRACZYK J., GUTOWSKI P., JASIK A., BUGAJSKI M.: Analysis f Strain Net in InAlAs/InP Heterstructures Using High Reslutin X-Ray Diffractin Technique. 15th Int. Cnf. n Defects Recgnitin, Imaging a. Physics in Semicnductrs. Warszawa, (plakat). [K35] SZERLING A., KARBOWNIK P., KOSIEL K., TRAJNEROWICZ A., MACIEJEWSKA E., GOŁASZEWSKA- -MALEC K., ŁASZCZ A., WALCZAKOWSKI M., PAŁKA N.: Ultrathin Metallic Layers fr IR-Emitters Technlgy. V Kngres Plskieg Twarzystwa Próżniweg. Kraków, (ref. zapr.). [K36] SZERLING A., KOSIEL K., SAKOWICZ M., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., SANKOWSKA I., KUBACKA- TRACZYK J., TRAJNEROWICZ A., ŁASZCZ A., GOŁASZEWSKA-MALEC K., PŁUSKA M., JAKIEŁA R., WASILEWSKI Z.: Epitaxy and Device Fabricatin fr AlGaAs/GaAs THz Quantum-Cascade Lasers. Int. Cnf. n THz and Mid Infrared Radiatin and Applicatins t Cancer Detectin Using Laser Imaging jintly with the Wrkgrup Meet. f COST ACTIONs MP1204 a. BM1205. Sheffield, Wielka Brytania, (plakat). [K37] SZERLING A., KOSIEL K., WASILEWSKI Z., SAKOWICZ M., TRAJNEROWICZ A., GOŁASZEWSKA- MALEC K., ŁASZCZ A., PŁUSKA M., WALCZAKOWSKI M., PAŁKA N.: Fabricatin f Terahertz Quantum Cascade Laser. V Wrkshp n Physics a. Technlgy f Semicnductr Lasers. Kraków, (plakat). [K38] SZERLING A., MACIEJEWSKA E., TRAJNEROWICZ A., KARBOWNIK P., KOSIEL K., HEJDUK K., WZOREK M.: Technlgia wytwarzania siatek Bragga d jednmdwych laserów kaskadwych. XII Kraj. Knf. Elektrniki. Darłówk Wschdnie, (plakat). [K39] SZERLING A., KOSIEL K., SAKOWICZ M., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., SANKOWSKA I., KUBACKA- -TRACZYK J., TRAJNEROWICZ A., ŁASZCZ A., GOŁASZEWSKA-MALEC K., PŁUSKA M., JAKIEŁA R., WASILEWSKI Z.: Epitaxy and Device Fabricatin fr AlGaAs/GaAs THz Quantum-Cascade Lasers. Int. Cnf. n THz and Mid Infrared Radiatin and Applicatins t Cancer Detectin Using Laser Imaging jintly with the Wrkgrup Meet. f COST ACTIONs MP1204 a. BM1205. Sheffield, Wielka Brytania, (plakat). [K40] SZERLING A., KOSIEL K., WASILEWSKI Z., SAKOWICZ M., TRAJNEROWICZ A., GOŁASZEWSKA- -MALEC K., ŁASZCZ A., PŁUSKA M., WALCZAKOWSKI M., PAŁKA N.: Terahertz Quantum Cascade Laser: Selected Technlgical Prblems. GDR-I and GDR Wrkshp. Mntpellier, Francja, (plakat). [K41] SZERLING A., KOSIEL K., WASILEWSKI Z., SAKOWICZ M., TRAJNEROWICZ A., GOŁASZEWSKA- -MALEC K., ŁASZCZ A., PŁUSKA M., WALCZAKOWSKI M., PAŁKA N.: Fabricatin f Terahertz Quantum Cascade Laser. V Wrkshp n Physics a. Technlgy f Semicnductr Lasers. Kraków, (plakat). [K42] SZERLING A., MACIEJEWSKA E., TRAJNEROWICZ A., KARBOWNIK P., KOSIEL K., HEJDUK K., WZOREK M.: Technlgia wytwarzania siatek Bragga d jednmdwych laserów kaskadwych. XII Kraj. Knf. Elektrniki. Darłówk Wschdnie, (plakat). [K43] SZYMAŃSKI M., TEISSEYRE H., KOZANECKI A.: Theretical Study f Ultravilet ZnO/ZnMgO Laser Dides n GaN r Al 2 O 3 Substrates tward Electrically Pumped Devices. E-MRS Fall Meet.

15 Zakład Ftniki Symp. F: Nvel Materials fr Electrnic, Optelectrnic, Phtvltaic a. Energy Saving Applicatins. Warszawa, (plakat). [K44] TRAJNEROWICZ A., PŁUSKA M., SZERLING A., KARBOWNIK P., KOSIEL K.: Wpływ warunków mntażu na mechaniczne i elektryczne właściwści warstw kntaktwych laserów na zakres średniej pdczerwieni. XII Kraj. Knf. Elektrniki. Darłówk Wschdnie, (plakat). [K45] TRAJNEROWICZ A., SAKOWICZ M., KARBOWNIK P., BUGAJSKI M., PAJĄK M., RATAJCZYK M.: Dedicated Quantum Cascade Laser Driver. V Wrkshp n Physics a. Technlgy f Semicnductr Lasers. Kraków, (plakat). [K46] URBAŃCZYK D., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., KOSIEL K., SZYMAŃSKI M., WASIAK M., BUGAJSKI M.: The Study f Heat Transprt in Phtnic Peridic Nanstructures Using Optical Spectrscpy Methds. 15th Int. Cnf. n Defects Recgnitin, Imaging a. Physics in Semicnductrs. Warszawa, (plakat). [K47] WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., URBAŃCZYK D., KOSIEL K., SZYMAŃSKI M., WASIAK M., BUGAJSKI M.: The Phtluminescence Study f Heat Transprt in Semicnductr Peridic Nanstructures. Int. Cnf. n THz and Mid Infrared Radiatin and Applicatins t Cancer Detectin Using Laser Imaging jintly with the Wrkgrup Meet. f COST ACTIONs MP1204 a. BM1205. Sheffield, Wielka Brytania, (km.). [K48] ZINKIEWICZ Ł., WASYLCZYK P., JASIK A., DEMS M., WNUK P., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., REGIŃSKI K., HEJDUK K.: Semicnductr Duble-Chirped Mirrrs fr Dispersin Cmpensatin in Femtsecnd Yb:KYW Lasers. V Wrkshp n Physics a. Technlgy f Semicnductr Lasers. Kraków, (ref.). Patenty 2013 [PA1] JASIK A. W., KUBACKA J., SANKOWSKA I., KAZIMIERZ REGIŃSKI R.: Spsób kreślania składu chemiczneg warstw Al x Ga x-1 As y Sb 1-y. Pat. nr [PA2] MROZIEWICZ B.: Spsób pmiaru przestrzenneg rzkładu natężenia prmieniwania laserów półprzewdnikwych raz urządzenie d pmiaru przestrzenneg rzkładu prmieniwania laserów półprzewdnikwych. Pat. nr [PA3] PIERŚCIŃSKI K., PIERŚCIŃSKA D., BUGAJSKI M.: Spsób pmiaru rzkładu temperatury na pwierzchni struktur ptycznie pmpwanych laserów VECSEL raz układ d pmiaru rzkładu temperatury na pwierzchni struktur ptycznie pmpwanych laserów VECSEL. Pat. wg zgł. nr P [PA4] GUTOWSKI P., ORNOCH L.: Blk wyjściwy impulsweg zasilacza prądweg. Zgł. pat. nr P z dn [PA5] GUTOWSKI P., ORNOCH L.: Układ impulsweg zasilacza prądweg. Zgł. pat. nr P z dn [PA6] GUTOWSKI P., ORNOCH L.: Obudwa prądweg zasilacza impulsweg. Zgł. pat. nr P z dn [PA7] MUSZALSKI J., BRODA A., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., TRAJNEROWICZ A.: Dwumdwa heterstruktura lasera półprzewdnikweg pmpwaneg ptycznie. Zgł. pat. nr P z dn [PA8] SZERLING A., KARBOWNIK A., KOSIEL K., HEJDUK K., BUGAJSKI M.: Uchwyt. Wzór użytkwy Ru