Rachunek decybelowy w radioelektronice

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Rachunek decybelowy w radioelektronice"

Transkrypt

1 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia /0 Rachunek decyelowy w radioelektronice. Wprowadzenie Rachunek decyelowy jest ardzo często stosowany w sytuacjach, gdy mamy ardzo szeroki zakres zmian oserwowanych wielkości (ardzo dużą dynamikę). tosowane są różne odmiany jednostki podstawowej db 0 log /W dbm0 log /mw dbu20 log U/uV dbw0 log / W dbc poziom mocy odniesiony do mocy nośnej (dla sygnałów modulowanych) dbi zysk anteny odniesiony do wzorcowej anteny izotropowej dbd zysk anteny odniesiony do dipola odniesienia 2. Do wejścia wzmacniacza o wzmocnieniu mocy 250 W/W doprowadzono sygnał mw. Wyznacz moc wyjściową w skali liniowej i w dbm, moc we w dbm, wzmocnienie w db. 3. Zmierzony sygnał na wyjściu tłumika 3 db wynosi 0,5 dbm. Wyznacz moc we w dbm i w mw, oraz moc wy w mw. 4. W układzie wzmacniacza 3-stopniowego znane są wzmocnienia poszczególnych stopni: 23dB, 20 db, 20 db. Na wyjściu znajduje się tłumik 3 db. ygnał wejściowy wynosi mw. Zakładając straty po 0, db na połączenia poszczególnych stopni wyznaczyć moce sygnału w poszczególnych punktach, zarówno w W jak i w dbm. 5. Dla pewnej częstotliwości poza pasmem przepustowym filtru sygnał jest tłumiony o 40 db. Ile razy jest tłumiona wartość sygnału? Ile wynosi napięcie na tej częstotliwości, jeżeli w paśmie przepustowym wartość sygnału wynosi 300 mv? 6. Do wzmacniacza doprowadzono sygnał mw. Na ociążeniu o wartości 50 omów zmierzono moc sygnału 20 dbm. Wyznacz napięcie na ociążeniu. 7. W elektroakustyce stosuje się wartość rezystora odniesienia równą 600 omów. Zakładając moc wydzielaną na rezystorze na 0dBm wyznaczyć napięcie na rezystorze. Wyznaczyć także napięcie zakładając wartość rezystora 50 omów (radiotechnika). 8. Moc nadajnika nadającego do satelity wynosi 300W. atelita znajduje się na oricie geostacjonarnej (ok. 36 tys. km). Wyznaczyć wartość sygnału docierającego do anteny odiorczej przy następujących założeniach: traty na złączach i kalach dla anten nadawczej i odiorczej po 2dB traty tłumienia sygnału na trasie do i od satelity po 20 db Zysk anteny nadawczej 60 db Zysk anteny odiorczej 40 db Zyski anten satelity po 30 db Wzmocnienie transpondera 20 db Wyznaczyć napięcie, które odłożyłoy się na ociążeniu 50 omów.

2 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 2/0 Rzeczywiste charakterystyki rezystora, kondensatora i cewki Literatura do ćwiczenia: A. Janusz A. Dorowolski, Technika wielkich częstotliwości. Zadania. Oficyna Wydawnicza W, Warszawa 996. B. Zdzisław Bieńskowski, oradnik Ultrakrótkofalowca, WKiŁ, Warszawa 998. C. tefan Misiaszek, Elementy i układy techniki pikosekundowej, Oficyna Wydawnicza W, Warszawa 997. rogram ćwiczeń. Krótkie wprowadzenie wartości pasożytnicze indukcyjności, rezystancji, pojemności, rezonanse własne. Charakterystyki elementów są zależne od częstotliwości. zczególnie widoczne jest w zakresie częstotliwości radiowych. 2. Rzeczywisty kondensator. Mamy kondensator typu chip o parametrach katalogowych C5,0 pf, Rs2,0Ω, Ls0,29nH. Należy wyznaczyć: a) Częstotliwość rezonansową elementu ) Wykreślić moduł impedancji dla kondensatora idealnego i rzeczywistego oraz pojemność efektywną. Ile wynosi pojemność efektywna powyżej częstotliwości rezonansowej? c) Efektywną pojemność kondensatora na częstotliwościach: 0,0.fs,0.2fs,0.5fs,0.8 fs. Należy zapisać zależność na impedancję szeregowego układu rezonansowego. Z warunku rezonansu można ardzo prosto wyznaczyć częstotliwość rezonansową: f r. 2π L C Zależność na impedancję można prosto przekształcić do następującej postaci: Z( ω ) C Mianownik jest właśnie tzw. pojemnością efektywną elementu, C e f 2 f f r Należy zwrócić uwagę, że korzystać z tej zależności można 00 jedynie poniżej częstotliwości rezonansowej, gdyż powyżej 90 niej mamy do czynienia już z indukcyjnością! Wykres modułu impedancji dla kondensatora idealnego ma kształt hiperoli. W układzie rzeczywistym mamy wyraźnie zaznaczony rezonans szeregowy i charakterystyczne wygięcie do góry powyżej częstotliwości rezonansowej s R s + C jω f f r x

3 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 3/0 Rzeczywista cewka. Mamy cewkę wykonaną na korpusie ceramicznym, indukcyjność cewki wynosi uh, jej częstotliwość rezonansu własnego fr256 MHz. Rezystancja szeregowa strat wynosi 0.05 Ω. Należy wyznaczyć: a) Równoległą pojemność pasożytniczą cewki ) Wykreślić moduł impedancji dla cewki idealnej i rzeczywistej oraz indukcyjność efektywną. Ile wynosi pojemność efektywna powyżej częstotliwości rezonansowej? c) Efektywną indukcyjność cewki na częstotliwościach: 0, 0.fs, 0.2fs, 0.5fs, 0.8fs. chemat zastępczy dla cewki do montażu przewlekanego ma już trochę inny kształt. Mianowicie cewka wykonana jest z odcinak przewodu. W związku z tym posiada rezystancję własną. ojemność na schemacie zastępczym jest pojemnością międzyzwojową. Uwaga! Cewki wykonywane na laminacie mają zupełnie inne schematy zastępcze. o pewnych przyliżeniach możemy przyjąć, że częstotliwość rezonansu równoległego może yć opisana analogicznie jak dla równoległego owodu rezonansowego 9000 LC: f r. 2π LC x0 8 Analogicznie można wyprowadzić zależność na wartość L indukcyjności efektywnej: L e f. 2 f f r Idealna cewka ma charakterystykę częstotliwościową linowo rosnącą. W układzie rzeczywistej cewki mamy rezonans równoległy 4. Rzeczywisty rezystor. Mamy rezystor typu chip o parametrach katalogowych R2,2 kω, Cp0,02pF, Ls0,88nH. Należy wyznaczyć: a) Częstotliwość rezonansową elementu ) Wykreślić moduł impedancji dla rezystora idealnego i rzeczywistego oraz rezystancję efektywną. Co się dzieje powyżej częstotliwości rezonansowej? c) Efektywną pojemność kondensatora na częstotliwościach: 0,0.fs,0.2fs,0.5fs,0.8 fs.

4 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 4/0 Oliczenie wzmacniacza rezonansowego w stanie przewzudzonym Uwaga! Dorze jest na początku każdego zadania narysować zestaw charakterystyk w celu przypomnienia i zorientowania się w zależnościach pomiędzy poszczególnymi napięciami. Należy zwrócić uwagę na dwie rzeczy:. W stanie przewzudzonym prąd kolektora jest odkształcony nie można korzystać ezpośrednio z rozkładu Berga 2. rąd kolektora liczymy jako różnicę prądów emitera i azy Zad. Wyznaczyć parametry energetyczne wzmacniacza rezonansowego w stanie przewzudzonym Dane: Θ 20 (klasa AB) 0,2 A/V (nachylenie charakterystyki dla prądu kolektora) 0,3 A/V (nachylenie charakterystyki dla prądu azy) E 0 0,6 V (napięcie progowe tranzystora) E o,2 V (napięcie progowe dla prądu azy) E c 5 V (napięcie zasilania kolektora) I 45 ma (wartość impulsu prądu azy) e ce sat 0,4 V (napięcie nasycenia tranzystora) Tot 400 mw (maksymalna moc strat tranzystora) zukane moc wyjściowa użyteczna 0 moc zasilania c moc strat tranzystora η sprawność R 0 rezystancja wyjściowa K p wzmocnienie mocy. Wyznaczenie napięcia zasilania azy E i napięcia sygnału doprowadzonego do azy U. Wyznaczenie tych dwóch wielkości jest moim zdaniem niemożliwe ez narysowania dorze rysunku. i c, i, i e I e i c, i, i e i c I c I c min i E 0 2Θ E U e E0 e e 2Θ 2Θ 2Θ t e c min e ce sat U c E c e ce a) wyznaczamy wartość e maksymalnej wartości napięcia na azie. onieważ mamy dane i oraz wartość nachylenia charakterystyki dla prądu azy możemy wyznaczyć wartość napięcia pomiędzy E o i e. W związku z tym możemy zapisać: I I e E ' e E ' +, V 35 o o

5 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 5/0 ) Znając e możemy wyznaczyć wartości prądów I e, I c oraz I c min. Ie Ic Ie ( e E0 ) 50mA Ic E0' E0 20 e E E ' E ( ) ma 0 Ic min Ie I 05mA c) do wyznaczenia kąta przepływu dla prądu azy potrzene są wartości U i E. Musimy więc je wyznaczyć. E0 E Wiemy, że cos Θ. Zauważmy, że U e E. U E0 E E0 E rzekształcając uzyskujemy: cos Θ ( e E ) cosθ E0 E U e E ( e E ) cos Θ E0 E e cos Θ E cosθ E0 E E E cosθ E e 0 cosθ E0 e E cosθ ( ) cosθ E0 e cosθ E 0, 85V ( cosθ) Korzystając z wcześniejszego związku mamy: U e E 0, 50V 2. Wyznaczenie wartości prądów kolektora Impuls prądu kolektora ma kształt inny niż odcinek cosinusoidy, nie możemy więc ezpośrednio skorzystać z rozkładu Berga. Oliczamy je metodą pośrednią: Ic0 Ie0 I0 oraz Ic Ie I Możliwe jest to, gdyż oa prądy emitera i azy mają kształt odcinków cosinusoidy. Uwaga! Jeżeli ktoś na zaliczeniu liczy metodą jak dla stanu granicznego, nie zaliczam zadania!! a) wyznaczmy wartości współczynników rozkładu Berga dla impulsów prądu emitera: sin Θ ΘcosΘ Θ sin ΘcosΘ α 0 0,406 oraz α 0, 536 π ( cosθ) π ( cosθ) Znając je możemy wyznaczyć składowe impulsu prądu emitera: I α 60,9 ma oraz I α 80,4mA e0 i e 0 ) wyznaczamy wartość kąta odcięcia dla prądu azy E 0' E E0' E cosθ Θ arccos 45, 6 U U 0 0 e i e Uwaga. Jest to podpunkt, w którym najczęściej pojawiają się łędy!! c) wyznaczmy wartości współczynników rozkładu Berga dla impulsów prądu emitera: sin Θ Θ cosθ Θ sin Θ cosθ α 0 0,67 oraz α 0, 34 π ( cosθ) π ( cosθ) Znając je możemy wyznaczyć składowe impulsu prądu emitera: I α 7,5mA oraz I α 4, ma 0 i 0 i d) wyznaczamy wartości składowych prądu kolektora: I I I 53, ma oraz I I I 66, ma c0 e0 0 4 c e 3

6 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 6/0 3. Wyznaczenie parametry energetyczne układu a) Wyznaczenie wartości napięcia wyjściowego kolektora U c : Uc Ec ec min. Nie znamy wartości minimalnej napięcia kolektora, ale z rysunku możemy ją łatwo wyznaczyć z Ic I I proporcji: c min c ec min ece sat 0, 35V e e I. ce sat c min c min c Ec ec min 4, 7V W związku z tym U ) Wyznaczenie wartości mocy: wyjściowej, zasilania 0 i strat c. I c Uc 486mW, 0 I c 0 Ec 80mW, c 0 35mW. 2 c) Wyznaczenie sprawności η oraz rezystancji wyjściowej R 0. Uc η 60,7% oraz R 0 22Ω. I 0 c d) Wyznaczenie wzmocnienia mocy K p : K p W celu wyznaczenia wzmocnienia mocy musimy znać najpierw wartość mocy wejściowej. I U 3,53mW. 2 Woec tego K p 38 Wartość wzmocnienia mocy często wyrażana jest w decyelach: K 0 log K 2, p db p 4 Dla innych klas oliczenia wyglądają identycznie. ewnego komentarza może jedynie wymagać przypadek klasy C. W przypadku klasy C napięcie polaryzacji azy może mieć zarówno wartości dodatnie jak i ujemne. Dla oliczeń nie ma to żadnego znaczenia. Jedynie może zaistnieć potrzea korekty rysunku. Zauważmy, że widoczna jest konieczność zwiększenia wartości sygnału sterującego, w celu osiągnięcia stanu przewzudzonego (rys. są w tej samej skali). db i c, i, i e I e i c, i, i e I e I c I c I c min I c min i i E E 0E0 e e e E E 0 E 0 e e e U 2Θ 2Θ U 2Θ 2Θ

7 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 7/0 Modulacja częstotliwości Zadanie. Wyznaczyć zakres przestrajania owodu modulatora FM z diodami pojemnościowymi włączonymi przeciwsonie. C 3 U m.cz. E zas D D L C 2 C U m.cz. E zas D D L C M C z Cewka oscylatora L50nH ojemności układu: C5pF C25pF C32pF ojemności montażowe: 2 pf Diody pojemnościowe połączone przeciwsonie (katodami) V0 Dla napięć 3-9V z karty katalogowej odczytujemy zmiany pojemności 28pF/32pF-2pF/4pF Wyznaczamy wsp. przestrajania : 28pF:2pF pF:4pF2.29 ojemności C,C2,C3 połączone są szeregowo Cz4.6pF ojemność wraz z montażową 6.6 pf Diody połączone są szeregowe, więc wypadkowa pojemność zmienia się w granicach: 4pF/6pF 6pF/7pF Granice przestrajania można określić ze wzoru na rezonans: f. 2 π L C Zakładając zmiany pojemności 22.6pF do 2.6pF wyznaczamy granice przestrajania: f d 86.4 MHz f g 5.77 MHz 2 π 50nH 22.6pF 2 π 50nH 2.6pF W sam raz, ay pokryć pasmo UKF.

8 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 8/0 Zniekształcenia intermodulacyjne Zad. Wzmacniacz w.cz. o wzmocnieniu G5 db został przeadany za pomocą testu dwusygnałowego. o doprowadzeniu sygnałów wejściowych o mocy i 0 dbm uzyskano na wyjściu sygnał intermodulacyjny trzeciego rzędu o wartości o3 45dBm. Wyznacz moc sygnału intermodulacyjnego trzeciego rzędu na wyjściu po doprowadzeniu do wzmacniacza sygnału o mocy wejściowej i2 0dBm. Wyznacz wartość I3 odniesioną do wejścia wzmacniacza. 30 wy [dbm] 20 0 i i I3 we [dbm] o o3 Wyznaczmy poziomy sygnału wyjściowego dla sygnału we 0dBm o i + G dBm Znając przeieg prostej dla sygnału wejściowego, można poziom sygnału wyjściowego odczytać z charakterystyki wy f ( we ) wykreślonej w db, pamiętając, że rośnie ona liniowo pod kątem 45. Wiemy, że moc zniekształceń intermodulacyjnych rośnie trzy razy szyciej, więc możemy wyznaczyć poziom zniekształceń intermodulacyjnych na wyjściu: o 3 o ( 0dBm ( 0dBm) ) 45dBm + 30dBm 5dBm Analogicznie jak w poprzednim przypadku można tą wartość wyznaczyć graficznie, pamiętając, że współczynnik kierunkowy dla prostej zniekształceń intermodulacyjnych wynosi 3 (rozwiązanie graficzne czerwone strzałki na rysunku). Zauważmy, że poziom zniekształceń wzrósł w stosunku do wartości dla sygnału testowego. odczas testu odstęp sygnału wyjściowego od zniekształceń intermodulacyjnych wynosił 50dB, zaś dla sygnału normalnego tylko 30dB. Wartość I3 odniesioną do wejścia wzmacniacza można wyznaczyć w oparciu o charakterystykę przejściową. zukamy punktu przecięcia dwóch prostych. W przypadku dokładnego rysunku można ją wyznaczyć graficznie. W naszym przypadku wartość ta wynosi 5 dbm. Wartość I3 odniesiona do wyjścia wynosi 30 dbm (na rysunku granatowa strzałka). Druga metoda, analityczna, polega na rozwiązaniu układu równań dla dwóch prostych, w celu znalezienia ich punktu przecięcia. wy we + 5 we 5. Otrzymujemy taki sam wynik : I35 dbm. wy 3 we 5

9 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 9/0 Zad. 2 Do wejścia odiornika docierają dwa sygnały o częstotliwościach f i f 2 i jednakowych mocach równych 0 dbm. Moc zniekształceń intermodulacyjnych trzeciego rzędu na wyjściu mieszacza wynosi IM3-60 dbm, zaś straty mieszacza wynoszą L5,0 db. a) Wyznacz moc wyjściową zniekształceń intermodulacyjnych trzeciego rzędu, gdy sygnały wejściowe mają moc 20 dbm. ) Wyznacz odstęp intermodulacyjny dla we - 5dBm i 0 dbm. ugerowane rozwiązanie graficzne, podonie jak w zadaniu. a) Moc zniekształceń intermodulacyjnych wynosi 20 dbm ) Odstęp wynosi odpowiednio 60 db i 35 db Zad.3 Wyznacz wartość I3 odniesioną do wejścia odiornika superheterodynowego o strukturze podanej na poniższym rysunku. L 0 db ~~ G 2 4 db I3 2 0 dbm L 3 6,3 db I3 3 5 dbm ~ G 4 20 db I3 4 8 dbm Wartość I3 odniesioną do wejścia odiornika wyznaczymy z zależności: 3 [ ] N I mw 3 [ ] k I k mw Oznacza to, że musimy kolejno transformować do wejścia wartości I3 poszczególnych loków, wyznaczając je w miliwatach. ierwszym lokiem wejściowym jest filtr pasmowy. Zasadniczo filtr jest elementem liniowym, a więc: I 3. arametr I3 2 transformujemy do wrót wejściowych: I3 we 2 I32 + L dBm 0mW arametr I3 3 transformujemy do wrót wejściowych: I3 we 3 I33 G2 + L dBm 0, 26mW arametr I3 4 transformujemy do wrót wejściowych: I3 we 4 I34 + L3 G2 + L 8 + 6, ,3dBm, 072mW Możemy więc już wyznaczyć I3 weod odiornika: I3 weod 0log log 52 ( 8,973) 9, dbm 0 0,26,072 Zauważmy, że w wyznaczeniu wartości I3 weod nie ierze udziału wzmocnienie ostatniego loku wzmacniacza.

10 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 0/0 Owody rezonansowe, rezonatory, elementy układów w.cz.. Mamy mieszacz pracujący w układzie odiornika GM 800. traty przemiany mieszacza wynoszą L m 4,5 db, izolacja I pomiędzy wrotami oscylatora lokalnego i wrotami sygnału w.cz. jest równa 22 db. Do wejścia w.cz mieszacza dociera sygnał o częstotliwości kanału 3 i mocy s 0 dbm. Moc sygnału oscylatora wynosi h 0 dbm. Wyznacz częstotliwość sygnału heterodyny, przy założeniu, że sygnał p.cz ma częstotliwość 70MHz. Jak jest moc sygnału p.cz. Jaka moc sygnału oscylatora przesącza się do wejścia w.cz. mieszacza? Częstotliwości kanałów w systemie GM 800 można wyznaczyć z zależnosci: F u 70 MHz + (0,2 MHz) (a- 5), dla kanałów "w górę" (uplink); F d 805 MHz + (0,2 MHz) (a- 5), dla kanałów "w dół" (downlink); Dla standardu GM 900 zależności te wyglądają następująco: f u 890 MHz + (0,2 MHz) a, dla kanałów "w górę"; f d 935 MHz + (0,2 MHz) a, dla kanałów "w dół"; gdzie a-numer kanału, znajduje się w przedziale -24 ygnał w.cz. dociera do heterodyny, a więc jest to sygnał ze stacji azowej (downlink). Częstotliwość kanału 3 możemy więc wyznaczyć następująco: fd ,2 ( 54 5) , ,6 805, 6 MHz Woec tego częstotliwość pracy heterodyny wynosi MHz Korzystając z definicji strat przemiany Moc sygnału przesączającego się do wejścia: L s m 0 log możemy wyznaczyć moc wyjściową mieszacza: h wy s Lm 4,5dBm 0, 355mW h I 0 dbm 22dB 2dBm 0, 063mW

14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)

14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor) 14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ Poznanie zasady działania i charakterystyk diody waraktorowej. Zrozumienie zasady działania oscylatora sterowanego napięciem. Poznanie budowy modulatora częstotliwości z oscylatorem

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Temat: Wzmacniacze selektywne

Temat: Wzmacniacze selektywne Temat: Wzmacniacze selektywne. Wzmacniacz selektywny to układy, których zadaniem jest wzmacnianie sygnałów o częstotliwości zawartej w wąskim paśmie wokół pewnej częstotliwości środkowej f. Sygnały o częstotliwości

Bardziej szczegółowo

06 Tor pośredniej częstotliwości, demodulatory AM i FM Pytania sprawdzające Wiadomości podstawowe Budowa wzmacniaczy pośredniej częstotliwości

06 Tor pośredniej częstotliwości, demodulatory AM i FM Pytania sprawdzające Wiadomości podstawowe Budowa wzmacniaczy pośredniej częstotliwości 06 Tor pośredniej częstotliwości, demodulatory AM i FM Pytania sprawdzające 1. Jakie są wymagania stawiane wzmacniaczom p.cz.? 2. Jaka jest szerokość pasma sygnału AM i FM? 3. Ile wynosi częstotliwość

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1 Ćwiczenie nr 05 Oscylatory RF Cel ćwiczenia: Zrozumienie zasady działania i charakterystyka oscylatorów RF. Projektowanie i zastosowanie oscylatorów w obwodach. Czytanie schematów elektronicznych, przestrzeganie

Bardziej szczegółowo

Resonant power amplifier boundary regime

Resonant power amplifier boundary regime dr inż M adowski, UR ćwizenia /8 Resonant power amplifier oundary regime x Resonant power amplifier in the B lass, oundary regime Data i =4 (imum of the urrent pulse of the olletor) e e =5 (imum admissile

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego"

Ćwiczenie: Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego Ćwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres

Bardziej szczegółowo

POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C

POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C ĆWICZENIE 4EMC POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C Cel ćwiczenia Pomiar parametrów elementów R, L i C stosowanych w urządzeniach elektronicznych w obwodach prądu zmiennego.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie : Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Wykład Drgania elektromagnetyczne Wstęp Przypomnienie: masa M na sprężynie, bez oporów. Równanie ruchu

Wykład Drgania elektromagnetyczne Wstęp Przypomnienie: masa M na sprężynie, bez oporów. Równanie ruchu Wykład 7 7. Drgania elektromagnetyczne Wstęp Przypomnienie: masa M na sprężynie, bez oporów. Równanie ruchu M d x kx Rozwiązania x = Acost v = dx/ =-Asint a = d x/ = A cost przy warunku = (k/m) 1/. Obwód

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 BADANIE OBWODÓW PRĄDU SINUSOIDALNEGO Z ELEMENTAMI RLC

Ćwiczenie 3 BADANIE OBWODÓW PRĄDU SINUSOIDALNEGO Z ELEMENTAMI RLC Ćwiczenie 3 3.1. Cel ćwiczenia BADANE OBWODÓW PRĄD SNSODANEGO Z EEMENTAM RC Zapoznanie się z własnościami prostych obwodów prądu sinusoidalnego utworzonych z elementów RC. Poznanie zasad rysowania wykresów

Bardziej szczegółowo

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Demodulator FM. o~ ~ I I I I I~ V

Demodulator FM. o~ ~ I I I I I~ V Zadaniem demodulatora FM jest wytworzenie sygnału wyjściowego, który będzie proporcjonalny do chwilowej wartości częstotliwości sygnału zmodulowanego częstotliwościowo. Na rysunku 12.13b przedstawiono

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Temat ćwiczenia: BADANIE WZMACNIA- CZA SELEKTYWNEGO Z OBWODEM LC NIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTT TECHNIKI. 2. 3. Imię i Nazwisko 4. Data wykonania Data oddania

Bardziej szczegółowo

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar

Bardziej szczegółowo

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach

Bardziej szczegółowo

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh, EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2010/2011 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II. stopnia (okręgowe) 1 Na rysunku przedstawiono przebieg prądu

Bardziej szczegółowo

Rys. 1. Przebieg napięcia u D na diodzie D

Rys. 1. Przebieg napięcia u D na diodzie D Zadanie 7. Zaprojektować przekształtnik DC-DC obniżający napięcie tak, aby mógł on zasilić odbiornik o charakterze rezystancyjnym R =,5 i mocy P = 10 W. Napięcie zasilające = 10 V. Częstotliwość przełączania

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Katedra Elektrotechniki Teoretycznej i Informatyki

Katedra Elektrotechniki Teoretycznej i Informatyki Katedra Elektrotechniki Teoretycznej i normatyki aboratorium Teorii Obwodów Przedmiot: Elektrotechnika teoretyczna Numer ćwiczenia: 4 Temat: Obwody rezonansowe (rezonans prądów i napięć). Wprowadzenie

Bardziej szczegółowo

Filtry. Przemysław Barański. 7 października 2012

Filtry. Przemysław Barański. 7 października 2012 Filtry Przemysław Barański 7 października 202 2 Laboratorium Elektronika - dr inż. Przemysław Barański Wymagania. Sprawozdanie powinno zawierać stronę tytułową: nazwa przedmiotu, data, imiona i nazwiska

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w

Bardziej szczegółowo

Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1.

Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1. Mieszacze Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1. Rysunek 1: Najprostszy mieszacz diodowy Elementem

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

A3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych

A3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych A3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych Jacek Grela, Radosław Strzałka 2 kwietnia 29 1 Wstęp 1.1 Wzory Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach: 1.

Bardziej szczegółowo

5 Filtry drugiego rzędu

5 Filtry drugiego rzędu 5 Filtry drugiego rzędu Cel ćwiczenia 1. Zrozumienie zasady działania i charakterystyk filtrów. 2. Poznanie zalet filtrów aktywnych. 3. Zastosowanie filtrów drugiego rzędu z układem całkującym Podstawy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7

Bardziej szczegółowo

Zaznacz właściwą odpowiedź

Zaznacz właściwą odpowiedź EUOEEKTA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej ok szkolny 200/20 Zadania dla grupy elektrycznej na zawody I stopnia Zaznacz właściwą odpowiedź Zadanie Kondensator o pojemności C =

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Ćwiczenie: Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.

Bardziej szczegółowo

Generatory drgań sinusoidalnych LC

Generatory drgań sinusoidalnych LC Generatory drgań sinusoidalnych LC Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Generatory drgań sinusoidalnych

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu 11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

rezonansu rezonansem napięć rezonansem szeregowym rezonansem prądów rezonansem równoległym

rezonansu rezonansem napięć rezonansem szeregowym rezonansem prądów rezonansem równoległym Lekcja szósta poświęcona będzie analizie zjawisk rezonansowych w obwodzie RLC. Zjawiskiem rezonansu nazywamy taki stan obwodu RLC przy którym prąd i napięcie są ze sobą w fazie. W stanie rezonansu przesunięcie

Bardziej szczegółowo

, , ,

, , , Filtry scalone czasu ciągłego laboratorium Organizacja laboratorium W czasie laboratorium należy wykonać 5 ćwiczeń symulacyjnych z użyciem symulatora PSPICE a wyniki symulacji należy przesłać prowadzącemu

Bardziej szczegółowo

Transwerter TS70. (opracowanie wersja 1.0 / 28.09.2012)

Transwerter TS70. (opracowanie wersja 1.0 / 28.09.2012) Transwerter TS70 (opracowanie wersja 1.0 / 28.09.2012) Wersja transwertera SMD jest podobna do wersji przewlekanej TH70. Różnic jest kilka. Po pierwsze zrezygnowano z cewek powietrznych (oprócz wejściowej

Bardziej szczegółowo

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Metrologii

Laboratorium Metrologii Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

UJEMNE SPRZĘŻENIE ZWROTNE wprowadzenie do ćwiczenia laboratoryjnego

UJEMNE SPRZĘŻENIE ZWROTNE wprowadzenie do ćwiczenia laboratoryjnego UJEMNE SPRZĘŻENIE ZWROTNE wprowadzenie do ćwiczenia laoratoryjnego Józef BOKSA 1. Uwagi ogólne...2 2. Podstawowe układy sprzężenia zwrotnego...2 3. Wpływ sprzężenia zwrotnego na właściwości wzmacniaczy...4

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ 1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując

Bardziej szczegółowo

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016. Zadania z elektroniki na zawody I stopnia

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016. Zadania z elektroniki na zawody I stopnia EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016 Zadania z elektroniki na zawody I stopnia Instrukcja dla zdającego 1. Czas trwania zawodów: 120 minut. 2. Test

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Nanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang.

Nanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang. Nanoeletronika Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang. Active probe Wydział EAIiE Katedra Elektroniki 17 czerwiec 2009r. Grupa:

Bardziej szczegółowo

Rys. 1 Schemat układu L 2 R 2 E C 1. t(0+)

Rys. 1 Schemat układu L 2 R 2 E C 1. t(0+) Autor: Piotr Fabijański Koreferent: Paweł Fabijański Zadanie Obliczyć napięcie na stykach wyłącznika S zaraz po jego otwarciu, w chwili t = (0 + ) i w stanie ustalonym, gdy t. Do obliczeń przyjąć następujące

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia Opracował

Bardziej szczegółowo

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3

Bardziej szczegółowo

II. Elementy systemów energoelektronicznych

II. Elementy systemów energoelektronicznych II. Elementy systemów energoelektronicznych II.1. Wstęp. Główne grupy elementów w układach impulsowego przetwarzania mocy: elementy bierne bezstratne (kondensatory, cewki, transformatory) elementy przełącznikowe

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 13 Poznanie zasady pracy wzmacniacza w układzie OB. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OB. Czytanie schematów elektronicznych.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITEHNIKA BIAŁOSTOKA WYDZIAŁ ELEKTRYZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 5. Wzmacniacze mocy Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy AD w elektronice TS1422 380 Opracował:

Bardziej szczegółowo

2. WIELKOSYGNAŁOWY WZMACNIACZ SELEKTYWNY

2. WIELKOSYGNAŁOWY WZMACNIACZ SELEKTYWNY p,5 C7 C8 Wy 33n,5p We C BD54. WIELKOSYGNAŁOWY WZMACNIACZ SELEKTYWNY We 33n L DŁ L C R C3,47µ,6 µ C p R3 R4 R5 R6 R7 6k 75k 36k 6k 8k 3 4 5 Wy C5 C6.. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie z własnościami

Bardziej szczegółowo

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016. Zadania z elektrotechniki na zawody I stopnia

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016. Zadania z elektrotechniki na zawody I stopnia EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016 Zadania z elektrotechniki na zawody I stopnia Instrukcja dla zdającego 1. Czas trwania zawodów: 120 minut.

Bardziej szczegółowo

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia nr 23. Pomiary charakterystyk przejściowych i zniekształceń nieliniowych wzmacniaczy mikrofalowych.

Instrukcja do ćwiczenia nr 23. Pomiary charakterystyk przejściowych i zniekształceń nieliniowych wzmacniaczy mikrofalowych. Instrukcja do ćwiczenia nr 23. Pomiary charakterystyk przejściowych i zniekształceń nieliniowych wzmacniaczy mikrofalowych. I. Wstęp teoretyczny. Analizator widma jest przyrządem powszechnie stosowanym

Bardziej szczegółowo

BADANIE ELEMENTÓW RLC

BADANIE ELEMENTÓW RLC KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE BADANIE ELEMENTÓW RLC REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z systemem laboratoryjnym NI ELVIS II, - zapoznanie się z podstawowymi

Bardziej szczegółowo

A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)

A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) Jacek Grela, Radosław Strzałka 17 maja 9 1 Wstęp Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach: 1. Charakterystyka

Bardziej szczegółowo

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*. EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Odpowiedzi do zadań dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia (okręgowe) Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x,

Bardziej szczegółowo

2.Rezonans w obwodach elektrycznych

2.Rezonans w obwodach elektrycznych 2.Rezonans w obwodach elektrycznych Celem ćwiczenia jest doświadczalne sprawdzenie podstawowych właściwości szeregowych i równoległych rezonansowych obwodów elektrycznych. 2.1. Wiadomości ogólne 2.1.1

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 25. Temat: Obwód prądu przemiennego RC i RL. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 25. Temat: Obwód prądu przemiennego RC i RL. Cel ćwiczenia Temat: Obwód prądu przemiennego RC i RL. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 25 Poznanie własności obwodu szeregowego RC w układzie. Zrozumienie znaczenia reaktancji pojemnościowej, impedancji kąta fazowego. Poznanie

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET oraz badanie własności sterowanego dzielnika napięcia.

Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET oraz badanie własności sterowanego dzielnika napięcia. WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Pomiar charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia Poznanie konfiguracji zasady pracy wzmacniacza w układzie OE. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OE. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC

Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC Instytut Fizyki ul. Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 6 Pracownia Elektroniki. Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC........ (Oprac. dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia:

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie A1 : Linia długa

Ćwiczenie A1 : Linia długa Ćwiczenie A1 : Linia długa Jacek Grela, Radosław Strzałka 19 kwietnia 2009 1 Wstęp 1.1 Wzory Podstawowe wzory i zależności które wykorzystywaliśmy w trakcie badania linii: 1. Rezystancja falowa Gdzie:

Bardziej szczegółowo

13 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J

13 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J 3 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J P R A C O W N I A P O D S T A W E L E K T R O T E C H N I K I I E L E K T R O N I K I Ćw. 3. Wyznaczenie elementów L C metoda rezonansu Wprowadzenie Obwód złożony

Bardziej szczegółowo

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0,

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0, Bierne obwody RC. Filtr dolnoprzepustowy. Filtr dolnoprzepustowy jest układem przenoszącym sygnały o małej częstotliwości bez zmian, a powodującym tłumienie i opóźnienie fazy sygnałów o większych częstotliwościach.

Bardziej szczegółowo

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs Ćwiczenie 18 Temat: Wzmacniacz JFET i MOSFET w układzie ze wspólnym źródłem. Cel ćwiczenia: Wzmacniacz JFET w układzie ze wspólnym źródłem. Zapoznanie się z konfiguracją polaryzowania tranzystora JFET.

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

Charakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego

Charakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego 1 Charakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego Charakterystyka amplitudowa (wzmocnienie amplitudowe) K u (f) jest to stosunek amplitudy sygnału wyjściowego do amplitudy sygnału wejściowego w funkcji

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH. Ćwiczenie nr 2. Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy

LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH. Ćwiczenie nr 2. Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie nr 2 Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą urządzeń

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 4

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 4 Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 4 1/6 Komparator, wyłącznik zmierzchowy Zadaniem jest przebadanie zachowania komparatora w układach z dodatnim sprzężeniem zwrotnym i bez sprzężenia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.

WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY. Ćwiczenie 19 Temat: Wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania wzmacniacza odwracającego. Pomiar przebiegów wejściowego wyjściowego oraz wzmocnienia napięciowego wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Pomiar indukcyjności.

Pomiar indukcyjności. Pomiar indukcyjności.. Cel ćwiczenia: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru indukcyjności, ich wadami i zaletami, wynikającymi z nich błędami pomiarowymi, oraz umiejętnością ich właściwego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Cel: Zapoznanie ze składnią języka SPICE, wykorzystanie elementów RCLEFD oraz instrukcji analiz:.dc,.ac,.tran,.tf, korzystanie z bibliotek

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI FILTRY AKTYWNE

LABORATORIUM ELEKTRONIKI FILTRY AKTYWNE ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 11 FILTRY AKTYWNE DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK FILTRÓW BIERNYCH. (komputerowe metody symulacji)

WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK FILTRÓW BIERNYCH. (komputerowe metody symulacji) WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK FILTRÓW BIERNYCH (komputerowe metody symulacji) Zagadnienia: Filtr bierny, filtry selektywne LC, charakterystyka amplitudowo-częstotliwościowa, fazowo-częstotliwościowa, przebiegi

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych

Liniowe układy scalone. Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych Liniowe układy scalone Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych 1. Wzmocnienie napięciowe z otwartą pętlą ang. open loop voltage gain Stosunek zmiany napięcia wyjściowego do wywołującej ją zmiany różnicowego

Bardziej szczegółowo

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego

Bardziej szczegółowo

Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE

Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów z układem A741. Analiza charakterystyk i podstawowych obwodów z układem LM555. Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Schemat ideowy wzmacniacza Współczynniki wzmocnienia: - napięciowy - k u =U wy /U we - prądowy - k i = I wy /I we - mocy - k p = P wy /P we >1 Wzmacniacz w układzie

Bardziej szczegółowo