Rachunek decybelowy w radioelektronice
|
|
- Gabriela Paulina Górska
- 9 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia /0 Rachunek decyelowy w radioelektronice. Wprowadzenie Rachunek decyelowy jest ardzo często stosowany w sytuacjach, gdy mamy ardzo szeroki zakres zmian oserwowanych wielkości (ardzo dużą dynamikę). tosowane są różne odmiany jednostki podstawowej db 0 log /W dbm0 log /mw dbu20 log U/uV dbw0 log / W dbc poziom mocy odniesiony do mocy nośnej (dla sygnałów modulowanych) dbi zysk anteny odniesiony do wzorcowej anteny izotropowej dbd zysk anteny odniesiony do dipola odniesienia 2. Do wejścia wzmacniacza o wzmocnieniu mocy 250 W/W doprowadzono sygnał mw. Wyznacz moc wyjściową w skali liniowej i w dbm, moc we w dbm, wzmocnienie w db. 3. Zmierzony sygnał na wyjściu tłumika 3 db wynosi 0,5 dbm. Wyznacz moc we w dbm i w mw, oraz moc wy w mw. 4. W układzie wzmacniacza 3-stopniowego znane są wzmocnienia poszczególnych stopni: 23dB, 20 db, 20 db. Na wyjściu znajduje się tłumik 3 db. ygnał wejściowy wynosi mw. Zakładając straty po 0, db na połączenia poszczególnych stopni wyznaczyć moce sygnału w poszczególnych punktach, zarówno w W jak i w dbm. 5. Dla pewnej częstotliwości poza pasmem przepustowym filtru sygnał jest tłumiony o 40 db. Ile razy jest tłumiona wartość sygnału? Ile wynosi napięcie na tej częstotliwości, jeżeli w paśmie przepustowym wartość sygnału wynosi 300 mv? 6. Do wzmacniacza doprowadzono sygnał mw. Na ociążeniu o wartości 50 omów zmierzono moc sygnału 20 dbm. Wyznacz napięcie na ociążeniu. 7. W elektroakustyce stosuje się wartość rezystora odniesienia równą 600 omów. Zakładając moc wydzielaną na rezystorze na 0dBm wyznaczyć napięcie na rezystorze. Wyznaczyć także napięcie zakładając wartość rezystora 50 omów (radiotechnika). 8. Moc nadajnika nadającego do satelity wynosi 300W. atelita znajduje się na oricie geostacjonarnej (ok. 36 tys. km). Wyznaczyć wartość sygnału docierającego do anteny odiorczej przy następujących założeniach: traty na złączach i kalach dla anten nadawczej i odiorczej po 2dB traty tłumienia sygnału na trasie do i od satelity po 20 db Zysk anteny nadawczej 60 db Zysk anteny odiorczej 40 db Zyski anten satelity po 30 db Wzmocnienie transpondera 20 db Wyznaczyć napięcie, które odłożyłoy się na ociążeniu 50 omów.
2 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 2/0 Rzeczywiste charakterystyki rezystora, kondensatora i cewki Literatura do ćwiczenia: A. Janusz A. Dorowolski, Technika wielkich częstotliwości. Zadania. Oficyna Wydawnicza W, Warszawa 996. B. Zdzisław Bieńskowski, oradnik Ultrakrótkofalowca, WKiŁ, Warszawa 998. C. tefan Misiaszek, Elementy i układy techniki pikosekundowej, Oficyna Wydawnicza W, Warszawa 997. rogram ćwiczeń. Krótkie wprowadzenie wartości pasożytnicze indukcyjności, rezystancji, pojemności, rezonanse własne. Charakterystyki elementów są zależne od częstotliwości. zczególnie widoczne jest w zakresie częstotliwości radiowych. 2. Rzeczywisty kondensator. Mamy kondensator typu chip o parametrach katalogowych C5,0 pf, Rs2,0Ω, Ls0,29nH. Należy wyznaczyć: a) Częstotliwość rezonansową elementu ) Wykreślić moduł impedancji dla kondensatora idealnego i rzeczywistego oraz pojemność efektywną. Ile wynosi pojemność efektywna powyżej częstotliwości rezonansowej? c) Efektywną pojemność kondensatora na częstotliwościach: 0,0.fs,0.2fs,0.5fs,0.8 fs. Należy zapisać zależność na impedancję szeregowego układu rezonansowego. Z warunku rezonansu można ardzo prosto wyznaczyć częstotliwość rezonansową: f r. 2π L C Zależność na impedancję można prosto przekształcić do następującej postaci: Z( ω ) C Mianownik jest właśnie tzw. pojemnością efektywną elementu, C e f 2 f f r Należy zwrócić uwagę, że korzystać z tej zależności można 00 jedynie poniżej częstotliwości rezonansowej, gdyż powyżej 90 niej mamy do czynienia już z indukcyjnością! Wykres modułu impedancji dla kondensatora idealnego ma kształt hiperoli. W układzie rzeczywistym mamy wyraźnie zaznaczony rezonans szeregowy i charakterystyczne wygięcie do góry powyżej częstotliwości rezonansowej s R s + C jω f f r x
3 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 3/0 Rzeczywista cewka. Mamy cewkę wykonaną na korpusie ceramicznym, indukcyjność cewki wynosi uh, jej częstotliwość rezonansu własnego fr256 MHz. Rezystancja szeregowa strat wynosi 0.05 Ω. Należy wyznaczyć: a) Równoległą pojemność pasożytniczą cewki ) Wykreślić moduł impedancji dla cewki idealnej i rzeczywistej oraz indukcyjność efektywną. Ile wynosi pojemność efektywna powyżej częstotliwości rezonansowej? c) Efektywną indukcyjność cewki na częstotliwościach: 0, 0.fs, 0.2fs, 0.5fs, 0.8fs. chemat zastępczy dla cewki do montażu przewlekanego ma już trochę inny kształt. Mianowicie cewka wykonana jest z odcinak przewodu. W związku z tym posiada rezystancję własną. ojemność na schemacie zastępczym jest pojemnością międzyzwojową. Uwaga! Cewki wykonywane na laminacie mają zupełnie inne schematy zastępcze. o pewnych przyliżeniach możemy przyjąć, że częstotliwość rezonansu równoległego może yć opisana analogicznie jak dla równoległego owodu rezonansowego 9000 LC: f r. 2π LC x0 8 Analogicznie można wyprowadzić zależność na wartość L indukcyjności efektywnej: L e f. 2 f f r Idealna cewka ma charakterystykę częstotliwościową linowo rosnącą. W układzie rzeczywistej cewki mamy rezonans równoległy 4. Rzeczywisty rezystor. Mamy rezystor typu chip o parametrach katalogowych R2,2 kω, Cp0,02pF, Ls0,88nH. Należy wyznaczyć: a) Częstotliwość rezonansową elementu ) Wykreślić moduł impedancji dla rezystora idealnego i rzeczywistego oraz rezystancję efektywną. Co się dzieje powyżej częstotliwości rezonansowej? c) Efektywną pojemność kondensatora na częstotliwościach: 0,0.fs,0.2fs,0.5fs,0.8 fs.
4 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 4/0 Oliczenie wzmacniacza rezonansowego w stanie przewzudzonym Uwaga! Dorze jest na początku każdego zadania narysować zestaw charakterystyk w celu przypomnienia i zorientowania się w zależnościach pomiędzy poszczególnymi napięciami. Należy zwrócić uwagę na dwie rzeczy:. W stanie przewzudzonym prąd kolektora jest odkształcony nie można korzystać ezpośrednio z rozkładu Berga 2. rąd kolektora liczymy jako różnicę prądów emitera i azy Zad. Wyznaczyć parametry energetyczne wzmacniacza rezonansowego w stanie przewzudzonym Dane: Θ 20 (klasa AB) 0,2 A/V (nachylenie charakterystyki dla prądu kolektora) 0,3 A/V (nachylenie charakterystyki dla prądu azy) E 0 0,6 V (napięcie progowe tranzystora) E o,2 V (napięcie progowe dla prądu azy) E c 5 V (napięcie zasilania kolektora) I 45 ma (wartość impulsu prądu azy) e ce sat 0,4 V (napięcie nasycenia tranzystora) Tot 400 mw (maksymalna moc strat tranzystora) zukane moc wyjściowa użyteczna 0 moc zasilania c moc strat tranzystora η sprawność R 0 rezystancja wyjściowa K p wzmocnienie mocy. Wyznaczenie napięcia zasilania azy E i napięcia sygnału doprowadzonego do azy U. Wyznaczenie tych dwóch wielkości jest moim zdaniem niemożliwe ez narysowania dorze rysunku. i c, i, i e I e i c, i, i e i c I c I c min i E 0 2Θ E U e E0 e e 2Θ 2Θ 2Θ t e c min e ce sat U c E c e ce a) wyznaczamy wartość e maksymalnej wartości napięcia na azie. onieważ mamy dane i oraz wartość nachylenia charakterystyki dla prądu azy możemy wyznaczyć wartość napięcia pomiędzy E o i e. W związku z tym możemy zapisać: I I e E ' e E ' +, V 35 o o
5 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 5/0 ) Znając e możemy wyznaczyć wartości prądów I e, I c oraz I c min. Ie Ic Ie ( e E0 ) 50mA Ic E0' E0 20 e E E ' E ( ) ma 0 Ic min Ie I 05mA c) do wyznaczenia kąta przepływu dla prądu azy potrzene są wartości U i E. Musimy więc je wyznaczyć. E0 E Wiemy, że cos Θ. Zauważmy, że U e E. U E0 E E0 E rzekształcając uzyskujemy: cos Θ ( e E ) cosθ E0 E U e E ( e E ) cos Θ E0 E e cos Θ E cosθ E0 E E E cosθ E e 0 cosθ E0 e E cosθ ( ) cosθ E0 e cosθ E 0, 85V ( cosθ) Korzystając z wcześniejszego związku mamy: U e E 0, 50V 2. Wyznaczenie wartości prądów kolektora Impuls prądu kolektora ma kształt inny niż odcinek cosinusoidy, nie możemy więc ezpośrednio skorzystać z rozkładu Berga. Oliczamy je metodą pośrednią: Ic0 Ie0 I0 oraz Ic Ie I Możliwe jest to, gdyż oa prądy emitera i azy mają kształt odcinków cosinusoidy. Uwaga! Jeżeli ktoś na zaliczeniu liczy metodą jak dla stanu granicznego, nie zaliczam zadania!! a) wyznaczmy wartości współczynników rozkładu Berga dla impulsów prądu emitera: sin Θ ΘcosΘ Θ sin ΘcosΘ α 0 0,406 oraz α 0, 536 π ( cosθ) π ( cosθ) Znając je możemy wyznaczyć składowe impulsu prądu emitera: I α 60,9 ma oraz I α 80,4mA e0 i e 0 ) wyznaczamy wartość kąta odcięcia dla prądu azy E 0' E E0' E cosθ Θ arccos 45, 6 U U 0 0 e i e Uwaga. Jest to podpunkt, w którym najczęściej pojawiają się łędy!! c) wyznaczmy wartości współczynników rozkładu Berga dla impulsów prądu emitera: sin Θ Θ cosθ Θ sin Θ cosθ α 0 0,67 oraz α 0, 34 π ( cosθ) π ( cosθ) Znając je możemy wyznaczyć składowe impulsu prądu emitera: I α 7,5mA oraz I α 4, ma 0 i 0 i d) wyznaczamy wartości składowych prądu kolektora: I I I 53, ma oraz I I I 66, ma c0 e0 0 4 c e 3
6 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 6/0 3. Wyznaczenie parametry energetyczne układu a) Wyznaczenie wartości napięcia wyjściowego kolektora U c : Uc Ec ec min. Nie znamy wartości minimalnej napięcia kolektora, ale z rysunku możemy ją łatwo wyznaczyć z Ic I I proporcji: c min c ec min ece sat 0, 35V e e I. ce sat c min c min c Ec ec min 4, 7V W związku z tym U ) Wyznaczenie wartości mocy: wyjściowej, zasilania 0 i strat c. I c Uc 486mW, 0 I c 0 Ec 80mW, c 0 35mW. 2 c) Wyznaczenie sprawności η oraz rezystancji wyjściowej R 0. Uc η 60,7% oraz R 0 22Ω. I 0 c d) Wyznaczenie wzmocnienia mocy K p : K p W celu wyznaczenia wzmocnienia mocy musimy znać najpierw wartość mocy wejściowej. I U 3,53mW. 2 Woec tego K p 38 Wartość wzmocnienia mocy często wyrażana jest w decyelach: K 0 log K 2, p db p 4 Dla innych klas oliczenia wyglądają identycznie. ewnego komentarza może jedynie wymagać przypadek klasy C. W przypadku klasy C napięcie polaryzacji azy może mieć zarówno wartości dodatnie jak i ujemne. Dla oliczeń nie ma to żadnego znaczenia. Jedynie może zaistnieć potrzea korekty rysunku. Zauważmy, że widoczna jest konieczność zwiększenia wartości sygnału sterującego, w celu osiągnięcia stanu przewzudzonego (rys. są w tej samej skali). db i c, i, i e I e i c, i, i e I e I c I c I c min I c min i i E E 0E0 e e e E E 0 E 0 e e e U 2Θ 2Θ U 2Θ 2Θ
7 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 7/0 Modulacja częstotliwości Zadanie. Wyznaczyć zakres przestrajania owodu modulatora FM z diodami pojemnościowymi włączonymi przeciwsonie. C 3 U m.cz. E zas D D L C 2 C U m.cz. E zas D D L C M C z Cewka oscylatora L50nH ojemności układu: C5pF C25pF C32pF ojemności montażowe: 2 pf Diody pojemnościowe połączone przeciwsonie (katodami) V0 Dla napięć 3-9V z karty katalogowej odczytujemy zmiany pojemności 28pF/32pF-2pF/4pF Wyznaczamy wsp. przestrajania : 28pF:2pF pF:4pF2.29 ojemności C,C2,C3 połączone są szeregowo Cz4.6pF ojemność wraz z montażową 6.6 pf Diody połączone są szeregowe, więc wypadkowa pojemność zmienia się w granicach: 4pF/6pF 6pF/7pF Granice przestrajania można określić ze wzoru na rezonans: f. 2 π L C Zakładając zmiany pojemności 22.6pF do 2.6pF wyznaczamy granice przestrajania: f d 86.4 MHz f g 5.77 MHz 2 π 50nH 22.6pF 2 π 50nH 2.6pF W sam raz, ay pokryć pasmo UKF.
8 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 8/0 Zniekształcenia intermodulacyjne Zad. Wzmacniacz w.cz. o wzmocnieniu G5 db został przeadany za pomocą testu dwusygnałowego. o doprowadzeniu sygnałów wejściowych o mocy i 0 dbm uzyskano na wyjściu sygnał intermodulacyjny trzeciego rzędu o wartości o3 45dBm. Wyznacz moc sygnału intermodulacyjnego trzeciego rzędu na wyjściu po doprowadzeniu do wzmacniacza sygnału o mocy wejściowej i2 0dBm. Wyznacz wartość I3 odniesioną do wejścia wzmacniacza. 30 wy [dbm] 20 0 i i I3 we [dbm] o o3 Wyznaczmy poziomy sygnału wyjściowego dla sygnału we 0dBm o i + G dBm Znając przeieg prostej dla sygnału wejściowego, można poziom sygnału wyjściowego odczytać z charakterystyki wy f ( we ) wykreślonej w db, pamiętając, że rośnie ona liniowo pod kątem 45. Wiemy, że moc zniekształceń intermodulacyjnych rośnie trzy razy szyciej, więc możemy wyznaczyć poziom zniekształceń intermodulacyjnych na wyjściu: o 3 o ( 0dBm ( 0dBm) ) 45dBm + 30dBm 5dBm Analogicznie jak w poprzednim przypadku można tą wartość wyznaczyć graficznie, pamiętając, że współczynnik kierunkowy dla prostej zniekształceń intermodulacyjnych wynosi 3 (rozwiązanie graficzne czerwone strzałki na rysunku). Zauważmy, że poziom zniekształceń wzrósł w stosunku do wartości dla sygnału testowego. odczas testu odstęp sygnału wyjściowego od zniekształceń intermodulacyjnych wynosił 50dB, zaś dla sygnału normalnego tylko 30dB. Wartość I3 odniesioną do wejścia wzmacniacza można wyznaczyć w oparciu o charakterystykę przejściową. zukamy punktu przecięcia dwóch prostych. W przypadku dokładnego rysunku można ją wyznaczyć graficznie. W naszym przypadku wartość ta wynosi 5 dbm. Wartość I3 odniesiona do wyjścia wynosi 30 dbm (na rysunku granatowa strzałka). Druga metoda, analityczna, polega na rozwiązaniu układu równań dla dwóch prostych, w celu znalezienia ich punktu przecięcia. wy we + 5 we 5. Otrzymujemy taki sam wynik : I35 dbm. wy 3 we 5
9 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 9/0 Zad. 2 Do wejścia odiornika docierają dwa sygnały o częstotliwościach f i f 2 i jednakowych mocach równych 0 dbm. Moc zniekształceń intermodulacyjnych trzeciego rzędu na wyjściu mieszacza wynosi IM3-60 dbm, zaś straty mieszacza wynoszą L5,0 db. a) Wyznacz moc wyjściową zniekształceń intermodulacyjnych trzeciego rzędu, gdy sygnały wejściowe mają moc 20 dbm. ) Wyznacz odstęp intermodulacyjny dla we - 5dBm i 0 dbm. ugerowane rozwiązanie graficzne, podonie jak w zadaniu. a) Moc zniekształceń intermodulacyjnych wynosi 20 dbm ) Odstęp wynosi odpowiednio 60 db i 35 db Zad.3 Wyznacz wartość I3 odniesioną do wejścia odiornika superheterodynowego o strukturze podanej na poniższym rysunku. L 0 db ~~ G 2 4 db I3 2 0 dbm L 3 6,3 db I3 3 5 dbm ~ G 4 20 db I3 4 8 dbm Wartość I3 odniesioną do wejścia odiornika wyznaczymy z zależności: 3 [ ] N I mw 3 [ ] k I k mw Oznacza to, że musimy kolejno transformować do wejścia wartości I3 poszczególnych loków, wyznaczając je w miliwatach. ierwszym lokiem wejściowym jest filtr pasmowy. Zasadniczo filtr jest elementem liniowym, a więc: I 3. arametr I3 2 transformujemy do wrót wejściowych: I3 we 2 I32 + L dBm 0mW arametr I3 3 transformujemy do wrót wejściowych: I3 we 3 I33 G2 + L dBm 0, 26mW arametr I3 4 transformujemy do wrót wejściowych: I3 we 4 I34 + L3 G2 + L 8 + 6, ,3dBm, 072mW Możemy więc już wyznaczyć I3 weod odiornika: I3 weod 0log log 52 ( 8,973) 9, dbm 0 0,26,072 Zauważmy, że w wyznaczeniu wartości I3 weod nie ierze udziału wzmocnienie ostatniego loku wzmacniacza.
10 dr inż. M. adowski, URE ćwiczenia 0/0 Owody rezonansowe, rezonatory, elementy układów w.cz.. Mamy mieszacz pracujący w układzie odiornika GM 800. traty przemiany mieszacza wynoszą L m 4,5 db, izolacja I pomiędzy wrotami oscylatora lokalnego i wrotami sygnału w.cz. jest równa 22 db. Do wejścia w.cz mieszacza dociera sygnał o częstotliwości kanału 3 i mocy s 0 dbm. Moc sygnału oscylatora wynosi h 0 dbm. Wyznacz częstotliwość sygnału heterodyny, przy założeniu, że sygnał p.cz ma częstotliwość 70MHz. Jak jest moc sygnału p.cz. Jaka moc sygnału oscylatora przesącza się do wejścia w.cz. mieszacza? Częstotliwości kanałów w systemie GM 800 można wyznaczyć z zależnosci: F u 70 MHz + (0,2 MHz) (a- 5), dla kanałów "w górę" (uplink); F d 805 MHz + (0,2 MHz) (a- 5), dla kanałów "w dół" (downlink); Dla standardu GM 900 zależności te wyglądają następująco: f u 890 MHz + (0,2 MHz) a, dla kanałów "w górę"; f d 935 MHz + (0,2 MHz) a, dla kanałów "w dół"; gdzie a-numer kanału, znajduje się w przedziale -24 ygnał w.cz. dociera do heterodyny, a więc jest to sygnał ze stacji azowej (downlink). Częstotliwość kanału 3 możemy więc wyznaczyć następująco: fd ,2 ( 54 5) , ,6 805, 6 MHz Woec tego częstotliwość pracy heterodyny wynosi MHz Korzystając z definicji strat przemiany Moc sygnału przesączającego się do wejścia: L s m 0 log możemy wyznaczyć moc wyjściową mieszacza: h wy s Lm 4,5dBm 0, 355mW h I 0 dbm 22dB 2dBm 0, 063mW
14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)
14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ Poznanie zasady działania i charakterystyk diody waraktorowej. Zrozumienie zasady działania oscylatora sterowanego napięciem. Poznanie budowy modulatora częstotliwości z oscylatorem
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoTemat: Wzmacniacze selektywne
Temat: Wzmacniacze selektywne. Wzmacniacz selektywny to układy, których zadaniem jest wzmacnianie sygnałów o częstotliwości zawartej w wąskim paśmie wokół pewnej częstotliwości środkowej f. Sygnały o częstotliwości
Bardziej szczegółowo06 Tor pośredniej częstotliwości, demodulatory AM i FM Pytania sprawdzające Wiadomości podstawowe Budowa wzmacniaczy pośredniej częstotliwości
06 Tor pośredniej częstotliwości, demodulatory AM i FM Pytania sprawdzające 1. Jakie są wymagania stawiane wzmacniaczom p.cz.? 2. Jaka jest szerokość pasma sygnału AM i FM? 3. Ile wynosi częstotliwość
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1
Ćwiczenie nr 05 Oscylatory RF Cel ćwiczenia: Zrozumienie zasady działania i charakterystyka oscylatorów RF. Projektowanie i zastosowanie oscylatorów w obwodach. Czytanie schematów elektronicznych, przestrzeganie
Bardziej szczegółowoResonant power amplifier boundary regime
dr inż M adowski, UR ćwizenia /8 Resonant power amplifier oundary regime x Resonant power amplifier in the B lass, oundary regime Data i =4 (imum of the urrent pulse of the olletor) e e =5 (imum admissile
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego"
Ćwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres
Bardziej szczegółowoPOMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C
ĆWICZENIE 4EMC POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C Cel ćwiczenia Pomiar parametrów elementów R, L i C stosowanych w urządzeniach elektronicznych w obwodach prądu zmiennego.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie : Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowoWykład Drgania elektromagnetyczne Wstęp Przypomnienie: masa M na sprężynie, bez oporów. Równanie ruchu
Wykład 7 7. Drgania elektromagnetyczne Wstęp Przypomnienie: masa M na sprężynie, bez oporów. Równanie ruchu M d x kx Rozwiązania x = Acost v = dx/ =-Asint a = d x/ = A cost przy warunku = (k/m) 1/. Obwód
Bardziej szczegółowoWzmacniacz jako generator. Warunki generacji
Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 BADANIE OBWODÓW PRĄDU SINUSOIDALNEGO Z ELEMENTAMI RLC
Ćwiczenie 3 3.1. Cel ćwiczenia BADANE OBWODÓW PRĄD SNSODANEGO Z EEMENTAM RC Zapoznanie się z własnościami prostych obwodów prądu sinusoidalnego utworzonych z elementów RC. Poznanie zasad rysowania wykresów
Bardziej szczegółowokierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II
kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoDemodulator FM. o~ ~ I I I I I~ V
Zadaniem demodulatora FM jest wytworzenie sygnału wyjściowego, który będzie proporcjonalny do chwilowej wartości częstotliwości sygnału zmodulowanego częstotliwościowo. Na rysunku 12.13b przedstawiono
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Temat ćwiczenia: BADANIE WZMACNIA- CZA SELEKTYWNEGO Z OBWODEM LC NIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTT TECHNIKI. 2. 3. Imię i Nazwisko 4. Data wykonania Data oddania
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
Bardziej szczegółowoZespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko
Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym
Bardziej szczegółowoĆw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Bardziej szczegółowo2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2010/2011 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II. stopnia (okręgowe) 1 Na rysunku przedstawiono przebieg prądu
Bardziej szczegółowoRys. 1. Przebieg napięcia u D na diodzie D
Zadanie 7. Zaprojektować przekształtnik DC-DC obniżający napięcie tak, aby mógł on zasilić odbiornik o charakterze rezystancyjnym R =,5 i mocy P = 10 W. Napięcie zasilające = 10 V. Częstotliwość przełączania
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoKatedra Elektrotechniki Teoretycznej i Informatyki
Katedra Elektrotechniki Teoretycznej i normatyki aboratorium Teorii Obwodów Przedmiot: Elektrotechnika teoretyczna Numer ćwiczenia: 4 Temat: Obwody rezonansowe (rezonans prądów i napięć). Wprowadzenie
Bardziej szczegółowoFiltry. Przemysław Barański. 7 października 2012
Filtry Przemysław Barański 7 października 202 2 Laboratorium Elektronika - dr inż. Przemysław Barański Wymagania. Sprawozdanie powinno zawierać stronę tytułową: nazwa przedmiotu, data, imiona i nazwiska
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
Bardziej szczegółowoNajprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1.
Mieszacze Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1. Rysunek 1: Najprostszy mieszacz diodowy Elementem
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoA3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych
A3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych Jacek Grela, Radosław Strzałka 2 kwietnia 29 1 Wstęp 1.1 Wzory Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach: 1.
Bardziej szczegółowo5 Filtry drugiego rzędu
5 Filtry drugiego rzędu Cel ćwiczenia 1. Zrozumienie zasady działania i charakterystyk filtrów. 2. Poznanie zalet filtrów aktywnych. 3. Zastosowanie filtrów drugiego rzędu z układem całkującym Podstawy
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6
Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7
Bardziej szczegółowoZaznacz właściwą odpowiedź
EUOEEKTA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej ok szkolny 200/20 Zadania dla grupy elektrycznej na zawody I stopnia Zaznacz właściwą odpowiedź Zadanie Kondensator o pojemności C =
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"
Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.
Bardziej szczegółowoGeneratory drgań sinusoidalnych LC
Generatory drgań sinusoidalnych LC Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Generatory drgań sinusoidalnych
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Bardziej szczegółoworezonansu rezonansem napięć rezonansem szeregowym rezonansem prądów rezonansem równoległym
Lekcja szósta poświęcona będzie analizie zjawisk rezonansowych w obwodzie RLC. Zjawiskiem rezonansu nazywamy taki stan obwodu RLC przy którym prąd i napięcie są ze sobą w fazie. W stanie rezonansu przesunięcie
Bardziej szczegółowo, , ,
Filtry scalone czasu ciągłego laboratorium Organizacja laboratorium W czasie laboratorium należy wykonać 5 ćwiczeń symulacyjnych z użyciem symulatora PSPICE a wyniki symulacji należy przesłać prowadzącemu
Bardziej szczegółowoTranswerter TS70. (opracowanie wersja 1.0 / 28.09.2012)
Transwerter TS70 (opracowanie wersja 1.0 / 28.09.2012) Wersja transwertera SMD jest podobna do wersji przewlekanej TH70. Różnic jest kilka. Po pierwsze zrezygnowano z cewek powietrznych (oprócz wejściowej
Bardziej szczegółowoZadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):
Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia
Bardziej szczegółowoLaboratorium Metrologii
Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoUJEMNE SPRZĘŻENIE ZWROTNE wprowadzenie do ćwiczenia laboratoryjnego
UJEMNE SPRZĘŻENIE ZWROTNE wprowadzenie do ćwiczenia laoratoryjnego Józef BOKSA 1. Uwagi ogólne...2 2. Podstawowe układy sprzężenia zwrotnego...2 3. Wpływ sprzężenia zwrotnego na właściwości wzmacniaczy...4
Bardziej szczegółowoPODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy
Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016. Zadania z elektroniki na zawody I stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016 Zadania z elektroniki na zawody I stopnia Instrukcja dla zdającego 1. Czas trwania zawodów: 120 minut. 2. Test
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
Bardziej szczegółowoNanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang.
Nanoeletronika Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang. Active probe Wydział EAIiE Katedra Elektroniki 17 czerwiec 2009r. Grupa:
Bardziej szczegółowoRys. 1 Schemat układu L 2 R 2 E C 1. t(0+)
Autor: Piotr Fabijański Koreferent: Paweł Fabijański Zadanie Obliczyć napięcie na stykach wyłącznika S zaraz po jego otwarciu, w chwili t = (0 + ) i w stanie ustalonym, gdy t. Do obliczeń przyjąć następujące
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia Opracował
Bardziej szczegółowoZbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.
Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3
Bardziej szczegółowoII. Elementy systemów energoelektronicznych
II. Elementy systemów energoelektronicznych II.1. Wstęp. Główne grupy elementów w układach impulsowego przetwarzania mocy: elementy bierne bezstratne (kondensatory, cewki, transformatory) elementy przełącznikowe
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia
Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 13 Poznanie zasady pracy wzmacniacza w układzie OB. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OB. Czytanie schematów elektronicznych.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA
POLITEHNIKA BIAŁOSTOKA WYDZIAŁ ELEKTRYZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 5. Wzmacniacze mocy Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy AD w elektronice TS1422 380 Opracował:
Bardziej szczegółowo2. WIELKOSYGNAŁOWY WZMACNIACZ SELEKTYWNY
p,5 C7 C8 Wy 33n,5p We C BD54. WIELKOSYGNAŁOWY WZMACNIACZ SELEKTYWNY We 33n L DŁ L C R C3,47µ,6 µ C p R3 R4 R5 R6 R7 6k 75k 36k 6k 8k 3 4 5 Wy C5 C6.. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie z własnościami
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016. Zadania z elektrotechniki na zawody I stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016 Zadania z elektrotechniki na zawody I stopnia Instrukcja dla zdającego 1. Czas trwania zawodów: 120 minut.
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia nr 23. Pomiary charakterystyk przejściowych i zniekształceń nieliniowych wzmacniaczy mikrofalowych.
Instrukcja do ćwiczenia nr 23. Pomiary charakterystyk przejściowych i zniekształceń nieliniowych wzmacniaczy mikrofalowych. I. Wstęp teoretyczny. Analizator widma jest przyrządem powszechnie stosowanym
Bardziej szczegółowoBADANIE ELEMENTÓW RLC
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE BADANIE ELEMENTÓW RLC REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z systemem laboratoryjnym NI ELVIS II, - zapoznanie się z podstawowymi
Bardziej szczegółowoA6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)
A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) Jacek Grela, Radosław Strzałka 17 maja 9 1 Wstęp Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach: 1. Charakterystyka
Bardziej szczegółowo1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Odpowiedzi do zadań dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia (okręgowe) Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x,
Bardziej szczegółowo2.Rezonans w obwodach elektrycznych
2.Rezonans w obwodach elektrycznych Celem ćwiczenia jest doświadczalne sprawdzenie podstawowych właściwości szeregowych i równoległych rezonansowych obwodów elektrycznych. 2.1. Wiadomości ogólne 2.1.1
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 25. Temat: Obwód prądu przemiennego RC i RL. Cel ćwiczenia
Temat: Obwód prądu przemiennego RC i RL. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 25 Poznanie własności obwodu szeregowego RC w układzie. Zrozumienie znaczenia reaktancji pojemnościowej, impedancji kąta fazowego. Poznanie
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoPomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET oraz badanie własności sterowanego dzielnika napięcia.
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Pomiar charakterystyk
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia Poznanie konfiguracji zasady pracy wzmacniacza w układzie OE. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OE. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoBierne układy różniczkujące i całkujące typu RC
Instytut Fizyki ul. Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 6 Pracownia Elektroniki. Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC........ (Oprac. dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie A1 : Linia długa
Ćwiczenie A1 : Linia długa Jacek Grela, Radosław Strzałka 19 kwietnia 2009 1 Wstęp 1.1 Wzory Podstawowe wzory i zależności które wykorzystywaliśmy w trakcie badania linii: 1. Rezystancja falowa Gdzie:
Bardziej szczegółowo13 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J
3 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J P R A C O W N I A P O D S T A W E L E K T R O T E C H N I K I I E L E K T R O N I K I Ćw. 3. Wyznaczenie elementów L C metoda rezonansu Wprowadzenie Obwód złożony
Bardziej szczegółowoW celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0,
Bierne obwody RC. Filtr dolnoprzepustowy. Filtr dolnoprzepustowy jest układem przenoszącym sygnały o małej częstotliwości bez zmian, a powodującym tłumienie i opóźnienie fazy sygnałów o większych częstotliwościach.
Bardziej szczegółowoVgs. Vds Vds Vds. Vgs
Ćwiczenie 18 Temat: Wzmacniacz JFET i MOSFET w układzie ze wspólnym źródłem. Cel ćwiczenia: Wzmacniacz JFET w układzie ze wspólnym źródłem. Zapoznanie się z konfiguracją polaryzowania tranzystora JFET.
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych
Bardziej szczegółowoCharakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego
1 Charakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego Charakterystyka amplitudowa (wzmocnienie amplitudowe) K u (f) jest to stosunek amplitudy sygnału wyjściowego do amplitudy sygnału wejściowego w funkcji
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH. Ćwiczenie nr 2. Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy
LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie nr 2 Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą urządzeń
Bardziej szczegółowoLaboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 4
Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 4 1/6 Komparator, wyłącznik zmierzchowy Zadaniem jest przebadanie zachowania komparatora w układach z dodatnim sprzężeniem zwrotnym i bez sprzężenia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.
Ćwiczenie 19 Temat: Wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania wzmacniacza odwracającego. Pomiar przebiegów wejściowego wyjściowego oraz wzmocnienia napięciowego wzmacniacza
Bardziej szczegółowoPomiar indukcyjności.
Pomiar indukcyjności.. Cel ćwiczenia: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru indukcyjności, ich wadami i zaletami, wynikającymi z nich błędami pomiarowymi, oraz umiejętnością ich właściwego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE
Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Cel: Zapoznanie ze składnią języka SPICE, wykorzystanie elementów RCLEFD oraz instrukcji analiz:.dc,.ac,.tran,.tf, korzystanie z bibliotek
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI FILTRY AKTYWNE
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 11 FILTRY AKTYWNE DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK FILTRÓW BIERNYCH. (komputerowe metody symulacji)
WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK FILTRÓW BIERNYCH (komputerowe metody symulacji) Zagadnienia: Filtr bierny, filtry selektywne LC, charakterystyka amplitudowo-częstotliwościowa, fazowo-częstotliwościowa, przebiegi
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone. Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych
Liniowe układy scalone Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych 1. Wzmocnienie napięciowe z otwartą pętlą ang. open loop voltage gain Stosunek zmiany napięcia wyjściowego do wywołującej ją zmiany różnicowego
Bardziej szczegółowoLekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.
Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia
Bardziej szczegółowoProstowniki. Prostownik jednopołówkowy
Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego
Bardziej szczegółowoModulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE
Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów z układem A741. Analiza charakterystyk i podstawowych obwodów z układem LM555. Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoWzmacniacze, wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Schemat ideowy wzmacniacza Współczynniki wzmocnienia: - napięciowy - k u =U wy /U we - prądowy - k i = I wy /I we - mocy - k p = P wy /P we >1 Wzmacniacz w układzie
Bardziej szczegółowo