Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
|
|
- Bogusław Dobrowolski
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h Podstawy Elektroniki Mechatronika
2 Materiały półprzewodnikowe Podstawowe półprzewodniki: - krzem Ge - german GaN - azotek galu GaAs - arsenek galu C - węglik krzemu Podstawy Elektroniki Mechatronika
3 Krzem (T=0K) Model pasmowy: W C W g W V Podstawy Elektroniki Mechatronika
4 Krzem (T>0K) Generacja pary dziura-elektron Model pasmowy: W C W V Podstawy Elektroniki Mechatronika
5 Krzem domieszkowany Ga akceptor Ga - As donor W C W D As + W A W V Podstawy Elektroniki Mechatronika
6 Koncentracja nośników Bilans ładunku: n d + N a + n T = p T + N d + p a n 0 + N A = p 0 + N d n 0 - koncentracja równowagowa elektronów p 0 - koncentracja równowagowa dziur Typy półprzewodników: N a > N d p p0 > n p0 N a < N d p n0 < n n0 N a = N d p 0 = n 0 = n i typ p typ n typ i Podstawy Elektroniki Mechatronika
7 Koncentracja nośników ln n 0 ln p 0 n 0 Typ n W C W D n i W V p 0 T T s T i T S temperatura wyczerpania stanów T i temperatura przejścia w stan samoistny ρ T s T i T Podstawy Elektroniki Mechatronika
8 Ograniczenia termiczne Jeżeli parametry przyrządu półprzewodnikowego mają być zgodne z danymi katalogowymi, koncentracja nośników większościowych nie może się istotnie zmieniać Typowe obszary definiowane w katalogach dla przyrządów krzemowych: Obszar zalecany Zakres [ C] Komercyjny 0 70 Przemysłowy ln n 0 ln p 0 n 0 n i Przemysłowy rozszerzony Militarny T s p 0 T i T Podstawy Elektroniki Mechatronika
9 Koncentracja nośników Koncentracje równowagowe: n 0, p 0 hν Δn W C Koncentracje nierównowagowe: n = n 0 + Δn p = p 0 + Δp Δp W V Koncentracje nadmiarowe: Δn, Δp zwykle: Δn = Δp Podstawy Elektroniki Mechatronika
10 Rekombinacja Szybkość rekombinacji: dn dδn R = - = - = dt dt Δn τ hν g R W C Δn 0 Δn n = n 0 + Δn W V Δn = Δn 0 exp (-t/τ) τ t τ - czas życia Podstawy Elektroniki Mechatronika
11 Prąd unoszenia elektrony v ue = µ n E J ue = qnv ue = qnµ n E dziury v uh = µ p E J uh = qpv uh = qpµ p E n (-q) p (q) E W C W V E natężenie pola elektrycznego µ ruchliwość v u prędkość unoszenia Prawo Ohma dla półprzewodnika: J u = J ue + J uh = q(nµ n + pµ p )E = σe Podstawy Elektroniki Mechatronika
12 Prąd dyfuzyjny J de J dh J de = qd n grad n J dh = -qd p grad p Równania transportu: J e = q(nµ n E + D n grad n) J h = q(pµ p E - D p grad p) Podstawy Elektroniki Mechatronika
13 Równania ciągłości J e1 n, p J e2 J h1 g, R J h2 Δx 1D dn dt = (g- R) + 1 q dj dx dp dt = (g- R) 1 q dj p dx 3D δn δt = g - R + 1 q div J e δp δt = g - R 1 q div J h Podstawy Elektroniki Mechatronika
14 Układ równań struktury półprzewodnikowej Równania transportu: J e = q(nµ n E + D n grad n) J h = q(pµ p E - D p grad p) Równania ciągłości: δn δt = g - R + 1 q div J e δp δt = g - R 1 q div J h Równanie Poissona: 4π div E = - q(p n + ε N d N a ) Równanie Kirchhoffa: J = J e + J h Podstawy Elektroniki Mechatronika
15 Wstrzykiwanie nośników Δn 0 R = Δn/τ g = 0 E = 0 Δn 0 j(0) j(w) β 1 j(0) > j(w) Δn 0 Δn 0 < β < 1 0 j(w) = 0 β = 0 Δn(x) =? Δn(w)=0 w x w L> w L w L< w L = (Dt) 0.5 droga dyfuzji w w β = j(w)/j(0) współczynnik transportu Δn 1 Δn R = Δn/τ 1 Δn(w)=Δn g = 0 2 Δn 2 E = 0 Δn(x) =? w x n p Podstawy Elektroniki Mechatronika w x n = n 0 + Δn p = p 0 + Δn
16 Wstrzykiwanie nośników Δn 0 R = Δn/τ g = 0 E = 0 Δn 0 Δn 0 Δn 0 Δn(x) =? Δn(w)=0 w x Q inj Q inj Q inj w L> w L w L< w Q inj ładunek wstrzykniętych nośników nadmiarowych C D pojemność dyfuzyjna gromadząca Q inj\ w w Δn 1 R = Δn/τ g = 0 E = 0 Δn(x) =? w Δn(w)=Δn 2 x Δn 1 Δn 2 Q i nj Podstawy Elektroniki Mechatronika w x n = n 0 + Δn p = p 0 + Δp
17 Złącze p-n Bezpośrednio po zetknięciu dwóch półprzewodników A J p de n J dh K p p >> p n n p << n n W stanie równowagi QN SCR QN A p E n K J uh J de J dh J ue Podstawy Elektroniki Mechatronika
18 Złącze p-n w stanie równowagi SCR A p p0 n p0 p E n n n0 K p n0 V D = b a E dx U AK = 0 D = 0 U D - potencjał dyfuzyjny Podstawy Elektroniki Mechatronika
19 Złącze p-n pojemność złączowa SCR A pp0 n p0 p E n n n0 p n0 K Stan równowagi U AK = 0 V Q SCR = Q SCR0 A p p0 n p0 p n n n0 p n0 K Polaryzacja w kierunku przewodzenia U AK > 0 V Q SCR < Q SCR0 A p p0 n p0 p E n n n 0 K Polaryzacja wsteczna U AK < 0 V Q SCR > Q SCR0 p n0 Podstawy Elektroniki Mechatronika
20 Dioda idealna SCR A p p0 K n p0 p n n n0 p n0 K Obszar złącza D Charakterystyka diody idealnej D qu = s0 exp -1 kt s0 U D s0 prąd nasycenia Podstawy Elektroniki Mechatronika
21 Współczynnik wstrzykiwania SCR A p p0 n p0 p n n n0 p n0 Współczynnik wstrzykiwania K elektronów: γ e p = J ej J J ej J e Współczynnik wstrzykiwania dziur: J hj Obszar złacza J h γ h n = J hj J Podstawy Elektroniki Mechatronika
22 Dioda idealna a rzeczywista R sp D R sn E p p0 n p0 p n J l prąd upływu G u G l D C j C d R s R s rezystancja szeregowa G u konduktancja upływu C j pojemność złączowa C d pojemność dyfuzyjna D dioda idealna Podstawy Elektroniki Mechatronika
23 Dioda idealna a rzeczywista Napięcie przebicia: D R s G l U br D+R s +G l D Rodzaje przebić: lawinowe Zenera skrośne U D Podstawy Elektroniki Mechatronika
24 Przełączanie diody E R D E t E R E F E t F t s t f t E R R F = E F /R R = E R /R Podstawy Elektroniki Mechatronika
25 Przegląd diod p-n nne diody: Schottky ego wykorzystująca własności nieliniowego kontaktu metal-półprzewodnik (t r,t rr ) Gunna wykorzystuje zależność ruchliwości od pola elektrycznego występującą w pewnych materiałach jak np. GaAs (charakterystyka -V typu S) Podstawy Elektroniki Mechatronika
26 Przegląd diod p-n charakterystyki typu S p D U p napięcie szczytowe p prąd szczytowy v U p U v U D U p napięcie dolinowe p prąd dolinowy ujemna rezystancja Я - ujemna rezystancja Podstawy Elektroniki Mechatronika
27 Tranzystor bipolarny E C E J E J h J e R J hc C JC B p-n-p B J C = J hc = β J h = γβ J E = α J E Typowe warunki pracy: U BE - przewodzenie U BC - blokowanie Współczynnik wzmocnienia J C /J E α = γ β Podstawy Elektroniki Mechatronika
28 Tranzystor bipolarny model Ebersa - Molla E J E J h J e R J hc J C C C B C α N E C jc C dc B E α R C C je C de E Podstawy Elektroniki Mechatronika
29 Tranzystor bipolarny jako czwórnik 1 2 Układ U 1 = h h 12 U 2 U 1 WE WY U elektroniczny 2 2 = h h 22 U 2 Układ wspólnego emitera OE C Współczynnik wzmocnienia C / B U BE B U CE β = C C E 1- C = = = B E C C E α 1-α Podstawy Elektroniki Mechatronika
30 Tranzystor bipolarny jako czwórnik 1 2 Układ U 1 = h h 12 U 2 U 1 WE WY U elektroniczny 2 2 = h h 22 U 2 Układ zastępczy 1 2 ~ h 11 U 1 h 22 h 21 1 U 2 h 12 U 2 Podstawy Elektroniki Mechatronika
31 Tranzystor bipolarny w układzie OE C B Charakterystyka wyjściowa B =0 U CE Obszar nasycenia Obszar aktywny Obszar odcięcia Podstawy Elektroniki Mechatronika
32 Tranzystor bipolarny jako inwerter E C R L C E C /R L 0 U WE U WY 1 E C U CE Wejście Wyjście stan "0" U WE 0 V U WY E C stan "1" stan "1" U WE E C U WY 0 V stan "0" Podstawy Elektroniki Mechatronika
33 Tranzystor bipolarny jako inwerter Przełączanie tranzystora: E C R L C E U WE t UWE U WY CM C t s t f t t d t r t d czas opóźnienia t r czas narastania t s czas magazynowania t f czas opadania Podstawy Elektroniki Mechatronika
34 Tranzystor bipolarny Darlingtona Konfiguracja Prąd tranzystora Wzmocnienie β P 100 β G 10 B β = β P β G B Podstawy Elektroniki Mechatronika E
35 Tranzystor polowy p + S D S n - kanał D G JFET G Prąd płynie od źródła do drenu Złącze bramka-kanał jest spolaryzowane wstecznie Nie ma wstrzykiwania nośników Prąd przenoszą tylko nośniki większościowe Regulacja szerokości kanału napięciem bramka-kanał Podstawy Elektroniki Mechatronika
36 Tranzystor JFET układ OS OS D G = y 11S U GS + y 12S U DS G U DS D = y 21S U GS + y 22S U DS U GS Transkonduktancja D DSS g m δ = D δ U GS U DS = const U P U GS Podstawy Elektroniki - Mechatronika
37 Charakterystyka przejściowa JFET S n p + G D U GS = 0 U DS małe D ( U D ) = 1 D 1 S G D 0 < U GS < U p U DS małe D ( U D ) < 1 U P U GS S G D U GS = U p U DS małe D ( U D ) = 0 U P - napięcie odcięcia Podstawy Elektroniki - Mechatronika
38 Charakterystyka wyjściowa JFET S n p + G D U GS = 0 U DS = 0 D = 0 Obszar liniowy Obszar nasycenia S G D U GS = 0 U DS < U p 0 < D < DSS D DSS U GS = 0 S G P D U GS = 0 U DS = U p D = DSS U P U DS DSS - prąd nasycenia drenu U GS = U p Podstawy Elektroniki - Mechatronika
39 Struktura MS zasada działania Jeżeli do kontaktów S i D zostanie przyłożone napięcie U DS, popłynie pomiędzy nimi prąd D : S n U DS + - D D L D = U DS /R DS gdzie R DS rezystancja pomiędzy kontaktami D i S warstwy o grubości L i długości l R DS ~ l/nl Podstawy Elektroniki - Mechatronika
40 Struktura MS zasada działania Jeżeli do kontaktów S i D zostanie przyłożone napięcie U DS, popłynie pomiędzy nimi prąd D : D = U DS /R DS S + G - n B D gdzie R DS rezystancja pomiędzy kontaktami D i S warstwy o grubości L R DS ~ n/l Podstawy Elektroniki - Mechatronika
41 Struktura MS zasada działania Jeżeli napięcie U GB > 0 jest przyłożone do kondensatora C GB, na okładkach zgromadzi się ładunek Q G dodatni na G i ujemny na górnej powierzchni struktury półprzewodnikowej. S n G B D Q G = U GB C GB Dielektryk np. O 2 W warstwie przewodzącej prąd koncentracja elektronów rosnie prowadząc do zmniejszenia się rezystancji R DS, czemu towarzyszy wzrost prądu D przy niezmienionej wartości napięcia U DS. Podstawy Elektroniki - Mechatronika
42 Tranzystor polowy MOSFET p p S S n + n + G B G n n + n + D D Tranzystor z B kanałem wbudowanym Tranzystor z kanałem zaindukowanym S n G D B Podstawy Elektroniki - Mechatronika
43 Tranzystor polowy MOSFET S p + G p + D PMOS S n + G n + D n NMOS p B B Układ scalony S G D S G D S G D S G D B podłoże Tranzystor MOS Podstawy Elektroniki - Mechatronika
44 Tranzystor polowy MOSFET zasada działania S p + G p + D G Q C GB = 0 n B B U C GB = 0 S n p + G B p + D G _ B Q C GB 0 U C GB > 0 Q C GB = Q wbudowane + Q dostarczone U C GB = U Cwbudowane + U GB Podstawy Elektroniki - Mechatronika
45 Tranzystor z kanałem indukowanym n S p + G p + D U GS = 0 koncentracja n przy powierzchni większa (stany powierzchniowe), nie ma prądu drenu n S p + G p + D U GS = U T (napięcie progowe) stan samoistny przy powierzchni (n 0 =p 0 ), nie ma prądu drenu S G D n p + p + U GS > U T przy powierzchni warstwa inwersyjna typu p tworzy kanał prąd drenu zaczyna płynąć Podstawy Elektroniki - Mechatronika
46 Tranzystor z kanałem indukowanym D B G S normalnie nieprzewodzący D G S B D D U GS = U T U T U GS Charakterystyka przejściowa Charakterystyka wyjściowa U DS Podstawy Elektroniki - Mechatronika
47 Układy scalone Układ scalony - przyrząd półprzewodnikowy zawierający w jednej strukturze półprzewodnikowej cały obwód elektryczny z: przyrządami półprzewodnikowymi (diody, tranzystory) elementami biernymi (rezystory, kondensatory) połączenia międzyelementowe (tzw. layout z Al lub Cu) pierwszy układ scalony w Bell Lab. (Kilby) Podstawy Elektroniki - Mechatronika
48 Układy scalone - podziały Bipolarne - podstawowy element tranzystor bipolarny Unipolarne - podstawowy element tranzystor polowy MOS Analogowe - sygnały wejściowe i wyjściowe ciągłe Cyfrowe - sygnały wejściowe i wyjściowe dyskretne (logiczne 0 i 1 ) Podstawy Elektroniki - Mechatronika
49 Cyfrowe C - podziały Technologie Bipolarne: TTL - Transistor-Transistor Logic ECL - Emiter Coupled Logic 2 L - ntegrated njection Logic Technologie Unipolarne: NMOS - tylko tranzystory z kanałem typu n PMOS - tylko tranzystory z kanałem typu p CMOS - Complementary MOS, oba typy Podstawy Elektroniki - Mechatronika
50 Technologia CMOS P + warstwa p - podłoże p + n-well n + polikrzem tlenek podbramkowy tlenek izolacyjny tlenek izolacyjny metalizacja metalizacja pasywacja Podstawy Elektroniki - Mechatronika
51 Układy logiczne - nwerter E E C R L U we Element obciążający Element sterujący U wy U WE Schemat blokowy Symbol U WY U we U wy Podstawy Elektroniki - Mechatronika
52 nwertery - bramka NMOS U DD Charakterystyka przejściowa U wy T L U DD U GG U wy C L U we T D zwykle: U GG =U DD U T(TD) U we C L - pojemność obciążenia (kolejne bramki oraz doprowadzenia) Dla logicznego W wy = 0 płynie stały prąd obciążenia Podstawy Elektroniki - Mechatronika
53 nwertery - bramka CMOS U DD Charakterystyka prądowa T L D U we U wy C L T D U we U Tn U inv U DD -U Tp Prąd płynie tylko przy przełączaniu Podstawy Elektroniki - Mechatronika
54 Elementy logiczne Suma - OR Podstawy Elektroniki - Mechatronika
55 Elementy logiczne loczyn - AND Podstawy Elektroniki - Mechatronika
56 Elementy logiczne Bramka - NOR Podstawy Elektroniki - Mechatronika
57 Elementy logiczne Bramka - AND Podstawy Elektroniki - Mechatronika
58 Elementy logiczne Bramka Exclusive OR Podstawy Elektroniki - Mechatronika
59 Elementy logiczne Suma - OR 1. Błaszcyk Tomasz 2. Kamiński Tomasz 3. Chmielewski Marcin 4. Olakowski Piotr 1. Gaj Łukasz 2. Drążek Mariusz 3. Kamiński Tomasz 4. Chmielewski Marcin 5. Choiński Arek Podstawy Elektroniki - Mechatronika
Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoProwadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik. Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h
Prowadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h Materiały półprzewodnikowe Metal Półprzewodnik Izolator T T T Materiały
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 4
Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoPrawo Ohma. qnv. E ρ U I R U>0V. v u E +
Prawo Ohma U>0V J v u J qnv u - E + J qne d J gęstość prądu [A/cm 2 ] n koncentracja elektronów [cm -3 ] ρ rezystywność [Ωcm] σ - przewodność [S/cm] E natężenie pola elektrycznego [V/cm] I prąd [A] R rezystancja
Bardziej szczegółowoElementy i Układy Sterowania Mocą
Elementy i Układy Sterowania Mocą Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 15 godz. laboratorium 15 godz. Materiały
Bardziej szczegółowoElementy i Układy Sterowania Mocą
Elementy i Układy Sterowania Mocą Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 15 godz. laboratorium 15 godz. Materiały
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 2
Przyrządy półprzewodnikowe część 2 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA ELM001551W
ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoWprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki
Wprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki Małgorzata Napieralska Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych tel. 26-55 mnapier@dmcs.p.lodz.pl Literatura W. Marciniak Przyrządy półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowoMateriały używane w elektronice
Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoTEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem
Bardziej szczegółowoWykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowo6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE
6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6.1. WSTĘP Tranzystory unipolarne, inaczej polowe, są przyrządami półprzewodnikowymi, których działanie polega na sterowaniu za pomocą pola elektrycznego wielkością prądu przez
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.
12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoWykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoTranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny wzmacniacz OE
Tranzystor bipolarny wzmacniacz OE projektowanie poradnikowe u 1 (t) C 1 U B0 I 1 R 1 R 2 I 2 T I B0 R E I E0 I C0 V CC R C C 2 U C0 U E0 C E u 2 (t) Zadania elementów: T tranzystor- sterowane źródło prądu
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych
Tranzystory polowe Wiadomości podstawowe Tranzystory polowe w skrócie FET (Field Effect Transistor), są równieŝ nazywane unipolarnymi. Działanie tych tranzystorów polega na sterowanym transporcie jednego
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE
ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE, WEWNETRZNE I ICH RÓŻNE ZASTOSOWANIA ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE Światło padając na powierzchnię materiału wybija z niej elektron 1 ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE
Bardziej szczegółowoZłożone struktury diod Schottky ego mocy
Złożone struktury diod Schottky ego mocy Diody JBS (Junction Barrier Schottky) złącze blokujące na powierzchni krzemu obniżenie krytycznego natężenia pola (Ubr 50 V) Diody MPS (Merged PINSchottky) struktura
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowo10. Tranzystory polowe (unipolarne FET)
PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Co to jest półprzewodnik unipolarny (pod rozdz. 4.4). Co dzieje się z nośnikiem prądu w półprzewodniku (podrozdz. 4.4). 10. Tranzystory polowe (unipolarne FET) Tranzystory
Bardziej szczegółowoZłącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD
TRAZYSTORY BPOLARE SMK WYKŁAD 9 a pdstw. W. Marciniak, WT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone 6. Zakresy pracy i układy włączania tranzystora bipolarnego Opis funkcjonalny zestaw równań wiążących
Bardziej szczegółowoRyszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe JFET, MOSFET
Tranzystory polowe JFET, MOSFET Zbigniew Usarek, 2018 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy JFET Zasada
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe - przypomnienie
Układy nieliniowe - przypomnienie Generacja-rekombinacja E γ Na bazie półprzewodników γ E (Si)= 1.14 ev g w.8, p.1 Domieszkowanie n (As): Większościowe elektrony pasmo przewodnictwa swobodne elektrony
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoWykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe
Wykład 7 Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe Złącze p-n Złącze p-n Tworzy się złącze p-n E Złącze po utworzeniu Pole elektryczne na styku dwóch półprzewodników powoduje, że prąd łatwo
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 7 Tranzystor polowy MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, Iwona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław Synowiec, Bogusław
Bardziej szczegółowoWYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA
Bardziej szczegółowoLaboratorium elektroniki i miernictwa
Numer indeksu 150946 Michał Moroz Imię i nazwisko Numer indeksu 151021 Paweł Tarasiuk Imię i nazwisko kierunek: Informatyka semestr 2 grupa II rok akademicki: 2008/2009 Laboratorium elektroniki i miernictwa
Bardziej szczegółowoTechnologia BiCMOS Statystyka procesów produkcji
Technologia BiCMOS Statystyka procesów produkcji 1 Technologia BiCMOS 2 Technologia CMOS i BiCMOS Tranzystor nmos Tranzystor pmos M2 (Cu) M3 (Cu) M1 (Cu) S Poli typu n D M1 (Cu) D Poli typu p S M1 (Cu)
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR UNIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne w układach CMOS
PUAV Wykład 4 Tranzystory bipolarne w układach CMOS Tranzystor nmos Tranzystor pmos M1 (Al) M2 (Al) M1 (Al) M1 (Al) Tlenek polowy S Bramka poli typu n Tlenek bramkowy D Tlenek polowy Podłoże typu p D Bramka
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowo1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice?
1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice? 3. Scharakteryzuj sygnał analogowy i sygnał cyfrowy. Określ istotne różnice
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoDiody i tranzystory. - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy)
Diody i tranzystory - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy) bipolarne (NPN i PNP) i polowe (PNFET i MOSFET), Fototranzystory i IGBT (Insulated
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe tranzystor bipolarny (n p n, p n p)
Układy nieliniowe tranzystor bipolarny (n p n, p n p) Złącze emiterowe: polaryzacja przewodzenia IB B E Złącze kolektorowe: polaryzacja zaporowa C IE IC IE IB1 IB2 rekombinacja Silne domieszkowanie emitera:
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
Bardziej szczegółowoRys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn
Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego
Bardziej szczegółowoCel wykładu. Elektronika Jakub Dawidziuk
Elektronika program Złącze p-n, diody półprzewodnikowe. Elementy optoelektroniczne. Prostowniki. Zasada działania BJT, charakterystyki statyczne, modele, parametry. Układy polaryzacji i stabilizacja punktu
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA ELM001551W
ELEKTRONIKA ELM001551W Podstawy elektrotechniki i elektroniki Budowa materii fizyka półprzewodników Zakres: Sieć krystaliczna, Rodzaje wiązań chemicznych, Struktura pasmowa półprzewodników Rys historyczny
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia Poznanie budowy i zasady pracy tranzystora JFET. Pomiar charakterystyk tranzystora JFET. Czytanie schematów elektronicznych. Przestrzeganie
Bardziej szczegółowoDiody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.
Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny: częstotliwość graniczna f T
Tranzystor bipolarny: częstotliwość graniczna f T Zakres małych prądów: dominacja wpływu pojemności warstw zubożonych f T qi C ( + ) 2π kt C C je jc Zakres dużych prądów: dominacja wpływu czasu przelotu
Bardziej szczegółowoA-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania
A-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania 1 Zakres ćwiczenia 1.1 Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET. 1.2 Projekt, montaż i badanie układu: 1.2.1 sterowanego dzielnika napięcia,
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowo