Przyrządy półprzewodnikowe część 3
|
|
- Julia Łukasik
- 5 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T
2 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd Zasada działania Przyrządy bipolarne : Charakteryzują się tym, że oba typy nośników (elektrony i dziury) biorą udział w przepływie prądu. Ich istotą jest występowanie wstrzykiwania nośników mniejszościowych przez złącze spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Prowadzi to do drastycznego wzrostu koncentracji nośników w obszarach słabodomieszkowanych i w konsekwencji do drastycznego wzrostu ich przewodności określanego jako modulacja przewodności. Z uwagi na występowanie koncentracji nadmiarowych ich dynamika jest ograniczona przez procesy rekombinacyjne
3 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd Zasada działania Przyrządy uipolarne : Charakteryzują się tym, że prąd tworzą w nich jedynie nośniki większościowe. Zwykle są one sterowane sygnałem napięciowym i dlatego często są one nazywane przyrządami sterowanymi polowo. Prąd płynie w nich poprzez półprzewodnik jednego typu (typu n lub typu p), tak więc nie występuje w nich wstrzykiwanie nośników. Koncentracje elektronów i dziur są w nich generalnie równe swoim wartościom równowagowym nie występuje efekt modulacji przewodności.
4 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd Zasada działania Przyrządy Bi-MOS: Charakteryzują się tym, że posiadają one części pracujące, odpowiednio, jak przyrządy bipolarne i unipolarne. Jako przyrządy dyskretne są one zwykle sterowane przez sygnał napięciowy, a więc prościej niż w przypadku przyrządów bipolarnych. Wykorzystują one podstawową własność przyrządów bipolarnych modulację konduktywności. Są one zwykle szybsze od odpowiadających im przyrządów bipolarnych.
5 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd Zasada działania Bipolarne BiMOS Unipolarne Diody Tranzystory Bipolarne Tyrystory GTO Static Induction Thyristor (SITh) Tranzystory Bipolarne z Izolowaną Bramką (IGBT) Tranzystory Polowe Złączowe (JFET) Tranzystory Polowe z Izolowaną Bramką (MOSFET)
6 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd Konstrukcja i obudowa Przyrządy dyskretne - jeden przyrząd w jednej obudowie
7 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd Konstrukcja i obudowa Układy scalone - układ elektroniczny z wieloma przyrządami wykonany na jednej strukturze półprzewodnikowej Alpha die
8 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd Konstrukcja i obudowa Moduły zintegrowane - kilka przyrządów i/lub układów scalonych zmontowanych w jednej obudowie IPM MCM
9 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd Przeznaczenie Przyrządy optoelektroniki - są to przyrządy sterowane światłem ( np. fototranzystory, fotodiody, fototyrystory) oraz emitujące światło (np. LEDy, lasery) jak również ogniwa słoneczne. FD LED LD Ogniwa słoneczne
10 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd Przeznaczenie Przyrządy wysokich częstotliwości - są one zdolne do pracy przy bardzo dużych częstotliwościach sięgających GHz ów zarówno jako źródła sygnału AC (np. diody Gunna lub lawinowe) jak i jako aktywne elementy obwodów wysokiej częstotliwości (np. tranzystory HJBT, HEMT czy MESFET). Przykład powszechnego zastosowania telefonia mobilna. Space application diody HEMT klucze HF
11 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd Przeznaczenie Sensory - obejmują szerokie spektrum różnych przyrządów półprzewodnikowych, których podstawową cechą jest ich czułość na pewne parametry fizyczne lub czynniki chemiczne (np. hallotrony, termistory, czujniki wilgotności i gazów) MEMS metan sensor Hallotron Czujnik CO Czujnik wilgotności Termistory
12 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd Przeznaczenie Przyrządy mocy - przyrządy dla prądów powyżej 40A i napięć powyżej 300V dla power management. Są wykorzystywane jako elementy przełączające w energoelektronice.
13 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd Przeznaczenie Microsystemy - są połączeniem przyrządów elektrycznych i mechanicznych wykonywanych na jednej strukturze półprzewodnikowej lub wykonywane jako moduł zawierający elementy dyskretne (tzw. micromachining). Przykład czujnik przyspieszenia sterujący poduszką powietrzną. mikrosilni k czujnik pojemnościowy mikromedycyna mikrofon mikroaktuator
14 Przyrządy bipolarne - Diody Złącze p-n współczynnik wstrzykiwania SCR n n0 Współczynnik wstrzykiwania dla elektronów: A p p0 n p0 p n p n0 K ep J ej J J ej J e Współczynnik wstrzykiwania dla dziur: J hj Obszar Złącza J h hn J hj J
15 Przyrządy bipolarne - Diody Złącze p-n współczynnik wstrzykiwania e p h n J ej J J hj J J ej J J hj 1 0 hn ep złącze p-n może być emiterem elektronów: ep 1 kiedy N d >> N a złącze p-n może być emiterem dziur: hn 1 when N a >> N d
16 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda p-n rezystancja szeregowa p p0 n p0 p Obszar złącza n n n0 p n0 DI R s DI+R s I D R sp DI R sn I s0 U D DI R s
17 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda p-n konduktancja upływu p p0 n p0 p SCR E n DI R s G l DI+R s +G l I D J l prąd upływu G l I s0 U D G l DI R s
18 Przyrządy bipolarne - Diody Złącze p-n pojemność złączowa p n DQ w1u1 DQ w2u2=u1 + DU C j = DQ DU
19 Przyrządy bipolarne - Diody Złącze p-n pojemność dfuzyjna n n0 p p0 n p0 p n p n0 DQ p2u2=u1 + DU p1u1 p DQ n2u2=u1 + DU n1u1 C D = DQ DU
20 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda p-n model diody rzeczywistej DI R s G l G l DI+R s +G l I D D I R s C j C d I s0 U D
21 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda p-n napięcie przebicia DI R s G l U br DI+R s +G l I D Rodzaje przebić:: lawinowe Zenera skrośne U D
22 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda p-n przebicie lawinowe W C W V W g W kin Elektron jest przyspieszany w SCR przez siłę: F E qe i jego energia kinetyczna rośnie: E SCR W kin F E l qel l droga swobodna pomiędzy dwoma zderzeniami Elektron może oddać nadmiarową energię na dwa sposoby: - w zderzeniach z siecią fononami - w zderzeniach z innymi nośnikami (elektrony lub dziury)
23 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda p-n przebicie lawinowe W C W V W kin Jeżeli energia kinetyczna jest wystarczająco duża, w wyniku zderzenia z elektronem pasma walencyjnego może być wygenerowana para dziura-elektron. Wymaga to:: W W kin ion Wg gdzie W ion energia joniacji Ponieważ uzyskanie takiej energii wymaga różnych dróg swobodnych przy różnych natężeniach pola elektrycznego, zdefiniowano średnią drogę jonizacji zależną od pola elektrycznego: l ion W qe ion
24 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda p-n przebicie lawinowe W C W V W kin Powielanie lawinowe prowadzące do przebicia lawinowego ma miejsce kiedy: dla konkretnego natężenia pola E w SCR l ion l ph - średnia droga swobodna dla rozpraszania na fononach Si Ge GaAs 78 Ǻ 105 Ǻ 58 Ǻ zderzenie z nośnikami jest bardziej prawdopodobne niż z fononami: r ion l l ion ph 1
25 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda p-n model przebicia lawinowego w diodzie rzeczywistej I D Współczynnik powielania: U br U D M J J i - całkowity prąd diody - prąd diody bez powielania Prąd całkowity diody w modelu: gdzie M określane eksperymentalnie: M 1 1 U U br m I D qu MIs0exp -1 kt
26 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda p-n przebicie Zenera Przebicie Zenera jest związane z efektem nazywanym polową generacją par dziuraelektron, który ma charakter kwantowy. Ma on miejsce w obszarze o dużym natężeniu pola elektrycznego, kiedy nachylenie krawędzi pasma przewodnictwa i walencyjnego jest bardzo duże, np. w silnie domieszkowanym złączu p-n. Jeżeli domieszkowanie jest tak duże, że odległość pomiędzy punktami A i B jest wystarczająco mała, aby oba punkty znalazły się wewnątrz dzwonu prawdopodobieństwa, wynikającego z zasady nieoznaczoności Heisenberga, to ten sam elektron może pojawiać się w każdym z nich z określonym prawdopodobieństwem.
27 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda p-n przebicie skrośne n w n w p p Przebicie skrośne jest efektem przestrzennym wynikającym z faktu, że grubość warstw tworzących diodę p-n, w n and w p, jest ograniczona. w SCR(n) w SCR(p) Rozważmy asymetryczną diodę p-n, w której: W C W V W takiej diodzie N d >> N a w SCR(p) >> w SCR(n), oznacza to, że obszar SCR występuje głównie w warstwie p.
28 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda p-n przebicie skrośne n w n w p p Kiedy napięcie wsteczne rośnie, szerokość obszaru SCR w warstwach również rośnie i przy pewnym napięciu obszar SCR wypełnia jedną z warstw. w SCR(n) W C W V w SCR(p) Kiedy dalszy wzrost SCR w jednej z warstw staje się niemożliwy, warstwa p na rysunku, jedyną drogą umożliwiającą dalszy wzrost napięcia wstecznego jest wzrost gęstości ładunku w obszarze SCR tej warstwy. Może to być osiągnięte poprzez wprowadzenie dodatkowych elektronów do SCR warstwy p. Wzrost koncentracji nośników prowadzi jednak do wzrostu prądu unoszenia w tym obszarze.
29 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda p-n przebicie skrośne I D Gdy prąd unoszenia rośnie w wyniku wzrostu gęstości swobodnych nośników w obszarze SCR diody, jest to efekt przebicia. U br U D W przypadku przebicia skrośnego nie występuje jednak drastyczny wzrost prądu przy prawie stałej wartości napięcia wstecznego, ale wielkość prądu zależy od napięcia wstecznego zgodnie z wzorem: J a 2 U
30 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda p-n charakterystyki przebicia I D Łatwo jest rozpoznać, który typ przebicia występuje w diodzie: lawinowe U br Zenera U D W przypadku przebicia skrośnego nie występuje gwałtowny wzrost prądu. W przypadku przebicia lawinowego napięcie przebicia wzrasta wraz ze wzrostem temperatury. W przypadku przebicia Zenera napięcie przebicia zmniejsza się wraz ze wzrostem temperatury.
31 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda p-n stan przejściowy E R D E R E t E F E t I F I t r t s t f t E R I R I F = E F /R I R = E R /R
32 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda p-n stan przejściowy E t t r czas narastania E R t s czas magazynowania t f czas opadania I F I t r t s t f t I R I F = E F /R I R = E R /R
33 Przegląd diod p-n Przyrządy bipolarne - Diody Standardowe Prostownicza (U br,r on ) Impulsowa (t r,t rr ) Zenera (U br ) Inne diody: Specjalne Varikap (C j ) Tunelowa (typu-s) Lawinowa (syg. wcz) p-i-n (sygn wcz) Optoelelektroniczne LED (emisja) Laser (emisja) FD (detekcja) ogniwo słoneczne Schottky ego wykorzystująca własności nieliniowego kontaktu metal-półprzewodnik (t r,t rr ) Gunna wykorzystuje zależność ruchliwości od pola elektrycznego występującą w pewnych materiałach jak np. GaAs (charakterystyka I-V typu S)
34 Przyrządy bipolarne - Diody Przegląd diod p-n I-V charakterystyki typu S I p I D U p napięcie szczytowe I p prąd szczytowy I v U p napięcie dolinowe U p U v U D I p prąd dolinowy ujemna rezystancja Я - ujemna rezystancja
35 Przyrządy bipolarne - Diody Inne diody Efekt Gunna A n-gaas K I p I v v u (I u ) v ul v ul v uh W niektórych półprzewodnikach, np. GaAs, występują dwa typy elektronów: lekkie n l, m efel, µ nl v ul = µ nl E ujemna rezystancja U p U v E(U) ciężkie n h, m efeh, µ nh v uh = µ nh E E = 0 V/m n h = 0 n = n l n = n l + n h E => n l => 0 n => n h J un = qnm n E Chapter 3
36 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda prostownicza p-i-n budowa Profile rozkładu domieszkowania Elementy składowe: A [cm -3 ] x 40 p + p n n + p-n - złącze blokujące napięcie p +, n + - warstwy emiterów wstrzykujące nośniki do obszarów słabo domieszkowanych oraz zapewniające dobry kontakt omowy metal-półprzewodnik [mm] K
37 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda prostownicza p-i-n stan przewodzenia p + p n n + p n p + i n + n = p n p U F U P U I 0 w p+ w w n+ U N
38 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda prostownicza p-i-n stan przewodzenia U F = U P + U I + U N p + i n + Elementy składowe: U F U P napięcie na złączach p-i i n-i : U kt q ln J U P + U N = K 1 ln I napięcie na obszarze i - omowe : I T 2 < T 1 w T 1 U I U N U I W W J dx Edx 2q n( x) m( x) 0 0 T 2 U I K 2 I 0.5 U F
39 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda prostownicza p-i-n stan przewodzenia U F = U P + U I + U N U P + U N = K 1 ln I U I K 2 I 0.5 U F p + i n + U P U I U F = K 1 ln I + K 2 I 0.5 w U N małe I U P + U N > U I duże I U P + U N < U I I T 2 < T 1 T 1 T (U P + U N ) a U I T 2 - cross point U F
40 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda prostownicza p-i-n stan przewodzenia Charakterystyka zastępcza: rezystancja dynamiczna: R d DU DI przybliżenie liniowe: U F U O F F I F R d 3π 2 π 2 I FAV I FAV I F DI F DU F I FAV znamionowa wartość średnia prądu przewodzenia I FAV U O U F
41 Przyrządy bipolarne - Diody Dioda prostownicza p-i-n stan blokowania dioda NPT: Cały ładunek przestrzenny w warstwie n - dioda PT: Ładunek przestrzenny w warstwie n - i n + Złącze n - -n + uległo przebiciu skrośnemu E max p + p n - n + w SCR E max E p n w SCR
42 Przyrządy bipolarne - Tranzystory Ogólna prezentacja E p n B p C p-n-p E B C E n p B n C n-p-n E B C
43 Zasada działania Przyrządy bipolarne - Tranzystory E J h R J hc C J e B Bardeen-Brattain Bell Labs 1947 U BE polaryzacja w kierunku przewodzenia dziury są wstrzykiwane z emitera do bazy U BC polaryzacja wsteczna dziury są przenoszone przez SCR z bazy do na stronę kolektora podczas gdy elektrony są zawracane do wnętrza bazy
44 Zasada działania Przyrządy bipolarne - Tranzystory J E E J he J ee R J eb J hc J C C Warunki normalnej pracy: U EB > 0 B U CB < 0 J C = J hc = J he = J E = J E 0 < < 1 β współczynnik transportu przez bazę - współczynnik wstrzykiwania dziur z emitera do bazy
45 Przyrządy bipolarne - Tranzystory Tranzystor jako czwórnik I 1 I 2 U 1 WE Obwód elektryczny WY U 2 U 1 = h 11 I 1 + h 12 U 2 I 2 = h 21 I 1 + h 22 U 2 U U I I z z y y y y z z I I 1 2 U U 1 2 Macierz impedancyjna Macierz admitancyjna U I 2 Macierz hybrydowa 1 h h h h I U 1 2
46 Przyrządy bipolarne - Tranzystory Tranzystor jako czwórnik OE I C OC I E I B U CE I B U EC U BE U BC OB I B I C U EB U CB
47 Przyrządy bipolarne - Tranzystory Tranzystor w konfiguracji OE OE I C U BE = h 11E I B + h 12E U CE I B U CE I C = h 21E I B + h 22E U CE U BE Warunki zwarciowe U CE = 0 Warunki rozwarciowe I B = 0 h 11E = U BE /I B Rezystancja wejściowa h 12E = U BE /U CE Inwersyjny współczynnik wzmocnienia napięciowego h 21E = I C /I B Współczynnik wzmocnienia prądowego h 22E = I C /U CE Konduktancja wyjściowa
48 Przyrządy bipolarne - Tranzystory Tranzystor w konfiguracji OE OE I C Zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego I B U CE U BE h 21E = I C /I B IC IC IC IE h 21E I I - I I B E C C 1- I E 1-
49 Przyrządy bipolarne - Tranzystory Tranzystor w konfiguracji OE OE I C Charakterystyki przejściowe I C Charakterystyki wyjściowe U BE I B U CE U CE I B I B U CE I C = h 21E I B + h 22E U CE I C = f(i B ) U CE =var I C = f(u CE ) I B =var U CE I B U BE = h 11E I B + h 12E U CE Charakterystyki wejściowe U BE Charakterystyki oddziaływania wstecznego U BE = f(i B ) U CE =var U BE = f(u CE ) I B =var
50 Przyrządy bipolarne - Tranzystory Tranzystor w konfiguracji OE OE I C Charakterystyki wyjściowe:: U BE I B U CE I C Obszar odcięcia I B I B =0 U CE Oba złącza są spolaryzowane wstecznie. Obwód zewnętrzny decyduje o napięciu kolektoremiter podczas gdy prąd kolektora jest pomijalnie mały.
51 Przyrządy bipolarne - Tranzystory Tranzystor w konfiguracji OE OE I C Charakterystyki wyjściowe:: U BE I B U CE I C Obszar aktywny I B I B =0 U CE Złącze emiterowe jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a złącze kolektorowe wstecznie Prąd bazy określa prąd kolektora, a napięcie kolektor-emiter wynika z odpowiedzi obwodu zewnętrznego na wymuszony prąd kolektora.
52 Przyrządy bipolarne - Tranzystory Tranzystor w konfiguracji OE OE I C Charakterystyki wyjściowe:: U BE I B U CE I C Obszar nasycenia I B I B =0 U CE Oba złącza są spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Napięcie kolektor-emiter jest bardzo małe, a prąd kolektora jest ograniczony jedynie przez obwód zewnętrzny.. Uwaga: UCE < UCB.
53 Przyrządy bipolarne - Tranzystory Tranzystor w konfiguracji OE OE I C Obszar bezpiecznej pracy - SOA:: U BE I B U CE I C I Cmax Hiperbola mocy admisyjnej P max = I C U CE SOA obejmuje tą część charakterystyk wyjściowych, w której tranzystor może pracować. Jest ona ograniczona przez: SOA U br U CE I Cmax maksymalny prąd kolektora ograniczony przez wytrzymałość połączeń drutowych pomiędzy kontaktami metalicznymi na chipie oraz wyjściowymi polami obudowy
54 Przyrządy bipolarne - Tranzystory Tranzystor w konfiguracji OE OE I C Obszar bezpiecznej pracy - SOA:: U BE I B U CE I C I Cmax Hiperbola mocy admisyjnej P max = I C U CE SOA obejmuje tą część charakterystyk wyjściowych, w której tranzystor może pracować. Jest ona ograniczona przez: SOA U br U CE U br napięcie przebicia, zwykle będącego wynikiem lawinowego przebicia złącza kolektorowego
55 Przyrządy bipolarne - Tranzystory Tranzystor w konfiguracji OE OE I C Obszar bezpiecznej pracy - SOA:: U BE I B U CE I C I Cmax Hiperbola mocy admisyjnej P max = I C U CE SOA obejmuje tą część charakterystyk wyjściowych, w której tranzystor może pracować. Jest ona ograniczona przez: SOA U br U CE P max maksymalną moc, która może być wydzielona bez przekroczenia maksymalnej temperatury złącza T jmax
56 Przyrządy bipolarne - Tranzystory Tranzystor w konfiguracji OE OE I C Katalogowa charakterystyka wyjściowa:: U BE I B U CE BC 108
57 Przyrządy bipolarne - Tranzystory Tranzystor w konfiguracji OE OE I C Katalogowa charakterystyka SOA:: U BE I B U CE Przebicie wtórne termiczny efekt przestrzenny, polega na tym, że przy dużych napięciach U CE pojawia się nierównomierny rozkład prądu I C prowadzący do wystąpienia efektu hot spot przy krawędziach obszaru emitera. BD 789
58 Przyrządy bipolarne - Tranzystor Tranzystor stan przejściowy E C R L U WE t U WE U WY I Cm I C t s t f 0.9I Cm E F U WE t 0.1I Cm t d t r t t on = t d +t r t off = t s +t f
59 Tranzystor bipolarny jako inwerter E C I C I B = E C /R B R L E C /R L 0 R B U WE U WY 1 I B = 0 E C U CE Wejście Wyjście stan "0" U WE 0 V U WY E C stan "1" stan "1" U WE E C U WY 0 V stan "0"
Przyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoElementy i Układy Sterowania Mocą
Elementy i Układy Sterowania Mocą Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 15 godz. laboratorium 15 godz. Materiały
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoElementy i Układy Sterowania Mocą
Elementy i Układy Sterowania Mocą Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 15 godz. laboratorium 15 godz. Materiały
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoProwadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik. Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h
Prowadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h Materiały półprzewodnikowe Metal Półprzewodnik Izolator T T T Materiały
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.
12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoZłącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe - przypomnienie
Układy nieliniowe - przypomnienie Generacja-rekombinacja E γ Na bazie półprzewodników γ E (Si)= 1.14 ev g w.8, p.1 Domieszkowanie n (As): Większościowe elektrony pasmo przewodnictwa swobodne elektrony
Bardziej szczegółowoWykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe
Wykład 7 Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe Złącze p-n Złącze p-n Tworzy się złącze p-n E Złącze po utworzeniu Pole elektryczne na styku dwóch półprzewodników powoduje, że prąd łatwo
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoWiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoDiody i tranzystory. - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy)
Diody i tranzystory - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy) bipolarne (NPN i PNP) i polowe (PNFET i MOSFET), Fototranzystory i IGBT (Insulated
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoTemat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające
Elementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające Tyrystory konwencjonalne - wprowadzenie A I A p 1 p 1 j 1 + G n 1 G n 1 j C - p 2 p 2 j 2 n 2 n 2 K I K SRC silicon controlled rectifier Tyrystory
Bardziej szczegółowoZłożone struktury diod Schottky ego mocy
Złożone struktury diod Schottky ego mocy Diody JBS (Junction Barrier Schottky) złącze blokujące na powierzchni krzemu obniżenie krytycznego natężenia pola (Ubr 50 V) Diody MPS (Merged PINSchottky) struktura
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoPrawo Ohma. qnv. E ρ U I R U>0V. v u E +
Prawo Ohma U>0V J v u J qnv u - E + J qne d J gęstość prądu [A/cm 2 ] n koncentracja elektronów [cm -3 ] ρ rezystywność [Ωcm] σ - przewodność [S/cm] E natężenie pola elektrycznego [V/cm] I prąd [A] R rezystancja
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA ELM001551W
ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD
TRAZYSTORY BPOLARE SMK WYKŁAD 9 a pdstw. W. Marciniak, WT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone 6. Zakresy pracy i układy włączania tranzystora bipolarnego Opis funkcjonalny zestaw równań wiążących
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoTranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 4
Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoWybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.
Wybrane elementy optoelektroniczne 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Podsumowanie a) b) Light Emitting Diode Diody elektrolumiscencyjne Light
Bardziej szczegółowoRys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn
Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora
Bardziej szczegółowoPrzegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy
Przegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy Rozwój przyrządów siłą napędową energoelektroniki Najważniejsze: zdolność do przetwarzania wielkich mocy (napięcia i prądy znamionowe), szybkość przełączeń,
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne
Tranzystory bipolarne Tranzystor jest to element półprzewodnikowy, w zasadzie trójelektrodowy, umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych. Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowoIA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 2
Przyrządy półprzewodnikowe część 2 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoEL08s_w03: Diody półprzewodnikowe
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez
Bardziej szczegółowoWykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowo6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE
6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6.1. WSTĘP Tranzystory unipolarne, inaczej polowe, są przyrządami półprzewodnikowymi, których działanie polega na sterowaniu za pomocą pola elektrycznego wielkością prądu przez
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe
Przyrządy półprzewodnikowe Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T Metal
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoElementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński
Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny
Repeta z wykładu nr 8 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 przegląd detektorów
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowo1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice?
1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice? 3. Scharakteryzuj sygnał analogowy i sygnał cyfrowy. Określ istotne różnice
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowo7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP
7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe, tj. mające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowo1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza
Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,
Bardziej szczegółowo4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.
4. Diody 1 DIODY PROSTOWNICE Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. jawisko prostowania: przepuszczanie przez diodę prądu w jednym kierunku, wtedy gdy chwilowa polaryzacja diody jest
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK
TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, Z. Nosal, J. Baranowski, Układy elektroniczne, PWN 2003 7. PORÓWNANIE TRANZYSTORÓW
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elementów Elektronicznych. Sprawozdanie nr Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych.
Laboratorium Elementów Elektronicznych Sprawozdanie nr 7 Tematy ćwiczeń: 13. Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych 14. Charakterystyki i parametry transoptorów
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
Bardziej szczegółowoRozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoRozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoDiody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.
Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowo