spis urządzeń użytych dnia moduł O-01

Save this PDF as:
Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "spis urządzeń użytych dnia moduł O-01"

Transkrypt

1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie wybranych reprezentatywnych elementów optoelektronicznych nadajników światła (fotoemiterów), odbiorników światła (fotodetektorów) i transoptorów oraz zapoznanie się z pojęciem łącza optoelektronicznego. Podstawowe informacje Elementami optoelektronicznymi są przyrządy półprzewodnikowe, które emitują, wykrywają lub przetwarzają światło (a raczej promieniowanie elektromagnetyczne z zakresu ultrafioletu, promieniowania widzialnego lub podczerwieni). Podstawą ich działania są zjawiska fizyczne występujące w półprzewodnikach w wyniku wzajemnego oddziaływania fotonów i elektronów - przede wszystkim zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne oraz zjawisko elektroluminescencji. Zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne w przyrządach bezzłączowych przejawia się wzrostem przewodnictwa elektrycznego (fotokonduktancja), natomiast w złączach p-n powstawaniem SEM (zjawisko fotowoltaiczne). Zjawisko elektroluminescencji to luminescencja wywołana przepływem prądu elektrycznego, powodującego np. wstrzykiwanie nośników mniejszościowych do danego obszaru półprzewodnika przez złącze p-n. Pod względem funkcjonalnym przyrządy optoelektroniczne dzielimy na: Półprzewodnikowe źródła światła (promieniowania), czyli fotoemitery grupujące diody elektroluminescencyjne (DEL, LED light emitting diode) oraz lasery półprzewodnikowe. Półprzewodnikowe detektory światła (promieniowania), czyli fotodetektory grupujące fotooporniki (elementy bezzłączowe), fotodiody i fototranzystory (elementy złączowe) oraz fotoogniwa. Półprzewodnikowe przyrządy bazujące na sprzężeniu optycznym (para złożona z fotoemitera i fotodetektora) transoptory. Przetworniki promieniowania matryce półprzewodnikowe do analizy obrazu. Wykaz aparatury pomiarowej spis urządzeń użytych dnia moduł O-01 multimetr METEX M4650 J3-T6-260/4 multimetr METEX M4650 J3-T6-264/4 multimetr METEX M4660A J3-T6-259/5 zasilacz DF1731SB3A J3-T6-259/1 generator funkcyjny DF1641A J3-T6-261/2 oscyloskop GOS-620 J3-T6-257/2

2 Wyniki pomiarów i analiza wyników Charakterystyka prądowo-napięciowo-oświetleniowa diody elektroluminescencyjnej Do pomiaru charakterystyk prądowo-napięciowo-oświetleniowych diod luminescencyjnych użyliśmy układu pomiarowego, zbudowanego w oparciu o moduł O-01, oraz multimetry METEX M4650 oraz METEXE 4660A, według poniższego schematu: Schemat 1. Schemat połączeń do wyznaczania charakterystyk prądowo-napięciowo-oświetleniowych diod Wybraliśmy 3 spośród 5 dostępnych diod: DEL 1 DEL 3 DEL 4 elektroluminescencyjnych. Otrzymaliśmy następujące pomiary:

3 nr diody DEL 1 (RED) DEL 3 (GREEN) DEL 4 (BLUE) I D [ma] U D [V] U F [V] 0,00 ± 0,03 1,499 ± 0,004 0,000 ± 0,003 2,06 ± 0,04 1,650 ± 0,004 0,013 ± 0,003 4,06 ± 0,05 1,719 ± 0,004 0,030 ± 0,003 6,09 ± 0,06 1,752 ± 0,004 0,048 ± 0,003 8,06 ± 0,07 1,773 ± 0,004 0,066 ± 0,003 10,02 ± 0,08 1,783 ± 0,004 0,084 ± 0,003 12,04 ± 0,09 1,789 ± 0,004 0,103 ± 0,003 14,09 ± 0,1 1,793 ± 0,004 0,122 ± 0,003 16,14 ± 0,1 1,796 ± 0,004 0,141 ± 0,003 18,16 ± 0,1 1,799 ± 0,004 0,160 ± 0,003 19,39 ± 0,1 1,801 ± 0,004 0,172 ± 0,003 0,00 ± 0,03 2,304 ± 0,004 0,000 ± 0,003 2,09 ± 0,04 2,802 ± 0,004 0,111 ± 0,003 3,99 ± 0,05 2,909 ± 0,004 0,191 ± 0,003 6,02 ± 0,06 2,992 ± 0,004 0,263 ± 0,003 8,19 ± 0,07 3,063 ± 0,005 0,336 ± 0,003 10,19 ± 0,08 3,120 ± 0,005 0,386 ± 0,003 12,01 ± 0,09 3,156 ± 0,005 0,431 ± 0,003 14,01 ± 0,1 3,211 ± 0,005 0,478 ± 0,003 16,15 ± 0,1 3,257 ± 0,005 0,523 ± 0,003 18,12 ± 0,1 3,297 ± 0,005 0,562 ± 0,003 19,34 ± 0,1 3,321 ± 0,005 0,585 ± 0,003 0,01 ± 0,03 2,280 ± 0,004-0,0070 ± 0,0003 2,02 ± 0,04 2,839 ± 0,004 0,0120 ± 0,0003 3,98 ± 0,05 2,902 ± 0,004 0,0295 ± 0,0003 6,18 ± 0,06 2,953 ± 0,004 0,0492 ± 0,0003 8,16 ± 0,07 2,991 ± 0,004 0,0663 ± 0, ,09 ± 0,08 3,025 ± 0,005 0,0826 ± 0, ,30 ± 0,09 3,059 ± 0,005 0,1005 ± 0, ,99 ± 0,1 3,082 ± 0,005 0,1135 ± 0, ,20 ± 0,1 3,110 ± 0,005 0,1299 ± 0, ,83 ± 0,1 3,130 ± 0,005 0,1416 ± 0, ,36 ± 0,1 3,147 ± 0,005 0,1523 ± 0,0004 Tabela 1. Pomiar charakterystyk prądowo-napięciowo-oświetleniowych wybranych diod luminescencyjnych. Podczas dokonywania pomiarów szczególną uwagę należało zwrócić na światłowód, którego nieprawidłowe ułożenie powodowało zauważalne błędy w pomiarach. Na podstawie otrzymanych danych jesteśmy w stanie narysować wykresy charakterystyk prądowonapięciowo-oświetleniowych badanych diod:

4 Wykres 1. Charakterystyki prądowo-napięciowych I D = f 1(U D) badanych diod luminescencyjnych. Kolory charakterystyk odpowiadają kolorom badanych diod. Przedstawione zależności mają charakterystyki zbliżone do eksponencjalnych, co pokrywa się z przykładowymi charakterystykami z kart katalogowych. Na podstawie otrzymanych wyników możemy również wykreślić zależności napięcia na wyjściu fotodetektora od natężenia prądu, które są w przybliżeniu proporcjonalne do natężenia emitowanego światła:

5 0,6 0,5 0,4 Uf [V] 0,3 0,2 0,1 0, Id [ma] Wykres 2. Napięcia na wyjściu fotodetektora w funkcji natężenia prądu U f = f 2(I D) (kolory odpowiadają badanym diodom) Otrzymane charakterystyki napięcia fotodetektora w funkcji natężenia prądu mają charakter zbliżony do liniowego.

6 Charakterystyka prądowo-napięciowe fotodetektorów w zależności od natężenia światła Do pomiaru charakterystyk prądowo-napięciowych fotodetektorów użyliśmy układu pomiarowego, zbudowanego w oparciu o moduł O-01, oraz multimetry METEX M4650, według poniższego schematu: Schemat 2. Schemat połączeń do wyznaczania charakterystyk prądowo-napięciowych fotodetektorów, w zależności od natężenia światła. Wybraliśmy następujące 2 z 3 dostępnych fotodetektorów: fotorezystor (FR) fotodioda (FD) Dokonaliśmy następujących pomiarów:

7 rodzaj fotoelementu fotorezystor FR fotodioda FD Φ 10% 90% 20% 100% U F [V] I F [ma] 0,000 ± 0,003 0,00 ± 0,03 1,055 ± 0,004 0,70 ± 0,03 2,032 ± 0,004 1,38 ± 0,04 3,029 ± 0,005 2,04 ± 0,04 4,360 ± 0,005 2,73 ± 0,04 5,060 ± 0,006 3,43 ± 0,05 6,065 ± 0,006 4,11 ± 0,05 7,068 ± 0,007 4,81 ± 0,05 8,028 ± 0,007 5,48 ± 0,06 0,000 ± 0,003 0,00 ± 0,03 0,337 ± 0,003 1,01 ± 0,04 0,673 ± 0,003 2,01 ± 0,04 1,015 ± 0,004 3,05 ± 0,05 1,398 ± 0,004 4,18 ± 0,05 1,686 ± 0,004 5,05 ± 0,06 2,001 ± 0,004 5,98 ± 0,06 2,313 ± 0,004 6,93 ± 0,06 2,712 ± 0,004 8,13 ± 0,07 2,998 ± 0,004 8,99 ± 0,07 3,413 ± 0,005 10,25 ± 0,08 0,000 ± 0,003 0,00 ± 0,03 1,027 ± 0,004 2,67 ± 0,04 2,071 ± 0,004 2,76 ± 0,04 3,041 ± 0,005 2,82 ± 0,04 3,995 ± 0,005 2,87 ± 0,04 5,017 ± 0,006 2,92 ± 0,04 6,003 ± 0,006 2,98 ± 0,04 7,062 ± 0,007 3,02 ± 0,05 8,068 ± 0,007 3,06 ± 0,05 9,058 ± 0,008 3,11 ± 0,05 10,010 ± 0,008 3,15 ± 0,05 11,062 ± 0,009 3,20 ± 0,05 12,325 ± 0,009 3,25 ± 0,05 0,000 ± 0,003 0,00 ± 0,03 0,097 ± 0,003 0,98 ± 0,03 0,130 ± 0,003 2,12 ± 0,04 0,152 ± 0,003 2,94 ± 0,04 0,184 ± 0,003 4,00 ± 0,05 0,230 ± 0,003 4,99 ± 0,05 0,312 ± 0,003 5,89 ± 0,06 0,412 ± 0,003 7,00 ± 0,07 0,527 ± 0,003 8,05 ± 0,07 0,647 ± 0,003 9,08 ± 0,08 0,757 ± 0,003 9,98 ± 0,08 dalej takie same wartości Tabela 2. Pomiar charakterystyk prądowo-napięciowych wybranych fotodetektorów. Podczas dokonywania pomiarów należało zwrócić szczególną uwagę na światłowód, który źle ułożony nie przewodził sygnału świetlnego między częściami modułu. Dzięki dokonanym pomiarom możemy wykreślić charakterystyki prądowo-napięciowe wybranych fotodetektorów:

8 Wykres 3. Charakterystyka prądowo-napięciowa I f = f 3(U f) badanego fotorezystora Uzyskane zależności mają charakter liniowy. Wykres 4. Charakterystyka prądowo-napięciowa I f = f 3(U f) badanej fotodiody Zgodnie z przewidywaniami teoretycznymi otrzymana charakterystyka prądowo-napięciowa fotodiody, wraz ze wzrostem U f zbliża się do funkcji stałej.

9 Rysując pionowe proste linie odpowiadające ustalonej wartości napięcia U F oraz odczytując współrzędne I F punktów możemy określić, czy zmiany natężenia oświetlenia Φ wpływają liniowo na natężenie prądu I F. Dla obu fotodetektorów ustaliliśmy wartość napięcia U F = 2V If [ma] Φ [%] Wykres 5. Zależność natężenia I F od natężenia oświetlenia Φ (I F = f 4 (Φ)) badanego fototranzystora If [ma] Φ [%] Wykres 6. Zależność natężenia I F od natężenia oświetlenia Φ (I F = f 4 (Φ)) badanej fotodiody. Zarówna dla fototranzystora, jak i fotodiody uzyskane zależności są bardzo zbliżone do zależności liniowych. Mała liczba punktów pomiarowych nie umożliwia uzyskania pełnej charakterystyki powyższej zależności. W przypadku powtarzania ćwiczenia należałoby dokonać większej ilości pomiarów, dla różnych wartości natężenia oświetlenia- zarówno dla fototranzystora, jak i fotodiody.

10 Charakterystyka przejściowa transoptora Do pomiaru charakterystyk przejściowej transoptora użyliśmy układu pomiarowego, zbudowanego w oparciu o moduł O-01, oraz multimetry METEX M4650 oraz METEXE 4660A, według poniższego schematu: Schemat 3. Schemat połączeń do wyznaczania charakterystyk przejściowych transoptora. Dokonaliśmy następujących pomiarów: U CE [V] I i [ma] I O [ma] 4,899 ± 0,005 0,00 ± 0,03 0,00 ± 0,03 4,859 ± 0,005 1,19 ± 0,04 1,11 ± 0,04 4,899 ± 0,005 1,85 ± 0,04 2,08 ± 0,04 4,891 ± 0,005 2,43 ± 0,04 3,00 ± 0,05 4,915 ± 0,005 3,05 ± 0,05 4,00 ± 0,05 4,536 ± 0,005 3,67 ± 0,05 5,01 ± 0,06 4,919 ± 0,005 4,29 ± 0,05 6,04 ± 0,06 4,915 ± 0,005 4,87 ± 0,05 7,00 ± 0,07 4,911 ± 0,005 5,51 ± 0,06 8,02 ± 0,07 4,872 ± 0,005 6,15 ± 0,06 9,06 ± 0,08 4,886 ± 0,005 6,75 ± 0,06 10,00 ± 0,08 4,963 ± 0,005 7,40 ± 0,07 11,01 ± 0,09 4,915 ± 0,005 8,10 ± 0,07 12,00 ± 0,09 4,914 ± 0,005 8,87 ± 0,07 13,00 ± 0,1 4,885 ± 0,005 9,80 ± 0,08 14,00 ± 0,1 4,880 ± 0,005 11,03 ± 0,09 14,94 ± 0,1 4,399 ± 0,005 12,55 ± 0,09 16,01 ± 0,1 4,452 ± 0,005 14,42 ± 0,1 17,00 ± 0,1 4,373 ± 0,005 16,62 ± 0,1 17,98 ± 0,1 4,612 ± 0,005 19,26 ± 0,1 19,00 ± 0,1 4,494 ± 0,005 19,52 ± 0,1 19,07 ± 0,1 Tabela 3. Tabela pomiarów dla charakterystyk przejściowych transoptora. Na podstawie uzyskanych danych możemy wykreślić charakterystykę przejściową transoptora:

11 przekładnia transoptora N = Io/Ii If [ma] Ii [ma] Wykres 5. Charakterystyka przejściowa transoptora I O = f 5(I i) Charakterystyka przejściowa pozawala na wyznaczenie wzmocnienia transoptora N: N = I O I i (1) 1,6 1,4 1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0, Ii [ma] Wykres 6. Wykres przekładni prądowej transoptora N = I O/I i w funkcji I i

12 Niemalże liniowa zależność prądu na wejściu od prądu na wyjściu w badanym transoptorze sugeruje dobrą jakość przenoszenia sygnału analogowego przez ten element optoelektroniczny. Stąd wniosek, że transoptory można wykorzystać do przenoszenia zarówno sygnałów analogowych, jak i cyfrowych, co z resztą szeroko jest wykorzystywane w praktyce. Badanie właściwości dynamicznych transoptora Do badania właściwości dynamicznych transoptora użyliśmy układu pomiarowego, zbudowanego w oparciu o moduł O-01, generatora funkcyjnego DF1641A oraz oscyloskopu GOS-620, według poniższego schematu: Schemat 4. Schemat połączeń do obserwacji zniekształceń sygnałów cyfrowych wnoszonych przez transoptor. Po wybraniu przebiegu prostokątnego, optymalnej amplitudy, przy (480 ± 4) Hz otrzymaliśmy wyraźny sygnał, bez zniekształceń Oscylogram 1. Sygnał bez zniekształceń przy f = 480 Hz CH1: 1V/DIV, CH2: 0,5V/DIV, TIME: 0.1mS/DIV Wyraźne zniekształcenia sygnału na wyjściu transoptora zaobserwowaliśmy przy częstotliwości f = (8,79 ± 0,07)kHz

13 Oscylogram 2. Sygnał zniekształcony, przy f = 8,79 CH1: 1V/DIV, CH2: 0,5V/DIV, TIME: 0.1mS/DIV Następnie połączyliśmy wejście oscyloskopu Y2 z wyjściem komparatora oraz podłączyliśmy wejścia komparatora przy użyciu zworek zgodnie z poniższym schematem: Schemat 5. Schemat połączeń do obserwacji odtwarzania kształtu sygnału cyfrowego przez komparator. Nie zmieniając częstotliwości na generatorze otrzymaliśmy następujący obraz przebiegu:

14 Oscylogram 3. Sygnał prostokątny f = odtwarzany przez komparator. CH1: 1V/DIV, CH2: 1V/DIV, TIME: 20μS/DIV Obracając gałką potencjometru P spróbowaliśmy uzyskać na wyjściu komparatora sygnał o kształcie wypełnienia zbliżonym do sygnału wejściowego: Oscylogram 4. CH1: 1V/DIV, CH2: 1V/DIV, TIME: 20μS/DIV Maksymalna zaobserwowana przez nas częstotliwość, dla której sygnał na wyjściu komparatora przypomina sygnał początkowy wynosi: f = (16,8 ± 0,4)kHZ Uzyskanych przebiegi nie są na tyle dokładne, by określić czas propagacji sygnały puszczonego przez układ transoptora z komparatorem. Układ można wysterować w taki sposób, by czas propagacji sygnału puszczonego przez ten układ był bliski czasowi propagacji oryginalnego przebiegu.

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E12FT. Elementy optoelektroniczne. Wersja 1.0 (18 marca 2016)

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E12FT. Elementy optoelektroniczne. Wersja 1.0 (18 marca 2016) Laboratorium elektroniki Ćwiczenie E12FT Elementy optoelektroniczne Wersja 1.0 (18 marca 2016) Spis treści: 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Zagrożenia... 3 3. Wprowadzenie teoretyczne... 3 4. Dostępna aparatura...

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych

LABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych Ćw. 4. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki LABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych Pomiary częstotliwościowe detektorów opis ćwiczenia Opracował zespół: pod kierunkiem Damiana Radziewicza

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady

Bardziej szczegółowo

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Wybrane elementy optoelektroniczne 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Podsumowanie a) b) Light Emitting Diode Diody elektrolumiscencyjne Light

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elementów Elektronicznych. Sprawozdanie nr Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych.

Laboratorium Elementów Elektronicznych. Sprawozdanie nr Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych. Laboratorium Elementów Elektronicznych Sprawozdanie nr 7 Tematy ćwiczeń: 13. Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych 14. Charakterystyki i parametry transoptorów

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRYCZNA I ELEKTRONICZNA. Zespół Szkół Technicznych w Skarżysku-Kamiennej. Sprawozdanie

PRACOWNIA ELEKTRYCZNA I ELEKTRONICZNA. Zespół Szkół Technicznych w Skarżysku-Kamiennej. Sprawozdanie Zespół Szkół Technicznych w Skarżysku-Kamiennej Sprawozdanie PRACOWNIA ELEKTRYCZNA I ELEKTRONICZNA imię i nazwisko z ćwiczenia nr Temat ćwiczenia: BADANIE ELEMENTÓW OPTOELEKTRONICZNYCH rok szkolny klasa

Bardziej szczegółowo

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z jednym

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW

POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW Pracownia Układów Elektronicznych i Przetwarzania ELEKTRONICZNE SYSTEMY POMIAROWE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

Bardziej szczegółowo

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego 1 I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki spektralnej nietermicznego źródła promieniowania (dioda LD

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami

Bardziej szczegółowo

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2 Elektroluminescencja SZCZECIN 2002 WSTĘP Mianem elektroluminescencji określamy zjawisko emisji spontanicznej

Bardziej szczegółowo

Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych

Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych Na rys. 3.1 przedstawiono widok wykorzystywanego w ćwiczeniu stanowiska pomiarowego do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 5 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego - Zasada

Bardziej szczegółowo

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo

Zworka amp. C 1 470uF. C2 100pF. Masa. R pom Rysunek 1. Schemat połączenia diod LED. Rysunek 2. Widok płytki drukowanej z diodami LED.

Zworka amp. C 1 470uF. C2 100pF. Masa. R pom Rysunek 1. Schemat połączenia diod LED. Rysunek 2. Widok płytki drukowanej z diodami LED. Ćwiczenie. Parametry dynamiczne detektorów i diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi parametrami dynamicznymi diod LED oraz detektorów. Poznanie możliwych do uzyskania

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe Ćwiczenie - 9 Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Przebieg ćwiczenia 2 2.1 Wyznaczanie charakterystyki przejściowej U wy = f(u we ) dla ogranicznika napięcia

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 17 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego -

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY

WZMACNIACZ OPERACYJNY 1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h) ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h) 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED Ćwiczenie. Parametry statyczne diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi właściwościami i charakterystykami diod LED. Poznanie ograniczeń i sposobu zasilania tego typu

Bardziej szczegółowo

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy optoelektroniczne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne Są one elementami sterowanymi natężeniem

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 2 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE - DIODY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Detektor Fazowy. Marcin Polkowski 23 stycznia 2008

Detektor Fazowy. Marcin Polkowski 23 stycznia 2008 Detektor Fazowy Marcin Polkowski marcin@polkowski.eu 23 stycznia 2008 Streszczenie Raport z ćwiczenia, którego celem było zapoznanie się z działaniem detektora fazowego umożliwiającego pomiar słabych i

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się ze wzmacniaczem różnicowym, który

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Marcin Polkowski (251328) 19 kwietnia 2007 r. Spis treści 1 Cel ćwiczenia 2 2 Opis ćwiczenia 2 3 Wykonane pomiary 3 3.1 Dioda krzemowa...............................................

Bardziej szczegółowo

BADANIE CHARAKTERYSTYK FOTOELEMENTU

BADANIE CHARAKTERYSTYK FOTOELEMENTU Ćwiczenie E7 BADANIE CHARAKTERYSTYK FOTOELEMENTU Przyrzady: Przyrząd do badania zjawiska fotoelektrycznego, płytki absorbenta suwmiarka, fotoelementy (fotoopór, fotodioda, lub fototranzystor). Zjawisko

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

1. Nadajnik światłowodowy

1. Nadajnik światłowodowy 1. Nadajnik światłowodowy Nadajnik światłowodowy jest jednym z bloków światłowodowego systemu transmisyjnego. Przetwarza sygnał elektryczny na sygnał optyczny. Jakość transmisji w dużej mierze zależy od

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne

Elementy optoelektroniczne Temat i plan wykładu Elementy optoelektroniczne 1. Fotorezystor 2. Dioda elektroluminiscencyjna 3. Fotodioda 4. Fototranzystor 5. Transoptor ELEKTRONIKA Jakub Dawidziuk Fotorezystory Budowa, materiały.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE

Ćwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE Ćwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe rodzaje diod półprzewodnikowych................... 3 2.1.1 Dioda

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa

E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa 1/5 E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa Celem ćwiczenia jest poznanie podstaw zjawiska konwersji energii świetlnej na elektryczną, zasad działania fotoogniwa oraz wyznaczenie jego podstawowych

Bardziej szczegółowo

Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA

Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ, Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA Ćwiczenie 5 ELEMENTY I UKŁADY OPTOELEKTRONICZNE Pojęcia

Bardziej szczegółowo

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 9 Pracownia Elektroniki Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: klasyfikacje

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI

LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI ĆWICZENIE 1 ŹRÓDŁA ŚWIATŁA Gdańsk 2001 r. ĆWICZENIE 1: ŹRÓDŁA ŚWIATŁA 2 1. Wstęp Zasada działania półprzewodnikowych źródeł światła (LED-ów i diod laserowych LD) jest bardzo

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie : Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie generatorów sinusoidalnych (2h)

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie generatorów sinusoidalnych (2h) ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie generatorów sinusoidalnych (2h) 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych typów generatorów sinusoidalnych.

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 6. Wzmacniacze operacyjne - zastosowanie liniowe

Ćwiczenie - 6. Wzmacniacze operacyjne - zastosowanie liniowe Ćwiczenie - 6 Wzmacniacze operacyjne - zastosowanie liniowe Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Przebieg ćwiczenia 2 2.1 Wyznaczenie charakterystyk przejściowych..................... 2 2.2 Badanie układu różniczkującego

Bardziej szczegółowo

PL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13

PL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13 PL 222455 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 222455 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 399143 (51) Int.Cl. H02M 5/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra utomatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIK ENS1C300 022 WYBRNE ZSTOSOWNI DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BIŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Laboratorium elektroniki i miernictwa

Laboratorium elektroniki i miernictwa Numer indeksu 150946 Michał Moroz Imię i nazwisko Numer indeksu 151021 Paweł Tarasiuk Imię i nazwisko kierunek: Informatyka semestr 2 grupa II rok akademicki: 2008/2009 Laboratorium elektroniki i miernictwa

Bardziej szczegółowo

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. 1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 8. Generatory

Ćwiczenie - 8. Generatory 1 U U 2 LABOATOIUM ELEKTONIKI Ćwiczenie - 8 Generatory Spis treści 1 el ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Wiadomości ogólne.................................. 2 3 Przebieg ćwiczenia 3 3.1 Badanie

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach

Bardziej szczegółowo

Wstęp. Doświadczenia. 1 Pomiar oporności z użyciem omomierza multimetru

Wstęp. Doświadczenia. 1 Pomiar oporności z użyciem omomierza multimetru Wstęp Celem ćwiczenia jest zaznajomienie się z podstawowymi przyrządami takimi jak: multimetr, oscyloskop, zasilacz i generator. Poznane zostaną również podstawowe prawa fizyczne a także metody opracowywania

Bardziej szczegółowo

Technik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne

Technik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne 1 Technik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne Mała firma elektroniczna wyprodukowała tani i prosty w budowie prototypowy generator funkcyjny do zastosowania w warsztatach amatorskich. Podstawowym układem

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

Imię i nazwisko (e mail) Grupa:

Imię i nazwisko (e mail) Grupa: Wydział: EAIiE Kierunek: Imię i nazwisko (e mail) Rok: Grupa: Zespół: Data wykonania: LABORATORIUM METROLOGII Ćw. 12: Przetworniki analogowo cyfrowe i cyfrowo analogowe budowa i zastosowanie. Ocena: Podpis

Bardziej szczegółowo

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

Przetwarzanie AC i CA

Przetwarzanie AC i CA 1 Elektroniki Elektroniki Elektroniki Elektroniki Elektroniki Katedr Przetwarzanie AC i CA Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego opracował: Łukasz Buczek 05.2015 1. Cel ćwiczenia 2 Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

POMIARY OSCYLOSKOPOWE. Instrukcja wykonawcza

POMIARY OSCYLOSKOPOWE. Instrukcja wykonawcza ĆWICZENIE 51 POMIARY OSCYLOSKOPOWE Instrukcja wykonawcza 1. Wykaz przyrządów a. Oscyloskop dwukanałowy b. Dwa generatory funkcyjne (jednym z nich może być generator zintegrowany z oscyloskopem) c. Przesuwnik

Bardziej szczegółowo

E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa

E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa 1/5 E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa Celem ćwiczenia jest zapoznanie z podstawami zjawiska konwersji energii świetlnej na elektryczną,

Bardziej szczegółowo

WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA

WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA INSTYTUT OPTOELEKTRONIKI LABORATORIUM DETEKCJI SYGNAŁÓW OPTYCZNYCH GRUPA:.. Skład podgrupy nr... 1.. 2.. 3.. 4.. 5.. 6.. PROTOKÓŁ DO ĆWICZENIA nr.. Temat ćwiczenia: Pomiary

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7 Przetworniki A/C i C/A

Ćw. 7 Przetworniki A/C i C/A Ćw. 7 Przetworniki A/C i C/A 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zasadami przetwarzania sygnałów analogowych na cyfrowe i cyfrowych na analogowe poprzez zbadanie przetworników A/C i

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy

Bardziej szczegółowo

2.1. Charakterystyki statyczne i parametry fotodiody krzemowej

2.1. Charakterystyki statyczne i parametry fotodiody krzemowej 1. CL ĆWCNA Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów wybranych półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych. Przedmiotem ćwiczenia jest otodioda krzemowa, diody elektroluminescencyjne

Bardziej szczegółowo

V. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

V. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA 1 V. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA Cel ćwiczenia : Pomiar charakterystyk elektrycznych diod elektroluminescencyjnych. Zagadnienia: Emisja spontaniczna, złącze p-n, zasada działania diody elektroluminescencyjnej

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 21. Badanie właściwości dynamicznych obiektów II rzędu. Zakres wymaganych wiadomości do kolokwium wstępnego: Program ćwiczenia:

Ćwiczenie 21. Badanie właściwości dynamicznych obiektów II rzędu. Zakres wymaganych wiadomości do kolokwium wstępnego: Program ćwiczenia: Ćwiczenie Badanie właściwości dynamicznych obiektów II rzędu Program ćwiczenia:. Pomiary metodą skoku jednostkowego a. obserwacja charakteru odpowiedzi obiektu dynamicznego II rzędu w zależności od współczynnika

Bardziej szczegółowo

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Instrukcja wykonawcza 1. Wykaz przyrządów 1. Panel z ogniwami 5. Zasilacz stabilizowany oświetlacza 2. Oświetlacz 3. Woltomierz napięcia stałego 4. Miliamperomierz

Bardziej szczegółowo

IV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego

IV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego 1 V. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego Cel ćwiczenia: 1.Zbadanie zależności fotoprądu zwarcia i fotonapięcia zwarcia od natężenia oświetlenia. 2. Wyznaczenie sprawności energetycznej baterii słonecznej.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia

Bardziej szczegółowo

Model układu z diodami LED na potrzeby sygnalizacji świetlnej. Czujniki zasolenia przegląd dostepnych rozwiązań

Model układu z diodami LED na potrzeby sygnalizacji świetlnej. Czujniki zasolenia przegląd dostepnych rozwiązań Model układu z diodami LED na potrzeby sygnalizacji świetlnej Projekt i wykonanie modelu sygnalizacji świetlnej na bazie diod LED. Program sterujący układem diod LED na potrzeby sygnalizacji świetlnej

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data

Bardziej szczegółowo

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016)

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016) Laboratorium elektroniki Ćwiczenie E14IS Elementy logiczne Wersja 1.0 (29 lutego 2016) Spis treści: 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Zagrożenia... 3 3. Wprowadzenie... 3 4. Dostępna aparatura... 5 4.1. Moduł doświadczalny...

Bardziej szczegółowo

Światłowodowy kanał transmisyjny w paśmie podstawowym

Światłowodowy kanał transmisyjny w paśmie podstawowym kanał transmisyjny w paśmie podstawowym Układ do transmisji binarnej w paśmie podstawowym jest przedstawiony na rys.1. Medium transmisyjne stanowi światłowód gradientowy o długości 3 km. Źródłem światła

Bardziej szczegółowo

Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC

Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC Instytut Fizyki ul. Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 6 Pracownia Elektroniki. Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC........ (Oprac. dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia:

Bardziej szczegółowo