Przyrządy półprzewodnikowe część 5
|
|
- Juliusz Stefaniak
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Przyrządy półprzewodikowe część 5 Prof. Zbigiew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodikowych i Optoelektroiczych pokój: zbigiew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T
2 Przyrządy Mocy Przyrządy mocy - przegląd Podstawowe cechy : główe zastosowaia klucze w obwodach DC i AC duże wymiary wymagaja chłodzeia duża jedostkowa cea
3 Przyrządy Mocy Przyrządy mocy - przegląd Podstawowe wymagaia : duży prąd przewodzeia : typowo A, max. 6 ka duże apięcie blokowaia : typowo 300V - 2kV, max. 10 kv duża częstotliwość przełączaia : dla bipolarych > 10 khz dla uipolarych > 100kHz małe straty mocy (U o I o ) w staie przewodzeia proste sterowaie
4 Przyrządy Mocy Przyrządy mocy - przegląd Bipolare Trazystory bipolare Diody Tyrystory TO BiMOS Trazystory z izolowaą bramką (IBT) Static Iductio Thyristor (SITh) Uipolare Trazystory MOSFET Trazystory JFET
5 Bipolare Przyrzady Mocy - Trazystor bipolary Trazystor wysokoapięciowy - kostrukcja Rozkład domieszkowaia U CE0 150 V: B E p + C Cecha charakterystycza:: Złącze kolektorowe wykoae jako złącze wysokoapięciowe z szeroką warstwą iskodomieszkowaą, odpowiedzialą za wartość blokowaego apięcia
6 Bipolare Przyrzady Mocy - Trazystor bipolary Trazystor wysokoapięciowy Charakterystyki wyjściowe: A B C Charakterystycze obszary:: A Obszar pełego asyceia B Obszar quasi-asyceia C Obszar aktywy
7 Bipolare Przyrzady Mocy - Trazystor bipolary Trazystor Darligtoa Idea- rozwiązaie techicze - struktura B B E
8 Bipolare Przyrządy Mocy - Tyrystor Zasada budowy Jest to przyrząd 3-złączowy pochodzący od zaego układu dwutrazystorowego, tzw. łączika TT: struktura -p--p cztery warstwy p A A I A trzy złacza T2 three electrodes: A aoda p T1 K katoda I bramka K K I K = I A + I
9 Bipolare Przyrządy Mocy - Tyrystor Zasada działaia polaryzacja wstecza - U AK < 0, przyrząd może jedye blokować apięcie, polaryzacja w kieruku przewodzeia - U AK > 0, przyrząd blokuje apięcie lub może być przełączoy w sta przewodzeia (duży aodowy prąd I A przy małym spadku apięcia), p A p K T1 K A I A T2 I K = I A + I I przyrząd jest steroway prądem bramki I, który może go załączyć przy polaryzacji w kieruku przewodzeia, w ormalych tyrystorach wyłączeie prądem bramki ie jest możliwe (jest oo możliwe jedyie w tyrystorach TO).
10 Bipolare Przyrządy Mocy - Tyrystor Załączaie bramkowe sta blokowaia: U AK = U ext > 0, I = 0, I A = 0 A I A = I E2 I T start załączaia : U AK = U ext > 0, I = I 0 > I mi, I C1 = I C2 = 0 I A = 0 sta przejściowy dodatie I C1 = I B2 T1 T2 I C2 I B1 I U AK sprzężeie zwrote: I A = I C1 + I C2 K I K = I E1 I B1 = I = I 0 I B2 = I C1 = 1 I 0 I C1 = 1 I 0 I C2 = 2 I B2 = 1 2 I 0 I B1 = I C2 + I 0 I C1 = 1 I B1 = 1 (I C2 +I 0 ) I B2 = I C1 = 1 (I C2 +I 0 ) I C2 = 2 I B2 = 1 2 (I C2 +I 0 ) I C1 =..I C2 =...
11 Bipolare Przyrządy Mocy - Tyrystor Załączaie bramkowe sta blokowaia: U AK = U ext > 0, I = 0, I A = 0 A I A = I E2 I T start załączaia : U AK = U ext > 0, I = I 0 > I mi, I C1 = I C2 = 0 I A = 0 sta przejściowy dodatie I C1 = I B2 T1 T2 I C2 I B1 I U AK sprzężeie zwrote: I A = I C1 + I C2 K I K = I E1 I B1 = I = I 0 I B2 = I C1 = 1 I 0 I C1 = 1 I 0 I C2 = 2 I B2 = 1 2 I 0 I C1 =..I C2 =... sta przewodzeia: I = 0 I = 0, I A = I K U AK = U T = 1,6 2 V
12 Bipolare Przyrządy Mocy - Tyrystor Załączaie bramkowe I M amplituda prądu bramki I M I U D I T apięcie blokowaia prąd przewodzeia tyrystora 0.1I M t t t t d czas trwaia impulsu prądu bramki czas opóźieia U DM U AK t d t r 0.9U D 0.1U D t t r czas arastaia I A I T t o = t d + t r t
13 Bipolare Przyrządy Mocy - Tyrystor Charakterystyka bramkowa A obszar iemożliwych przełączeń tyrystora B obszar iepewego wyzwalaia I C obszar pewego wyzwalaia I FM P max I T U T prąd przełączający bramki apięcie przełączające bramki I T B C I FM szczytowy prąd przewodzeia bramki A U T U FM U U FM szczytowe apięcie przewodzeia bramki
14 Bipolare Przyrządy Mocy - Tyrystor Wyłączaie wymuszoe obwód wyłączaia wymuszoego E t d R Th I T t E U T t d czas dyspooway określoy przez obwód zewętrzy
15 Bipolare Przyrządy Mocy - Tyrystor Wyłączaie wymuszoe E t d R Th I T Proces wyłączaia t E U T I T U T t q t q czas wyłączaia, określoy przez zjawiska wewątrz tyrystora prowadzące do odzyskaia zdolości blokowaia apięcia
16 Uipolare Przyrządy Mocy SIT Wywodzący się z idei JFET Static Iductio Trasistor SIT (uipolary) p S D Kostrukcja bramki zagrzebaej Kostrukcja SIT jest wzorowaa a idei lampy elektroowej triody
17 Uipolare Przyrządy Mocy Trazystor VMOS Wywodzący się z idei MOSFET Vertical MOS VMOS (uipolary) p S S Pojedycza komórka przyrząd składa - się z tysięcy takich komórek + D Idetyczość komórek MOS jest uzyskiwaa dzięki jedorodości procesu suchego trawieia
18 Uipolare Przyrządy Mocy Trazystor VDMOS Wywodzący się z idei MOSFET Vertical Double Diffusio VDMOS (uipolary) S p S Pojedycza komórka - przyrząd składa się z tysięcy takich komórek + D Idetyczość komórek MOS jest uzyskiwaa dzięki jedorodości procesu podwójej dyfuzji (jeda maska dla wysp i p)
19 Uipolare Przyrządy Mocy Trazystor CoolMOS Wywodzący się z idei MOSFET CoolMOS (uipolary) Pojedycza komórka przyrząd składa się z tysięcy takich komórek Idetyczość komórek jest uzyskiwaa m.i. dzięki jedorodości procesu podwójej dyfuzji (jeda maska dla wysp i p)
20 Bi-MOS Przyrządy Mocy Tyrystor SITh Wywodzący się z idei JFET Static Iductio Thyristor SITh (Bi-MOS) SIT S SITh K + + p Złącze emiterowe + p + D A
21 Bi-MOS Przyrządy Mocy Trazystor IBT Wywodząca się z idei trazystora bipolarego Itegrated ate Bipolal Trasistor IBT (Bi-MOS) S p + D Wyjściowa struktura MOS - S + D
22 Bi-MOS Przyrządy Mocy Trazystor IBT Idea trazystora IBT Itegrated ate Bipolal Trasistor IBT (Bi-MOS) VDMOS IBT S E p + p + E p + C D C I B =0
23 Bi-MOS Przyrządy Mocy Trazystor IBT Idea trazystora IBT Sta przewodzeia - proces przełączaia I Cm 0.9I Cm I C t s t f Charakterystyka trazystora p--p + 0.1I Cm t d t r t I E E p + I ed E t s = 0 U CE - p + C I he C
24 Bi-MOS Przyrządy Mocy Trazystor IBT Charakterystyki Trazystora E p Wyłączeie w obwodzie z R i L - p + C Charakterystyka statycza I-V
25 Zitegrowae Przyrządy Mocy - IPM IPM Iteligemt Power Module
Przyrządy półprzewodnikowe część 5
Przyrządy półprzewodikowe część 5 Prof. Zbigiew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodikowych i Optoelektroiczych pokój: 116 e-mail: zbigiew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T
Bardziej szczegółowoElementy i Układy Sterowania Mocą
Elementy i Układy Sterowania Mocą Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 15 godz. laboratorium 15 godz. Materiały
Bardziej szczegółowoElementy i Układy Sterowania Mocą
Elementy i Układy Sterowania Mocą Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 15 godz. laboratorium 15 godz. Materiały
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoProwadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik. Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h
Prowadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h Materiały półprzewodnikowe Metal Półprzewodnik Izolator T T T Materiały
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające
Elementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające Tyrystory konwencjonalne - wprowadzenie A I A p 1 p 1 j 1 + G n 1 G n 1 j C - p 2 p 2 j 2 n 2 n 2 K I K SRC silicon controlled rectifier Tyrystory
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoPrzegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy
Przegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy Rozwój przyrządów siłą napędową energoelektroniki Najważniejsze: zdolność do przetwarzania wielkich mocy (napięcia i prądy znamionowe), szybkość przełączeń,
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe JFET, MOSFET
Tranzystory polowe JFET, MOSFET Zbigniew Usarek, 2018 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy JFET Zasada
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE.
POLITECHNIK ŚLĄSK WYDZIŁ INŻYNIERII ŚRODOWISK I ENERGETYKI INSTYTUT MSZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LBORTORIUM ELEKTRYCZNE Badanie tyrystora (E 9) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ 3 1. Cel ćwiczenia
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.
12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 6
Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ (IGBT)
Laboratorium Energoelektroniki BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ (IGBT) Prowadzący: dr inż. Stanisław Kalisiak dr inż. Marcin Hołub mgr inż. Michał Balcerak mgr inż. Tomasz Jakubowski
Bardziej szczegółowoZłożone struktury diod Schottky ego mocy
Złożone struktury diod Schottky ego mocy Diody JBS (Junction Barrier Schottky) złącze blokujące na powierzchni krzemu obniżenie krytycznego natężenia pola (Ubr 50 V) Diody MPS (Merged PINSchottky) struktura
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)
Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (IFET) ze złączem ms (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy (TFT) z kanałem zuobożanym
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy
Bardziej szczegółowoDziałanie przetwornicy synchronicznej
Działanie przetwornicy synchronicznej Dodatkowy tranzystor musi być wysterowywany impulsem ugs dokładnie wtedy, kiedy dioda przewodziłaby, czyli główny tranzystor nie przewodzi przełączanie obu musi być
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoWłączanie i wyłączanie tyrystora. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia;
. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia; Zapoznanie się z budową, działaniem i zastosowaniem tyrystora. Zapoznanie się z budową, działaniem i zastosowaniem tyrystora w obwodzie kondensatorem.
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoANALOGOWE I MIESZANE STEROWNIKI PRZETWORNIC. Ćwiczenie 3. Przetwornica podwyższająca napięcie Symulacje analogowego układu sterowania
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoTemat: Tyrystor i triak.
Temat: Tyrystor i triak. Tyrystor jest to półprzewodnikowy element który składa się z 4 warstw w układzie P N P N. Jest on wyposażony w 3 elektrody, z których dwie są przyłączone do warstw skrajnych, a
Bardziej szczegółowoRozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoAC/DC. Jedno połówkowy, jednofazowy prostownik
AC/DC Przekształtniki AC/DC można podzielić na kilka typów, mianowicie: prostowniki niesterowane; prostowniki sterowane. Zależnie od stopnia skomplikowania układu i miejsca przyłączenia do sieci elektroenergetycznej
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoRozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA
ĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA 10.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości sterowanych elementów półprzewodnikowych, wykorzystujących struktury p - n - p - n, głównie
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoSERIA IV. 1. Tranzystor unipolarny: budowa, symbole, zastosowanie, parametry.
SERIA IV ĆWICZENIE _ Temat ćwiczenia: Badanie tranzystorów unipolarnych. Wiadomości do powtórzenia:. Tranzystor unipolarny: budowa, symbole, zastosowanie, parametry.. Charakterystyki statyczne tranzystora
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe
Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (GFET) ze złączem m-s (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy
Bardziej szczegółowoZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY RE. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych tranzystora. - Wyznaczenie podstawowych parametrów tranzystora
Bardziej szczegółowoMiniaturowy powielacz napięcia w układzie Cockcroft'a Walton'a. Specyfikacja techniczna v.1
Miniaturowy powielacz napięcia w układzie Cockcroft'a Walton'a Specyfikacja techniczna v.1 Szczegóły produktu jest miniaturowym, szeregowym 14 stopniowym powielaczem napięcia. Umożliwia uzyskanie napięcia
Bardziej szczegółowoLekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.
Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu
Bardziej szczegółowo7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP
7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe, tj. mające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoWprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki
Wprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki Małgorzata Napieralska Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych tel. 26-55 mnapier@dmcs.p.lodz.pl Literatura W. Marciniak Przyrządy półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH 3. Przegląd właściwości łączników mocy 3.7 Nietypowe i rzadko stosowane łączniki mocy/ Kierunki rozwoju i specyfika aplikacji
Bardziej szczegółowoModuł Zasilacza Buforowego MZB-01EL
EL-TEC Sp. z o.o. ul. Wierzbowa 46/48 93-133 Łódź tel: +48 42 663 89 05 fax: +48 42 663 89 04 e-mail: info@el-tec.com.pl http://www.el-tec.com.pl Moduł Zasilacza Buforowego Dokumentacja Techniczno Ruchowa
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 4
Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoInstrukcja obsługi (wersja 2)
Instrukcja obsługi (wersja 2) Układ kondensatora - typ RFS5001A Szczegóły produktu Układ kondensatora typu RFS5001A jest wysokosprawnym zasilaczem ładującym dołączony kondensator do zadanego wcześniej
Bardziej szczegółowoTranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH. Ćwiczenie nr 6 TYRYSTOR
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 6 TYRYSTOR Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych
Bardziej szczegółowoWoltomierz analogowy AC/DC [ BAP_ doc ]
Woltomierz analogowy AC/DC [ ] Uwagi wstępne dot. obsługi Ustawić przyrząd w stabilnej pozycji (poziomej lub nachylonej). Sprawdzić, czy igła jest ustawiona na pozycji zerowej (śruba regulacji mechanicznej
Bardziej szczegółowoPL B1. Przekształtnik rezonansowy DC-DC o przełączanych kondensatorach o podwyższonej sprawności
PL 228000 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 228000 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 412712 (51) Int.Cl. H02M 3/07 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowostrona 1 MULTIMETR CYFROWY M840D INSTRUKCJA OBSŁUGI
strona 1 MULTIMETR CYFROWY M840D INSTRUKCJA OBSŁUGI 1. WPROWADZENIE. Prezentowany multimetr cyfrowy jest zasilany bateryjnie. Wynik pomiaru wyświetlany jest w postaci 3 1 / 2 cyfry. Miernik może być stosowany
Bardziej szczegółowoBadanie diody półprzewodnikowej
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 2 Pracownia Elektroniki Badanie diody półprzewodnikowej Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: (Oprac dr Radosław Gąsowski) półprzewodniki samoistne
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO
LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.
Bardziej szczegółowoSterownik dla podajników wibracyjnych
EEKTROIK Instrukcja obsługi Sterownik dla podajników wibracyjnych REO CROMA Sp. z o.o. l. Pożaryskiego 28 04-703 WARSZAWA Tel. 22/8126182; 8123066 Fax 22/8156906 email: croma@croma.com.pl Sterownik dla
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 26/16
PL 227999 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 227999 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 412711 (51) Int.Cl. H02M 3/07 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoKARTA PRZEDMIOTU. studia niestacjonarne. Kod przedmiotu:
(pieczęć wydziału) KARTA PRZEDMIOTU Nazwa przedmiotu: PODSTAWY ELEKTROTECHNIKI, MIERNICTWA I ELEKTRONIKI Karta przedmiotu ważna od roku akademickiego: 2014/2015 Forma kształcenia: studia niestacjonarne
Bardziej szczegółowoRys.1. Układy przełączników tranzystorowych
KLUCZ TRANZYSTOROWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia jest badanie elementarnych układów przełączających (kluczy). Przeprowadza się pomiary i obserwacje przebiegów czasowych w układach podstawowych: tranzystorowym
Bardziej szczegółowoPolitechnika Śląska w Gliwicach Wydział Elektryczny
Politechnika Śląska w Gliwicach Wydział Elektryczny Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki Straty mocy w wybranych topologiach przekształtnika sieciowego dla prosumenckiej mikroinfrastruktury
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK
TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, Z. Nosal, J. Baranowski, Układy elektroniczne, PWN 2003 7. PORÓWNANIE TRANZYSTORÓW
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH 3. Przegląd właściwości łączników mocy 3.4 Tyrystor GTO/Tyrystor GCT 3.5 Tranzystor polowy MOSFET 3.6 Tranzystor IGBT
Bardziej szczegółowoEL08s_w03: Diody półprzewodnikowe
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz tranzystorowy
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.
Bardziej szczegółowo(1) gdzie I sc jest prądem zwarciowym w warunkach normalnych, a mnożnik 1,25 bierze pod uwagę ryzyko 25% wzrostu promieniowania powyżej 1 kw/m 2.
Katarzya JARZYŃSKA ABB Sp. z o.o. PRODUKTY NISKONAPIĘCIOWE W INSTALACJI PV Streszczeie: W ormalych warukach pracy każdy moduł geeruje prąd o wartości zbliżoej do prądu zwarciowego I sc, który powiększa
Bardziej szczegółowoProstowniki. Prostownik jednopołówkowy
Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego
Bardziej szczegółowoPLAN PREZENTACJI. 2 z 30
P O L I T E C H N I K A Ś L Ą S K A WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA ENERGOELEKTRONIKI, NAPĘDU ELEKTRYCZNEGO I ROBOTYKI Energoelektroniczne przekształtniki wielopoziomowe właściwości i zastosowanie dr inż.
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując
Bardziej szczegółowoModuł wejść/wyjść VersaPoint
Moduł obsługuje wyjściowe sygnały dyskretne 24VDC. Parametry techniczne modułu Wymiary (szerokość x wysokość x głębokość) Rodzaj połączeń 12.2mm x 120mm x 71.5mm (0.480in. x 4.724in. x 2.795in.) 2-, 3-
Bardziej szczegółowoKarta charakterystyki online. i10-e0454 Lock i10 Lock ZAMKI BEZPIECZEŃSTWA Z RYGLOWANIEM
Karta charakterystyki online i1-e454 Lock i1 Lock A B C D E F Aktywator nie znajduje się w zakresie dostawy Informacje do zamówienia Typ Nr artykułu i1-e454 Lock 64556 Aktywator należy zamówić oddzielnie.
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 2
Przyrządy półprzewodnikowe część 2 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoTyrystorowy przekaźnik mocy
+44 1279 63 55 33 +44 1279 63 52 62 sales@jumo.co.uk www.jumo.co.uk Tyrystorowy przekaźnik mocy ze zintegrowanym radiatorem do montażu na szynie DIN lub powierzchniach płaskich Karta katalogowa 70.9020
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE RE. 0.4 1. CEL ĆWICZENIA Wyznaczenie podstawowych parametrów tranzystora unipolarnego takich jak: o napięcie progowe, o transkonduktancja,
Bardziej szczegółowoWybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.
Wybrane elementy optoelektroniczne 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Podsumowanie a) b) Light Emitting Diode Diody elektrolumiscencyjne Light
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne w układach CMOS i ich modelowanie
Tranzystory bipolarne w układach CMOS i ich modelowanie 1. Po co modelujemy tranzystory bipolarne? W analogowych układach CMOS pasożytnicze struktury bipolarne bywają wykorzystywane jako elementy aktywne.
Bardziej szczegółowoDane techniczne. Dane ogólne Funkcja elementów przełączających NAMUR, NC Nominalny zasięg działania s n 4 mm. 2,2 ma Płyta pomiarowa wykryta
0102 Opis zamówienia Cechy 4 mm zabudowany Do zastosowania do SIL 2 zgodnie z IEC 61508 Akcesoria BF 12 Kołnierz montażowy, 12 mm Dane techniczne Dane ogólne Funkcja elementów przełączających NAMUR, NC
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZE MOCY. Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe.
WZMACACZE MCY Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe. Wymagania i klasyfikacja uzyskanie małej rezystancji wyjściowej aby dostarczyć
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elementów Elektronicznych. Sprawozdanie nr Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych.
Laboratorium Elementów Elektronicznych Sprawozdanie nr 7 Tematy ćwiczeń: 13. Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych 14. Charakterystyki i parametry transoptorów
Bardziej szczegółowo