ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE
|
|
- Klaudia Chrzanowska
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 EEMENTY OPTOEEKTRONICZNE Plan wykładu: 1. Oddziaływanie fotonów z materią. Fotodioda 3. Dioda świecąca 4. asery półprzewodnikowe 1
2 Oddziaływanie fotonów z materią pasmo przewodnictwa przerwa energetyczna pasmo walencyjne absorpcja emisja spontaniczna emisja wymuszona FOTODIODY
3 Fotodioda p-np światło p dyfuzja n absorbowana moc optyczna + - unoszenie - dyfuzja E c odległość + + E v Fotodioda p-i-np światło p i n natężenie pola odległość 3
4 Czułość fotodiody = I P q λ = η h c R F λ η = η = strumień gen. par e-h, pow. przepływ prądu strumień padających fotonów prawdopodobieństwo, że foton wygeneruje parę e-h ( 1 r)( 1 ξ )( 1 ( α A W )) η = exp Współczynnik absorpcji wsp. absorpcji α A [cm -1 ] głębokość wnikania [µ m] długość fali [µm] 4
5 Sprawność kwantowa 1 sprawność s pr. kw. kwantowa α A =1µm -1 α A =.1µm w [um] długość w [um] ( 1 r)( 1 ξ )( 1 ( α A W )) η = exp Czułość i charakterystyka spektralna 1. I P q λ = η h c F R = λ czułość [A/W].5 responsivity [A/W] Si InGaAsP Ge InGaAs 5 wavelength [nm] 1 15 długość fali [nm] 5
6 Jak zwiększyć czułość fotodiody? I P q λ = η h c F R = λ η = ( 1 r)( 1 ξ )( 1 exp( α AW )) η = strumień gen. par e-h, pow. przepływ prądu strumień padających fotonów η > 1 (?) Fotodioda lawinowa APD Fotodioda lawinowa Fotodioda lawinowa (Avalanche Photodiode) APD Avalanche Photodiode światło absorpcja powielanie p i p n + metalizacja n + p + p i natężenie pola odległość 6
7 Fotodioda lawinowa (APD) - p i p n + I p prądy w stanie ustalonym i h () i e () i e (W) i h (W)= Wzmocnienie APD i e i h die dx dih dx = α i + α i e e e e h h = α i + α i h h M ie = i dx ( W ) 1 k = ( ) exp( ( k 1) α W ) k e e I = i ( x) i ( x) e + h I. α h = k = II. α e = α h k = 1 M = exp( α e W ) 1 M = 1 α e W Dla InGaAs α e = 1 5 V/cm W = 5µ M 148 α e x W = 1 M (przebicie lawinowe) 7
8 t t t Mikroskopowe spojrzenie na APD absorpcja w d powielanie w m prąd elektronów i e(t) prąd dziur I h(t) x absorpcja fotonu τ m e v h w d + w m e v e w d + w m powielenie elektronu powielenie dziury wd vh Polaryzacja APD +5V +5-7V +5-7V PWM - + U REF 8
9 pojemność [pf] pojemność [pf] Szybkość działania fotodiody stała czasowa τ τ tr + τ RC czas przelotu nośników τ tr w/v h (~ 1 ps) stała czasowa obudowy τ RC ~ 1 ps składowe dyfuzyjne prądu fotodioda heterozłączowa Stała czasowa obudowy 1. EPM75.4 EPM napięcie wsteczne [V] napięcie wsteczne [V] 9
10 33µm 5µm Fotodioda heterozłączowa Au/AuSn 4 µm p i n InP InGaAs InP n + InP (podłoże) InP E g =1.35 ev; λ =.9µm InGaAs E g =.75 ev; λ =1.65µm Fotodiody PIN (.5 Gb/s) APD (.5 Gb/s) 1
11 DIODY ŚWIECĄCE (ED) Elementy świecące - materiały długość fali [µm] mieszaniny ternarne Ga1-xInxSb InAs1-xPx materiały o wartościowościach III - V przerwa energetyczna: prosta skośna stała sieci [Å] In1-xGaxAs InAsyP1-y mieszaniny quaternarne In1-xGaxAsyP1-y przerwa energetyczna [ev] E gq = hν = hc/λ λ = hc/e gq 1.4/E g [ev] 11
12 Dioda świecąca (ED) ~5 µm SiO metal wytrawiona studnia światło światłowód obszar świecący żywica epoksydowa n - GaAs struktura powierzchniowa (Burrus a) Moc sprzęgnięta do włókna: n - AlGaAs p - GaAs gradientowe - µw p - AlGaAs p + - GaAs jednomodowe - 1- µw metal SiO struktura krawędziowa p + - GaAs p - GaAlAs światło Moc sprzęgnięta do włókna: n - GaAlAs gradientowe - 5 µw n + GaAs podłoże jednomodowe - 3 µw Równanie bilansu szybkość generacji [szt/m 3 x s] dn dt = G R szybkość rekombinacji [szt/m 3 x s] G = I qv R + N = R p Rnp R = ; Rp = ; Rnp = ; τ c < τ sp, τ τ np c τ sp τ np N N Si Ga As Ga N τ s p τ n p τ c η i 1 m s 1 n s 1 n s n s 1 n s 5 n s.5 n s 1 p s 1 p s. 5 dn dt = I qv N τ c 1
13 Równanie bilansu w st. ustalonym: Moc optyczna: Moc emitowana: Charakterystyka statyczna i dn dt P = R λ p P = η P = I qv V h ν = e i = N = N = τ I q I ηeη i hν q c τ c h ν = τ sp I qv I q τ c h ν η i Charakterystyka częstotliwościowa I ( t) = I I exp( jω t) + m m I ~ I m N ( t) = N N exp( jω t) + m m H ( ω) N = N ( ω) ( ) P = P m m ( ω) 1 = ( ) 1+ jωmτ c N ( ω ) m τ ci m qv = 1+ jω τ m -3 db opt = -6 db el -3 db el = -1.5 db opt c f g _ opt = 3 πτ c f g _ el = 1 πτ c τ c ~ 3-5 ns f g ~ 5-1 MHz 13
14 ASERY PÓŁPRZEWODNIKOWE 14
15 Schemat ideowy lasera (każdego) źródło energii pompowanie ośrodek aktywny światło rezonator (sprzężenie zwrotne) lustro HR aser He-Ne ośrodek aktywny: zjonizowany gaz mieszaniny He-Ne okno Brewstera lustro OC A K światło Free Electron aser wiązka elektronów wiggler undulator pułapka magnesy stałe lustra rezonatora 15
16 Zasada działania em is ja spon ta n iczn a gc(λ) ( ) e g c λ wyjś cie λ P λ π N-1 N N+1 φ(λ) φ(λ) λ P λ Prosty laser półprzewodnikowy prąd obszar aktywny płaszczyzny krysta liczne lus tra r 1 ośrodek wzmacniający z= z = 13 re zonator F abry-p erot'a r 16
17 Wzmocnienie w obszarze aktywnym lasera emisja wymuszona emisja spontaniczna Rezonator Fabry-Perot (longitudinal confinement) 3 3 ( j k ) t re i exp ( j k ) t r E i exp 8 ( j k ) t r E i exp 6 ( j k ) t r E i exp ( j k) tre i exp 3 ( j k) tr E i exp 9 ( j k) tr E i exp 7 ( j k) tr E i exp 5 E i t E i te i exp ( jk) t, r - zdefiniowane dla MOCY 17
18 Charakterystyka rezonatora Fabry-Perot 1 wsp. transmisji [jedn. wzgl] r =.9 wsp. transmisji [jedn. wzgl] = 3 λ r = długość fali [nm] r =.9 r =.3 = 1 λ długość fali [nm] Warunki akcji laserowej poziom strat we wnęce rezonansowej mod oscylujacy mody wzdłużne 18
19 19 Warunki akcji laserowej z= r 1 r z= ) exp( t E ω n j g t E R w c exp )exp exp( λ π α ω n j g t E r R w c exp )exp exp( λ π α ω n j g t E r R w c exp )exp exp( λ π α ω n j g t E r r R w c exp )exp exp( 1 λ π α ω ( ) ( ) 1 exp exp 1 j n j g r r R w c + = λ π α Warunki akcji laserowej I. Warunek amplitudowy ( ) ( ) 1 exp exp 1 j n j g r r R w c + = λ π α II. Warunek fazowy ( ) ( ) ( ) 1 1 ln 1 1 exp r r g g r r w th w c = = α α R R R n m m n m n 1 λ λ π λ π = = =
20 Charakterystyka spektralna (FP) moc optyczna [jedn. względne] moc optyczna [jedn. względne] długość fali [nm] długość fali [nm] Obszar aktywny lasera prąd światło transversal poprzeczny heterozłącze światło lateral boczny izolacja złączowa longitudinal wzdłużny F-P
21 Heterozłącza (transversal confinement) energia elektronów heterozłącze p-p (izotypowe) P p elektrony mają pod górkę heterozłącze p-n (anizotypowe) p N E g E g1 E g1 energia dziur E fv obszar zubożony warstwa akumulacyjna E fc dziury mają pod górkę E g3 aser biheterozłączowy (transversal confinement) n obszar aktywny ~, µm p pasmo przewodnictwa kierunek przepływu prądu energia przerwa energetyczna elektrony pasmo walencyjne dziury współczynnik załamania positive-index negative-index gęstość mocy profil modu 1
22 aser biheterozłączowy (lateral confinement) kontakt metalowy kontakt metalowy SiO grzbiet p - InP SiO n - InP mesa p - InP n - InP p - InP p - InP n - InP p - InGaAsP n - InP p - InGaAsP n + InP, podłoże n + InP, podłoże ridge waveguide n ~.1 weak guiding lasery index guided burried heterostructure n ~.1 strong guiding obszar świecący ~.1 1µm mało zależny od prądu strującego laser Bilans energetyczny w laserze I<I TH I/qV G GEN = η I/q V I R REC=R +R N R+RS P upływ prąd u R N TH R NR R SP
23 Bilans energetyczny w laserze I>I TH I/qV G gen =η i /qv R REC R=R+R+R+R RECNRSPSTYM NR +R SP +R ST R ST =R STYM -R ABS upływ prądu R N TH R STYM R ST R NR R SP Bilans energetyczny w laserze dn dt dn dt I N e e = η i Rst ; τ e qv τ e p = ΓR st N + ΓβspRsp τ Wypadkowa emisja wymuszona: p p = f ( N ) e Bilans elektronów Bilans fotonów I N = N g z z = v g g t N p N p + N p N p dz R st = = N p gvg t Moc wyjściowa: P = N V λ p p hc 1 η λ τ p p p 3
24 g th Koncentracja - wzmocnienie Nth = α 1 qv g a = NTR + th Ith NTR 1 ητ c α a g N g TH N TH N TR N TH N I TH I -α a I > I N th N th dynamika lasera: pod progiem czas życia elektronów (~1 ns) nad progiem czas życia fotonów (~1 ps) Charakterystyka statyczna 1 5uW 1.V 4uW.9V.8V 3uW.7V uw.6v 1uW.5V W >>.4V A 5mA 1mA 15mA ma 5mA 3mA 35mA 4mA 1 V(pow) V(anoda) Ipp 4
25 Charakterystyka modulacyjna (AC) Ibias = 3 ma Ibias = 35 ma Ibias = 4 ma MHz 1.GHz 3.GHz 1GHz 3GHz 1*OG1(V(pow)) Frequency 6mA Odpowiedź na skok prądu I B >I TH 4mA ma SE>> A 1.5mW I(Ip1) 1.mW.5mW W 49.ns 49.5ns 5.ns 5.5ns 51.ns 51.5ns 5.ns 5.5ns 53.ns V(pow) Time Odpowiedź na skok prądu I B <I TH 5mA 5mA SE>> A 1.mW I(Ip1).8mW.4mW W 49.ns 49.5ns 5.ns 5.5ns 51.ns 51.5ns 5.ns 5.5ns 53.ns V(pow) Time 5
26 Przykładowe dane katalogowe ucent D37 Struktury złożone MQW DFB DBR VCSE RCED 6
27 aser MQW (Multi Quantum Well) Diagram energetyczny asery QD (Quantum Dot) 7
28 Co z tego wynika??? moc optyczna [mw] moc optyczna [mw] prąd [ma] prąd [ma] laser QW laser QD ustra złożone - siatka Bragg a n 1 n n 1 r -r Λ n r n 1 -r 1 n r n 1 n -r r r g n 1 n r g struktura planarna struktura wertykalna 8
29 Charakterystyki częstotliwościowe n =.57 m = współczynnik odbicia n = 4*1-4 m = faza amplituda [db] faza amplituda [db] asery z siatkami Bragg a laser DBR laser DFB laser VCSE (DBR) 9
30 asery DFB aser DFB klasyczny r g1 λ/4 nie oscyluje na długości fali Bragg a r g aser DFB z przesunięciem fazy o λ/4 r g1 λ/ oscyluje na długości fali Bragg a r g asery DFB charakterystyka spektralna temperatura [ C] 3
31 p-dbr Struktury VCSE (Vertical Cavity Surface Emitting aser) kontakt górny izolacja emisja światła kontakt górny n-dbr kontakt dolny emisja światła struktura typu mesa kontakt dolny struktura z implantacją protonów obszar aktywny kontakt p-gaas tlenek DBR okresy kontakt górny DBR 18.5 okresu podłoże n warstwa AR kontakt dolny struktura z aperturą dielektryczną Struktury VCSE (Vertical Cavity Surface Emitting aser) 31
32 4 Struktury VCSE podstawowe charakterystyki 4 moc optyczna [mw] moc optyczna [mw] 3 1 II th napiecie napięcie [V] [V] 3 1 prąd progowy [ma] prąd [ma] prąd [ma] temperatura [ C] temperatura [ C] moc (jednostki względne) moc [jedn. wzgl.] prąd [ma] prąd [ma] długość fali [nm] długość fali [nm] Porównanie widm optycznych λ nm λ <.1 nm λ.5 85 nm moc optyczna [jedn. względne] moc [jedn. wzgl.] moc (jednostki względne) długość fali [nm] [nm] długość fali [nm] laser FP laser DFB laser VCSE 3
33 RCED (Resonant Cavity ED) MCED (MicroCavity ED) ~4% mocy n 1 ~1-1% mocy n 1 stożek światła emisja światła n obszar aktywny obszar aktywny emisja światła n lustra Bragg a podłoże podłoże emisja spontaniczna w ośrodku izotropowym emisja spontaniczna w mikrownęce FC3R/3D RCED ROSA/TOSA moc optyczna 1 mm POF: -1.5 dbm długość fali: 65 nm szerokość spektralna FWHM: nm szybkość modulacji: 5 MBit/s Przykładowe obszary zastosowań: przemysł samochodowy IDB 1394: 18 5 MBit/s małe sieci biuro/dom (SOHO): IEEE 1394b S1/Ethernet: 1 15 MBit/s IEEE 1394b S: 5 5 MBit/s 33
34 Co można znaleźć w obudowie lasera? butterfly TOSA Transmitter Optical Subassembly Konstrukcja modułu laserowego moduł Peltier a (TEC) pady bondingowe monitor emisja z tylnego lustra bonding laser światłowód podłoże ceramiczne 34
35 Moduły: GBIC Gigabit Interface Converter SFP Small Form-factor Plugable 35
ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE UKŁADY NADAWCZO-ODBIORCZE
ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE UKŁADY NADAWCZO-ODBIORCZE Plan wykładu: 1. Oddziaływanie fotonów z materią 2. Fotodioda. Dioda świecąca 4. Lasery półprzewodnikowe 5. Układy odbiorcze 6. Układy nadawcze DOSTĘP
Bardziej szczegółowoOptyczne elementy aktywne
Optyczne elementy aktywne Źródła optyczne Diody elektroluminescencyjne Diody laserowe Odbiorniki optyczne Fotodioda PIN Fotodioda APD Generowanie światła kontakt metalowy typ n GaAs podłoże typ n typ n
Bardziej szczegółowoRezonatory ze zwierciadłem Bragga
Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Siatki dyfrakcyjne stanowiące zwierciadła laserowe (zwierciadła Bragga) są powszechnie stosowane w laserach VCSEL, ale i w laserach z rezonatorem prostopadłym do płaszczyzny
Bardziej szczegółowoOptoelektronika cz.i Źródła światła
Prowadzący: Optoelektronika cz.i Źródła światła dr hab. inŝ. Marcin Lipiński AGH C-3, pok 514,tel.: 12 617 30 20 e-mail: mlipinsk@agh.edu.pl Literatura uzupełniająca: 1.B.E.A. Saleh, M.C.Teich Fundamentals
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny
Repeta z wykładu nr 8 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 przegląd detektorów
Bardziej szczegółowoLasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek
Lasery półprzewodnikowe przewodnikowe Bernard Ziętek Plan 1. Rodzaje półprzewodników 2. Parametry półprzewodników 3. Złącze p-n 4. Rekombinacja dziura-elektron 5. Wzmocnienie 6. Rezonatory 7. Lasery niskowymiarowe
Bardziej szczegółowoŹródła światła w technice światłowodowej - podstawy
Źródła światła w technice światłowodowej - podstawy Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim. Wykorzystanie niekomercyjne dozwolone
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoSprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)
Wojciech Niwiński 30.03.2004 Bartosz Lassak Wojciech Zatorski gr.7lab Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Zadanie laboratoryjne miało na celu zaobserwowanie różnic
Bardziej szczegółowoFotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał
FOTODETEKTORY Fotodetektory Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał - detektory termiczne, wykorzystują zmiany temperatury
Bardziej szczegółowoPODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp
PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp LASER Light Amplification by Stimulation Emission of Radiation Składa się z: 1. ośrodka czynnego. układu pompującego 3.Rezonator optyczny - wnęka rezonansowa Generatory: liniowe
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoII. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet
II. WYBRANE LASERY BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet Laser gazowy Laser He-Ne, Mechanizm wzbudzenia Bernard Ziętek IF UMK Toruń 2 Model Bernard Ziętek IF UMK Toruń 3 Rozwiązania stacjonarne
Bardziej szczegółowo6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe
6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe Typy rekombinacji Rekombinacja promienista Diody LED Lasery półprzewodnikowe Struktury niskowymiarowe OLEDy 1 Promieniowanie termiczne Rozkład Plancka
Bardziej szczegółowoFizyka Laserów wykład 10. Czesław Radzewicz
Fizyka Laserów wykład 10 Czesław Radzewicz Struktura energetyczna półprzewodników Regularna budowa kryształu okresowy potencjał Funkcja falowa elektronu. konsekwencje: E ψ r pasmo przewodnictwa = u r e
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoOPTOTELEKOMUNIKACJA. dr inż. Piotr Stępczak 1
OPTOTELEKOMUNIKACJA dr inż. Piotr Stępczak 1 Optyczne elementy aktywne Źródła optyczne Diody elektroluminescencyjne Diody laserowe Laser światłowodowy Wzmacniacze optyczne Półprzewodnikowe Światłowodowe
Bardziej szczegółowoWstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Paweł Kowalczyk, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2015/16
Bardziej szczegółowo!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Bardziej szczegółowoWykład IV. Dioda elektroluminescencyjna Laser półprzewodnikowy
Wykład IV Dioda elektroluminescencyjna Laser półprzewodnikowy Półprzewodniki - diagram pasmowy Kryształ Si, Ge, GaAs Struktura krystaliczna prowadzi do relacji dyspersji E(k). Krzywizna pasm decyduje o
Bardziej szczegółowoZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE
ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE, WEWNETRZNE I ICH RÓŻNE ZASTOSOWANIA ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE Światło padając na powierzchnię materiału wybija z niej elektron 1 ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE
Bardziej szczegółowoELEMENTY SIECI ŚWIATŁOWODOWEJ
ELEMENTY SIECI ŚWIATŁOWODOWEJ MODULATORY bezpośrednia (prąd lasera) niedroga może skutkować chirpem do 1 nm (zmiana długości fali spowodowana zmianami gęstości nośników w obszarze aktywnym) zewnętrzna
Bardziej szczegółowoLasery półprzewodnikowe na złączu p-n. Laser półprzewodnikowy a dioda świecąca
Laser półprzewodnikowy a dioda świecąca Emisja laserowa pojawia się po przekroczeniu progowej wartości natężenia prądu płynącego w kierunku przewodzenia przez heterozłącze p-n w strukturze lasera. Przy
Bardziej szczegółowoWprowadzenie do optyki nieliniowej
Wprowadzenie do optyki nieliniowej Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim. Wykorzystanie niekomercyjne dozwolone pod warunkiem podania
Bardziej szczegółowoTechnika laserowa, otrzymywanie krótkich impulsów Praca impulsowa
Praca impulsowa Impuls trwa określony czas i jest powtarzany z pewną częstotliwością; moc w pracy impulsowej znacznie wyższa niż w pracy ciągłej (pomiędzy impulsami może magazynować się energia) Ablacja
Bardziej szczegółowoWidmo promieniowania elektromagnetycznego Czułość oka człowieka
dealna charakterystyka prądowonapięciowa złącza p-n ev ( V ) = 0 exp 1 kbt Przebicie złącza przy polaryzacji zaporowej Przebicie Zenera tunelowanie elektronów przez wąską warstwę zaporową w złączu silnie
Bardziej szczegółowoPostawy sprzętowe budowania sieci światłowodowych
Postawy sprzętowe budowania sieci światłowodowych cz. 2. elementy aktywne nadajniki odbiorniki wzmacniacze i konwertery optyczne rutery i przełączniki optyczne Prezentacja zawiera kopie folii omawianych
Bardziej szczegółowoVI. Elementy techniki, lasery
Światłowody VI. Elementy techniki, lasery BERNARD ZIĘTEK http://www.fizyka.umk.pl www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet a) Sprzęgacze czołowe 1. Sprzęgacze światłowodowe (czołowe, boczne, stałe, rozłączalne) Złącza,
Bardziej szczegółowoWstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 7 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15
Bardziej szczegółowoA21, B21, B12 współczynniki wprowadzone przez Einsteina w 1917 r.
Absorpcja i emisja fotonu przez atom, który ma dwa poziomy energii hν=e2-e1 h=6,63 10-34 J s Emisja spontaniczna A21 prawdopodobieństwo emisji fotonu przez atom w stanie E2 w ciągu sekundy Absorpcja (wymuszona)
Bardziej szczegółowoSpektroskopia modulacyjna
Spektroskopia modulacyjna pozwala na otrzymanie energii przejść optycznych w strukturze z bardzo dużą dokładnością. Charakteryzuje się również wysoką czułością, co pozwala na obserwację słabych przejść,
Bardziej szczegółowoWstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 7 wykład: Piotr Fita pokazy: Jacek Szczytko ćwiczenia: Aneta Drabińska, Paweł Kowalczyk, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet
Bardziej szczegółowo1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego
1 I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki spektralnej nietermicznego źródła promieniowania (dioda LD
Bardziej szczegółowoWykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Bardziej szczegółowoRyszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoWykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
Bardziej szczegółowoUMO-2011/01/B/ST7/06234
Załącznik nr 7 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej
Bardziej szczegółowoWykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Bardziej szczegółowoOpracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych.
Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych (380 520 nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. (zadanie 14) Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN 1 Do
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowopółprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski
Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 półprzewodniki
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoOptyka instrumentalna
Optyka instrumentalna wykład 12 25 maja 2017 Wykład 11 Wiązki przyosiowe Wyższego rzędu TEM mn (Gaussa-Hermite a) Elementy optyczne w działaniu na wiązki Prawo ABCD dla wiązek gaussowskich Ogniskowanie
Bardziej szczegółowoWzmacniacze optyczne ZARYS PODSTAW
Wzmacniacze optyczne ZARYS PODSTAW REGENERATOR konwertuje sygnał optyczny na elektryczny, wzmacnia sygnał elektryczny, a następnie konwertuje wzmocniony sygnał elektryczny z powrotem na sygnał optyczny
Bardziej szczegółowoFizyka Laserów wykład 6. Czesław Radzewicz
Fizyka Laserów wykład 6 Czesław Radzewicz wzmacniacz laserowy (długie impulsy) - przypomnienie 2 bilans obsadzeń: σ 21 N 2 F s σ 21 N 2 F ħω 12 dn 2 dt = σ 21N 1 F σ 21 N 2 F + σ 21 N 1 F 1 dn 1 dt = F
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe - przypomnienie
Układy nieliniowe - przypomnienie Generacja-rekombinacja E γ Na bazie półprzewodników γ E (Si)= 1.14 ev g w.8, p.1 Domieszkowanie n (As): Większościowe elektrony pasmo przewodnictwa swobodne elektrony
Bardziej szczegółowoLasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów
Lasery Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Laser - nazwa utworzona jako akronim od Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - wzmocnienie światła poprzez
Bardziej szczegółowoLASERY I ICH ZASTOSOWANIE
LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 13 Temat: Biostymulacja laserowa Istotą biostymulacji laserowej jest napromieniowanie punktów akupunkturowych ciągłym, monochromatycznym
Bardziej szczegółowoLASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK
LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK TEK Lasery na ciele stałym lasery, których ośrodek czynny jest: -kryształem i ciałem amorficznym (również proszkiem), - dielektrykiem i półprzewodnikiem. 2 Podział
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 2. Detekcja światła. Parametry fotodetektorów. Co to jest detektor?
Repeta z wykładu nr 2 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoWykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 10. Detekcja światła. Kondensator MOS. Plan na dzisiaj. fotopowielacz, część 2 MCP (detektor wielokanałowy) streak camera
Repeta z wykładu nr 10 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 fotopowielacz,
Bardziej szczegółowoWłaściwości światła laserowego
Właściwości światła laserowego Cechy charakterystyczne światła laserowego: rozbieżność (równoległość) wiązki, pasmo spektralne, gęstość mocy spójność (koherencja). Równoległość wiązki Dyfrakcyjną rozbieżność
Bardziej szczegółowoFotodetektor. Odpowiedź detektora światłowodowego. Nachylenie (czułość) ~0.9 ma/mw. nachylenie = czułość (ma/mw) Prąd wyjściowy (ma)
Detektory Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim. Wykorzystanie niekomercyjne dozwolone pod warunkiem podania źródła. Sergiusz Patela
Bardziej szczegółowoWykłady 10: Kryształy fotoniczne, fale Blocha, fotoniczna przerwa wzbroniona, zwierciadła Bragga i odbicie omnidirectional
Fotonika Wykłady 10: Kryształy fotoniczne, fale Blocha, fotoniczna przerwa wzbroniona, zwierciadła Bragga i odbicie omnidirectional Plan: Jednowymiarowe kryształy fotoniczne Fale Blocha, fotoniczna struktura
Bardziej szczegółowon n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A / B 2 1 hν exp( ) 1 kt (24)
n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A 1 2 / B hν exp( ) 1 kt (24) Powyższe równanie określające gęstość widmową energii promieniowania
Bardziej szczegółowoWłaściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ
Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów
Bardziej szczegółowoWstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2013/14
Bardziej szczegółowoĆw.3. Wykrywanie źródeł infradźwięków
Ćw.3. Wykrywanie źródeł infradźwięków Wstęp Ćwiczenie przedstawia metodę wyszukiwania źródeł infradźwięków przy użyciu światłowodowego czujnika drań. Fale akustyczne poniżej dolnego częstotliwościowego
Bardziej szczegółowoWzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski
Wzrost pseudomorficzny Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 naprężenie
Bardziej szczegółowoNanostruktury i nanotechnologie
Nanostruktury i nanotechnologie Heterozłącza Efekty kwantowe Nanotechnologie Z. Postawa, "Fizyka powierzchni i nanostruktury" 1 Termin oddania referatów do 19 I 004 Zaliczenie: 1 I 004 Z. Postawa, "Fizyka
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoOPTYKA KWANTOWA Wykład dla 5. roku Fizyki
OPTYKA KWANTOWA Wykład dla 5. roku Fizyki c Adam Bechler 006 Instytut Fizyki Uniwersytetu Szczecińskiego Równania (3.7), pomimo swojej prostoty, nie posiadają poza nielicznymi przypadkami ścisłych rozwiązań,
Bardziej szczegółowoPodstawy Fizyki IV Optyka z elementami fizyki współczesnej. wykład 2, Radosław Chrapkiewicz, Filip Ozimek
Podstawy Fizyki IV Optyka z elementami fizyki współczesnej wykład 2, 17.02.2012 wykład: pokazy: ćwiczenia: Czesław Radzewicz Radosław Chrapkiewicz, Filip Ozimek Ernest Grodner Równania Maxwella r-nie falowe
Bardziej szczegółowoUNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja
UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2 Elektroluminescencja SZCZECIN 2002 WSTĘP Mianem elektroluminescencji określamy zjawisko emisji spontanicznej
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoZakres wykładu. Detekcja światła. Zakres wykładu. Zakres wykładu
Zakres wykładu Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoPiotr Targowski i Bernard Ziętek LASER PÓŁPRZEWODNIKOWY
Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Piotr Targowski i Bernard Ziętek Pracownia Optoelektroniki Specjalność : Fizyka medyczna LASER PÓŁPRZEWODNIKOWY Zadanie V Zakład Optoelektroniki Toruń 2001
Bardziej szczegółowoPrawo Ohma. qnv. E ρ U I R U>0V. v u E +
Prawo Ohma U>0V J v u J qnv u - E + J qne d J gęstość prądu [A/cm 2 ] n koncentracja elektronów [cm -3 ] ρ rezystywność [Ωcm] σ - przewodność [S/cm] E natężenie pola elektrycznego [V/cm] I prąd [A] R rezystancja
Bardziej szczegółowoWykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych
Wykład XIV: Właściwości optyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wiadomości wstępne: a) Załamanie
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE Nr 4 LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH. Badanie krawędzi absorpcji podstawowej w kryształach półprzewodników POLITECHNIKA ŁÓDZKA
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH ĆWICZENIE Nr 4 Badanie krawędzi absorpcji podstawowej w kryształach półprzewodników I. Cześć doświadczalna. 1. Uruchomić Spekol
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników
Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Model atomu Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jądro jest zbudowane z: i) dodatnich protonów ii) neutralnych neutronów Liczba atomowa
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna
Półprzewodniki samoistne Struktura krystaliczna Si a5.43 A GaAs a5.63 A ajczęściej: struktura diamentu i blendy cynkowej (ZnS) 1 Wiązania chemiczne Wiązania kowalencyjne i kowalencyjno-jonowe 0K wszystkie
Bardziej szczegółowoLaser półprzewodnikowy
Ćwiczenie 86 Laser półprzewodnikowy Cel ćwiczenia Badanie własności czerwonego lasera półprzewodnikowego. Obejmuje pomiar: długości fali, polaryzację wiązki, pomiar mocy wiązki, badanie charakterystyki
Bardziej szczegółowoLasery - konstrukcje i parametry. Sergiusz Patela 1999-2004 Lasery - konstrukcje 1
Lasery - konstrukcje i parametry Sergiusz Patela 1999-2004 Lasery - konstrukcje 1 Źródło światła (laser półprzewodnikowy) Optyczna moc wyjściowa (mw) P I th I o nachylenie = współczynnik modulacji (mw/ma)
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoĆw.2. Prawo stygnięcia Newtona
Ćw.2. Prawo stygnięcia Newtona Wstęp Ćwiczenie przedstawia metodę monitorowania temperatury w czasie rzeczywistym przy użyciu czujników światłowodowych. Specjalna technologia kryształów półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoI. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA
1 I. DIODA LKTROLUMINSCNCYJNA Cel ćwiczenia : Pomiar charakterystyk elektrycznych diod elektroluminescencyjnych. Zagadnienia: misja spontaniczna, złącze p-n, zasada działania diody elektroluminescencyjnej
Bardziej szczegółowoPrzejścia promieniste
Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej
Bardziej szczegółowoSkończona studnia potencjału
Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach
Bardziej szczegółowoWstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15
Bardziej szczegółowoLasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów
Lasery Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Laser - nazwa utworzona jako akronim od Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - wzmocnienie światła poprzez
Bardziej szczegółowoWykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe
Wykład 7 Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe Złącze p-n Złącze p-n Tworzy się złącze p-n E Złącze po utworzeniu Pole elektryczne na styku dwóch półprzewodników powoduje, że prąd łatwo
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoGŁÓWNE CECHY ŚWIATŁA LASEROWEGO
GŁÓWNE CECHY ŚWIATŁA LASEROWEGO Światło może być rozumiane jako: Strumień fotonów o energii E Fala elektromagnetyczna. = hν i pędzie p h = = hν c Najprostszym przypadkiem fali elektromagnetycznej jest
Bardziej szczegółowo9. Struktury półprzewodnikowe
9. Struktury półprzewodnikowe Tranzystor pnp, npn Złącze metal-półprzewodnik, diody Schottky ego Heterozłącze Struktura MOS Tranzystory HFET, HEMT, JFET Technologia planarna, ograniczenia Tranzystor pnp
Bardziej szczegółowoAutokoherentny pomiar widma laserów półprzewodnikowych. autorzy: Łukasz Długosz Jacek Konieczny
Autokoherentny pomiar widma laserów półprzewodnikowych autorzy: Łukasz Długosz Jacek Konieczny Systemy koherentne wstęp Systemy transmisji światłowodowej wykorzystujące podczas procesu transmisji światło
Bardziej szczegółowoLaser półprzewodnikowy
Ćwiczenie 86 Laser półprzewodnikowy Cel ćwiczenia Badanie właściwości lasera półprzewodnikowego. W ćwiczeniu wyznacza się: długość fali światła lasera, moc i sprawność lasera, próg akcji laserowej, polaryzację
Bardziej szczegółowoLasery półprzewodnikowe historia
Lasery półprzewodnikowe historia GaAs typu p GaAs typu n zasilanie prądem 1962 homozłącze w pokojowej temperaturze progowy prąd - dziesiątki ka/cm 2 bez zastosowania AlGaAs p AlGaAs n Cienka warstwa GaAs
Bardziej szczegółowoV. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA
1 V. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA Cel ćwiczenia : Pomiar charakterystyk elektrycznych diod elektroluminescencyjnych. Zagadnienia: Emisja spontaniczna, złącze p-n, zasada działania diody elektroluminescencyjnej
Bardziej szczegółowoŹródła światła: Lampy (termiczne) na ogół wymagają filtrów. Wojciech Gawlik, Metody Optyczne w Medycynie 2010/11 - wykł. 3 1/18
Źródła światła: Lampy (termiczne) na ogół wymagają filtrów Wojciech Gawlik, Metody Optyczne w Medycynie 2010/11 - wykł. 3 1/18 Lampy: a) szerokopasmowe, rozkład Plancka 2hc I( λ) = 5 λ 2 e 1 hc λk T B
Bardziej szczegółowoPodstawy Fizyki IV Optyka z elementami fizyki współczesnej. wykład 2, Mateusz Winkowski, Jan Szczepanek
Podstawy Fizyki IV Optyka z elementami fizyki współczesnej wykład 2, 06.10.2017 wykład: pokazy: ćwiczenia: Czesław Radzewicz Mateusz Winkowski, Jan Szczepanek Radosław Łapkiewicz Równania Maxwella r-nie
Bardziej szczegółowoi elementy z półprzewodników homogenicznych część II
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoPonadto, jeśli fala charakteryzuje się sferycznym czołem falowym, powyższy wzór można zapisać w następujący sposób:
Zastosowanie laserów w Obrazowaniu Medycznym Spis treści 1 Powtórka z fizyki Zjawisko Interferencji 1.1 Koherencja czasowa i przestrzenna 1.2 Droga i czas koherencji 2 Lasery 2.1 Emisja Spontaniczna 2.2
Bardziej szczegółowoWłasności światła laserowego
Własności światła laserowego Cechy światła laserowego: rozbieżność (równoległość) wiązki, pasmo spektralne, gęstość mocy oraz spójność (koherencja). Równoległość wiązki Dyfrakcyjną rozbieżność kątową awkącie
Bardziej szczegółowo39 DUALIZM KORPUSKULARNO FALOWY.
Włodzimierz Wolczyński 39 DUALIZM KORPUSKULARNO FALOWY. ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE. FALE DE BROGILE Fale radiowe Fale radiowe ultrakrótkie Mikrofale Podczerwień IR Światło Ultrafiolet UV Promienie X (Rentgena)
Bardziej szczegółowoRóżnorodne zjawiska w rezonatorze Fala stojąca modu TEM m,n
Różnorodne zjawiska w rezonatorze Fala stojąca modu TEM m,n -z z w płaszczyzna przewężenia Propaguję się jednocześnie dwie fale w przeciwbieżnych kierunkach Dla kierunku 2 kr 2R ( r,z) exp i kz s Φ exp(
Bardziej szczegółowoWykład 12: prowadzenie światła
Fotonika Wykład 12: prowadzenie światła Plan: Mechanizmy prowadzenia światła Mechanizmy oparte na odbiciu całkowite wewnętrzne odbicie, odbicie od ośrodków przewodzących, fotoniczna przerwa wzbroniona
Bardziej szczegółowoWprowadzenie do ekscytonów
Proces absorpcji można traktować jako tworzenie się, pod wpływem zewnętrznego pola elektrycznego, pary elektron-dziura, które mogą być opisane w przybliżeniu jednoelektronowym. Dokładniejszym podejściem
Bardziej szczegółowo