Lasery - konstrukcje i parametry. Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 1

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Lasery - konstrukcje i parametry. Sergiusz Patela 1999-2004 Lasery - konstrukcje 1"

Transkrypt

1 Lasery - konstrukcje i parametry Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 1

2 Źródło światła (laser półprzewodnikowy) Optyczna moc wyjściowa (mw) P I th I o nachylenie = współczynnik modulacji (mw/ma) zmodulowany optyczny sygnał wyjściowy Prąd wejściowy (ma) Laser pracuje w liniowym zakresie modulacji prąd-moc. Efektywność modulacji określa nachylenie prostej (typowo 0,2 mw/ma). Ze względu na wymaganą jakość transmisji preferowane są lasery DFB ze stabilizacją temperatury (układ Peltiera). Najczęściej stosowana długość fali 1310nm. Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 2

3 Blokowy schemat nadajnika wejście w.cz. automatyczna regulacja wzmocnienia wzmacniacz w.cz. Predistorter zasilanie stałoprądowe stabilizator mocy stabilizator temperatury dioda laserowa światłowód - wyjście optyczne Wzmacniacz w.cz. do uzyskania optymalnego sygnału modulacji lasera ARW dla uniezależnienia się od poziomu wejściowej mocy w.cz. Predistorter dla kompensacji (znanych błędów modulacji) Układy stabilizacji zasilania DC (fotodioda kontrolna) i temperatury (układ Peltiera). Czas pracy (MTFB) > 10 6 h Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 3

4 Warunki uzyskania akcji laserowej 1. Obecność stanów metastabilnych w materiale 2. Pompowanie atomów do stanów metastabilnych 3. Inwersja obsadzeń 4. Emisja wymuszona 5. Optyczne sprzężenie zwrotne Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 4

5 Klasyfikacja laserów 1. Lasery na ciele stałym: czynnik laserujący umieszczony jest w matrycy ciała stałego. Przykłady: lasery neodymowy-yag <Yttrium Aluminum Garnet> 1,064 um, rubinowy 2. Lasery gazowe Atomowy He-Ne, 632,8 nm Cząsteczkowy (molekularny) CO 2, 10,6 um Jonowy Ar +, podstawowe długości fali 488, 514 nm Ekscymerowe (Ekscymery zjonizowane fluorki gazów szlachetnych) ultrafiolet 3. Lasery barwnikowe zawierają barwnik organiczny w ciekłym roztworze. Lasery te umożliwiają strojenie długości fali; zkres widzialny i bliska podczerwień. Zakres strojenia zależy od użytego barwnika Rodamina 6G umożliwia strojenie nm. 4. Lasery półprzewodnikowe (diody laserowe) 5. Lasery światłowodowe 6. Lasery na swobodnych elektronach (FEL) Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 5

6 Zastosowania laserów półprzewodnikowych komunikacja drukowanie, poligrafia obróbka materiałów układy pomiarowe, badania naukowe gromadzenie, przechowywanie danych (CD-ROM) pompowanie optyczne medycyna wskaźniki, czytniki kodów paskowych, poziomowanie, geodezja prototypy nowych urządzeń Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 6

7 Zalety i wady laserów w systemach światłowodowych Zalety Promieniowanie koherentne, spójne i skolimowane modulacja z dużą szybkością (możliwe impulsy sub-fs) duże moce wyjściowe i łatwość sprzężenia ze światłowodem Wady Cena (wyższa od ceny LED). Wysokiej jakości lasery są wyposażone w chłodziarki Peltiera, układy kontroli mocy i stabilizatory długości fali. Otrzymanie wybranej długości fali wymaga doboru specyficznego materiału. Strojenie jest wolne i obejmuje wąski zakres spektralny. Charakterystyki modulacji są nieliniowe. Modulacja analogowa utrudniona. Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 7

8 Przejścia dwu i wielopoziomowe Energia absorpcja energii zewnętrznej Energia absorpcja energii zewnętrznej foton fonon Czas Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 8

9 Laser He-Ne, konstrukcja Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 9

10 Laser He-Ne, zasada działania Ośrodek aktywny Laser He-Ne wykorzystuje mieszaninę gazów helu i neonu o ciśnieniu od kilku dziesiątych do kilku torów. Dokładne ciśnienie zależy od średnicy rury. Mieszanina zawiera od pięciu do dziesięciu razy więcej helu niż neonu. Gazem świecącym jest neon. Pompowanie Energia wzbudzenia atomów neonu pochodzi z wyładowania elektrycznego. W warunkach ustalonych przez gaz płynie prąd kilku miliamperów przy napięciu 1-2kV. Inwersja obsadzeń Elektrony w wyładowaniu zderzają się z atomami helu i neonu wzbudzając je do wyższych poziomów energetycznych. Większość energii przekazywana jest atomom helu, energia ta jest następnie przekazywana atomom neonu. W rezultacie tych oddziaływać tworzy się stan inwersji obsadzeń, gdy wyższe stany energetyczne są gęściej obsadzone niż niższe. Emisja W trakcie emisji wymuszonej atomy neonu przechodzą ze wyższych stanów energetycznych do niższych emitując światło 632,8 nm. Możliwe są również inne długości fali. Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 10

11 Schemat blokowy układu zasilania lasera He-Ne W warunkach ustalonych zasilacz zapewnia przepływ prądu przez mieszaninę gazów, zapewniając inwersję obsadzeń niezbędną do uzyskania akcji laserowej. Napięcie wejściowe jest najpierw zwiększane przez transformator. Wzbudnica dostarcza impulsu wysokiego napięcia które inicjuje wyładowanie w gazie. Układ prostownika zamienia napięcie zmienne na stałe oraz dodatkowo podnosi napięcie. Rezystor balastowy ogranicza prąd do bezpiecznego poziomu. Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 11

12 Pompowanie w laserze półprzewodnikowym - polaryzacja złącza n type junction p type n type junction p type Conduction band Conduction band Electron energy E g E g hν Valence band Valence band Inne (niż prądowe w złączu pn) metody pompowania: optyczne, wiązką elektronową, - + Diody laserowe można wykonać w półprzewodnikach z przerwą (energetyczną) prostą, np. GaAs, InGaAs, GaN, InGaAs, InGaAsP. Lasera nie można wykonać z półprzewodników z przerwą skośną, np. Si, Ge. Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 12

13 Laser w homostrukturze półprzewodnikowej Prąd Zwierciadło (łupane) Złącze Wyjściowa wiązka światła Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 13

14 Laser w heterostrukturze półprzewodnikowej P i N N n Buried heterostructure (BH) laser Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 14

15 Zależność mocy od prądu lasera [mw] P wy I th [ma] I Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 15

16 Astygmatyzm wiązki lasera półprzewodnikowego l λ /w λ /l w Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 16

17 Charakterystyki laserów półprzewodnikowych Voltage [V] Power [W] intensity 0.5 FWHM = 2 nm Current [A] wavelength [nm] Intensity Perpend. 40 deg. Parallel 10 deg Angle (degrees) Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 17

18 Lasery DBR i DFB W klasycznym laserze sprzężenie zwrotne realizowane jest przy pomocy rezonatora Fabry-Perota. Wady laserów FP 1. Łupanie lub trawienie tworzy problemy technologiczne. 2. W rozseparowanych strukturach przepływ ciepła jest utrudniony Distributed Bragg Reflectors p n podłoże GaAs Distributed Feed-Back p n podłoże GaAs Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 18

19 Odbicie Bragga d d d θ θ d sinθ 2 d sin θ = νλ, ν = 1, 2, 3,... Siatka Bragga działa jak zwierciadło jeżeli θ = 90 o Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 19

20 Schemat lasera DFB Λ 3 µm 3 µm GaAs Al 0.3 Ga 0.7 As DFB (distributed feedback)- z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym podłoże GaAs Warunek Bragga dla reflektora: 2 Λ = ν λ, ν = 1, 2, 3,... gdzie: λ = λ o /n światłow Siatka odbija efektywnie falę o długości λ o = 2 Λ n światłow /ν Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 20

21 Efektywność działania siatki (zwierciadła Bragga) Czynniki wpływające na efektywność odbicia zwierciadeł Bragga: grubość światłowodu (t), głębokość rowka (a), długość siatki. z = 0 z = L Λ n c x = 0 x = -a n f n s x = -t g Współczynnik sprzężenia modów i współczynnik odbicia zwierciadeł otrzymamy analizując strukturę przy pomocy teorii modów sprzężonych: Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 21

22 Reflektory Bragga wyższych rzędów (n > 1) Dla wyższych rzędów dyfrakcji Bragga efektywności działania zwierciadeł są mniejsze ponieważ część energii wycieka do wiązek pasożytniczych rzędów pośrednich. ν =2 ν =1 ν =2 ν =1 ν =3 ν =1 ν =1 ν =0 ν =2 ν =0 ν =3 ν =0 ν =4 ν =0 a) b) c) d) Dla rzędów dyfrakcji > 1 występują straty związane z wypromieniowaniem energii na zewnątrz światłowodu. Dla drugiego rzędu dyfrakcji (Rys. b) sprzężenie z wiązką pasożytniczą jest bardzo silne. Z tego względu, jeżeli nie udaje się wykonać siatki pierwszego rzędu, należy korzystać z siatki rzędu trzeciego (Rys. c) Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 22

23 Technologia wytwarzania siatek w laserach DFB Siatki można wytwarzać metodami trawienia chemicznego lub jonowego. W każdym przypadku wytworzona siatka może być źródłem defektów. Struktury wytwarza się w taki sposób aby wpływ dyslokacji minimalizować. Jedną z metod jest wytworzenie złącza dyfuzyjnego pod siatką. Inną metodą jest rozdzielenie obszaru aktywnego i obszaru siatki. Generacja wzoru siatki: maski elektronograficzne lub holografia Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 23

24 Profil wiązki lasera VCSEL i lasera krawędziowego wiązka eleiptyczna lasera krawędziowego wiązka kołowa lasera VCSEL Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 24

25 Laser typu VCSEL Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 25

26 Różne typy laserów półprzewodnikowych i ich prądy progowe 1. Homostruktura, gęstość prądu progowego (300K) A/cm 2 2. Pojedyncza heterostruktura. (300K) A/cm 2 3. Podwójna heterostruktura (300K) 500 A/cm GRINSCH (Graded-index separate confinement heterostructure), prąd progowy ~30mA 5. VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser), prąd progowy ~1mA Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 26

27 Moc lasera w liniowych łączach światłowodowych Moc lasera określona jest przez następujące parametry: efektywność chipu lasera (zależy od długości fali i konstrukcji, ~0,5 mw/ma, rośnie w miarę postępów technologii) efektywność sprzęgania światłowodu z laserem (efektywność <1 w wyniku astygmatyzmu wiązki, niedopasowania poprzecznych rozkładów pola, straty wewnętrznego izolatora, obecnie w urządzeniach komercyjnych efektywności dochodzą do 70%) prąd lasera (zwiększenie prądu lasera prowadzi do zwiększenia mocy wyjściowej, przy zbyt dużych prądach pojawiają się jednak nieliniowości; prądy nie przekraczają zwykle 100mA, a moce wyjściowe 50 mw) Uwaga: maksymalne parametry uzyskiwane w laboratoriach są około 20 do 50% lepsze od parametrów katalogowych przyrządów komercyjnych. Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 27

28 Półprzewodnikowe lasery strojone Po co? Sieć optyczna w której każdy kanał lub port obsługiwany jest przez element dostosowany do określonej długości fali są kosztowne i skomplikowane w obsłudze. Wiele elementów dyskretnych może być zastąpionych przez jeden strojony. Metody strojenia laserów 1. Zmiana optycznej długości rezonatora lub stałej siatki Bragga za pomocą prądu 2. Wybór fali za pomocą zewnętrznego elementu dyspersyjnego 3. Wykorzystanie zintegrowanych mikro-zwierciadeł MEMS Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 28

29 Niezawodność nadajnika optycznego Czas życia nadajnika t F - określany jako MTTF (mean time to failure) Najbardziej zawodny element nadajnika - źródło laserowe MTTF nadajnika powinien być lepszy niż 10 5 (ok. 11 lat) Korzystając z parametru MTTF, zakładamy eksponencjalną zależność prawdopodobieństwa awarii: P F exp t = t F Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 29

30 t Degradacja źródła Degradacja diody luminescencyjnej (LED) i diody laserowej może przyjąć dwie postacie: 1. degradacja katastrofalna (gwałtowna) 2. degradacja stopniowa Celem testów fabrycznych jest przede wszystkim wyeliminowanie elementów które mogą ulec degradacji katastrofalnej. Test prowadzi się poprzez starzenie wstępne (burn-in test) - przez krótki okres czasu laser pracuje w podwyższonej temperaturze (np. 60 C) i podwyższonym prądzie zasilania. Zakłada się, że wadliwe elementy ulegną w czasie testu awarii. W dobrych elementach nastąpi stabilizacja parametrów. Wyniki testów starzeniowych ekstrapoluje się do warunków normalnych korzystając z zależności Arrehnniusa: F E = a t0 exp kbt t 0 -stała, E a - energia aktywacji ~1eV, k B - stała Boltzmana, T - temperatura bezwzględna Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 30

31 Konstrukcja modułu laserowego podstawa laser uchwyt soczewki uchwyt izolatora osłona płytka przesuwna soczewka izolator mocowanie włókna Mocowanie włókna laser soczewka izolator włókno lut pokrycie włókna H. van Tongeren, et al., IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology - Part, vol. 18, (1995) 227. Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 31

32 Charakterystyka źródła DWDM 1. Zintegrowany we wspólnej obudowie laser i modulator M.-Z. Nadajnik umożliwia transmisję 10 Gb/s na odległość 80 kmwe włóknie NDSF lub 480 km we włóknie DSF. 2. Sterowany chirp. Poprzez sterowanie modulatorem M.-Z (polaryzacja DC ramion), źródło może generować impulsy z ujemnym lub dodatnim chirpem, co umożliwia kompensację dyspersji chromatycznej włókna. 3. Wewnętrzny stabilizator długości fali (wavelength locker ) zapewniający stabilizację +/- 20 ppm. 4. Sterowany tłumik mocy wyjściowej. 5. Zwarta struktura - laser, modulator, tłumik i wavelength locker w jednej obudowie. Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 32

33 Optoelektronika zintegrowana - źródło światła dla systemu łączności WDM + 25ºC - 100nF 2Ω 43Ω 470pF 100nF 100nF 2Ω 43Ω 470pF Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 33

34 Obudowy 9mm and TO18 TO-18 Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 34

35 Obudowa C-mount Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 35

36 Obudowa TO-3 Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 36

37 Obudowa HHL Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 37

38 Obudowa FCA Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 38

39 Obudowa specjalna laser bar package Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 39

40 Bezpieczeństwo pracy z laserami - klasyfikacja Klasa I: Lasery światła widzialnego, uważane za bezpieczne nawet przy spoglądaniu w wiązkę. Dopuszczalna moc < 0,4 µw Klasa II: Lasery światła widzialnego małej mocy (pracy ciągłej lub impulsowe o dużej częstości powtarzania) dla których krótkie spojrzenie w wiązkę nie uszkadza oka. Moc poniżej 1 mw dla λ=0,6µm Klasa IIIa: Lasery średniej mocy. Zogniskowana wiązka może uszkodzić oko. Moc 1 do 5 mw dla λ=0,6µm. Klasa IIIb: Lasery średniej mocy. Odbite światło rozproszone nie stanowi zagrożenia. Lasery nie tworzą zagrożenia pożarowego. Dla światła widzialnego (laser Ar) moc 5 do 500 mw. Klasa IV: Lasery dużej mocy. Nawet światło rozproszone jest groźne. Lasery tworzą zagrożenie pożarowe. Uwaga: Moc bezpieczna zależy od długości fali - im krótsza długość, tym dopuszczalna moc mniejsza. Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 40

41 Pytania kontrolne 1. Co to jest astygmatyzm wiązki laserowej, ile wynosi i jak zależy od konstrukcji diody laserowej? W jaki sposób możemy go zmniejszyć lub zlikwidować? Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 41

Źródła światła w technice światłowodowej - podstawy

Źródła światła w technice światłowodowej - podstawy Źródła światła w technice światłowodowej - podstawy Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim. Wykorzystanie niekomercyjne dozwolone

Bardziej szczegółowo

Parametry i technologia światłowodowego systemu CTV

Parametry i technologia światłowodowego systemu CTV Parametry i technologia światłowodowego systemu CTV (Światłowodowe systemy szerokopasmowe) (c) Sergiusz Patela 1998-2002 Sieci optyczne - Parametry i technologia systemu CTV 1 Podstawy optyki swiatlowodowej:

Bardziej szczegółowo

Rezonatory ze zwierciadłem Bragga

Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Siatki dyfrakcyjne stanowiące zwierciadła laserowe (zwierciadła Bragga) są powszechnie stosowane w laserach VCSEL, ale i w laserach z rezonatorem prostopadłym do płaszczyzny

Bardziej szczegółowo

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Laser - nazwa utworzona jako akronim od Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - wzmocnienie światła poprzez

Bardziej szczegółowo

VI. Elementy techniki, lasery

VI. Elementy techniki, lasery Światłowody VI. Elementy techniki, lasery BERNARD ZIĘTEK http://www.fizyka.umk.pl www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet a) Sprzęgacze czołowe 1. Sprzęgacze światłowodowe (czołowe, boczne, stałe, rozłączalne) Złącza,

Bardziej szczegółowo

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek Lasery półprzewodnikowe przewodnikowe Bernard Ziętek Plan 1. Rodzaje półprzewodników 2. Parametry półprzewodników 3. Złącze p-n 4. Rekombinacja dziura-elektron 5. Wzmocnienie 6. Rezonatory 7. Lasery niskowymiarowe

Bardziej szczegółowo

II. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet

II. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet II. WYBRANE LASERY BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet Laser gazowy Laser He-Ne, Mechanizm wzbudzenia Bernard Ziętek IF UMK Toruń 2 Model Bernard Ziętek IF UMK Toruń 3 Rozwiązania stacjonarne

Bardziej szczegółowo

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

!!!DEL są źródłami światła niespójnego. Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji

Bardziej szczegółowo

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Wojciech Niwiński 30.03.2004 Bartosz Lassak Wojciech Zatorski gr.7lab Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Zadanie laboratoryjne miało na celu zaobserwowanie różnic

Bardziej szczegółowo

Postawy sprzętowe budowania sieci światłowodowych

Postawy sprzętowe budowania sieci światłowodowych Postawy sprzętowe budowania sieci światłowodowych cz. 2. elementy aktywne nadajniki odbiorniki wzmacniacze i konwertery optyczne rutery i przełączniki optyczne Prezentacja zawiera kopie folii omawianych

Bardziej szczegółowo

LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK

LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK TEK Lasery na ciele stałym lasery, których ośrodek czynny jest: -kryształem i ciałem amorficznym (również proszkiem), - dielektrykiem i półprzewodnikiem. 2 Podział

Bardziej szczegółowo

Optyczne elementy aktywne

Optyczne elementy aktywne Optyczne elementy aktywne Źródła optyczne Diody elektroluminescencyjne Diody laserowe Odbiorniki optyczne Fotodioda PIN Fotodioda APD Generowanie światła kontakt metalowy typ n GaAs podłoże typ n typ n

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze optyczne

Wzmacniacze optyczne Wzmacniacze optyczne Wzmocnienie sygnału optycznego bez konwersji na sygnał elektryczny. Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim.

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY SIECI ŚWIATŁOWODOWEJ

ELEMENTY SIECI ŚWIATŁOWODOWEJ ELEMENTY SIECI ŚWIATŁOWODOWEJ MODULATORY bezpośrednia (prąd lasera) niedroga może skutkować chirpem do 1 nm (zmiana długości fali spowodowana zmianami gęstości nośników w obszarze aktywnym) zewnętrzna

Bardziej szczegółowo

Dyspersja światłowodów Kompensacja i pomiary

Dyspersja światłowodów Kompensacja i pomiary Dyspersja światłowodów Kompensacja i pomiary Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim. Wykorzystanie niekomercyjne dozwolone pod warunkiem

Bardziej szczegółowo

Przemysłowe urządzenia elektrotermiczne działające w oparciu o pozostałe metody nagrzewania elektrycznego Prof. dr hab. inż.

Przemysłowe urządzenia elektrotermiczne działające w oparciu o pozostałe metody nagrzewania elektrycznego Prof. dr hab. inż. Studia Podyplomowe EFEKTYWNE UŻYTKOWANIE ENERGII ELEKTRYCZNEJ w ramach projektu Śląsko-Małopolskie Centrum Kompetencji Zarządzania Energią Przemysłowe urządzenia elektrotermiczne działające w oparciu o

Bardziej szczegółowo

Ogólne cechy ośrodków laserowych

Ogólne cechy ośrodków laserowych Ogólne cechy ośrodków laserowych Gazowe Cieczowe Na ciele stałym Naturalna jednorodność Duże długości rezonatora Małe wzmocnienia na jednostkę długości ośrodka czynnego Pompowanie prądem (wzdłużne i poprzeczne)

Bardziej szczegółowo

n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A / B 2 1 hν exp( ) 1 kt (24)

n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A / B 2 1 hν exp( ) 1 kt (24) n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A 1 2 / B hν exp( ) 1 kt (24) Powyższe równanie określające gęstość widmową energii promieniowania

Bardziej szczegółowo

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp

PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp LASER Light Amplification by Stimulation Emission of Radiation Składa się z: 1. ośrodka czynnego. układu pompującego 3.Rezonator optyczny - wnęka rezonansowa Generatory: liniowe

Bardziej szczegółowo

Źródła promieniowania optycznego problemy bezpieczeństwa pracy. Lab. Fiz. II

Źródła promieniowania optycznego problemy bezpieczeństwa pracy. Lab. Fiz. II Źródła promieniowania optycznego problemy bezpieczeństwa pracy Lab. Fiz. II Reakcje w tkankach wywołane przez promioniowanie optyczne (podczerwień, widzialne, ultrafiolet): Reakcje termiczne ze wzrostem

Bardziej szczegółowo

Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe

Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe Laser, Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation, wzmacniacz kwantowy dla światła,

Bardziej szczegółowo

Lasery budowa, rodzaje, zastosowanie. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Lasery budowa, rodzaje, zastosowanie. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Lasery budowa, rodzaje, zastosowanie Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Budowa i zasada działania lasera Laser (Light Amplification by Stimulated

Bardziej szczegółowo

Wprowadzenie do optyki nieliniowej

Wprowadzenie do optyki nieliniowej Wprowadzenie do optyki nieliniowej Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim. Wykorzystanie niekomercyjne dozwolone pod warunkiem podania

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 7 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki specjalność FOTONIKA 3,5-letnie studia stacjonarne I stopnia (studia inżynierskie) FIZYKA TECHNICZNA Charakterystyka wykształcenia: - dobre

Bardziej szczegółowo

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Wykład XIV: Właściwości optyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wiadomości wstępne: a) Załamanie

Bardziej szczegółowo

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2 Elektroluminescencja SZCZECIN 2002 WSTĘP Mianem elektroluminescencji określamy zjawisko emisji spontanicznej

Bardziej szczegółowo

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Laser - nazwa utworzona jako akronim od Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - wzmocnienie światła poprzez

Bardziej szczegółowo

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Laser - nazwa utworzona jako akronim od Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - wzmocnienie światła poprzez

Bardziej szczegółowo

Przejścia promieniste

Przejścia promieniste Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze optyczne ZARYS PODSTAW

Wzmacniacze optyczne ZARYS PODSTAW Wzmacniacze optyczne ZARYS PODSTAW REGENERATOR konwertuje sygnał optyczny na elektryczny, wzmacnia sygnał elektryczny, a następnie konwertuje wzmocniony sygnał elektryczny z powrotem na sygnał optyczny

Bardziej szczegółowo

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego 1 I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki spektralnej nietermicznego źródła promieniowania (dioda LD

Bardziej szczegółowo

Optyka. Wykład XII Krzysztof Golec-Biernat. Dyfrakcja. Laser. Uniwersytet Rzeszowski, 17 stycznia 2018

Optyka. Wykład XII Krzysztof Golec-Biernat. Dyfrakcja. Laser. Uniwersytet Rzeszowski, 17 stycznia 2018 Optyka Wykład XII Krzysztof Golec-Biernat Dyfrakcja. Laser Uniwersytet Rzeszowski, 17 stycznia 2018 Wykład XII Krzysztof Golec-Biernat Optyka 1 / 23 Plan Dyfrakcja na jednej i dwóch szczelinach Dyfrakcja

Bardziej szczegółowo

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 13 Temat: Biostymulacja laserowa Istotą biostymulacji laserowej jest napromieniowanie punktów akupunkturowych ciągłym, monochromatycznym

Bardziej szczegółowo

Źródła światła: Lampy (termiczne) na ogół wymagają filtrów. Wojciech Gawlik, Metody Optyczne w Medycynie 2010/11 - wykł. 3 1/18

Źródła światła: Lampy (termiczne) na ogół wymagają filtrów. Wojciech Gawlik, Metody Optyczne w Medycynie 2010/11 - wykł. 3 1/18 Źródła światła: Lampy (termiczne) na ogół wymagają filtrów Wojciech Gawlik, Metody Optyczne w Medycynie 2010/11 - wykł. 3 1/18 Lampy: a) szerokopasmowe, rozkład Plancka 2hc I( λ) = 5 λ 2 e 1 hc λk T B

Bardziej szczegółowo

Technika laserowa, otrzymywanie krótkich impulsów Praca impulsowa

Technika laserowa, otrzymywanie krótkich impulsów Praca impulsowa Praca impulsowa Impuls trwa określony czas i jest powtarzany z pewną częstotliwością; moc w pracy impulsowej znacznie wyższa niż w pracy ciągłej (pomiędzy impulsami może magazynować się energia) Ablacja

Bardziej szczegółowo

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita Niezwykłe światło ultrakrótkie impulsy laserowe Laboratorium Procesów Ultraszybkich Zakład Optyki Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego Światło Fala elektromagnetyczna Dla światła widzialnego długość

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Paweł Kowalczyk, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2015/16

Bardziej szczegółowo

Laser półprzewodnikowy

Laser półprzewodnikowy Ćwiczenie 86 Laser półprzewodnikowy Cel ćwiczenia Badanie własności czerwonego lasera półprzewodnikowego. Obejmuje pomiar: długości fali, polaryzację wiązki, pomiar mocy wiązki, badanie charakterystyki

Bardziej szczegółowo

Trzy rodzaje przejść elektronowych między poziomami energetycznymi

Trzy rodzaje przejść elektronowych między poziomami energetycznymi Trzy rodzaje przejść elektronowych między poziomami energetycznymi absorpcja elektron przechodzi na wyższy poziom energetyczny dzięki pochłonięciu kwantu o energii równej różnicy energetycznej poziomów

Bardziej szczegółowo

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych.

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych (380 520 nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. (zadanie 14) Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN 1 Do

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika

Bardziej szczegółowo

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY

Bardziej szczegółowo

Skończona studnia potencjału

Skończona studnia potencjału Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach

Bardziej szczegółowo

Systemy laserowe. dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki

Systemy laserowe. dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki Systemy laserowe dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki Lasery półprzewodnikowe Charakterystyka lasera półprzewodnikowego pierwszy laser półprzewodnikowy został opracowany w 1962 r. zastosowanie

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny

Repeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny Repeta z wykładu nr 8 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 przegląd detektorów

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE UKŁADY NADAWCZO-ODBIORCZE

ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE UKŁADY NADAWCZO-ODBIORCZE ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE UKŁADY NADAWCZO-ODBIORCZE Plan wykładu: 1. Oddziaływanie fotonów z materią 2. Fotodioda. Dioda świecąca 4. Lasery półprzewodnikowe 5. Układy odbiorcze 6. Układy nadawcze DOSTĘP

Bardziej szczegółowo

UMO-2011/01/B/ST7/06234

UMO-2011/01/B/ST7/06234 Załącznik nr 7 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej

Bardziej szczegółowo

Wykład IV. Dioda elektroluminescencyjna Laser półprzewodnikowy

Wykład IV. Dioda elektroluminescencyjna Laser półprzewodnikowy Wykład IV Dioda elektroluminescencyjna Laser półprzewodnikowy Półprzewodniki - diagram pasmowy Kryształ Si, Ge, GaAs Struktura krystaliczna prowadzi do relacji dyspersji E(k). Krzywizna pasm decyduje o

Bardziej szczegółowo

Lasery półprzewodnikowe na złączu p-n. Laser półprzewodnikowy a dioda świecąca

Lasery półprzewodnikowe na złączu p-n. Laser półprzewodnikowy a dioda świecąca Laser półprzewodnikowy a dioda świecąca Emisja laserowa pojawia się po przekroczeniu progowej wartości natężenia prądu płynącego w kierunku przewodzenia przez heterozłącze p-n w strukturze lasera. Przy

Bardziej szczegółowo

Laser półprzewodnikowy

Laser półprzewodnikowy Ćwiczenie 86A Laser półprzewodnikowy Cel ćwiczenia Badanie własności czerwonego lasera półprzewodnikowego. Obejmuje pomiar: długości fali, polaryzację wiązki, pomiar mocy wiązki, badanie charakterystyki

Bardziej szczegółowo

Wprowadzenie do światłowodowych systemów WDM

Wprowadzenie do światłowodowych systemów WDM Wprowadzenie do światłowodowych systemów WDM WDM Wavelength Division Multiplexing CWDM Coarse Wavelength Division Multiplexing DWDM Dense Wavelength Division Multiplexing Współczesny światłowodowy system

Bardziej szczegółowo

Laser półprzewodnikowy

Laser półprzewodnikowy Ćwiczenie 86 Laser półprzewodnikowy Cel ćwiczenia Badanie właściwości lasera półprzewodnikowego. W ćwiczeniu wyznacza się: długość fali światła lasera, moc i sprawność lasera, próg akcji laserowej, polaryzację

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach

Bardziej szczegółowo

Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych

Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych Na rys. 3.1 przedstawiono widok wykorzystywanego w ćwiczeniu stanowiska pomiarowego do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach

Bardziej szczegółowo

spis urządzeń użytych dnia moduł O-01

spis urządzeń użytych dnia moduł O-01 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie wybranych reprezentatywnych elementów optoelektronicznych nadajników światła (fotoemiterów), odbiorników światła (fotodetektorów) i transoptorów oraz zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Optotelekomunikacja. dr inż. Piotr Stępczak 1

Optotelekomunikacja. dr inż. Piotr Stępczak 1 Optotelekomunikacja dr inż. Piotr Stępczak 1 dr inż. Piotr Stępczak Falowa natura światła () ( ) () ( ) z t j jm z z z t j jm z z e e r H H e e r E E β ω β ω Θ ± Θ ± 1 0 0 1 0 1 1 zatem 0 n n n n gr λ

Bardziej szczegółowo

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %. Informacje ogólne Wykład 28 h Ćwiczenia 14 Charakter seminaryjny zespołu dwuosobowe ~20 min. prezentacje Lista tematów na stronie Materiały do wykładu na stronie: http://urbaniak.fizyka.pw.edu.pl Zaliczenie:

Bardziej szczegółowo

Fotodetektor. Odpowiedź detektora światłowodowego. Nachylenie (czułość) ~0.9 ma/mw. nachylenie = czułość (ma/mw) Prąd wyjściowy (ma)

Fotodetektor. Odpowiedź detektora światłowodowego. Nachylenie (czułość) ~0.9 ma/mw. nachylenie = czułość (ma/mw) Prąd wyjściowy (ma) Detektory Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim. Wykorzystanie niekomercyjne dozwolone pod warunkiem podania źródła. Sergiusz Patela

Bardziej szczegółowo

Struktura pasmowa ciał stałych

Struktura pasmowa ciał stałych Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 7 wykład: Piotr Fita pokazy: Jacek Szczytko ćwiczenia: Aneta Drabińska, Paweł Kowalczyk, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Model atomu Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jądro jest zbudowane z: i) dodatnich protonów ii) neutralnych neutronów Liczba atomowa

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

Bardziej szczegółowo

Optoelektronika cz.i Źródła światła

Optoelektronika cz.i Źródła światła Prowadzący: Optoelektronika cz.i Źródła światła dr hab. inŝ. Marcin Lipiński AGH C-3, pok 514,tel.: 12 617 30 20 e-mail: mlipinsk@agh.edu.pl Literatura uzupełniająca: 1.B.E.A. Saleh, M.C.Teich Fundamentals

Bardziej szczegółowo

Część 1. Wprowadzenie. Przegląd funkcji, układów i zagadnień

Część 1. Wprowadzenie. Przegląd funkcji, układów i zagadnień Część 1 Wprowadzenie Przegląd funkcji, układów i zagadnień Źródło energii w systemie fotowoltaicznym Ogniwo fotowoltaiczne / słoneczne photovoltaic / solar cell pojedynczy przyrząd półprzewodnikowy U 0,5

Bardziej szczegółowo

A21, B21, B12 współczynniki wprowadzone przez Einsteina w 1917 r.

A21, B21, B12 współczynniki wprowadzone przez Einsteina w 1917 r. Absorpcja i emisja fotonu przez atom, który ma dwa poziomy energii hν=e2-e1 h=6,63 10-34 J s Emisja spontaniczna A21 prawdopodobieństwo emisji fotonu przez atom w stanie E2 w ciągu sekundy Absorpcja (wymuszona)

Bardziej szczegółowo

1. FALE ELEKTROMAGNETYCZNE: WŁASNOŚCI I PARAMETRY.

1. FALE ELEKTROMAGNETYCZNE: WŁASNOŚCI I PARAMETRY. 1. FALE ELEKTROMAGNETYCZNE: WŁASNOŚCI I PARAMETRY. 1. Napisz układ równań Maxwella w postaci: a) różniczkowej b) całkowej 2. Podaj trzy podstawowe równania materiałowe wiążące E z D, B z H, E z j 3. Zapisz

Bardziej szczegółowo

L E D light emitting diode

L E D light emitting diode Elektrotechnika Studia niestacjonarne L E D light emitting diode Wg PN-90/E-01005. Technika świetlna. Terminologia. (845-04-40) Dioda elektroluminescencyjna; dioda świecąca; LED element półprzewodnikowy

Bardziej szczegółowo

Bernard Ziętek OPTOELEKTRONIKA

Bernard Ziętek OPTOELEKTRONIKA Uniwersytet Mikołaja Kopernika Bernard Ziętek OPTOELEKTRONIKA Wydanie III, uzupełnione i poprawione Toruń 2011 SPIS TREŚCI PRZEDMOWA DO III WYDANIA 1 PRZEDMOWA DO II WYDANIA 3 PRZEDMOWA DO I WYDANIA 4

Bardziej szczegółowo

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKA WIĄZKI GENEROWANEJ PRZEZ LASER

CHARAKTERYSTYKA WIĄZKI GENEROWANEJ PRZEZ LASER CHARATERYSTYA WIĄZI GENEROWANEJ PRZEZ LASER ształt wiązki lasera i jej widmo są rezultatem interferencji promieniowania we wnęce rezonansowej. W wyniku tego procesu powstają charakterystyczne rozkłady

Bardziej szczegółowo

Charakteryzacja telekomunikacyjnego łącza światłowodowego

Charakteryzacja telekomunikacyjnego łącza światłowodowego Charakteryzacja telekomunikacyjnego łącza światłowodowego Szybkości transmisji współczesnych łączy światłowodowych STM 4 622 Mbps STM 16 2 488 Mbps STM 64 9 953 Mbps Rekomendacje w stadium opracowania

Bardziej szczegółowo

Fizyka Laserów wykład 6. Czesław Radzewicz

Fizyka Laserów wykład 6. Czesław Radzewicz Fizyka Laserów wykład 6 Czesław Radzewicz wzmacniacz laserowy (długie impulsy) - przypomnienie 2 bilans obsadzeń: σ 21 N 2 F s σ 21 N 2 F ħω 12 dn 2 dt = σ 21N 1 F σ 21 N 2 F + σ 21 N 1 F 1 dn 1 dt = F

Bardziej szczegółowo

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe

Bardziej szczegółowo

Laser z podwojeniem częstotliwości

Laser z podwojeniem częstotliwości Ćwiczenie 87 Laser z podwojeniem częstotliwości Cel ćwiczenia Badanie właściwości zielonego lasera wykorzystującego metodę pompowania optycznego i podwojenie częstotliwości przy użyciu kryształu optycznie

Bardziej szczegółowo

Systemy laserowe. dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki

Systemy laserowe. dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki Systemy laserowe dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki Lasery światłowodowe Źródło: www.jakubduba.pl Światłowód płaszcz n 2 n 1 > n 2 rdzeń n 1 zjawisko całkowitego wewnętrznego odbicia Źródło:

Bardziej szczegółowo

PÓŁPRZEWODNIKOWE ŹRÓDŁA ŚWIATŁA ZARYS PODSTAW

PÓŁPRZEWODNIKOWE ŹRÓDŁA ŚWIATŁA ZARYS PODSTAW PÓŁPRZEWODNIKOWE ŹRÓDŁA ŚWIATŁA ZARYS PODSTAW DIODY LED I LASERY PÓŁPRZEWODNIKOWE wyświetlacze, systemy oświetleniowe telekomunikacja (WDM) drukowanie, poligrafia obróbka materiałów układy pomiarowe, badania

Bardziej szczegółowo

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: 1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: A. 10 V B. 5,7 V C. -5,7 V D. 2,5 V 2. Zasilacz dołączony jest do akumulatora 12 V i pobiera z niego prąd o natężeniu

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki kwantowej i budowy materii

Podstawy fizyki kwantowej i budowy materii Podstawy fizyki kwantowej i budowy materii prof. dr hab. Aleksander Filip Żarnecki Zakład Cząstek i Oddziaływań Fundamentalnych Instytut Fizyki Doświadczalnej Wykład 14 15 stycznia 2018 A.F.Żarnecki Podstawy

Bardziej szczegółowo

Układ stabilizacji natężenia prądu termoemisji elektronowej i napięcia przyspieszającego elektrony zwłaszcza dla wysokich energii elektronów

Układ stabilizacji natężenia prądu termoemisji elektronowej i napięcia przyspieszającego elektrony zwłaszcza dla wysokich energii elektronów PL 219991 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 219991 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 398424 (51) Int.Cl. G05F 1/56 (2006.01) H01J 49/26 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej

Bardziej szczegółowo

2007-10-27. NA = sin Θ = (n rdzenia2 - n płaszcza2 ) 1/2. L[dB] = 10 log 10 (NA 1 /NA 2 )

2007-10-27. NA = sin Θ = (n rdzenia2 - n płaszcza2 ) 1/2. L[dB] = 10 log 10 (NA 1 /NA 2 ) dr inż. Krzysztof Hodyr Technika Światłowodowa Część 2 Tłumienie i straty w światłowodach Pojęcie dyspersji światłowodów Technika zwielokrotnienia WDM Źródła strat tłumieniowych sprzężenia światłowodu

Bardziej szczegółowo

Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza

Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Grzegorz Sobczak, Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Joanna Kalbarczyk,

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie

Bardziej szczegółowo

Technika laserowa, ośrodek czynny. Moc (bezpieczeństwo) Sposób pracy (ciągłe, impulsowe) Długość fali Ośrodek czynny Zastosowania

Technika laserowa, ośrodek czynny. Moc (bezpieczeństwo) Sposób pracy (ciągłe, impulsowe) Długość fali Ośrodek czynny Zastosowania Kryteria podziału laserów Moc (bezpieczeństwo) Sposób pracy (ciągłe, impulsowe) Długość fali Ośrodek czynny Zastosowania Podział laserów ze względu na ośrodek czynny Lasery na ciele stałym Lasery gazowe

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15

Bardziej szczegółowo

Ponadto, jeśli fala charakteryzuje się sferycznym czołem falowym, powyższy wzór można zapisać w następujący sposób:

Ponadto, jeśli fala charakteryzuje się sferycznym czołem falowym, powyższy wzór można zapisać w następujący sposób: Zastosowanie laserów w Obrazowaniu Medycznym Spis treści 1 Powtórka z fizyki Zjawisko Interferencji 1.1 Koherencja czasowa i przestrzenna 1.2 Droga i czas koherencji 2 Lasery 2.1 Emisja Spontaniczna 2.2

Bardziej szczegółowo

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy optoelektroniczne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne Są one elementami sterowanymi natężeniem

Bardziej szczegółowo

Właściwości światła laserowego

Właściwości światła laserowego Właściwości światła laserowego Cechy charakterystyczne światła laserowego: rozbieżność (równoległość) wiązki, pasmo spektralne, gęstość mocy spójność (koherencja). Równoległość wiązki Dyfrakcyjną rozbieżność

Bardziej szczegółowo

ASER. Wykład 18: M L. Dr inż. Zbigniew Szklarski. Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321.

ASER. Wykład 18: M L. Dr inż. Zbigniew Szklarski. Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321. Wykład 18: M L ASER Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ 1 Amplification by Stimulated Emission of Radiation Kwantowe

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM Pomiar charakterystyki kątowej

LABORATORIUM Pomiar charakterystyki kątowej Ćwiczenie 6 LABORATORIUM Pomiar charakterystyki kątowej Opracował: Grzegorz Wiśniewski Zagadnienia do przygotowania Opisz budowę złączy światłowodowych. Opisz budowę lasera w tym lasera półprzewodnikowego.

Bardziej szczegółowo

Piotr Targowski i Bernard Ziętek LASER PÓŁPRZEWODNIKOWY

Piotr Targowski i Bernard Ziętek LASER PÓŁPRZEWODNIKOWY Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Piotr Targowski i Bernard Ziętek Pracownia Optoelektroniki Specjalność : Fizyka medyczna LASER PÓŁPRZEWODNIKOWY Zadanie V Zakład Optoelektroniki Toruń 2001

Bardziej szczegółowo

BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH

BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 70 Electrical Engineering 2012 Bartosz CERAN* BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH W artykule przedstawiono model matematyczny modułu fotowoltaicznego.

Bardziej szczegółowo

Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej. Zakład Optoelektroniki

Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej. Zakład Optoelektroniki Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej Zakład Optoelektroniki Instrukcja do ćwiczenia: Badanie parametrów wzmacniacza światłowodowego EDFA Ostatnie dwie dekady to okres niezwykle

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE Nr 4 LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH. Badanie krawędzi absorpcji podstawowej w kryształach półprzewodników POLITECHNIKA ŁÓDZKA

ĆWICZENIE Nr 4 LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH. Badanie krawędzi absorpcji podstawowej w kryształach półprzewodników POLITECHNIKA ŁÓDZKA POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH ĆWICZENIE Nr 4 Badanie krawędzi absorpcji podstawowej w kryształach półprzewodników I. Cześć doświadczalna. 1. Uruchomić Spekol

Bardziej szczegółowo