Fizyka ciała stałego i promieniotwórczość
|
|
- Marek Kubicki
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Fizyka ciała stałego i promieniotwórczość Ciała stałe Kryształy Ciała bezpostaciowe amorficzne Polimery Własności: kruchość, spręŝystość, plastyczność Teoria ciała stałego: fizyka kwantowa i statystyczna Krystalografia Nauka o symetrii kryształów opiera się na: analizie rentgenowskiej, analizie neutronowej, badaniach wpływu procesów technologicznych na własności strukturalne kryształów. Kryształ - ciało stałe o periodycznym ułoŝeniu atomów lub cząstek: monokryształ, (bez zrostów), polikryształ Symetrie kryształów: obrót, odbicie, translacja lub ich suma Stopień symetrii (liczba operacji ), oś symetrii 2,3,4 i 6 (obrót o 180 o, 120 o, 90 o,60 o ), płaszczyzna symetrii ( odbicie) 14 nie - równowaŝnych modeli geometrycznych róŝniących się symetrią
2 Rodzaje kryształów Kryształy metaliczne (o liczbie upakowania 12 zajmują 74,1 % przestrzeni, o liczbie upakowania 8-68,1%) Stopy: 1. w kaŝdym składzie identyczne atomy ( róŝnice mniejsze niŝ 15%), te same wartościowości krystalizujące w tym samym układzie (złoto i srebro, miedź i nikiel) 2. inaczej miedź (rozpuszcza 60% cynku) i cynk (rozpuszcza 2,3% miedzi) 3. Stopy międzywęzłowe: stal = węgiel i Ŝelazo Kryształy jonowe związane silnymi siłami elektrostatycznymi twarde o wysokiej temperaturze topnienia, ściśliwe (NaCl, KCl,KBr,MgO, CaO,MgS) Rodzaje kryształów Kryształy walencyjne (złoŝone z tych samych atomów) twarde o wysokiej temperaturze topnienia opis daje mechanika kwantowa, zhybrydyzowane chmury elektronów (diament, krzem, cyna szara) Kryształy molekularne atomy nieaktywne chemicznie związane są słabymi siłami Van der Waalsa miękkie: siła wiązania maleje z 7 potęgą odległości organiczne o niskiej temperaturze topnienia Wiązanie wodorowe lód twarde, ciepło właściwe wody 1,009 cal/g.kelwin, lodu 0,49 cal/g.kelwin, Gęstość lodu mniejsza o 9% niŝ wody, mała gęstość upakowania, kaŝda molekuła ma tylko 4 sąsiadów eci krystaliczne
3 Rodzaje sieci krystalicznej Rodzaje sieci krystalicznej cd Rodzaje sieci krystalicznej cd.
4 Układy krystalograficzne trójskośny a, b, c, α, β, γ jednoskośny a, b, c, α = γ = 90, β rombowy a, b, c, α = β = γ = 90 tetragonalny a, a, c, α = β = γ = 90 heksagonalny a, a, c, α = β = 90, γ = 120 regularny a, a, a, α = β = γ = 90 Upakowanie atomów w sieci krystalicznej Zwarte rozmieszczenie kul ścisłe upakowanie sześcienne (Cu, Ag,Au, CH 4, HCl ścisłe upakowanie naprzemienne Mg, Zn Dziury w warstwach Struktury węgla- diament i grafit
5 Struktury węgla fullereny Defekty kryształów Brak atomu (defekt Schottky ego rośnie z temperaturą), Fonony paczki fal związane z drganiami sieci, Swobodne elektrony i dziury, Ekscytony fotony pobudzonych atomów-przenoszą energię nie przenoszą ładunku, Obce atomy dodatkowe poziomy energetyczne, luminiscencja, Dyslokacje - niedoskonałości wzdłuŝ linii-dyslokacje krawędzioweiśrubowe efekt fałdy na dywanie Kwantowa teoria ciała stałego Zasada ekwipartycji energii mówi, Ŝe na jeden stopień swobody przypada energia = ½ kt swobodne molekuły: E=3/2 NkT=3/2RT=c V T stąd c V =3/2R=3 cal/mol.kelwin W ciele stałym oprócz energii kinetycznej jest jeszcze energia potencjalna prawo Dulonga-Petita c V =2R=6 cal/mol.kelwin Wzór Einsteina 2 θ θ T 3 R e T h ν c v = θ = θ 2 k T 1 e θ gdy T 0 c v 0 T Teoria kwantowa Debye a pozwala np. na wyliczenie ciepła właściwego ciał stałych c v =αt+βt 3
6 Półprzewodniki Przewodnictwo rośnie wraz z temperaturą, w niskich temperaturach półprzewodniki są izolatorami - emisja termiczna przenosi elektrony do pasma przewodnictwa, zaś w paśmie walencyjnym powstają dziury, przewodność :10-8 <σ<10 6 S/m Półprzewodniki samoistne (bez domieszek): german i krzem, (4-wartościowe 4 elektrony ) Półprzewodniki domieszkowe: (arsen i antymon) nadmiar donorów- półprzewodnik n, (gal i ind) nadmiar akceptorów (dziur)- półprzewodnik p Koncentracja nośników prądu : n=p=at 3/2 exp(-e g /2kT) Przykłady: Ge, GaAs, GaP itp. W gazie elektronowym nie ma zaleŝności energii kinetycznej elektronów od temperatury MODEL PASMOWY Teoria pasmowa jest to teoria kwantowa opisująca stany energetyczne elektronów w krysztale. W odróŝnieniu od atomów, w których dozwolone stany energetyczne elektronów stanowią zbiór poziomów dyskretnych, dozwolone elektronowe stany energetyczne w kryształach mają charakter pasm o szerokości kilku elektronowoltów. W Pasmo przewodnictwa Pasmo zabronione W g Pasmo podstawowe X MODEL PASMOWY Przewodnik Półprzewodnik Izolator Pasmo walencyjne Pasmo zabronione Pasmo przewodnictwa
7 Półprzewodniki samoistne Ciała stałe ze względu na ich właściwości elektryczne dzielimy na trzy grupy: 1. przewodniki, w których stany zapełnione sąsiadują bezpośrednio ze stanami pustymi (np. metale), 2. izolatory, w których najmniejsza energetyczna odległość między stanami zapełnionymi elektronami i pustymi zwana przerwą energetyczną (Eg) jest duŝa, tzn. większa niŝ 2 ev (np. dla diamentu wynosi ona 5,4 ev), 3. Półprzewodniki, w których przerwa energetyczna jest mniejsza niŝ 2 ev (np. dla krzemu wynosi 1,1 ev). Na rys. przedstawiono schematycznie strukturę pasmową tych materiałów oraz ich obsadzenie elektronami w temperaturze zera bezwzględnego. W T >0 K Generacja Foton W pr W c Rekombinacja Foton W v 0 L X Półprzewodnik typu n i typu p (półprzewodniki niesamoistne) Półprzewodnik niesamoistny jest wówczas, gdy w sieci krystalicznej monokryształu zamiast atomów pierwiastka materiału półprzewodnikowego znajduje się inny atom (np. w sieci krystalicznej krzemu znajduje się fosfor). Powstaje wówczas tzw. półprzewodnik domieszkowany, a ten inny atom nazywamy domieszką. RozróŜniamy dwa rodzaje domieszek: donorową i akceptorową. Jeśli na skutek nieregularności sieci krystalicznej w półprzewodniku będą przewaŝać nośniki typu dziurowego, to półprzewodnik taki nazywać będziemy półprzewodnikiem typu p (niedomiarowy). A gdy będą przewaŝać nośniki elektronowe, będziemy nazywać je półprzewodnikami typu n (nadmiarowy).
8 Półprzewodnik typu n uzyskuje się przez dodanie w procesie wzrostu kryształu krzemu domieszki pierwiastka pięciowartościowego (np. antymon, fosfor). Niektóre atomy krzemu zostaną zastąpione w sieci krystalicznej atomami domieszki, zwanymi donorami W Pasmo przewodnictwa (nadmiar elektronów) Elektron nadmiarowy P +5 Poziom donorowy Elektrony Pasmo podstawowe X KaŜdy atom domieszki ma pięć elektronów walencyjnych, z których cztery są związane z sąsiednimi atomami krzemu. A piąty elektron jest wolny i moŝe być łatwo oderwany od atomu domieszki jonizując dodatnio. Elektron wówczas przechodzi do pasma przewodnictwa półprzewodnika. Atomy domieszki w modelu pasmowym półprzewodnika znajdują się na tzw. poziomie donorowym, który występuje w pobliŝu dna pasma przewodnictwa półprzewodnika Półprzewodnik typu p uzyskuje się przez zastąpienie niektórych atomów krzemu atomami pierwiastków trójwartościowych (np. glinu, galu). Na rysunku przedstawiono model sieci krystalicznej krzemu z domieszką atomów indu. W Pasmo przewodnictwa In +3 Dziura Poziom akceptorowy Dziury Pasmo podstawowe (nadmiar dziur) X Atom tej domieszki ma trzy elektrony walencyjne, związane z sąsiednimi atomami krzemu. Do wypełnienia czwartego wiązania sąsiadującego krzemu, brakuje w sieci krystalicznej jednego elektronu i zostaje on uzupełniony przez pobranie elektronu z jednego z sąsiednich wiązań, w którym powstaje dziura. Atom pierwiastka trójwartościowego, zwanego akceptorem, po uzupełnieniu elektronu w nieprawidłowym wiązaniu (na skutek niedostatku ładunków dodatnich w jądrze) staje się jonem ujemnym, wywołując lokalną polaryzację kryształu. Elektron ten przechodzi z pasma podstawowego półprzewodnika na poziom akceptorowy, jonizując tym samym ujemnie atom domieszki. Poziom akceptorowy znajduje się w pobliŝu wierzchołka pasma podstawowego półprzewodnika
9 Złącze p-n czyli dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa powstaje przez zetknięcie dwóch półprzewodników o róŝnych rodzajach przewodności niesamoistnej. Granica zetknięcia półprzewodnika typu p z półprzewodnikiem typu n nosi nazwę złącza p-n. W obszarze złącza p-n elektrony przechodzą z półprzewodnika typy n do p, natomiast dziury w kierunku przeciwnym. Zjawisko to nazywamy dyfuzją nośników ładunku, a jego przyczyną jest róŝnica koncentracji nośników po obu stronach złącza. W ten sposób powstaje warstwa podwójna ładunku o grubości l mniejszej niŝ 1 µm Rozkład ładunku i nośników w niespolaryzowanej diodzie półprzewodnikowej n-p swobodne nośniki ładunku. JeŜeli do złącza p-n przyłoŝyć zewnętrzne pole elektryczne E z w kierunku zgodnym z kierunkiem pola E np (do półprzewodnika typu n biegun dodatni, a do typu p biegun ujemny) (rys.a), to grubość warstwy zaporowej wzrośnie. W wyniku tego rezystancja złącza znacznie wzrośnie i będzie przez niego płynąć stosunkowo słaby prąd. Nosi on nazwę zaporowego, a jego kierunek przepływu kierunku zaporowego. JeŜeli do złącza p-n przyłoŝyć zewnętrzne pole elektryczne E z w kierunku przeciwnym do wewnętrznego pola złącza E np (do typu n biegun ujemny, a do typu p biegun dodatni) (rys.b), to zmniejsza się grubość warstwy zaporowej i jej rezystancja. Przy takiej polaryzacji przez diodę moŝe płynąć prąd o duŝym natęŝeniu, a jego kierunek nazywamy kierunkiem przewodzenia. NatęŜenie prądu I płynącego przez złącze p - n pod wpływem przyłoŝonego z zewnątrz napięcie U Spolaryzowana dioda n p: D wyraŝa się następującym wzorem a) w kierunku zaporowym, U D b) w kierunku przewodzenia. U kt T I = I s ( e 1) gdzie UT = 26mV przy T = 300K e W diodach wyprowadzenie polaryzowane dodatnio dla pracy w kierunku przewodzenia nazywa się anodą A, a drugą końcówkę, polaryzowaną ujemnie, katodą K. Strzałka w symbolu diody wskazuje kierunek przepływu prądu przewodzenia. Charakterystyka diody zgodnie ze zjawiskami występującymi w złączy PN kształtuje się jak na rysunku. Dla przykładu, jeśli diodę włączono w obwód prądy stałego tak, Ŝe wartość prądu płynącego od anody do katody jest równa 10 ma, wówczas (jak widać z wykresu) spadek napięcia na przewodzącej diodzie będzie wynosił 0,5 V. Prąd płynący w kierunku zaporowym, wynoszący dla diod uniwersalnych kilka nanoamperów jest pomijalny, dopóki nie przekroczy się napięcia przebicia. Zakres takiej pracy jest wykorzystywany w diodach Zenera. W diodach często dla uproszczenia pomijany jest teŝ spadek napięcia na przewodzącej diodzie i dioda moŝe być traktowana jako dobre przybliŝenie idealnego elementu przewodzącego prąd tylko w jednym kierunku. Spadek napięcie wynosi dla diod krzemowych od 0,5 do 0,8 V i warto o nim pamiętać, szczególnie podczas dobierania napięć w układach zasilających. I U Przy polaryzacji złącza PN w kierunku zaporowym napięciem większym niŝ pewna charakterystyczna dla danego złącza wartość napięcia nazywana napięciem przebicia, następuje raptowny wzrost prądu płynącego przez złącze. Zjawisko to nosi nazwę przebicia złącza. WyróŜnia się dwa mechanizmy przebicia złącza: przebicie Zenera i przebicie lawinowe. Przebicie Zenera wiąŝe się z jonizacją elektrostatyczną atomów w sieci krystalicznej, natomiast przebicie lawinowe, z jonizacją zderzeniową. Zjawiska przebicia złącza nie naleŝy bezpośrednio wiązać z jego zniszczeniem. JeŜeli prąd wsteczny złącza jest odpowiednio ograniczony, to złącze dowolnie długo moŝe pracować w zakresie przebicia. Dopiero zbyt duŝy prąd wsteczny, powodując nadmierne wydzielanie ciepła, moŝe zniszczyć złącze. Zniszczenie cieplne złącza moŝe spowodować równieŝ zbyt duŝy prąd przewodzenia. W obu przypadkach wiąŝe się to z przekroczeniem dopuszczalnej mocy strat złącza.
10 Diody klasyfikujemy ze względu na: materiał - krzemowe - germanowe konstrukcję - ostrzowe i warstwowe - stopowe i dyfuzyjne - mesa - planarne i epiplanarne strukturę fizyczną złącza - p-n - MS - Heterozłącza zastosowanie - prostownicze - uniwersalne - impulsowe - stabilitrony Zenera - pojemnościowe warikapy i waraktory - tunelowe - mikrofalowe: detekcyjne i mieszające - fotodiody - diody elektroluminescencyjne przebiegające zjawiska - Zenera - Gunna - lawinowe - tunelowe +I (ma) Charakterystyka diody Kierunek przewodzenia I Kierunek zaporowy +U 0 U Obszar przebicia -I (µa) Parametry charakteryzujące diody prostownicze napięcie przewodzenia U F, przy określonym prądzie przewodzenia, prąd wsteczny I R, przy określonym napięciu w kierunku zaporowym, czas ustalania się prądu wstecznego t, pojemność C, przy określonym napięciu przewodzenia. Dopuszczalne (graniczne) parametry: maksymalny prąd przewodzenia I 0 szczytowe napięcie wsteczne U RWM Prostowniki I F[A] 2,2 100 o C 1,8 1,4 1,0 0,6 25 o C -50 o C 0,2 U F[V] 0 0,2 0,4 0,6 1,0 Charakterystyki przewodzenia diody pn dla róŝnych temperatur
11 Prostownik dwupołówkowy u 2 t u 1 t Prostownik mostkowy V ~ 50Hz + _ L 1 U WE UWY U WE C 1 R B U WY Promieniotwórczość
12 Historia W 1895 roku Wilhelm Roentgen odkrył promienie elektromagnetyczne mające zdolność przenikania ciała stałego. Ze względu na ich tajemniczość nazwał je promieniami X. W 1896 roku francuski fizyk Henri Becquerel, badając związek uranu, zauwaŝył, Ŝe klisza fotograficzna znajdująca się w pobliŝu tego związku ściemniała, mimo braku promieni słonecznych. Wyciągnął, więc wniosek, iŝ związki uranu wysyłają promieniowanie same z siebie. Stwierdził on równieŝ, Ŝe uran metaliczny jest źródłem niewidzialnego promieniowania. Maria Curie-Skłodowska i Piotr Curie odkryli promieniotwórczość uranu i toru oraz pierwiastki polon i rad. W 1903 roku Henri Becquerel, Maria Curie-Skłodowska oraz jej mąŝ Piotr Curie zostali uhonorowani Nagrodą Nobla w dziedzinie fizyki za odkrycie radioaktywności i badania w tej dziedzinie. Rodzaje promieniotwórczości Promieniotwórczość - to zjawisko samorzutnego rozpadu jąder połączone z emisją cząstek beta, cząstek alfa, promieniowania gamma. Promieniotwórczość moŝemy podzielić na promieniotwórczość naturalną (towarzysząca przemianom jądrowym izotopów występujących w przyrodzie) promieniotwórczość sztuczną (zachodzącą w jądrach atomów otrzymywanych sztucznie - poprzez bombardowanie jąder trwałych pierwiastków np. cząstkami alfa oraz beta). Własności promieniowania Pierwiastki radioaktywne mają następujące właściwości: a) zaczerniają klisze fotograficzne b) pierwiastki promieniotwórcze wysyłają ciepło, a w stanie czystym świecą w ciemności c) wywołują luminescencję niektórych substancji na przykład siarczku cyjanku. d) Wywołują działanie chemiczne, pod wpływem promieniowania na przykład tlen zamienia się w ozon, woda czy chlorowodór ulegają rozkładowi
13 źródła naturalne Na naturalne źródła promieniowania składają się: a) Ziemia, jest naturalnym źródłem promieniowania, które jest związane z występowaniem w skorupie ziemskiej i glebie naturalnych izotopów promieniotwórczych b) Radon (Rn) w powietrzu, emitowany z niektórych rodzajów wód na przykład mineralnych. c) Radon w budynkach, wydzielany z gleby i gromadzący się w niewietrzonych pomieszczeniach. Ze wszystkich źródeł naturalnych daje największą dawkę promieniowania. Rodzaje źródeł naturalnych Alfa, powstaje w wyniku rozpadu jąder atomowych. Promieniowanie to polega na emisji jąder helu He, składających się z dwóch protonów i dwóch neutronów. Beta, jest to strumień elektronów powstający w wyniku rozpadu beta, który polega na uwolnieniu strumienia elektronów z jądra atomowego. RozróŜniamy dwa promieniowania beta: 1) Promieniowanie beta minus -powstające w wyniku przemiany neutronu w proton w jądrze atomowym. W tym przypadku liczba atomowa powstałego atomu jest zawsze o jeden większa od liczby atomowej jądra macierzystego. 2) Promieniowanie beta plus - w jądrze atomowym dochodzi do zamiany protonu w neutron. W czasie tej przemiany dochodzi właśnie do powstania promieniowania beta plus, po tej przemianie liczba atomowa powstałego atomu jest zawsze o jeden mniejsza od liczby atomowej atomu macierzystego. Jeśli cząstki promieniowania beta plus spotkałyby się z cząstkami promieniowania beta minus doszłoby do natychmiastowej anihilacji, czyli zamiany materii w energię, a takŝe do uwolnienia promieniowania gamma. Gamma to krótkofalowe promieniowanie elektromagnetyczne. Emitowane jest przez promieniotwórcze bądź wzbudzone jądra atomowe.
14 Pochłanianie KaŜdy rodzaj promieniowania charakteryzuje się inną przenikliwością. Największą zdolność przenikania przez materię ma promieniowanie gamma (przechodzi przez grube warstwy ołowiu w powietrzu jest zdolne przebyć nawet setki metrów a ciało ludzkie przenika z łatwością). lniej pochłaniane jest promieniowanie betta. Jest ono zdolne do wniknięcia w głąb ciała do 6 cm, zatrzymuje je płytka aluminiowa o grubości kilku milimetrów a warstwa powietrza około 40 m. Najmniejszą przenikliwością charakteryzują się promieniowanie alfa - nie przechodzi nawet przez kartkę papieru i zatrzymuje je juŝ warstwa powietrza o grubości około 3-10 cm. Przemiany promieniotwórcze JeŜeli z jądra pierwiastka promieniotwórczego wyrzucona zostanie cząstka alfa lub beta to skład jądra ulegnie zmianie. Mówimy, Ŝe jądro ulega przemianie promieniotwórczej. Przemianę promieniotwórcza, której towarzyszy emisja cząstki alfa nazywamy rozpadem cząstki alfa lub cząstki beta - rozpadem beta. Rządzą nimi specjalne reguły; zwane regułami przesunięć Soddy'ego i Fajansa. Rozpad alfa symbolicznie zapisujemy wzorem : Mówimy zatem, Ŝe na skutek rozpadu a pierwiastek przesuwa się o dwa miejsca ku początkowi układu okresowego. Rozpad beta zapisujemy symbolicznie: MoŜemy powiedzieć, Ŝe na skutek rozpadu beta pierwiastek przesuwa się o jedno miejsce ku końcowi układu okresowego. Z równania przemiany beta wynika, Ŝe jądro emituje w tej przemianie elektron. podczas rozpadu beta w jądrze pierwiastka następuje przemiana neutronu w proton i elektron. Proton zostaje w jądrze a elektron jest wyrzucony na zewnątrz.
15 W przemianach promieniotwórczych spełniona jest zasada zachowania ładunku elektrycznego oraz zasada zachowania liczby nukleonów. Rozpad gamma - towarzyszy prawie wszystkim przemianom promieniotwórczym związanym z emisją cząstki alfa i beta. Emisja fotonu promieniowania Y nie zmienia ani ładunku, ani masy jądra rozpadającego się. Często zdarza się, Ŝe pierwiastek pojawiający się w wyniku przemiany promieniotwórczej ulega dalszej przemianie alfa lub beta. Powstaje nowy pierwiastek, który znów ulega przemianie jądrowej itd. Tworzą się wówczas tzw. szeregi promieniotwórcze, czyli rodziny. W przyrodzie istnieją 3 naturalne rodziny promieniotwórcze: rodzina torowa, uranowa i aktynowa oraz jedna wytwarzana sztucznie - rodzina neptunowa Rozpad promieniotwórczy zaleŝność czasowa Doświadczalnie stwierdzono, Ŝe ilość substancji promieniotwórczej zmienia się w czasie ten sposób, Ŝe co pewien czas rozpada się połowa jąder atomowych pierwiastka. Czas ten nazywamy czasem połowicznego rozpadu (T 1/2 ). Czasem połowicznego rozpadu nazywamy czas, po upływie którego połowa atomów danego pierwiastka ulega rozpadowi. JeŜeli np. dla polonu czas połowicznego rozpadu wynosi 138 dni to znaczy, Ŝe po upływie tego czasu pozostanie tylko połowa pierwotnej liczby jąder polonu. Po upływie dalszych l38 dni pozostanie połowa z tej połowy itd. ZaleŜność tę przedstawia Krzywa zaniku promieniotwórczego :
16 Stała rozpadu i połowiczny czas zaniku sąściśle związane N = N o e λt N N = o 2 No = N e 2 λt1/ o 1 ln( ) = λt 2 2 1/ 2 T ln 2 = λ 1 / 2 = 0,693 λ Prawo rozpadu promieniotwórczego brzmi: Ubytek liczby jąder pierwiastka promieniotwórczego w jednostce czasu (aktywność) jest proporcjonalny do liczby jąder, które jeszcze nie uległy rozpadowi. dn A = = λ N dt N = N o e λt Oprócz czasu połowicznego rozpadu drugą wielkością charakteryzującą pierwiastki promieniotwórcze jest stała rozpadu promieniotwórczego oznaczona symbolem λ. Informuje ona nas O tym, Ŝe część początkowej liczby jąder rozpadła się w ciągu jednej sekundy.
MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE
MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE Półprzewodniki obejmują obszerną grupę materiałów, które ze względu na przewodnictwo elektryczne zajmują pośrednie miejsce pomiędzy metalami a izolatorami. Półprzewodniki stanowią
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoStruktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowo2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.
2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoPromieniotwórczość naturalna. Jądro atomu i jego budowa.
Promieniotwórczość naturalna. Jądro atomu i jego budowa. Doświadczenie Rutherforda (1909). Polegało na bombardowaniu złotej folii strumieniem cząstek alfa (jąder helu) i obserwacji odchyleń ich toru ruchu.
Bardziej szczegółowodoświadczenie Rutheforda Jądro atomowe składa się z nuklonów: neutronów (obojętnych elektrycznie) i protonów (posiadających ładunek dodatni +e)
1 doświadczenie Rutheforda Jądro atomowe składa się z nuklonów: neutronów (obojętnych elektrycznie) i protonów (posiadających ładunek dodatni +e) Ilość protonów w jądrze określa liczba atomowa Z Ilość
Bardziej szczegółowoI ,11-1, 1, C, , 1, C
Materiał powtórzeniowy - budowa atomu - cząstki elementarne, izotopy, promieniotwórczość naturalna, okres półtrwania, średnia masa atomowa z przykładowymi zadaniami I. Cząstki elementarne atomu 1. Elektrony
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoW1. Właściwości elektryczne ciał stałych
W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowoPodstawy krystalografii
Podstawy krystalografii Kryształy Pojęcie kryształu znane było już w starożytności. Nazywano tak ciała o regularnych kształtach i gładkich ścianach. Już wtedy podejrzewano, że te cechy związane są ze szczególną
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników
Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Model atomu Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jądro jest zbudowane z: i) dodatnich protonów ii) neutralnych neutronów Liczba atomowa
Bardziej szczegółowoPoziom nieco zaawansowany Wykład 2
W2Z Poziom nieco zaawansowany Wykład 2 Witold Bekas SGGW Promieniotwórczość Henri Becquerel - 1896, Paryż, Sorbona badania nad solami uranu, odkrycie promieniotwórczości Maria Skłodowska-Curie, Piotr Curie
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe. Stabilizator - dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) Logiczna bramka NAND. w.7, p.1
Układy nieliniowe Układy nieliniowe odgrywają istotną rolę w nowoczesnej elektronice, np.: generatory sygnałów, stabilizatory, odbiorniki i nadajniki w telekomunikacji, zasialcze impulsowe stałego napięcia
Bardziej szczegółowoOCHRONA RADIOLOGICZNA PACJENTA. Promieniotwórczość
OCHRONA RADIOLOGICZNA PACJENTA Promieniotwórczość PROMIENIOTWÓRCZOŚĆ (radioaktywność) zjawisko samorzutnego rozpadu jąder atomowych niektórych izotopów, któremu towarzyszy wysyłanie promieniowania α, β,
Bardziej szczegółowoRozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
Bardziej szczegółowoPrzewodniki, półprzewodniki i izolatory
Przewodniki, półprzewodniki i izolatory Według współczesnego poglądu na budowę materii zawiera ona w stanie normalnym albo inaczej - obojętnym, równe ilości elektryczności dodatniej i ujemnej. JeŜeli takie
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna
Półprzewodniki samoistne Struktura krystaliczna Si a5.43 A GaAs a5.63 A ajczęściej: struktura diamentu i blendy cynkowej (ZnS) 1 Wiązania chemiczne Wiązania kowalencyjne i kowalencyjno-jonowe 0K wszystkie
Bardziej szczegółowoZłącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoWłaściwości kryształów
Właściwości kryształów Związek pomiędzy właściwościami, strukturą, defektami struktury i wiązaniami chemicznymi Skład i struktura Skład materiału wpływa na wszystko, ale głównie na: właściwości fizyczne
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoTEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH
TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH Skolektywizowane elektrony w metalu Weźmy pod uwagę pewną ilość atomów jakiegoś metalu, np. sodu. Pojedynczy atom sodu zawiera 11 elektronów o konfiguracji 1s 2 2s 2 2p 6 3s
Bardziej szczegółowoFunkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach
Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B
Bardziej szczegółowoWykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
Bardziej szczegółowoS. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki
Półprzewodniki Definicja i własności Półprzewodnik materiał, którego przewodnictwo rośnie z temperaturą (opór maleje) i w temperaturze pokojowej wykazuje wartości pośrednie między przewodnictwem metali,
Bardziej szczegółowoZadanie 3. (2 pkt) Uzupełnij zapis, podając liczbę masową i atomową produktu przemiany oraz jego symbol chemiczny. Th... + α
Zadanie: 1 (2 pkt) Określ liczbę atomową pierwiastka powstającego w wyniku rozpadów promieniotwórczych izotopu radu 223 88Ra, w czasie których emitowane są 4 cząstki α i 2 cząstki β. Podaj symbol tego
Bardziej szczegółowoReakcje jądrowe dr inż. Romuald Kędzierski
Reakcje jądrowe dr inż. Romuald Kędzierski Wybuch bomby Ivy Mike (fot. National Nuclear Security Administration/Nevada Site Office, domena publiczna) Przemiany jądrowe 1. Spontaniczne (niewymuszone) związane
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe
Przyrządy półprzewodnikowe Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T Metal
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoInstytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka
Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII
Bardziej szczegółowoAutorzy: Zbigniew Kąkol, Piotr Morawski
Rodzaje rozpadów jądrowych Autorzy: Zbigniew Kąkol, Piotr Morawski Rozpady jądrowe zachodzą zawsze (prędzej czy później) jeśli jądro o pewnej liczbie nukleonów znajdzie się w stanie energetycznym, nie
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe. Stabilizator dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) w.9, p.1
Układy nieliniowe Układy nieliniowe odgrywają istotną rolę w nowoczesnej elektronice, np.: generatory sygnałów, stabilizatory, odbiorniki i nadajniki w telekomunikacji, zasialcze impulsowe stałego napięcia
Bardziej szczegółowoA - liczba nukleonów w jądrze (protonów i neutronów razem) Z liczba protonów A-Z liczba neutronów
Włodzimierz Wolczyński 40 FIZYKA JĄDROWA A - liczba nukleonów w jądrze (protonów i neutronów razem) Z liczba protonów A-Z liczba neutronów O nazwie pierwiastka decyduje liczba porządkowa Z, a więc ilość
Bardziej szczegółowoWYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.
Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.1/10 ĆWICZENIE 1 WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.CEL ĆWICZENIA: Zapoznanie się z podstawowymi
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza)
Instrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza) Laboratorium Elektroenergetyki 1 1. Cel i program ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: zapoznanie się z budową diody półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowopobrano z serwisu Fizyka Dla Każdego - - zadania z fizyki, wzory fizyczne, fizyka matura
14. Fizyka jądrowa zadania z arkusza I 14.10 14.1 14.2 14.11 14.3 14.12 14.4 14.5 14.6 14.13 14.7 14.8 14.14 14.9 14. Fizyka jądrowa - 1 - 14.15 14.23 14.16 14.17 14.24 14.18 14.25 14.19 14.26 14.27 14.20
Bardziej szczegółowoPrzerwa energetyczna w germanie
Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania
Bardziej szczegółowoSkończona studnia potencjału
Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach
Bardziej szczegółowoRys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)
Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA
ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA wykład 2 PÓŁPRZEWODNIKI luty 2008 - Lublin krzem u ej n o z r o w t rze i p o ytk d u pł m rze k Od m ik ro pr oc es or ET F S MO p rzy rząd Od p iasku do Ten wykład O CZYM
Bardziej szczegółowoPodstawy działania elementów półprzewodnikowych - diody
Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - diody Wrocław 2010 Ciało stałe Ciało, którego cząstki (atomy, jony) tworzą trwały układ przestrzenny (sieć krystaliczną) w danych warunkach (tzw. normalnych).
Bardziej szczegółowor. akad. 2012/2013 Wykład IX-X Podstawy Procesów i Konstrukcji Inżynierskich Fizyka jądrowa Zakład Biofizyki 1
r. akad. 2012/2013 Wykład IX-X Podstawy Procesów i Konstrukcji Inżynierskich Fizyka jądrowa Zakład Biofizyki 1 Budowa jądra atomowego każde jądro atomowe składa się z dwóch rodzajów nukleonów: protonów
Bardziej szczegółowoCHEMIA LEKCJA 1. Budowa atomu, Izotopy Promieniotwórczość naturalna i sztuczna. Model atomu Bohra
CHEMIA LEKCJA 1. Budowa atomu, Izotopy Promieniotwórczość naturalna i sztuczna Model atomu Bohra SPIS TREŚCI: 1. Modele budowy atomu Thomsona, Rutherforda i Bohra 2. Budowa atomu 3. Liczba atomowa a liczba
Bardziej szczegółowoEnergetyka konwencjonalna odnawialna i jądrowa
Energetyka konwencjonalna odnawialna i jądrowa Wykład 8-27.XI.2018 Zygmunt Szefliński Środowiskowe Laboratorium Ciężkich Jonów szef@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szef/ Wykład 8 Energia atomowa i jądrowa
Bardziej szczegółowoPodstawowe własności jąder atomowych
Podstawowe własności jąder atomowych 1. Ilość protonów i neutronów Z, N 2. Masa jądra M j = M p + M n - B 2 2 Q ( M c ) ( M c ) 3. Energia rozpadu p 0 k 0 Rozpad zachodzi jeżeli Q > 0, ta nadwyżka energii
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe. Stabilizator dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) w.9, p.1
Układy nieliniowe Układy nieliniowe odgrywają istotną rolę w nowoczesnej elektronice, np.: generatory sygnałów, stabilizatory, odbiorniki i nadajniki w telekomunikacji, zasialcze impulsowe stałego napięcia
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika
Nazwisko... Data... Nr na liście... Imię... Wydział... Dzień tyg.... Godzina... Ćwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika Tabela I. Metal Nazwa próbki:
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.
WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoZaburzenia periodyczności sieci krystalicznej
Zaburzenia periodyczności sieci krystalicznej Defekty liniowe dyslokacja krawędziowa dyslokacja śrubowa dyslokacja mieszana Defekty punktowe obcy atom w węźle luka w sieci (defekt Schottky ego) obcy atom
Bardziej szczegółowoPasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka
Pasmowa teoria przewodnictwa elektrycznego Anna Pietnoczka Wpływ rodzaju wiązań na przewodność próbki: Wiązanie jonowe - izolatory Wiązanie metaliczne - przewodniki Wiązanie kowalencyjne - półprzewodniki
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoAnna Grych Test z budowy atomu i wiązań chemicznych
Anna Grych Test z budowy atomu i wiązań chemicznych 1. Uzupełnij tabelkę wpisując odpowiednie dane: Nazwa atomu Liczba nukleonów protonów neutronów elektronów X -... 4 2 Y -... 88 138 Z -... 238 92 W -...
Bardziej szczegółowoVI. POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORNOŚCI METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY
Oporność właściwa (Ωm) 1 VI. POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORNOŚCI METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY Cel ćwiczenia: pomiar zależności oporności elektrycznej (rezystancji) metalu i półprzewodnika od temperatury,
Bardziej szczegółowo1. PÓŁPRZEWODNIKI 1.1. PODSTAWOWE WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW
1. PÓŁPRZEWODNIKI 1.1. PODSTAWOWE WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW Najprostsza definicja półprzewodników brzmi: "Półprzewodniki są materiałami, których rezystywność 1 jest większa niż rezystywność przewodników
Bardziej szczegółowoEL08s_w03: Diody półprzewodnikowe
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez
Bardziej szczegółowoE3. Badanie temperaturowej zależności oporu elektrycznego ciał stałych 1/5
1/5 Celem ćwiczenia jest poznanie temperaturowej zależności przepływu prądu elektrycznego przez przewodnik i półprzewodnik oraz doświadczalne wyznaczenie energii aktywacji przewodnictwa dla półprzewodnika
Bardziej szczegółowoZadania powtórkowe do egzaminu maturalnego z chemii Budowa atomu, układ okresowy i promieniotwórczość
strona 1/11 Zadania powtórkowe do egzaminu maturalnego z chemii Budowa atomu, układ okresowy i promieniotwórczość Monika Gałkiewicz Zad. 1 () Przedstaw pełną konfigurację elektronową atomu pierwiastka
Bardziej szczegółowoFizyka 2. Janusz Andrzejewski
Fizyka 2 wykład 13 Janusz Andrzejewski Scaledlugości Janusz Andrzejewski 2 Scaledługości Simple molecules
Bardziej szczegółowoW5. Rozkład Boltzmanna
W5. Rozkład Boltzmanna Podstawowym rozkładem w klasycznej fizyce statystycznej jest rozkład Boltzmanna E /( kt ) f B ( E) Ae gdzie: A jest stałą normalizacyjną, k stałą Boltzmanna 5 k 8.61710 ev / K Został
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoPÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową.
PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową. 1 Półprzewodniki Półprzewodniki to ciała stałe nieorganiczne lub organiczne o przewodnictwie
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoSpis treści. Trwałość jądra atomowego. Okres połowicznego rozpadu
Spis treści 1 Trwałość jądra atomowego 2 Okres połowicznego rozpadu 3 Typy przemian jądrowych 4 Reguła przesunięć Fajansa-Soddy ego 5 Szeregi promieniotwórcze 6 Typy reakcji jądrowych 7 Przykłady prostych
Bardziej szczegółowoOdkrycie jądra atomowego - doświadczenie Rutherforda 1909 r.
Odkrycie jądra atomowego - doświadczenie Rutherforda 1909 r. 1 Budowa jądra atomowego Liczba atomowa =Z+N Liczba masowa Liczba neutronów Izotopy Jądra o jednakowej liczbie protonów, różniące się liczbą
Bardziej szczegółowoPrzejścia promieniste
Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej
Bardziej szczegółowoModel wiązania kowalencyjnego cząsteczka H 2
Model wiązania kowalencyjnego cząsteczka H 2 + Współrzędne elektronu i protonów Orbitale wiążący i antywiążący otrzymane jako kombinacje orbitali atomowych Orbital wiążący duża gęstość ładunku między jądrami
Bardziej szczegółowoFizyka współczesna. Jądro atomowe podstawy Odkrycie jądra atomowego: 1911, Rutherford Rozpraszanie cząstek alfa na cienkich warstwach metalu
Odkrycie jądra atomowego: 9, Rutherford Rozpraszanie cząstek alfa na cienkich warstwach metalu Tor ruchu rozproszonych cząstek (fakt, że część cząstek rozprasza się pod bardzo dużym kątem) wskazuje na
Bardziej szczegółowoPracownia Fizyczna i Elektroniczna Struktura układu doświadczalnego. Wojciech DOMINIK. Zjawisko przyrodnicze
Pracownia Fizyczna i Elektroniczna 0 http://pe.fuw.edu.pl/ Wojciech DOMNK Struktura układu doświadczalnego Zjawisko przyrodnicze detektor Urządzenie pomiarowe Urządzenie wykonawcze interfejs regulator
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki wykład 4
D. Halliday, R. Resnick, J.Walker: Podstawy Fizyki, tom 5, PWN, Warszawa 2003. H. D. Young, R. A. Freedman, Sear s & Zemansky s University Physics with Modern Physics, Addison-Wesley Publishing Company,
Bardziej szczegółowoIII.4 Gaz Fermiego. Struktura pasmowa ciał stałych
III.4 Gaz Fermiego. Struktura pasmowa ciał stałych Jan Królikowski Fizyka IVBC 1 Gaz Fermiego Gaz Fermiego to gaz swobodnych, nie oddziałujących, identycznych fermionów w objętości V=a 3. Poszukujemy N(E)dE
Bardziej szczegółowoMETALE. Cu 8.50 1.35 1.56 7.0 8.2 Ag 5.76 1.19 1.38 5.5 6.4 Au 5.90 1.2 1.39 5.5 6.4
MAL Zestawienie właściwości gazu elektronowego dla niektórych metali: n cm -3 k cm -1 v cm/s ε e ε /k Li 4.6 10 1.1 10 8 1.3 10 8 4.7 5.5 10 4 a.5 0.9 1.1 3.1 3.7 K 1.34 0.73 0.85.1.4 Rb 1.08 0.68 0.79
Bardziej szczegółowoWykład FIZYKA II. 14. Fizyka ciała stałego. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak
Wykład FIZYKA II 14. Fizyka ciała stałego Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak Instytut Fizyki Politechniki Wrocławskiej http://www.if.pwr.wroc.pl/~wozniak/ MATERIA SKONDENSOWANA Każdy pierwiastek bądź
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa
Ćwiczenie 123 Ćwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa Cel ćwiczenia Poznanie własności warstwowych złącz półprzewodnikowych typu p-n. Wyznaczenie i analiza charakterystyk stałoprądowych dla różnych typów
Bardziej szczegółowo1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza
Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN
Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wprowadzenie Budowa atomu: a) model starożytny b) model J.J. Thompsona c) model E. Rutherforda
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoWIĄZANIA. Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE
WIĄZANIA Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE Przyciąganie Wynika z elektrostatycznego oddziaływania między elektronami a dodatnimi jądrami atomowymi. Może to być
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoWŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY
WŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY Polimery Sieć krystaliczna Napięcie powierzchniowe Dyfuzja 2 BUDOWA CIAŁ STAŁYCH Ciała krystaliczne (kryształy): monokryształy, polikryształy Ciała amorficzne (bezpostaciowe)
Bardziej szczegółowoDr inż. Zbigniew Szklarski
Wykład 1: Ciało stałe Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.31 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ Struktura kryształu Ciała stałe o budowie bezpostaciowej
Bardziej szczegółowoRóżne dziwne przewodniki
Różne dziwne przewodniki czyli trzy po trzy o mechanizmach przewodzenia prądu elektrycznego Przewodniki elektronowe Metale Metale (zwane również przewodnikami) charakteryzują się tym, że elektrony ich
Bardziej szczegółowoPromieniowanie jonizujące
Promieniowanie jonizujące Wykład II Promieniotwórczość Fizyka MU, semestr 2 Uniwersytet Rzeszowski, 8 marca 2017 Wykład II Promieniotwórczość Promieniowanie jonizujące 1 / 22 Jądra pomieniotwórcze Nuklidy
Bardziej szczegółowo!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Bardziej szczegółowoFoton, kwant światła. w klasycznym opisie świata, światło jest falą sinusoidalną o częstości n równej: c gdzie: c prędkość światła, długość fali św.
Foton, kwant światła Wielkość fizyczna jest skwantowana jeśli istnieje w pewnych minimalnych (elementarnych) porcjach lub ich całkowitych wielokrotnościach w klasycznym opisie świata, światło jest falą
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA CIAŁA STAŁEGO
STRUKTURA CIAŁA STAŁEGO Podział ciał stałych Ciała - bezpostaciowe (amorficzne) Szkła, żywice, tłuszcze, niektóre proszki. Nie wykazują żadnych regularnych płaszczyzn ograniczających, nie można w nich
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowo