METALE. Cu Ag Au
|
|
- Judyta Stachowiak
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 MAL Zestawienie właściwości gazu elektronowego dla niektórych metali: n cm -3 k cm -1 v cm/s ε e ε /k Li a K Rb s u Ag Au
2 o z tego wszystkiego wynika? iepło właściwe i inne właściwości termiczne iśnienie i i gazu elektronowego Ściśliwość Właściwości magnetyczne Właściwości elektryczne iepło właściwe gazu elektronowego Gdyby potraktować gaz elektronowy jak gaz doskonały, wówczas, korzystając z zasady ekwipartycji energii, otrzymalibyśmy wartość pojemności cieplnej gazu elektronowego jako: 3 el k gdzie jest liczbą elektronów swobodnych a k stałą oltzmanna W rzeczywistości pojemność cieplna jest znacznie mniejsza - tylko niewielka część elektronów może zwiększyć swoja energię (pobierać ciepło).
3 iepło właściwe gazu elektronowego iepło właściwe gazu elektronowego k zęść elektronów, które mogą zwiększyć swoją energię w temperaturze jest rzędu k /, Wielkość energii, o którą wzrośnie, wskutek tego ich średnia energia ~ k. Zatem, wzrost energii wewnętrznej gazu elektronowego wraz z temperaturą można oszacować za pomocą wyrażenia: k ( k ) U k 3
4 iepło właściwe gazu elektronowego U k k ( k ) k Pojemność cieplna: U ( ) k iepło właściwe gazu elektronowego: wyniki doświadczalne K + 1 K 3 zęść elektronowa zęść fononowa 4
5 iśnienie gazu elektronowego Średnia energia gazu elektronowego w temperaturze 0 K: U h 3 8 m π / 3 n n Gaz rozszerza się. iśnienie gazu (jak w termodynamice) wynosi p-du/d przy stałych S i. P U S, 5 n iśnienie gazu elektronowego Wynik jak dla gazu P U 0 3 doskonałego iśnienie gazu elektronowego typowego metalu: 9 P ρ 10 m Pa bar 19 J 5
6 Ściśliwość Każdy gaz stawia opór gdy próbujemy zmniejszyć jego objętość. Podobnie jest z gazem elektronowym. Można obliczyć jego moduł ściśliwości. Okazuje się, że około 0% wartości modułu ściśliwości metalu wynika właśnie ze ściśliwości gazu elektronowego. Właściwości magnetyczne gazu elektronów swobodnych ez pola magnetycznego najkorzystniej energetycznie jest, gdy połowa elektronów ma spiny w dół, a połowa w górę. W polu magnetycznym spin ustawia się zgodnie z zewnętrznym polem magnetycznym. nergia z tym związana jest równa iloczynowi i magnetonu ohra. 6
7 Właściwości magnetyczne gazu elektronów swobodnych µ jest dość małe w porównaniu z. Dlatego tylko niewielka część elektronów może zmienić kierunek spinu (tylko elektrony w pobliżu energii ermiego). Gaz elektronów swobodnych jest paramagnetyczny. Właściwości elektryczne metali Duże przewodnictwo elektryczne jest najbardziej charakterystyczną y ą właściwością ą metali. Wynika ono, rzecz jasna, z obecności prawie swobodnych elektronów w metalu. Uwaga: w przewodzeniu prądu nie biorą udziału wszystkie elektrony prawie swobodne. Podobnie, jak we wszystkich zjawiskach transportu, w przewodzeniu prądu biorą udział tylko elektrony o energiach w pobliżu poziomu ermiego ( w pobliżu ±k). D 7
8 Właściwości optyczne metali Współczynnik odbicia większości metali w zakresie widzialnym jest bliski 1 (powyżej 0,9). Swobodne elektrony absorbują promieniowanie elektromagnetyczne o dowolnej częstości Powracając do stanu podstawowego emitują promieniowanie o tej samej częstości Jest to odbicie D Półprzewodniki samoistne i domieszkowane PÓŁPRZWODIKI 8
9 Struktura krystaliczna Si a5.43 A GaAs a5.63 A ajczęściej: struktura diamentu i blendy cynkowej (ZnS) Wiązania chemiczne Wiązania kowalencyjne i kowalencyjno-jonowe 0K wszystkie elektrony związane >0K wzbudzenia termiczne powodują zerwanie niektórych wiązań 9
10 Wiązania chemiczne Oznacza to, że w temperaturze powyżej 0 K pasmo przewodnictwa jest zajęte przez pewną liczbę elektronów a w paśmie walencyjnym powstaje pewna liczba dziur. Pasma energetyczne g (Si) 1.1 e g (GaAs) 1.4 e 10
11 Pasma energetyczne Si - różne kierunki skośna i prosta przerwa energetyczna Przerwa energetyczna 11
12 nergia (związki dyspersyjne) elektronów i dziur W półprzewodniku elektrony (dziury) są praktycznie tylko w okolicach dna (wierzchołka) odpowiedniego pasma. Gdy minimum (maksimum) pasma energetycznego jest w k0: ( k) e h k + m * e onduction and c ( k) h h k m * h alence and v - minimum pasma przewodnictwa, - wierzchołek pasma walencyjnego, m e * - masa efektywna elektronu, m h * - masa efektywna dziury Masa efektywna elektronów i dziur Gdy powierzchnie izoenergetyczne nie są kuliste (np. w Si, Ge),wówczas związki dyspersyjne są bardziej skomplikowane a masa efektywna zależy od kierunku. 1
13 unkcja rozkładu ermiego-diraca Gdzie, w skali energii, można spodziewać się energii ermiego w półprzewodniku? unkcja ermiego Diraca: 1, ) 1+ e f ( / ( ) k f (, ) 1 unkcja rozkładu ermiego-diraca W temperaturze 0 K prawdopodobieństwo obsadzenia stanu w paśmie przewodnictwa f 0, a w paśmie walencyjnym f 1. Oznacza to, że f ½ w połowie pomiędzy a c w środku przerwy energetycznej. Zatem, dla elektronów w paśmie przewodnictwa: 0,5e >> 3k Dla dziur w paśmie walencyjnym: 0,5e >> 3k wiki/and_gap 13
14 unkcja rozkładu ermiego-diraca Ponieważ energia elektronów (dziur) w odpowiednim paśmie znacznie różni się od energii ermiego, w przypadku półprzewodników funkcję rozkładu można uprościć: lektrony w paśmie przewodnictwa: e ( ) 1, ) 1+ e / k >> 1 1 f ( / ( )/ k ( ) k f (, ) e e ( )/ k unkcja rozkładu ermiego-diraca Dziury w paśmie walencyjnym: e ( ) / k >> 1 1 f (, ) 1 ( )/ k 1+ e ( )/ k 1+ e 1 e, ) ( ) / k 1+ e 1+ e ( ) / k f ( /, ) 1+ e 1 ( ) k 1 f ( / ( )/ k ( ) k e f (, ) e ( )/ k 14
15 ardzo czyste, nośniki ładunku pochodzą wyłącznie z generacji międzypasmowej. PÓŁPRZWODIKI SAMOIS ośniki ładunku w półprzewodniku samoistnym Zrywanie wiązań w podwyższonej temperaturze powoduje pojawienie się swobodnego elektronu i dziury. W półprzewodniku samoistnym np. 15
16 16 Koncentracja swobodnych elektronów w paśmie Koncentracja nośników w paśmie przewodnictwa i walencyjnym 3 * exp h m k gdzie k n n c π przewodnictwa: 3 * exp h m k gdzie k p h π Koncentracja swobodnych dziur w paśmie walencyjnym: n exp p exp Koncentracja nośników w paśmie przewodnictwa i walencyjnym k n exp k p exp UWAGA: to są ogólne wyrażenia opisujące koncentrację ą g y p ją ję elektronów (dziur) w odpowiednim paśmie. Obowiązują one również w półprzewodnikach domieszkowanych, tyle że wtedy inny jest poziom ermiego.
17 Półprzewodniki samoistne: różne wykresy Koncentracja nośników w paśmie przewodnictwa i walencyjnym Prawo działania mas g np ni exp k ni g exp k UWAGA: w powyższej zależności nie występuje to znaczy, że jest ona również prawdziwa dla półprzewodników DOMISZKOWAYH Si (300 K) n i 9.65 x 10 9 cm -3 GaAs (300 K) n i.5 x 10 6 cm -3 17
18 Koncentracja nośników w paśmie przewodnictwa i walencyjnym Szerokość przerwy energetycznej też zależy od temperatury (ale słabo). GaAs Si Ge Koncentracja nośników w paśmie przewodnictwa i walencyjnym Koncentracja swobodnych nośników w odpowiednim paśmie: 18
19 19 Poziom ermiego w półprzewodniku samoistnym: Wiadomo, że n p, k k exp exp k k ln ln ln ln k ln k k ln ln + k ln Poziom ermiego w półprzewodniku samoistnym: + + k ln Podstawiając wyrażenia na c i v,otrzymujemy: 3 * h m k n c π 3 * h m k h π awet w półprzewodniku samoistnym poziom ermiego nie jest dokładnie w środku przerwy energetycznej. + + n h m m k * * ln 4 3
20 Poziom ermiego w półprzewodniku samoistnym: Przykładowe wartości: W samoistnym krzemie, w temperaturze pokojowej energia ermiego jest o około 1% przerwy energetycznej poniżej środka przerwy energetycznej. Ó Półprzewodniki typu n i p. PÓŁPRZWODIKI DOMISZKOWA 0
21 n p Gdy pierwiastek grupy (np. As) lub III (np. ) zastąpi Si, wówczas pojawia się albo nadmiarowy elektron, albo elektronu brakuje. aki elektron (dziura) jest słabo związany z atomem. Domieszki 1
22 nergia wiązania elektronu z atomem domieszki Układ elektron - domieszka traktuje się tak jak atom wodoru ohra. nergia wiązania elektronu z atomem domieszki lektron związany z domieszką traktuje się tak jak atom wodoru ohra, z tym że; zamiast m 0, używa się m n*. Zamiast ε o, używa się εε o (ε, Si 11.8). H 4 m0 q (4π ε0h) 13.6 e d m * q n 4 m * 1 m 0 ε (4π ε ε 0 h) n d 13.6 e 0.05 e
23 nergia wiązania elektronu z atomem domieszki w krzemie Donory nergia jonizacji Akceptory nergia jonizacji [ e] e] Sb 0,039 0,045 P 0, Al. 0, As 0,054 Ga 0,07 In 0,16 Domieszki w Si 3
24 "Promień" atomu domieszki lektron związany z domieszką traktuje się tak jak atom wodoru ohra, z tym że; zamiast m 0, używa się m n*. Zamiast ε o, używa się εε o (ε, Si 11.8). R H ε h 0 0 πm e R d R H εm m * Schemat pasmowy półprzewodnika typu n 4
25 Silnie domieszkowany półprzewodnik Gdy domieszek jest dużo, są blisko siebie: funkcje falowe elektronów domieszek nakładają się. Poziomy domieszek zaczynają tworzyć pasmo. Silnie domieszkowany półprzewodnik Silne domieszkowanie powoduje zwężenie przerwy energetycznej 5
26 Wpływ temperatury Wpływ temperatury 6
27 Oznaczenia n n, p A, D n A, n D p A, p D p Równanie neutralności półprzewodnika Wypadkowy ładunek półprzewodnika (oraz jego dowolnego małego fragmentu) musi być równy zeru. W przeciwnym razie, płynąłby prąd. W półprzewodniku samoistnym: np 7
28 Równanie neutralności półprzewodnika domieszkowanego Ładunki ujemne w półprzewodniku: elektrony w paśmie przewodnictwa (n) akceptory, które związały dodatkowy elektron z pasma walencyjnego (n a a -p a ) p n Równanie neutralności półprzewodnika domieszkowanego Ładunki dodatnie: dziury w paśmie walencyjnym (p) donory, których elektron przeszedł do pasma przewodnictwa (p d d n d ) n p 8
29 Równanie neutralności półprzewodnika domieszkowanego W rezultacie otrzymujemy: n + n p + n + a p d a p a p + d n d n p iskie, średnie i wysokie temperatury POJAŁ HMIZY I KORAJA OŚIKÓW ŁADUKU 9
30 iska temperatura: 0 K Potencjał chemiczny półprzewodnika n i p w 0 K znajduje się pomiędzy odpowiednio i D lub i A. n0, p0 n p iska temperatura: >0 K iskie temperatury: można zaniedbać generację międzypasmową (tylko jonizacja domieszek). Wzór po prawej dotyczy półprzewodnika typu n. c + d k µ + ln d ; c c d c n d e k 30
31 31 Średnia temperatura Średnie temperatury: k n exp W 300 K zazwyczaj wszystkie donory są zjonizowane, nie ma natomiast jeszcze znaczącej generacji międzypasmowej, zatem w półprzewodniku typu n: n D k D exp D k ln µ Wysoka temperatura Wysokie temperatury: generacja międzypasmowa (jak w półprzewodniku samoistnym) i c v v c n n k + + ; ln µ n n i
32 Potencjał chemiczny półprzewodnika domieszkowanego. Półprzewodnik typu n Potencjał chemiczny półprzewodnika domieszkowanego. c d µ i 1 3 µ n v c µ i d v 1 3 µ p Półprzewodnik typu n i p dla trzech różnych zawartości domieszek (1 najmniej). nergia ermiego w funkcji temperatury dla różnych koncentracji donorów i akceptorów w Ge (linia przerywana samoistny Ge). 3
33 Poziom ermiego Si w 300 K w funkcji koncentracji domieszek. Koncentracja nośników ładunku w funkcji temperatury. Koncentracja nośników ładunku w krzemie domieszkowanym akceptorowo dla A cm i cm
34 Koncentracja nośników ładunku w funkcji temperatury. Zazwyczaj tego typu zależności wykreśla się jako logarytm koncentracji w funkcji 1/. Koncentracja nośników ładunku w półprzewodniku domieszkowanym Koncentracja nośników ładunku w półprzewodniku domieszkowanym w 300 K w funkcji koncentracji domieszek. Modelling and Simulation in Materials Science and ngineering olume 1umber 3 A Pérez-omás et al 013 Modelling Simul. Mater. Sci. ng
35 Pytanie Jaka maksymalna zawartość domieszek w krzemie jest dopuszczalna, aby można go było uznać za półprzewodnik samoistny w temperaturze pokojowej? Powinno być: D <<n i zy to możliwe? D << cm -3. Monokrystaliczny krzem: najczystszy znany materiał: 1atom zanieczyszczenia na Si Masa molowa: 8 g, gęstość:,33 g/cm 3 ; W 1cm 3 Si jest 5 x 10 atomów, co oznacza że najmniejsza praktycznie osiągalna zawartość domieszek wynosi około 5 x cm
36 emperatura, w której w półprzewodniku domieszkowanym zaczyna dominować przewodnictwo samoistne Półprzewodniki niezdegenerowane i zdegenerowane Półprzewodnik niezdegenerowany: gdy jest mało domieszek, są one oddalone od siebie wystarczająco, aby elektrony domieszek nie oddziaływały ze sobą. Półprzewodnik zdegenerowany: gdy koncentracja domieszek rośnie, odległość między atomami domieszek maleje i w pewnym momencie elektrony domieszek zaczynają oddziaływać ze sobą, a poziomy domieszek rozszczepiają się w pasmo domieszek. Pasmo domieszek może również nałożyć się na pasmo przewodnictwa lub walencyjne. 36
37 Silnie domieszkowany półprzewodnik Gdy domieszek jest dużo, są blisko siebie: funkcje falowe elektronów domieszek nakładają się. Poziomy domieszek zaczynają tworzyć pasmo. Półprzewodniki zdegenerowane Silne domieszkowanie powoduje zawężenie przerwy energetycznej (german, domieszkowany n (1) i p ()). 37
38 Półprzewodniki zdegenerowane (a) Półprzewodnik zdegenerowany typu n. Duża liczba donorów tworzy pasmo nakładające się na pasmo przewodnictwa. (b) Półprzewodnik zdegenerowany typu p. Półprzewodniki skompensowane Półprzewodnik skompensowany to taki, który zawiera domieszki i typu n i typu p. Półprzewodnik skompensowany można wytworzyć poprzez dyfuzję akceptorów do półprzewodnika typu n, lub odwrotnie., Półprzewodnik skompensowany typu n jest wtedy, gdy d > a, a typu p, gdy a > d. Gdy a d, mamy całkowicie skompensowany półprzewodnik o charakterze półprzewodnika samoistnego. 38
39 Półprzewodniki skompensowane Możliwe procesy jonizacji domieszek w półprzewodniku n, p i skompensowanym Półprzewodniki skompensowane n() w germanie z domieszkami typu n i jedną typu p 39
40 Półprzewodniki skompensowane Poziom ermiego w germanie z domieszkami typu n i jedną typu p Podsumowanie Półprzewodniki znalazły mnóstwo zastosowań dzięki swym niezwykłym właściwościom (możliwości wpływu na koncentrację nośników ładunku). Półprzewodniki jednorodne są rzadkie, natomiast większość zastosowań to złącza półprzewodnikowe, półprzewodnik-metal itp. 40
Półprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna
Półprzewodniki samoistne Struktura krystaliczna Si a5.43 A GaAs a5.63 A ajczęściej: struktura diamentu i blendy cynkowej (ZnS) 1 Wiązania chemiczne Wiązania kowalencyjne i kowalencyjno-jonowe 0K wszystkie
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe
Przyrządy półprzewodnikowe Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T Metal
Bardziej szczegółowo2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.
2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoS. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki
Półprzewodniki Definicja i własności Półprzewodnik materiał, którego przewodnictwo rośnie z temperaturą (opór maleje) i w temperaturze pokojowej wykazuje wartości pośrednie między przewodnictwem metali,
Bardziej szczegółowoRozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
Bardziej szczegółowoRyszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoAbsorpcja związana z defektami kryształu
W rzeczywistych materiałach sieć krystaliczna nie jest idealna występują różnego rodzaju defekty. Podział najważniejszych defektów ze względu na właściwości optyczne: - inny atom w węźle sieci: C A atom
Bardziej szczegółowoWykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoStruktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoPrzerwa energetyczna w germanie
Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania
Bardziej szczegółowoPrzejścia promieniste
Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.
WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoFunkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach
Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowona dnie (lub w szczycie) pasma pasmo jest paraboliczne, ale masa wyznaczona z krzywizny niekoniecznie = m 0
Koncepcja masy efektywnej swobodne elektrony k 1 1 E( k) E( k) =, = m m k krzywizna E(k) określa masę cząstek elektrony prawie swobodne - na dnie pasma masa jest dodatnia, ale niekoniecznie = masie swobodnego
Bardziej szczegółowoW1. Właściwości elektryczne ciał stałych
W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3
Bardziej szczegółowoProjekt FPP "O" Kosma Jędrzejewski 13-12-2013
Projekt FPP "O" Kosma Jędrzejewski --0 Projekt polega na wyznaczeniu charakterystyk gęstości stanów nośników ładunku elektrycznego w obszarze aktywnym lasera półprzewodnikowego GaAs. Wyprowadzenie wzoru
Bardziej szczegółowoTEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH
TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH Skolektywizowane elektrony w metalu Weźmy pod uwagę pewną ilość atomów jakiegoś metalu, np. sodu. Pojedynczy atom sodu zawiera 11 elektronów o konfiguracji 1s 2 2s 2 2p 6 3s
Bardziej szczegółowoModel elektronów swobodnych w metalu
Model elektronów swobodnych w metalu Stany elektronu w nieskończonej trójwymiarowej studni potencjału - dozwolone wartości wektora falowego k Fale stojące - warunki brzegowe znikanie funkcji falowej na
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika
Nazwisko... Data... Nr na liście... Imię... Wydział... Dzień tyg.... Godzina... Ćwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika Tabela I. Metal Nazwa próbki:
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoWykład V Wiązanie kowalencyjne. Półprzewodniki
Wykład V Wiązanie kowalencyjne. Półprzewodniki Wiązanie kowalencyjne molekuła H 2 Tworzenie wiązania kowalencyjnego w molekule H 2 : elektron w jednym atomie przyciągany jest przez jądro drugiego. Wiązanie
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowopółprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski
Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 półprzewodniki
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA
ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA wykład 2 PÓŁPRZEWODNIKI luty 2008 - Lublin krzem u ej n o z r o w t rze i p o ytk d u pł m rze k Od m ik ro pr oc es or ET F S MO p rzy rząd Od p iasku do Ten wykład O CZYM
Bardziej szczegółowoVI. POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORNOŚCI METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY
Oporność właściwa (Ωm) 1 VI. POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORNOŚCI METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY Cel ćwiczenia: pomiar zależności oporności elektrycznej (rezystancji) metalu i półprzewodnika od temperatury,
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoWykład IV. Dioda elektroluminescencyjna Laser półprzewodnikowy
Wykład IV Dioda elektroluminescencyjna Laser półprzewodnikowy Półprzewodniki - diagram pasmowy Kryształ Si, Ge, GaAs Struktura krystaliczna prowadzi do relacji dyspersji E(k). Krzywizna pasm decyduje o
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoE3. Badanie temperaturowej zależności oporu elektrycznego ciał stałych 1/5
1/5 Celem ćwiczenia jest poznanie temperaturowej zależności przepływu prądu elektrycznego przez przewodnik i półprzewodnik oraz doświadczalne wyznaczenie energii aktywacji przewodnictwa dla półprzewodnika
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoPOMIAR ZALEŻNOŚCI OPORU METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY
ĆWICZENIE 44 POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORU METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY Cel ćwiczenia: Pomiar zależności oporu elektrycznego (rezystancji) metalu i półprzewodnika od temperatury oraz wyznaczenie temperaturowego
Bardziej szczegółowoWykład III. Teoria pasmowa ciał stałych
Wykład III Teoria pasmowa ciał stałych Energia elektronu (ev) Powstawanie pasm w krysztale sodu pasmo walencyjne (zapełnione częściowo) Konfiguracja w izolowanym atomie Na: 1s 2 2s 2 2p 6 3s 1 Ne Położenie
Bardziej szczegółowoWykład VI. Teoria pasmowa ciał stałych
Wykład VI Teoria pasmowa ciał stałych Energia elektronu (ev) Powstawanie pasm w krysztale sodu pasmo walencyjne (zapełnione częściowo) Konfiguracja w izolowanym atomie Na: 1s 2 2s 2 2p 6 3s 1 Ne Położenie
Bardziej szczegółowoIA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Bardziej szczegółowoSkończona studnia potencjału
Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach
Bardziej szczegółowoCzym jest prąd elektryczny
Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoInstytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka
Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII
Bardziej szczegółowoKrawędź absorpcji podstawowej
Obecność przerwy energetycznej między pasmami przewodnictwa i walencyjnym powoduje obserwację w eksperymencie absorpcyjnym krawędzi podstawowej. Dla padającego promieniowania oznacza to przejście z ośrodka
Bardziej szczegółowoPodstawowe właściwości fizyczne półprzewodników WYKŁAD 1 SMK J. Hennel: Podstawy elektroniki półprzewodnikowej, WNT, W-wa 2003
Podstawowe właściwości fizyczne półprzewodników WYKŁAD 1 SMK J. Hennel: Podstawy elektroniki półprzewodnikowej, WNT, W-wa 003 1. Wiązania atomów w krysztale Siły wiążące atomy w kryształ mają charakter
Bardziej szczegółowoRóżne dziwne przewodniki
Różne dziwne przewodniki czyli trzy po trzy o mechanizmach przewodzenia prądu elektrycznego Przewodniki elektronowe Metale Metale (zwane również przewodnikami) charakteryzują się tym, że elektrony ich
Bardziej szczegółowoGAZ ELEKTRONÓW SWOBODNYCH POWYŻEJ ZERA BEZWZGLĘDNEGO.
GAZ ELEKTRONÓW SWOBODNYCH POWYŻEJ ZERA BEZWZGLĘDNEGO. Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca T=0K T>0K 1 f ( E ) = 0 dla dla E E F E > EF f ( E, T ) 1 = E E F kt e + 1 1 T>0K Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny
Repeta z wykładu nr 8 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 przegląd detektorów
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowo1. PÓŁPRZEWODNIKI 1.1. PODSTAWOWE WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW
1. PÓŁPRZEWODNIKI 1.1. PODSTAWOWE WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW Najprostsza definicja półprzewodników brzmi: "Półprzewodniki są materiałami, których rezystywność 1 jest większa niż rezystywność przewodników
Bardziej szczegółowoPasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka
Pasmowa teoria przewodnictwa elektrycznego Anna Pietnoczka Wpływ rodzaju wiązań na przewodność próbki: Wiązanie jonowe - izolatory Wiązanie metaliczne - przewodniki Wiązanie kowalencyjne - półprzewodniki
Bardziej szczegółowo!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Bardziej szczegółowoWłaściwości kryształów
Właściwości kryształów Związek pomiędzy właściwościami, strukturą, defektami struktury i wiązaniami chemicznymi Skład i struktura Skład materiału wpływa na wszystko, ale głównie na: właściwości fizyczne
Bardziej szczegółowoLasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek
Lasery półprzewodnikowe przewodnikowe Bernard Ziętek Plan 1. Rodzaje półprzewodników 2. Parametry półprzewodników 3. Złącze p-n 4. Rekombinacja dziura-elektron 5. Wzmocnienie 6. Rezonatory 7. Lasery niskowymiarowe
Bardziej szczegółowoWIĄZANIA. Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE
WIĄZANIA Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE Przyciąganie Wynika z elektrostatycznego oddziaływania między elektronami a dodatnimi jądrami atomowymi. Może to być
Bardziej szczegółowoW5. Rozkład Boltzmanna
W5. Rozkład Boltzmanna Podstawowym rozkładem w klasycznej fizyce statystycznej jest rozkład Boltzmanna E /( kt ) f B ( E) Ae gdzie: A jest stałą normalizacyjną, k stałą Boltzmanna 5 k 8.61710 ev / K Został
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN
Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wprowadzenie Budowa atomu: a) model starożytny b) model J.J. Thompsona c) model E. Rutherforda
Bardziej szczegółowoNanostruktury i nanotechnologie
Nanostruktury i nanotechnologie Heterozłącza Efekty kwantowe Nanotechnologie Z. Postawa, "Fizyka powierzchni i nanostruktury" 1 Termin oddania referatów do 19 I 004 Zaliczenie: 1 I 004 Z. Postawa, "Fizyka
Bardziej szczegółowoChemia nieorganiczna. Copyright 2000 by Harcourt, Inc. All rights reserved.
Chemia nieorganiczna 1. Układ okresowy metale i niemetale 2. Oddziaływania inter- i intramolekularne 3. Ciała stałe rodzaje sieci krystalicznych 4. Przewodnictwo ciał stałych Pierwiastki 1 1 H 3 Li 11
Bardziej szczegółowoPrzewodniki, półprzewodniki i izolatory
Przewodniki, półprzewodniki i izolatory Według współczesnego poglądu na budowę materii zawiera ona w stanie normalnym albo inaczej - obojętnym, równe ilości elektryczności dodatniej i ujemnej. JeŜeli takie
Bardziej szczegółowoS. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Pasma energetyczne. Pasma energetyczne
Pasma energetyczne Niedostatki modelu gazu Fermiego elektronów swobodnych Pomimo wielu sukcesów model nie jest w stanie wyjaśnić następujących zagadnień: 1. różnica między metalami, półmetalami, półprzewodnikami
Bardziej szczegółowoFizyka Ciała Stałego. Struktura krystaliczna. Struktura amorficzna
Wykład II Struktura krystaliczna Fizyka Ciała Stałego Ciała stałe można podzielić na: Amorficzne, brak uporządkowania, np. szkła; Krystaliczne, o uporządkowanym ułożeniu atomów lub molekuł tworzącym sieć
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza)
Instrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza) Laboratorium Elektroenergetyki 1 1. Cel i program ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: zapoznanie się z budową diody półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowo+ + Struktura cia³a sta³ego. Kryszta³y jonowe. Kryszta³y atomowe. struktura krystaliczna. struktura amorficzna
Struktura cia³a sta³ego struktura krystaliczna struktura amorficzna odleg³oœci miêdzy atomami maj¹ tê sam¹ wartoœæ; dany atom ma wszêdzie takie samo otoczenie najbli szych s¹siadów odleg³oœci miêdzy atomami
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoChemia nieorganiczna. Pierwiastki. niemetale Be. 27 Co. 28 Ni. 26 Fe. 29 Cu. 45 Rh. 44 Ru. 47 Ag. 46 Pd. 78 Pt. 76 Os.
Chemia nieorganiczna 1. Układ okresowy metale i niemetale 2. Oddziaływania inter- i intramolekularne 3. Ciała stałe rodzaje sieci krystalicznych 4. Przewodnictwo ciał stałych Copyright 2000 by Harcourt,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY 1.WIADOMOŚCI OGÓLNE
Laboratorium z Fizyki Materiałów 00 Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY.WIADOMOŚCI OGÓLNE Przewodnictwo elektryczne ciał stałych można opisać korzystając
Bardziej szczegółowoelektryczne ciał stałych
Wykład 23: Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ 08.06.2017 1 2 Własności elektryczne
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoAtomy wieloelektronowe
Wiązania atomowe Atomy wieloelektronowe, obsadzanie stanów elektronowych, układ poziomów energii. Przykładowe konfiguracje elektronów, gazy szlachetne, litowce, chlorowce, układ okresowy pierwiastków,
Bardziej szczegółowoFizyka Ciała Stałego. Struktura krystaliczna. Struktura amorficzna
Wykład II Struktura krystaliczna Fizyka Ciała Stałego Ciała stałe można podzielić na: Amorficzne, brak uporządkowania, np. szkła; Krystaliczne, o uporządkowanym ułożeniu atomów lub molekuł tworzącym sieć
Bardziej szczegółowoBadanie emiterów promieniowania optycznego
LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI Ćwiczenie 9 Badanie emiterów promieniowania optycznego Cel ćwiczenia: Zapoznanie studentów z podstawowymi charakterystykami emiterów promieniowania optycznego. Badane elementy:
Bardziej szczegółowoEFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE
ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia
Bardziej szczegółowoIX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski
IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski 1 1 Dioda na złączu p n Zgodnie z wynikami, otrzymanymi na poprzednim wykładzie, natężenie prądu I przepływającego przez złącze p n opisane jest wzorem Shockleya
Bardziej szczegółowoPrawo Ohma. qnv. E ρ U I R U>0V. v u E +
Prawo Ohma U>0V J v u J qnv u - E + J qne d J gęstość prądu [A/cm 2 ] n koncentracja elektronów [cm -3 ] ρ rezystywność [Ωcm] σ - przewodność [S/cm] E natężenie pola elektrycznego [V/cm] I prąd [A] R rezystancja
Bardziej szczegółowoPodstawy krystalografii
Podstawy krystalografii Kryształy Pojęcie kryształu znane było już w starożytności. Nazywano tak ciała o regularnych kształtach i gładkich ścianach. Już wtedy podejrzewano, że te cechy związane są ze szczególną
Bardziej szczegółowoPodstawowe właściwości fizyczne półprzewodników WYKŁAD 2 SMK J. Hennel, Podstawy elektroniki półprzewodnikowej:, WNT, W-wa 2003
Podstawowe właściwości fizyczne półprzewodników WYKŁAD SMK J. Hennel, Podstawy elektroniki półprzewodnikowej:, WNT, W-wa 003 1. Podstawowe pojęcia. Wszystkie informacje dotyczące właściwości dynamicznych
Bardziej szczegółowoZłącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoElementy teorii powierzchni metali
prof. dr hab. Adam Kiejna Elementy teorii powierzchni metali Wykład 4 v.16 Wiązanie metaliczne Wiązanie metaliczne Zajmujemy się tylko metalami dlatego w zasadzie interesuje nas tylko wiązanie metaliczne.
Bardziej szczegółowo2. Elektrony i dziury w półprzewodnikach
2. Elektrony i dziury w półprzewodnikach 1 B III C VI 2 Związki półprzewodnikowe: 8 walencyjnych elektronów na walencyjnym orbitalu cząsteczkowym2 Rozszczepienie elektronowych poziomów energetycznych Struktura
Bardziej szczegółowoOpracowała: mgr inż. Ewelina Nowak
Materiały dydaktyczne na zajęcia wyrównawcze z chemii dla studentów pierwszego roku kierunku zamawianego Inżynieria Środowiska w ramach projektu Era inżyniera pewna lokata na przyszłość Opracowała: mgr
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA GDAŃSKA WYDZIAŁ FIZYKI TECHNICZNEJ I MATEMATYKI STOSOWANEJ EKSCYTONY. Seminarium z Molekularnego Ciała a Stałego Jędrzejowski Jaromir
POLITECHNIKA GDAŃSKA WYDZIAŁ FIZYKI TECHNICZNEJ I MATEMATYKI STOSOWANEJ EKSCYTONY W CIAŁACH ACH STAŁYCH Seminarium z Molekularnego Ciała a Stałego Jędrzejowski Jaromir Co to sąs ekscytony? ekscyton to
Bardziej szczegółowoEFEKT HALLA W PÓŁPRZEWODNIKACH.
Politechnika Warszawska Wydział Fizyki Laboratorium Fizyki I P Andrzej Kubiaczyk 30 EFEKT HALLA W PÓŁPRZEWODNIKACH. 1. Podstawy fizyczne 1.1. Ruch ładunku w polu elektrycznym i magnetycznym Na ładunek
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników
Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Model atomu Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jądro jest zbudowane z: i) dodatnich protonów ii) neutralnych neutronów Liczba atomowa
Bardziej szczegółowoWłasności elektronowe amorficznych stopów Si/Me:H w pobliżu przejścia izolator-metal
1 Własności elektronowe amorficznych stopów Si/Me:H w pobliżu przejścia izolator-metal Gęste pary metali (wzrost gęstości -> I-M) niemetale poddane wysokiemu ciśnieniu -> I-M Cs-CsH (wzrost ciśnienia wodoru
Bardziej szczegółowo